JP2018176357A - 精密バイス用ブロック - Google Patents

Abstract

【課題】使用時には表面の磁束密度が高くなり、ブロック本体の配置を安定化させ、不使用時には表面の磁束密度が低くなり、鉄粉、切削粉をウエスまたはエアーガンで除去可能としたこと。
【解決手段】底面強磁性体３６Ａ,３６Ｂは、ブロック本体３４内をメイン磁路とする。また、底面３８側に精密バイス等の外部磁性体が接触吸引すると、磁気抵抗の大きい大気中側が低抵抗側となり、第１底面挿入孔３３ａ及び第２底面挿入孔３３ｂの各々に１個装着した立面強磁性体４６Ａ,４６Ｂと連結強磁性体８２が磁路となり、磁気抵抗の低い精密バイス等の外部磁性体側がメイン磁路となる。
【選択図】図６

Description

本発明は、工作機械に被加工物を正確に取付ける精密バイスに使用される精密バイス用ブロックに関するもので、特に、被加工物の工作機械で加工しても、その取付け状態が安定する精密バイス用ブロックに関するものである。

従来、被加工物を工作機械で加工する場合、工作機械のテーブル面に被加工物を取付けるとか、工作機械のテーブル上にバイスを取付けて、そのバイスに被加工物を保持させて加工するのが一般的である。また、精度を要する部品等を加工する場合には、工作機械のテーブル面に対し、被加工物を保持する平面度が確保されている精密バイスが用いられ、被加工物の角度、加工面等の精度維持が図られてきた。
例えば、図１は公知の精密バイスの斜視図で、図２はその中央の垂直断面図である。
図において、基体１１の両端側に併設させられた内面を有する保持ブロック１２及び保持ブロック１３は、基体１１及び保持ブロック１２及び保持ブロック１３によってバイス本体１０を構成している。保持ブロック１２及び保持ブロック１３の内側の面は並行面となっている。また、基体１１の上面は、可動壁１６の底面が摺動する摺動面１４となっている。その底面１５側は摺動面１４と並行する水平面となっている。

可動壁１６は、ボールネジ１８の先端に取付けられ、往復移動するように構成されている。ボールネジ１８の他端は、調整摘１７によって回転自在になっている。特に、調整摘１７に配設されたレバー１７ａは、締付力を必要な場合に使用される。可動壁１６を底面１５より抜け止めする離脱防止片１６ａが往復動する移動溝１９は、略Ｔ字状の可動壁１６の足部に対して２本のボルト１６ｂで固着している。可動壁１６とボールネジ１８との接続は、ボールネジ１８の先端の溝部１８ａが、可動壁１６の上部から打ち込まれたピン１６ｃの先端で保持され、回動自在で離脱防止となっている。

したがって、可動壁１６の隙間は殆どなく、移動溝１９とボールネジ１８によって移動自在となっている。よって、ボールネジ１８の端部に配設された調整摘１７を回転させることによって、可動壁１６が移動し、バイスブロック３とバイスブロック４が被加工物５を挟持するから、その状態で精密バイスを移動させれば、その状態で複数種類の機械加工ができる。
ところが、保持ブロック１３側にはバイスブロック３を、可動壁１６側にはバイスブロック４を配設し、被加工物５を安定した保持状態に維持できるようにしている。例えば、図２に示すように、被加工物５の面がテーパーになっているとか、被加工物５が薄く保持できる範囲が限られている場合には、希望する立面がでない可能性がある。
図２で具体的に説明すると、被加工物５の可動壁１６側の面が角度θで垂直でないとき、バイスブロック４は、ボールネジ１８の締付けによって被加工物５の可動壁１６側の面に密着しようとし、被加工物５とバイスブロック３及びバイスブロック４との間の立面、水平面が異なってくる。

特許文献１は、回転モーメントθを如何に少なくして加工精度を維持するかを検討し、被加工物５が小物部品であるときには、その回転モーメントθで被加工物５の加工精度が得られず、また薄板等を保持する場合には、薄板の上面には引張り力が働くとともに底面には圧縮力が働くことになり、薄板としては上に凸の曲がりが発生することになり、この状態で加工して平面が得られても精密バイスから取外した段階では、その加工面は凹面となる等の問題点を検討している。

その結果、特許文献１では、工作機械のテーブル上で被加工物５を保持する精密バイスであって、被加工物５を保持する保持ブロック１３側のバイスブロック３は、保持ブロック１３と被加工物５の接触面との間で平行であり、他の一方の可動壁１６側のバイスブロック４の上端部は、被加工物５を保持する上端部と平行に形成されている。そして、可動壁１６との接触面においてバイスブロック４にほぼ平行で、かつ可動壁１６側の保持部分の上部が狭小、下部が拡大するテーパー面で接する構造としている。
一般に、上記構造によって、小物部品とか、薄板状の加工部品等を精密バイスで所定の位置に保持する方法として木槌等で叩いたりして回転モーメントθによる被加工物５の浮き上がりがなくなるようにしていた。しかし、本発明では木槌等で打つ必要はなく、可動壁１６とバイスブロック４との間に設けた可動側保持ブロックのテーパーにより下方向にベクトル力が発生するから、被加工物５の浮き上がりがなくなり、よって、加工精度の維持が確保される。

