JP2018188494A - Encapsulation resin composition and method for manufacturing electronic device - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an encapsulation resin composition that reduces warpage of a substrate in an electronic device and develops adhesiveness and filling property in a balanced manner.SOLUTION: The encapsulation resin composition of the present invention comprises an epoxy resin, a curing agent, a filler, a silane coupling agent and a low-stress agent. The silane coupling agent is represented by general formula (1) below, and the content of the silane coupling agent in the encapsulation resin composition is 0.4 mass% or more and 2.0 mass% or less with respect to the total solid content of the encapsulation resin composition. The content of the low-stress agent is 1.0 mass% or more and 7.0 mass% or less with respect to the total solid content of the encapsulation resin composition. In general formula (1), Rand Reach independently represent an organic group having 1 to 30 carbon atoms; and a plurality of A each independently represents an organic group having 1 to 30 carbon atoms, where the plurality of A may be the same or different from one another, and at least one of the plurality of A is an alkoxy group having 1 to 30 carbon atoms.SELECTED DRAWING: None

Description

本発明は、封止用樹脂組成物及び電子装置の製造方法に関する。   The present invention relates to a sealing resin composition and an electronic device manufacturing method.

作業性を損なうことなく、かつ、高湿度環境下においても耐湿性に優れる硬化物を得るために、封止用樹脂組成物として様々な技術が開発されている。この種の技術としては、例えば、特許文献1に記載の技術が挙げられる。特許文献1によれば、エポキシ樹脂と、エポキシ樹脂の硬化剤と、界面活性剤としてN−フェニルアミノプロピルトリメトキシシランと、充填材とを必須成分とすることが記載されている。   Various techniques have been developed as a resin composition for sealing in order to obtain a cured product that is excellent in moisture resistance even in a high humidity environment without impairing workability. As this type of technology, for example, the technology described in Patent Document 1 can be cited. According to Patent Document 1, it is described that an epoxy resin, an epoxy resin curing agent, N-phenylaminopropyltrimethoxysilane as a surfactant, and a filler are essential components.

特開2002−179884号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2002-17984

本発明者らは、電子装置の生産工程において、基材に配設された電子部品を、封止用樹脂組成物を用いて封止し、さらに、該封止用樹脂組成物を硬化させたときの基材の反りについて検討した。その結果、特許文献1に記載の封止用樹脂組成物を用いた場合、基材の反りが大きく、封止用樹脂組成物を硬化させた後に基材の加工を行えない不都合があることを見出した。   In the production process of an electronic device, the present inventors sealed an electronic component disposed on a substrate using a sealing resin composition, and further cured the sealing resin composition. The warpage of the base material was examined. As a result, when the sealing resin composition described in Patent Document 1 is used, the warping of the base material is large, and the base material cannot be processed after the sealing resin composition is cured. I found it.

そこで、本発明者らは、基材の反りを抑制するために、封止用樹脂組成物に添加する成分について検討した。その結果、封止用樹脂組成物にシリコーン化合物などの低応力剤を添加すると、基材の反りの低減できることを見出した。
しかしながら、低応力剤を封止用樹脂組成物に添加する場合、封止用樹脂組成物と、基材との密着性が低下する不都合があった。さらに、低応力剤を封止用樹脂組成物に添加する場合、例えば、マルチチップ・スタックドCPSなどのチップが多段に積層された電子装置を作製した際、チップ間の隙間への充填性が低下してしまうという不都合があった。
以上より、電子装置における基材の反りの低減と、封止用樹脂組成物の密着性及び充填性とは、トレードオフの関係にあった。そこで、本発明は、電子装置における基材の反りを低減し、かつ、密着性及び充填性をバランスよく発現する封止用樹脂組成物を提供することを課題とする。
Then, the present inventors examined the component added to the resin composition for sealing, in order to suppress the curvature of a base material. As a result, it has been found that when a low-stress agent such as a silicone compound is added to the sealing resin composition, the warpage of the substrate can be reduced.
However, when a low stress agent is added to the encapsulating resin composition, there is a disadvantage that the adhesion between the encapsulating resin composition and the substrate is lowered. Furthermore, when a low-stress agent is added to the sealing resin composition, for example, when an electronic device in which chips such as a multichip / stacked CPS are stacked in multiple stages is manufactured, the filling property into the gap between the chips is reduced. There was an inconvenience of doing so.
As described above, the reduction in the warpage of the base material in the electronic device and the adhesion and filling properties of the sealing resin composition were in a trade-off relationship. Then, this invention makes it a subject to provide the resin composition for sealing which reduces the curvature of the base material in an electronic device, and expresses adhesiveness and filling property with sufficient balance.

本発明者らは、基材の反りを低減するために、特定の構造のシランカップリング剤と、低応力剤と、をそれぞれ特定の数値範囲で封止用樹脂組成物に添加することを検討した。その結果、基材の反りの低減し、かつ、密着性及び充填性をバランスよく発現できることを見出した。
以上より、本発明者らが、特定の構造のシランカップリング剤と、低応力剤とを特定の数値範囲で封止用樹脂組成物に添加することを見出し、本発明は完成した。
In order to reduce the warpage of the substrate, the present inventors have considered adding a silane coupling agent having a specific structure and a low stress agent to the sealing resin composition within a specific numerical range, respectively. did. As a result, it has been found that the warpage of the substrate can be reduced and the adhesion and filling properties can be expressed in a balanced manner.
As described above, the present inventors have found that a silane coupling agent having a specific structure and a low stress agent are added to a sealing resin composition within a specific numerical range, and the present invention has been completed.

本発明によれば、
エポキシ樹脂と、
硬化剤と、
充填材と、
シランカップリング剤と、
低応力剤と、を含み、
前記シランカップリング剤は、下記一般式(1)で表され、
封止用樹脂組成物中の前記シランカップリング剤の含有量が、封止用樹脂組成物の全固形分に対して、0.4質量%以上2.0質量%以下であり、
前記低応力剤の含有量が、封止用樹脂組成物の全固形分に対して、1.0質量%以上7.0質量%以下である、封止用樹脂組成物が提供される。
According to the present invention,
Epoxy resin,
A curing agent;
A filler,
A silane coupling agent;
A low stress agent,
The silane coupling agent is represented by the following general formula (1):
Content of the said silane coupling agent in the resin composition for sealing is 0.4 mass% or more and 2.0 mass% or less with respect to the total solid of the resin composition for sealing,
A sealing resin composition is provided in which the content of the low stress agent is 1.0% by mass or more and 7.0% by mass or less with respect to the total solid content of the sealing resin composition.

Figure 2018188494
(上記一般式(1)において、R及びRは、それぞれ独立して炭素数1以上30以下の有機基を表す。
複数のAは、それぞれ独立して炭素数1以上30以下の有機基を表す。複数のAは互いに同一でもよく、互いに異なっていてもよい。複数のAのうち少なくとも一つは炭素数1以上30以下のアルコキシ基である。)
Figure 2018188494
(In the general formula (1), R 1 and R 2 each independently represents an organic group having 1 to 30 carbon atoms.
A plurality of A each independently represents an organic group having 1 to 30 carbon atoms. A plurality of A may be the same or different from each other. At least one of the plurality of A is an alkoxy group having 1 to 30 carbon atoms. )

本発明によれば、
基材上に電子部品を配設する配設工程と、
上記封止用樹脂組成物を用いて、電子部品を封止する封止工程と、を含む、電子装置の製造方法が提供される。
According to the present invention,
An arrangement step of arranging electronic components on the substrate;
A method for manufacturing an electronic device is provided, which includes a sealing step of sealing an electronic component using the sealing resin composition.

本発明によれば、電子装置における基材の反りを低減し、かつ、密着性及び充填性をバランスよく発現する封止用樹脂組成物が提供される。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the resin composition for sealing which reduces the curvature of the base material in an electronic device and expresses adhesiveness and filling property with sufficient balance is provided.

本実施形態に係る電子装置の製造方法の一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of the manufacturing method of the electronic device which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る電子装置の製造方法の一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of the manufacturing method of the electronic device which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る電子装置の製造方法の一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of the manufacturing method of the electronic device which concerns on this embodiment.

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、その説明を省略する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In all the drawings, the same reference numerals are given to the same components and the description thereof is omitted.

本実施形態の封止用樹脂組成物は、エポキシ樹脂と、硬化剤と、充填材と、シランカップリング剤と、低応力剤と、を含み、前記シランカップリング剤は、下記一般式(1)で表され、前記シランカップリング剤の含有量が、封止用樹脂組成物の全固形分に対して、0.4質量%以上2.0質量%以下であり、前記低応力剤の含有量が、封止用樹脂組成物の全固形分に対して、1.0質量%以上7.0質量%以下である。   The sealing resin composition of the present embodiment includes an epoxy resin, a curing agent, a filler, a silane coupling agent, and a low stress agent, and the silane coupling agent has the following general formula (1) The content of the silane coupling agent is 0.4% by mass or more and 2.0% by mass or less with respect to the total solid content of the sealing resin composition, and the content of the low stress agent The amount is 1.0% by mass or more and 7.0% by mass or less with respect to the total solid content of the encapsulating resin composition.

Figure 2018188494
(上記一般式(1)において、R及びRは、それぞれ独立して炭素数1以上30以下の有機基を表す。
複数のAは、それぞれ独立して炭素数1以上30以下の有機基を表す。複数のAは互いに同一でもよく、互いに異なっていてもよい。複数のAのうち少なくとも一つは炭素数1以上30以下のアルコキシ基である。)
Figure 2018188494
(In the general formula (1), R 1 and R 2 each independently represents an organic group having 1 to 30 carbon atoms.
A plurality of A each independently represents an organic group having 1 to 30 carbon atoms. A plurality of A may be the same or different from each other. At least one of the plurality of A is an alkoxy group having 1 to 30 carbon atoms. )

本発明者らは、例えば、ウエハレベルパッケージの生産工程において、封止用樹脂組成物によってウエハに配設された回路を封止し、該封止用樹脂組成物を硬化させたときのウエハの反りについて検討した。その結果、従来の封止用樹脂組成物を用いた場合、ウエハの反りが大きく、封止用樹脂組成物を硬化させた後にウエハの加工を行えないことがあることを見出した。ここで、ウエハの反りは、封止用樹脂組成物の硬化時の内部応力によって生じると推測された。   For example, in the production process of a wafer level package, the present inventors seal a circuit disposed on a wafer with a sealing resin composition, and cure the wafer when the sealing resin composition is cured. We examined warping. As a result, it has been found that when a conventional sealing resin composition is used, the wafer is warped so that the wafer cannot be processed after the sealing resin composition is cured. Here, it was estimated that the warpage of the wafer was caused by internal stress at the time of curing of the sealing resin composition.

そこで、本発明者らは、封止用樹脂組成物によって形成される電子装置において、ウエハなどの基材の反りを抑制するために、封止用樹脂組成物に添加する成分を検討した。その結果、シリコーン化合物などの低応力剤を添加すると、基材の反りの低減に良い効果があることを見出した。
しかしながら、上記低応力剤を封止用樹脂組成物に添加する場合、封止用樹脂組成物の表面に低応力剤が分散してしまう。これにより、封止用樹脂組成物と、基材との密着性が低下してしまうという不都合があった。
さらに、低応力剤は、封止用樹脂組成物に含まれるエポキシ樹脂などの低応力剤以外の成分と比べて、粘りが強い。これにより、封止用樹脂組成物が低応力剤を含有する場合、低応力剤を含有しない場合と比べて、封止用樹脂組成物が高粘度になってしまう。ここで、マルチチップ・スタックドCPSなどのチップが多段に積層された電子装置ではチップ間の隙間が、例えば10μmと狭い。このような、狭い隙間に封止用樹脂組成物を充填する場合、封止用樹脂組成物が高粘度だと充填が不完全になってしまうという不都合があった。
以上より、電子装置における基材の反りの低減と、封止用樹脂組成物の密着性及び充填性とは、トレードオフの関係にあった。
Therefore, the present inventors have examined components added to the sealing resin composition in order to suppress warpage of a substrate such as a wafer in an electronic device formed of the sealing resin composition. As a result, it has been found that the addition of a low stress agent such as a silicone compound has a good effect in reducing the warpage of the substrate.
However, when the low stress agent is added to the sealing resin composition, the low stress agent is dispersed on the surface of the sealing resin composition. Thereby, there existed a problem that the adhesiveness of the resin composition for sealing and a base material will fall.
Furthermore, the low-stress agent is more viscous than components other than the low-stress agent such as an epoxy resin contained in the sealing resin composition. Thereby, when the resin composition for sealing contains a low stress agent, the resin composition for sealing will become high viscosity compared with the case where it does not contain a low stress agent. Here, in an electronic device in which chips such as a multichip / stacked CPS are stacked in multiple stages, a gap between the chips is as narrow as 10 μm, for example. When the sealing resin composition is filled in such a narrow gap, there is a disadvantage that the filling becomes incomplete if the sealing resin composition has a high viscosity.
As described above, the reduction in the warpage of the base material in the electronic device and the adhesion and filling properties of the sealing resin composition were in a trade-off relationship.

まず、本発明者らは、基材の反りを低減するために、シランカップリング剤の構造及び添加量を検討した。その結果、上述した一般式(1)で表される特定の構造のシランカップリング剤を特定量添加することが、基材の反りの低減に有効であることを見出した。さらに、該特定の構造のシランカップリング剤を特定量添加することで、密着性、充填性をバランスよく発現できることが判明した。詳細なメカニズムは定かではないが、この理由は以下のように推測される。
上記特定の構造のシランカップリング剤の分子鎖は、封止用樹脂組成物が硬化時に形成する架橋構造に組み込まれると推測される。シランカップリング剤の分子鎖は、架橋構造中で柔軟なセグメントとして振る舞うと考えられる。これにより、封止用樹脂組成物が硬化する際に生じる内部応力を、上記柔軟なセグメントが緩和し、基材の反りを低減できると考えられる。
また、上記特定のシランカップリング剤のうち、上記架橋構造に組み込まれず遊離している上記特定のシランカップリング剤のアルコキシシリル基は、基材表面に存在するヒドロキシル基と縮合すると考えられる。これにより、封止用樹脂組成物の基材に対する密着性を向上できると考えられる。
さらに、上記特定のシランカップリング剤の分子鎖が、封止用樹脂組成物の架橋構造に組み込まれることで、封止用樹脂組成物の成形時の粘度の上昇を抑制できると推測される。これにより、封止用樹脂組成物の充填性を向上できると考えられる。
First, the present inventors examined the structure and addition amount of a silane coupling agent in order to reduce the warpage of the substrate. As a result, it was found that adding a specific amount of the silane coupling agent having a specific structure represented by the general formula (1) described above is effective in reducing the warpage of the substrate. Furthermore, it has been found that adhesion and filling properties can be expressed in a balanced manner by adding a specific amount of the silane coupling agent having a specific structure. The detailed mechanism is not clear, but the reason is presumed as follows.
It is presumed that the molecular chain of the silane coupling agent having the above specific structure is incorporated into a crosslinked structure formed by the sealing resin composition upon curing. The molecular chain of the silane coupling agent is considered to behave as a flexible segment in the crosslinked structure. Thereby, it is thought that the said flexible segment can relieve | moderate the internal stress which arises when the resin composition for sealing hardens | cures, and can reduce the curvature of a base material.
Moreover, it is thought that the alkoxy silyl group of the said specific silane coupling agent which is not incorporated in the said crosslinked structure among the said specific silane coupling agents and is free is condensed with the hydroxyl group which exists in the base-material surface. Thereby, it is thought that the adhesiveness with respect to the base material of the resin composition for sealing can be improved.
Furthermore, it is estimated that the increase in the viscosity at the time of shaping | molding of the resin composition for sealing can be suppressed because the molecular chain of the said specific silane coupling agent is integrated in the crosslinked structure of the resin composition for sealing. Thereby, it is thought that the filling property of the resin composition for sealing can be improved.

