JP2018182268A - Package for mounting semiconductor laser element and semiconductor laser device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体レーザ素子搭載用パッケージおよび半導体レーザ装置に関する。 The present invention relates to a package for mounting a semiconductor laser device and a semiconductor laser device.
半導体レーザ素子（Laser Diode）は、発光ダイオード素子（Light Emitting Diode）と比較して、波長や位相が揃った光を出射できる。そのため、半導体レーザ素子は、例えば、データプロジェクタ、ホームシアター、半導体レーザテレビ等の高輝度表示機、ヘッドマウントディスプレイ、携帯プロジェクタ、ヘッドアップディスプレイ等の走査型表示機等の画像表示分野で、発光ダイオード素子に対する優位性を有するとされている。 A semiconductor laser device (Laser Diode) can emit light having a uniform wavelength and phase as compared to a light emitting diode (Light Emitting Diode). Therefore, the semiconductor laser device is a light emitting diode device in the image display field such as a data projector, a home theater, a high brightness display such as a semiconductor laser television, a head mounted display, a portable projector, a scanning type display such as a head up display. It is considered to have superiority over
半導体レーザとして、例えば、端面発光型の半導体レーザ素子、面発光型の半導体レーザ素子等がある。端面発光型の半導体レーザ素子を搭載するための半導体レーザ素子搭載用パッケージとして、例えば、端面発光型の半導体レーザ素子が搭載されたサブマウントを、ステム（基体）に搭載し、サブマウントを封止する窓付のキャップを、ステムに取り付けてなる、所謂ＴＯ−ＣＡＮ型半導体レーザ素子搭載用パッケージが知られている（たとえば、特許文献１を参照。）。 Examples of the semiconductor laser include an edge-emitting semiconductor laser device and a surface-emitting semiconductor laser device. As a package for mounting a semiconductor laser device for mounting an end surface emission type semiconductor laser device, for example, a submount on which an end surface emission type semiconductor laser device is mounted is mounted on a stem (base), and the submount is sealed There is known a package for mounting a so-called TO-CAN type semiconductor laser device in which a windowed cap is attached to a stem (see, for example, Patent Document 1).
ＴＯ−ＣＡＮ型半導体レーザ素子搭載用パッケージでは、端面発光型の半導体レーザ素子から発生した熱は、サブマウントおよびステムを介して、ステムと接触して配置された外部の放熱体に放熱される。ＴＯ−ＣＡＮ型半導体レーザ素子搭載用パッケージでは、パッケージの大型化を抑制しつつ、ステムと外部の放熱体との接触面積を増大させることが難しく、それ故、半導体レーザ素子搭載用パッケージの小型化、および高い放熱性を両立させることが困難であった。 In the TO-CAN type semiconductor laser element mounting package, the heat generated from the end face light emitting type semiconductor laser element is dissipated to the external heat radiating body disposed in contact with the stem via the submount and the stem. In the TO-CAN type semiconductor laser device mounting package, it is difficult to increase the contact area between the stem and the external heat radiating body while suppressing the increase in size of the package. Therefore, the semiconductor laser device mounting package is miniaturized. And it was difficult to make high heat dissipation compatible.
本発明の一つの態様の半導体レーザ素子搭載用パッケージは、第１面および該第１面に連続する第２面に開口する凹部を有する基体を備え、
前記凹部の内部に半導体レーザ素子が搭載される搭載部が設けられていることを特徴とする。
A package for mounting a semiconductor laser device according to one aspect of the present invention includes a base having a first surface and a recess opened in a second surface continuous with the first surface,
A mounting portion on which a semiconductor laser device is mounted is provided inside the recess.
また、本発明の一つの態様の半導体レーザ装置は、上記の半導体レーザ素子搭載用パッケージと、
前記搭載部に搭載される端面発光型の半導体レーザ素子と、
前記凹部を塞ぐように前記基体に接合される透光性の蓋体と、
を備えることを特徴とする。
Further, a semiconductor laser device according to one aspect of the present invention is a package for mounting a semiconductor laser device as described above;
An edge emitting semiconductor laser device mounted on the mounting portion;
A translucent lid joined to the base so as to close the recess;
And the like.
本発明の一つの態様の半導体レーザ素子搭載用パッケージによれば、小型で、放熱性に優れた半導体レーザ素子搭載用パッケージを提供することができる。 According to the package for mounting a semiconductor laser device of one aspect of the present invention, it is possible to provide a package for mounting a semiconductor laser device which is small and excellent in heat dissipation.
また、本発明の一つの態様の半導体レーザ装置によれば、上記の半導体レーザ素子搭載用パッケージを備えることにより、小型で、放熱性に優れた半導体レーザ装置を提供することができる。 Further, according to the semiconductor laser device of one aspect of the present invention, by providing the above-described package for mounting a semiconductor laser element, it is possible to provide a compact semiconductor laser device excellent in heat dissipation.
以下に、本発明の実施形態に係る半導体レーザ素子搭載用パッケージ（以下、パッケージとも言う）、および半導体レーザ装置について、添付の図面を参照しつつ説明する。なお、半導体レーザ素子搭載用パッケージ、および半導体レーザ装置は、いずれの方向が上方または下方とされて使用されてもよいものであるが、本明細書では、便宜的に、直交座標系（Ｘ，Ｙ，Ｚ）を定義するとともに、Ｚ軸方向の正側を上方として、上面または下面等の語を用いるものとする。 Hereinafter, a package for mounting a semiconductor laser device (hereinafter also referred to as a package) according to an embodiment of the present invention and a semiconductor laser device will be described with reference to the attached drawings. Although the package for mounting a semiconductor laser device and the semiconductor laser device may be used with either direction being upward or downward, in the present specification, for convenience, the orthogonal coordinate system (X, In addition to defining Y and Z), words such as the upper surface or the lower surface are used with the positive side in the Z-axis direction as the upper side.
図１は、本発明の第１実施形態に係る半導体レーザ素子搭載用パッケージ１を示す斜視図であり、図２は、半導体レーザ素子搭載用パッケージ１を示す平面図であり、図３は、図２の切断面線Ａ−Ａで切断した断面図である。 FIG. 1 is a perspective view showing a package 1 for mounting a semiconductor laser device according to a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a plan view showing the package 1 for mounting a semiconductor laser device, and FIG. FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line 2-2 of FIG.
第１実施形態に係る半導体レーザ素子搭載用パッケージ１は、基体２を備えている。基体２は、第１面２ａ、および第１面２ａに連続する第２面２ｂに開口する凹部３を有している。凹部３の内部には搭載部４が設けられており、搭載部４には半導体レーザ素子が搭載される。凹部３は、基体２に接合される蓋体によって塞がれる。 The semiconductor laser element mounting package 1 according to the first embodiment includes a base 2. The base 2 has a first surface 2 a and a recess 3 opened to the second surface 2 b continuous with the first surface 2 a. A mounting portion 4 is provided inside the recess 3, and a semiconductor laser element is mounted on the mounting portion 4. The recess 3 is closed by a lid joined to the base 2.
基体２は、平面視したときの形状が、例えば、矩形状、正方形状、円形状等であってもよく、その他の形状であってもよい。本実施形態では、例えば図２に示すように、基体２は、平面視したときの形状が、矩形状とされている。 The shape of the base 2 in plan view may be, for example, a rectangular shape, a square shape, a circular shape, or the like, or may be another shape. In the present embodiment, for example, as shown in FIG. 2, the shape of the base 2 in a plan view is rectangular.
