JP2018508123A - アコースティックエミッションモニタリング及び化学機械研磨の終点 - Google Patents
アコースティックエミッションモニタリング及び化学機械研磨の終点 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018508123A JP2018508123A JP2017546687A JP2017546687A JP2018508123A JP 2018508123 A JP2018508123 A JP 2018508123A JP 2017546687 A JP2017546687 A JP 2017546687A JP 2017546687 A JP2017546687 A JP 2017546687A JP 2018508123 A JP2018508123 A JP 2018508123A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acoustic
- polishing
- polishing pad
- pad
- platen
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/005—Control means for lapping machines or devices
- B24B37/013—Devices or means for detecting lapping completion
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/07—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool
- B24B37/10—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for single side lapping
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/11—Lapping tools
- B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
- B24B49/003—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation involving acoustic means
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
Abstract
化学機械研磨装置は、研磨パッドを支持するプラテンと、プラテンによって支持されるアコースティックエミッションセンサとを含むインシトゥアコースティックエミッションモニタリングシステムと、研磨パッドを少なくとも部分的に通って延在するように構成された導波管と、アコースティックエミッションセンサからの信号を受信するプロセッサとを含む。このインシトゥアコースティックエミッションモニタリングシステムは、基板の変形によって生じ導波管を通って伝達される音響事象を検出するように構成され、プロセッサは、この信号に基づいて研磨終点を検出するように構成されている。【選択図】図1
Description
本開示は、化学機械研磨のインシトゥのモニタリングに関する。
集積回路は通常、シリコンウェハに導電層、半導電層、または絶縁層を連続的に堆積させることによって基板上に形成される。1つの製造ステップは、非平坦面上に充填層を堆積し、充填層を平坦化することを含む。ある応用例では、充填層は、パターン層の上面が露出するまで平坦化される。例えば、導電性充填層がパターニング済み絶縁層上に堆積され、絶縁層内のトレンチまたは孔を充填することができる。平坦化後、高くなった絶縁層のパターン間に残っている金属層の部分が、基板上の薄膜回路間の導電経路になるビア、プラグ、およびラインを形成する。酸化物研磨といった他の応用例では、充填層は、非平坦面上に所定の厚さが残るまで、平坦化される。加えて、基板表面の平坦化は、フォトリソグラフィのためには通常必要とされる。
化学機械研磨(CMP)は、認められた平坦化方法の1つである。この平坦化方法では通常、基板がキャリアまたは研磨ヘッドに取り付けられる必要がある。基板は通常、露出面が回転研磨パッドに当たるようにして置かれる。キャリアヘッドが、基板に制御可能な荷重をかけ、基板を研磨パッドに押し付ける。通常、研磨用の研磨スラリが、研磨パッドの表面に供給される。
CMPの1つの問題は、研磨処理が完了しているかどうか、すなわち基板層が所望の平坦度もしくは厚さにまで平坦化されたかどうか、またはどの時点で除去されたか材料が所望の量に達したかを、決定することである。スラリ分布、研磨パッド状態、研磨パッドと基板の間の相対速度、および基板への荷重の各ばらつきが、材料除去速度のばらつきを生じさせる可能性がある。これらのばらつき、並びに基板層の初期厚さのばらつきが、研磨終点に到達するのに必要な時間のばらつきを生じさせる。したがって、研磨終点は通常、単なる研磨時間の関数として決定することができない。
いくつかのシステムでは、基板は、例えばプラテンまたはキャリアヘッドを回転させるのにモータが必要とするトルクをモニタリングすることによって、研磨中にインシトゥでモニタされる。音響による研磨のモニタリングも、提案されてきた。しかし、既存のモニタリング技法では、半導体デバイス製造者の増大する要望を満足させることができない。
上記のように、化学機械研磨の音響によるモニタリングが提案されてきた。音響センサを、スラリまたは、研磨パッドの他の部分から機械的に分離されたパッドの一部に直接接触させて設置することによって、信号の減衰を低減することができる。これによって、より正確なモニタリングや終点検出をすることができる。この音響センサは、例えば充填層の除去や下層の露出を検出するといった、他の研磨プロセスにおいても、終点検出のために使用することができる。
一態様においては、化学機械研磨装置は、研磨パッドを支持するプラテンと、プラテンによって支持されるアコースティックエミッションセンサとを含むインシトゥアコースティックエミッションモニタリングシステムと、研磨パッドを少なくとも部分的に通って延在するように構成された導波管と、アコースティックエミッションセンサからの信号を受信するプロセッサとを含む。このインシトゥアコースティックエミッションモニタリングシステムは、基板の変形によって生じ導波管を通って伝達される音響事象を検出するように構成され、プロセッサは、この信号に基づいて研磨終点を検出するように構成されている。
実装態様は、下記のうちの1つ以上を含み得る。アコースティックエミッションセンサは、125kHzと550kHzの間の動作周波数を有していてよい。プロセッサは、この信号にフーリエ変換を実施し、周波数スペクトルを生成するように構成されていてよい。プロセッサは、この周波数スペクトルをモニタし、周波数スペクトルの周波数要素の強度が閾値を超えた場合に、研磨終点をトリガするように構成されていてよい。
一態様では、化学機械研磨装置は、研磨パッドを支持するプラテンと、信号を生成するインシトゥ音響モニタリングシステムとを含む。インシトゥ音響モニタリングシステムは、プラテンに支持されたアコースティックエミッションセンサと、研磨パッドの溝内で、アコースティックエミッションセンサをスラリに連結するように位置する導波管とを含む。
実装態様は、下記のうちの1つ以上を含み得る。装置は、研磨パッドを含み得る。研磨パッドは、研磨層及び、研磨層の研磨面内の複数のスラリ給送溝を有していてよく、導波管は、研磨パッドを通って溝内まで延在していてよい。導波管の先端は、研磨面よりも下に位置していてよい。研磨パッドは、研磨層とバッキング層を含んでいてよい。導波管は、バッキング層を通り、バッキング層に接触していてよい。バッキング層の中に開口が形成されていてよく、この開口を通って導波管が延びていてよい。このインシトゥ音響モニタリングシステムは、複数の平行な導波管を含んでいてよい。導波管の位置は、垂直方向に調整可能であってよい。
別の態様では、化学機械研磨装置は、研磨パッドを支持するプラテンと、信号を生成するインシトゥ音響モニタリングシステムとを含む。インシトゥ音響モニタリングシステムは、プラテンに指示された音響センサと、研磨パッドから機械的に分離された研磨パッド材料の本体と、音響センサを研磨パッド材料の本体に連結する導波管とを含む。
実装態様は、下記のうちの1つ以上を含み得る。装置は、研磨パッドを含み得る。研磨パッドの材料は、研磨パッド内の研磨層の材料と同じであってよい。本体は、間隙によって研磨パッドから分離していてよい。シールによって、この間隙からのスラリの漏れが防止されていてよい。導波管の位置は、垂直方向に調整可能であってよい。導波管の先端より下の窪みまで、洗浄システムが流体を導いてよい。