そして、本発明者らは、さらに基材の反りを低減するために、上記特定のシランカップリング剤と、低応力剤とを併用することを検討した。その結果、上記特定のシランカップリング剤と低応力剤を併用し、上記特定のシランカップリング剤及び低応力剤の含有量を後述する特定の数値範囲内とすることによって、基材の反りをさらに低減しつつ、密着性及び充填性をバランスよく発現できることを見出した。
以上より、本実施形態に係る封止用樹脂組成物は、電子装置における基材の反りを低減し、かつ、密着性及び充填性をバランスよく発現できると推測される。
And the present inventors examined using the said specific silane coupling agent and a low stress agent together in order to reduce the curvature of a base material further. As a result, by combining the specific silane coupling agent and the low stress agent, and making the content of the specific silane coupling agent and the low stress agent within a specific numerical range described later, the warpage of the base material is reduced. It was found that adhesion and filling properties can be expressed in a well-balanced manner while further reducing.
From the above, it is presumed that the sealing resin composition according to the present embodiment can reduce the warpage of the substrate in the electronic device and can exhibit the adhesiveness and the filling property in a balanced manner.

以下、本実施形態に係る封止用樹脂組成物を構成する各成分について詳述する。   Hereinafter, each component which comprises the resin composition for sealing which concerns on this embodiment is explained in full detail.

(エポキシ樹脂)
本実施形態に係る封止用樹脂組成物はエポキシ樹脂を含む。エポキシ樹脂としては限定されず、その分子量、分子構造に関係なく、1分子内にエポキシ基を2個以上有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般を使用することが可能である。
エポキシ樹脂の具体例としては、例えば、ビフェニル型エポキシ樹脂;ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、テトラメチルビスフェノールF型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂;スチルベン型エポキシ樹脂;フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂;トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂等に例示されるトリフェニルメタン型エポキシ樹脂等の多官能エポキシ樹脂;フェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂、フェニレン骨格を有するナフトールアラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニレン骨格を有するナフトールアラルキル型エポキシ樹脂等のフェノールアラルキル型エポキシ樹脂;ジヒドロキシナフタレン型エポキシ樹脂、ジヒドロキシナフタレンの2量体をグリシジルエーテル化して得られるエポキシ樹脂等のナフトール型エポキシ樹脂;トリグリシジルイソシアヌレート、モノアリルジグリシジルイソシアヌレート等のトリアジン核含有エポキシ樹脂;ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂等の有橋環状炭化水素化合物変性フェノール型エポキシ樹脂が挙げられる。エポキシ樹脂としては、これらの中から1種を単独で用いてよいし、異なる2種類以上を併用してもよい。
エポキシ樹脂としては、上記具体例のうち、ビフェニル型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂及び多官能エポキシ樹脂からなる群より選択される1種または2種以上を用いることが好ましく、ビフェニル型エポキシ樹脂または多官能エポキシ樹脂を用いることがより好ましい。これにより、詳細なメカニズムは定かではないが、シランカップリング剤の分子鎖が、封止用樹脂組成物の架橋構造内に、より適切に組み込まれると推測される。したがって、基材の反りを低減することができ、充填性を向上できる。
(Epoxy resin)
The sealing resin composition according to this embodiment includes an epoxy resin. It is not limited as an epoxy resin, It is possible to use the monomer, oligomer, and polymer in general which have two or more epoxy groups in 1 molecule irrespective of the molecular weight and molecular structure.
Specific examples of the epoxy resin include, for example, biphenyl type epoxy resin; bisphenol type epoxy resin such as bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin and tetramethylbisphenol F type epoxy resin; stilbene type epoxy resin; phenol novolac type epoxy Resin, novolac epoxy resin such as cresol novolac epoxy resin; polyfunctional epoxy resin such as triphenylmethane epoxy resin exemplified by triphenolmethane epoxy resin, alkyl-modified triphenolmethane epoxy resin, etc .; Phenol aralkyl epoxy resin having phenylene skeleton, naphthol aralkyl epoxy resin having phenylene skeleton, phenol aralkyl epoxy resin having biphenylene skeleton, biphenyl A phenol aralkyl epoxy resin such as a naphthol aralkyl epoxy resin having a skeleton, a dihydroxy naphthalene epoxy resin, a naphthol epoxy resin such as an epoxy resin obtained by glycidyl etherification of a dihydroxy naphthalene dimer, triglycidyl isocyanurate, Examples include triazine nucleus-containing epoxy resins such as monoallyl diglycidyl isocyanurate; and bridged cyclic hydrocarbon compound-modified phenol type epoxy resins such as dicyclopentadiene-modified phenol type epoxy resins. As the epoxy resin, one of these may be used alone, or two or more different types may be used in combination.
As the epoxy resin, it is preferable to use one or more selected from the group consisting of biphenyl type epoxy resin, novolak type epoxy resin and polyfunctional epoxy resin among the above specific examples. It is more preferable to use a functional epoxy resin. Thereby, although a detailed mechanism is not certain, it is estimated that the molecular chain of the silane coupling agent is more appropriately incorporated into the crosslinked structure of the sealing resin composition. Therefore, the warp of the substrate can be reduced and the filling property can be improved.

本実施形態において、封止用樹脂組成物中のエポキシ樹脂の含有量の下限値は、封止用樹脂組成物の全固形分100質量%に対して、例えば、1質量%以上であることが好ましく、2質量%以上であることがより好ましい。これにより、成形時における封止用樹脂組成物の流動性を適切に設定できる。したがって、充填性を向上できる。
また、封止用樹脂組成物中のエポキシ樹脂の含有量の上限値は、封止用樹脂組成物の全固形分100質量%に対して、例えば、15質量%以下であることが好ましく、10質量%以下であることがより好ましく、5質量%以下であることがさらに好ましい。詳細なメカニズムは定かではないが、これにより、線膨張係数が小さくできると推測される。したがって、封止用樹脂組成物が硬化する際の内部応力を低減し、基材の反りを低減できる。
なお、本実施形態において、封止用樹脂組成物の全固形分とは、溶媒を除く全含有成分の合計を示す。
In the present embodiment, the lower limit of the content of the epoxy resin in the sealing resin composition is, for example, 1% by mass or more with respect to 100% by mass of the total solid content of the sealing resin composition. Preferably, it is 2 mass% or more. Thereby, the fluidity | liquidity of the resin composition for sealing at the time of shaping | molding can be set appropriately. Therefore, the filling property can be improved.
The upper limit value of the content of the epoxy resin in the sealing resin composition is preferably 15% by mass or less, for example, with respect to 100% by mass of the total solid content of the sealing resin composition. The content is more preferably at most 5 mass%, further preferably at most 5 mass%. Although the detailed mechanism is not clear, it is presumed that the linear expansion coefficient can be reduced by this. Therefore, the internal stress when the sealing resin composition is cured can be reduced, and the warpage of the substrate can be reduced.
In the present embodiment, the total solid content of the encapsulating resin composition indicates the total of all the components contained excluding the solvent.

(硬化剤)
本実施形態に係る封止用樹脂組成物は、硬化剤を含む。封止用樹脂組成物に含まれる硬化剤としては、具体的には、重付加型の硬化剤、触媒型の硬化剤、および縮合型の硬化剤の3タイプがある。
(Curing agent)
The sealing resin composition according to this embodiment includes a curing agent. Specific examples of the curing agent contained in the encapsulating resin composition include a polyaddition type curing agent, a catalyst type curing agent, and a condensation type curing agent.

上記硬化剤として用いられる重付加型の硬化剤は、具体的には、ジエチレントリアミン(DETA)、トリエチレンテトラミン(TETA)、メタキシレリレンジアミン(MXDA)などの脂肪族ポリアミン、ジアミノジフェニルメタン(DDM)、m−フェニレンジアミン(MPDA)、ジアミノジフェニルスルホン(DDS)などの芳香族ポリアミンのほか、ジシアンジアミド(DICY)、有機酸ジヒドララジドなどを含むポリアミン化合物;ヘキサヒドロ無水フタル酸(HHPA)、メチルテトラヒドロ無水フタル酸(MTHPA)などの脂環族酸無水物、無水トリメリット酸(TMA)、無水ピロメリット酸(PMDA)、ベンゾフェノンテトラカルボン酸(BTDA)などの芳香族酸無水物などを含む酸無水物;ノボラック型フェノール樹脂、ポリビニルフェノール、アラルキル型フェノール樹脂などのフェノール樹脂系硬化剤;ポリサルファイド、チオエステル、チオエーテルなどのポリメルカプタン化合物;イソシアネートプレポリマー、ブロック化イソシアネートなどのイソシアネート化合物;カルボン酸含有ポリエステル樹脂などが挙げられる。重付加型の硬化剤としては、上記具体例の中から選択される1種類または2種類以上を含むことができる。   Specific examples of the polyaddition type curing agent used as the curing agent include aliphatic polyamines such as diethylenetriamine (DETA), triethylenetetramine (TETA), and metaxylylenediamine (MXDA), and diaminodiphenylmethane (DDM). , M-phenylenediamine (MPDA), aromatic polyamines such as diaminodiphenyl sulfone (DDS), polyamine compounds including dicyandiamide (DICY), organic acid dihydrazide, etc .; hexahydrophthalic anhydride (HHPA), methyltetrahydrophthalic anhydride Acid anhydrides including alicyclic acid anhydrides such as (MTHPA), trimellitic anhydride (TMA), pyromellitic anhydride (PMDA), and benzophenone tetracarboxylic acid (BTDA); Type Examples include phenolic resin-based curing agents such as diol resins, polyvinylphenols, and aralkyl-type phenolic resins; polymercaptan compounds such as polysulfides, thioesters, and thioethers; isocyanate compounds such as isocyanate prepolymers and blocked isocyanates; and carboxylic acid-containing polyester resins. . As a polyaddition type hardening | curing agent, the 1 type (s) or 2 or more types selected from the said specific example can be included.

上記硬化剤として用いられる触媒型の硬化剤は、具体的には、ベンジルジメチルアミン(BDMA)、2,4,6−トリスジメチルアミノメチルフェノール(DMP−30)などの3級アミン化合物;2−メチルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール(EMI24)などのイミダゾール化合物;BF3錯体などのルイス酸などが挙げられる。触媒型の硬化剤としては、上記具体例の中から選択される1種類または2種類以上を含むことができる。   Specific examples of the catalyst-type curing agent used as the curing agent include tertiary amine compounds such as benzyldimethylamine (BDMA) and 2,4,6-trisdimethylaminomethylphenol (DMP-30); Examples include imidazole compounds such as methylimidazole and 2-ethyl-4-methylimidazole (EMI24); Lewis acids such as BF3 complex. As a catalyst type hardening | curing agent, the 1 type (s) or 2 or more types selected from the said specific example can be included.

上記硬化剤として用いられる縮合型の硬化剤は、具体的には、レゾール型フェノール樹脂;メチロール基含有尿素樹脂などの尿素樹脂;メチロール基含有メラミン樹脂などのメラミン樹脂などが挙げられる。縮合型の硬化剤としては、上記具体例の中から選択される1種類または2種類以上を含むことができる。   Specific examples of the condensation type curing agent used as the curing agent include a resol type phenol resin; a urea resin such as a methylol group-containing urea resin; and a melamine resin such as a methylol group-containing melamine resin. As the condensation type curing agent, one type or two or more types selected from the above specific examples can be included.

上記硬化剤の中でも、本実施形態に係る封止用樹脂組成物は、フェノール樹脂系硬化剤を含むことが好ましい。
フェノール樹脂系硬化剤としては、一分子内にフェノール性水酸基を2個以上有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般を用いることができ、その分子量、分子構造は限定されない。
硬化剤として用いられるフェノール樹脂系硬化剤は、具体的には、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールノボラック、フェノール−ビフェニルノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂;ポリビニルフェノール;トリフェニルメタン型フェノール樹脂等の多官能型フェノール樹脂;テルペン変性フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂等の変性フェノール樹脂;フェニレン骨格及び/又はビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂、フェニレン及び/又はビフェニレン骨格を有するナフトールアラルキル樹脂等のフェノールアラルキル型フェノール樹脂;ビスフェノールA、ビスフェノールF、等のビスフェノール化合物などが挙げられる。フェノール樹脂系硬化剤としては、上記具体例の中から選択される1種類または2種類以上を含むことができる。
フェノール樹脂系硬化剤としては、上記具体例のうち、ノボラック型フェノール樹脂及び多官能型フェノール樹脂からなる群より選択される1種または2種以上を含むことが好ましい。
また、ノボラック型フェノール樹脂としては、上記具体例のうち、フェノールノボラック樹脂を用いることが好ましい。多官能型フェノール樹脂としては、上記具体例のうち、トリフェニルメタン型フェノール樹脂を含むことが好ましい。これにより、成形時における流動性を向上させることができる。したがって、充填性を向上させることができる。
Among the curing agents, the sealing resin composition according to the present embodiment preferably includes a phenol resin curing agent.
As the phenol resin-based curing agent, monomers, oligomers and polymers in general having two or more phenolic hydroxyl groups in one molecule can be used, and the molecular weight and molecular structure are not limited.
Specific examples of the phenol resin-based curing agent used as the curing agent include novolak type phenol resins such as phenol novolak resin, cresol novolak resin, bisphenol novolak, and phenol-biphenyl novolak resin; polyvinyl phenol; triphenylmethane type phenol resin, and the like. Polyfunctional phenolic resin; modified phenolic resin such as terpene modified phenolic resin, dicyclopentadiene modified phenolic resin; phenol aralkyl resin having phenylene skeleton and / or biphenylene skeleton, naphthol aralkyl resin having phenylene and / or biphenylene skeleton, etc. Phenol aralkyl type phenol resin; Bisphenol compounds such as bisphenol A, bisphenol F, and the like. As a phenol resin hardening | curing agent, the 1 type (s) or 2 or more types selected from the said specific example can be included.
As a phenol resin type hardening | curing agent, it is preferable to include the 1 type (s) or 2 or more types selected from the group which consists of a novolak type phenol resin and a polyfunctional type phenol resin among the said specific examples.
Moreover, as a novolak-type phenol resin, it is preferable to use a phenol novolak resin among the said specific examples. Among the specific examples, the polyfunctional phenol resin preferably includes a triphenylmethane phenol resin. Thereby, the fluidity | liquidity at the time of shaping | molding can be improved. Therefore, the filling property can be improved.