凹部３の開口は、平面視したときの形状が、例えば、矩形状、正方形状、円形状等であってもよく、その他の形状であってもよい。本実施形態では、例えば図２に示すように、凹部３の開口は、平面視において、矩形状とされている。凹部３の開口の大きさは、搭載しようとする半導体レーザ素子の大きさに応じて適宜設定すればよく、例えば、半導体レーザ素子として、端面発光型の半導体レーザ素子を用いる場合、その大きさは、例えば、縦方向（Ｙ方向）長さが1,000μｍ〜8,000μｍ、横方向（Ｘ方向）長さが1,000μｍ〜8,000μｍである。また、凹部３の深さ、すなわち高さ方向（Ｚ方向）における、第１面２ａを含む仮想平面と凹部３の底面３ａとの距離は、例えば、500μｍ〜5,000μｍである。 The shape of the opening of the recess 3 in a plan view may be, for example, a rectangular shape, a square shape, a circular shape, or the like, or may be another shape. In the present embodiment, for example, as shown in FIG. 2, the opening of the recess 3 is rectangular in plan view. The size of the opening of the recess 3 may be appropriately set according to the size of the semiconductor laser device to be mounted. For example, in the case of using an edge-emitting semiconductor laser device as the semiconductor laser device, the size is For example, the length in the longitudinal direction (Y direction) is 1,000 μm to 8,000 μm, and the length in the horizontal direction (X direction) is 1,000 μm to 8,000 μm. Further, the depth of the recess 3, that is, the distance between the virtual plane including the first surface 2 a and the bottom surface 3 a of the recess 3 in the height direction (Z direction) is, for example, 500 μm to 5,000 μm.
基体２は、例えば、酸化アルミニウム質焼結体（アルミナセラミックス）、窒化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体またはガラスセラミックス焼結体等のセラミックスを用いることができる。基体２は、このようなセラミック焼結体からなる複数の絶縁層が積層されて形成されていてもよいし、所定の形状に成形できるような金型を用いて、セラミックグリーンシートを加圧することによって成形されてもよい。 As the base 2, for example, ceramics such as an aluminum oxide sintered body (alumina ceramics), an aluminum nitride sintered body, a mullite sintered body, or a glass ceramics sintered body can be used. The base 2 may be formed by laminating a plurality of insulating layers made of such a ceramic sintered body, or pressing the ceramic green sheet using a mold that can be formed into a predetermined shape. It may be formed by
基体２が、樹脂材料を用いて作製される場合は、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、ポリエステル樹脂、または四フッ化エチレン樹脂を始めとするフッ素系樹脂等を用いることができる。 When the substrate 2 is produced using a resin material, for example, an epoxy resin, a polyimide resin, an acrylic resin, a phenol resin, a polyester resin, or a fluorine-based resin such as a tetrafluoroethylene resin may be used. it can.
基体２が、例えば窒化アルミニウム質焼結体から成る場合であれば、主成分として窒化アルミニウムと、焼結助剤としてイットリア、エルビア等の原料粉末に適当な有機バインダーおよび溶剤等を添加混合して泥漿状とし、これをドクターブレード法やカレンダーロール法等によってシート状に成形してセラミックグリーンシートを得て、しかる後、セラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工を施すとともにこれを複数枚積層して基体２用の生積層体を形成し、高温（約１８００℃）で焼成することによって作製される。なお、主成分の窒化アルミニウムとは、基体２全体の質量を１００質量％とした際に、基体２中に窒化アルミニウムの質量が８０質量％以上含むことをいう。基体２中の窒化アルミニウムは９５質量％以上含有されていてもよい。窒化アルミニウムが９５質量％以上含まれていると、基体２の熱伝導率を１５０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上としやすいため、放熱性に優れた半導体レーザ素子搭載用パッケージ１とすることができる。 In the case where the substrate 2 is made of, for example, an aluminum nitride sintered body, aluminum nitride as a main component, and a raw material powder such as yttria or erbia as a sintering aid are mixed with an appropriate organic binder and solvent. A slurry is formed into a sheet shape by doctor blade method, calendar roll method or the like to obtain a ceramic green sheet, and after that, the ceramic green sheet is subjected to appropriate punching processing and a plurality of sheets are laminated to form a substrate It is made by forming a green laminate for two and firing at high temperature (about 1800 ° C.). The main component aluminum nitride means that the mass of aluminum nitride is 80 mass% or more in the base 2 when the mass of the whole base 2 is 100 mass%. The aluminum nitride in the base 2 may be contained in an amount of 95% by mass or more. When 95 mass% or more of aluminum nitride is contained, the thermal conductivity of the base 2 can be easily set to 150 W / (m · K) or more, so that the semiconductor laser element mounting package 1 having excellent heat dissipation can be obtained.
従来のＴＯ−ＣＡＮ型半導体レーザ素子搭載用パッケージは、端面発光型の半導体レーザ素子を、サブマウントを介して、ステム（基体）に搭載して、半導体レーザ素子の出射端面とステムの表面とを平行にすることによって、半導体レーザ素子から出射された光を、ステムの表面に垂直な方向に取り出している。これに対して、本実施形態の半導体レーザ素子搭載用パッケージ１は、半導体レーザ素子の出射端面を含む仮想平面が、凹部３の底面３ａに交差する場合であっても、半導体レーザ素子から出射された光を、第１面２ａおよび第２面２ｂに開口する凹部３の開口から効率的に取り出すことができる。それ故、本実施形態の半導体レーザ素子搭載用パッケージ１によれば、端面発光型の半導体レーザ素子の表面実装が可能になる。その結果、半導体レーザ素子搭載用パッケージ１の高さ方向（Ｚ方向）の寸法を低減できるため、半導体レーザ素子搭載用パッケージ１を小型化できる。 In the conventional TO-CAN type semiconductor laser device mounting package, an edge emitting type semiconductor laser device is mounted on a stem (base) via a submount, and the emission end surface of the semiconductor laser device and the surface of the stem are By making it parallel, the light emitted from the semiconductor laser element is taken out in the direction perpendicular to the surface of the stem. On the other hand, in the semiconductor laser device mounting package 1 of the present embodiment, even when the virtual plane including the emission end face of the semiconductor laser device intersects the bottom surface 3 a of the recess 3, the semiconductor laser device is emitted from the semiconductor laser device. The light can be efficiently extracted from the opening of the recess 3 opened to the first surface 2a and the second surface 2b. Therefore, according to the semiconductor laser device mounting package 1 of the present embodiment, surface mounting of the edge-emitting semiconductor laser device becomes possible. As a result, the dimension in the height direction (Z direction) of the semiconductor laser device mounting package 1 can be reduced, so that the semiconductor laser device mounting package 1 can be miniaturized.
また、本実施形態の半導体レーザ素子搭載用パッケージ１は、半導体レーザ素子が搭載される搭載部４から基体２の第４面２ｄへ短い距離で伝熱でき、効率よく外部へ放熱し易くなるため、放熱性に優れたものとなる。 Further, the semiconductor laser device mounting package 1 of the present embodiment can transfer heat from the mounting portion 4 on which the semiconductor laser device is mounted to the fourth surface 2 d of the base 2 in a short distance, and it is easy to dissipate heat to the outside efficiently. , Excellent in heat dissipation.