別の態様では、化学機械研磨装置は、研磨パッドを支持するプラテンと、研磨パッドの開口内で研磨材料のコードを支持するように構成されたパッドコード支持体とを備える。
実装態様は、下記のうちの1つ以上を含み得る。パッドコード支持体は送りリール及び巻き取りリールを含んでいてよく、パッドコード支持体は、パッドコードを送りリールから巻き取りリールへと誘導するように構成されている。インシトゥ音響モニタシステムは、信号を生成し得る。インシトゥ音響モニタリングシステムは、プラテンに支持された音響センサと、音響センサをパッドコードの下の領域に連結する導波管とを含み得る。導波管とパッドコードの間の領域に、洗浄システムが流体を導いてよい。導波管の先端は、パッドコードを受容するためのスロットを有していてよい。コードは、間隙によって研磨パッドから分離していてよい。
別の態様では、化学機械研磨装置は、研磨パッドを支持するプラテン、並びに、複数の異なる位置でプラテンに支持される複数の音響センサ、及び複数の音響センサからの信号を受信し、この信号から基板の音響事象の位置を決定するように構成されたコントローラ備えるインシトゥ音響モニタリングシステムを含む。
実装態様は、下記のうちの1つ以上を含み得る。コントローラは、信号間の音響事象の時差を決定し、時差に基づいて位置を決定するように構成されていてよい。インシトゥのモニタリングシステムは、少なくとも3つの音響センサを含んでいてよく、コントローラは、音響事象の位置を三角測量するように構成されていてよい。信号内の音響事象は、バースト型の放出によって表されていてよい。コントローラは、事象の、基板の中心からの径方向の距離を決定するように構成されていてよい。コントローラは、信号に対して、高速フーリエ変換(FFT)またはウェーブレットパケット変換(WPT)を実施するように構成されていてよい。複数の音響センサは、プラテンの回転軸から径方向に種々の距離で位置していてよい。複数の音響センサは、プラテンの回転軸の周囲に、種々の角度位置で位置していてよい。
別の態様では、プロセッサによって実行されたときに、プロセッサに上記装置の動作を実施させる命令が、非一時的コンピュータ可読媒体上に記憶されている。
実施態様は、以下の潜在的な利点の1つ以上を含むことができる。音響センサが、より強い信号を有することができる。下層の露出を、より確実に検出することができる。研磨をより確実に中止することができ、ウエハ間の均一性を向上することができる。
1つまたは複数の実施形態の詳細を添付の図面および以下の記述で説明する。他の態様、特徴および利点は、これらの記述および図面から、ならびに特許請求の範囲から明らかになろう。
様々な図面において、同様の参照符号は同様の要素を示している。
いくつかの半導体チップ製造プロセスでは、例えば金属、酸化ケイ素またはポリシリコンである上層が、例えば酸化ケイ素、窒化ケイ素または高K誘電体などの誘電体である下層が露出するまで、研磨される。ある用途では、下層が露出したとき、基板からのアコースティックエミッションは変化する。研磨終点は、この音響信号の変化を検出することによって決定することができる。
モニタすべきアコースティックエミッションは、基板材料が変形を受けるときの応力エネルギーによって生じることができ、結果として生じる音響スペクトルは、基板の材料特性と関連がある。この音響効果が、研磨パッドに対する基板の摩擦によって生成されるノイズ(こちらもまた音響信号と呼ばれることがある)と同一ではなく、この音響効果は、こうした摩擦ノイズよりも、顕著に高い(例えば50kHzから1MHz高い)周波数範囲で発生するものであり、したがって、基板の応力によって生じるアコースティックエミッションの適正な周波数範囲のモニタリングは、摩擦ノイズのモニタリングに使われる周波数範囲の最適化に起因するものではないということは、留意されてよい。
しかし、音響モニタリングシステムに関する潜在的な問題は、音響信号のセンサへの伝達である。研磨パッドは、音響信号を弱める傾向がある。したがって、音響信号の減衰が少ない位置にセンサを置くことが有利であろう。
図1は、研磨装置100の一例を示す図である。研磨装置100は、上に研磨パッド110が位置する、回転可能な円盤状のプラテン120を含む。研磨パッド110は、外側研磨層112及び、より軟性のバッキング層114を有する、二層研磨パッドであってよい。プラテンは、軸125を中心に回転するように操作可能である。例えば、モータ121(例えば、DC誘導モータ)は、駆動シャフト124を回してプラテン120を回転させることができる。
研磨装置100は、研磨スラリなどの研磨液132を研磨パッド110の上に供給するポート130を含むことができる。研磨装置はまた、研磨パッド110を磨いて研磨パッド110を一貫した研磨状態に維持する、研磨パッドコンディショナーも含むことができる。
研磨装置100は、少なくとも1つのキャリアヘッド140を含む。キャリアヘッド140は、基板10を研磨パッド110に当てて保持するように動作可能である。各キャリアヘッド140は、例えば圧力といった、各基板それぞれに関連付けられた研磨パラメータを、個別に制御することができる。
キャリアヘッド140は、可撓性の膜144の下に基板10を保持するための保持リング142を含むことができる。キャリアヘッド140はまた、膜によって画定された、1つ以上の個別に制御可能で加圧可能なチャンバ(例えば3つのチャンバ146a〜146c)を含み、これらのチャンバは、可撓性の膜144上、すなわち基板10上の関連付けられたゾーンに、個別に制御可能な圧力を加えることができる(図1参照)。説明を簡略化するために、図1には3個のチャンバのみを図示したが、1個もしくは2個のチャンバ、または4個もしくはそれ以上のチャンバ、例えば5個のチャンバがあってもよい。
キャリアヘッド140は、支持構造体150(例えば、カルーセルまたはトラック)から懸架され、キャリアヘッドが軸155を中心に回転できるように、ドライブ軸152によってキャリアヘッド回転モータ154(例えば、DC誘導モータ)に連結される。各キャリアヘッド140はオプションで、例えばカルーセル150上のスライダによって、またはカルーセル自体の回転振動によって、横方向に振動することができる。典型的な動作では、プラテンは、その中心軸125を中心に回転し、各キャリアヘッドは、その中心軸155を中心に回転すると共に、研磨パッドの上面全体にわたって横方向に並進運動する。
一つのキャリアヘッド140のみを示したが、研磨パッド110の表面積を効率的に使用できるように、より多くのキャリアヘッドを設けて追加の基板を保持することができる。
プログラム可能コンピュータなどのコントローラ190が、プラテン120およびキャリアヘッド140の回転速度を制御するためにモータ121、154に接続される。例えば、各モータは、付随するドライブ軸の回転速度を測定するエンコーダを含むことができる。モータ自体の中にあることができ、またはコントローラの一部もしくは別の回路の中にあることができるフィードバック制御回路が、測定された回転速度をエンコーダから受け取り、また、ドライブ軸のこの回転速度をコントローラから受け取った回転速度に確実に一致させるために、モータに供給される電流を調整する。
研磨装置100は、少なくとも1つのインシトゥ音響モニタリングシステム160を含む。このインシトゥ音響モニタリングシステム160は、1つ以上のアコースティックエミッションセンサ162を含む。各アコースティックエミッションセンサは、上側プラテン120上の1つ以上の箇所に設置されることができる。具体的には、このインシトゥ音響モニタリングシステムは、基板10の材料が変形を受けているときに応力エネルギーによって生じたアコースティックエミッションを、検出するように構成されることができる。
プラテン120の角度位置を感知するために、位置センサ、例えば、プラテンのリムに接続された光遮断器またはロータリーエンコーダを、用いることができる。これによって、センサ162が基板の近傍にあるとき(例えばセンサ162がキャリアヘッドまたは基板よりも下にあるとき)に測定された信号の、一部のみを終点検出に用いることが可能になる。