このように、特許文献１は、バイスブロック３とバイスブロック４間で被加工物５を挟持できるが、ボールネジ１８が締付けられることにより、例えば、被加工物５の底面が先に当接したとすると、その底面に締付けによる反力が付与される。
このとき、被加工物５が小物部品であったり、また薄板であったりした場合には、ボールネジ１８の中心軸に対し、被加工物５の底面に反力が発生することになり、図２に示す回転モーメントθが働くことになる。
即ち、この回転モーメントθを如何に少なくして加工精度を維持するかが問題となるが、被加工物５が小物部品であるときには、その回転モーメントθによって被加工物５の底面が精密バイスの底面１５に対し平行にならず、加工精度が得られない。また、薄板等を保持する場合には、薄板の上面には引張り力が働くとともに、その底面には圧縮力が働く。このため、薄板としては上に凸の曲がりが発生することになり、この状態で加工して平面が得られても精密バイスから取外すと、その加工面は凹面となる。

これに対して特許文献１は、可動壁１６と、可動壁１６側のバイスブロック４との間にテーパーを形成することによりボールネジ１８の回動による圧縮力がテーパー部分で分力となり、被加工物５を精密バイスの底面１５側に押し下げることになる。
可動壁１６とバイスブロック４のテーパーにより下方にベクトル分力が発生することから、被加工物５の浮き上がりがなくなり、加工精度の維持が確保される。
しかし、特許文献１の技術は、テーパーが機能するように木槌等で叩くことにより修正できる被加工物５の取付状態であればよいが、被加工物５自体の面が歪んでいる場合には、バイスブロック３も、バイスブロック４もその角度に従ってしまう可能性がある。また、特定の部品の形状を整える場合には、バイスブロック３及びバイスブロック４で正確に被加工物５を挟持しないで水平、垂直がでない状態となる可能性も有る。特に、何らかの要因で、特定の箇所で接触抵抗が高くなると、そこが起点で被加工物５が保持されるようになり、結果、加工精度の維持ができなくなる。

そこで、本願発明者らは、被加工物が小さくても、薄くても、また、その被加工物の面にテーパーが付与されていても、精密バイスの保持ブロックと同様に精密バイスの保持ブロックと一体に動き、被加工物を所望の位置で垂直及び水平を正確に挟持できる精密バイス用ブロックとして、磁性体からなる金属で形成されたブロック本体の立面からの厚みδ＝０．４〜１．２ｍｍを残して穿設した第１挿入孔に、底面強磁性体を取付けた厚み０．５〜２．５ｍｍに反磁性体または非磁性体の第１筐体を挿入し、前記第１筐体内に反磁性体または非磁性体の前記第１筐体を挿入し、前記底面強磁性体の離脱を防止する反磁性体または非磁性体からなる第１離脱防止体によって前記ブロック本体と一体に固着したものを提供した。
したがって、本発明にかかる精密バイス用ブロックは、前記底面強磁性体によって立面方向に吸引し、また、前記立面強磁性体によって前記ブロック本体の前記立面と直角の水平方向に吸引するものであるから、前記ブロック本体の垂直方向及び水平方向に移動できなくなり、安定した取付け状態が維持できる。

そして、底面強磁性体で立面にある固定ブロック側に水平方向の磁路が形成され、固定ブロックとの吸引がなされ、精密バイスの固定ブロックと一体に吸引されるから、ブロック本体が傾動することがない。同時に、立面強磁性体で底面にある基体にブロック本体の底面が垂直方向に吸引されるから、精密バイスの基体と一体に吸引され、ブロック本体が浮き上がることがない。結果的に、互いに、前記底面強磁性体と前記立面強磁性体は磁界が水平方向を軸とするものと、垂直方向を軸とするものとの両方が同時に作用し、本発明の精密バイス用ブロックは、精密バイスの一部として機能し、所望位置で被加工物の水平及び垂直を正確に挟持できる。
また、磁性体からなる金属で形成されたブロック本体の底面からの厚みδ＝０．４〜１．２ｍｍを残して穿設した第２挿入孔に、立面強磁性体を取付けた厚み０．５乃至２．５ｍｍの反磁性体または非磁性体の第２筐体を挿入し、前記第２筐体及び前記立面強磁性体の離脱を防止する反磁性体または非磁性体からなる第２離脱防止体によって前記ブロック本体と一体化したものである。

したがって、底面強磁性体が配設されたブロック本体の立面に吸引する面側は、厚みδ＝０．４〜１．２ｍｍを残して穿設した第１挿入孔に、０．５〜２．５ｍｍの反磁性体または非磁性体の第１筐体内に底面強磁性体を配設し、底面強磁性体の離脱を防止する反磁性体または非磁性体からなる第１離脱防止体で前記第１挿入孔に封止したものである。よって、第１挿入孔に第１筐体内に底面強磁性体を配設し、第１筐体及び第１離脱防止体を外部から圧縮力を付与することにより、前記第１挿入孔を封止すれば、強磁性体からの磁界はブロック本体中を磁路とするだけでなく、立面にある固定ブロック側にも水平方向の磁路が形成され、固定ブロックとの吸引がなされる。