半導体レーザ素子搭載用パッケージ１は、半導体レーザ素子に駆動信号を供給するための接続端子を有する。接続端子は、例えば、半導体レーザ素子が搭載される搭載部４に配設されてもよい。この場合、半導体レーザ素子と接続端子とを、ボンディングワイヤ等の接続部材を用いて、容易に接続することが可能になる。 The semiconductor laser element mounting package 1 has a connection terminal for supplying a drive signal to the semiconductor laser element. The connection terminal may be disposed, for example, in the mounting portion 4 on which the semiconductor laser device is mounted. In this case, the semiconductor laser element and the connection terminal can be easily connected using a connection member such as a bonding wire.
本実施形態に係る半導体レーザ素子搭載用パッケージ１は、例えば図１，３に示すように、基体２が、第２面２ｂに連続する一対の第３面２ｃをさらに有している。基体２は、一対の第３面２ｃの一方を含む第１側壁部５と、一対の第３面２ｃの他方を含む第２側壁部６とを有している。 For example, as shown in FIGS. 1 and 3, the semiconductor laser element mounting package 1 according to the present embodiment further includes a pair of third surfaces 2 c in which the base 2 is continuous with the second surface 2 b. The base 2 has a first side wall 5 including one of the pair of third surfaces 2 c and a second side wall 6 including the other of the pair of third surfaces 2 c.
第１側壁部５は、基体２の、第１面２ａとは反対側の第４面２ｄに対して傾斜する第１傾斜部５ａを有し、第２側壁部６は、第４面２ｄに対して傾斜する第２傾斜部６ａを有している。第１傾斜部５ａおよび第２傾斜部６ａは、第４面２ｄに対して、同一の角度で傾斜している。換言すると、第１傾斜部５ａおよび第２傾斜部６ａは、第１傾斜部５ａの上面と第２傾斜部６ａの上面とが、同一平面上に位置するように構成されている。このような構成によれば、基体２の少なくとも一部において、高さ方向（Ｚ方向）の寸法を低減できるため、半導体レーザ素子搭載用パッケージ１を小型化できる。また、例えば平板状である蓋体を基体２に接合する際、蓋体と基体２との面合わせが容易になる。 The first side wall portion 5 has a first inclined portion 5 a inclined with respect to the fourth surface 2 d opposite to the first surface 2 a of the base 2, and the second side wall portion 6 is formed on the fourth surface 2 d It has the 2nd inclination part 6a which inclines with respect to it. The first inclined portion 5a and the second inclined portion 6a are inclined at the same angle with respect to the fourth surface 2d. In other words, the first inclined portion 5a and the second inclined portion 6a are configured such that the upper surface of the first inclined portion 5a and the upper surface of the second inclined portion 6a are located on the same plane. According to such a configuration, the dimension in the height direction (the Z direction) can be reduced in at least a part of the base 2, so that the semiconductor laser element mounting package 1 can be miniaturized. Further, when a flat lid, for example, is joined to the base 2, the face alignment between the lid and the base 2 is facilitated.
第１傾斜部５ａおよび第２傾斜部６ａは、例えば図１，３に示すように、基体２の、第２面２ｂとは反対側の第５面２ｅからの距離が大きくなるにつれて、基体２の底面（第４面２ｄ）からの高さが低くなるように構成されていてもよい。このような構成によれば、半導体レーザ素子から出射された光が、凹部３の内壁で散乱または吸収されることが抑制できるため、半導体レーザ素子搭載用パッケージ１の光取り出し効率を向上させることができる。 For example, as shown in FIGS. 1 and 3, the first inclined portion 5 a and the second inclined portion 6 a increase in distance from the fifth surface 2 e on the opposite side to the second surface 2 b of the substrate 2. It may be configured such that the height from the bottom surface (the fourth surface 2d) of the According to such a configuration, light emitted from the semiconductor laser element can be prevented from being scattered or absorbed by the inner wall of the recess 3, so that the light extraction efficiency of the semiconductor laser element mounting package 1 can be improved. it can.
半導体レーザ素子搭載用パッケージ１は、基体２が、搭載部４よりも第４面２ｄ側に位置し、第１傾斜部５ａと第２傾斜部６ａとを接続する第１接続部７をさらに有している。 The semiconductor laser element mounting package 1 further includes the first connection portion 7 in which the base 2 is positioned closer to the fourth surface 2 d than the mounting portion 4 and connects the first inclined portion 5 a and the second inclined portion 6 a. doing.
第１接続部７は、第４面２ｄに対して、第１傾斜部５ａおよび第２傾斜部６ａと同一の角度で傾斜している。すなわち、第１傾斜部５ａ、第２傾斜部６ａおよび第１接続部７は、それらの上面が、同一平面上に位置するように構成されている。このような構成によれば、例えば平板状である蓋体を基体２に接合する際、蓋体と基体２との面合わせが容易になる。その結果、蓋体と基体２とを精度よく位置決めすることが可能になり、ひいては、半導体レーザ素子の信頼性を向上させることができる。 The first connection portion 7 is inclined at the same angle as the first inclined portion 5 a and the second inclined portion 6 a with respect to the fourth surface 2 d. That is, the first inclined portion 5a, the second inclined portion 6a, and the first connection portion 7 are configured such that the upper surfaces thereof are located on the same plane. According to such a configuration, when joining a flat lid, for example, to the base 2, the face alignment between the lid and the base 2 is facilitated. As a result, it becomes possible to position the lid and the base 2 with high accuracy, and hence the reliability of the semiconductor laser device can be improved.
半導体レーザ素子搭載用パッケージ１は、基体２が、搭載部４よりも第１面２ａ側に位置し、第１傾斜部５ａと第２傾斜部６ａとを接続する第２接続部８をさらに有している。第２接続部８は、第４面２ｄに対して、第１傾斜部５ａおよび第２傾斜部６ａと同一の角度で傾斜している。換言すると、第１傾斜部５ａ、第２傾斜部６ａ、第１接続部７および第２接続部８は、それらの上面が、同一平面上に位置するように構成されている。このような構成によれば、例えば平板状である蓋体を基体２に接合する際に、蓋体と基体２との面合わせが容易になる。その結果、蓋体と基体２とを精度よく位置決めすることが可能になり、ひいては、半導体レーザ素子の信頼性を向上させることができる。 The semiconductor laser element mounting package 1 further includes the second connection portion 8 in which the base 2 is positioned closer to the first surface 2 a than the mounting portion 4 and connects the first inclined portion 5 a and the second inclined portion 6 a. doing. The second connection portion 8 is inclined at the same angle as the first inclined portion 5a and the second inclined portion 6a with respect to the fourth surface 2d. In other words, the first inclined portion 5a, the second inclined portion 6a, the first connection portion 7 and the second connection portion 8 are configured such that the upper surfaces thereof are located on the same plane. According to such a configuration, when bonding a flat lid, for example, to the base 2, the face alignment between the lid and the base 2 is facilitated. As a result, it becomes possible to position the lid and the base 2 with high accuracy, and hence the reliability of the semiconductor laser device can be improved.