図1に示す実施形態では、アコースティックエミッションセンサ162はプラテン120の窪み164内に位置しており、基板の研磨パッド110により近接する側からのアコースティックエミッションを受信するように位置している。センサ162は、回路168によって、電源、及び/または他の信号処理電子機器166に、例えば水銀スリップリングといった回転連結部を通じて、接続されることができる。次に、信号処理電子機器166は、コントローラ190に接続されることができる。センサ162からの信号は、40〜60dBのゲインの組込式内部増幅器によって増幅されることができる。次に、センサ162からの信号は、必要に応じてさらに増幅されフィルタリングされて、例えば電子機器166内でA/Dポートを通じて高速データ取得ボードでデジタル化される。センサ162からのデータは、1から3Mhzで記録されることができる。
アコースティックエミッションセンサ162は、プラテン120内に位置している場合、プラテン120の中心、例えば回転軸125上か、プラテン120の端部か、または中間点(例えば直径20インチのプラテンの場合、回転軸から5インチのところ)のいずれかにあることができる。
ある実装態様では、窪み164内に、ガスが導かれてよい。例えば、空気または窒素といったガスが、ポンプまたはガス供給ラインといった圧力源180から、管及び/または通路によってプラテン120内に設けられた導管182を通って、窪み164内へと導かれ得る。出口ポート184が、窪み164を外部環境へと接続し、窪み164からのガスの流出を可能にすることができる。電子機器もしくは他の構成要素の損傷、またはセンサ162の汚染の可能性を低減するため、ガス流が窪み164に加圧して、スラリの窪み164への漏出を低減するか、及び/または窪み164内に漏出するスラリを出口ポート184を通ってパージすることができる。
アコースティックエミッションセンサ162は、音響エネルギーを伝達する導波管を提供する、プローブ170を含むことができる。プローブ170は、研磨パッド110を支持するプラテン120の上面128の上方に突出していることができる。プローブ170は、例えば、センサ162の本体から研磨パッド110内に延びる、鋭利な先端を有する針状の本体(例えば図2を参照)であることができる。代わりに、プローブ170は、鈍形の上端を有する円筒形の本体(例えば図5を参照)であることもできる。プローブは、任意の高密度の材料から製造されていることができ、耐食ステンレス鋼から製造されているのが理想的である。
導波管が連結されているセンサ部に関しては、動作周波数が50kHzと1MHzの間、例えば125kHzと1MHzの間、例えば125kHzと550kHzの間である、(Physical Acoustics Nano 30といった)市販のアコースティックエミッションセンサを使うことができる。センサは、導波管の遠位端に取り付けられ、例えばクランプ止めまたはプラテン120へのネジ接続によって、所定の位置に保持されることができる。
図2を参照すると、ある実装態様では、研磨パッド110の研磨層112の上面内に、複数のスラリ給送溝116が形成されている。溝116は、研磨層112の厚さの、全部ではなく一部にわたって延びている。図2に示す実装態様では、プローブ170が研磨層172(例えば溝116の下方に残っている研磨層の薄い部分)を通って延びており、それによって、先端172は溝116のうちの1つの中に位置している。これによって、プローブ170が、溝116内に存在するスラリを通って伝播する音響信号を直接感知することが可能になる。このプローブは、単に研磨層内に延びているプローブと比べて、音響センサを、基板10からのアコースティックエミッションに対してより良くカップリングすることができる。
研磨パッド110が基板10によって押し付けられる際、プローブ170の先端172が基板10に接触しないように、先端172は溝116内で十分に低い位置にあるべきである。
ある実装態様では、プローブの先端172の垂直部分は、調整可能である。これによって、感知用先端172の垂直位置を、研磨パッド110の溝の底部に対して正確に位置決めすることが可能になる。例えば、アコースティックエミッションセンサ162は、プラテン120の一部を通って開口内に嵌合する、円筒形の本体を含むことができる。本体外表面上のネジ山174は、プラテン120内の開口の内表面上のネジ山122と係合することができ、それによって、先端172の垂直位置の調整は、本体の回転によって達成することができる。しかし、圧電アクチュエータといった他の垂直位置調整機構も、使うことができる。プローブ先端172の垂直位置の位置決めは、図2から4に示す実装態様と組み合わせることができる。
プローブ170は、バッキング層を通って延び、バッキング層114に接触していることができる。代わりに、バッキング層114内に開口118が形成され、それによってプローブ170が開口118を通じて延びているが、バッキング層114とは直接接触していなくてもよい。研磨層112を穿刺する細い針状のプローブ170を使用することで、効果的に研磨層112を密封状態に保持し、プローブ170によって作られた開口を通るスラリの漏出を低減することができる。さらに、導波管は、バッキング層114の物理的特性を機械的に犠牲にすることなく、バッキング層114を貫通することができる。
図3に示すように、プローブ170の位置を溝116に合わせることは困難であり得るので、アコースティックエミッションセンサ162は、複数のプローブ170を含むことができる。例えば、プローブは、複数の平行な針であることができる。プローブ170が溝116間のピッチと少なくとも等しい領域にわたって延在しているとすると、研磨パッドがプラテン120上に置かれているとき、プローブ170の先端172のうちの少なくとも1つは、溝116内に位置するはずである。
図4を参照すると、ある実装態様では、アコースティックエミッションセンサ162のプローブ170は、本体200内に延びている。この本体200は、基板10の底面に接触するように構成されているが、間隙204によって研磨パッド110の残りの部分から機械的に分離されている上面208を有する。本体200は、研磨層112と同一の材料から作られていることができる。本体は、研磨層112と同じ厚さを有していることができる。本体の厚さは、約10mmから50mmであることができる。研磨パッドの上から見たときに、本体200は、円形、長方形、または別の形状であることができる。
この構成によって、プローブ170が、基板と直接接触している本体200を通じて音響信号を受信することが可能になる。しかし、本体200が研磨パッド110から機械的に分離されていることで、本体200は、概して周囲の研磨パッド110による制約を受けずに動く。こうして、本体200は、研磨パッド110の残りの部分から機械的にほぼ切り離されていると考えることができる。これによって、センサ162への音響信号の伝達が向上し得る。
オプションで、本体200の上面内に窪み206が形成されていることができ、プローブ170が、本体200を通って窪み206まで延びていることができる。窪み206はスラリで満たすことができ、それによってアコースティックエミッションセンサ162が、窪み206内に存在するスラリを通って伝播する音響信号を、直接感知することが可能になる。
上記のように、本体200は研磨パッドの残りの部分と同じ材料、例えば多孔性ポリウレタンであることができる。本体200は、不透明であることができる。一方、ある実装態様では、研磨システム100は、インシトゥ光学モニタシステムもまた含む。この場合、本体200は透明な窓であることができ、その窓を通って光学モニタシステムが光線を導くことができる。
本体200と研磨パッド110との間の間隙204を通るスラリの漏出を防止するため、オプションで、例えばOリングといったシール202を使用することができる。シール202は十分な可撓性を有することができ、それによって、パッド110の撓みは本体200に伝達されず、本体200は、研磨パッド110の残りの部分から機械的にほぼ切り離された状態に保たれる。
図5を参照すると、ある実装態様では、パッド材料の本体200は、パッド材料、例えば研磨層112と同じ材料から製造されているコード210によって代替されている。コード210は、送りリール212から巻き取りリール214へと巻き取ることができる。コード210は、送りリール212から、上方に、バッキング層114内の開口118を通り、研磨層112内の開口220を通って、上面222が研磨層112のストップ面とほぼ同一平面である部分221まで延び、開口118、220を通って、巻き取りリール214まで戻る。図示しないが、コード210は、部分221を所望の位置(例えば、概して研磨層112と同じ高さであり、開口220内で中央配置されている位置)に維持する、ガイドスロットを通過することができる。
稼働中、モータが定期的に巻き取りリール214を前に進めて、コード210の新たな部分を送りリール214から引き出すことができる。この構成は、センサ162上にパッド材料の新たな部分を提供することによって、測定の変動を生じる感知用先端のパッド磨耗を回避することができる。