同時に、立面強磁性体が配設されたブロック本体の底面に吸引する面側は、厚みδ＝０．４〜１．２ｍｍを残して穿設した第２挿入孔に、０．５〜２．５ｍｍの反磁性体または非磁性体の第２筐体内に立面強磁性体を配設し、立面強磁性体の離脱を防止する反磁性体または非磁性体からなる第２離脱防止体で前記第２挿入孔に封止したものである。したがって、第２挿入孔に立面強磁性体を第２筐体内に入れて配設し、第２筐体及び第２離脱防止体を圧縮することにより前記第２挿入孔を封止すれば、強磁性体からの磁界はブロック本体中を磁路とするだけでなく、立面にある固定ブロック側にも第２方向の磁路が形成され基体との吸引がなされる。

また、底面強磁性体で立面にある固定ブロック側にも水平方向の磁路が形成され、固定ブロックとの吸引がなされる。同時に、立面強磁性体で底面にある基体にブロック本体の底面が垂直方向に吸引される。このとき、互いに、前記底面強磁性体と前記立面強磁性体は磁界が水平方向を軸とするものと、第２垂直方向を軸とするものとの両方が同時に形成される。しかも、厚みδ＝０．４〜１．２ｍｍの肉厚を残して前記底面強磁性体と前記立面強磁性体が配設されており、前記底面強磁性体と前記立面強磁性体は反磁性体または非磁性体で閉じられているから、ブロック本体の随所で磁界のない部位が形成され、精密バイス用ブロック自体に鉄粉が付着しても、ウエスまたはエアーで簡単に除去できる。

特開平９−１０８９６９ 特願２０１６−１０７１１４（特許第５９８１０６４号）

ところが、ブロック本体の随所で磁界の強い部位が形成されると、特に、精密バイス用ブロックに埋設した底面強磁性体、立面強磁性体の磁極の付近は鉄粉が付着しやすい場所となる。ウエスまたはエアーで簡単に除去できる場合もあるが、底面強磁性体、立面強磁性体等の強磁性体を強くすると、ウエス、エアーで除去しても一部の鉄粉がブロック本体に残る可能性が高くなる。鉄粉が微小であっても残ると、加工品の仕上げ精度の低下となって跳ね返ってくる。

特に、発明者らは、バイスブロック３及びバイスブロック４を安定させるために精密バイス用ブロックに埋設した底面強磁性体、立面強磁性体を強くしたが、底面強磁性体、立面強磁性体を強くするに従って、鉄粉、鉄等の切削粉がウエスまたはエアーで簡単に除去できなくなる。
ブロック本体の立面及び／または底面に鉄粉、鉄等の切削粉が保持されると、加工精度が低下する。したがって、特許文献２の技術は、単純に底面強磁性体、立面強磁性体の磁界を強くしても加工精度を上げることができないことが判明した。殊に、鉄粉、切削粉の１個または数個が残ると、鉄粉、切削粉の存在が見落とされ、ブロック本体の立面または底面が確保できず、加工品の仕上げ精度が低下する要因となる。

そこで、本発明は、かかる従来の問題点を解消し、使用時には表面の磁気吸引力が強くなり、ブロック本体の配置を安定化させ、不使用時には表面の磁気吸引力が弱くなり、鉄粉、切削粉等の表面の汚れをウエスまたはエアーガンで除去可能とした精密バイス用ブロックの提供を課題とするものである。

請求項１の発明にかかる精密バイス用ブロックは、磁性体金属で形成されたブロック本体の底面からの残存厚δ＝０．４〜１．２ｍｍの範囲を残して形成してなる第１底面挿入孔及び前記第１底面挿入孔との間に水平距離を離した第２底面挿入孔と、前記第１底面挿入孔及び前記第２底面挿入孔の各々に１個挿着した底面強磁性体、及び／または、前記ブロック本体の立面からの残存厚δ＝０．４〜１．２ｍｍの範囲を残して形成してなる第１立面挿入孔及び前記第１立面挿入孔との間に水平距離を離した第２立面挿入孔と、前記第１立面挿入孔及び前記第２立面挿入孔の各々に１個挿着した立面強磁性体と、前記第１底面挿入孔と前記第２底面挿入孔を両端に配設し、及び／または、前記第１立面挿入孔と前記第２立面挿入孔を両端に配設し、前記ブロック本体の前記底面及び前記立面に平行に穿設した連結挿入孔と、前記内部挿入孔に挿入され、互いにＳ極とＮ極との向きを同一とすべく配置された連結強磁性体とを具備するものである。