本実施形態の半導体レーザ素子搭載用パッケージ１は、例えば図１〜３に示すように、凹部３の内部に段差部９が設けられている。段差部９は、第１面２ａの面方向（ＸＹ方向）に延びる表面９ａと、第２面２ｂの面方向（ＹＺ方向）に延び、表面９ａに連続する側面９ｂとを有している。半導体レーザが搭載される搭載部４は、段差部９の表面９ａに設けられている。なお、図１，２では、段差部９と、第１側壁部５および第２側壁部６の各々との間に隙間が形成されている例を図示しているが、段差部９は、第１側壁部５および第２側壁部６に接触するように設けられていてもよい。 For example, as shown in FIGS. 1 to 3, in the semiconductor laser element mounting package 1 of the present embodiment, a step 9 is provided inside the recess 3. The stepped portion 9 has a surface 9a extending in the surface direction (XY direction) of the first surface 2a, and a side surface 9b extending in the surface direction (YZ direction) of the second surface 2b and continuing to the surface 9a. The mounting portion 4 on which the semiconductor laser is mounted is provided on the surface 9 a of the stepped portion 9. Although FIGS. 1 and 2 illustrate an example in which a gap is formed between the step 9 and each of the first side wall 5 and the second side wall 6, the step 9 is not It may be provided to be in contact with the first side wall 5 and the second side wall 6.
上記のような、段差部９が設けられた凹部３は、基体２用のセラミックグリーンシートにレーザ加工や金型による打ち抜き加工等によって、凹部３および段差部９となる切り欠きを複数のセラミックグリーンシートに形成し、これらのセラミックグリーンシートを、切り欠きを形成していないセラミックグリーンシートに積層することで形成できる。また、基体２の厚みが薄い場合には、凹部３および段差部９となる切り欠きは、セラミックグリーンシートを積層した後、レーザ加工や金型による打ち抜き加工等によって形成すると精度よく加工できる。 As described above, the recess 3 provided with the step 9 is formed by cutting a plurality of ceramic green sheets for the base 2 into a plurality of notches that become the recess 3 and the step 9 by laser processing or punching with a die. It forms in a sheet | seat and can form these ceramic green sheets by laminating | stacking on the ceramic green sheet which has not formed the notch. When the thickness of the substrate 2 is small, the notches serving as the recessed portions 3 and the step portions 9 can be processed with high precision if they are formed by laser processing or punching with a die after laminating ceramic green sheets.
半導体レーザ素子搭載用パッケージ１は、例えば図３に示すように、基体２が、接続端子１０と、外部接続端子１１と、ビア導体１２とをさらに有している。接続端子１０、外部接続端子１１およびビア導体１２は、外部実装基板から供給される半導体レーザ素子の駆動信号が伝送される。 For example, as shown in FIG. 3, in the semiconductor laser element mounting package 1, the base 2 further includes a connection terminal 10, an external connection terminal 11, and a via conductor 12. The connection terminal 10, the external connection terminal 11, and the via conductor 12 transmit drive signals of the semiconductor laser element supplied from the external mounting substrate.
接続端子１０は、搭載部４が配設されている面と同一面である、段差部９の表面９ａに配設されている。接続端子１０と半導体レーザ素子とは、例えばボンディングワイヤによって、容易に接続することができる。本実施形態では、例えば図２に示すように、接続端子１０は、平面視したときの形状が、矩形状であり、その大きさは、例えば、縦方向（Ｙ方向）長さが50μｍ〜500μｍ、横方向（Ｘ方向）長さが50μｍ〜500μｍである。 The connection terminal 10 is disposed on the surface 9 a of the stepped portion 9 which is the same surface as the surface on which the mounting portion 4 is disposed. The connection terminal 10 and the semiconductor laser device can be easily connected by, for example, a bonding wire. In the present embodiment, for example, as shown in FIG. 2, the shape of the connection terminal 10 in a plan view is rectangular, and the size thereof is, for example, 50 μm to 500 μm in the longitudinal direction (Y direction). The length in the lateral direction (X direction) is 50 μm to 500 μm.
外部接続端子１１は、基体２の第１面２ａ、第２面２ｂ、第３面２ｃ、第４面２ｄおよび第５面２ｅのうちの、少なくとも１つの面に配設されていればよい。本実施形態では、外部接続端子１１は、例えば図３に示すように、基体２の第４面２ｄに配設されている。外部接続端子１１は、はんだ等の接合材料によって、半導体レーザ素子搭載用パッケージ１が実装される外部実装基板の接続端子と電気的に接続される。本実施形態では、例えば図２に示すように、外部接続端子１１は、平面視したときの形状が、矩形状であり、その大きさは、例えば、縦方向（Ｙ方向）長さが300μｍ〜2,000μｍ、横方向（Ｘ方向）長さが300μｍ〜2,000μｍである。 The external connection terminal 11 may be disposed on at least one of the first surface 2a, the second surface 2b, the third surface 2c, the fourth surface 2d, and the fifth surface 2e of the base 2. In the present embodiment, the external connection terminal 11 is disposed on the fourth surface 2 d of the base 2 as shown in FIG. 3, for example. The external connection terminal 11 is electrically connected to a connection terminal of an external mounting substrate on which the semiconductor laser device mounting package 1 is mounted by a bonding material such as solder. In the present embodiment, for example, as shown in FIG. 2, the shape of the external connection terminal 11 in a plan view is rectangular, and the size thereof is, for example, 300 μm to 300 μm in the longitudinal direction (Y direction). It is 2,000 micrometers and a horizontal direction (X direction) length is 300 micrometers-2,000 micrometers.
ビア導体１２は、基体２の内部に配設され、接続端子１０と外部接続端子１１とを電気的に接続する。ビア導体１２は、例えば図３に示すように、接続端子１０の直下から基体２の第４面２ｄにまで一直線状に延び、接続端子１０と外部接続端子１１とを電気的に接続してもよい。ビア導体１２の直径は、例えば、50μｍ〜200μｍである。 The via conductor 12 is disposed inside the base 2 and electrically connects the connection terminal 10 and the external connection terminal 11. For example, as shown in FIG. 3, the via conductor 12 extends in a straight line from immediately below the connection terminal 10 to the fourth surface 2 d of the base 2, and electrically connects the connection terminal 10 to the external connection terminal 11. Good. The diameter of the via conductor 12 is, for example, 50 μm to 200 μm.
接続端子１０および外部接続端子１１は、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、マンガン（Ｍｎ）、銀（Ａｇ）または銅（Ｃｕ）等の金属材料を用いることができる。例えば、基体２が窒化アルミニウム質焼結体から成る場合であれば、Ｗ、ＭｏまたはＭｎ等の高融点金属粉末に適当な有機バインダーおよび溶媒等を添加混合して得られた導体ペーストを、基体２となるセラミックグリーンシートに予めスクリーン印刷法によって所定のパターンに印刷塗布して、基体２となるセラミックグリーンシートと同時に焼成することによって、基体２の所定位置に被着形成される。ビア導体１２は、金型やパンチングによる打ち抜き加工やレーザ加工によってグリーンシートに貫通孔を形成して、この貫通孔に印刷法によって導体ペーストを充填しておくことによって形成される。 The connection terminal 10 and the external connection terminal 11 can be made of a metal material such as tungsten (W), molybdenum (Mo), manganese (Mn), silver (Ag) or copper (Cu). For example, when the substrate 2 is made of an aluminum nitride sintered body, a conductor paste obtained by adding and mixing a suitable organic binder, a solvent and the like to a high melting point metal powder such as W, Mo or Mn is used as a substrate A predetermined pattern is printed and applied in advance to the ceramic green sheet to be 2 by screen printing, and is fired simultaneously with the ceramic green sheet to be the base 2 to be deposited on the predetermined position of the base 2. The via conductor 12 is formed by forming a through hole in a green sheet by punching with a die or punching or laser processing, and filling the through hole with a conductive paste by a printing method.