アコースティックエミッションセンサ162はまた、流体パージポート、例えばセンサ162の本体を通る1つ以上の通路224も含むことができる。稼働中、流体、例えば水といった液体を、流体源226から通路224を通って開口118及び220へと導くことができる。これによって、開口内にスラリが蓄積されるのを防止することができる。加えて、流体は、プローブ170の音響カップリングの、基板10へのカップリングを向上することができる。
図5は、センサ162の下側本体内にある流体パージポートの通路226を示しているが、図6に示すように、ある実装態様では、通路226はプローブ170を通り、プローブ170の長手軸に沿って延びていることもできる。これによって、コード210のより近くの空間に流体を注入し、プローブ170の音響カップリングと基板10とのカップリングを向上することが可能になる。ある実施形態では、プローブ170の上端は、コード210の部分221を所望の位置に保持するガイドの役割を果たす、スロットを含む。
ここで、先行する実施態様のうちの任意のものにおけるセンサ162からの信号を見てみると、例えば増幅、予備フィルタリング及びデジタル化の後の信号は、終点検出またはフィードバックまたはフィードフォワードの制御のため、例えばコントローラ190内で、データ処理を受けることができる。
ある実装態様では、信号の周波数分析が実施される。例えば、周波数スペクトルを生成するため、信号に対して高速フーリエ変換(FFT)を実施することができる。特定の周波数帯をモニタすることができるが、この周波数帯の強度が閾値を超える場合、下層が露出したことを表すことができ、これは、終点をトリガするのに使用することができる。代わりに、選択された周波数帯の局所的最大幅または最小幅が閾値を超える場合も、下層が露出したことを表すことができ、終点をトリガするのに使用することができる。例えば、シャロートレンチアイソレーション(STI)における層間誘電膜(ILD)の研磨のモニタリングに関しては、225kHzから350kHzの周波数範囲をモニタすることができる。
別の例として、信号を低周波数要素と高周波数要素に分解するため、信号に対してウェーブレットパケット変換(WPT)を実施することができる。信号をより小さい要素へと分解するために必要であれば、この分解を繰り返すことができる。周波数要素のうちの1つの、強度をモニタすることができるが、この要素の強度が閾値を超える場合、下層が露出されたことを表すことができ、これは、終点をトリガするのに使用することができる。
図7を参照すると、ある実装態様では、複数のセンサ162がプラテン120内に設置されてもよい。各センサ162は、図2〜図6のうちの任意のものを説明する態様で構成されることができる。センサ162からの信号は、コントローラ190によって、研磨中、基板10に生じるアコースティックエミッション事象の位置的分布を計算するために使用することができる。ある実装態様では、複数のセンサ162は、プラテン120の回転軸の周囲に、種々の角度位置であるが、回転軸から同じ径方向距離で、位置していることができる。ある実装態様では、複数のセンサ162は、プラテン120の回転軸から種々の径方向距離であるが、同じ角度位置で、位置していることができる。ある実装態様では、複数のセンサ162は、プラテン120の回転軸の周囲に種々の角度位置で、且つプラテン120の回転軸から種々の径方向距離で位置していることができる。
図8は、時間に応じたセンサ162からの信号強度を示すグラフ250である。基板10からのアコースティックエミッションが、基板10上の個別の事象の結果であるとすると、特定の事象が、背景の音響信号252からの逸脱250(例えばバースト型放出)として表されるはずである。逸脱はそれぞれ異なる形状を有し得るが、特定の逸脱に関して種々のセンサ162が受信した信号は、事象の位置からセンサまで信号が伝播するのに要した時間の差による時差(点線で示す)はあるが、ほぼ同一の形状を有するはずである。スラリ132を通って伝播するアコースティックエミッション波の速度は、一定である。したがって、各センサ162が研磨面112上に生じる特定の事象からの波信号を受信するのにかかる時間は、この特定の事象の位置とセンサの位置との間の距離に比例する。したがって、各センサ162が特定の事象を表す音響信号を受信する時間は、センサ162の事象の位置への距離と、音響信号の伝播速度とに依存する。
各センサが事象を表す音響信号を受信する相対時差Tは、例えば、センサ162からの信号の相互相関を使用して決定することができる。この時差Tは、センサ162間の2次元空間内における音響事象のおよその位置を三角測量するのに使用することができる。センサ162の数を増加することによって、三角測量の正確性が向上し得る。2個以上のセンサを使用した音響信号の三角測量は、「Source location in thin plates using cross−correlation」(S.M. Ziola and M.R. Gorman, J.、Acoustic Society of America, 90 (5) (1991))及び、「Acoustic−Emission source location in two dimensions by an array of three sensors,」(Tobias, Non−Destructive Test., 9, pp. 9−12 (1976))に記載されている。これらの技法をCMPに適用するには、波の伝播のための等方媒体の役割を果たす、研磨パッドの溝内に存在する流体(具体的には、パッド110と基板10の間の流体132)を必要とする。
例えばモータエンコーダ信号またはプラテン120に取り付けられた光遮断器を使用して、基板10に対するセンサ162の位置が既知であるとすると、基板上の音響事象の位置、例えば、基板の中心からの事象の径方向位置を計算することができる。基板に対するセンサの位置を決定することは、参照によって援用される米国特許第6,159,073号で検討されている。
処理上意味のある様々な音響事象は、マイクロスクラッチ、膜遷移のブレイクスルー、及び膜のクリアリングを含む。導波管からのアコースティックエミッション信号を分析するのに、様々な方法を用いることができる。研磨中に生じるピーク周波数を決定するために、フーリエ変換及び他の周波数分析方法を使用することができる。実験的に決定された閾値と、所定の周波数範囲内によるモニタリングとを用いて、研磨中の、予期した変化と予期せぬ変化とが識別される。予期した変化の例は、膜硬度の遷移中にピーク周波数が突然出現することを含む。予期せぬ変化の例は、(パッドグレージング、または他の、処理の変更を誘発する機会の健康状態問題といった)消耗品のセットに関する問題を含む。
図9は、例えば閾値が実験的に決定された後の、素子側基板を研磨するプロセスを示す。素子側基板は、研磨ステーションで研磨され(302)、インシトゥ音響モニタリングシステムによって音響信号が収集される(304)。
信号がモニタされ、下層の露出が検出される(306)。例えば、特定の周波数範囲をモニタすることができる。強度をモニタし、閾値と比較することができる。
研磨終点の検出によって研磨の中止がトリガされる(310)。ただし、終点のトリガ後も、所定の時間にわたって研磨を継続することも可能である。代わりにまたは加えて、収集されたデータ及び/または終点の検出時間を、フィードフォワードして後続の処理工程(例えば後続のステーションにおける研磨)で基板の処理を制御するか、または、フィードバックして同一の研磨ステーションにおける後続の基板の処理を制御することができる。
本明細書に記載の実装態様、および機能的動作のすべては、デジタル電子回路として、または、本明細書に開示された構造的手段およびその構造的等価物を含むコンピュータソフトウェア、ファームウェアもしくはハードウェアとして、またはこれらの組合せとして実装することができる。本明細書に記載の実装態様は、1つ以上の非一時的コンピュータプログラム製品として、すなわちデータ処理装置(例えばプログラム可能プロセッサ、コンピュータ、または複数のプロセッサもしくはコンピュータ)によって実行するための、またはデータ処理装置の動作を制御するための、機械可読記憶デバイス内で有形に具現化された1つ以上のコンピュータプログラムとして、実装することができる。