請求項１において、磁性体金属で形成されたブロック本体は、鉄またはステンレス（ＳＵＳ３０４等を除く）である。
また、上記第１底面挿入孔と第２底面挿入孔と、上記第１立面挿入孔と第２立面挿入孔は、通常、同一形状の孔で、ブロック本体の立面及び／または底面からの残存厚δ＝０．４〜１．２ｍｍの範囲を残して形成したものであり、第１底面挿入孔と第２底面挿入孔と、上記第１立面挿入孔と第２立面挿入孔との間には水平距離を離している。発明者らの実験によれば、残存厚δは、好ましくは、残存厚δ＝０．４〜０．８が好適であり、残存厚δ＝０．５〜０．６ｍｍが理想的である。

但し、ブロック本体の立面（垂直面）または底面からの残存厚δが０．４ｍｍ以下であると、仕上げ加工する場合に、削りしろが確保できなくなる可能性があり、特に、削って調整する場合には、肉厚が薄くなりすぎ、特性に誤差が生ずる。そして、残存厚δが１．２ｍｍ以上となると、そのブロック本体側の磁気抵抗が低くなり、当該低い磁気抵抗が磁路となり、ブロック本体の立面の磁界がブロック本体から外に出難くなる。結果、外部から磁性体を近づけても磁路が変化し難くなる。
また、通常、前記第１底面挿入孔と前記第２底面挿入孔と、前記第１立面挿入孔と前記第２立面挿入孔との間の水平距離は５〜１５ｃｍに設定される。この水平距離は、工作機械に被加工物を正確に取付ける精密バイスの寸法サイズによって概略の値が決定されるが、前記第１底面挿入孔と前記第２底面挿入孔と、前記第１立面挿入孔と前記第２立面挿入孔の対を１または２または３個としてもよい。

なお、本発明を実施する場合の強磁性体とは、隣り合うスピンが同一の方向を向いて整列し、全体として大きな磁気モーメントを持つことができる鉄、コバルト、ニッケル、ネオジム等の物質で、外部磁場が無くても自発磁化を持つことができる材料である。非磁性体とは、強磁性体でない物質で、常磁性体、反磁性体、反強磁性体がこれに該当する。反磁性体は、磁場をかけたとき、物質が磁場の逆向きに磁化され、磁場とその勾配の積に比例する力が、磁石に反発する方向に生ずる磁性である。反磁性体の材料としては、ビスマス、炭素、銅、鉛、金、銀等である。

そして、上記底面強磁性体及び上記立面強磁性体は、全長が前記第１底面挿入孔、前記第２底面挿入孔の距離に、また、全長が前記第１立面挿入孔、前記第２立面挿入孔の距離に等しくなることを必要とするものではなく、１個以上の強磁性体と１個以上の磁性体とを直列接続したものであってもよい。何れにせよ、強磁性体と磁性体との間に間隙を介すことなく、強磁性体と磁性体とが接合吸引して直列接続されておればよい。互いにＳ極とＮ極との向きを同一とすべく環状に接合されておればよい。

更にまた、前記連結挿入孔と前記連結強磁性体は、前記内部強磁性体の長さが前記内部挿入孔の長さよりも短い場合には、磁性体を中継用として中継磁性体を接続し、当該中継磁性体と内部強磁性体との間に磁気抵抗の大きい間隙を作らなければよい。前記底面強磁性体及び前記立面強磁性体並びに内部強磁性体も同様に間隙を作らないことが必要である。Ｓ極とＮ極との向きを同一方向とし、その間に中継磁性体を介在しても間隙が形成されなければよい。通常、前記底面強磁性体及び前記立面強磁性体の端部が、内部強磁性体に直接または間接的に接触吸引すればよい。
特に、互いにＳ極とＮ極との向きの同一方向とは、スピンの方向が同一方向を向くものであり、底面強磁性体及び立面強磁性体並びに内部強磁性体のＳ極とＮ極が互いに吸引するように接合すればよい。即ち、前記底面強磁性体及び前記立面強磁性体が互いにＳ極とＮ極が吸引するように、その向きを同一とすべく配置された連結強磁性体は、現実には着磁が弱い強磁性体と着磁が強い強磁性体とを吸引されると、着磁が強い強磁性体が勝り、Ｓ極とＳ極でも吸引されるが、本願発明は、最大の吸引力が生じる吸引状態を意味する。

請求項２の発明にかかる精密バイス用ブロックは、前記第１底面挿入孔及び前記第２底面挿入孔の各々に１個挿着した底面強磁性体と、前記第１立面挿入孔及び前記第２立面挿入孔の各々に１個挿着した立面強磁性体とに共通する連結強磁性体を配設したものである。
ここで、前記第１底面挿入孔及び前記第２底面挿入孔の各々に配設した底面強磁性体と連結強磁性体により底面の磁路を形成し、また、前記第１立面挿入孔及び前記第２立面挿入孔の各々に配設した立面強磁性体と前記内部強磁性体により立面の磁路を構成する。このとき、共通の連結強磁性体を用いて底面の磁路と立面の磁路とを形成するものである。