接続端子１０および外部接続端子１１の露出する表面には、さらに電解めっき法または無電解めっき法によってめっき層が被着されていてもよい。めっき層は、ニッケル、銅、金または銀等の耐食性やボンディングワイヤとの接続性に優れる金属から成るものであり、厚さ1μｍ〜10μｍ程度のニッケルめっき層と0.5μｍ〜2μｍ程度の金めっき層とが順次被着されていてもよい。これによって、接続端子１０および外部接続端子１１が腐食することを効果的に抑制できるとともに、接続端子１０とボンディングワイヤとの接合や、外部接続端子１１と外部実装基板の接続端子との接合を強固にできる。なお、めっき層は、ニッケルめっき層／金メッキ層に限られるものではなく、ニッケルめっき層／パラジウムめっき層／金めっき層等を含むその他のめっき層であってもよい。 A plated layer may be further deposited on the exposed surfaces of the connection terminals 10 and the external connection terminals 11 by electrolytic plating or electroless plating. The plating layer is made of a metal excellent in corrosion resistance and connectivity with a bonding wire, such as nickel, copper, gold or silver, and is a nickel plating layer with a thickness of about 1 μm to 10 μm and a gold plating layer of about 0.5 μm to 2 μm. And may be sequentially applied. As a result, corrosion of the connection terminal 10 and the external connection terminal 11 can be effectively suppressed, and bonding between the connection terminal 10 and the bonding wire and bonding between the external connection terminal 11 and the connection terminal of the external mounting substrate are strengthened. You can The plating layer is not limited to the nickel plating layer / gold plating layer, and may be another plating layer including nickel plating layer / palladium plating layer / gold plating layer and the like.
次に、本発明の第２実施形態に係る半導体レーザ素子搭載用パッケージ１Ａについて説明する。図４は、図３に示した断面図に対応する、半導体レーザ素子搭載用パッケージ１Ａの断面図である。第２実施形態に係る半導体レーザ素子搭載用パッケージ１Ａは、第１実施形態に係る半導体レーザ素子搭載用パッケージ１に対して、第１接続部７の構成が異なっており、その他については、同様の構成であるので、同様の構成には半導体レーザ素子搭載用パッケージ１と同じ参照符号を付して詳細な説明は省略する。 Next, a semiconductor laser element mounting package 1A according to a second embodiment of the present invention will be described. FIG. 4 is a cross-sectional view of the semiconductor laser element mounting package 1A corresponding to the cross-sectional view shown in FIG. The semiconductor laser device mounting package 1A according to the second embodiment is different from the semiconductor laser device mounting package 1 according to the first embodiment in the configuration of the first connection portion 7, and the other configurations are the same. Since the configuration is the same, the same reference numeral as that of the package 1 for mounting a semiconductor laser device is given to the same configuration, and the detailed description is omitted.
本実施形態の半導体レーザ素子搭載用パッケージ１Ａは、第１接続部７が、窪み部１３を有している。窪み部１３は、例えば図４に示すように、第３面２ｃに垂直な方向（Ｙ方向）に視たときの断面形状が、Ｖ字形状である。窪み部１３は、第１内壁１３ａと第２内壁１３ｂとを有している。第１内壁１３ａは、第４面２ｄに対して、第１傾斜部５ａ、第２傾斜部６ｂ、および第２接続部８と同一の角度で傾斜している。換言すると、第１傾斜部５ａ、第２傾斜部６ｂ、第２接続部８、および第１内壁１３ａは、それらの上面が同一平面上に位置するように構成されている。第２内壁１３ｂは、第１内壁１３ａに対して傾斜している。第２内壁１３ｂの、第１内壁１３ａに対する傾斜角度は、例えば、90度〜110度である。 In the semiconductor laser element mounting package 1A of the present embodiment, the first connection portion 7 has a recess 13. For example, as shown in FIG. 4, the recess 13 has a V-shaped cross section when viewed in a direction (Y direction) perpendicular to the third surface 2c. The recess 13 has a first inner wall 13a and a second inner wall 13b. The first inner wall 13a is inclined at the same angle as the first inclined portion 5a, the second inclined portion 6b, and the second connection portion 8 with respect to the fourth surface 2d. In other words, the first inclined portion 5a, the second inclined portion 6b, the second connection portion 8, and the first inner wall 13a are configured such that the upper surfaces thereof are located on the same plane. The second inner wall 13b is inclined with respect to the first inner wall 13a. The inclination angle of the second inner wall 13b to the first inner wall 13a is, for example, 90 degrees to 110 degrees.
半導体レーザ素子搭載用パッケージ１Ａは、第１傾斜部５ａ、第２傾斜部６ｂ、第２接続部８、および第１内壁１３ａが、第４面２ｄに対して、同一の角度で傾斜していることにより、例えば板状である蓋体を基体２に接合する際、蓋体と基体２との面合わせが容易になる。その結果、蓋体と基体２とを精度よく位置決めすることが可能になり、ひいては、半導体レーザ素子の信頼性を向上させることができる。 In the semiconductor laser element mounting package 1A, the first inclined portion 5a, the second inclined portion 6b, the second connection portion 8, and the first inner wall 13a are inclined at the same angle with respect to the fourth surface 2d. Thus, for example, when the plate-like lid is bonded to the base 2, the face alignment between the lid and the base 2 is facilitated. As a result, it becomes possible to position the lid and the base 2 with high accuracy, and hence the reliability of the semiconductor laser device can be improved.
また、半導体レーザ素子搭載用パッケージ１Ａによれば、蓋体を基体２に接合する際、蓋体を第２内壁１３ｂに当接させることによって、蓋体と基体２との位置合わせを行うことが可能になる。その結果、蓋体と基体２とを精度よく位置決めすることが可能になり、ひいては、半導体レーザ素子の信頼性を向上させることができる。また、蓋体と第２内壁１３ｂとを接合すれば、蓋体と基体２との接合面積を増大させることができ、その結果、蓋体と基体２との接合を強固にできる。ひいては、半導体レーザ装置の信頼性を向上させることができる。 Further, according to the semiconductor laser element mounting package 1A, when the lid is joined to the base 2, the lid and the base 2 are aligned by bringing the lid into contact with the second inner wall 13b. It will be possible. As a result, it becomes possible to position the lid and the base 2 with high accuracy, and hence the reliability of the semiconductor laser device can be improved. Further, by bonding the lid and the second inner wall 13b, the bonding area between the lid and the base 2 can be increased, and as a result, the bonding between the lid and the base 2 can be strengthened. As a result, the reliability of the semiconductor laser device can be improved.
次に、本発明の第３実施形態に係る半導体レーザ素子搭載用パッケージ１Ｂについて説明する。図５は、図３に示した断面図に対応する、半導体レーザ素子搭載用パッケージ１Ｂの断面図である。第３実施形態に係る半導体レーザ素子搭載用パッケージ１Ｂは、第１実施形態に係る半導体レーザ素子搭載用パッケージ１に対して、外部接続端子およびビア導体の構成が異なっており、その他については、同様の構成であるので、同様の構成には半導体レーザ素子搭載用パッケージ１と同じ参照符号を付して詳細な説明は省略する。 Next, a semiconductor laser element mounting package 1B according to a third embodiment of the present invention will be described. FIG. 5 is a cross-sectional view of the semiconductor laser element mounting package 1B corresponding to the cross-sectional view shown in FIG. The semiconductor laser device mounting package 1B according to the third embodiment differs from the semiconductor laser device mounting package 1 according to the first embodiment in the configuration of the external connection terminal and the via conductor, and the other configurations are the same. The same reference numerals as those of the package 1 for mounting a semiconductor laser device are given to the similar configurations, and the detailed description will be omitted.