コンピュータプログラム(プログラム、ソフトウェア、ソフトウェアアプリケーションまたはコードとしても知られている)は、コンパイルまたは翻訳された言語を含む、任意の形のプログラミング言語で書くことができ、また独立型プログラムとして、またはモジュール、構成要素、サブルーチン、もしくは計算環境で使用するのに適している他のユニットとして配置することを含め、任意の形で配置することができる。1つのコンピュータプログラムは、必ずしも1つのファイルに対応しない。プログラムは、他のプログラムもしくはデータを保持するファイルの一部分、対象のプログラム専用の単一のファイル、または複数の連携しているファイル(例えば、1つ以上のモジュール、サブプログラム、もしくはコードの一部分を収納するファイル)に収納することができる。コンピュータプログラムは、1つのコンピュータ上で実行されるように配置すること、あるいは1つの場所にある、または複数の場所にわたって分散された、通信ネットワークによって相互接続された複数のコンピュータ上で実行されるように配置することができる。
本明細書に記載の処理および論理の流れは、1つ以上のプログラム可能プロセッサによって実施することができ、このプロセッサは、1つ以上のコンピュータプログラムを実行して、入力データに対して動作し出力を生成することによって諸機能を実施する。処理および論理の流れはまた、例えばFPGA(フィールドプログラマブルゲートアレイ)またはASIC(特定用途向け集積回路)である専用論理回路によって実施することができ、この専用論理回路として装置を実装することもできる。
「データ処理装置」という用語は、1つのプログラム可能プロセッサ、コンピュータ、または複数のプロセッサもしくはコンピュータを例として含む、データを処理するためのすべての装置、デバイスおよび機械を包含する。装置は、ハードウェアに加えて、対象のコンピュータプログラムの実行環境を作り出すコード(例えば、プロセッサファームウェア、プロトコルスタック、データベース管理システム、オペレーティングシステム、またはこれらの1つ以上の組合せを構成するコード)を含むことができる。コンピュータプログラムを実行するのに適しているプロセッサには、例として、汎用および専用の両方のマイクロプロセッサ、および任意の種類のデジタルコンピュータの任意の1つ以上の複数のプロセッサが含まれる。
コンピュータプログラム命令およびデータを収納するのに適しているコンピュータ可読媒体には、半導体メモリデバイス(例えばEPROM、EEPROM、およびフラッシュメモリデバイス)、磁気ディスク(例えば、内蔵ハードディスクまたは着脱可能なディスク)、光磁気ディスク、ならびにCDーROMおよびDVD−ROMディスクを例として含む、あらゆる形の不揮発性メモリ、媒体およびメモリデバイスが含まれる。プロセッサおよびメモリに専用論理回路を追加することができるし、プロセッサ及びメモリを専用論理回路に組み込むこともできる。
上述の研磨装置および方法は、種々の研磨システムに適用することができる。研磨パッドもしくはキャリアヘッド、またはこの両方が、研磨面とウエハの間で相対運動をするように動くことができる。例えば、プラテンは、回転するのではなく、周回してもよい。研磨パッドは、プラテンに固定された円形(または何か他の形状の)パッドであることができる。終点検出システムのいくつかの態様は、例えば、研磨パッドが、直線的に移動する連続ベルトまたはオープンリールベルトであるような、直線的研磨システムに適用可能であってよい。研磨層は、標準の(例えば、充填材を伴うもしくは伴わないポリウレタン)研磨材料、軟性材料、または固定砥粒材料であってよい。相対的位置決めという用語が使用され、研磨面とウエハは、垂直配向にもいくつか別の配向にも保持できることを理解されたい。
本明細書は多くの細目を含むが、これらは、特許請求することができる範囲の制限事項としてではなく、むしろ特定の発明の特定の実施形態に特定的でありうる特徴の説明として解釈されるべきである。いくつかの実施態様では、本方法は、上にある材料と下にある材料の別の組合せに適用すること、および別の種類のインシトゥ監視システム(例えば、光学的監視システムまたは渦電流監視システム)からの信号に適用することができる。
Claims (15)
- 研磨パッドを支持するプラテン、並びに
信号を生成するインシトゥ音響モニタリングシステムであって、前記プラテンによって支持されるアコースティックエミッションセンサと、前記アコースティックエミッションセンサを前記研磨パッドの溝内のスラリに連結するように位置する導波管とを含むインシトゥ音響モニタリングシステム
を備える、化学機械研磨装置。 - 研磨層と前記研磨層の研磨面内に複数のスラリ給送溝とを有する前記研磨パッドを備え、前記導波管は、前記研磨パッドを通って前記溝内まで延在している、請求項1に記載の装置。
- 前記導波管の先端が、前記研磨面よりも下に位置している、請求項2に記載の装置。
- 研磨パッドを支持するプラテン、並びに
信号を生成するインシトゥ音響モニタリングシステムであって、前記プラテンによって支持される音響センサと、前記研磨パッドから機械的に分離された研磨パッド材料の本体と、前記音響センサを前記研磨パッド材料の本体に連結する導波管とを含む、インシトゥ音響モニタリングシステム
を含む、化学機械研磨装置。 - 前記研磨パッドを備え、前記研磨パッドの材料は、前記研磨パッドの研磨層と同じ材料である、請求項4に記載の装置。
- 前記研磨パッドを備える装置であって、前記本体は間隙によって前記研磨パッドから分離しており、前記間隙を通じたスラリの漏出を防止するためのシールをさらに備える、請求項4に記載の装置。
- 研磨パッドを支持するプラテンと、
前記研磨パッドの開口内で研磨材料のコードを支持するように構成されたパッドコード支持体と
を備える、化学機械研磨装置。 - 前記パッドコード支持体は送りリール及び巻き取りリールを備え、前記パッドコード支持体は、前記パッドコードを前記送りリールから前記巻き取りリールへと誘導するように構成されている、請求項7に記載の装置。
- 信号を生成するインシトゥ音響モニタリングシステムであって、前記プラテンに支持された音響センサと、前記音響センサを前記パッドコードの下の領域に連結する導波管とを含むインシトゥ音響モニタリングシステムを備える、請求項7に記載の装置。
- 前記導波管と前記パッドコードの間の領域に流体を導く洗浄システムを備える、請求項7に記載の装置。
- 研磨パッドを支持するプラテン、並びに、
インシトゥ音響モニタリングシステムであって、複数の異なる位置で前記プラテンに支持される複数の音響センサ、及び
前記複数の音響センサからの信号を受信し、前記信号から基板の音響事象の位置を決定するように構成されたコントローラを備えるインシトゥ音響モニタリングシステム
を備える、化学機械研磨装置。 - 前記コントローラは、前記信号間の前記音響事象間の時差を決定し、前記時差に基づいて前記位置を決定するように構成されている、請求項11に記載の装置。
- 前記インシトゥモニタリングシステムは、少なくとも3つの音響センサを含み、前記コントローラは、前記音響事象の前記位置を三角測量するように構成されている、請求項12に記載の装置。
- 前記音響事象は、前記信号内でバースト型放出によって表される、請求項12に記載の装置。
- 前記コントローラは、前記事象の、前記基板の中心からの径方向の距離を決定するように構成される、請求項11に記載の装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US14/639,859 | 2015-03-05 | ||
US14/639,859 US10478937B2 (en) | 2015-03-05 | 2015-03-05 | Acoustic emission monitoring and endpoint for chemical mechanical polishing |
PCT/US2016/016739 WO2016140769A1 (en) | 2015-03-05 | 2016-02-05 | Acoustic emission monitoring and endpoint for chemical mechanical polishing |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018508123A true JP2018508123A (ja) | 2018-03-22 |
Family
ID=56848177
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017546687A Pending JP2018508123A (ja) | 2015-03-05 | 2016-02-05 | アコースティックエミッションモニタリング及び化学機械研磨の終点 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10478937B2 (ja) |