本実施形態において、封止用樹脂組成物中の硬化剤の含有量の上限値は、例えば、封止用樹脂組成物の全固形分に対して10.0質量%以下であることが好ましく、7.0質量%以下であることがより好ましく、5.0質量%以下であることがさらに好ましく、3.0質量%以下であることが一層好ましい。これにより、成形時における流動性を向上させることができる。したがって、充填性を向上させることができる。
また、封止用樹脂組成物中の硬化剤の含有量の下限値は、例えば、封止用樹脂組成物の全固形分に対して0.3質量%以上であることが好ましく、0.5質量%以上であることがより好ましく、1.0質量%以上であることがさらに好ましい。これにより、封止樹脂組成物の硬化速度を適切に調整することができる。したがって、局所的な硬化反応の進行により、内部応力が上昇するのを抑制できる。
In the present embodiment, the upper limit value of the content of the curing agent in the sealing resin composition is preferably 10.0% by mass or less with respect to the total solid content of the sealing resin composition, for example. More preferably, it is 7.0 mass% or less, More preferably, it is 5.0 mass% or less, More preferably, it is 3.0 mass% or less. Thereby, the fluidity | liquidity at the time of shaping | molding can be improved. Therefore, the filling property can be improved.
Moreover, it is preferable that the lower limit of content of the hardening | curing agent in the resin composition for sealing is 0.3 mass% or more with respect to the total solid of the resin composition for sealing, for example, 0.5 The content is more preferably at least mass%, and further preferably at least 1.0 mass%. Thereby, the cure rate of the sealing resin composition can be adjusted appropriately. Therefore, it is possible to suppress an increase in internal stress due to the progress of the local curing reaction.

(充填材)
充填材としては、電子装置に求められる機械的特性に応じて適切な充填材を選択できる。
充填材としては、具体的には、無機充填材または有機充填材などが挙げられる。充填材としては、上記具体例のうち、無機充填材を含むことが好ましい。これにより、封止用樹脂組成物の熱膨張係数を低減することができる。
(Filler)
As the filler, an appropriate filler can be selected according to the mechanical characteristics required for the electronic device.
Specific examples of the filler include an inorganic filler and an organic filler. Among the above specific examples, the filler preferably includes an inorganic filler. Thereby, the thermal expansion coefficient of the resin composition for sealing can be reduced.

上記無機充填材としては、具体的には、溶融破砕シリカ、溶融球状シリカ、結晶性シリカ、2次凝集シリカ、微粉シリカなどのシリカ;アルミナ、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、酸化チタン、炭化ケイ素、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、チタンホワイトなどの金属化合物;タルク;クレー;マイカ;ガラス繊維などが挙げられる。無機充填材としては、上記具体例のうち、1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。
無機充填材としては、上記具体例のうち、溶融球状シリカ、溶融破砕シリカ、結晶シリカ、タルク、チタンホワイト、窒化珪素及びアルミナからなる群より選択される1種または2種以上を含むことが好ましく、溶融球状シリカ、溶融破砕シリカ及び結晶性シリカからなる群より選択される1種または2種以上を用いることがより好ましい。これにより、詳細なメカニズムは定かではないが、シランカップリング剤が無機充填材と好適に相互作用し、シランカップリング剤の封止用樹脂組成物中での分散性を向上できると推測される。したがって、シランカップリング剤の分子鎖が、より適切に架橋構造中に組み込まれ、内部応力を低減できる。以上より、基材の反りを低減できる。
Specific examples of the inorganic filler include silica such as fused crushed silica, fused spherical silica, crystalline silica, secondary agglomerated silica, and finely divided silica; alumina, silicon nitride, aluminum nitride, boron nitride, titanium oxide, carbonized Metal compounds such as silicon, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide and titanium white; talc; clay; mica; glass fiber and the like. As an inorganic filler, it can use 1 type or in combination of 2 or more types among the said specific examples.
Among the above specific examples, the inorganic filler preferably contains one or more selected from the group consisting of fused spherical silica, fused crushed silica, crystalline silica, talc, titanium white, silicon nitride, and alumina. It is more preferable to use one or more selected from the group consisting of fused spherical silica, fused crushed silica, and crystalline silica. As a result, the detailed mechanism is not clear, but it is presumed that the silane coupling agent interacts suitably with the inorganic filler, and the dispersibility of the silane coupling agent in the sealing resin composition can be improved. . Therefore, the molecular chain of the silane coupling agent is more appropriately incorporated into the crosslinked structure, and the internal stress can be reduced. As described above, the warpage of the substrate can be reduced.

上記有機充填材としては、具体的には、オルガノシリコーンパウダー、ポリエチレンパウダーなどが挙げられる。有機充填材としては、上記具体例のうち、1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。   Specific examples of the organic filler include organosilicone powder and polyethylene powder. As an organic filler, it can use 1 type or in combination of 2 or more types among the said specific examples.

封止用樹脂組成物中の充填材の含有量の下限値は、封止用樹脂組成物の全固形分100質量%に対して、例えば、60質量%以上であることが好ましく、70質量%以上であることがより好ましく、80質量%以上であることが好ましい。これにより、封止用樹脂組成物の熱膨張係数、曲げ弾性率といった物性に対する、封止用樹脂組成物中の各成分の寄与のうち、充填材の寄与を大きくすることができる。すなわち、封止用樹脂組成物が充填材の物性を反映できる。したがって、熱膨張係数を低減しながら、曲げ弾性率の上昇を抑制できる。したがって、内部応力の上昇を抑制し、基材の反りを低減することができる。
また、封止用樹脂組成物中の充填材の含有量の上限値は、封止用樹脂組成物の全固形分100質量%に対して、例えば、95質量%以下であることが好ましく、94質量%以下であることがより好ましく、93質量%以下であることが好ましい。これにより、封止用樹脂組成物の粘度が上昇しすぎることを抑制し、充填性を向上できる。
The lower limit of the content of the filler in the encapsulating resin composition is preferably 60% by mass or more, for example, 70% by mass with respect to 100% by mass of the total solid content of the encapsulating resin composition. More preferably, it is preferably 80% by mass or more. Thereby, contribution of a filler can be enlarged among contribution of each component in the resin composition for sealing with respect to physical properties, such as a thermal expansion coefficient of a resin composition for sealing, and a bending elastic modulus. That is, the sealing resin composition can reflect the physical properties of the filler. Therefore, an increase in the flexural modulus can be suppressed while reducing the thermal expansion coefficient. Therefore, an increase in internal stress can be suppressed and warpage of the substrate can be reduced.
The upper limit of the content of the filler in the encapsulating resin composition is preferably 95% by mass or less, for example, with respect to 100% by mass of the total solid content of the encapsulating resin composition. The content is more preferably at most mass%, and preferably at most 93 mass%. Thereby, it can suppress that the viscosity of the resin composition for sealing raises too much, and can improve filling property.

充填材の体積基準の累積50%粒径D50の上限値は、例えば、10.0μm以下であることが好ましく、7.0μm以下であることがより好ましく、5.0μm以下であることが更に好ましい。これにより、粗大な充填材が、例えば、多段にスタックされたチップに詰まり、充填性が低下するのを抑制できる。
また、充填材の体積基準の累積50%粒径D50の下限値は、0.1μm以上であることが好ましく、0.5μm以上であることがより好ましく、1.0μm以上であることが更に好ましい。これにより、粒子が凝集し、粗大な充填材を形成することを抑制できる。
これは、同体積かつ同形状の充填材の場合、充填材の粒径が小さくなるほど比表面積は増大し、粒子は増大しやすくなるためである。
なお、充填材の体積基準の累積50%粒径D50は、例えば、市販のレーザー回折式粒度分布測定装置(例えば、島津製作所社製、SALD−7000)を用いて粒子の粒度分布を体積基準で測定し、その累積50%粒径によって求めることができる。
The upper limit value of the volume-based cumulative 50% particle size D 50 of the filler is, for example, preferably 10.0 μm or less, more preferably 7.0 μm or less, and further preferably 5.0 μm or less. preferable. Thereby, it can suppress that a coarse filler fills the chip | tip stacked in multiple stages, for example, and a filling property falls.
Further, the lower limit of the volume-based cumulative 50% particle size D 50 of the filler is preferably 0.1 μm or more, more preferably 0.5 μm or more, and further preferably 1.0 μm or more. preferable. Thereby, it can suppress that particle | grains aggregate and form a coarse filler.
This is because, in the case of a filler having the same volume and the same shape, the specific surface area increases as the particle size of the filler decreases, and the particles easily increase.
The volume-based cumulative 50% particle size D 50 of the filler is, for example, based on the particle size distribution of the particles using a commercially available laser diffraction particle size distribution measuring device (for example, SALD-7000, manufactured by Shimadzu Corporation). And can be determined by the cumulative 50% particle size.

(シランカップリング剤)
シランカップリング剤は、アルコキシ基などの加水分解基を備え、ケイ素原子を含む化合物である。
本実施形態に係るシランカップリング剤の構造式は、下記一般式(1)で表される。
(Silane coupling agent)
A silane coupling agent is a compound having a hydrolytic group such as an alkoxy group and containing a silicon atom.
The structural formula of the silane coupling agent according to this embodiment is represented by the following general formula (1).

Figure 2018188494
(上記一般式(1)において、R及びRは、それぞれ独立して炭素数1以上30以下の有機基を表す。
複数のAは、それぞれ独立して炭素数1以上30以下の有機基を表す。複数のAは互いに同一でもよく、互いに異なっていてもよい。複数のAのうち少なくとも一つは炭素数1以上30以下のアルコキシ基である。)
Figure 2018188494
(In the general formula (1), R 1 and R 2 each independently represents an organic group having 1 to 30 carbon atoms.
A plurality of A each independently represents an organic group having 1 to 30 carbon atoms. A plurality of A may be the same or different from each other. At least one of the plurality of A is an alkoxy group having 1 to 30 carbon atoms. )

及びRを構成する有機基は、例えば、有機基の構造に水素及び炭素以外の原子を含んでもよい。
水素及び炭素以外の原子としては、具体的には、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、リン原子、ケイ素原子、フッ素原子、塩素原子などが挙げられる。水素及び炭素以外の原子としては、上記具体例のうち、1種または2種以上を含むことができる。
The organic group constituting R 1 and R 2 may include, for example, atoms other than hydrogen and carbon in the structure of the organic group.
Specific examples of atoms other than hydrogen and carbon include an oxygen atom, a nitrogen atom, a sulfur atom, a phosphorus atom, a silicon atom, a fluorine atom, and a chlorine atom. As atoms other than hydrogen and carbon, one or more of the above specific examples can be included.

上記一般式(1)における、Rは、水素又は炭素数1以上30の有機基であり、水素または炭素数1以上15以下の有機基であることが好ましく、水素または炭素数1以上10以下の有機基であることが更に好ましく、水素または炭素数1以上6以下の有機基であることが一層好ましい。これにより、詳細なメカニズムは定かではないが、アルコキシシリル基周辺の分子の配位によるエネルギー的な制約が減少すると推測される。これにより、シランカップリング剤のアルコキシシリル基と、基材表面のヒドロキシル基とがより好適に縮合できると考えられる。したがって、密着性を向上できる。
なお、Rは、1価の有機基である。ここで、1価の有機基とは、原子価のことを示す。すなわち、Rが他の原子と結合する結合手が1個であることを示す。
In the general formula (1), R 1 is hydrogen or an organic group having 1 to 30 carbon atoms, preferably hydrogen or an organic group having 1 to 15 carbon atoms, and hydrogen or 1 to 10 carbon atoms. More preferably, the organic group is hydrogen or an organic group having 1 to 6 carbon atoms. As a result, although the detailed mechanism is not clear, it is presumed that the energy constraint due to the coordination of molecules around the alkoxysilyl group is reduced. Thereby, it is thought that the alkoxy silyl group of a silane coupling agent and the hydroxyl group of the base-material surface can condense more suitably. Therefore, adhesion can be improved.
R 1 is a monovalent organic group. Here, the monovalent organic group means a valence. That is, R 1 has one bond that bonds to another atom.

上記一般式(1)における、Rとしては、具体的には、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基などのアルキル基;アリル基、ペンテニル基、ビニル基などのアルケニル基;エチニル基などのアルキニル基;メチリデン基、エチリデン基などのアルキリデン基;トリル基、キシリル基、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基などのアリール基;ベンジル基、フェネチル基などのアラルキル基;アダマンチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基などのシクロアルキル基;トリル基、キシリル基などのアルカリル基などが挙げられる。
としては、上記具体例のうち、アリール基であることが好ましい。また、Rとしては、アリール基のうち、フェニル基であることが好ましい。これにより、詳細なメカニズムは定かではないが、エポキシ樹脂がベンゼン環などの芳香環を備える場合、Rのフェニル基と、エポキシ樹脂の芳香環が適切に配位することで、エポキシ樹脂と、シランカップリング剤とが引き合う相互作用をすると推測される。これにより、シランカップリング剤を介して、エポキシ樹脂と、基材のヒドロキシル基との間に密着する相互作用が発現し、密着性を向上できる。
Specific examples of R 1 in the general formula (1) include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, Alkyl groups such as pentyl, neopentyl, hexyl, heptyl, octyl, nonyl and decyl; alkenyl such as allyl, pentenyl and vinyl; alkynyl such as ethynyl; methylidene and ethylidene Alkylidene groups such as; aryl groups such as tolyl, xylyl, phenyl, naphthyl and anthracenyl; aralkyl groups such as benzyl and phenethyl; cycloalkyl such as adamantyl, cyclopentyl, cyclohexyl and cyclooctyl Groups; alkaryl groups such as tolyl and xylyl groups It is.
R 1 is preferably an aryl group among the above specific examples. R 1 is preferably a phenyl group among the aryl groups. Thereby, although the detailed mechanism is not clear, when the epoxy resin has an aromatic ring such as a benzene ring, the phenyl group of R 1 and the aromatic ring of the epoxy resin are appropriately coordinated, It is assumed that the silane coupling agent has an attractive interaction. Thereby, the interaction which adhere | attaches between an epoxy resin and the hydroxyl group of a base material expresses via a silane coupling agent, and can improve adhesiveness.

