JP2018503800A - 磁気感受性による電波の屈折および速度変化によって温度を測定する方法 - Google Patents
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Abstract
Description
プロセス温度の測定は、RTPツール内で処理されるシリコンウエハへの損傷を防止するためにRTPツールの急速加熱および冷却速度を制御することにとって重要である。したがって、RPTツールは、高速応答を有し、正確であり、約250℃〜1100℃の温度範囲で温度を正確に測定できる温度測定デバイスを必要とする。多くの場合、RPTツールが温度範囲の一方の端において比較的低コストで基板の温度を素早く正確に測定する能力は、温度範囲の他方の端において温度を測定する能力を損なわせる。
それゆえに、改善された温度測定デバイスの必要性がある。
別の実施形態では、処理チャンバが提供される。処理チャンバは、チャンバ本体と、チャンバ本体の内部容積部に配設された基板支持体とを含む。送信器は、基板支持体に配設された基板を通して電磁波を送信する向きにされる。受信器は、送信器によって放出された電磁波を受信する向きにされる。コントローラは、送信器および受信器を制御するように構成される。コントローラは、送信された電磁波と受信された電磁波との磁場変化量から温度を決定するように動作可能である。
さらなる別の実施形態では、処理チャンバに配設された基板の温度の非接触測定のための方法が提供される。この方法は、基板を処理チャンバ内に移送することと、処理チャンバに配設された基板を通るように電磁波を誘導することと、基板を通過した後の電磁波を受信することと、誘導された電磁波と受信された電磁波との間の変化を示すメトリックに基づいて基板の温度を決定することとを含む。
本発明の上述で列挙した特徴を詳細に理解できるように、実施形態を参照して本発明のより特定の説明を行うことができ、実施形態のうちのいくつかは添付図面に示される。しかしながら、添付図面は、本発明の典型的な実施形態のみを示し、それゆえに、本発明は他の効果的な実施形態を認めることができるのでその範囲を限定すると見なされるべきでないことを留意すべきである。
本開示の実施形態は、一般に、急速なおよび極端な温度変化を有するチャンバにおいて処理を受けている基板の温度を素早く測定するための装置および方法に関する。温度測定デバイスは、基板処理中に基板を損傷することがある過熱と熱衝撃事例とに起因する損傷を最小にするように、基板温度の制御を支援することができる。1つの実施形態では、温度制御デバイスは、基板温度を素早く正確に測定するために電波回折を使用することができる。別の実施形態では、温度制御デバイスは、基板温度を素早く正確に測定するために電磁波を使用することができる。
1つの実施形態では、各ランプ102は分電盤(図示せず)に結合され、それを通して、電力が各ランプ102に供給される。ランプ102は、ランプヘッド145内に位置づけられ、ランプヘッド145は、例えばランプ102間に配置されたチャネル149に導入される冷却流体によって処理中または処理後冷却され得る。ランプヘッド145は、ランプヘッド145が下部ドーム114のごく近くにあることに部分的に起因して下部ドーム114を伝導的に冷却する。ランプヘッド145は、さらに、ランプ壁およびリフレクタ143の壁を冷却することができる。所望であれば、ランプヘッド145は下部ドーム114と接触することができる。
熱センサ190の送信器191は、ランプ102間に、例えば、チャネル149に配設することができ、基板108の上面116に対して実質的に斜めの向きにされる。実施形態によっては、送信器191および受信器192は、実質的に同様の角度で基板108に対して斜めの向きにされる。他の実施形態では、送信器191および受信器192は、互いにわずかにずらした向きにされ得る。例えば、送信器191および受信器192は、互いに約5°内の向きの角度を有することができる。
音波は、真空を通って伝わらないが、電波は、真空を通って伝わることができる電磁波である。音は、空気または水などの物質中の圧力変動からなり、それゆえに、真空を通って伝わらないことになる。しかし、可視光、赤外線、紫外線、X線、およびガンマ線のような電波は、真空を通って容易に伝わる電磁波であり、そのため、電波は、プラズマ処理チャンバなどのような真空環境に十分に適合する。
1つの実施形態では、熱センサ190は、700ナノメートル〜1mmなどの、例えば、約3μmの赤外波長に合わされる。熱センサ190は、正弦波などの連続波を発生することができる。しかしながら、パルス状波などの任意の好適な波を使用できることが理解されるべきである。パルス状波は、有利には、ノイズを少なくすることができ、それが、パルス状波を熱センサ190での使用にとって望ましいものにする。例えば、パルス波は、パルス波に対する送信器から受信器までの時間変化量を測定し、時間変化量を様々な基板温度と比較することができる。
別の実施形態では、基板108の温度は、磁気感受性を検出するように構成されたセンサ190を使用して決定することができる。キュリーワイスの法則を使用することによって、磁場変化量を使用して、基板108の温度を測定することができる。磁気感受性は、磁場が測定される基板の温度に反比例する。したがって、基板108の磁場を測定すると、測定温度が示される。
さらなる別の実施形態では、熱センサ190は、プログラマブル/高性能熱センサとすることができる。プログラマブル/高性能熱センサは、約100℃(212°F)と約2500℃(4500°F)の温度で使用することができる。プログラマブル/高性能温度計は、内蔵信号調整およびデジタルコンピューティング、約2μmと約20μmとの間の広帯域または狭帯域でのスペクトル帯選択、双方向インタフェース、最大/最小/微分/ホールドなどの複数のプログラマブル機能、複数の異なる材料組成のためのプログラマブル周囲温度、ならびにLEDまたはレーザなどのレンズを通した観測の選択を有することができる。
前述は本発明の実施形態に関するが、本発明の他のおよびさらなる実施形態が、本発明の基本的な範囲から逸脱することなく考案され得る。
Claims (15)
- 電磁波を送信するように構成された送信器と、
電磁波を受信するように構成された受信器と、
前記送信器および前記受信器を制御するように構成されたコントローラであり、前記送信された電磁波と前記受信された電磁波との間の差から温度を決定するように動作可能である、コントローラと
を備える、熱センサ。 - 前記コントローラが、前記送信された電磁波と前記受信された電磁波との間の前記差を決定するとき、屈折および密度の変化の関数として前記温度を決定するように動作可能である、請求項1に記載の熱センサ。