本実施形態の半導体レーザ素子搭載用パッケージ１Ｂでは、外部接続端子１１が、基体２の第１面２ａに配設され、ビア導体１２が、段差部９の表面９ａに配設された接続端子１０と、基体２の第１面２ａに配設された外部接続端子１１とを電気的に接続するように構成されている。 In the semiconductor laser element mounting package 1B of the present embodiment, the external connection terminal 11 is disposed on the first surface 2 a of the base 2, and the via conductor 12 is disposed on the surface 9 a of the stepped portion 9. And the external connection terminal 11 disposed on the first surface 2 a of the base 2 are electrically connected.
半導体レーザ素子搭載用パッケージ１Ｂによれば、外部接続端子１１が、半導体レーザ素子搭載用パッケージ１Ｂの上面（基体２の第１面２ａ）に配設されていることにより、外部接続端子１１と外部実装基板の接続端子とを、例えばワイヤボンディング等の接続部材によって、電気的に接続することが可能になる。その結果、半導体レーザ素子搭載用パッケージ１Ｂの、外部実装基板に対する組み付けの自由度を向上させることができる。 According to the semiconductor laser device mounting package 1B, the external connection terminal 11 and the external connection terminal 11 are provided by being disposed on the upper surface (the first surface 2a of the base 2) of the semiconductor laser device mounting package 1B. The connection terminals of the mounting substrate can be electrically connected by a connection member such as wire bonding, for example. As a result, the degree of freedom in assembling the semiconductor laser element mounting package 1B to the external mounting substrate can be improved.
次に、本発明の実施形態に係る半導体レーザ装置について説明する。 Next, a semiconductor laser device according to an embodiment of the present invention will be described.
図６（ａ）は、半導体レーザ装置の一例を示す断面図である。図６（ａ）に示した半導体レーザ装置１００は、第１実施形態の半導体レーザ素子搭載用パッケージ１と、半導体レーザ素子１４と、蓋体１５とを備えている。 FIG. 6A is a cross-sectional view showing an example of a semiconductor laser device. The semiconductor laser device 100 shown in FIG. 6A includes the semiconductor laser device mounting package 1 of the first embodiment, a semiconductor laser device 14 and a lid 15.
半導体レーザ素子１４は、半導体レーザ素子搭載用パッケージ１の搭載部４に搭載されている。半導体レーザ素子１４は、ボンディングワイヤ１６によって、表面９ａに配設された接続端子１０に電気的に接続されている。本実施形態では、半導体レーザ素子１４として、端面発光型の半導体レーザ素子１４を用いる。半導体レーザ素子１４は、例えば図６（ａ）に示すように、段差部９の表面９ａに配設された搭載部４に、光が出射する出射端面１４ａが、段差部９の表面９ａに交差するように搭載されている。 The semiconductor laser element 14 is mounted on the mounting portion 4 of the semiconductor laser element mounting package 1. The semiconductor laser element 14 is electrically connected to a connection terminal 10 disposed on the surface 9 a by a bonding wire 16. In the present embodiment, an edge emitting semiconductor laser element 14 is used as the semiconductor laser element 14. For example, as shown in FIG. 6A, in the semiconductor laser element 14, the emission end face 14a from which light is emitted intersects the surface 9a of the stepped portion 9 with the mounting portion 4 disposed on the surface 9a of the stepped portion 9. It is equipped to be.
半導体レーザ素子１４は、出射端面１４ａが、例えば図６（ａ）に示すように、段差部９の側面９ｂと面一であってもよく、出射端面１４ａが、側面９ｂよりも基体２の第２面２ｂ側に位置していてもよい。半導体レーザ素子１４から出射された光は、所定の広がり角を持って第２面２ｂ側に向かって進行する。半導体レーザ素子１４の出射端面１４ａが、段差部９の側面９ｂに対して、上記のように配置されていれば、出射端面１４ａから出射された光が表面９ａで散乱することが抑制できる。その結果、半導体レーザ装置１００の光取り出し効率を向上させることができる。 For example, as shown in FIG. 6A, the semiconductor laser element 14 may be flush with the side surface 9b of the step 9 as shown in FIG. 6A, and the emission end surface 14a may be flush with the side surface 9b. You may be located in the 2nd surface 2b side. The light emitted from the semiconductor laser element 14 travels toward the second surface 2 b with a predetermined spread angle. When the emission end face 14 a of the semiconductor laser element 14 is disposed as described above with respect to the side surface 9 b of the step portion 9, scattering of light emitted from the emission end face 14 a on the surface 9 a can be suppressed. As a result, the light extraction efficiency of the semiconductor laser device 100 can be improved.
本実施形態では、蓋体１５は、透光性を有する平板状の部材である。蓋体１５は、凹部３を塞ぐように、基体２の第１傾斜部５ａ、第２傾斜部６ａ、第１接続部７、および第２接続部８に接合されている。 In the present embodiment, the lid 15 is a flat plate-like member having translucency. The lid 15 is joined to the first inclined portion 5 a, the second inclined portion 6 a, the first connection portion 7, and the second connection portion 8 of the base 2 so as to close the recess 3.
蓋体１５を構成する透光性材料としては、例えばガラス材料、サファイア等の透明セラミック材料、または樹脂材料等を用いることができる。ガラス材料としては、ホウケイ酸ガラス、合成石英、低熱膨張ガラス、結晶化ガラス、ソーダガラス等を用いることができる。樹脂材料としては、ポリカーボネート樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂等を用いることができる。 For example, a glass material, a transparent ceramic material such as sapphire, a resin material, or the like can be used as the light-transmissive material constituting the lid 15. As the glass material, borosilicate glass, synthetic quartz, low thermal expansion glass, crystallized glass, soda glass or the like can be used. As the resin material, polycarbonate resin, unsaturated polyester resin, epoxy resin or the like can be used.
蓋体１５は、半導体レーザ素子１４から出射された光が、蓋体１５によって偏向され、外部に出射されるように構成されていればよい。蓋体１５は、半導体レーザ素子１４から出射され、蓋体１５に入射した光が、蓋体１５の外部との境界面で全反射しないように構成されていてもよい。蓋体１５を構成する透光性材料の屈折率は、例えば、1.1〜1.9である。また、半導体レーザ素子１４の出射端面１４ａと、蓋体１５の、半導体レーザ素子１４に対向する対向面１５ａとのなす角度は、例えば、20度〜70度である。 The lid 15 may be configured so that the light emitted from the semiconductor laser element 14 is deflected by the lid 15 and emitted to the outside. The lid 15 may be configured such that light emitted from the semiconductor laser element 14 and incident on the lid 15 is not totally reflected at the interface with the outside of the lid 15. The refractive index of the translucent material which comprises the cover body 15 is 1.1-1.9, for example. Further, the angle formed by the emission end face 14a of the semiconductor laser element 14 and the facing surface 15a of the lid 15 facing the semiconductor laser element 14 is, for example, 20 degrees to 70 degrees.
