JP2018182175A - パワー半導体モジュール - Google Patents
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Abstract
【課題】パワー半導体モジュールの小型化を図るとともに、位置決め治具を用いることなく冷却器に対する絶縁基板の位置決めをすること。【解決手段】パワー半導体モジュール10は、冷却器20と、前記冷却器20に実装される絶縁基板30とを含む。前記絶縁基板30は、電気絶縁性を有した絶縁層31と、前記絶縁層31の第1の面31aに設けられた第1の金属層32と、前記絶縁層31の第2の面31bに設けられた第2の金属層33とからなる。前記第2の金属層33には、少なくとも1個の半導体素子41が実装されている。前記冷却器20は、前記絶縁基板30が実装される側の実装表面21に凹部22を有する。前記凹部22に前記第1の金属層32が嵌め込まれて位置している。【選択図】図1
Description
本発明は、パワー半導体モジュールの改良技術に関する。
近年、大電流、高電圧の環境下であっても動作可能なパワー半導体モジュールが、様々な分野で用いられるようになってきている。この種のパワー半導体モジュールの技術が種々提案されてきた(例えば、特許文献1)。
特許文献1で知られているパワー半導体モジュールは、平板状の金属製ベース板(冷却器に相当)と、この金属製ベース板に実装される絶縁基板及びケースとを備える。絶縁基板は、セラミック板と、このセラミック板の下面に設けられた金属製の放熱板と、セラミック板の上面に設けられた金属製の回路板とからなる。放熱板は、ハンダ層によって金属製ベース板に実装されている。回路板には、ハンダ層によって半導体チップ(半導体素子に相当)が実装されている。絶縁基板及び半導体チップは、ケースに収容されている。ケースの内部はゲルによって封止されている。このように、半導体チップ及びケースは、金属製ベース板に実装されている。
しかし、特許文献1で知られているパワー半導体モジュールは、単に平板状の金属製ベース板の上面に絶縁基板を実装し、この絶縁基板の上面に半導体チップを実装する構成である。このため、金属製ベース板から半導体チップまでの高さが比較的高い。パワー半導体モジュールの小型化を図るには、改良の余地がある。また、絶縁基板は、金属製ベース板に対して正確に位置決めできることが求められる。そのためには、何等かの位置決め治具を用いる必要がある。
本発明は、パワー半導体モジュールの小型化を図るとともに、位置決め治具を用いることなく冷却器に対する絶縁基板の位置決めをすることができる技術を提供することを課題とする。
請求項1に係る発明は、冷却器と、前記冷却器に実装される絶縁基板とを含み、前記絶縁基板は、電気絶縁性を有した絶縁層と、前記絶縁層の第1の面に設けられた第1の金属層と、前記絶縁層の第2の面に設けられた第2の金属層とからなり、前記第2の金属層に少なくとも1個の半導体素子が実装されたパワー半導体モジュールにおいて、
前記冷却器は、前記絶縁基板が実装される側の実装表面に凹部を有し、前記凹部に前記第1の金属層が嵌め込まれて位置していることを特徴とする。
前記冷却器は、前記絶縁基板が実装される側の実装表面に凹部を有し、前記凹部に前記第1の金属層が嵌め込まれて位置していることを特徴とする。
請求項2に係る発明では、前記凹部の底面及び内周面と、前記第1の金属層の底面及び外周面との間には、ハンダ層が介在しており、前記第1の金属層の底面及び外周面は、前記凹部の底面及び内周面に位置する前記ハンダ層を介して実装されていることを特徴とする。
請求項3に係る発明では、前記凹部は、前記凹部の底面から開口へ向かって突出した突起部を有し、前記突起部の先端面は、前記凹部の底面に対する前記第1の金属層の平行度を規定していることを特徴とする。
請求項4に係る発明では、前記パワー半導体モジュールを、前記半導体素子側から前記冷却器側へ向かって見たときに、前記凹部の輪郭は、矩形であり、前記第1の金属層の輪郭は、矩形であるとともに、前記矩形の四隅に切欠き部を有していることを特徴とする。
