JP2018191176A - 撮像装置、撮像システム及び移動体 - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、第1実施形態に係る撮像装置100の構成例を示すブロック図である。撮像装置100は、画素アレイ1、垂直走査部2、タイミング生成部3、列回路部4、水平走査部5及び信号出力部6を有する。画素アレイ1は、複数の行及び複数の列をなすように2次元状に配された複数の画素10を含む。画素10は、光電変換により入射光に応じた信号を生成する。垂直走査部2は、水平方向(図1の左右方向)に並ぶ複数の画素10に対し、行ごとに配された制御線(不図示)を介して同時に制御信号を供給する。この制御信号の供給を各行について順次行うことで、垂直方向(図1の上下方向)の走査が行われる。垂直走査部2からの制御信号に応じて、画素10から出力される画素信号は、画素アレイ1の各列に対応して2本ずつ配された垂直出力線により伝送され、列回路部4に入力される。
次に、第1実施形態の変形例を説明する。本変形例では、垂直出力線制御部7の機能が垂直走査部2内ではなく、タイミング生成部3内に設けられている。以下では、主として上述の第1実施形態の説明と異なる点について説明し、共通する部分の説明は省略又は簡略化する。
次に、第2実施形態を説明する。本実施形態では、制御信号tx1[0]、tx1[1]、…と制御信号tx2[0]、tx2[1]、…との動作を偶数番目の行と奇数番目の行とで異ならせることにより、垂直出力線111と垂直出力線112には互いに異なる電位が与えられる。以下では、主として上述の第1実施形態の説明と異なる点について説明し、共通する部分の説明は省略又は簡略化する。
次に、第2実施形態の変形例を説明する。本変形例では、垂直出力線制御部7の機能が垂直走査部2内ではなく、タイミング生成部3内に設けられている。以下では、主として上述の第2実施形態の説明と異なる点について説明し、共通する部分の説明は省略又は簡略化する。
次に、第3実施形態を説明する。本実施形態では、制御信号sel1[0]、sel1[1]、…と制御信号sel2[0]、sel2[1]、…との動作を偶数番目の行と奇数番目の行とで異ならせることにより、垂直出力線111と垂直出力線112には互いに異なる電位が与えられる。以下では、主として上述の第1実施形態の説明と異なる点について説明し、共通する部分の説明は省略又は簡略化する。
次に、第4実施形態を説明する。本実施形態では、垂直出力線制御部7が、直接、垂直出力線111と垂直出力線112の少なくとも一方の電位を所定の電位でクリップさせて、互いに異なる電位を与える構成となっている。以下では、主として上述の第1実施形態の説明と異なる点について説明し、共通する部分の説明は省略又は簡略化する。
次に、第4実施形態の変形例を説明する。本変形例では、トランジスタ713、714が省略されている。以下では、主として上述の第4実施形態の説明と異なる点について説明し、共通する部分の説明は省略又は簡略化する。
選択回路715の制御端子には、制御信号p_vline_tst[0]が入力される。選択回路715は、制御信号p_vline_tst[0]がハイレベルの場合に、電源電位VDDをトランジスタ711のゲートに出力し、ローレベルの場合に、クリップ電位Vclipをトランジスタ711のゲートに出力する。選択回路716の制御端子には、制御信号p_vline_tst[1]が入力される。選択回路716は、制御信号p_vline_tst[1]がハイレベルの場合に、電源電位VDDをトランジスタ712のゲートに出力し、ローレベルの場合に、クリップ電位Vclipをトランジスタ712のゲートに出力する。トランジスタ711のソースは垂直出力線111に接続されており、トランジスタ712のソースは垂直出力線112に接続されている。
次に、第5実施形態を説明する。本実施形態では、光電変換素子で発生する電荷の量の差に基づいて垂直出力線111と垂直出力線112には互いに異なる電位が与えられる。以下では、主として上述の第1実施形態の説明と異なる点について説明し、共通する部分の説明は省略又は簡略化する。
次に、第6実施形態を説明する。本実施形態では、光電変換素子で発生する電荷の量の差に基づいて垂直出力線111と垂直出力線112には互いに異なる電位が与えられる点は第5実施形態と同様である。しかしながら、遮光膜を設けて光電変換素子を遮光することにより、電荷の差を生じさせている点が第5実施形態と異なる。以下では、主として上述の第5実施形態の説明と異なる点について説明し、共通する部分の説明は省略又は簡略化する。
次に、第7実施形態を説明する。本実施形態では、画素アレイ1が、通常の画素10とは異なる電位を垂直出力線111、112に出力することにより、垂直出力線111と垂直出力線112には互いに異なる電位を与える構成となっている。以下では、主として上述の第5実施形態の説明と異なる点について説明し、共通する部分の説明は省略又は簡略化する。
次に、第8実施形態を説明する。本実施形態では、図1の撮像装置100の構成に加えて、短絡検出部8が更に設けられている。以下では、主として上述の第1実施形態の説明と異なる点について説明し、共通する部分の説明は省略又は簡略化する。
次に、第9実施形態を説明する。本実施形態は、第7実施形態のダミー画素11を有する撮像装置100について、第8実施形態と同様に短絡検出部8を適用した実施形態である。本実施形態ではテストモードにおいて、垂直ブランキング期間中にダミー画素11からの信号を出力するものとする。