請求項３の発明にかかる精密バイス用ブロックは、前記第１底面挿入孔及び前記第２底面挿入孔の各々に１個挿着した底面強磁性体と、または、前記第１立面挿入孔及び前記第２立面挿入孔の各々に１個挿着した立面強磁性体とに、各々独立した連結強磁性体を配設したものである。
ここで、前記第１底面挿入孔及び前記第２底面挿入孔の各々に配設した底面強磁性体とブロック本体に内蔵させた連結強磁性体により底面の磁路を形成する。または、前記第１立面挿入孔及び前記第２立面挿入孔の各々に配設した立面強磁性体とブロック本体に内蔵させた連結強磁性体により、立面の磁路を各々独立して形成する。したがって、２個の連結強磁性体は、各々底面強磁性体及び内部強磁性体または立面強磁性体と連結強磁性体とが各独立して磁気回路を構成する。

請求項４の発明にかかる精密バイス用ブロックの前記連結強磁性体は、前記連結強磁性体の両端から直角に底面強磁性体を配設し、正面視においてコ字状とすべく磁性体を配設したものである。
ここで、前記連結強磁性体の両端から直角に底面強磁性体を配設したものは、正面視において、開口が下に位置するコ字状とする磁性体を配設したものである。このとき、底面側に磁界を形成させるものである。

請求項５の発明にかかる精密バイス用ブロックの前記連結強磁性体は、前記連結強磁性体の両端から直角に立面強磁性体を配設し、平面視においてコ字状とすべく磁性体を配設したものである。
ここで、前記連結強磁性体の両端から直角に底面強磁性体を配設したものは、平面視において、開口が水平方向に位置するコ字状とする磁性体を配設したものである。このとき、立面側に磁界を形成させるものである。

請求項６の発明にかかる精密バイス用ブロックの前記連結強磁性体は、両端部側に中継磁性体及びその間の中央に連結強磁性体を配設し、かつ、反磁性体または非磁性体からなる筐体にそれらを収容したものである。
ここで、前記連結強磁性体は、内部強磁性体の両端部側に中継磁性体を配設してもよいし、２個の内部強磁性体の両端部側に３個の中継磁性体を設けても、３個の内部強磁性体の両端部側に４個の中継磁性体を設けてもよい。

請求項１の発明の精密バイス用ブロックは、磁性体金属で形成されたブロック本体の底面からの残存厚０．４〜１．２ｍｍの範囲を残して形成してなる第１底面挿入孔及び前記第１底面挿入孔との間に水平距離を離した第２底面挿入孔と、前記第１底面挿入孔及び前記第２底面挿入孔の各々に１個挿着した底面強磁性体と、及び／または、前記ブロック本体の立面からの残存厚０．４〜１．２ｍｍの範囲を残して形成してなる第１立面挿入孔及び前記第１立面挿入孔との間に水平距離を離した第２立面挿入孔と、前記第１立面挿入孔及び前記第２立面挿入孔の各々に１個挿着した立面強磁性体とを具備し、前記ブロック本体の前記底面及び前記立面に平行に穿設した連結挿入孔と、前記連結挿入孔に挿入され、互いにＳ極とＮ極との向きを同一とすべく配置された連結強磁性体は、前記連結強磁性体と前記底面強磁性体と前記立面強磁性体は、互いにＮ極とＳ極とが対向するようにＮ，Ｓ，Ｎ，Ｓ・・・と接合させ、磁極の向きを同一(スピンの方向を同一)とすべく前記ブロック本体内に配置したものである。

したがって、底面側に精密バイスの構成部品がない(大気中に浮いていると想定)場合のブロック本体に内蔵させた連結強磁性体は、前記ブロック本体内の磁性体中を磁路とし、大気中側は磁気抵抗が大きくなる。前記第１底面挿入孔及び前記第２底面挿入孔の各々に１個挿着した前記底面強磁性体に前記内部強磁性体の磁界が加わり、磁気抵抗の低い前記ブロック本体内の磁路がメイン磁路となる。同様に、前記内部強磁性体は立面側に精密バイスの構成部品がない場合には、前記ブロック本体内の磁性体中を磁路とし、磁気抵抗の大きい大気中は殆ど磁路を形成せず、前記第１立面挿入孔及び前記第２立面挿入孔の各々に１個挿着した立面強磁性体と前記内部強磁性体が磁路となり、磁気抵抗の低い前記ブロック本体内を磁束が通過する。

ところが、前記ブロック本体の前記底面側に精密バイスの外部磁性体が吸引すると、前記ブロック本体と当該磁性体が磁気抵抗の低い精密バイスの外部磁性体側が磁束のメインの通路となる。よって、前記内部強磁性体は精密バイス等の外部磁性体中を底磁気抵抗の磁路となり、磁気抵抗の大きい大気中が逆に低抵抗の磁路となり、前記第１底面挿入孔及び前記第２底面挿入孔の各々に１個挿着した底面強磁性体と前記内部強磁性体が磁路となり、磁気抵抗の低い精密バイス等の外部磁性体側がメイン磁路となる。
同様に、立面側に精密バイス等の外部磁性体が接触し、吸引した場合も、前記ブロック本体内の磁性体中を磁路としているが、磁気抵抗の大きい大気中側が低抵抗側となり、前記第１立面挿入孔及び前記第２立面挿入孔の各々に１個挿着した立面強磁性体と前記内部強磁性体が磁路となり、磁気抵抗の低い精密バイス等の外部磁性体側がメイン磁路となる。

