JP2018181716A - イオンビーム装置 - Google Patents
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Abstract
Description
以下では本発明の理解を容易にするため、まず本発明の基本的原理について説明する。その後に本発明の実施形態に係るイオンビーム装置の具体的構成について図面を用いて説明する。
図1は、本発明の実施形態1に係るガス電界電離イオン源1の構成を示す側断面図である。ガス電界電離イオン源1は、エミッタ電極(エミッタティップ)11、引出電極13、冷凍機4、真空チャンバ17、真空排気装置16、ガス供給部(ガス導入機構)37、高電圧電源111、を備える。エミッタ電極11は、針状の先端を持つ。引出電極13は、エミッタ電極11と対向する位置に開口を有する。冷凍機4は、エミッタ電極11を冷却する。冷凍機4は冷凍機本体41を有し、冷凍機本体41は1stステージ412と2ndステージ413を有する。真空チャンバ17は、エミッタ電極11/引出電極13/1stステージ412/2ndステージ413を収容する。真空排気装置16は、真空チャンバ17を真空排気する。ガス供給部37は、真空チャンバ17内部に水素ガスを含むガスを供給する。高電圧電源111は、エミッタ電極11と引出電極13の間に電圧を印加してエミッタ電極11の先端近傍にガスを正イオン化する電界を形成する。各電極の電圧を独立に制御することにより、イオンビームの加速とイオン化電界を形成するための引出電圧を独立に制御できるようにしてもよい。
図3Aは、エミッタティップ11の先端部を拡大した様子を示す側面図である。図3Aにおいて、エミッタティップ11の先端5は原子1個で終端されている。符号151はプローブ電流、符号152はビーム制限開き角、符号153は光軸を示す。プローブ電流151は、ガス電界電離イオン源1から引き出されるイオンビーム15をある一定の放射角で制限したものである。
本実施形態1に係るガス電界電離イオン源1は、H3+イオンビームを主に放出する引出電圧と、それ以外のイオンビームを主に放出する引出電圧とを切り替える。引出電圧の切り替えは短時間でできるので、例えばGFIS−SIMにおける試料観察と試料加工を短時間で切り替えることができる。さらには、H3+イオンビームはガス混合による影響が小さいので、観察画像の品質劣化を抑制できる。
図6は、本発明の実施形態2に係るイオンビーム装置1000の構成を示す側断面図である。イオンビーム装置1000は、実施形態1で説明したガス電界電離イオン源1、ビーム照射カラム7、試料室3、その他の構成要素を備える。ガス電界電離イオン源1から放出されたイオンビーム15は、ビーム照射カラム7を通り試料室3の内部の試料ステージ32の上に設置された試料31に照射される。試料31から放出された2次粒子は2次粒子検出器33により検出される。
本実施形態2に係るイオンビーム装置1000は、実施形態1で説明したガス電界電離イオン源1を用いることにより、試料観察時に試料に対して与えるダメージを抑制するとともに、観察分解能や加工可能幅が優れ、ビーム種類を高速に切り替えることができる。
本発明は上記した実施例に限定されるものではなく、様々な変形例が含まれる。例えば、上記した実施例は本発明を分かりやすく説明するために詳細に説明したものであり、必ずしも説明した全ての構成を備えるものに限定されるものではない。
11:エミッタ電極(エミッタティップ)
13:引出電極
15:イオンビーム
16:真空排気装置
17:真空チャンバ
18:内壁
19:ベローズ
24:プローブ電流値
111:高電圧電源
131:引出電極孔
151:プローブ電流
152:ビーム制限開き角
153:光軸
161:流量調整器
3:試料室
31:試料
32:試料ステージ
33:2次粒子検出器
34:真空ポンプ
35:ガス供給部
351:ガスノズル
352:ガス混合部
353:圧力計
354:流量調整器
356:水素ガスボンベ
3561:水素用ガスフィルター
357:ガスボンベ
3571:流量調整器
3572:フィルター
37:ガス供給部(ガス導入機構)
371:ガスノズル
374:流量調整器
376:ガスボンベ
38:ガス供給部
381:ガスノズル
384:流量調整器
386:ガスボンベ
39:ガス供給部
391:ガスノズル
394:流量調整器
396:ガスボンベ
4:冷凍機
41:冷凍機本体
412:1stステージ
413:2ndステージ
415:熱輻射シールド
416:伝熱機構
60:装置架台
61:防振機構
62:ベースプレート
7:ビーム照射カラム
71:集束レンズ
710:集束レンズ用電源
72:アパーチャ
73:第1偏向器
730:第1偏向器用電源
74:第2偏向器
740:第2偏向器用電源
76:対物レンズ
760:対物レンズ用電源
77:真空ポンプ
78:マスフィルター
79:ファラデーカップ
790:電流計
791:制御装置
792:表示装置
1000:イオンビーム装置
Claims (13)
- 針状の先端を持つエミッタティップ、
前記エミッタティップに対向して配置され前記エミッタティップから離れた位置に開口を有する引出電極、
ガスを供給するガス供給源、
前記ガス供給源から供給されるガスを前記エミッタティップの近傍に供給するガス供給配管、
前記エミッタティップと前記引出電極との間に電圧を印加することにより前記エミッタティップからイオンビームを照射させる電圧印加部、
を備え、
前記電圧印加部は、H3+イオンを最も多く含む前記イオンビームが照射される第1電圧を印加する動作モードと、H3+よりも重いイオンを最も多く含む前記イオンビームが照射される第2電圧を印加する動作モードとを切り替えることにより、前記イオンビームの種類を切り替える