次に、第10実施形態を説明する。図29は第1乃至第9実施形態の撮像装置100を適用することができる撮像システムの構成例を示すブロック図である。撮像システムは、撮像装置100、信号処理部2000、CPU3000、外部入力部4000、光学系5000、映像表示部6000、記録部7000及び駆動部8000を有する。撮像装置100には、第1乃至第9実施形態の撮像装置100が適用される。なお、撮像装置100は複数個設けられていてもよい。
図30(a)及び図30(b)は、本実施形態による撮像システム900及び移動体の構成を示す図である。図30(a)は、車載カメラに関する撮像システム900の一例を示したものである。撮像システム900は、上述の第1乃至第9実施形態のいずれかに記載の撮像装置100を有する。撮像システム900は、撮像装置100により取得された複数の画像データに対し、画像処理を行う画像処理部912と、撮像システム900により取得された複数の画像データから視差(視差画像の位相差)の算出を行う視差算出部914を有する。また、撮像システム900は、算出された視差に基づいて対象物までの距離を算出する距離計測部916と、算出された距離に基づいて衝突可能性があるか否かを判定する衝突判定部918と、を有する。ここで、視差算出部914や距離計測部916は、対象物までの距離情報を取得する距離情報取得手段の一例である。すなわち、距離情報とは、視差、デフォーカス量、対象物までの距離等に関する情報である。衝突判定部918はこれらの距離情報のいずれかを用いて、衝突可能性を判定してもよい。距離情報取得手段は、専用に設計されたハードウェアによって実現されてもよいし、ソフトウェアモジュールによって実現されてもよい。また、FPGA(Field Programmable Gate Array)、ASIC(Application Specific Integrated Circuit)等によって実現されてもよいし、これらの組合せによって実現されてもよい。
なお、上述の実施形態は、いずれも本発明を実施するにあたっての具体化の例を示したものに過ぎず、これらによって本発明の技術的範囲が限定的に解釈されてはならないものである。すなわち、本発明はその技術思想、又はその主要な特徴から逸脱することなく、様々な形で実施することができる。例えば、いずれかの実施形態の一部の構成を、他の実施形態に追加した実施形態、あるいは他の実施形態の一部の構成と置換した実施形態も本発明を適用し得る実施形態であると理解されるべきである。
2 垂直走査部
7 垂直出力線制御部
10 画素
100 撮像装置
111、112 垂直出力線
Claims (20)
- 入射光に応じた信号を生成する画素が複数の行及び複数の列をなすように配された画素アレイと、
前記画素アレイの各列に対応して配され、対応する1つの列に配された複数の前記画素から出力される信号を伝送する第1の出力線及び第2の出力線と、
1つの列の異なる行に設けられた複数の画素から前記第1の出力線及び前記第2の出力線に信号を出力させるように前記画素アレイを駆動する走査部と、
テストモードにおいて、前記第1の出力線及び前記第2の出力線に互いに異なる電位を与えるよう制御する出力線制御部と、
を有することを特徴とする撮像装置。 - 前記出力線制御部は、前記テストモードにおいて、前記第1の出力線に前記画素で入射光に応じて生成された電荷に基づく信号を出力させ、前記第2の出力線に前記画素のリセット状態に基づく信号を出力させるように前記走査部を制御することを特徴とする請求項1に記載の撮像装置。
- 前記画素アレイに含まれる複数の画素の各々は、
光電変換により入射光に応じた電荷を生成する光電変換素子と、
前記光電変換素子で生成された電荷を転送する転送トランジスタと、
前記転送トランジスタにより前記光電変換素子から電荷が転送される入力ノードを有し、前記入力ノードの電位に応じた信号を出力する増幅トランジスタと、
前記入力ノードの電位をリセットするリセットトランジスタと、
を含み、
前記出力線制御部は、前記テストモードにおいて、前記第1の出力線に信号を出力する画素の前記リセットトランジスタをオフにし、前記第2の出力線に信号を出力する画素の前記リセットトランジスタをオンに維持して前記入力ノードをリセットした状態で前記画素から信号を出力させるように前記走査部を制御することを特徴とする請求項1又は2に記載の撮像装置。 - 前記画素アレイに含まれる複数の画素の各々は、
光電変換により入射光に応じた電荷を生成する光電変換素子と、
前記光電変換素子で生成された電荷を転送する転送トランジスタと、
前記転送トランジスタにより前記光電変換素子から電荷が転送される入力ノードを有し、前記入力ノードの電位に応じた信号を出力する増幅トランジスタと、
前記入力ノードの電位をリセットするリセットトランジスタと、
を含み、
前記出力線制御部は、前記テストモードにおいて、前記第1の出力線に信号を出力する画素の前記転送トランジスタをオンにして電荷を転送させ、前記第2の出力線に信号を出力する画素の前記転送トランジスタをオフに維持して前記入力ノードをリセット状態に維持した状態で前記画素から信号を出力させるように前記走査部を制御することを特徴とする請求項1又は2に記載の撮像装置。 - 前記出力線制御部は、前記テストモードにおいて、前記第1の出力線及び前記第2の出力線のいずれか一方のみに前記画素から信号を出力させるように前記走査部を制御することを特徴とする請求項1に記載の撮像装置。
- 前記画素アレイに含まれる複数の画素の各々は、
前記第1の出力線に接続された第1の選択トランジスタと、
前記第2の出力線に接続された第2の選択トランジスタと、
を含み、