- 前記コントローラが、前記送信された電磁波と前記受信された電磁波との間の前記差を決定するとき、前記受信された電磁波の速さの変化の関数として前記温度を決定するように動作可能である、請求項1に記載の熱センサ。
- 前記送信器が、電波を発生するように構成される、請求項1に記載の熱センサ。
- 前記送信器が、連続電波を発生するように構成される、請求項4に記載の熱センサ。
- 前記送信器が、パルス電波を発生するように構成される、請求項4に記載の熱センサ。
- 前記送信器が、摂氏約250度と摂氏2500度との間の動作温度を有する、請求項4に記載の熱センサ。
- チャンバ本体と、
前記チャンバ本体の内部容積部に配設された基板支持体と、
前記基板支持体に配設された基板を通して電磁波を送信する向きにされた送信器と、
前記送信器によって放出された電磁波を受信する向きにされた受信器と、
前記送信器および前記受信器を制御するように構成されたコントローラであり、前記送信された電磁波と前記受信された電磁波との磁場変化量から温度を決定するように動作可能である、コントローラと
を備える、処理チャンバ。 - 前記チャンバ本体が、
下部ドームと、
上部ドームと、
前記下部ドームを通して前記基板支持体に配設された基板へと向かうように配列された放射加熱ランプのアレイと
を備える、請求項8に記載の処理チャンバ。 - 前記送信器および前記受信器が、前記基板支持体の基板支持面に対して斜めの向きにされる、請求項8に記載の熱センサ。
- 前記送信器および前記受信器が、互いに関して約5度以内の向きにされる、請求項8に記載の熱センサ。
- 前記送信器が、電波を発生するように構成される、請求項8に記載の処理チャンバ。
- 前記送信器が、連続電波を発生するように構成される、請求項12に記載の処理チャンバ。
- 前記送信器が、パルス電波を発生するように構成される、請求項12に記載の処理チャンバ。
- 前記送信器が、摂氏約250度と摂氏2500度との間の動作温度を有する、請求項12に記載の処理チャンバ。
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US4201446A (en) * | 1978-10-20 | 1980-05-06 | Honeywell Inc. | Fiber optic temperature sensor using liquid component fiber |
US4215576A (en) * | 1979-01-22 | 1980-08-05 | Rockwell International Corporation | Optical temperature sensor utilizing birefringent crystals |
US5560712A (en) * | 1982-08-06 | 1996-10-01 | Kleinerman; Marcos Y. | Optical systems for sensing temperature and thermal infrared radiation |
US4756627A (en) * | 1984-08-17 | 1988-07-12 | Sperry Corporation | Optical temperature sensor using photoelastic waveguides |
US4890245A (en) * | 1986-09-22 | 1989-12-26 | Nikon Corporation | Method for measuring temperature of semiconductor substrate and apparatus therefor |
US4839515A (en) * | 1987-03-13 | 1989-06-13 | I.V.P. Co. | Fiber optic transducer with fiber-to-fiber edge coupling |
US5052820A (en) * | 1987-06-08 | 1991-10-01 | Electric Power Research Institute, Inc. | Thermal refractive materials for optical sensor application |
US5258602A (en) * | 1988-02-17 | 1993-11-02 | Itt Corporation | Technique for precision temperature measurements of a semiconductor layer or wafer, based on its optical properties at selected wavelengths |
US4956538A (en) * | 1988-09-09 | 1990-09-11 | Texas Instruments, Incorporated | Method and apparatus for real-time wafer temperature measurement using infrared pyrometry in advanced lamp-heated rapid thermal processors |
US4891499A (en) * | 1988-09-09 | 1990-01-02 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for real-time wafer temperature uniformity control and slip-free heating in lamp heated single-wafer rapid thermal processing systems |
JPH0727425B2 (ja) * | 1988-12-28 | 1995-03-29 | 株式会社東芝 | 電圧発生回路 |
US5229303A (en) * | 1989-08-29 | 1993-07-20 | At&T Bell Laboratories | Device processing involving an optical interferometric thermometry using the change in refractive index to measure semiconductor wafer temperature |
US5049816A (en) | 1990-05-31 | 1991-09-17 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor substrate minority carrier lifetime measurements |
