JP2018501041A5 - - Google Patents

Claims (15)

1. トランスデューサ取り付け部と、
   前記トランスデューサ取り付け部の上側面に結合されたトランスデューサスタックと、
   前記トランスデューサスタックに結合されて、前記トランスデューサ取り付け部の下方に巻き付けられたフレキシブル回路であって、前記トランスデューサ取り付け部の下側面の一部分を覆うフレキシブル回路と、
   前記トランスデューサ取り付け部の前記下側面の反対側で前記フレキシブル回路に隣接するインターポーザと、
   前記フレキシブル回路の反対側で前記インターポーザに隣接するプリント回路基板と、
   前記プリント回路基板に隣接するボルスタープレートであって、前記トランスデューサ取り付け部に固定され、前記インターポーザを介して前記フレキシブル回路に電気的に接触するように前記プリント回路基板を保持するボルスタープレートと
   を備える、超音波プローブ。
2. 前記ボルスタープレートは、前記ボルスタープレートの表面から前記トランスデューサ取り付け部へと延在するタブを含み、前記タブは前記トランスデューサ取り付け部に結合し、前記タブは前記トランスデューサ取り付け部の側部に対接して設けられる面を有する、請求項１に記載の超音波プローブ。
3. 前記タブは第１の開口を含み、前記トランスデューサ取り付け部は第２の開口を含み、前記ボルスタープレートを前記トランスデューサ取り付け部に結合するために前記第１及び第２の開口内に嵌合する留め具を更に備える、請求項２に記載の超音波プローブ。
4. 前記留め具は、前記トランスデューサスタックの平面に平行な平面に延在し、好ましくは、前記留め具は、前記トランスデューサスタックの音響路の外側にある、請求項３に記載の超音波プローブ。
5. 前記第１の開口及び前記第２の開口は互いからオフセットされて配置され、前記ボルスタープレートに圧縮が印加されたときに整列する、請求項３に記載の超音波プローブ。
6. 前記第２の開口は、Ｕ字形状スロットである、請求項３に記載の超音波プローブ。
7. 前記ボルスタープレートは、前記ボルスタープレートの周辺部から延在するリップであって、前記プリント回路基板の一部分を少なくとも部分的に包囲するリップを含む、請求項１に記載の超音波プローブ。
8. 前記リップは、前記トランスデューサ取り付け部へと延在し、第１の開口を含み、前記トランスデューサ取り付け部は、第２の開口を含み、前記第１及び第２の開口は、前記ボルスタープレートを前記トランスデューサ取り付け部に結合するために前記第１及び第２の開口内に留め具を嵌合させる、請求項７に記載の超音波プローブ。
9. 前記フレキシブル回路は導体を含み、前記インターポーザは導体を含み、前記プリント回路基板は導体を含み、前記フレキシブル回路、前記インターポーザ及び前記プリント回路基板の前記導体は、前記ボルスタープレートによって前記トランスデューサ取り付け部に対して保持されたときに、電気的に結合される、請求項１に記載の超音波プローブ。
10. 前記トランスデューサ取り付け部は、前記下側面にフランジを含み、前記フランジは、前記プリント回路基板を前記インターポーザと整列させる、請求項１に記載の超音波プローブ。
11. 前記ボルスタープレート、前記プリント回路基板、前記インターポーザ、前記フレキシブル回路、前記トランスデューサ取り付け部、及び前記トランスデューサスタックの一部分を囲む保護シェルを更に備え、オプションで、前記保護シェルは、前記ボルスタープレートを前記トランスデューサ取り付け部に固定する、請求項１に記載の超音波プローブ。
12. 前記超音波プローブは、内視鏡タイプのデバイスの遠位端部に含まれる、請求項１に記載の超音波プローブ。
13. トランスデューサスタックに結合されたフレキシブル回路を、前記トランスデューサスタックに結合されたトランスデューサ取り付け部の下方に巻き付けるステップと、
    インターポーザを、前記フレキシブル回路に対接して配置するステップと、
    プリント回路基板を、前記インターポーザに対接して配置するステップと、
    ボルスタープレートによって、前記プリント回路基板、前記インターポーザ及び前記フレキシブル回路を前記トランスデューサ取り付け部に対して圧縮するステップと、
    前記ボルスタープレートを前記トランスデューサ取り付け部に結合するステップと
    を含む、方法。
14. 前記ボルスタープレートを前記トランスデューサ取り付け部に結合する前記ステップは、前記ボルスタープレート及び前記トランスデューサ取り付け部に留め具を通すステップを含む、請求項１３に記載の方法。
15. 前記ボルスタープレートによって、前記トランスデューサスタックから熱を放散するステップを更に含む、請求項１３に記載の方法。