本実施形態の半導体レーザ装置１００によれば、小型で、放熱性に優れ、高い光取り出し効率を有する半導体レーザ装置とすることができる。 According to the semiconductor laser device 100 of the present embodiment, the semiconductor laser device can be made compact, excellent in heat dissipation, and high in light extraction efficiency.
図６（ｂ）は、半導体レーザ装置の他の例を示す断面図である。図６（ｂ）に示した半導体レーザ装置１００Ａは、第２実施形態の半導体レーザ素子搭載用パッケージ１Ａと、半導体レーザ素子１４と、蓋体１５とを備えている。半導体レーザ装置１００Ａは、半導体レーザ装置１００に対して、第１接続部７の構成が異なっており、その他については、同様の構成であるので、同様の構成には半導体レーザ装置１００と同じ参照符号を付して詳細な説明は省略する。 FIG. 6B is a cross-sectional view showing another example of the semiconductor laser device. The semiconductor laser device 100A shown in FIG. 6B includes the semiconductor laser device mounting package 1A of the second embodiment, a semiconductor laser device 14, and a lid 15. The semiconductor laser device 100A is different from the semiconductor laser device 100 in the configuration of the first connection portion 7, and the other configurations are similar to each other, so the same reference numerals as those of the semiconductor laser device 100 denote the same configurations. And the detailed description is omitted.
半導体レーザ装置１００Ａでは、蓋体１５は、第１傾斜部５ａ、第２傾斜部６ａ、窪み部１３の第１内壁１３ａおよび第２内壁１３ｂ、ならびに第２接続部８に接合されている。半導体レーザ装置１００Ａは、蓋体１５と基体２とが精度よく位置決めされたものとなり、その結果、外部に出射される光の出射方向が高精度に調整されたものとなる。したがって、半導体レーザ装置１００Ａは、小型で、放熱性に優れ、高い光取り出し効率を有する、信頼性が向上されたものとなる。 In the semiconductor laser device 100A, the lid 15 is joined to the first inclined portion 5a, the second inclined portion 6a, the first inner wall 13a and the second inner wall 13b of the depressed portion 13, and the second connection portion 8. In the semiconductor laser device 100A, the lid 15 and the base 2 are positioned with high accuracy, and as a result, the emission direction of light emitted to the outside is adjusted with high accuracy. Therefore, the semiconductor laser device 100A is small in size, excellent in heat dissipation, has high light extraction efficiency, and has improved reliability.
半導体レーザ装置は、第３実施形態の半導体レーザ素子搭載用パッケージ１Ｂと、半導体レーザ素子１４と、蓋体１５とを備えた構成であってもよい。そのような構成によれば、外部実装基板に対する組み付けの自由度が向上された半導体レーザ装置とすることができる。 The semiconductor laser device may be configured to include the semiconductor laser device mounting package 1B of the third embodiment, the semiconductor laser device 14, and the lid 15. According to such a configuration, it is possible to provide a semiconductor laser device in which the degree of freedom of assembly with respect to the external mounting substrate is improved.
図７は、半導体レーザ装置のさらに他の例を示す断面図である。図７に示した半導体レーザ装置１００Ｂは、半導体レーザ装置１００に対して、蓋体１５の構成が異なっており、その他については、同様の構成であるので、同様の構成には半導体レーザ装置１００と同じ参照符号を付して詳細な説明は省略する。 FIG. 7 is a cross-sectional view showing still another example of the semiconductor laser device. The semiconductor laser device 100B shown in FIG. 7 is different from the semiconductor laser device 100 in the configuration of the cover 15, and the other configurations are similar to each other. The same reference numerals are given and the detailed description is omitted.
半導体レーザ装置１００Ｂは、蓋体１５が、半導体レーザ素子１４に対向する対向面１５ａに形成された光学部材１７を有している。光学部材１７は、半導体レーザ素子１４から出射された光を、屈折、全反射等の光学作用により、所望の方向に偏向させるものであればよく、第３面２ｃに垂直な方向（Ｙ方向）に視たときの断面形状は、例えば、三角形状、半円形状等であってもよく、その他の形状であってもよい。本実施形態では、光学部材１７は、図７に示すように、Ｙ方向に視たときの断面形状が、三角形状である。このような光学部材１７によれば、例えば、半導体レーザ素子１４から水平方向（ＸＹ方向）に出射された光を、垂直方向（Ｚ軸方向）に偏向することができる。 The semiconductor laser device 100 </ b> B has an optical member 17 in which the lid 15 is formed on the facing surface 15 a facing the semiconductor laser element 14. The optical member 17 may be any one as long as it deflects the light emitted from the semiconductor laser element 14 in a desired direction by optical action such as refraction and total reflection, etc. The direction perpendicular to the third surface 2 c (Y direction) For example, the cross-sectional shape when viewed in the form may be triangular, semicircular, or the like, or may be another shape. In the present embodiment, as shown in FIG. 7, the cross-sectional shape of the optical member 17 when viewed in the Y direction is triangular. According to such an optical member 17, for example, light emitted in the horizontal direction (XY direction) from the semiconductor laser element 14 can be deflected in the vertical direction (Z-axis direction).
半導体レーザ装置１００Ｂによれば、端面発光型の半導体レーザ素子１４を、段差部９の表面９ａに配設された搭載部４に表面実装する構成であっても、面発光型の半導体レーザ素子を表面９ａに搭載した場合と同様に、表面９ａに交差する方向に光を出射することが可能になる。前述したように、端面発光型の半導体レーザ素子１４は、面発光型の半導体レーザ素子に比べて、波長や位相が揃った光を出射できる。すなわち、半導体レーザ装置１００Ｂは、波長や位相が揃った光を、半導体レーザ素子が搭載された表面に垂直な方向に出射できるものとなる。 According to the semiconductor laser device 100B, the surface-emitting type semiconductor laser device can be obtained even if the edge-emitting type semiconductor laser device 14 is mounted on the mounting portion 4 disposed on the surface 9a of the stepped portion 9. As in the case of mounting on the surface 9a, it becomes possible to emit light in the direction intersecting the surface 9a. As described above, the edge-emitting semiconductor laser device 14 can emit light having the same wavelength and phase as compared with the surface-emitting semiconductor laser device. That is, the semiconductor laser device 100B can emit the light having the same wavelength and phase in the direction perpendicular to the surface on which the semiconductor laser element is mounted.
なお、光学部材１７は、蓋体１５とは異なる透光性材料を用いて作製されてもよく、蓋体１５と同じ透光性材料を用いて、蓋体１５と一体的に形成されてもよい。蓋体１５と光学部材１７とを同じ透光性材料を用いて一体的に形成する場合、蓋体１５の熱膨張係数と光学部材１７の熱膨張係数とを等しくすることができる。その結果、蓋体１５と光学部材１７との間における熱応力を軽減し、光学部材１７の蓋体１５からの剥離、光学部材１７のクラック等を抑制できる。 The optical member 17 may be manufactured using a translucent material different from the lid 15, or may be integrally formed with the lid 15 using the same translucent material as the lid 15. Good. When the lid 15 and the optical member 17 are integrally formed using the same translucent material, the thermal expansion coefficient of the lid 15 and the thermal expansion coefficient of the optical member 17 can be equalized. As a result, thermal stress between the lid 15 and the optical member 17 can be reduced, and peeling of the optical member 17 from the lid 15, cracking of the optical member 17, and the like can be suppressed.