請求項1に係る発明では、凹部に第1の金属層を嵌め込んだ分、冷却器の実装表面から第2の金属層までの高さを低くすることができる。この結果、パワー半導体モジュールの小型化を図ることができる。また、凹部に第1の金属層を嵌め込むことによって、位置決め治具を用いることなく、冷却器に対する絶縁基板の位置決めを正確に且つ容易に行うことができる。
請求項2に係る発明では、絶縁基板から冷却器へ放熱する放熱経路は、第1の金属層の底面からハンダ層を介して凹部の底面へ放熱する第1放熱経路と、第1の金属層の外周面からハンダ層を介して凹部の内周面へ放熱する第2放熱経路の、2経路ある。絶縁基板から冷却器へ放熱する放熱面積は、第2放熱経路を有する分だけ増大する。この結果、パワー半導体モジュールの放熱性を高めることができる。
請求項3に係る発明では、突起部の先端面に第1の金属層を重ねるだけで、凹部の底面に対して第1の金属層を平行になるように容易に且つ確実に位置決めをすることができる。例えば、溶融ハンダを充填した凹部に第1の金属層を嵌め込んだ場合であっても、凹部の底面に対して第1の金属層を平行になるように、確実に位置決めをすることができる。
請求項4に係る発明では、溶融ハンダを充填した凹部に第1の金属層を嵌め込んだ、実装初期の時点では、第1の金属層は溶融ハンダの上に浮いた状態となる。この状態において、第1の金属層は、矩形の四隅にそれぞれ切欠き部を有しているので、単なる矩形である場合に比べて、溶融ハンダの表面張力が働きやすい。このため、第1の金属層の外周面と凹部の内周面との間に入り込んだ、溶融ハンダの表面張力によって、第1の金属層を凹部の中心に寄せやすくなる。この結果、冷却器に対する絶縁基板の位置決めを、より正確に行うことができる。
本発明を実施するための形態を添付図に基づいて以下に説明する。
実施例に係るパワー半導体モジュールについて図面に基づき説明する。
図1(a)は、パワー半導体モジュールの断面図である。図1(b)は、図1(a)に示されるパワー半導体モジュールの分解図である。
図1(a)、(b)に示されるように、パワー半導体モジュール10は、冷却器20と、この冷却器20に実装される絶縁基板30と、この絶縁基板30に実装される半導体素子41とを有している、いわゆる電子回路ユニットである。
冷却器20は、アルミニウム合金等の金属製の平面視矩形状の部材であって、例えばダイキャスト品からなる。この冷却器20は、絶縁基板30が実装される側の平坦な実装表面21と、この実装表面21に形成されてなる凹部22とを有する。この実装表面21は、凹部22の開口22a側の端面である。パワー半導体モジュール10を、半導体素子41側から冷却器20側へ向かって(矢印Ia方向へ)見たときに、つまり実装表面21側から見て、凹部22の輪郭は矩形である。凹部22の底面22bは、実装表面21に対して平行な平坦面である。
絶縁基板30は、平面視矩形状の部材であり、電気絶縁性を有した絶縁層31と、この絶縁層31の第1の面31aに設けられた第1の金属層32と、絶縁層31の第2の面31bに設けられた第2の金属層33とからなる。
絶縁層31は、凹部22の開口22a全体を覆うことが可能な大きさの、平面視矩形状の平板であり、例えばセラミック板からなる。この絶縁層31の第1の面31aは、冷却器20の実装表面21に向かい合っている。第1の金属層32は、アルミニウム合金や銅合金等の金属製の平面視矩形状の平板であり、絶縁層31の第1の面31aに接合されている。この第1の金属層32の輪郭の大きさは、絶縁層31の輪郭の大きさよりも小さい。この第1の金属層32は、凹部22に嵌め込まれて位置している。第2の金属層33は、アルミニウム合金や銅合金等の金属製の平面視矩形状の平板であり、絶縁層31の第2の面31bに接合されている。
この第2の金属層33には、少なくとも1個の半導体素子41がハンダ層42によって実装されている。この半導体素子41は、IGBT等の発熱性が高いパワー半導体を含んでいる。
以上の説明から明らかなように、凹部22に第1の金属層32を嵌め込んだ分、冷却器20の実装表面21から第2の金属層33までの高さを低くすることができる。この結果、パワー半導体モジュール10の小型化を図ることができる。また、凹部22に第1の金属層32を嵌め込むことによって、位置決め治具を用いることなく、冷却器20に対する絶縁基板30の位置決めを正確に且つ容易に行うことができる。
