JP2018517225A - 磁気抵抗センサ - Google Patents
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Abstract
Description
図1および図2の全体を参照すると、トンネル・バリア層106、206は、感知層104、204と基準層108、208との間にスペーサを形成し、酸化マグネシウム(MgO)などの材料を備えることができる。
図3を参照すると、本開示の様々な態様による、図2の磁気抵抗センサの例示的な実装が示されている。図3の例示的スタックは、本明細書において与えられている磁場の方位のためのすべての要件を満たす。図3における同様の構造は、したがって、図2の対応物に100を加えた参照符号を用いて示されている。
図5を参照すると、本開示の態様による磁気抵抗センサを作製するための方法500が示されている。方法500は、502において、磁気抵抗構造を微細加工することを備える。例示として、方法500は、502において、基盤の上に反強磁性材料の層を有する基準交換層を積層させ、磁気基準層を、基準交換層が磁気基準層と交換結合されるように、基準交換層の上に積層させ、トンネル・バリア層を磁気基準層の上に積層させ、磁気感知層をトンネル・バリア層の上に積層させ、反強磁性材料の層を有する感知交換層を、感知交換層が磁気感知層と交換結合されるように、磁気感知層の上に積層させることにより、磁気抵抗スタックを形成することができる。実際には、バッファ層は、また、たとえば基板の上であって基準交換層の下に積層されることもあり得る。同様に、キャップが、感知交換層の上に積層されることもあり得る。
外部磁場に対して、磁気抵抗デバイスの線形抵抗バリエーションを要求する様々な応用例が存在する。線形応答を達成するために、感知層の磁気モーメントは、外部磁場が不在であれば、基準層と直交する方向に沿って向けられている。
Claims (12)
- 磁気感知層と、
磁気基準層と、
前記磁気感知層と前記磁気基準層との間のトンネル・バリア層と、
反強磁性材料の層を有し、前記磁気感知層と交換結合された感知交換層と、
反強磁性材料の層を有し、前記磁気基準層と交換結合された基準交換層と、
を備え、
外部磁場が不在の場合には、
前記基準層を固定する交換バイアスが、基準方向に沿って存在し、
前記感知層を固定する交換バイアスが、前記基準方向と直交する第1の方向に沿って存在し、
前記感知層の磁気異方性が、前記第1の方向と平行である、磁気抵抗センサ。 - 前記磁気感知層が、1:1まで小さくなり得るアスペクト比によって画定される寸法を有する、請求項1に記載の磁気抵抗センサ。
- 前記磁気基準層が、人工反強磁性材料を用いて実装される、請求項1または2に記載の磁気抵抗センサ。
- 前記磁気感知層が、1ナノメートル未満の厚さを有する薄い非磁性材料によって分離された2つの強磁性材料で作られている、請求項1ないし3のいずれかに記載の磁気抵抗センサ。
- 1ナノメートル未満の厚さを有する薄い非磁性層が、前記磁気感知層と前記感知交換層との間に位置決めされている、請求項1ないし4のいずれかに記載の磁気抵抗センサ。
- 磁気抵抗センサを作製する方法であって、
反強磁性材料の層を有する基準交換層を積層させ、
磁気基準層を、前記基準交換層が前記磁気基準層と交換結合されるように、前記基準交換層の上に積層させ、
トンネル・バリア層を前記磁気基準層の上に積層させ、
磁気感知層を前記トンネル・バリア層の上に積層させ、
反強磁性材料の層を有する感知交換層を、前記感知交換層が前記磁気感知層と交換結合されるように、前記磁気感知層の上に積層させることにより、
磁気抵抗スタックを形成することと、
前記基準層を固定する交換バイアスを、基準方向に沿って設定することと、
前記感知層を固定する交換バイアスを、前記基準方向と直交する第1の方向に沿って存在するように設定することと、
前記感知層の磁気異方性を、前記第1の方向と平行に存在するように設定することと、
を備える、方法。 - 前記感知層の磁気異方性を、前記第1の方向と平行に存在するように設定することが、
前記磁気抵抗スタックを、積層の間に誘導されるどの異方性でもリセットするのに十分な温度に露出させることによって、第1のアニーリング・プロセスを実行することと、
前記第1のアニーリング・プロセスと関連する冷却の間に、前記磁気抵抗スタックを、前記第1の方向の外部磁場に露出させることと、
を備える、請求項6に記載の方法。 - 前記感知層がCoFeBを備え、前記トンネル・バリア層がMgOを備え、前記基準層がCoFeBを備えており、
前記磁気抵抗スタックを、積層の間に誘導されるどの異方性でもリセットするのに十分な温度に露出させることによって、第1のアニーリング・プロセスを実行することが、
前記第1のアニーリング・プロセスの間は、温度を摂氏320度よりも高く設定することを備え、
前記磁気抵抗スタックを、外部磁場に露出させることが、
磁場の値が1テスラ以上である前記外部磁場を印加することを備える、請求項7に記載の方法。 - 前記基準層を固定する交換バイアスを、基準方向に沿って設定することが、
前記磁気抵抗スタックを、前記感知層の前記磁気異方性をリセットするには不十分であるが、前記基準層を固定する前記交換バイアスをリセットするには十分である温度に露出させることによって、前記第1のアニーリング・プロセスの後で、第2のアニーリング・プロセスを実行することと、
前記第2のアニーリング・プロセスと関連する冷却の間に、前記磁気抵抗スタックを、前記基準方向の外部磁場に露出させることと、
を備える、請求項7に記載の方法。 - 前記磁気抵抗スタックを、前記感知層の前記磁気異方性をリセットするには不十分であるが、前記基準層を固定する前記交換バイアスをリセットするには十分である温度に露出させることによって、前記第1のアニーリング・プロセスの後で、第2のアニーリング・プロセスを実行することが、
前記第2のアニーリング・プロセスの間は、温度を摂氏280度以下に設定することを備え、
前記磁気抵抗スタックを、外部磁場に露出させることが、
磁場の値が1テスラ以上である前記外部磁場を印加することを備える、請求項9に記載の方法。 - 前記感知層を固定する交換バイアスを、前記基準方向と直交する第1の方向に沿って存在するように設定することが、
前記磁気抵抗スタックを、前記基準層を固定する前記交換バイアスをリセットするには不十分であるが、前記感知層を固定する前記交換バイアスをリセットするには十分である温度に露出させることによって、前記第2のアニーリング・プロセスの後で、第3のアニーリング・プロセスを実行することと、
前記第3のアニーリング・プロセスと関連する冷却の間に、前記磁気抵抗スタックを、前記第1の方向の外部磁場に露出させることと、
を備える、請求項8に記載の方法。 - 前記磁気抵抗スタックを、前記基準層を固定する前記交換バイアスをリセットするには不十分であるが、前記感知層を固定する前記交換バイアスをリセットするには十分である温度に露出させることによって、前記第2のアニーリング・プロセスの後で、第3のアニーリング・プロセスを実行することが、
前記第3のアニーリング・プロセスの間の温度を摂氏250度未満の温度に設定することを備える、請求項11に記載の方法。
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