即ち、前記内部強磁性体の両端の底面強磁性体、または、前記内部強磁性体の両端の立面強磁性体によって、ブロック本体中に何れかの磁界が形成されていても、精密バイス等の外部磁性体が接触吸引すると、両端の底面強磁性体と立面強磁性体は精密バイス等を構成する外部磁性体を通る磁路の磁気抵抗が低くなり、安定した吸引力により、前記ブロック本体は立設を維持できる。

したがって、ブロック本体が大気中にあるとき、大気中の磁気抵抗が高いから前記ブロック本体内に磁気回路が形成され、例えば、ブロック本体に切削粉等の切り屑が付着しても、それらがエアーガンまたはウエス等で一掃でき、また、ブロック本体が精密バイス等の外部磁性体に接触し、吸引すると、前記ブロック本体外の磁気回路が前記ブロック本体内の磁気回路よりも磁気抵抗が低くなり、結果的に、前記ブロック本体の底面及び立面の接合力を強くし、精密バイス等に正確に吸引され立設保持させることができる。
よって、使用時には表面の吸引力を強くし、ブロック本体の配置を安定化させ、不使用時には表面の磁界が低くなり、鉄粉、切削粉をウエスまたはエアーガンで除去可能とした精密バイス用ブロックとするものである。

請求項２の発明の精密バイス用ブロックの前記連結強磁性体は、前記第１底面挿入孔及び前記第２底面挿入孔の各々に１個挿着した底面強磁性体と、前記第１立面挿入孔及び前記第２立面挿入孔の各々に１個挿着した立面強磁性体とに共通する連結強磁性体を配設したものであるから、請求項１に記載の効果に加えて、単純な構成によって前記底面強磁性体＋前記連結強磁性体＋前記底面強磁性体の磁気回路と、前記内部強磁性体を共通とする前記立面強磁性体＋前記連結強磁性体＋前記立面強磁性体の磁気回路が形成できるので、最もシンプルな構成により、底面側または立面側の何れにも吸引力を大きくすることができる。

請求項３の発明の精密バイス用ブロックの前記連結強磁性体は、前記第１底面挿入孔及び前記第２底面挿入孔の各々に１個挿着した底面強磁性体と、前記第１立面挿入孔及び前記第２立面挿入孔の各々に１個挿着した立面強磁性体とに、各々独立した内部強磁性体を配設したものであるから、請求項１の効果に加えて、前記底面強磁性体＋前記連結強磁性体＋前記底面強磁性体の磁気回路と、前記立面強磁性体＋前記連結強磁性体＋前記立面強磁性体の磁気回路とを形成できるので、底面側または立面側の何れの吸引力をも大きくすることができる。

請求項４の発明の精密バイス用ブロックの前記連結強磁性体は、前記連結強磁性体の両端から直角に底面強磁性体を配設し、正面視においてコ字状とすべく磁性体を配設したものであるから、請求項１乃至請求項３の何れか１つに記載の残存厚δに形成される磁路と、前記連結強磁性体の両端から直角に底面強磁性体を配設した磁路とは、底面側の残存厚δによって切替えが容易であるから、任意の残存厚δとすることができる。

請求項５の発明の精密バイス用ブロックの前記連結強磁性体は、前記連結強磁性体の両端から直角に立面強磁性体を配設し、平面視においてコ字状とすべく磁性体を配設したものであるから、請求項１乃至請求項３の何れか１つに記載の残存厚δ＝０．４〜１．２ｍｍに形成される磁路と、前記連結強磁性体の両端から直角に底面強磁性体を配設した磁路とは、立面側の残存厚δによって切替えが容易であるから、任意の残存厚δとすることができる。

請求項６の発明の精密バイス用ブロックの前記連結強磁性体は、両端部側に中継磁性体及びその間の中央に内部強磁性体を配設し、かつ、反磁性体または非磁性体からなる筐体にそれらを収容したものであるから、請求項１乃至請求項５の何れか１つに記載の効果に加えて、磁束が拡大する磁束を筐体で抑えるから、中継磁性体を使用しても広がりが少なくて済む。

図１は従来の精密バイスの斜視図である。 図２は図１の中央横縦断面図である。 図３は本発明の実施の形態１の精密バイス用ブロックを用いた精密バイスの斜視図である。 図４は本発明の実施の形態１の精密バイス用ブロックを用いた精密バイスの中央横断面図である。 図５は本発明の実施の形態１の精密バイス用ブロックの底面の底面強磁性体及び内部強磁性体を示す配置図である。 図６は本発明の実施の形態１の精密バイス用ブロックで、（ａ）は図５の切断線Ａ−Ａによる断面図、（ｂ）は図６の切断線Ｂ−Ｂによる断面図である。 図７は本発明の実施の形態１の精密バイス用ブロックの底面の吸引力を増した厚肉部を下にした斜視図である。 図８は本発明の実施の形態２の精密バイス用ブロックの立面の立面強磁性体及び内部強磁性体を示す配置図である。 図９は本発明の実施の形態２の精密バイス用ブロックで、（ａ）は図８の切断線Ｃ−Ｃによる断面図、（ｂ）は図９の切断線Ｄ−Ｄによる断面図である。 図１０は本発明の実施の形態３の精密バイス用ブロックの立面の立面強磁性体及び底面の底面強磁性体及び内部強磁性体を示す配置図である。 図１１は本発明の実施の形態３の精密バイス用ブロックの底面及び立面の吸引力を増した厚肉部を下にした斜視図である。 図１２は本発明の実施の形態３の精密バイス用ブロックで、（ａ）は図１０の切断線Ｅ−Ｅによる断面図、（ｂ）は図１２の切断線Ｆ−Ｆによる断面図である。 図１３は本発明の実施の形態３の精密バイス用ブロックで、図１０の切断線Ｅ−Ｅによる断面に相当する図である。

