JP2018522953A5 - - Google Patents
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Claims (26)
- 第1および第2の状態を有するモノリシック形状記憶ポリマー(SMP)発泡体
を含むシステムであって、前記SMP発泡体は、(a)ポリウレタン、(b)内側ストラットによって画定された内側網状化セルを有する内側半分部分、および(c)前記SMP発泡体の断面を備える平面において前記内側半分部分を囲む、外側ストラットによって画定された外側網状化セルを有する外側半分部分を備えるシステム。 - 前記外側網状化セルが前記内側網状化セルより網状化しているような網状化勾配を含む、請求項1に記載のシステム。
- 前記SMP発泡体が、遠位部分および近位部分を含み、
前記遠位部分が、前記内側半分部分および前記外側半分部分を含み、
前記遠位部分および近位部分のうちの1つは、前記遠位部分および近位部分の別のものよりも大いに網状化したセルを含む、請求項1に記載のシステム。 - 前記SMP発泡体が、経時的に、疎水性の増加に向かい回復するように構成された表面エネルギーを有する、請求項1に記載のシステム。
- 前記内側および外側ストラットは両方がN,N,N’,N’−テトラキス(2−ヒドロキシプロピル)エチレンジアミン(HPED)、トリエタノールアミン(TEA)およびヘキサメチレンジイソシアネート(HDI)を含み、TEAはHPEDよりも、高いヒドロキシル基のモル比に寄与する、請求項1に記載のシステム。
- 前記SMP発泡体が0.06g/cm3未満の密度を有する、請求項5に記載のシステム。
- 前記内側および外側ストラットは両方がN,N,N’,N’−テトラキス(2−ヒドロキシプロピル)エチレンジアミン(HPED)、トリエタノールアミン(TEA)およびトリメチルヘキサメチレンジアミン(TMHDI)を含み、HPEDはTEAよりも、高いヒドロキシル基のモル比に寄与する、請求項1に記載のシステム。
- 炭化水素膜を含むシステムであって、
前記SMP発泡体が、追加の内側ストラットと、追加の外側ストラットとを含み、前記追加の外側ストラットは前記SMP発泡体の断面を備える平面において前記内側半分部分を囲み、
前記炭化水素膜が前記追加の内側ストラットと前記追加の外側ストラットの両方を覆う、請求項1に記載のシステム。 - 前記炭化水素膜が500nmほど厚くない、請求項8に記載のシステム。
- 前記炭化水素膜が疎水性である、請求項8に記載のシステム。
- 前記追加の内側ストラットが前記内側半分部分に含まれ、前記追加の外側ストラットが前記外側半分部分に含まれる、請求項8に記載のシステム。
- 前記炭化水素膜が、ビニル基をさらに含む炭化水素ポリマーを含む、請求項8に記載のシステム。
- 前記SMP発泡体は、前記炭化水素膜に基づく熱刺激に曝されたとき非線形膨張速度を含む、請求項8に記載のシステム。
- 前記内側および外側ストラットは両方が、N,N,N’,N’−テトラキス(2−ヒドロキシプロピル)エチレンジアミン(HPED)、グリセロール、ペンタンジオールおよびヘキサメチレンジイソシアネート(HDI)を含む、請求項1に記載のシステム。
- 前記SMP発泡体が、前記内側および外側ストラットの両方の外面に化学的に結合したヒドロキシル基を含む、請求項6に記載のシステム。
- 第1および第2の状態を有するモノリシック形状記憶ポリマー(SMP)発泡体、および
炭化水素膜
を備えるシステムであって、
前記SMP発泡体が、(a)ポリウレタン、(b)内側ストラットによって画定された内側網状化セルを有する内側半分部分、および(c)前記SMP発泡体の断面を備える平面において前記内側半分部分を囲む、外側ストラットによって画定された外側網状化セルを有する外側半分部分を備え、
前記炭化水素膜が前記内側および外側ストラットの両方を覆うシステム。 - 前記炭化水素膜が500nmほど厚くなく、前記炭化水素膜が疎水性である、請求項16に記載のシステム。
- プラズマチャンバ内に第1および第2の状態を有するモノリシック形状記憶ポリマー(SMP)発泡体を配置すること、
前記チャンバを第1の圧力レベル範囲まで排気すること、
前記第1の圧力レベル範囲にある間、第1のガス混合物を前記チャンバに供給すること、
前記第1のガス混合物を第1のプラズマにイオン化すること、
第1の期間にわたって前記SMP発泡体を前記第1のプラズマに曝して前記SMP発泡体のセルを網状化し、前記網状化したセルの内側および外側ストラットの表面を酸化させること、および
前記SMP発泡体を大気圧に曝すこと
を含む方法であって、
前記SMP発泡体が、(a)ポリウレタンと、(b)前記内側ストラットを含む内側半分部分と、(c)前記SMP発泡体の断面を備える平面において前記内側半分部分を囲む、前記外側ストラットを含む外側半分部分とを含む方法。 - 前記SMP発泡体を前記第1のプラズマに曝した後に、続いて、
前記SMP発泡体を含む前記チャンバおよび別のチャンバの少なくとも1つを第2の圧力レベル範囲まで排気すること、
前記第2の圧力レベル範囲にある間に第2のガス混合物を前記チャンバおよび別のチャンバの前記少なくとも1つに供給すること、
前記第2のガス混合物を第2のプラズマにイオン化すること、および
第2の期間にわたって前記SMP発泡体を前記第2のプラズマに曝して、前記内側および外側ストラットの両方の前記酸化した表面上に炭化水素膜を形成すること
を含む方法であって、
前記炭化水素膜が500nmほど厚くない、請求項18に記載の方法。 - 前記第1のガス混合物が酸素およびテトラフルオロメタンを含み、前記第2のガス混合物がアセチレン、エチレン、プロピレン、メタン、イソブチレン、エタン、プロパン、ブタンおよびアルゴンからなる群から選択される少なくとも1つのメンバーを含む、請求項
19に記載の方法。 - 前記第2の期間、前記SMP発泡体を前記第2のプラズマに曝す前に前記SMP発泡体の一部をマスキングすることを含む、請求項19に記載の方法。
- 前記第1の期間、前記SMP発泡体を前記第1のプラズマに曝す前に前記SMP発泡体の一部をマスキングすることを含む、請求項18に記載の方法。
- 前記内側および外側ストラットは両方がN,N,N’,N’−テトラキス(2−ヒドロキシプロピル)エチレンジアミン(HPED)、トリエタノールアミン(TEA)およびヘキサメチレンジイソシアネート(HDI)を含み、TEAはHPEDよりも、高いヒドロキシル基のモル比に寄与する、請求項8に記載のシステム。
- 前記SMP発泡体が、前記内側および外側ストラットの両方の外面に化学的に結合したヒドロキシル基を含む、請求項8に記載のシステム。
- 前記内側および外側ストラットは両方がN,N,N’,N’−テトラキス(2−ヒドロキシプロピル)エチレンジアミン(HPED)、トリエタノールアミン(TEA)およびヘキサメチレンジイソシアネート(HDI)を含み、TEAはHPEDよりも、高いヒドロキシル基のモル比に寄与する、請求項18に記載の方法。
- 前記SMP発泡体が、前記内側および外側ストラットの両方の外面に化学的に結合したヒドロキシル基を含む、請求項18に記載の方法。
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