図1(a)に示されるように、凹部22の底面22b及び内周面22cと、第1の金属層32の底面32a及び外周面32bとの間には、ハンダ層43が介在している。第1の金属層32の底面32a及び外周面32bは、凹部22の底面22b及び内周面22cに位置するハンダ層43を介して実装されている。
この結果、絶縁基板30から冷却器20へ放熱する放熱経路は、第1の金属層32の底面32aからハンダ層43を介して凹部22の底面22bへ放熱する第1放熱経路と、第1の金属層32の外周面32bからハンダ層43を介して凹部22の内周面22cへ放熱する第2放熱経路の、2経路ある。絶縁基板30から冷却器20へ放熱する放熱面積は、第2放熱経路を有する分だけ増大する。この結果、パワー半導体モジュール10の放熱性を高めることができる。
ハンダ層43による実装方法については、例えば次のように実施する。先ず、図1(b)に示されるように、凹部22に溶融ハンダ44を予め設定された所定量だけ充填する。次に、凹部22に第1の金属層32を嵌め込む。この結果、凹部22内の溶融ハンダ44は第1の金属層32によって押し出され、凹部22の開口22aまたは開口22a付近まで上昇した後に固まり、図1(a)に示されるハンダ層43となる。このため、第1の金属層32の底面32a及び外周面32bは、凹部22の底面22b及び内周面22cに位置するハンダ層43を介して実装される。
このように、溶融ハンダ44を予め所定量だけ充填した凹部22に、第1の金属層32を嵌め込むだけで、溶融ハンダ44を第1の金属層32の外周面32bと凹部22の内周面22cとの間に、且つ凹部22の開口22aまで充填することができる。従来の冷却器のように平坦な実装面に第1の金属層を溶融ハンダによって実装する構造と違い、溶融ハンダが冷却器と第1の金属層との間から流れ出さないように、抑制することができる。しかも、この溶融ハンダ44が固化することによって、冷却器20に対する絶縁基板30及び半導体素子41の最終的な位置決め、固定をして、確実に実装することができる。
<変形例1>
変形例1のパワー半導体モジュール10Aを図1(c)を参照しつつ説明する。図1(c)は、変形例1のパワー半導体モジュール10Aの要部を拡大した断面構造を示し、上記図1(a)に対応している。
変形例1のパワー半導体モジュール10Aを図1(c)を参照しつつ説明する。図1(c)は、変形例1のパワー半導体モジュール10Aの要部を拡大した断面構造を示し、上記図1(a)に対応している。
変形例1のパワー半導体モジュール10Aは、図1(a)、(b)に示される冷却器20を、図1(c)に示される冷却器20Aに変更したことを特徴とし、その他の構成は、上記図1(a)、(b)に示されるパワー半導体モジュール10と同じである。
詳しく述べると、変形例1の冷却器20Aは、凹部22の開口22aの縁にハンダ逃げ部50を有している。このハンダ逃げ部50は、実装表面21に形成されてなる浅い環状の空間部であり、凹部22の開口22aを全体にわたって囲っている。このハンダ逃げ部50は、開口22aに対し、全周にわたって開放している。このハンダ逃げ部50の外径は、絶縁層31の外径よりも大きい。
上記図1(b)に示されるように、溶融ハンダ44が充填されている凹部22に対して、第1の金属層32を嵌め込んだ際に、溶融ハンダ44は第1の金属層32によって押し出され、凹部22の開口22aまで上昇する。凹部22に充填する溶融ハンダ44の充填量が多い場合には、開口22aから周囲へ流出し得る。この流出した溶融ハンダ44は、絶縁層31の第2の面31bへ裏回りすると、第2の金属層33に接触する心配がある。
これに対して変形例1では、図1(c)に示されるように、実装表面21にハンダ逃げ部50を有している。このため、開口22aから周囲へ流出した溶融ハンダ44は、ハンダ逃げ部50へ流れ込む。つまり、流出した溶融ハンダ44をハンダ逃げ部50へ逃がすことができる。従って、流出した溶融ハンダ44が、絶縁層31の第2の面31bへ裏回りすることはない。凹部22に充填する溶融ハンダ44の充填量を、厳密に管理する必要がないので、管理工数を抑制することができる。