上記一般式(1)における、Rは、水素又は炭素数1以上30の有機基であり、水素または炭素数1以上10以下の有機基であることが好ましく、水素または炭素数1以上6以下の有機基であることが更に好ましく、水素または炭素数1以上3以下の有機基であることが一層好ましい。これにより、詳細なメカニズムは定かではないが、シランカップリング剤の分子鎖の自由体積が低減できると推測される。したがって、ガラス転移温度以下の線膨張係数を低減し、封止用樹脂組成物が硬化する際の内部応力を低減することで、基材の反りを低減できる。
なお、Rは、2価の有機基である。ここで、2価の有機基とは、原子価のことを示す。すなわち、Rが他の原子と結合する結合手が2個であることを示す。
R 2 in the general formula (1) is hydrogen or an organic group having 1 to 30 carbon atoms, preferably hydrogen or an organic group having 1 to 10 carbon atoms, and hydrogen or 1 to 6 carbon atoms. More preferably, the organic group is hydrogen or an organic group having 1 to 3 carbon atoms. Thereby, although a detailed mechanism is not certain, it is estimated that the free volume of the molecular chain of a silane coupling agent can be reduced. Therefore, the curvature of a base material can be reduced by reducing the linear expansion coefficient below the glass transition temperature and reducing the internal stress when the encapsulating resin composition is cured.
R 2 is a divalent organic group. Here, the divalent organic group indicates a valence. That is, R 2 has two bonds for bonding with other atoms.

上記式(2)における、Rとしては、具体的には、アルキレン基、アリーレン基などが挙げられる。
アルキレン基としては、例えば、直鎖形状のアルキレン基でもよく、分岐鎖形状のアルキレン基でもよい。直鎖形状のアルキレン基としては、具体的には、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、ヘプチレン基、オクチレン基、ノニレン基、デカニレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基などが挙げられる。分岐鎖形状のアルキレン基としては、具体的には、−C(CH−、−CH(CH)−、−CH(CHCH)−、−C(CH)(CHCH)−、−C(CH)(CHCHCH)−、−C(CHCH−などのアルキルメチレン基;−CH(CH)CH−、−CH(CH)CH(CH)−、−C(CHCH−、−CH(CHCH)CH−、−C(CHCHCH−などのアルキルエチレン基などが挙げられる。
アリーレン基としては、具体的には、フェニレン基、ビフェニレン基、ナフチレン基、アントリレン基、及び、2個またはそれ以上のアリーレン基同士が結合したものなどが挙げられる。
上記具体例のうち、Rとしては、例えば、アルキレン基であることが好ましい。また、Rとしては、アルキレン基のうち、直鎖形状のアルキレン基であることがより好ましい。これにより、架橋構造に適切な柔軟性を付与できる。したがって、封止用樹脂組成物の硬化時の曲げ弾性率の増加を抑制しつつ、ガラス転移温度以下の熱膨張係数を低減できる。したがって、内部応力を低減し、基材の反りを低減できる。
Specific examples of R 2 in the above formula (2) include an alkylene group and an arylene group.
The alkylene group may be, for example, a linear alkylene group or a branched alkylene group. Specific examples of the linear alkylene group include a methylene group, an ethylene group, a propylene group, a butylene group, a pentylene group, a hexylene group, a heptylene group, an octylene group, a nonylene group, a decanylene group, a trimethylene group, and a tetramethylene group. , Pentamethylene group, hexamethylene group and the like. Specific examples of the branched chain alkylene group include —C (CH 3 ) 2 —, —CH (CH 3 ) —, —CH (CH 2 CH 3 ) —, —C (CH 3 ) (CH 2 ). CH 3) -, - C ( CH 3) (CH 2 CH 2 CH 3) -, - C (CH 2 CH 3) 2 - alkyl methylene group, such as; -CH (CH 3) CH 2 -, - CH ( CH 3) CH (CH 3) -, - C (CH 3) 2 CH 2 -, - CH (CH 2 CH 3) CH 2 -, - C (CH 2 CH 3) 2 CH 2 - alkyl ethylene group, such as Etc.
Specific examples of the arylene group include a phenylene group, a biphenylene group, a naphthylene group, an anthrylene group, and a group in which two or more arylene groups are bonded to each other.
Among the above specific examples, R 2 is preferably, for example, an alkylene group. R 2 is more preferably a linear alkylene group among the alkylene groups. Thereby, a suitable softness | flexibility can be provided to a crosslinked structure. Therefore, the thermal expansion coefficient below the glass transition temperature can be reduced while suppressing an increase in the flexural modulus during curing of the sealing resin composition. Therefore, internal stress can be reduced and the warpage of the substrate can be reduced.

上記一般式(1)において、複数のAは、それぞれ独立して炭素数1以上30以下の有機基であり、炭素数1以上10以下の有機基であることが好ましく、炭素数1以上3以下の有機基であることが更に好ましく、炭素数1以上2以下の有機基であることが一層好ましい。これにより、シランカップリング剤の分子鎖が、架橋構造に組み込まれやすくなると考えられる。したがって、基材の反りを低減できる。
なお、Aは、1価の有機基である。ここで、1価の有機基とは、原子価のことを示す。すなわち、Aが他の原子と結合する結合手が1個であることを示す。
In the general formula (1), the plurality of A are each independently an organic group having 1 to 30 carbon atoms, preferably an organic group having 1 to 10 carbon atoms, and preferably 1 to 3 carbon atoms. The organic group is more preferably an organic group having 1 to 2 carbon atoms. Thereby, it is considered that the molecular chain of the silane coupling agent is easily incorporated into the crosslinked structure. Therefore, the curvature of the substrate can be reduced.
A is a monovalent organic group. Here, the monovalent organic group means a valence. That is, A indicates that there is one bond that bonds with another atom.

上記一般式(1)において、複数のAは互いに同一でもよく、互いに異なっていてもよい。複数のAとしては、例えば、互いに同一であることが好ましい。これにより、シランカップリング剤の分子鎖が均一に架橋構造に導入される。したがって、封止用樹脂組成物の硬化時の曲げ弾性率の増加を抑制しつつ、ガラス転移温度以下の熱膨張係数を低減できる。したがって、内部応力を低減し、基材の反りを低減できる。   In the general formula (1), a plurality of A may be the same as or different from each other. The plurality of A are preferably the same as each other, for example. Thereby, the molecular chain of the silane coupling agent is uniformly introduced into the crosslinked structure. Therefore, the thermal expansion coefficient below the glass transition temperature can be reduced while suppressing an increase in the flexural modulus during curing of the sealing resin composition. Therefore, internal stress can be reduced and the warpage of the substrate can be reduced.

上記一般式(1)において、Aとしては、少なくとも1つが炭素数1以上10以下のアルコキシ基であればよく、Aのうち2つ以上が炭素数1以上10以下のアルコキシ基であることが好ましく、Aのうち3つが炭素数1以上10以下のアルコキシ基であることがより好ましい。これにより、シランカップリング剤の分子鎖同士が結合してオリゴマー化しやすくなると推測される。したがって、より適切な形状の柔軟な分子鎖を形成できる。以上より、封止用樹脂組成物の硬化時の曲げ弾性率の上昇を抑制し、基材の反りを低減することができる。   In the general formula (1), A may be at least one alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, and preferably two or more of A are alkoxy groups having 1 to 10 carbon atoms. , A is more preferably an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms. Thereby, it is estimated that the molecular chains of a silane coupling agent couple | bond together and it becomes easy to oligomerize. Therefore, a flexible molecular chain having a more appropriate shape can be formed. As mentioned above, the raise of the bending elastic modulus at the time of hardening of the resin composition for sealing can be suppressed, and the curvature of a base material can be reduced.

上記一般式(1)において、炭素数1以上10以下のアルコキシ基以外のAとしては、具体的には、上述したRの具体例と同様のものとすることができる。 In the general formula (1), A other than the alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms can be specifically the same as the specific example of R 1 described above.

上記一般式(1)で表されるシランカップリング剤としては、具体的には、N−フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン、N−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、グリシドキシプロピルメチルジメトキシシランなどが挙げられる。
シランカップリング剤としては、上記具体例のうち、例えば、N−フェニルアミノプロピルトリメトキシシランを用いるのがより好ましい。
Specific examples of the silane coupling agent represented by the general formula (1) include N-phenylaminopropyltrimethoxysilane, N-mercaptopropyltrimethoxysilane, and glycidoxypropylmethyldimethoxysilane. .
As the silane coupling agent, among the above specific examples, for example, N-phenylaminopropyltrimethoxysilane is more preferably used.

封止用樹脂組成物中のシランカップリング剤の含有量の下限値は、封止用樹脂組成物の全固形分100質量%に対して、例えば、0.4質量%以上であることが好ましく、0.5質量%以上であることがより好ましく、0.6質量%以上であることが好ましい。これにより、封止用樹脂組成物の架橋構造に対して、シランカップリング剤の分子鎖を適切に導入できる。したがって、封止用樹脂組成物の硬化時の曲げ弾性率の増加を抑制しつつ、ガラス転移温度以下の熱膨張係数を低減できる。したがって、内部応力を低減し、基材の反りを低減できる。
また、封止用樹脂組成物中のシランカップリング剤の含有量の上限値は、封止用樹脂組成物の全固形分100質量%に対して、例えば、2.0質量%以下であることが好ましく、1.5質量%以下であることがより好ましく、1.2質量%以下であることが好ましい。これにより、架橋構造に寄与できなかったシランカップリング剤が封止用樹脂組成物中に過度に分散し、密着性及び充填性が低下することを抑制できる。
The lower limit of the content of the silane coupling agent in the sealing resin composition is preferably 0.4% by mass or more, for example, with respect to 100% by mass of the total solid content of the sealing resin composition. More preferably, it is 0.5% by mass or more, and preferably 0.6% by mass or more. Thereby, the molecular chain of a silane coupling agent can be appropriately introduced with respect to the crosslinked structure of the sealing resin composition. Therefore, the thermal expansion coefficient below the glass transition temperature can be reduced while suppressing an increase in the flexural modulus during curing of the sealing resin composition. Therefore, internal stress can be reduced and the warpage of the substrate can be reduced.
Moreover, the upper limit of content of the silane coupling agent in the resin composition for sealing shall be 2.0 mass% or less with respect to 100 mass% of total solid content of the resin composition for sealing, for example. Is preferable, it is more preferable that it is 1.5 mass% or less, and it is preferable that it is 1.2 mass% or less. Thereby, it can suppress that the silane coupling agent which could not contribute to a crosslinked structure disperse | distributes excessively in the resin composition for sealing, and adhesiveness and a filling property fall.

封止用樹脂組成物中のシランカップリング剤の含有量の下限値は、後述する低応力剤100質量%に対して、例えば、5.5質量%以上であることが好ましく、8.0質量%以上であることがより好ましく、10.0質量%以上であることがさらに好ましく、11.0質量%以上であることが一層好ましく、12.0質量%以上であることが殊更好ましい。これにより、シランカップリング剤と、低応力剤とが封止用樹脂組成物中で柔軟なセグメントとして好適に作用する。また、詳細なメカニズムは定かではないが、シランカップリング剤が、低応力剤と相互作用することにより、低応力剤がシランカップリング剤にあたかもトラップされるように振る舞うと推測される。これにより、低応力剤の添加による、密着性の低下を抑制できる。
封止用樹脂組成物中のシランカップリング剤の含有量の上限値は、後述する低応力剤100質量%に対して、35質量%以下であることが好ましく、30質量%以下であることがより好ましく、27質量%以下であることが更に好ましく、25質量%以下であることが一層好ましく、23質量%以下であることが殊更好ましい。これにより、詳細なメカニズムは定かではないが、適切な架橋構造を形成し、曲げ弾性率の上昇を抑制しつつ、熱膨張係数を低下することができると推測される。したがって、内部応力を低減し、基材の反りを低減できる。
The lower limit of the content of the silane coupling agent in the sealing resin composition is preferably, for example, 5.5% by mass or more, based on 100% by mass of the low stress agent described later, and 8.0% by mass. %, More preferably 10.0% by mass or more, still more preferably 11.0% by mass or more, and even more preferably 12.0% by mass or more. Thereby, a silane coupling agent and a low stress agent act suitably as a flexible segment in the resin composition for sealing. Further, although the detailed mechanism is not clear, it is assumed that the silane coupling agent behaves as if the low stress agent is trapped in the silane coupling agent by interacting with the low stress agent. Thereby, the fall of adhesiveness by addition of a low stress agent can be suppressed.
The upper limit of the content of the silane coupling agent in the encapsulating resin composition is preferably 35% by mass or less and preferably 30% by mass or less with respect to 100% by mass of the low stress agent described later. More preferably, it is more preferably 27% by mass or less, still more preferably 25% by mass or less, and particularly preferably 23% by mass or less. Thus, although the detailed mechanism is not clear, it is presumed that the thermal expansion coefficient can be lowered while forming an appropriate cross-linked structure and suppressing the increase in flexural modulus. Therefore, internal stress can be reduced and the warpage of the substrate can be reduced.

(低応力剤)
低応力剤としては、具体的には、シリコーンオイル、シリコーンゴム等の上述したシランカップリング剤とは異なるシリコーン化合物;ポリブタジエン化合物;アクリロニトリルブタジエン共重合化合物などを挙げることができる。低応力剤としては、上記具体例のうち、1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。
低応力剤としては、上記具体例のうち、例えば、シランカップリング剤とは異なるシリコーン化合物を用いることが好ましい。また、シランカップリング剤とは異なるシリコーン化合物としては、シリコーンオイルを用いることが好ましい。
上記シリコーンオイルとしては、具体的には、オルガノポリシロキサンなどを挙げることができる。ここで、オルガノポリシロキサンとしては、その構造中にエポキシ基、アミノ基、メトキシ基、フェニル基、カルボキシル基、ヒドロキシル基、アルキル基、ビニル基、メルカプト基などの官能基を導入したものを用いてもよい。オルガノポリシロキサンがその構造中に導入する官能基としては、例えば、カルボキシル基、エポキシ基、ポリエーテル基が好ましい。また、上記シリコーンオイルの市販品としては、例えば、東レ・ダウコーニング社製のFZ−3730、BY−750などが挙げられる。
(Low stress agent)
Specific examples of the low stress agent include silicone compounds different from the above-mentioned silane coupling agents such as silicone oil and silicone rubber; polybutadiene compounds; acrylonitrile butadiene copolymer compounds. As the low stress agent, one or more of the above specific examples can be used in combination.
As the low stress agent, among the above specific examples, for example, it is preferable to use a silicone compound different from the silane coupling agent. Moreover, it is preferable to use a silicone oil as a silicone compound different from a silane coupling agent.
Specific examples of the silicone oil include organopolysiloxane. Here, as the organopolysiloxane, an epoxy group, an amino group, a methoxy group, a phenyl group, a carboxyl group, a hydroxyl group, an alkyl group, a vinyl group, a mercapto group, or the like introduced into the structure is used. Also good. As the functional group introduced into the structure of the organopolysiloxane, for example, a carboxyl group, an epoxy group, and a polyether group are preferable. Examples of the commercially available silicone oil include FZ-3730 and BY-750 manufactured by Toray Dow Corning.

