JP2018517923A - リソグラフィ装置及びリソグラフィプロセスにおける方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】リソグラフィ装置は互いに対する相対移動が行われる第1構成要素WTと第2構成要素Gを備え、第1構成要素は第1表面1を有し、第2構成要素は第2表面2を有し、第1表面と第2表面は互いに対向する。第1表面は第1表面と第2表面の間のガス被保護容積90への周囲ガス流入を低減又は防止する障壁を提供する障壁システム70を収容する。障壁システムは、被保護容積の第1表面に隣接する部分を包囲するガスカーテン81を構築するカーテンガス流に適応したカーテン開口部71と、カーテンガス流に取り込まれる内側取込ガス流82に適応した内側取込開口部72とを備える。リソグラフィ装置は内側取込ガス流の乱れがカーテンガス流より弱くなるよう構成され、内側取込開口部は被保護容積に対しカーテン開口部の径方向内側にある。
【選択図】図4
Description
本出願は、2015年4月20日に出願された欧州出願第15164217.0号の優先権を主張し、その全体が本明細書に援用される。
本発明のいくつかの実施の形態が付属の概略的な図面を参照して以下に説明されるがこれらは例示に過ぎない。各図面において対応する参照符号は対応する部分を指し示す。
− 放射ビームB(例えばUV放射)を調整するよう構成されている照明システム(イルミネータ)ILと、
− パターニングデバイス(例えばマスク)MAを支持するよう構成され、いくつかのパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするよう構成されている第1位置決め装置PMに接続されている支持構造(例えばマスクテーブル)MTと、
− 基板(例えば、レジストで被覆されたウェーハ)Wを保持するよう構成され、いくつかのパラメータに従って基板を正確に位置決めするよう構成されている第2位置決め装置PWに接続されている基板テーブル(例えばウェーハテーブル)WTと、
− パターニングデバイスMAにより投影放射ビームBに付与されたパターンを基板Wの(例えば1つ以上のダイを含む)目標部分Cに投影するよう構成されている投影システム(例えば、屈折投影レンズ系)PSと、を備える。
Claims (9)
- 互いに対する相対移動が行われるように構成された第1構成要素と第2構成要素を備えるリソグラフィ装置であって、
前記第1構成要素は、第1表面を有し、
前記第2構成要素は、第2表面を有し、前記第1表面と前記第2表面は互いに対向し、
前記第1表面は、前記第1表面と前記第2表面の間にあるガスの被保護容積への周囲ガスの流入を低減または防止するように動作可能な障壁を提供するよう構成された障壁システムを収容し、前記障壁システムは、
前記被保護容積のうち前記第1表面に隣接する部分を包囲するガスカーテンを構築するためのカーテンガス流に適応された少なくとも1つのカーテン開口部と、
前記カーテンガス流へと取り込まれるための内側取込ガス流に適応された少なくとも1つの内側取込開口部と、を備え、
前記リソグラフィ装置は、前記内側取込ガス流の乱れが前記カーテンガス流の乱れよりも弱くなるように構成され、
前記少なくとも1つの内側取込開口部は、前記被保護容積に対して前記少なくとも1つのカーテン開口部の径方向内側にあるリソグラフィ装置。 - 前記リソグラフィ装置は、前記内側取込ガス流の体積流量が前記カーテンガス流の体積流量よりも大きくなるように構成されている請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記リソグラフィ装置は、前記被保護容積に対して前記カーテンガス流の径方向内側から前記カーテンガス流へと取り込まれる実質的にすべてのガスが前記内側取込ガス流からのガスとなるように構成されている請求項1または2に記載のリソグラフィ装置。
- 前記リソグラフィ装置は、前記内側取込ガス流の体積流量が前記被保護容積に対して前記カーテンガス流の径方向内側から前記カーテンガス流へと取り込まれることのできる最大体積流量よりも大きくなるように構成されている請求項1から3のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
- 前記リソグラフィ装置は、前記内側取込ガス流の実質的にすべてが前記カーテンガス流へと取り込まれるように構成されている請求項1から3のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
- 前記障壁システムは、前記カーテンガス流へと取り込まれるための外側取込ガス流に適応された少なくとも1つの外側取込開口部を備え、前記リソグラフィ装置は、前記外側取込ガス流の乱れが前記カーテンガス流の乱れよりも弱くなるように構成され、
前記少なくとも1つの外側取込開口部は、前記被保護容積に対して前記少なくとも1つのカーテン開口部の径方向外側にある請求項1から5のいずれかに記載のリソグラフィ装置。 - 前記リソグラフィ装置は、前記内側取込ガス流の体積流量が前記外側取込ガス流の体積流量よりも大きくなるように構成されている請求項6に記載のリソグラフィ装置。
- リソグラフィプロセスにおける方法であって、
第1構成要素の第2構成要素に対する相対移動を行うことを備え、前記第1構成要素が第1表面を有し、前記第2構成要素が第2表面を有し、前記第1表面と前記第2表面が互いに対向しており、さらに、
前記第1表面と前記第2表面の間にあるガスの被保護容積への周囲ガスの流入を低減または防止するように動作可能な障壁を提供することを備え、前記障壁を提供することは、
前記被保護容積のうち前記第1表面に隣接する部分を包囲するガスカーテンを構築するように第1表面により収容された少なくとも1つのカーテン開口部からカーテンガス流を提供することと、
前記カーテンガス流へと取り込まれるために前記第1表面により収容された少なくとも1つの内側取込開口部から内側取込ガス流を提供することと、を備え、前記内側取込ガス流は前記カーテンガス流よりも乱れが弱く、
前記少なくとも1つの内側取込開口部は、前記被保護容積に対して前記少なくとも1つのカーテン開口部の径方向内側にある方法。 - 請求項1から7のいずれかに記載のリソグラフィ装置における使用のために構成された第1構成要素。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP15164217 | 2015-04-20 | ||
EP15164217.0 | 2015-04-20 | ||
PCT/EP2016/054951 WO2016169692A1 (en) | 2015-04-20 | 2016-03-09 | Lithographic apparatus and method in a lithographic process |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018517923A true JP2018517923A (ja) | 2018-07-05 |
JP6408720B2 JP6408720B2 (ja) | 2018-10-17 |