変形例1の、その他の作用、効果は、上記図1(a)、(b)に示される実施例のパワー半導体モジュール10の作用、効果と実質的に同じである。
<変形例2>
変形例2のパワー半導体モジュール10Bを図2(a)、(b)を参照しつつ説明する。図2(a)は、変形例2のパワー半導体モジュール10Bの断面図であり、上記図1(c)に対応している。図2(b)は、図2(a)に示されるパワー半導体モジュール10Bの分解図である。
変形例2のパワー半導体モジュール10Bを図2(a)、(b)を参照しつつ説明する。図2(a)は、変形例2のパワー半導体モジュール10Bの断面図であり、上記図1(c)に対応している。図2(b)は、図2(a)に示されるパワー半導体モジュール10Bの分解図である。
変形例2のパワー半導体モジュール10Bは、変形例1の更なる変形例であり、図1(c)に示される冷却器20Aを、図2(a)、(b)に示される冷却器20Bに変更したことを特徴とし、その他の構成は、上記図1(c)に示されるパワー半導体モジュール10Aと同じである。
詳しく述べると、変形例2の冷却器20Bは、凹部22に少なくとも1つの突起部60を有する。この突起部60は、凹部22の底面22bから開口22aへ向かって突出している。突起部60の先端面60aは、凹部22の底面22bに対して平行な平坦面であり、凹部22の底面22bに対する第1の金属層32の平行度を規定している。
突起部60の先端面60aに第1の金属層32を重ねるだけで、凹部22の底面22bに対して第1の金属層32を平行になるように容易に且つ確実に位置決めをすることができる。例えば、溶融ハンダ44を充填した凹部22に第1の金属層32を嵌め込んだ場合であっても、凹部22の底面22bに対して第1の金属層32を平行になるように、確実に位置決めをすることができる。この場合に、溶融ハンダ44は、突起部60の先端面60aと第1の金属層32の底面32aとの間に、若干介在し得る。
変形例2の、その他の作用、効果は、上記図1(a)、(b)に示される実施例のパワー半導体モジュール10の作用、効果と実質的に同じである。なお、変形例2では、ハンダ逃げ部50の有無は任意である。
<変形例3>
変形例3のパワー半導体モジュール10Cを図3(a)〜(d)を参照しつつ説明する。図3(a)は、冷却器20と絶縁基板30Cとを分解した図であり、図1(b)に対応している。つまり、図3(a)は、溶融ハンダ44を充填した凹部22に対して第1の金属層32Cを嵌め込む前の構成を示している。図3(b)は、溶融ハンダ44を充填した凹部22に対して第1の金属層32Cを嵌め込む過程を示す図である。図3(c)は、図3(b)のc−c線に沿った断面図である。図3(d)は、パワー半導体モジュール10Cの断面図であり、図1(a)に対応している。
変形例3のパワー半導体モジュール10Cを図3(a)〜(d)を参照しつつ説明する。図3(a)は、冷却器20と絶縁基板30Cとを分解した図であり、図1(b)に対応している。つまり、図3(a)は、溶融ハンダ44を充填した凹部22に対して第1の金属層32Cを嵌め込む前の構成を示している。図3(b)は、溶融ハンダ44を充填した凹部22に対して第1の金属層32Cを嵌め込む過程を示す図である。図3(c)は、図3(b)のc−c線に沿った断面図である。図3(d)は、パワー半導体モジュール10Cの断面図であり、図1(a)に対応している。
変形例3のパワー半導体モジュール10Cは、図1(a)、(b)に示される絶縁基板30の第1の金属層32を、図3(a)〜(d)に示される絶縁基板30Cの第1の金属層32Cに変更したことを特徴とし、その他の構成は、上記図1(a)、(b)に示されるパワー半導体モジュール10と同じである。
詳しく述べると、変形例3のパワー半導体モジュール10Cを、半導体素子41側から冷却器20側へ向かって(矢印Ia方向へ)見たときに、第1の金属層32Cの輪郭は、矩形であるとともに、この矩形の四隅にそれぞれ切欠き部32nを有している。これに対し、パワー半導体モジュール10Cを矢印Ia方向に見たときに、冷却器20の凹部22の輪郭は矩形である。