封止用樹脂組成物中の低応力剤の含有量の下限値は、封止用樹脂組成物の全固形分100質量%に対して、例えば、1.0質量%以上であることが好ましく、2.0質量%以上であることがより好ましく、3.0質量%以上であることが好ましい。これにより、封止用樹脂組成物の内部応力を適切に緩和することができる。したがって、基材の反りを低減できる。
また、封止用樹脂組成物中の低応力剤の含有量の上限値は、封止用樹脂組成物の全固形分100質量%に対して、例えば、7.0質量%以下であることが好ましく、6.0質量%以下であることがより好ましく、5.0質量%以下であることが好ましい。これにより、密着性及び充填性が低下するのを抑制し、基材の反りの低減と、密着性及び充填性とをバランスよく発現することができる。
The lower limit of the content of the low stress agent in the sealing resin composition is preferably 1.0% by mass or more, for example, with respect to 100% by mass of the total solid content of the sealing resin composition, It is more preferably 2.0% by mass or more, and preferably 3.0% by mass or more. Thereby, the internal stress of the resin composition for sealing can be moderated appropriately. Therefore, the curvature of the substrate can be reduced.
Moreover, the upper limit of content of the low stress agent in the resin composition for sealing shall be 7.0 mass% or less with respect to 100 mass% of total solid content of the resin composition for sealing, for example. Preferably, it is 6.0 mass% or less, and it is preferable that it is 5.0 mass% or less. Thereby, it can suppress that adhesiveness and a filling property fall, and can express the reduction of the curvature of a base material, and adhesiveness and a filling property with sufficient balance.

(その他の成分)
封止用樹脂組成物中には、必要に応じて、流動性付与剤、離型剤、イオン捕捉剤、硬化促進剤、着色剤及び難燃剤等の各種添加剤のうち一種または二種以上を適宜配合することができる。
(Other ingredients)
In the sealing resin composition, one or more of various additives such as a fluidity-imparting agent, a release agent, an ion scavenger, a curing accelerator, a colorant, and a flame retardant are added as necessary. It can mix | blend suitably.

(流動性付与剤)
流動性付与剤は、リン原子含有硬化促進剤などの潜伏性を有さない硬化促進剤が、樹脂組成物の溶融混練時に反応することを抑制できる。これにより、封止用樹脂組成物の生産性を向上できる。
流動性付与剤としては、具体的には、カテコール、ピロガロール、没食子酸、没食子酸エステル、1,2−ジヒドロキシナフタレン、2,3−ジヒドロキシナフタレン及びこれらの誘導体などの芳香環を構成する2個以上の隣接する炭素原子にそれぞれ水酸基が結合した化合物などが挙げられる。
(Fluidity imparting agent)
The fluidity imparting agent can suppress the reaction of a curing accelerator having no latency such as a phosphorus atom-containing curing accelerator during melt kneading of the resin composition. Thereby, productivity of the resin composition for sealing can be improved.
As the fluidity-imparting agent, specifically, two or more constituting an aromatic ring such as catechol, pyrogallol, gallic acid, gallic acid ester, 1,2-dihydroxynaphthalene, 2,3-dihydroxynaphthalene and derivatives thereof A compound in which a hydroxyl group is bonded to each adjacent carbon atom.

(離型剤)
離型剤としては、具体的には、カルナバワックスなどの天然ワックス;モンタン酸エステルワックス、酸化ポリエチレンワックスなどの合成ワックス;ステアリン酸亜鉛等の高級脂肪酸及びその金属塩、パラフィンなどが挙げられる。離型剤としては、上記具体例のうち1種または2種以上を配合することができる。
(Release agent)
Specific examples of the release agent include natural waxes such as carnauba wax; synthetic waxes such as montanic acid ester wax and polyethylene oxide wax; higher fatty acids such as zinc stearate and metal salts thereof, paraffin and the like. As a mold release agent, 1 type (s) or 2 or more types can be mix | blended among the said specific examples.

(イオン捕捉剤)
上記イオン捕捉剤は、具体的には、ハイドロタルサイト類;マグネシウム、アルミニウム、ビスマス、チタン、ジルコニウムから選ばれる元素の含水酸化物などが挙げられる。イオン捕捉剤としては、上記具体例のうち1種または2種以上を配合することができる。
(Ion scavenger)
Specific examples of the ion scavenger include hydrotalcites; hydrous oxides of elements selected from magnesium, aluminum, bismuth, titanium, and zirconium. As an ion trapping agent, 1 type (s) or 2 or more types can be mix | blended among the said specific examples.

(硬化促進剤)
硬化促進剤としては、具体的には、1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデセン−7などのジアザビシクロアルケン及びその誘導体;トリブチルアミン、ベンジルジメチルアミンなどのアミン系化合物;2−メチルイミダゾールなどのイミダゾール化合物;トリフェニルホスフィン、メチルジフェニルホスフィンなどの有機ホスフィン類;テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート、テトラフェニルホスホニウム・テトラ安息香酸ボレート、テトラフェニルホスホニウム・テトラナフトイックアシッドボレート、テトラフェニルホスホニウム・テトラナフトイルオキシボレート、テトラフェニルホスホニウム・テトラナフチルオキシボレートなどのテトラ置換ホスホニウム・テトラ置換ボレート;ベンゾキノンをアダクトしたトリフェニルホスフィンなどが挙げられる。硬化促進剤としては、上記具体例のうち1種または2種以上を配合することができる。
(Curing accelerator)
Specific examples of the curing accelerator include diazabicycloalkenes such as 1,8-diazabicyclo [5.4.0] undecene-7 and derivatives thereof; amine compounds such as tributylamine and benzyldimethylamine; Imidazole compounds such as methylimidazole; organic phosphines such as triphenylphosphine and methyldiphenylphosphine; tetraphenylphosphonium / tetraphenylborate, tetraphenylphosphonium / tetrabenzoic acid borate, tetraphenylphosphonium / tetranaphthoic acid borate, tetraphenylphosphonium・ Tetra-substituted phosphonium such as tetranaphthoyloxyborate and tetraphenylphosphonium ・ tetranaphthyloxyborate ・ tetra-substituted borate; adduct benzoquinone Such as triphenylphosphine and the like. As a hardening accelerator, 1 type (s) or 2 or more types can be mix | blended among the said specific examples.

(着色剤)
着色剤としては、具体的には、カーボンブラック、ベンガラ、酸化チタンなどを挙げることができる。着色剤としては、上記具体例のうち1種または2種以上を配合することができる。
(Coloring agent)
Specific examples of the colorant include carbon black, bengara, and titanium oxide. As a coloring agent, 1 type (s) or 2 or more types can be mix | blended among the said specific examples.

(難燃剤)
難燃剤としては、具体的には、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、ホウ酸亜鉛、モリブデン酸亜鉛、ホスファゼン、カーボンブラックなどを挙げることができる。難燃剤としては、上記具体例のうち1種または2種以上を配合することができる。
(Flame retardants)
Specific examples of the flame retardant include aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, zinc borate, zinc molybdate, phosphazene, and carbon black. As a flame retardant, 1 type (s) or 2 or more types can be mix | blended among the said specific examples.

(封止用樹脂組成物の製造方法)
次に、本実施形態に係る封止用樹脂組成物の製造方法について説明する。
本実施形態に係る封止用樹脂組成物の製造方法は、例えば、上述した原料成分を混合して混合物を作製する混合工程(S1)と、次いで、混合物を成形する成形工程(S2)とを含む。
(Method for producing resin composition for sealing)
Next, the manufacturing method of the resin composition for sealing concerning this embodiment is demonstrated.
The method for producing a sealing resin composition according to the present embodiment includes, for example, a mixing step (S1) in which the above-described raw material components are mixed to produce a mixture, and then a molding step (S2) in which the mixture is molded. Including.

(混合工程(S1))
混合工程は、原料成分を混合し、混合物を作製工程である。混合する方法は限定されず、用いられる成分に応じて、公知の方法を用いることができる。
混合工程としては、具体的には、上述した封止用樹脂組成物が含む原料成分を、ミキサーなどを用いて均一に混合する。次いで、ロール、ニーダーまたは押出機等の混練機で溶融混練し、混合物を作製する。
(Mixing step (S1))
The mixing process is a process for preparing a mixture by mixing raw material components. The method of mixing is not limited, and a known method can be used depending on the components used.
Specifically, as the mixing step, the raw material components contained in the above-described sealing resin composition are uniformly mixed using a mixer or the like. Next, the mixture is melt-kneaded with a kneader such as a roll, a kneader or an extruder to prepare a mixture.

(成形工程(S2))
上述した混合工程(S1)に、次いで、混合物を成形する成形工程(S2)を行う。
成形する方法としては限定されず、封止用樹脂組成物の形状に応じて、公知の方法を用いることができる。封止用樹脂組成物の形状としては、例えば、顆粒形状、粉末形状、タブレット形状、シート形状などが挙げられる。
(Molding process (S2))
Next to the mixing step (S1) described above, a forming step (S2) for forming the mixture is performed.
It does not limit as a method to shape | mold, A well-known method can be used according to the shape of the resin composition for sealing. Examples of the shape of the sealing resin composition include a granule shape, a powder shape, a tablet shape, and a sheet shape.

顆粒形状とした封止用樹脂組成物を作製する成形工程としては、例えば、溶融混練後、冷却した混合物を粉砕する工程が挙げられる。なお、例えば、顆粒形状とした封止用樹脂組成物をふるい分けして、顆粒の大きさを調節してもよい。また、例えば、顆粒形状とした封止用樹脂組成物を、遠心製粉法またはホットカット法などの方法で処理し、分散度または流動性などを調製してもよい。
また、粉末形状とした封止用樹脂組成物を作製する成形工程としては、例えば、混合物を粉砕し顆粒形状の封止用樹脂組成物とした後、該顆粒形状の封止用樹脂組成物をさらに粉砕する工程が挙げられる。
また、タブレット形状とした封止用樹脂組成物を作製する成形工程としては、例えば、混合物を粉砕し顆粒形状の封止用樹脂組成物とした後、該顆粒形状の封止用樹脂組成物を打錠成型する工程が挙げられる。
また、シート形状とした封止用樹脂組成物を作製する成形工程としては、例えば、溶融混練後、混合物を押出成形またはカレンダー成形する工程が挙げられる。
Examples of the molding step for producing the sealing resin composition in the form of granules include a step of pulverizing the cooled mixture after melt-kneading. For example, the size of the granules may be adjusted by sieving the sealing resin composition in the form of granules. Further, for example, the resin composition for sealing in the form of granules may be processed by a method such as a centrifugal milling method or a hot cut method to prepare the degree of dispersion or fluidity.
In addition, as a molding process for producing a sealing resin composition in powder form, for example, the mixture is pulverized to obtain a granular sealing resin composition, and then the granular sealing resin composition is used. Furthermore, the process of grind | pulverizing is mentioned.
In addition, as a molding process for producing a tablet-shaped sealing resin composition, for example, the mixture is pulverized to form a granular-shaped sealing resin composition, and then the granular-shaped sealing resin composition is used. The process of tableting molding is mentioned.
Moreover, as a shaping | molding process which produces the resin composition for sealing in the shape of a sheet | seat, the process of extruding or calendering the mixture after melt-kneading is mentioned, for example.

(封止用樹脂組成物)
本実施形態に係る封止用樹脂組成物を、175℃で120秒間熱処理した後、175℃で4時間熱処理して得られる硬化物について、前記硬化物の25℃における曲げ弾性率をE[GPa]とし、前記硬化物のガラス転移温度以下の温度における線膨張係数をα1[10−5/℃]としたとき、下記(式)でストレスインデックスが算出される。
(式)(ストレスインデックス)=(ガラス転移温度以下の線膨張係数α1)×(曲げ弾性率E)
ストレスインデックスの上限値としては、例えば、25[10−5×GPa/℃]以下であることが好ましく、15[10−5×GPa/℃]以下であることがより好ましく、5[10−5×GPa/℃]以下であることがさらに好ましい。これにより、詳細なメカニズムは定かではないが基材の反りを低減できる。
また、ストレスインデックスの下限値としては、例えば、2[10−5×GPa/℃]以上であり、3[10−5×GPa/℃]以上である。これにより、封止用樹脂組成物を硬化した時に適切な機械的強度を保つ。
(Resin composition for sealing)
For a cured product obtained by heat-treating the sealing resin composition according to the present embodiment at 175 ° C. for 120 seconds and then heat-treating at 175 ° C. for 4 hours, the bending elastic modulus at 25 ° C. of the cured product is E [GPa The stress index is calculated by the following (formula) when the linear expansion coefficient at a temperature not higher than the glass transition temperature of the cured product is α1 [10 −5 / ° C.].
(Expression) (Stress Index) = (Linear Expansion Coefficient α1 Below Glass Transition Temperature) × (Bending Elastic Modulus E)
The upper limit of the stress index is, for example, preferably 25 [10 −5 × GPa / ° C.] or less, more preferably 15 [10 −5 × GPa / ° C.] or less, and 5 [10 −5]. XGPa / ° C.] or less. Thereby, although the detailed mechanism is not clear, the curvature of a base material can be reduced.
The lower limit value of the stress index is, for example, 2 [10 −5 × GPa / ° C.] or more and 3 [10 −5 × GPa / ° C.] or more. Thereby, an appropriate mechanical strength is maintained when the encapsulating resin composition is cured.

