JP2018534544A - トランジスタ温度感知 - Google Patents
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Abstract
Description
本出願は、2015年9月16日に出願した共同所有米国非仮特許出願第14/856,004号の優先権を主張するものであり、その内容は、参照によりそれらの全体が本明細書に明確に組み込まれている。
の温度が約125度Cである場合、約77mVに対応し得る。
112 第1の電流源
114 第2の電流源
122 第1のソースコンタクト
124 第1のボディコンタクト
126 第1のドレインコンタクト
128 第1のゲートコンタクト
132 第2のソースコンタクト
134 第2のボディコンタクト
136 第2のドレインコンタクト
138 第2のゲートコンタクト
160 増幅器
162 出力電圧(Vout)
164 第1の電圧
166 第1のfinFET
168 第1の入力
170 第2の入力
172 温度感知回路
174 出力
176 第2の電圧
178 第2のfinFET
192 グラフ
200 デバイス
202 第1のPMOSトランジスタ
204 第2のPMOSトランジスタ
212 第1のn型金属酸化膜半導体(NMOS)トランジスタ
214 第2のNMOSトランジスタ
250 入力電圧供給(Vdd)
252 ゲート電圧供給(Vgp)
254 ドレイン電圧供給(Vdp)
256 接地電圧供給(GND)
300 デバイス
304 第1のn型ウェル(Nウェル)
306 p型ウェル(Pウェル)
308 第2のNウェル
324 第1の寸法(D)
328 第1のNMOSトランジスタ212のゲート
334 第2のD
338 第2のNMOSトランジスタ214のゲート
400 デバイス
402 第1のNMOSトランジスタ
404 第2のNMOSトランジスタ
412 第1のPMOSトランジスタ
414 第2のPMOSトランジスタ
450 入力電圧供給(Vdd)
452 ゲート電圧供給(Vgn)
454 ドレイン電圧供給(Vdn)
456 接地電圧供給(GND)
500 デバイス
504 第1のPウェル
506 Nウェル
508 第2のPウェル
524 第1の寸法(D)
528 第1のPMOSトランジスタ412のゲート
534 第2のD
538 第2のPMOSトランジスタ414のゲート
600 finFET温度感知の方法
700 ワイヤレス通信デバイス
710 プロセッサ
722 システムインパッケージデバイスまたはシステムオンチップデバイス
726 ディスプレイコントローラ
728 ディスプレイ
730 入力デバイス
732 メモリ
734 符号器/復号器(CODEC)
736 スピーカ
738 マイクロホン
740 ワイヤレスコントローラ
742 アンテナ
744 電源
Claims (30)
- デバイスであって、
ソースコンタクトと、
ドレインコンタクトと、
ゲートコンタクトと、
温度感知回路に電気結合されたボディコンタクトと
を備え、前記ソースコンタクト、前記ドレインコンタクト、前記ゲートコンタクトおよび前記ボディコンタクトがフィン型電界効果トランジスタ(finFET)の中に含まれる、デバイス。 - 前記ソースコンタクトに電気結合された第2のソースコンタクトと、
前記ドレインコンタクトに電気結合された第2のドレインコンタクトと、
前記ゲートコンタクトに電気結合された第2のゲートコンタクトと、
前記温度感知回路に電気結合された第2のボディコンタクトと
をさらに備え、前記第2のソースコンタクト、前記第2のドレインコンタクト、前記第2のゲートコンタクトおよび前記第2のボディコンタクトが第2のfinFETの中に含まれる、請求項1に記載のデバイス。 - 前記温度感知回路が、
前記ボディコンタクトに結合された第1の電流源と、
前記第2のボディコンタクトに結合された第2の電流源と
を含む、請求項2に記載のデバイス。 - 前記finFETが第1のp型金属酸化膜半導体(PMOS)トランジスタを含み、前記第2のfinFETが第2のPMOSトランジスタを含む、請求項3に記載のデバイス。
- 前記第1の電流源が第1のn型金属酸化膜半導体(NMOS)トランジスタを含み、前記第2の電流源が第2のNMOSトランジスタを含む、請求項3に記載のデバイス。
- 前記ソースコンタクトおよび前記第2のソースコンタクトが第1の回路構成に結合され、前記ドレインコンタクトおよび前記第2のドレインコンタクトが第2の回路構成に結合され、前記finFETおよび前記第2のfinFETが、前記ゲートコンタクトおよび前記第2のゲートコンタクトに印加される電圧に応答して、前記第1の回路構成と前記第2の回路構成との間に電気経路を提供するように構成される、請求項2に記載のデバイス。
- 前記ボディコンタクトが、前記finFETに関連する温度に比例する第1の電圧を出力するように構成される、請求項1に記載のデバイス。
- 前記温度感知回路が、少なくとも部分的に前記第1の電圧に基づいて第2の電圧を出力するように構成される増幅器を含む、請求項7に記載のデバイス。
- 前記ソースコンタクトが第1の回路構成に結合され、前記ドレインコンタクトが第2の回路構成に結合され、前記finFETが、前記ゲートコンタクトに印加される電圧に応答して、前記第1の回路構成と前記第2の回路構成との間に電気経路を提供するように構成される、請求項1に記載のデバイス。
- 前記温度感知回路に電気結合された第2のボディコンタクトを含む第2のfinFETをさらに備える、請求項1に記載のデバイス。
- 前記ボディコンタクトが、前記finFETに関連する温度に比例する第1の電圧を出力するように構成され、前記第2のボディコンタクトが、前記第2のfinFETに関連する第2の温度に比例する第2の電圧を出力するように構成される、請求項10に記載のデバイス。