以下、本発明の実施の形態について、図面に基づいて説明する。なお、実施の形態において、図示の同一記号及び同一符号は、同一または相当する機能部分であるから、ここではその重複する説明を省略する。

［実施の形態１］
まず、本発明の実施の形態１について、図３の本発明の実施の形態１の精密バイス用ブロックを用いた精密バイスの斜視図、同じく、図４の精密バイス用ブロックを用いた精密バイスの中央横断面図について説明する。
図３及び図４において、基体１１の両端側に並設させられた内面を有する保持ブロック１２及び保持ブロック１３は、基体１１及び保持ブロック１２及び保持ブロック１３によってバイス本体１０を構成している。保持ブロック１２及び保持ブロック１３の内側の面は互いに並行する面となっている。また、基体１１の上面は、可動壁１６が摺動する摺動面１４となっている。その底面１５側は底面となっている。よって、摺動面１４は底面１５と共に底面となっている。
本実施の形態１の精密バイス用ブロックは、保持ブロック１３と可動壁１６に装着される。

可動壁１６は、ボールネジ１８の先端に取付けられ、往復移動するように構成されている。ボールネジ１８の他端は、調整摘１７によって回転自在になっている。特に、調整摘１７のレバー１７ａは締付力が必要な場合に使用される。可動壁１６を底面１５より抜け止めする離脱防止片１６ａが往復動する移動溝１９は、略Ｔ字状の可動壁１６の足部に対して２本のボルト１６ｂで固着している。可動壁１６とボールネジ１８との接続は、ボールネジ１８の先端の溝部１８ａが、可動壁１６の上部から打ち込まれたピン１６ｃによって回動自在で、離脱防止となっている。

したがって、可動壁１６は、遊び（ガタツキ）はなく、移動溝１９とボールネジ１８によって垂直状態で移動自在となっている。よって、ボールネジ１８の端部に配設された調整摘１７を回転させることによって、可動壁１６が移動し、精密バイス用ブロック２０が被加工物２１を挟持するから、その状態で精密バイス用ブロック２０を締付ければ、精密バイスの単位で移動自在な複数種類の機械加工ができる。

次に、図５乃至図７を用いて、一対の精密バイス用ブロック２０について説明する。
なお、一対の精密バイス用ブロック２０は、実質的に左右が区別されるものでなく下側の厚肉部３２の上に位置する薄肉部３９で、ブロック本体３４が形成されている。厚肉部３２及び薄肉部３９の裏面は、磁性体からなる保持ブロック１３に吸引され、面接触（接合）するブロック本体３４の立面３１となっている。また、底面３８は立面３１に対して直角な面、即ち、水平面となっている。

厚肉部３２の中央付近に互いに５〜１５ｃｍ間隔を設けた第１底面挿入孔３３ａと第２底面挿入孔３３ｂを設けている。なお、以下の「第１底面挿入孔３３ａ」と「第２底面挿入孔３３ｂ」及びこの種の構造と同様な関係にある「・・・ａ」、「・・・ｂ」の区別は、両者間の間隔の違いのみであり、機能は同じであるから、これを区別なく「第１，第２底面挿入孔３３」及び同趣旨と同様の表現とすることもある。

この第１，第２底面挿入孔３３の深さの残存厚δは、ブロック本体３４の立面３１からの残存厚δ＝０．４〜１．２ｍｍを残して穿設したものである。この残存厚δ＝０．４〜１．２ｍｍを残して穿設するのは、磁性体から形成されたブロック本体３４は、その磁性体の機械的強度から、この残存厚δに設定すれば、表面を切削加工することができるし、外力を加えて磨き加工する場合にも窪みや、突起ができない。発明者による実験では、残存厚δ＝０．４ｍｍがその最低の残存厚δであり、また、残存厚δの１．２ｍｍはその最大の厚さであり、残存厚δ１．２ｍｍ以上の厚みに増加させると、磁気抵抗が低下し、ブロック本体３４内に磁路ができてしまう。残存厚δ＝１．２ｍｍ以下では、ブロック本体３４の内部に磁路を形成するか、外部に磁路を形成するかの境界と思われる。