上述したストレスインデックスは、本発明者らが内部応力の程度を規定するために規定したパラメータであり、エポキシ樹脂及び硬化剤の種類及び配合量で定まるパラメータである。そして、本発明者らが、ストレスインデックスの制御について検討した結果、封止用樹脂組成物中の従来のシランカップリング剤の添加量を増やした場合、架橋構造が増加するため、ガラス転移温度以下の線膨張係数α1は低下するが、曲げ弾性率Eが増加することが判明した。一方、封止用樹脂組成物中の従来のシランカップリング剤の添加量を減らした場合、曲げ弾性率Eは低下するが、ガラス転移温度以下の線膨張係数α1が増加することが判明した。すなわち、ストレスインデックスの要素であるガラス転移温度以下の線膨張係数α1と、曲げ弾性率Eとは、トレードオフの関係であった。
そこで、本発明者らは、本実施形態に係る封止用樹脂組成物について、密着性を維持することを前提に、ストレスインデックスを低減し、上述した特定の数値範囲内とする方法について検討した。その結果、封止用樹脂組成物が含有する、上述した特定の構造のシランカップリング剤の添加量を適切に選択することで、曲げ弾性率Eの上昇を抑制しつつ、ガラス転移温度以下の線膨張係数α1を低下できる、すなわち、ストレスインデックスの値を低減できることを見出した。
The stress index described above is a parameter defined by the present inventors in order to define the degree of internal stress, and is a parameter determined by the types and blending amounts of the epoxy resin and the curing agent. And as a result of studying the control of the stress index, the present inventors have found that when the amount of the conventional silane coupling agent in the sealing resin composition is increased, the cross-linked structure increases, so that the glass transition temperature or lower. It has been found that the flexural modulus E is increased, although the linear expansion coefficient α1 of is decreased. On the other hand, when the addition amount of the conventional silane coupling agent in the sealing resin composition is reduced, the bending elastic modulus E decreases, but it has been found that the linear expansion coefficient α1 below the glass transition temperature increases. That is, the linear expansion coefficient α1 below the glass transition temperature, which is an element of the stress index, and the flexural modulus E were in a trade-off relationship.
Therefore, the present inventors have studied a method for reducing the stress index within the specific numerical range described above on the premise that the adhesiveness is maintained for the sealing resin composition according to the present embodiment. . As a result, by appropriately selecting the amount of the silane coupling agent having the specific structure described above contained in the sealing resin composition, while suppressing an increase in the flexural modulus E, the glass transition temperature or lower It has been found that the linear expansion coefficient α1 can be reduced, that is, the value of the stress index can be reduced.

(用途)
本実施形態にかかる封止用樹脂組成物は、電子装置において、基材上に配設された電子部品を封止する封止部材に用いられる。すなわち、本実施形態に係る電子装置は、基材上に配設された電子部品と、前記電子部品を封止する封止部材と、を備える電子装置であって、封止部材が、上述した封止用樹脂組成物の硬化物で構成されるものである。
(Use)
The sealing resin composition according to the present embodiment is used for a sealing member for sealing an electronic component disposed on a substrate in an electronic device. That is, the electronic device according to the present embodiment is an electronic device that includes an electronic component disposed on a base material and a sealing member that seals the electronic component, and the sealing member is described above. It is comprised with the hardened | cured material of the resin composition for sealing.

上述した電子部品としては、具体的には、電子回路、半導体素子などが挙げられる。なお、半導体素子としては、具体的には、集積回路、大規模集積回路、トランジスタ、サイリスタ、ダイオード、固体撮像素子などが挙げられる。   Specific examples of the electronic component described above include an electronic circuit and a semiconductor element. Specific examples of the semiconductor element include an integrated circuit, a large-scale integrated circuit, a transistor, a thyristor, a diode, and a solid-state imaging element.

また、上述した基材としては、具体的には、セラミックス基材、ガラス基材、シリコンウエハなどの無機基材;表面が絶縁処理された銅基材、アルミ基材などの金属基材;プリプレグなどの有機基材などが挙げられる。基材としては、上記具体例のうち、1種または2種以上を積層して用いることができる。   Specific examples of the above-mentioned base material include inorganic base materials such as ceramic base materials, glass base materials, and silicon wafers; metal base materials such as copper base materials and aluminum base materials whose surfaces are insulated; prepregs And organic base materials such as As a base material, 1 type (s) or 2 or more types can be laminated | stacked and used among the said specific examples.

本実施形態にかかる電子装置の種類としては、具体的には、WLP(Wafer Level Package)、MAP(Mold Array Package)、QFP(Quad Flat Package)、SOP(Small Outline Package)、QFN(Quad Flat Non−leaded Package)、SON(Small Outline Non−leaded Package)、BGA(Ball Grid Array)、LF−BGA(Lead Flame BGA)、FCBGA(Flip Chip BGA)、MAPBGA(Molded Array Process BGA)、eWLB(Embedded Wafer−Level BGA)、Fan−In型eWLB、Fan−Out型eWLBなどが挙げられる。
本実施形態に係る封止用樹脂組成物は、基材の反りを低減できることから、上記具体例のうち、大面積の基材を用いるWLPまたはMAPに好適に用いることができ、WLPにより好適に用いることができる。
Specifically, the types of electronic devices according to the present embodiment include WLP (Wafer Level Package), MAP (Mold Array Package), QFP (Quad Flat Package), SOP (Small Outline Package), and QFN (Quad Flat N). -Leaded Package), SON (Small Outline Non-Leaded Package), BGA (Ball Grid Array), LF-BGA (Lead Frame BGA), FCBGA (Flip Chip BGA), MAPBGA (Molded ArrayB) -Level BGA), Fan-In type eWLB, Fan-Out type eWL B etc. are mentioned.
Since the sealing resin composition according to the present embodiment can reduce the warpage of the base material, among the above specific examples, the sealing resin composition can be suitably used for WLP or MAP using a large-area base material, and more preferably by WLP. Can be used.

(電子装置の製造方法)
本実施形態に係る電子装置の製造方法について説明する。
本実施形態に係る電子装置の製造方法は、例えば、基材上に電子部品を配設する配設工程と、上述した封止用樹脂組成物を用いて、電子部品を封止する封止工程と、を含む。
(Electronic device manufacturing method)
A method for manufacturing an electronic device according to this embodiment will be described.
The manufacturing method of the electronic device according to the present embodiment includes, for example, a disposing step of disposing the electronic component on the base material and a sealing step of sealing the electronic component using the above-described sealing resin composition. And including.

(配設工程)
配設工程では、基材上に電子部品を配設する。
配設工程で配設される電子部品の数は限定されず、例えば、基材上に1個の電子部品を配設してもよく、基材上に複数の電子部品を配設してもよい。
配設工程では、例えば、ウエハなどの基材上に電子回路などの電子部品を形成してもよく、有機基材などの基材上に半導体素子などの電子部品を配置してもよい。
本実施形態に係る封止用樹脂組成物は、充填性に優れるため、例えば、複数のチップをスタックさせて配置する場合に好適に用いることができる。
(Installation process)
In the arranging step, an electronic component is arranged on the base material.
The number of electronic components arranged in the arranging step is not limited. For example, one electronic component may be arranged on the base material, or a plurality of electronic components may be arranged on the base material. Good.
In the disposing step, for example, an electronic component such as an electronic circuit may be formed on a substrate such as a wafer, or an electronic component such as a semiconductor element may be disposed on a substrate such as an organic substrate.
Since the sealing resin composition according to the present embodiment is excellent in filling properties, it can be suitably used, for example, when a plurality of chips are stacked.

(封止工程)
封止工程では、上述した封止用樹脂組成物を用いて、電子部品を封止する。これにより、上述した封止部材を封止用樹脂組成物の硬化物で形成することができる。
封止する方法としては、具体的には、トランスファー成形法、圧縮成形法、インジェクション成形などが挙げられる。これらの方法により、封止用樹脂組成物を、成形し、硬化させることにより封止部材を形成することができる。本実施形態の封止用樹脂組成物は、大面積の基材を封止する場合に好適に用いることができる。
(Sealing process)
In the sealing step, the electronic component is sealed using the above-described sealing resin composition. Thereby, the sealing member mentioned above can be formed with the hardened | cured material of the resin composition for sealing.
Specific examples of the sealing method include transfer molding, compression molding, and injection molding. By these methods, the sealing member can be formed by molding and curing the sealing resin composition. The encapsulating resin composition of the present embodiment can be suitably used when encapsulating a large area substrate.

以下に、具体的な電子装置及びその製造方法について、説明する。
図1はWafer Level Package(:WLP)の電子装置の製造方法の一例である。
図2は、Mold Array Package(:MAP)の電子装置の製造方法の一例である。
図3は、Fan−Out型Packageの電子装置の製造方法の一例である。
Hereinafter, a specific electronic device and a manufacturing method thereof will be described.
FIG. 1 shows an example of a method for manufacturing an electronic device of Wafer Level Package (: WLP).
FIG. 2 is an example of a method for manufacturing an electronic device of Mold Array Package (: MAP).
FIG. 3 is an example of a method for manufacturing a Fan-Out Package electronic device.

Wafer Level Package(:WLP)の電子装置の製造方法としては、例えば、上述した配設工程において、基材上に複数の電子部品を配設することで、回路面を形成し、さらに、上述した封止工程において、回路面を覆うように封止用樹脂組成物を用いて封止し、さらに、封止工程の後、基材の回路面を覆う封止用樹脂組成物、及び、基材を切断し、電子装置を個片化する個片化工程を含む。
なお、配設工程として、例えば、回路面の上にバンプを形成してもよい。また、封止工程として、封止材層を削って、封止材層からバンプを露出させてもよい。さらに、封止工程の後、配線工程として、バンプに半田ボールを接続してもよい。
As a manufacturing method of an electronic device of Wafer Level Package (: WLP), for example, in the above-described disposing step, a plurality of electronic components are disposed on a substrate to form a circuit surface. In the sealing step, sealing is performed using the sealing resin composition so as to cover the circuit surface, and further, after the sealing step, the sealing resin composition covering the circuit surface of the base material, and the base material And an individualization step for separating the electronic device into individual pieces.
In addition, as an arrangement | positioning process, you may form a bump on a circuit surface, for example. Further, as the sealing step, the sealing material layer may be scraped to expose the bumps from the sealing material layer. Furthermore, solder balls may be connected to the bumps as a wiring process after the sealing process.

Wafer Level Package(:WLP)の電子装置の製造方法について、図1(a)−(f)に記載の各工程と共に詳細を説明する。
まず、配設工程として、例えば、図1(a)に示すように、ウエハなどの基材10上に、図示しない複数の電子部品を配設する。これにより、回路面21を形成する。次いで、例えば、図1(b)に示すように、回路面21の上に、後述する半田ボールと、電子部品とを電気的に接続するために、メタルポストなどのバンプ22を形成する。
次いで、封止工程として、例えば、図1(c)に示すように、上述した回路面21を覆うように封止用樹脂組成物を用いて封止し、封止材層30を形成する。次いで、例えば、図1(d)に示すように、封止材層30を削ることで、封止材層30からバンプ22を露出させる。なお、封止材層30を形成する際に、図1(d)に示すように、バンプ22が露出するように封止材層30を形成する場合、封止材層30は削らなくてもよい。
次いで、配線工程として、例えば、図1(e)に示すように、バンプ22に半田ボール96を接続する。
次いで、個片化工程として、例えば、図1(f)に示すように、封止材層30及び基材10をダイシングブレード、レーザーなどで切断し、電子装置50を得る。なお、個片化する電子装置50に接続されるバンプ22及び半田ボール96の数は限定されず、電子装置50の種類に応じて設定することができる。
A method for manufacturing an electronic device of Wafer Level Package (: WLP) will be described in detail together with the steps shown in FIGS.
First, as an arrangement step, for example, as shown in FIG. 1A, a plurality of electronic components (not shown) are arranged on a substrate 10 such as a wafer. Thereby, the circuit surface 21 is formed. Next, for example, as illustrated in FIG. 1B, bumps 22 such as metal posts are formed on the circuit surface 21 in order to electrically connect solder balls described later and electronic components.
Next, as a sealing step, for example, as illustrated in FIG. 1C, sealing is performed using the sealing resin composition so as to cover the circuit surface 21 described above, and the sealing material layer 30 is formed. Next, for example, as illustrated in FIG. 1D, the bump 22 is exposed from the sealing material layer 30 by cutting the sealing material layer 30. When forming the sealing material layer 30, as shown in FIG. 1D, when the sealing material layer 30 is formed so that the bumps 22 are exposed, the sealing material layer 30 does not have to be cut. Good.
Next, as a wiring process, for example, as shown in FIG. 1 (e), solder balls 96 are connected to the bumps 22.
Next, as an individualization step, for example, as shown in FIG. 1 (f), the sealing material layer 30 and the substrate 10 are cut with a dicing blade, a laser, or the like to obtain the electronic device 50. The number of bumps 22 and solder balls 96 connected to the electronic device 50 to be singulated is not limited, and can be set according to the type of the electronic device 50.

Mold Array Package(:WLP)の電子装置の製造方法としては、例えば、上述した配設工程において、複数の電子部品を、互いに離間するように基材上に配設し、さらに、上述した封止工程において、隣接する電子部品の間に存在する間隙を埋設し、さらに、全ての電子部品の表面を覆うように封止用樹脂組成物を用いて電子部品を封止し、封止工程の後、間隙を埋設した前記封止用樹脂組成物、及び、基材を切断し、電子装置を個片化する個片化工程を含む。   As a method of manufacturing an electronic device of Mold Array Package (: WLP), for example, in the above-described disposing step, a plurality of electronic components are disposed on the base material so as to be separated from each other, and further, the above-described sealing is performed. In the process, a gap existing between adjacent electronic components is buried, and further, the electronic component is sealed with a sealing resin composition so as to cover the surface of all the electronic components. And the sealing resin composition in which the gap is embedded, and a singulation step of cutting the substrate to divide the electronic device into pieces.