JP (1) | JP2018508123A (ja) |
KR (1) | KR102535117B1 (ja) |
CN (2) | CN111730492B (ja) |
TW (1) | TWI680831B (ja) |
WO (1) | WO2016140769A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017163100A (ja) * | 2016-03-11 | 2017-09-14 | 東芝メモリ株式会社 | 半導体製造装置の制御装置および制御方法 |
JP7504713B2 (ja) | 2020-08-19 | 2024-06-24 | キオクシア株式会社 | 半導体製造装置及び半導体製造方法 |
Families Citing this family (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9835594B2 (en) | 2012-10-22 | 2017-12-05 | Augury Systems Ltd. | Automatic mechanical system diagnosis |
US11493482B2 (en) | 2016-10-10 | 2022-11-08 | Augury Systems Ltd. | Systems and methods for acoustic emission monitoring of semiconductor devices |
TWI816620B (zh) * | 2017-04-21 | 2023-09-21 | 美商應用材料股份有限公司 | 使用神經網路來監測的拋光裝置 |
JP6437608B1 (ja) * | 2017-09-08 | 2018-12-12 | 東芝メモリ株式会社 | 研磨装置、研磨方法、および研磨制御装置 |
US11565365B2 (en) * | 2017-11-13 | 2023-01-31 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | System and method for monitoring chemical mechanical polishing |
CN111132802A (zh) | 2017-11-16 | 2020-05-08 | 应用材料公司 | 用于抛光垫磨损率监测的预测滤波器 |
US11701749B2 (en) * | 2018-03-13 | 2023-07-18 | Applied Materials, Inc. | Monitoring of vibrations during chemical mechanical polishing |
TWI825075B (zh) | 2018-04-03 | 2023-12-11 | 美商應用材料股份有限公司 | 針對墊子厚度使用機器學習及補償的拋光裝置、拋光系統、方法及電腦儲存媒體 |
WO2020068345A1 (en) | 2018-09-24 | 2020-04-02 | Applied Materials, Inc. | Machine vision as input to a cmp process control algorithm |
TW202042969A (zh) * | 2019-02-28 | 2020-12-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 藉由調整背襯層中的潤濕來控制化學機械拋光墊剛度 |
JP7306054B2 (ja) * | 2019-05-17 | 2023-07-11 | Agc株式会社 | 異常検知装置及び異常検知方法 |
KR102262781B1 (ko) * | 2019-07-10 | 2021-06-09 | 주식회사 에스피에스테크 | Cmp 장비용 종점 검출 시스템 |
TWI728535B (zh) * | 2019-10-31 | 2021-05-21 | 國立勤益科技大學 | 監控系統與其方法 |
SG10202002145TA (en) * | 2020-03-09 | 2021-10-28 | Rayong Engineering And Plant Service Co Ltd | An apparatus and method for detecting deterioration of a rotating part |
KR20220123053A (ko) | 2020-05-14 | 2022-09-05 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 연마 동안의 인-시튜 모니터링에 사용하기 위한 신경망을 훈련시키기 위한 기법 및 연마 시스템 |
JP2023517454A (ja) | 2020-06-24 | 2023-04-26 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 圧電圧力制御によるキャリアヘッドの研磨 |
CN115038549B (zh) | 2020-06-24 | 2024-03-12 | 应用材料公司 | 使用研磨垫磨损补偿的基板层厚度确定 |
JP2022127882A (ja) * | 2021-02-22 | 2022-09-01 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理装置 |
JP2022127883A (ja) * | 2021-02-22 | 2022-09-01 | キオクシア株式会社 | 基板処理の制御方法 |
WO2022186992A1 (en) * | 2021-03-03 | 2022-09-09 | Applied Materials, Inc. | Acoustic monitoring and sensors for chemical mechanical polishing |
US20230009048A1 (en) * | 2021-07-06 | 2023-01-12 | Applied Materials, Inc. | Coupling of acoustic sensor for chemical mechanical polishing |
WO2023283555A1 (en) * | 2021-07-06 | 2023-01-12 | Applied Materials, Inc. | Polishing pad including an acoustic window for chemical mechanical polishing |
WO2023283526A1 (en) * | 2021-07-06 | 2023-01-12 | Applied Materials, Inc. | Detection of planarization from acoustic signal during chemical mechanical polishing |
WO2023234973A1 (en) * | 2022-06-03 | 2023-12-07 | Applied Materials, Inc. | Acoustic monitoring of cmp retaining ring |
US20230390885A1 (en) * | 2022-06-03 | 2023-12-07 | Applied Materials, Inc. | Determining substrate precession with acoustic signals |
Family Cites Families (45)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1345350A (en) * | 1971-12-30 | 1974-01-30 | Dawson Prcision Components Ltd | Polishing or abrading head for polishing or abrading machines |
US4724567A (en) * | 1986-07-09 | 1988-02-16 | Americo Manufacturing Company, Inc. | Polishing and scrubbing pad |
US5240552A (en) | 1991-12-11 | 1993-08-31 | Micron Technology, Inc. | Chemical mechanical planarization (CMP) of a semiconductor wafer using acoustical waves for in-situ end point detection |