ことを特徴とするイオンビーム装置。 - 前記ガス供給源は、
第1種類のガスを供給するとともに、前記第1種類とは異なる第2種類のガスを供給し、
前記イオンビーム装置はさらに、
前記ガス供給源と前記ガス供給配管との間に配置され前記第1種類のガスと前記第2種類のガスを蓄えるガス混合部、
前記第1種類のガスの流量と前記第2種類のガスの流量を調整することにより前記ガス混合部におけるガス混合比を制御する混合比制御部、
を備えることを特徴とする請求項1記載のイオンビーム装置。 - 前記エミッタティップの先端は、3個以下の原子によって終端されている
ことを特徴とする請求項1記載のイオンビーム装置。 - 前記ガス供給源は、水素ガスとアルゴンガスを供給し、
前記電圧印加部は、H3+イオンを最も多く含む前記イオンビームが照射される電圧を印加する動作モードと、アルゴンを最も多く含む前記イオンビームが照射される電圧を印加する動作モードとを切り替える
ことを特徴とする請求項1記載のイオンビーム装置。 - 前記イオンビーム装置はさらに、前記イオンビームのイオン電流値を指定するユーザインターフェースを備え、
前記混合比制御部は、前記ユーザインターフェースを介して指定されたイオン電流値を前記イオンビームが有するように前記ガス混合比を制御する
ことを特徴とする請求項2記載のイオンビーム装置。 - 前記イオンビーム装置はさらに、H3+イオンを最も多く含む前記イオンビームとH3+以外のイオンを最も多く含む前記イオンビームを切り替えるよう指定するユーザインターフェースを備え、
前記電圧印加部は、前記ユーザインターフェースを介して指定された前記イオンビームが照射される電圧を印加する
ことを特徴とする請求項1記載のイオンビーム装置。 - 前記ユーザインターフェースは、試料を観察する動作モードと試料を加工する動作モードを切り替える指定を受け取り、
前記電圧印加部は、前記ユーザインターフェースを介して試料を観察する動作モードが指定された場合はH3+イオンを最も多く含む前記イオンビームが照射される電圧を印加し、前記ユーザインターフェースを介して試料を加工する動作モードが指定された場合はH3+よりも重いイオンを最も多く含む前記イオンビームが照射される電圧を印加する
ことを特徴とする請求項6記載のイオンビーム装置。 - 前記第1電圧と前記第2電圧との間の差分は、前記第1電圧の10%から50%の間または前記第2電圧の10%から50%の間である
ことを特徴とする請求項1記載のイオンビーム装置。 - H3+よりも重いイオンを最も多く含む前記イオンビームのイオン電流は、H3+イオンを最も多く含む前記イオンビームのイオン電流の3.0倍以上である
ことを特徴とする請求項1記載のイオンビーム装置。 - 前記イオンビーム装置はさらに、
前記ガス供給源が供給するガスとは異なる種類のガスを供給する第2ガス供給源、
前記第2ガス供給源から供給されるガスを前記エミッタティップの近傍に供給する第2ガス供給配管、
を備え、
前記電圧印加部は、前記ガス供給配管と前記第2ガス供給配管がそれぞれ前記エミッタティップの近傍にガスを供給している際に、前記第1電圧と前記第2電圧を切り替えることにより、前記イオンビームの種類を切り替える
ことを特徴とする請求項1記載のイオンビーム装置。 - 前記イオンビーム装置はさらに、
前記エミッタティップの近傍の空間を収容するカラム、
前記カラムの内部を真空排気する排気装置、
を備え、
前記電圧印加部は、前記排気装置が前記カラムの内部を真空排気した後で、前記第1電圧と前記第2電圧を切り替えることにより、前記イオンビームの種類を切り替える
ことを特徴とする請求項1記載のイオンビーム装置。 - 前記イオンビーム装置はさらに、
前記イオンビームを集束するレンズ、
前記イオンビームを偏向させる偏向器、
前記イオンビームが通過する開口を有するアパーチャ、
前記レンズ、前記偏向器、および前記アパーチャを制御する制御器、
を備え、
前記制御器は、前記電圧印加部が前記第1電圧と前記第2電圧を切り替える際に、前記レンズ、前記偏向器、および前記アパーチャそれぞれの状態を切り替える
ことを特徴とする請求項1記載のイオンビーム装置。 - 前記イオンビーム装置はさらに、前記イオンビームを試料に対して照射することにより得られる前記試料の観察画像を取得する画像処理装置を備え、
前記画像処理装置は、前記電圧印加部が前記第1電圧と前記第2電圧を切り替えることにともなって、前記観察画像に対して適用するイメージシフト量と非点収差補正量を切り替える
ことを特徴とする請求項1記載のイオンビーム装置。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023037545A1 (ja) * | 2021-09-13 | 2023-03-16 | 株式会社日立ハイテク | イオンビーム装置、エミッタティップ加工方法 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11120966B2 (en) * | 2019-09-03 | 2021-09-14 | Applied Materials, Inc. | System and method for improved beam current from an ion source |