WO1992002912A1 (en) * | 1990-08-06 | 1992-02-20 | Schier J Alan | Sensing apparatus |
US5377126A (en) * | 1991-09-13 | 1994-12-27 | Massachusetts Institute Of Technology | Non-contact temperature measurement of a film growing on a substrate |
JPH0618433A (ja) * | 1992-06-30 | 1994-01-25 | Mitsubishi Electric Corp | ボンディング装置及び方法 |
AU4689293A (en) * | 1992-07-15 | 1994-02-14 | On-Line Technologies, Inc. | Method and apparatus for monitoring layer processing |
US5263776A (en) * | 1992-09-25 | 1993-11-23 | International Business Machines Corporation | Multi-wavelength optical thermometry |
US5660472A (en) * | 1994-12-19 | 1997-08-26 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for measuring substrate temperatures |
JP3563224B2 (ja) * | 1996-03-25 | 2004-09-08 | 住友電気工業株式会社 | 半導体ウエハの評価方法、熱処理方法、および熱処理装置 |
KR970073700A (ko) * | 1996-05-13 | 1997-12-10 | 제임스 조셉 드롱 | 반응 챔버에 대한 온도 조절 방법 및 장치 |
US6090210A (en) * | 1996-07-24 | 2000-07-18 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone gas flow control in a process chamber |
US6395363B1 (en) * | 1996-11-05 | 2002-05-28 | Applied Materials, Inc. | Sloped substrate support |
US6116779A (en) * | 1997-03-10 | 2000-09-12 | Johnson; Shane R. | Method for determining the temperature of semiconductor substrates from bandgap spectra |
US6123766A (en) * | 1997-05-16 | 2000-09-26 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for achieving temperature uniformity of a substrate |
US6062729A (en) * | 1998-03-31 | 2000-05-16 | Lam Research Corporation | Rapid IR transmission thermometry for wafer temperature sensing |
JP2000058423A (ja) * | 1998-08-12 | 2000-02-25 | Toshiba Corp | 熱処理方法及び熱処理装置 |
US6304328B1 (en) * | 1998-08-14 | 2001-10-16 | Research Foundation Of State University Of New York, The Office Of Technology Licensing, Suny | Non-contact temperature and concentration measurement on liquid surfaces |
US6770134B2 (en) | 2001-05-24 | 2004-08-03 | Applied Materials, Inc. | Method for fabricating waveguides |
US6905542B2 (en) | 2001-05-24 | 2005-06-14 | Arkadii V. Samoilov | Waveguides such as SiGeC waveguides and method of fabricating the same |
US7734439B2 (en) * | 2002-06-24 | 2010-06-08 | Mattson Technology, Inc. | System and process for calibrating pyrometers in thermal processing chambers |
US7778533B2 (en) * | 2002-09-12 | 2010-08-17 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor thermal process control |
US6768084B2 (en) * | 2002-09-30 | 2004-07-27 | Axcelis Technologies, Inc. | Advanced rapid thermal processing (RTP) using a linearly-moving heating assembly with an axisymmetric and radially-tunable thermal radiation profile |
DE10301416B3 (de) * | 2003-01-16 | 2004-07-15 | Medizinisches Laserzentrum Lübeck GmbH | Verfahren und Vorrichtung zur kontaktlosen Temperaturüberwachung und -regelung |
US8658945B2 (en) * | 2004-02-27 | 2014-02-25 | Applied Materials, Inc. | Backside rapid thermal processing of patterned wafers |