US5222329A (en) | 1992-03-26 | 1993-06-29 | Micron Technology, Inc. | Acoustical method and system for detecting and controlling chemical-mechanical polishing (CMP) depths into layers of conductors, semiconductors, and dielectric materials |
US5245794A (en) | 1992-04-09 | 1993-09-21 | Advanced Micro Devices, Inc. | Audio end point detector for chemical-mechanical polishing and method therefor |
US5425137A (en) | 1993-01-26 | 1995-06-13 | Us Jvc Corporation | System and method for processing images using computer-implemented software objects representing lenses |
US5399234A (en) | 1993-09-29 | 1995-03-21 | Motorola Inc. | Acoustically regulated polishing process |
US5439551A (en) | 1994-03-02 | 1995-08-08 | Micron Technology, Inc. | Chemical-mechanical polishing techniques and methods of end point detection in chemical-mechanical polishing processes |
TW320591B (ja) | 1995-04-26 | 1997-11-21 | Fujitsu Ltd | |
US5996415A (en) * | 1997-04-30 | 1999-12-07 | Sensys Instruments Corporation | Apparatus and method for characterizing semiconductor wafers during processing |
US6910942B1 (en) | 1997-06-05 | 2005-06-28 | The Regents Of The University Of California | Semiconductor wafer chemical-mechanical planarization process monitoring and end-point detection method and apparatus |
US6024829A (en) * | 1998-05-21 | 2000-02-15 | Lucent Technologies Inc. | Method of reducing agglomerate particles in a polishing slurry |
US6159073A (en) | 1998-11-02 | 2000-12-12 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for measuring substrate layer thickness during chemical mechanical polishing |
US7066957B2 (en) * | 1999-12-29 | 2006-06-27 | Sdgi Holdings, Inc. | Device and assembly for intervertebral stabilization |
US6924641B1 (en) | 2000-05-19 | 2005-08-02 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for monitoring a metal layer during chemical mechanical polishing |
US6830060B2 (en) * | 2000-06-27 | 2004-12-14 | Siemens Vdo Automotive, Inc. | Air mass flow controller valve |
US7220166B2 (en) * | 2000-08-30 | 2007-05-22 | Micron Technology, Inc. | Methods and apparatus for electromechanically and/or electrochemically-mechanically removing conductive material from a microelectronic substrate |
TW536454B (en) | 2001-02-14 | 2003-06-11 | Taiwan Semiconductor Mfg | Apparatus and method for detecting polishing endpoint of chemical-mechanical planarization/polishing of wafer |
US6585562B2 (en) * | 2001-05-17 | 2003-07-01 | Nevmet Corporation | Method and apparatus for polishing control with signal peak analysis |
US6586337B2 (en) * | 2001-11-09 | 2003-07-01 | Speedfam-Ipec Corporation | Method and apparatus for endpoint detection during chemical mechanical polishing |
US6722946B2 (en) | 2002-01-17 | 2004-04-20 | Nutool, Inc. | Advanced chemical mechanical polishing system with smart endpoint detection |
WO2003066282A2 (en) | 2002-02-04 | 2003-08-14 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Systems and methods for characterizing a polishing process |
TWI246952B (en) | 2002-11-22 | 2006-01-11 | Applied Materials Inc | Methods and apparatus for polishing control |
US7008296B2 (en) | 2003-06-18 | 2006-03-07 | Applied Materials, Inc. | Data processing for monitoring chemical mechanical polishing |
US7112960B2 (en) | 2003-07-31 | 2006-09-26 | Applied Materials, Inc. | Eddy current system for in-situ profile measurement |
KR100506942B1 (ko) * | 2003-09-03 | 2005-08-05 | 삼성전자주식회사 | 화학적 기계적 연마장치 |
JP4464642B2 (ja) | 2003-09-10 | 2010-05-19 | 株式会社荏原製作所 | 研磨状態監視装置、研磨状態監視方法、研磨装置及び研磨方法 |
JP4764825B2 (ja) | 2003-10-31 | 2011-09-07 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 研磨終点検知システム及び摩擦センサを使用する方法 |
CN100561182C (zh) | 2003-10-31 | 2009-11-18 | 应用材料公司 | 使用摩擦传感器的抛光终点检测系统 |