Family
ID=52991563
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017555288A Active JP6408720B2 (ja) | 2015-04-20 | 2016-03-09 | リソグラフィ装置及びリソグラフィプロセスにおける方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10095130B2 (ja) |
JP (1) | JP6408720B2 (ja) |
KR (1) | KR102007352B1 (ja) |
CN (2) | CN107533300B (ja) |
NL (1) | NL2016399A (ja) |
TW (1) | TWI599856B (ja) |
WO (1) | WO2016169692A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL2025372A (en) * | 2020-04-20 | 2020-05-07 | Asml Netherlands Bv | System, lithographic apparatus and method |
US11740564B2 (en) * | 2020-06-18 | 2023-08-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Lithography apparatus and method using the same |
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WO2014005780A1 (en) * | 2012-07-06 | 2014-01-09 | Asml Netherlands B.V. | A lithographic apparatus |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03252507A (ja) | 1990-03-02 | 1991-11-11 | Hitachi Ltd | レーザ干渉測長装置およびそれを用いた位置決め方法 |
US20060119811A1 (en) | 2004-12-07 | 2006-06-08 | Asml Netherlands B.V. | Radiation exposure apparatus comprising a gas flushing system |
EP2221669A3 (en) * | 2009-02-19 | 2011-02-09 | ASML Netherlands B.V. | A lithographic apparatus, a method of controlling the apparatus and a device manufacturing method |
NL2006127A (en) * | 2010-02-17 | 2011-08-18 | Asml Netherlands Bv | A substrate table, a lithographic apparatus and a method for manufacturing a device using a lithographic apparatus. |
CN106030413B (zh) * | 2014-02-20 | 2018-09-14 | Asml荷兰有限公司 | 光刻设备和器件制造方法 |
-
2016
- 2016-03-09 WO PCT/EP2016/054951 patent/WO2016169692A1/en active Application Filing
- 2016-03-09 CN CN201680022789.8A patent/CN107533300B/zh active Active
- 2016-03-09 KR KR1020177033120A patent/KR102007352B1/ko active IP Right Grant
- 2016-03-09 CN CN202010227073.XA patent/CN111352309B/zh active Active
- 2016-03-09 US US15/567,252 patent/US10095130B2/en active Active
- 2016-03-09 JP JP2017555288A patent/JP6408720B2/ja active Active
- 2016-03-09 NL NL2016399A patent/NL2016399A/en unknown
- 2016-03-22 TW TW105108873A patent/TWI599856B/zh active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP2004266051A (ja) * | 2003-02-28 | 2004-09-24 | Canon Inc | 露光装置 |
JP2007251156A (ja) * | 2006-03-03 | 2007-09-27 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
JP2012049531A (ja) * | 2010-08-24 | 2012-03-08 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
JP2013182055A (ja) * | 2012-02-29 | 2013-09-12 | Canon Inc | 露光装置、露光方法及び物品の製造方法 |
WO2014005780A1 (en) * | 2012-07-06 | 2014-01-09 | Asml Netherlands B.V. | A lithographic apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20180113389A1 (en) | 2018-04-26 |
TW201704890A (zh) | 2017-02-01 |
JP6408720B2 (ja) | 2018-10-17 |
KR102007352B1 (ko) | 2019-08-05 |
TWI599856B (zh) | 2017-09-21 |
CN107533300B (zh) | 2020-02-21 |
WO2016169692A1 (en) | 2016-10-27 |
KR20170137199A (ko) | 2017-12-12 |
CN111352309B (zh) | 2024-03-01 |
NL2016399A (en) | 2016-10-24 |
CN111352309A (zh) | 2020-06-30 |
CN107533300A (zh) | 2018-01-02 |
US10095130B2 (en) | 2018-10-09 |
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