Mold Array Package(:MAP)の電子装置の製造方法について、図2(a)−(d)に記載の各工程と共に詳細を説明する。
まず、配設工程として、例えば、図2(a)に示すように、ウエハなどの基材10を準備する。次いで、例えば、図2(b)に示すように、基材10の上に複数の電子部品20を、互いに離間するように基材上に配設する。なお、配設する方法としては、電子部品20の種類に応じた公知の方法を用いることができ、例えば、接着剤を用いて配設してもよい。
次いで、封止工程として、例えば、図2(c)に示すように、隣接する電子部品の間に存在する間隙を埋設し、さらに、全ての電子部品の表面を覆うように封止用樹脂組成物を用いて電子部品を封止し、封止材層30を形成する。
次いで、個片化工程として、例えば、図2(d)に示すように、電子部品20の間隙に存在する封止材層30及び基材10をダイシングブレード、レーザーなどで切断し、電子装置50を得る。なお、個片化する電子装置50に接続される電子部品20の数は限定されず、電子装置50の種類に応じて設定することができる。
The details of the method for manufacturing the electronic device of Mold Array Package (: MAP) will be described together with the steps shown in FIGS.
First, as an arrangement step, for example, as shown in FIG. 2A, a substrate 10 such as a wafer is prepared. Next, for example, as illustrated in FIG. 2B, the plurality of electronic components 20 are disposed on the base material 10 so as to be separated from each other. In addition, as a method of arrangement | positioning, the well-known method according to the kind of electronic component 20 can be used, for example, you may arrange | position using an adhesive agent.
Next, as a sealing step, for example, as shown in FIG. 2 (c), a gap existing between adjacent electronic components is buried, and further, a sealing resin composition is formed so as to cover the surfaces of all the electronic components. The electronic component is sealed using an object, and the sealing material layer 30 is formed.
Next, as an individualization step, for example, as shown in FIG. 2D, the sealing material layer 30 and the base material 10 existing in the gap between the electronic components 20 are cut with a dicing blade, a laser, etc. Get. Note that the number of electronic components 20 connected to the electronic device 50 to be singulated is not limited, and can be set according to the type of the electronic device 50.

Fan−Out型Packageの電子装置の製造方法としては、まず、犠牲材70として、剥離層71を備えた基材10を準備する。そして、上述した配設工程において、複数の電子部品を、互いに離間するように基材の剥離層上に配設し、上述した封止工程において、隣接する電子部品の間に存在する間隙を埋設し、さらに、剥離層及び全ての電子部品の表面を覆うように封止用樹脂組成物を用いて電子部品を封止し、封止工程の後、電子部品及び剥離層を覆う封止用樹脂組成物から、剥離層を剥離する剥離工程と、を含む。
なお、剥離工程の後、再配線絶縁樹脂層、ビアホール、ビア、再配線回路、半田ボール、ソルダーレジスト層などを形成する配線工程を行ってもよい。さらに、配線工程の後、封止材層を切断し電子装置を個片化する個片化工程を行ってもよい。
As a manufacturing method of an electronic device of Fan-Out Package, first, a base material 10 provided with a release layer 71 is prepared as a sacrificial material 70. Then, in the disposing step described above, a plurality of electronic components are disposed on the release layer of the base material so as to be separated from each other, and in the sealing step described above, gaps existing between adjacent electronic components are embedded. Furthermore, the sealing resin composition is used to seal the electronic component using the sealing resin composition so as to cover the surface of the release layer and all the electronic components, and the sealing resin covers the electronic component and the release layer after the sealing step. A peeling step of peeling the release layer from the composition.
Note that a wiring process for forming a rewiring insulating resin layer, a via hole, a via, a rewiring circuit, a solder ball, a solder resist layer, and the like may be performed after the peeling process. Further, after the wiring process, an individualization process for cutting the sealing material layer and individualizing the electronic device may be performed.

剥離層としては、具体的には、熱発泡性粘着剤などを用いることができる。すなわち、Fan−Out型Packageの電子装置の製造方法では、例えば、粘着力の低い剥離層を備えた犠牲材を用いる。ここで、犠牲材としては剥離層のみで形成されていてもよいし、剥離層と、上述した金属基材、無機基材、有機基材などとが積層されたものを用いてもよい。   Specifically, a heat-foamable pressure-sensitive adhesive or the like can be used as the release layer. That is, in the manufacturing method of the Fan-Out Package electronic device, for example, a sacrificial material including a release layer with low adhesive strength is used. Here, the sacrificial material may be formed of only a release layer, or a laminate of the release layer and the above-described metal substrate, inorganic substrate, organic substrate, or the like may be used.

Fan−Out型Packageの電子装置の製造方法について、図3(a)−(g)に記載の各工程と共に詳細を説明する。
まず、配設工程として、例えば、図3(a)に示すように、犠牲材70の剥離層71の上に、複数の電子部品20を、互いに離間するように配設する。なお、剥離層71としては、例えば、接着力の低い接着剤を用いてもよく、発泡剤を含む樹脂を用いてもよい。これにより、後述する剥離工程にて、剥離層71と、電子部品20及び封止材層30とを剥離することができる。
次いで、封止工程として、例えば、図3(b)に示すように、隣接する電子部品の間に存在する間隙を埋設し、さらに、剥離層71及び全ての電子部品20の表面を覆うように封止用樹脂組成物を用いて電子部品を封止し、封止材層30を形成する。
次いで、剥離工程として、例えば、図3(c)に示すように、剥離層71を剥離する。剥離の方法は、例えば、加熱処理、電子線照射、紫外線照射などにより、熱発泡性粘着剤からなる剥離層71を発泡させることで行うことができる。また、剥離層71が、接着色の低い接着剤からなる場合、発泡などを行わずに剥離工程を行うことができる。
次いで、配線工程として、例えば、図3(d)に示すように、ポリイミド樹脂、ポリベンゾオキサイド樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂などからなる再配線用絶縁樹脂層80を形成する。再配線用絶縁樹脂層80はフォトリソグラフィー法等を用いてパターンを形成し、硬化処理を行うことで形成される。なお、再配線用絶縁樹脂層80には、ビアホール82を形成してもよい。
さらに、配線工程として、例えば、図3(e)に示すように、再配線用絶縁樹脂層80の全面に給電層をスパッタ等の方法で形成した後、給電層の上にレジスト層を形成し、所定のパターンに露光、現像後、電解銅メッキにてビア92、再配線回路94を形成する。次いで、レジスト層を剥離し、給電層をエッチングする。さらに、例えば、図3(f)に示すように、配線工程として、再配線回路94に半田ボール96を搭載する。次いで、再配線回路94及び半田ボール96の一部を覆うようにソルダーレジスト層98を形成する。
次いで、個片化工程として、例えば、図3(g)に示すように、封止材層30、再配線用絶縁樹脂層80及びソルダーレジスト層98を切断し電子装置50を個片化する個片化工程を行ってもよい。ここで、電子装置50に含まれる電子部品20の数は限定されず、電子装置50の種類に応じて設定することができる。
The manufacturing method of the electronic device of the Fan-Out type package will be described in detail together with the steps described in FIGS.
First, as an arranging step, for example, as shown in FIG. 3A, a plurality of electronic components 20 are arranged on the release layer 71 of the sacrificial material 70 so as to be separated from each other. As the release layer 71, for example, an adhesive having a low adhesive force may be used, or a resin containing a foaming agent may be used. Thereby, the peeling layer 71, the electronic component 20, and the sealing material layer 30 can be peeled in the peeling process mentioned later.
Next, as a sealing step, for example, as shown in FIG. 3B, a gap existing between adjacent electronic components is buried, and further, the surface of the release layer 71 and all the electronic components 20 is covered. The electronic component is sealed using the sealing resin composition, and the sealing material layer 30 is formed.
Next, as the peeling step, for example, as shown in FIG. 3C, the peeling layer 71 is peeled off. The peeling method can be performed by foaming the peeling layer 71 made of a heat-foamable pressure-sensitive adhesive by, for example, heat treatment, electron beam irradiation, ultraviolet irradiation, or the like. Moreover, when the peeling layer 71 consists of an adhesive agent with a low adhesive color, a peeling process can be performed without performing foaming.
Next, as a wiring process, as shown in FIG. 3D, for example, a rewiring insulating resin layer 80 made of polyimide resin, polybenzooxide resin, benzocyclobutene resin, or the like is formed. The rewiring insulating resin layer 80 is formed by forming a pattern using a photolithography method or the like and performing a curing process. A via hole 82 may be formed in the rewiring insulating resin layer 80.
Further, as a wiring process, for example, as shown in FIG. 3E, a power supply layer is formed on the entire surface of the rewiring insulating resin layer 80 by a method such as sputtering, and then a resist layer is formed on the power supply layer. Then, after exposure and development in a predetermined pattern, vias 92 and rewiring circuits 94 are formed by electrolytic copper plating. Next, the resist layer is peeled off and the power feeding layer is etched. Further, for example, as shown in FIG. 3F, solder balls 96 are mounted on the rewiring circuit 94 as a wiring process. Next, a solder resist layer 98 is formed so as to cover a part of the rewiring circuit 94 and the solder balls 96.
Next, as an individualization step, for example, as shown in FIG. 3G, the electronic device 50 is individualized by cutting the sealing material layer 30, the rewiring insulating resin layer 80 and the solder resist layer 98. A singulation process may be performed. Here, the number of the electronic components 20 included in the electronic device 50 is not limited, and can be set according to the type of the electronic device 50.

なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。   It should be noted that the present invention is not limited to the above-described embodiments, and modifications, improvements, and the like within the scope that can achieve the object of the present invention are included in the present invention.

以下、実施例を用いて本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例の記載に何ら限定されるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, although this invention is demonstrated in detail using an Example, this invention is not limited to description of these Examples at all.

各実施例及び各比較例に用いた各原料成分の詳細について説明する。原料としては、エポキシ樹脂、硬化剤、充填材、シランカップリング剤、低応力剤を使用した。   The detail of each raw material component used for each Example and each comparative example is demonstrated. As raw materials, an epoxy resin, a curing agent, a filler, a silane coupling agent, and a low stress agent were used.

(エポキシ樹脂)
・エポキシ樹脂1:ビフェニル型エポキシ樹脂(三菱化学社製、YX−4000K)
・エポキシ樹脂2:トリフェニルメタン型エポキシ樹脂(三菱化学社製、E−1032H60)
(Epoxy resin)
Epoxy resin 1: biphenyl type epoxy resin (Mitsubishi Chemical Corporation YX-4000K)
Epoxy resin 2: triphenylmethane type epoxy resin (E-1032H60, manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation)

(硬化剤)
・硬化剤1:下記式(C1)で表される2−ヒドロキシベンズアルデヒドとホルムアルデヒドで変性したトリフェニルメタン型フェノール樹脂(エア・ウォーター社製、HE910−20)
・硬化剤2:フェノールノボラック樹脂(住友ベークライト社製、PR−55617)
(Curing agent)
Curing agent 1: Triphenylmethane type phenol resin modified with 2-hydroxybenzaldehyde and formaldehyde represented by the following formula (C1) (HE910-20, manufactured by Air Water)
Curing agent 2: phenol novolac resin (manufactured by Sumitomo Bakelite, PR-55617)

Figure 2018188494
(上記式(C1)において、m/n=1/1)
Figure 2018188494
(In the above formula (C1), m / n = 1/1)

(充填材)
・充填材1:溶融球状シリカ(龍森社製、MUF−4V、体積基準の累積50%粒径D50:3.8μm)
(Filler)
Filler 1: fused spherical silica (manufactured by Tatsumori, MUF-4V, volume-based cumulative 50% particle size D 50 : 3.8 μm)

(シランカップリング剤)
・シランカップリング剤1:下記式(S1)で表されるN−フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン(東レ・ダウコーニング社製、CF−4083)
(Silane coupling agent)
Silane coupling agent 1: N-phenylaminopropyltrimethoxysilane represented by the following formula (S1) (CF-4083, manufactured by Toray Dow Corning)

Figure 2018188494
Figure 2018188494

(低応力剤)
・低応力剤1:下記式(L1)で表されるシリコーンオイル(東レ・ダウコーニング社製、FZ−3730)
(Low stress agent)
Low stress agent 1: Silicone oil represented by the following formula (L1) (FZ-3730, manufactured by Toray Dow Corning)

Figure 2018188494
Figure 2018188494

(実施例1−2、比較例1の封止用樹脂組成物)
各実施例及び比較例のそれぞれについて、以下のように封止用樹脂組成物を調製した。
まず、表1に示す配合に従い、各成分をミキサーによって粉砕混合した後、80℃で5分間ロール混練した。次いで、これを冷却し、粉砕して封止用樹脂組成物を得た。
表1中における各成分の詳細は上述したとおりである。なお、表1に示す各成分の配合割合は、全て質量部を指す。
(Example 1-2, sealing resin composition of Comparative Example 1)
For each example and comparative example, a sealing resin composition was prepared as follows.
First, according to the formulation shown in Table 1, each component was pulverized and mixed with a mixer, and then roll kneaded at 80 ° C. for 5 minutes. Next, this was cooled and pulverized to obtain a sealing resin composition.
Details of each component in Table 1 are as described above. In addition, all the mixture ratios of each component shown in Table 1 indicate parts by mass.

(硬化物)
各実施例及び比較例の封止用樹脂組成物について、硬化物を作製した。
まず、トランスファー成形機を用いて、金型温度175℃、注入圧力9.8MPa、硬化時間3分で封止用樹脂組成物を注入成形し、長さ80mm×幅10mm×厚み4mmの試験片を得た。次いで、得られた試験片を175℃、4時間で熱処理し、硬化物を作製した。
(Cured product)
Hardened | cured material was produced about the resin composition for sealing of each Example and a comparative example.
First, using a transfer molding machine, a sealing resin composition was injection molded at a mold temperature of 175 ° C., an injection pressure of 9.8 MPa, and a curing time of 3 minutes, and a test piece of length 80 mm × width 10 mm × thickness 4 mm was obtained. Obtained. Subsequently, the obtained test piece was heat-treated at 175 ° C. for 4 hours to produce a cured product.

<ガラス転移温度Tg以下の線膨張係数α1>
各実施例及び比較例の封止用樹脂組成物について、ガラス転移温度(Tg)以下の線膨張係数α1を評価した。評価方法について以下に説明する。
上述した硬化物について、熱機械分析装置(セイコー電子工業(株)製、TMA100)を用いて、温度範囲0℃から320℃、昇温速度5℃/分の条件下で測定を行い、ガラス転移温度Tg以下の線膨張係数α1を評価した。なお、ガラス転移温度Tg以下の線膨張係数α1の単位は[10−5/℃]である。評価結果を下記表1に示す。
<Linear expansion coefficient α1 below glass transition temperature Tg>
About the resin composition for sealing of each Example and a comparative example, linear expansion coefficient (alpha) 1 below glass transition temperature (Tg) was evaluated. The evaluation method will be described below.
The cured product described above was measured using a thermomechanical analyzer (manufactured by Seiko Denshi Kogyo Co., Ltd., TMA100) under conditions of a temperature range of 0 ° C. to 320 ° C. and a rate of temperature increase of 5 ° C./min. The linear expansion coefficient α1 below the temperature Tg was evaluated. The unit of the linear expansion coefficient α1 below the glass transition temperature Tg is [10 −5 / ° C.]. The evaluation results are shown in Table 1 below.