US11232925B2 (en) | 2019-09-03 | 2022-01-25 | Applied Materials, Inc. | System and method for improved beam current from an ion source |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010114082A (ja) * | 2008-11-04 | 2010-05-20 | Ict Integrated Circuit Testing Ges Fuer Halbleiterprueftechnik Mbh | デュアルモードのガス電界イオン源 |
WO2017134817A1 (ja) * | 2016-02-05 | 2017-08-10 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 電界電離イオン源、イオンビーム装置、およびビーム照射方法 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3951590B2 (ja) | 2000-10-27 | 2007-08-01 | 株式会社日立製作所 | 荷電粒子線装置 |
WO2007067296A2 (en) | 2005-12-02 | 2007-06-14 | Alis Corporation | Ion sources, systems and methods |
JP4625775B2 (ja) | 2006-02-17 | 2011-02-02 | 株式会社アルバック | イオン注入装置 |
JP2007328965A (ja) | 2006-06-07 | 2007-12-20 | Univ Nagoya | イオン発生装置および中性子発生装置 |
JP5171192B2 (ja) * | 2007-09-28 | 2013-03-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 金属膜成膜方法 |
WO2009057669A1 (en) | 2007-11-01 | 2009-05-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing photoelectric conversion device |
EP2088613B1 (en) | 2008-02-08 | 2015-10-14 | ICT, Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Use of a dual mode gas field ion source |
US8026492B2 (en) * | 2008-11-04 | 2011-09-27 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Dual mode gas field ion source |
WO2010132265A2 (en) | 2009-05-12 | 2010-11-18 | Carl Zeiss Nts, Llc. | Gas delivery in a microscope system |
US8173980B2 (en) | 2010-05-05 | 2012-05-08 | Tel Epion Inc. | Gas cluster ion beam system with cleaning apparatus |
US8927942B2 (en) * | 2011-06-06 | 2015-01-06 | Centre National de la Recherche Scientifique—CNRS | Ion source, nanofabrication apparatus comprising such source, and a method for emitting ions |
US8779395B2 (en) * | 2011-12-01 | 2014-07-15 | Axcelis Technologies, Inc. | Automatic control system for selection and optimization of co-gas flow levels |
US9024282B2 (en) * | 2013-03-08 | 2015-05-05 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Techniques and apparatus for high rate hydrogen implantation and co-implantion |
JP6328023B2 (ja) | 2014-10-08 | 2018-05-23 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | イオンビーム装置 |
-
2017
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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WO2017134817A1 (ja) * | 2016-02-05 | 2017-08-10 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 電界電離イオン源、イオンビーム装置、およびビーム照射方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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