以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明は上述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において、種々の変更、改良等が可能である。 As mentioned above, although the embodiment of the present invention was described in detail, the present invention is not limited to the above-mentioned embodiment, and various change, improvement, etc. are possible in the range which does not deviate from the gist of the present invention. is there.
上記実施形態では、基体２がセラミック材料または樹脂材料から作製される場合について説明したが、基体は、例えば、金属材料を用いて作製されてもよい。基体を構成する金属材料としては、例えば、Ｃｕ−Ｗ合金、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−Ｍｎ合金等を用いることができる。基体をＣｕ−Ｗ合金を用いて作製すれば、基体の熱伝導率を１８０Ｗ／（ｍ・Ｋ）程度にすることができるため、半導体レーザ装置の放熱性を向上させることができる。なお、基体を金属材料により構成する場合、半導体レーザ素子は、ガラス材料またはセラミック材料からなる絶縁部材を介して、搭載部に搭載すればよい。また、半導体レーザ素子と外部実装基板の接続端子とは、接続端子１０、外部接続端子１１およびビア導体１２に代わって、例えば、基体を貫通する端子ピンまたは配線導体によって電気的に接続することができる。この場合、端子ピンの一端または配線導体の一端と半導体レーザ素子とを、ボンディングワイヤ等の接続部材によって電気的に接続し、端子ピンの他端または配線導体の他端と外部実装基板の接続端子とを電気的に接続すればよい。基体と端子ピンとの間は、ガラス材料またはセラミック材料からなる絶縁部材を用いて絶縁すればよい。また、配線導体は入出力端子に設けられており、入出力端子は、基体の内外を導通する配線導体が設けられた、セラミック材料からなる矩形状の平板部および平板部の上面に配線導体の一部を間に挟んで接合された、セラミック材料からなる立壁部とからなり、基体を貫通するように設ければよい。 Although the said embodiment demonstrated the case where the base | substrate 2 was produced from a ceramic material or resin material, a base | substrate may be produced, for example using a metal material. As a metal material which comprises a base | substrate, a Cu-W alloy, a Fe-Ni-Co alloy, a Fe-Mn alloy etc. can be used, for example. If the substrate is manufactured using a Cu-W alloy, the thermal conductivity of the substrate can be set to about 180 W / (m · K), so the heat dissipation of the semiconductor laser device can be improved. When the substrate is made of a metal material, the semiconductor laser device may be mounted on the mounting portion via an insulating member made of a glass material or a ceramic material. The semiconductor laser element and the connection terminal of the external mounting substrate may be electrically connected by, for example, a terminal pin or a wiring conductor penetrating the base, instead of the connection terminal 10, the external connection terminal 11, and the via conductor 12. it can. In this case, one end of the terminal pin or one end of the wiring conductor and the semiconductor laser element are electrically connected by a connection member such as a bonding wire, and the other end of the terminal pin or the other end of the wiring conductor and the connection terminal of the external mounting substrate And should be electrically connected. The base and the terminal pin may be insulated using an insulating member made of a glass material or a ceramic material. The wiring conductor is provided on the input / output terminal, and the input / output terminal is provided on the rectangular flat plate portion made of ceramic material and on the upper surface of the flat plate portion provided with the wiring conductor for conducting the inside and outside of the base. It may be a standing wall portion made of a ceramic material joined with a part interposed therebetween and provided so as to penetrate the base.
１ 半導体レーザ素子搭載用パッケージ
１Ａ 半導体レーザ素子搭載用パッケージ
１Ｂ 半導体レーザ素子搭載用パッケージ
２ 基体
２ａ 第１面
２ｂ 第２面
２ｃ 第３面
２ｄ 第４面
２ｅ 第５面
３ 凹部
３ａ 底面
４ 搭載部
５ 第１側壁部
５ａ 第１傾斜部
６ 第２側壁部
６ａ 第２傾斜部
６ｂ 第２傾斜部
７ 第１接続部
８ 第２接続部
９ 段差部
９ａ 表面
９ｂ 側面
１０ 接続端子
１１ 外部接続端子
１２ ビア導体
１３ 窪み部
１３ａ 第１内壁
１３ｂ 第２内壁
１４ 半導体レーザ素子
１４ａ 出射端面
１５ 蓋体
１５ａ 対向面
１６ ボンディングワイヤ
１７ 光学部材
１００ 半導体レーザ装置
１００Ａ 半導体レーザ装置
１００Ｂ 半導体レーザ装置
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 package for mounting a semiconductor laser device 1A package for mounting a semiconductor laser device 1B package for mounting a semiconductor laser device 2 base 2a first surface 2b second surface 2c third surface 2d fourth surface 2e fifth surface 3 recess 3a bottom surface 4 mounting portion 5 first side wall portion 5a first inclined portion 6 second side wall portion 6a second inclined portion 6b second inclined portion 7 first connection portion 8 second connection portion 9 stepped portion 9a front surface 9b side surface 10 connection terminal 11 external connection terminal 12 Via conductor 13 recessed portion 13a first inner wall 13b second inner wall 14 semiconductor laser element 14a emission end face 15 lid 15a facing surface 16 bonding wire 17 optical member 100 semiconductor laser device 100A semiconductor laser device 100B semiconductor laser device
Claims (9)
前記凹部の内部に半導体レーザ素子が搭載される搭載部が設けられていることを特徴とする半導体レーザ素子搭載用パッケージ。 A substrate having a first surface and a recess opening in a second surface continuous with the first surface;
A package for mounting a semiconductor laser device, wherein a mounting portion for mounting a semiconductor laser device is provided inside the recess.
前記第１側壁部および前記第２側壁部は、前記基体の、前記第１面とは反対側の第４面に対して同一の角度で傾斜する、第１傾斜部および第２傾斜部をそれぞれ有していることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ素子搭載用パッケージ。 The base includes a pair of third surfaces continuous with the second surface, a first side wall including one of the pair of third surfaces, and a second side wall including the other of the pair of third surfaces. Have,
The first side wall portion and the second side wall portion are respectively a first inclined portion and a second inclined portion which are inclined at the same angle with respect to a fourth surface of the base opposite to the first surface. The package for mounting a semiconductor laser device according to claim 1, characterized in that
前記窪み部は、前記第４面に対して、前記第１傾斜部および前記第２傾斜部と同一の角度で傾斜する内壁を有していることを特徴とする請求項３に記載の半導体レーザ素子搭載用パッケージ。 The connection portion has a recess portion,
4. The semiconductor laser according to claim 3, wherein the recessed portion has an inner wall which is inclined at the same angle as the first inclined portion and the second inclined portion with respect to the fourth surface. Device mounting package.
前記搭載部は、前記段差部の、前記第１面側の表面に配設されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体レーザ素子搭載用パッケージ。 The substrate has a stepped portion provided inside the recess,
The semiconductor laser element mounting package according to any one of claims 1 to 5, wherein the mounting portion is disposed on a surface on the first surface side of the step portion.
前記搭載部に搭載される端面発光型の半導体レーザ素子と、
前記凹部を塞ぐように前記基体に接合される透光性の蓋体と、
を備えることを特徴とする半導体レーザ装置。 A package for mounting a semiconductor laser device according to any one of claims 1 to 6,
An edge emitting semiconductor laser device mounted on the mounting portion;
A translucent lid joined to the base so as to close the recess;
What is claimed is: 1. A semiconductor laser device comprising:
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