次に、冷却器20に絶縁基板30Cを実装する過程について説明する。図3(a)、(b)に示されるように、溶融ハンダ44を充填した凹部22に対して、第1の金属層32Cを嵌め込む、つまり凹部22に絶縁基板30Cを実装する。この実装初期の時点では、第1の金属層32Cは溶融ハンダ44の上に浮いた状態となる(第1の金属層32Cの一部が、溶融ハンダ44に浸かっている状態を含む)。この状態において、第1の金属層32Cは、矩形の四隅にそれぞれ切欠き部32nを有しているので、単なる矩形である場合に比べて、溶融ハンダ44の表面張力が働きやすい。このため、図3(b)、(c)に示されるように、第1の金属層32Cの外周面32bと凹部22の内周面22cとの間に入り込んだ、溶融ハンダ44の表面張力によって、第1の金属層32Cを凹部22の中心に寄せやすくなる。この結果、冷却器20に対する絶縁基板30Cの位置決めを、より正確に行うことができる。
同時に、凹部22内の溶融ハンダ44は第1の金属層32によって押し出され、凹部22の開口22aまたは開口22a付近まで上昇した後に固まり、図3(d)に示されるハンダ層43となる。このため、第1の金属層32Cの底面32a及び外周面32bは、凹部22の底面22b及び内周面22cに、ハンダ層43によって実装される。
変形例3の、その他の作用、効果は、上記図1(a)、(b)に示される実施例のパワー半導体モジュール10の作用、効果と実質的に同じである。なお、変形例3では、図1(c)に示されるハンダ逃げ部50の有無は任意である。
なお、上記図1(a)、(b)に示される実施例のパワー半導体モジュール10では、ハンダ層43は、凹部22に充填された溶融ハンダ44の固化による構成に限定されるものではなく、例えば凹部22に配置した板ハンダ(板ハンダ材)によって構成してもよい。その場合には、ハンダ層43は、凹部22の底面22b及び内周面22cと、第1の金属層32の底面32a及び外周面32bと、の間に設置された板ハンダによって構成される。
本発明は、車両に搭載されるパワー半導体モジュールに好適である。
10,10A〜10C…パワー半導体モジュール、20,20A,20B…冷却器、21…冷却器の実装表面、22…凹部、22a…凹部の開口、22b…凹部の底面、22c…凹部の内周面、30,30C…絶縁基板、31…絶縁層、31a…絶縁層の第1の面、31b…絶縁層の第2の面、32,32C…第1の金属層、32a…第1の金属層の底面、32b…第1の金属層の外周面、32n…切欠き部、33…第2の金属層、41…半導体素子、43…ハンダ層、44…溶融ハンダ、60…突起部、60a…突起部の先端面。
Claims (4)
- 冷却器と、前記冷却器に実装される絶縁基板とを含み、
前記絶縁基板は、電気絶縁性を有した絶縁層と、前記絶縁層の第1の面に設けられた第1の金属層と、前記絶縁層の第2の面に設けられた第2の金属層とからなり、
前記第2の金属層に少なくとも1個の半導体素子が実装されたパワー半導体モジュールにおいて、
前記冷却器は、前記絶縁基板が実装される側の実装表面に凹部を有し、
前記凹部に前記第1の金属層が嵌め込まれて位置していることを特徴とするパワー半導体モジュール。 - 前記凹部の底面及び内周面と、前記第1の金属層の底面及び外周面との間には、ハンダ層が介在しており、
前記第1の金属層の底面及び外周面は、前記凹部の底面及び内周面に位置する前記ハンダ層を介して実装されていることを特徴とする請求項1に記載のパワー半導体モジュール。 - 前記凹部は、前記凹部の底面から開口へ向かって突出した突起部を有し、
前記突起部の先端面は、前記凹部の底面に対する前記第1の金属層の平行度を規定していることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のパワー半導体モジュール。 - 前記パワー半導体モジュールを、前記半導体素子側から前記冷却器側へ向かって見たときに、
前記凹部の輪郭は、矩形であり
前記第1の金属層の輪郭は、矩形であるとともに、前記矩形の四隅に切欠き部を有していることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載のパワー半導体モジュール。
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