- 前記温度感知回路が、
前記ボディコンタクトから第1の電圧を受け取るように構成された第1の入力と、
前記第2のボディコンタクトから第2の電圧を受け取るように構成された第2の入力と、
前記第1の電圧および前記第2の電圧に基づく出力電圧を生成するように構成された出力と
を備える増幅器を含む、請求項10に記載のデバイス。 - 方法であって、
デバイスの第1のフィン型電界効果トランジスタ(finFET)のボディコンタクトから第1の電圧を受け取るステップと、
前記デバイスの第2のfinFETの第2のボディコンタクトから第2の電圧を受け取るステップと、
前記第1の電圧および前記第2の電圧に基づいて、前記デバイスの温度に対応する出力を生成するステップと
を含む、方法。 - 前記出力が、前記第1の電圧と前記第2の電圧との間の差に基づいて生成される、請求項13に記載の方法。
- 前記第1のfinFETの第1のソースコンタクトが前記第2のfinFETの第2のソースコンタクトに電気結合される、請求項13に記載の方法。
- 前記第1のfinFETの第1のドレインコンタクトが前記第2のfinFETの第2のドレインコンタクトに電気結合される、請求項13に記載の方法。
- 前記第1のfinFETの第1のゲートコンタクトが前記第2のfinFETの第2のゲートコンタクトに電気結合される、請求項13に記載の方法。
- 第1の電流源が前記ボディコンタクトに電気結合され、第2の電流源が前記第2のボディコンタクトに電気結合される、請求項13に記載の方法。
- 前記第1の電圧が前記第1のfinFETに関連する第1の温度に比例し、前記第2の電圧が前記第2のfinFETに関連する第2の温度に比例する、請求項13に記載の方法。
- 第1のボディコンタクトを含む第1のフィン型電界効果トランジスタ(finFET)と、
第2のボディコンタクトを含む第2のfinFETと、
温度感知回路であって、
前記第1のボディコンタクトに電気結合された第1の入力と、
前記第2のボディコンタクトに電気結合された第2の入力と
を備える、増幅器と、
前記第1のボディコンタクトに電気結合された第1の電流源と、
前記第2のボディコンタクトに電気結合された第2の電流源と
を含む温度感知回路と
を備える、デバイス。 - 前記第1のfinFETが第1のp型金属酸化膜半導体(PMOS)トランジスタを含み、前記第2のfinFETが第2のPMOSトランジスタを含む、請求項20に記載のデバイス。
- 前記第1の電流源が第1のn型金属酸化膜半導体(NMOS)トランジスタを含み、前記第2の電流源が第2のNMOSトランジスタを含む、請求項20に記載のデバイス。
- 前記第1のfinFETが第1のn型金属酸化膜半導体(NMOS)トランジスタを含み、前記第2のfinFETが第2のNMOSトランジスタを含む、請求項20に記載のデバイス。
- 前記第1の電流源が第1のp型金属酸化膜半導体(PMOS)トランジスタを含み、前記第2の電流源が第2のPMOSトランジスタを含む、請求項20に記載のデバイス。
- 前記第1の電流源が前記第1のボディコンタクトに第1の電流を提供し、前記第2の電流源が前記第2のボディコンタクトに第2の電流を提供し、前記第1の電流が前記第2の電流とは全く異なる、請求項20に記載のデバイス。
- 前記第1のボディコンタクトが、前記第1のfinFETに関連する第1の温度に比例する第1の電圧を出力するように構成され、前記第2のボディコンタクトが、前記第2のfinFETに関連する第2の温度に比例する第2の電圧を出力するように構成される、請求項20に記載のデバイス。
- 前記増幅器が、前記第1の電圧および前記第2の電圧に基づく出力電圧を生成するように構成された出力をさらに含む、請求項26に記載のデバイス。
- 前記第1のfinFETが、第1のソースコンタクト、第1のドレインコンタクトおよび第1のゲートコンタクトをさらに含み、前記第1のソースコンタクトが第1の回路構成に結合され、前記第1のドレインコンタクトが第2の回路構成に結合され、前記第1のfinFETが、前記第1のゲートコンタクトに印加される電圧に応答して、前記第1の回路構成と前記第2の回路構成との間に電気経路を提供するように構成される、請求項20に記載のデバイス。
- 装置であって、
デバイスの第1のフィン型電界効果トランジスタ(finFET)のボディコンタクトから第1の電圧を受け取るための手段と、
前記デバイスの第2のfinFETの第2のボディコンタクトから第2の電圧を受け取るための手段と、
前記第1の電圧と前記第2の電圧を比較して、前記デバイスの温度に対応する出力電圧を生成するための手段と
を備える、装置。 - 前記第1の電圧を受け取るための前記手段、前記第2の電圧を受け取るための前記手段、および前記出力電圧を出力するための前記手段が、通信デバイス、固定位置データユニット、モバイル位置データユニット、モバイル電話、セルラー電話、衛星電話、コンピュータ、タブレット、携帯型コンピュータ、デスクトップコンピュータ、セットトップボックス、娯楽ユニット、ナビゲーションデバイス、パーソナルデジタルアシスタント(PDA)、モニタ、コンピュータモニタ、テレビジョン、チューナ、ラジオ、衛星ラジオ、音楽プレーヤ、デジタル音楽プレーヤ、携帯型音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、デジタルビデオプレーヤ、デジタルビデオディスク(DVD)プレーヤまたは携帯型デジタルビデオプレーヤのうちの少なくとも1つに統合される、請求項29に記載の装置。
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