前記出力線制御部は、前記テストモードにおいて、前記第1の選択トランジスタをオンにし、前記第2の選択トランジスタをオフにした状態で前記画素から信号を出力させるように前記走査部を制御することを特徴とする請求項1又は5に記載の撮像装置。 - 前記出力線制御部は、前記テストモードにおいて、前記第1の出力線及び前記第2の出力線の少なくとも一方の電位を所定の電位でクリップさせるように制御することを特徴とする請求項1に記載の撮像装置。
- 前記画素アレイに含まれる複数の画素の各々は、光電変換により入射光に応じた電荷を生成する第1の光電変換素子及び第2の光電変換素子を含み、
前記出力線制御部は、前記テストモードにおいて、前記第1の出力線に前記第1の光電変換素子で生成された電荷に基づく信号を出力させ、前記第2の出力線に前記第2の光電変換素子で生成された電荷に基づく信号を出力させるように前記走査部を制御し、
前記第1の光電変換素子で生成される電荷の量と、前記第2の光電変換素子で生成される電荷の量とは互いに異なることを特徴とする請求項1に記載の撮像装置。 - 前記第1の光電変換素子に入射する光を通過させる第1の色の色フィルタと、
前記第2の光電変換素子に入射する光を通過させる、前記第1の色とは異なる第2の色の色フィルタと、
を更に有することを特徴とする請求項8に記載の撮像装置。 - 前記第1の光電変換素子と、前記第2の光電変換素子とは、入射光を受光する面積が互いに異なることを特徴とする請求項8に記載の撮像装置。
- 前記第1の光電変換素子及び前記第2の光電変換素子のいずれか一方は、入射光を遮光する遮光部を更に有することを特徴とする請求項8に記載の撮像装置。
- 前記画素アレイは、第1の固定電位及び第2の固定電位を出力可能なダミー画素を更に含み、
前記出力線制御部は、前記テストモードにおいて、前記ダミー画素から前記第1の出力線に前記第1の固定電位を供給させ、前記ダミー画素から前記第2の出力線に前記第2の固定電位を供給させるよう前記走査部を制御することを特徴とする請求項1に記載の撮像装置。 - 前記第1の出力線の電位及び前記第2の出力線の電位の少なくとも1つに基づいて、前記第1の出力線と前記第2の出力線との短絡を検出する短絡検出部を更に有することを特徴とする請求項1乃至12のいずれか1項に記載の撮像装置。
- 前記短絡検出部は、前記第1の出力線の電位又は前記第2の出力線の電位を所定の閾値と比較することにより短絡の検出を行うことを特徴とする請求項13に記載の撮像装置。
- 前記短絡検出部が行った短絡の検出結果に基づいて、短絡の発生の有無を示す信号を出力する信号出力部を更に備えることを特徴とする請求項13又は14に記載の撮像装置。
- 前記短絡検出部が行った短絡の検出結果に基づいて、短絡の発生の個数を示す信号を出力する信号出力部を更に備えることを特徴とする請求項13又は14に記載の撮像装置。
- 前記短絡検出部は、1フレーム分の信号を読み出す処理と次の1フレーム分の信号を読み出す処理との間の垂直ブランキング期間に短絡の検出を行うことを特徴とする請求項13乃至16のいずれか1項に記載の撮像装置。
- 請求項1乃至17のいずれか1項に記載の撮像装置と、
前記撮像装置から出力される信号を処理する信号処理部と
を備えることを特徴とする撮像システム。 - 前記信号処理部は、前記テストモードにおいて前記第1の出力線及び前記第2の出力線に互いに異なる電位が与えられていることを検知することを特徴とする請求項18に記載の撮像システム。
- 移動体であって、
請求項1乃至17のいずれか1項に記載の撮像装置と、
前記撮像装置からの信号に基づく視差画像から、対象物までの距離情報を取得する距離情報取得手段と、
前記距離情報に基づいて前記移動体を制御する移動体制御手段と
を備えることを特徴とする移動体。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2023095414A (ja) * | 2021-12-24 | 2023-07-06 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置 |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7109272B2 (ja) * | 2018-06-18 | 2022-07-29 | ローム株式会社 | 半導体集積回路、ブリッジチップ、ディスプレイシステム、自動車 |
JP7299680B2 (ja) | 2018-08-23 | 2023-06-28 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及び撮像システム |
US11109017B2 (en) * | 2018-09-12 | 2021-08-31 | Semiconductor Components Industries, Llc | Systems and methods for fault detection in image sensor processors |
JP7379014B2 (ja) | 2019-08-14 | 2023-11-14 | キヤノン株式会社 | 駆動装置、光電変換装置、および撮像システム |
JP7516031B2 (ja) | 2019-11-19 | 2024-07-16 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及び撮像システム |
US11284045B2 (en) | 2020-04-22 | 2022-03-22 | OmniVision Technologies. Inc. | Image sensor with shifted color filter array pattern and bit line pairs |
