JP2018529960A - 半導体パワーモジュールのダイの接合温度を求める方法及び装置 - Google Patents
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Abstract
Description
−1つのスイッチングサイクルの少なくとも一部の間に、少なくとも1つのダイの導通を無効にするステップと、
−少なくとも1つのダイが非導通状態であるサイクルの期間中に、少なくとも1つのダイのゲートに電流制限電圧を印加するステップであって、印加された電流制限電圧は、ダイが導通状態になるのを可能にしない電圧値を有する、ステップと、
−ダイのゲートにおける電圧を測定するステップと、
−測定電圧から、少なくとも1つのダイの接合部の温度変動又はダイの接合部の温度を導出するステップと、
を含むことを特徴とする、方法に関する。
−1つのスイッチングサイクルの少なくとも一部の間に、少なくとも1つのダイの導通を無効にするセクションと、
−少なくとも1つのダイが非導通状態であるサイクルの期間中に、少なくとも1つのダイのゲートに電流制限電圧を印加するセクションであって、印加された電流制限電圧は、ダイが導通状態になるのを可能にしない電圧値を有する、セクションと、
−ダイのゲートにおける電圧を測定するセクションと、
−測定電圧から、少なくとも1つのダイの接合部の温度変動又はダイの接合部の温度を導出するセクションと、
を備えることを特徴とする、装置に関する。
Claims (9)
- 半導体パワーモジュールの少なくとも1つのダイの接合温度を求める方法であって、該半導体パワーモジュールは、並列に接続されかつパターンサイクルに従って導通状態と非導通状態との間で切り替わる複数のダイから構成され、該方法は、
1つのスイッチングサイクルの少なくとも一部の間に、前記少なくとも1つのダイの導通を無効にするステップと、
前記少なくとも1つのダイが非導通状態であるサイクルの期間中に、該少なくとも1つのダイのゲートに電流制限電圧を印加するステップであって、結果としての電圧変動は、前記ダイが導通状態になるのを可能にしない値を有するものと、
前記ダイの前記ゲートにおける電圧を測定するステップと、
測定電圧から、前記少なくとも1つのダイの接合部の温度変動又は該ダイの該接合部の温度を導出するステップと、
を含む、方法。 - 全ての前記ダイの前記ゲートは、互いに接続され、全ての該ダイは、同じサイクル中に非作動状態にされ、前記電流制限電圧は、全ての該ダイの前記ゲートに、該ダイが非導通状態である前記サイクルの前記期間中に印加され、前記温度変動又は前記温度は、前記ダイの前記接合部の平均温度又は平均温度変動である、請求項1に記載の方法。
- 各ダイの前記ゲートは、他のダイの前記ゲートに接続されておらず、1つのサイクル中、単一のダイが非作動状態にされる、請求項1に記載の方法。
- 前記ダイは、ラウンドロビンに基づいて異なるサイクルで非作動状態にされる、請求項3に記載の方法。
- 前記ダイの前記ゲートに対する前記電流制限電圧は、前記他のダイの前記導通状態への転換が完了した後に印加される、請求項3又は4に記載の方法。
- 前記ダイの前記ゲートにおける前記電圧は、測定電圧をデジタル化するために使用されるアナログデジタル変換器の特性を考慮する時点で測定される、請求項3から5までのいずれか1項に記載の方法。
- 前記測定の後に前記ゲートに提供される前記電流制限電圧を中断するステップを更に含む、請求項3から5までのいずれか1項に記載の方法。
- 印加電圧の電流は、10mAから100mAまでにある、請求項1から7までのいずれか1項に記載の方法。
- 半導体パワーモジュールの少なくとも1つのダイの接合温度を求める装置であって、該半導体パワーモジュールは、並列に接続されかつパターンサイクルに従って導通状態と非導通状態との間で切り替わる複数のダイから構成され、該装置は、
1つのスイッチングサイクルの少なくとも一部の間に、前記少なくとも1つのダイの導通を無効にするセクションと、
前記少なくとも1つのダイが非導通状態であるサイクルの期間中に、該少なくとも1つのダイのゲートに電流制限電圧を印加するセクションであって、該印加された電流制限電圧は、前記ダイが導通状態になるのを可能にしない電圧値を有するものと、
前記ダイの前記ゲートにおける電圧を測定するセクションと、
測定電圧から、前記少なくとも1つのダイの接合部の温度変動又は該ダイの該接合部の温度を導出するセクションと、
を備える、装置。
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