JP2018207099A5 - - Google Patents

Claims (10)

1. 可撓性基板層と、アクリルポリオール、アルキレン尿素−グリオキサール樹脂および酸触媒の架橋混合物を含む層とを含み、前記アクリルポリオールは、約３００から約１５００のＯＨ当量、及び約−２０℃から約９０℃のガラス転移点を有することを特徴とする、メモリセル。
2. 前記アルキレン尿素−グリオキサール樹脂のアルキレン部分が１〜約１８個の炭素原子を含む、請求項１に記載のメモリセル。
3. 前記アルキレン尿素−グリオキサール樹脂のアルキレン部分が、エチレン、プロピレンおよびブチレンからなる群から選択される、請求項１に記載のメモリセル。
4. 前記アクリルポリオール、前記アルキレン尿素−グリオキサール樹脂および前記酸触媒の前記架橋混合物を含む前記層は、前記可撓性基板上のコーティングとして存在する、請求項１に記載のメモリセル。
5. 前記アクリルポリオール、前記アルキレン尿素−グリオキサール樹脂および前記酸触媒の架橋混合物と接続する第１の電極と、前記第１の電極と接続する強誘電体メモリ層と、前記強誘電体メモリ層と接続する第２の電極と、前記第２の電極と接続するポリマーバッファー層と、前記バッファー層と接続する保護ポリマー層と、前記可撓性基板の上に並べられたスペーサーとをさらに含み、前記強誘電体層が、ポリフッ化ビニリデンとトリフルオロエチレンのコポリマー、ポリ（フッ化ビニリデンおよびトリフルオロエチレン）のコポリマーおよびポリフッ化ビニリデンとトリフルオロエチレンのコポリマーで構成され、前記可撓性基板が、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリテトラフルオロエチレン、ポリスチレン、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ（塩化ビニリデン）、ポリ（メタクリル酸メチル）、ポリ（酢酸ビニル）、ポリカーボネート、ポリクロロトリフルオロエチレン、およびこれらの混合物からなる群から選択される、請求項４に記載のメモリセル。
6. 可撓性基板層と、接着層と、前記接着層と接続する第１の電極と、前記第１の電極と強誘電体メモリ層に接続している第２の電極との間に配置される強誘電体メモリ層と、前記第２の電極と接続するバッファー層と、前記バッファー層と接続する保護層とをこの順に含み、前記接着層は、アクリルポリオール、アルキレン尿素−グリオキサール樹脂および酸触媒の架橋混合物で構成される、メモリセル。
7. 前記アルキレン尿素−グリオキサール樹脂が、エチレン尿素−グリオキサール樹脂、ブチル化エチレン尿素−グリオキサール樹脂、エチル化エチレン尿素−グリオキサール、およびエチル化４，５−ジヒドロキシエチレン尿素グリオキサールからなる群から選択される、請求項６に記載のメモリセル。
8. 前記接着層が、以下の反応スキームに従って作られるブチル化エチレン尿素−グリオキサール樹脂で構成される、請求項６に記載のメモリセル。
   

   
9. 複数のメモリセルを含み、各メモリセルが、可撓性基板層と、接着層と、前記接着層と接続する第１の電極と、前記第１の電極と接続する強誘電体メモリ層と、前記強誘電体メモリ層と接続する第２の電極と、前記第２の電極と接続するバッファー層と、前記バッファー層と接続する保護層とを含み、前記接着層は、アクリルポリオール、エチレン尿素−グリオキサール樹脂、ブチル化エチレン尿素−グリオキサール樹脂またはこれらの混合物、酸触媒の架橋混合物で構成される、メモリデバイス。
10. 全固形分を基準として、存在するアクリルポリオールの量が約５０重量％〜約９５重量％であり、アルキレン尿素−グリオキサール樹脂の量が、約５重量％〜約５０重量％であり、酸触媒が、約０．５重量％〜約５重量％存在し、第１の電極が金属で構成され、第２の電極が金属で構成され、強誘電体メモリ層が、ポリフッ化ビニリデンとトリフルオロエチレンのコポリマー、ポリ（フッ化ビニリデンおよびトリフルオロエチレン）のコポリマーおよびポリフッ化ビニリデンとトリフルオロエチレンのコポリマーで構成され、前記可撓性基板が、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリテトラフルオロエチレン、ポリスチレン、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ（塩化ビニリデン）、ポリ（メタクリル酸メチル）、ポリ（酢酸ビニル）、ポリカーボネート、ポリクロロトリフルオロエチレン、およびこれらの混合物からなる群から選択される、請求項９に記載のメモリデバイス。