US7156947B2 (en) * | 2004-06-30 | 2007-01-02 | Intel Corporation | Energy enhanced surface planarization |
US7451023B2 (en) * | 2005-07-25 | 2008-11-11 | Lockheed Martin Corporation | Collaborative system for a team of unmanned vehicles |
US7537511B2 (en) * | 2006-03-14 | 2009-05-26 | Micron Technology, Inc. | Embedded fiber acoustic sensor for CMP process endpoint |
US7840305B2 (en) | 2006-06-28 | 2010-11-23 | 3M Innovative Properties Company | Abrasive articles, CMP monitoring system and method |
JP4159594B1 (ja) | 2007-05-21 | 2008-10-01 | 株式会社東京精密 | 研磨終了時点の予測・検出方法とその装置 |
CN102245350B (zh) | 2008-12-12 | 2016-01-20 | 旭硝子株式会社 | 研磨装置及研磨方法、以及玻璃板的制造方法 |
JP2010179406A (ja) | 2009-02-05 | 2010-08-19 | Elpida Memory Inc | Cmp装置 |
US8585790B2 (en) * | 2009-04-23 | 2013-11-19 | Applied Materials, Inc. | Treatment of polishing pad window |
US8248366B2 (en) * | 2009-07-03 | 2012-08-21 | Lite-On It Corp. | Image display device and operation method thereof |
US20110016975A1 (en) * | 2009-07-24 | 2011-01-27 | Gregory Scott Glaesemann | Method and Apparatus For Measuring In-Situ Characteristics Of Material Exfoliation |
CN102221416B (zh) | 2011-03-10 | 2012-10-10 | 清华大学 | 抛光液物理参数测量装置、测量方法和化学机械抛光设备 |
JP5886602B2 (ja) * | 2011-03-25 | 2016-03-16 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置および研磨方法 |
US9403254B2 (en) | 2011-08-17 | 2016-08-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Methods for real-time error detection in CMP processing |
US9067295B2 (en) | 2012-07-25 | 2015-06-30 | Applied Materials, Inc. | Monitoring retaining ring thickness and pressure control |
JP3182528U (ja) * | 2013-01-17 | 2013-04-04 | 木原産業株式会社 | 緩衝パッド |
US20140329439A1 (en) | 2013-05-01 | 2014-11-06 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for acoustical monitoring and control of through-silicon-via reveal processing |
-
2015
- 2015-03-05 US US14/639,859 patent/US10478937B2/en active Active
-
2016
- 2016-02-05 CN CN202010662151.9A patent/CN111730492B/zh active Active
- 2016-02-05 JP JP2017546687A patent/JP2018508123A/ja active Pending
- 2016-02-05 WO PCT/US2016/016739 patent/WO2016140769A1/en active Application Filing
- 2016-02-05 KR KR1020177027646A patent/KR102535117B1/ko active IP Right Grant
- 2016-02-05 CN CN201680013942.0A patent/CN107427987B/zh active Active
- 2016-03-04 TW TW105106762A patent/TWI680831B/zh active
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017163100A (ja) * | 2016-03-11 | 2017-09-14 | 東芝メモリ株式会社 | 半導体製造装置の制御装置および制御方法 |
JP7504713B2 (ja) | 2020-08-19 | 2024-06-24 | キオクシア株式会社 | 半導体製造装置及び半導体製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI680831B (zh) | 2020-01-01 |
US20160256978A1 (en) | 2016-09-08 |
KR20170125382A (ko) | 2017-11-14 |
TW201641216A (zh) | 2016-12-01 |
US10478937B2 (en) | 2019-11-19 |
CN107427987A (zh) | 2017-12-01 |
CN107427987B (zh) | 2020-07-31 |
WO2016140769A1 (en) | 2016-09-09 |
CN111730492A (zh) | 2020-10-02 |
KR102535117B1 (ko) | 2023-05-23 |
CN111730492B (zh) | 2022-05-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2018508123A (ja) | アコースティックエミッションモニタリング及び化学機械研磨の終点 | |
KR102147784B1 (ko) | 가늘고 긴 영역을 모니터링하는 인-시튜 모니터링 시스템 | |
US11701749B2 (en) | Monitoring of vibrations during chemical mechanical polishing | |
KR102108709B1 (ko) | 폴리싱 엔드포인트 검출에서의 데이터 시퀀스들을 위한 사용자 입력 함수들 | |
US20220281058A1 (en) | Active acoustic monitoring for chemical mechanical polishing | |
KR102677387B1 (ko) | 화학적 기계적 연마 동안 진동들의 모니터링 | |
US20160013085A1 (en) | In-Situ Acoustic Monitoring of Chemical Mechanical Polishing | |
US20230390883A1 (en) | Acoustic monitoring of cmp retaining ring | |
US20230010759A1 (en) | Chemical mechanical polishing vibration measurement using optical sensor | |
US20230390886A1 (en) | Monitoring of acoustic events on a substrate | |
US20230009519A1 (en) | Acoustic window in pad polishing and backing layer for chemical mechanical polishing |