KR100601956B1 (ko) * | 2004-06-28 | 2006-07-14 | 삼성전자주식회사 | 자기장의 변화를 이용한 온도측정장치 |
NZ534673A (en) * | 2004-08-12 | 2006-03-31 | Agres Ltd | Non-invasive sensor and method of use for measuring the temperature and composition of frozen food products |
WO2007004644A1 (ja) | 2005-07-05 | 2007-01-11 | Hiroshima University | 温度測定装置及びこれを利用した熱処理装置、温度測定方法 |
CN101258387A (zh) * | 2005-07-05 | 2008-09-03 | 马特森技术公司 | 确定半导体晶片的光学属性的方法与系统 |
US7543981B2 (en) * | 2006-06-29 | 2009-06-09 | Mattson Technology, Inc. | Methods for determining wafer temperature |
FR2910621B1 (fr) * | 2006-12-21 | 2009-02-06 | Renault Sas | Procede et dispositif de controle de la qualite d'un cordon de soudure |
US7976216B2 (en) * | 2007-12-20 | 2011-07-12 | Mattson Technology, Inc. | Determining the temperature of silicon at high temperatures |
US8042996B2 (en) * | 2008-06-09 | 2011-10-25 | Black & Decker Inc. | Non-contact thermometer |
US7997121B2 (en) * | 2008-07-11 | 2011-08-16 | Savannah River Nuclear Solutions, Llc | Milliwave melter monitoring system |
CN201464075U (zh) * | 2009-05-15 | 2010-05-12 | 武汉烽火富华电气有限责任公司 | 长程声表面波温度传感系统 |
CN101644608B (zh) * | 2009-05-20 | 2013-05-29 | 中国科学院声学研究所 | 一种集成式的声表面波无线温度传感器 |
US20110150035A1 (en) * | 2009-12-17 | 2011-06-23 | Hanson Ronald K | Non-intrusive method for sensing gas temperature and species concentration in gaseous environments |
US8543357B1 (en) * | 2010-07-30 | 2013-09-24 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | RF power density and field characterization technique |
US8967860B2 (en) | 2011-02-07 | 2015-03-03 | Applied Materials, Inc. | Low temperature measurement and control using low temperature pyrometry |
CN102353473A (zh) * | 2011-06-23 | 2012-02-15 | 成都赛康信息技术有限责任公司 | 基于声表面波的无线传感器网络远程温度在线监测系统 |
US20130130184A1 (en) | 2011-11-21 | 2013-05-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Apparatus and Method for Controlling Wafer Temperature |
CN102708394B (zh) * | 2012-04-17 | 2016-02-17 | 重庆大学 | 基于saw的无源温度标签及其阅读器 |
CN202631151U (zh) * | 2012-06-28 | 2012-12-26 | 河南省电力公司驻马店供电公司 | 无源无线开关柜温度在线监测系统 |
US8772055B1 (en) * | 2013-01-16 | 2014-07-08 | Applied Materials, Inc. | Multizone control of lamps in a conical lamphead using pyrometers |
US9568377B1 (en) * | 2013-02-12 | 2017-02-14 | U.S. Department Of Energy | Nanocomposite thin films for optical temperature sensing |
US9677949B1 (en) * | 2013-10-29 | 2017-06-13 | Nutech Ventures | Fiber-optic sensor for strain-insensitive temperature measurements |
WO2015081210A1 (en) * | 2013-11-27 | 2015-06-04 | New York University | System and method for providing magnetic resonance temperature measurement for radiative heating applications |
US20150221535A1 (en) * | 2014-01-31 | 2015-08-06 | Andrew Nguyen | Temperature measurement using silicon wafer reflection interference |
US10042083B2 (en) * | 2014-07-16 | 2018-08-07 | Elwha Llc | Systems and methods for microwave sensing of object properties |
-
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