JP2022170441A (ja) * | 2021-04-28 | 2022-11-10 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置 |
US11683604B1 (en) * | 2022-02-23 | 2023-06-20 | Omnivision Technologies, Inc. | Circuit and method for image artifact reduction in high-density, highpixel-count, image sensor with phase detection autofocus |
KR20240076914A (ko) * | 2022-11-24 | 2024-05-31 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 패널 및 이를 포함하는 표시 장치 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04214937A (ja) * | 1990-06-08 | 1992-08-05 | Mitsubishi Electric Corp | 車両用追従走行制御装置 |
JP2002009269A (ja) * | 2000-03-30 | 2002-01-11 | Symagery Microsystems Inc | 画像検出回路アレイをテストするための方法及び装置 |
JP2015142338A (ja) * | 2014-01-30 | 2015-08-03 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4667322B2 (ja) | 2006-08-08 | 2011-04-13 | キヤノン株式会社 | 信号処理装置、撮像システム及び信号処理方法 |
EP2154879A1 (en) * | 2008-08-13 | 2010-02-17 | Thomson Licensing | CMOS image sensor with selectable hard-wired binning |
JP5284132B2 (ja) | 2009-02-06 | 2013-09-11 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置、撮像システム、および撮像装置の駆動方法 |
US8921855B2 (en) | 2011-03-09 | 2014-12-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Test circuit for testing signal receiving unit, image pickup apparatus, method of testing signal receiving unit, and method of testing image pickup apparatus |
JP5917051B2 (ja) | 2011-09-08 | 2016-05-11 | キヤノン株式会社 | 半導体装置 |
JP6346439B2 (ja) * | 2013-01-07 | 2018-06-20 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及びその制御方法 |
US10033947B2 (en) * | 2015-11-04 | 2018-07-24 | Semiconductor Components Industries, Llc | Multi-port image pixels |
-
2017
- 2017-05-09 JP JP2017093145A patent/JP6932542B2/ja active Active
-
2018
- 2018-05-01 US US15/968,405 patent/US10567747B2/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04214937A (ja) * | 1990-06-08 | 1992-08-05 | Mitsubishi Electric Corp | 車両用追従走行制御装置 |
JP2002009269A (ja) * | 2000-03-30 | 2002-01-11 | Symagery Microsystems Inc | 画像検出回路アレイをテストするための方法及び装置 |
JP2015142338A (ja) * | 2014-01-30 | 2015-08-03 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2023095414A (ja) * | 2021-12-24 | 2023-07-06 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置 |
JP7408620B2 (ja) | 2021-12-24 | 2024-01-05 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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JP6932542B2 (ja) | 2021-09-08 |
US10567747B2 (en) | 2020-02-18 |
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