<曲げ弾性率E>
各実施例及び比較例の封止用樹脂組成物について、曲げ弾性率Eを評価した。評価方法について以下に説明する。
上述した硬化物について、テンシロン試験機を用いて、25℃における曲げ弾性率EをJIS K 6911に準じて評価した。なお、曲げ弾性率Eの単位はGPaである。評価結果を下記表1に示す。
<Bending elastic modulus E>
The bending elastic modulus E was evaluated about the resin composition for sealing of each Example and a comparative example. The evaluation method will be described below.
About the hardened | cured material mentioned above, the bending elastic modulus E in 25 degreeC was evaluated according to JISK6911 using the Tensilon tester. The unit of the flexural modulus E is GPa. The evaluation results are shown in Table 1 below.

<ストレスインデックス>
各実施例及び比較例の封止用樹脂組成物について、ガラス転移温度Tg以下の線膨張係数α1と、曲げ弾性率Eから、下記式によってストレスインデックスを算出した。算出したストレスインデックスを下記表1に示す。なお、ストレスインデックスの単位は[10−5×GPa/℃]である。
(式) (ストレスインデックス)=(ガラス転移温度Tg以下の線膨張係数α1)×(曲げ弾性率E)
<Stress index>
About the resin composition for sealing of each Example and a comparative example, the stress index was computed by the following formula from the linear expansion coefficient (alpha) 1 below the glass transition temperature Tg, and the bending elastic modulus E. The calculated stress index is shown in Table 1 below. The unit of the stress index is [10 −5 × GPa / ° C.].
(Expression) (Stress Index) = (Linear Expansion Coefficient α1 Below Glass Transition Temperature Tg) × (Bending Elastic Modulus E)

<反り量>
各実施例及び比較例の封止用樹脂組成物について、シリコンウエハを封止した際の反り量を評価した。評価方法を以下に説明する。
厚み0.7mm、直径200mmのシリコンウエハの回路面に対し、金型温度150℃、成形圧力6MPa、硬化時間5分の条件で、成形樹脂厚0.8mmとなるように封止用樹脂組成物を圧縮成形し、ウエハレベルパッケージ(Wafer level Package:WLP)を得た。得られたウエハレベルパッケージを樹脂面が上となるように平面上に静置し、ウエハレベルパッケージの最高位置と最低位置の高さの差を評価した。ここで、該高さの差が最低値となるようにウエハレベルパッケージの角度を調製したときの、該高さの差を反り量とした。評価結果を下記表1に示す。なお、反りの単位はmmである。
<Warpage amount>
About the resin composition for sealing of each Example and a comparative example, the curvature amount at the time of sealing a silicon wafer was evaluated. The evaluation method will be described below.
A sealing resin composition having a molding resin thickness of 0.8 mm on a circuit surface of a silicon wafer having a thickness of 0.7 mm and a diameter of 200 mm under conditions of a mold temperature of 150 ° C., a molding pressure of 6 MPa, and a curing time of 5 minutes. Was compression molded to obtain a wafer level package (WLP). The obtained wafer level package was placed on a flat surface so that the resin surface was up, and the difference in height between the highest position and the lowest position of the wafer level package was evaluated. Here, the difference in height when the angle of the wafer level package was adjusted so that the difference in height became the minimum value was taken as the amount of warpage. The evaluation results are shown in Table 1 below. The unit of warpage is mm.

<密着強度>
各実施例及び比較例の封止用樹脂組成物について、基材に対する密着強度を評価した。評価方法を以下に説明する。
まず、トランスファー成形機を用いて、金型温度175℃、注入圧力9.8MPa、硬化時間3分で封止用樹脂組成物を注入成形し、ケイ素(Si)薄板上と、窒化ケイ素(SiN)薄板上とに長さ4mm×幅4mm×厚み4mmの密着強度試験片を作製した。次いで、自動せん断強度測定装置(DAGE社製、PC2400)を用いて、基板を固定し、密着強度試験片が基板から剥離する際のせん断応力を密着強度として評価を行った。評価結果を下記表1に示す。
なお、評価は、温度25℃と、温度260℃の条件でそれぞれ行った。また、密着強度の単位はN/mmである。
<Adhesion strength>
About the resin composition for sealing of each Example and a comparative example, the adhesive strength with respect to a base material was evaluated. The evaluation method will be described below.
First, using a transfer molding machine, a sealing resin composition was injection molded at a mold temperature of 175 ° C., an injection pressure of 9.8 MPa, and a curing time of 3 minutes, and on a silicon (Si) thin plate and silicon nitride (SiN) An adhesion strength test piece having a length of 4 mm, a width of 4 mm, and a thickness of 4 mm was prepared on the thin plate. Next, the substrate was fixed using an automatic shear strength measuring apparatus (manufactured by DAGE, PC2400), and the shear stress when the adhesion strength test piece was peeled from the substrate was evaluated as the adhesion strength. The evaluation results are shown in Table 1 below.
The evaluation was performed under conditions of a temperature of 25 ° C. and a temperature of 260 ° C., respectively. The unit of adhesion strength is N / mm 2 .

<充填性>
各実施例及び比較例の封止用樹脂組成物について、充填性を評価した。評価方法を以下に説明する。
低圧トランスファー成形機(コータキ精機社製、KTS−15)をインサート成形に転用して、ANSI/ASTM D 3123−72に準じたスパイラルフロー測定用金型に、温度175℃、注入圧力6.9MPa、保圧時間120秒の条件で封止用樹脂組成物を注入し、流動長を測定した。なお、表1中におけるスパイラルフローの単位はcmである。
なお、スパイラルフローは流動性のパラメータであり、数値が大きい方が、流動性が良好である。
<Fillability>
Fillability was evaluated about the resin composition for sealing of each Example and a comparative example. The evaluation method will be described below.
Using a low-pressure transfer molding machine (KTS-15, manufactured by Kotaki Seiki Co., Ltd.) for insert molding, a spiral flow measurement mold conforming to ANSI / ASTM D 3123-72, temperature 175 ° C., injection pressure 6.9 MPa, The sealing resin composition was injected under the condition of a holding time of 120 seconds, and the flow length was measured. The unit of spiral flow in Table 1 is cm.
The spiral flow is a parameter of fluidity, and the larger the value, the better the fluidity.

Figure 2018188494
Figure 2018188494

上記表1に示す通り、各実施例の封止用樹脂組成物は、比較例の封止用樹脂組成物と比べて、電子装置における基材の反りを低減し、かつ、密着性及び充填性をバランスよく発現することが確認された。   As shown in Table 1 above, the encapsulating resin composition of each example reduces the warpage of the substrate in the electronic device as compared with the encapsulating resin composition of the comparative example, and has adhesion and fillability. Was confirmed to be expressed in a well-balanced manner.

10 基材
20 電子部品
21 回路面
22 バンプ
30 封止材層
50 電子装置
70 犠牲材
71 剥離層
80 再配線用絶縁樹脂層
82 ビアホール
92 ビア
94 再配線回路
96 半田ボール
98 ソルダーレジスト層
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Base material 20 Electronic component 21 Circuit surface 22 Bump 30 Sealing material layer 50 Electronic device 70 Sacrificial material 71 Peeling layer 80 Redistribution insulating resin layer 82 Via hole 92 Via 94 Rewiring circuit 96 Solder ball 98 Solder resist layer

Claims (9)

エポキシ樹脂と、
硬化剤と、
充填材と、
シランカップリング剤と、
低応力剤と、を含み、
前記シランカップリング剤は、下記一般式(1)で表され、
封止用樹脂組成物中の前記シランカップリング剤の含有量が、封止用樹脂組成物の全固形分に対して、0.4質量%以上2.0質量%以下であり、
前記低応力剤の含有量が、封止用樹脂組成物の全固形分に対して、1.0質量%以上7.0質量%以下である、封止用樹脂組成物。
Figure 2018188494
(上記一般式(1)において、R及びRは、それぞれ独立して炭素数1以上30以下の有機基を表す。
複数のAは、それぞれ独立して炭素数1以上30以下の有機基を表す。複数のAは互いに同一でもよく、互いに異なっていてもよい。複数のAのうち少なくとも一つは炭素数1以上30以下のアルコキシ基である。)
Epoxy resin,
A curing agent;
A filler,
A silane coupling agent;
A low stress agent,
The silane coupling agent is represented by the following general formula (1):
Content of the said silane coupling agent in the resin composition for sealing is 0.4 mass% or more and 2.0 mass% or less with respect to the total solid of the resin composition for sealing,
The resin composition for sealing whose content of the said low stress agent is 1.0 mass% or more and 7.0 mass% or less with respect to the total solid of the resin composition for sealing.
Figure 2018188494
(In the general formula (1), R 1 and R 2 each independently represents an organic group having 1 to 30 carbon atoms.
A plurality of A each independently represents an organic group having 1 to 30 carbon atoms. A plurality of A may be the same or different from each other. At least one of the plurality of A is an alkoxy group having 1 to 30 carbon atoms. )
請求項1に記載の封止用樹脂組成物であって、
前記封止用樹脂組成物を、175℃で120秒間熱処理した後、175℃で4時間熱処理して得られる硬化物について、前記硬化物の25℃における曲げ弾性率をE[GPa]とし、前記硬化物のガラス転移温度以下の温度における線膨張係数をα1[10−5/℃]としたとき、下記(式)で算出されるストレスインデックスが2[10−5×GPa/℃]以上25[10−5×GPa/℃]以下である、封止用樹脂組成物。
(式)(ストレスインデックス)=(ガラス転移温度以下の線膨張係数α1)×(曲げ弾性率E)
The sealing resin composition according to claim 1,
For the cured product obtained by heat-treating the sealing resin composition at 175 ° C. for 120 seconds and then heat-treating at 175 ° C. for 4 hours, the bending elastic modulus at 25 ° C. of the cured product is E [GPa], When the linear expansion coefficient at a temperature not higher than the glass transition temperature of the cured product is α1 [10 −5 / ° C.], the stress index calculated by the following (formula) is 2 [10 −5 × GPa / ° C.] or more and 25 [ 10 −5 × GPa / ° C.] or less.
(Expression) (Stress Index) = (Linear Expansion Coefficient α1 Below Glass Transition Temperature) × (Bending Elastic Modulus E)
請求項1または2に記載の封止用樹脂組成物であって、
前記低応力剤は、前記シランカップリング剤とは異なるシリコーン化合物である、封止用樹脂組成物。
The sealing resin composition according to claim 1 or 2,
The sealing resin composition, wherein the low stress agent is a silicone compound different from the silane coupling agent.
請求項1から3のいずれか1項に記載の封止用樹脂組成物であって、
封止用樹脂組成物中の前記充填材の含有量が、封止用樹脂組成物の全固形分に対して、60質量%以上95質量%以下である、封止用樹脂組成物。
It is the resin composition for sealing according to any one of claims 1 to 3,
The resin composition for sealing whose content of the said filler in the resin composition for sealing is 60 mass% or more and 95 mass% or less with respect to the total solid of the resin composition for sealing.
請求項1から4のいずれか1項に記載の封止用樹脂組成物であって、
前記充填材は、溶融球状シリカ、溶融破砕シリカ、結晶シリカ、タルク、チタンホワイト、窒化珪素及びアルミナからなる群より選択される1種または2種以上を含む、封止用樹脂組成物。
It is the resin composition for sealing according to any one of claims 1 to 4,
The sealing resin composition includes one or more selected from the group consisting of fused spherical silica, fused crushed silica, crystalline silica, talc, titanium white, silicon nitride, and alumina.
基材上に電子部品を配設する配設工程と、
請求項1から5のいずれか1項に記載の封止用樹脂組成物を用いて、電子部品を封止する封止工程と、を含む、電子装置の製造方法。
An arrangement step of arranging electronic components on the substrate;
A method for manufacturing an electronic device, comprising: a sealing step of sealing an electronic component using the sealing resin composition according to any one of claims 1 to 5.
請求項6に記載の電子装置の製造方法であって、
前記配設工程において、複数の前記電子部品を、互いに離間するように前記基材上に配設し、
前記封止工程において、隣接する前記電子部品の間に存在する間隙を埋設し、さらに、全ての前記電子部品の表面を覆うように前記封止用樹脂組成物を用いて前記電子部品を封止し、
前記封止工程の後、前記間隙を埋設した前記封止用樹脂組成物、及び、前記基材を切断し、電子装置を個片化する個片化工程を含む、電子装置の製造方法。
A method of manufacturing an electronic device according to claim 6,
In the arranging step, the plurality of electronic components are arranged on the base material so as to be separated from each other,
In the sealing step, a gap existing between the adjacent electronic components is embedded, and the electronic component is sealed with the sealing resin composition so as to cover the surfaces of all the electronic components. And
The manufacturing method of an electronic device including the individualization process which cut | disconnects the said resin composition for sealing which embedded the said gap | interval after the said sealing process, and the said base material, and separates an electronic device.
請求項6に記載の電子装置の製造方法であって、
前記配設工程において、前記基材上に複数の電子部品を配設することで、回路面を形成し、
前記封止工程において、前記回路面を覆うように前記封止用樹脂組成物を用いて封止し、
前記封止工程の後、前記基材の前記回路面を覆う前記封止用樹脂組成物、及び、前記基材を切断し、電子装置を個片化する個片化工程を含む、電子装置の製造方法。
A method of manufacturing an electronic device according to claim 6,
In the arranging step, a circuit surface is formed by arranging a plurality of electronic components on the base material,
In the sealing step, sealing with the sealing resin composition so as to cover the circuit surface,
An electronic device comprising: the sealing resin composition covering the circuit surface of the base material after the sealing step; and an individualization step of cutting the base material into individual electronic devices. Production method.
請求項6に記載の電子装置の製造方法であって、
前記基材は、剥離層を備えており、
前記配設工程において、複数の前記電子部品を、互いに離間するように前記基材の前記剥離層上に配設し、
前記封止工程において、隣接する前記電子部品の間に存在する間隙を埋設し、さらに、前記剥離層及び全ての前記電子部品の表面を覆うように前記封止用樹脂組成物を用いて前記電子部品を封止し、
前記封止工程の後、前記電子部品及び前記剥離層を覆う封止用樹脂組成物から、剥離層を剥離する剥離工程と、を含む、電子装置の製造方法。
A method of manufacturing an electronic device according to claim 6,
The substrate includes a release layer,
In the arranging step, a plurality of the electronic components are arranged on the release layer of the base material so as to be separated from each other,
In the sealing step, the gap between the adjacent electronic components is embedded, and further, the electrons are formed using the sealing resin composition so as to cover the release layer and the surfaces of all the electronic components. Sealing the parts,
After the said sealing process, the peeling process which peels a peeling layer from the resin composition for sealing which covers the said electronic component and the said peeling layer is included, The manufacturing method of an electronic device.
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