第１，第２底面挿入孔３３には、厚み０．５〜２．５ｍｍの筒体からなる銅、真鍮等の反磁性体または非磁性体からなる第１，第２筐体３５に挿入された底面強磁性体３６Ａ,３６Ｂを有する。厚み０．５〜２．５ｍｍからなる反磁性体または非磁性体の第１，第２筐体３５とは、厚みが０．５以下であると、底面強磁性体３６Ａ,３６Ｂを巻き込むだけの材料の余裕がなく、磁気抵抗の低い回路がブロック本体３４内に形成されるから、厚み０．５〜２．５ｍｍからなる反磁性体または非磁性体の筒体が望ましい。また、厚みが０．５以下であると、底面強磁性体３６Ａ,３６Ｂがガタツク要因になり、重心移動が生じて安定した特性が生じ難い。そこで、厚み０．５〜２．５ｍｍの反磁性体または非磁性体の材料で底面強磁性体３６Ａ,３６Ｂを巻き込み、押圧力を加えるだけで収まるようにした。更に、それぞれを非磁性体または反磁性体の銅、真鍮等からなる第１，第２離脱防止体３７ａ，３７ｂによって、底面強磁性体３６Ａ,３６Ｂを固定している。機械的強度からして、真鍮が望ましい。第１，第２筐体３５の厚み２．５ｍｍ以下は、２．５ｍｍを超える厚みを有していると、磁路の切り替えが良好に行われなくなる。

第１，第２離脱防止体３７ａ，３７ｂは、その底面強磁性体３６Ａ,３６Ｂ側に磁性体からなる中継磁性体４０ａ，４０ｂを配設し、底面強磁性体３６Ａ,３６Ｂの面に中継磁性体４０の各面が接触し、かつ、連結強磁性体８２の中継磁性体８１ａ，８１ｂに穿設した嵌合孔８６ａ，８６ｂに挿入されるように組み付けている。したがって、底面強磁性体３６Ａ,３６Ｂの上面を中継磁性体４０ａ，４０ｂが押圧し、更に、第１，第２離脱防止体３７ａ，３７ｂによって圧縮する外力によって一体に固着している。

なお、本実施の形態では第１，第２筐体３５として筒体を使用したが、本発明を実施する場合には、筒体でなくて、特定の面のみを露出させ、それ以外を閉じる巻き芯であってもよい。特に、本実施の形態では、筒体に底面強磁性体３６Ａ,３６Ｂが嵌合する商品規格があったので、それを採用している。
また、第１，第２筐体３５は省略することも可能であるが、設けることにより、磁束密度の高い底面強磁性体３６Ａ,３６Ｂの中央からの磁束の広がりが急激に広くなり、ブロック本体３４の表面では磁束密度が低くなるから、第１，第２筐体３５を省略するよりも条件的に有利である。

第１，第２筐体３５から底面強磁性体３６Ａ,３６Ｂの離脱を防止すべくブロック本体３４と一体化した反磁性体または非磁性体からなる第１，第２離脱防止体３７は、第１，第２筐体３５及び底面強磁性体３６Ａ,３６Ｂの第１，第２底面挿入孔３３からの離脱の防止だけでなく、内部で接合吸引し、それらが移動することのないように一体に固着されるものである。
本発明を実施する場合の底面強磁性体３６Ａ,３６Ｂとして、円柱状のネオジム磁石を使用した。しかし、本発明を実施する場合、底面強磁性体３６Ａ,３６Ｂとしては、円柱状に限定されるものではなく、四角柱状、サイコロ状等を使用することもできるし、ネオジム磁石以外のＫＳ鋼、ＭＫ鋼、フェライト磁石としてもよいし、他の磁石を用いてもよい。

このように、磁性体からなる金属で形成されたブロック本体３４の立面３１からの残存厚δとして穿設した第１，第２底面挿入孔３３に対して、厚み０．５〜２．５ｍｍの筒体からなる反磁性体または非磁性体の第１，第２筐体３５を挿入している。厚み０．５〜２．５ｍｍの筒体からなる第１，第２筐体３５には底面強磁性体３６Ａ,３６Ｂが挿入される。または、第１，第２筐体３５で底面強磁性体３６Ａ,３６Ｂを包み込み、それを第１，第２底面挿入孔３３に挿入される。第１，第２底面挿入孔３３に第１，第２筐体３５及び底面強磁性体３６Ａ,３６Ｂを挿入した後、反磁性体または非磁性体からなる第１，第２離脱防止体３７を挿入してブロック本体３４と一体化する。
このとき、第１，第２筐体３５と第１，第２離脱防止体３７が変形するが、底面強磁性体３６Ａ,３６Ｂと連結強磁性体８２との接触吸引に空気層が生じないようにする必要がある。

第１，第２底面挿入孔３３に第１，第２離脱防止体３７を挿入してブロック本体３４と一体化するには、第１，第２底面挿入孔３３に第１，第２筐体３５及び第１，第２底面強磁性体３６Ａ,３６Ｂを挿入し、次いで、第１，第２離脱防止体３７を挿入して押圧力を加え、第１，第２筐体３５及び第１，第２離脱防止体３７を変形させて、ブロック本体３４と一体化し、表面を工作機械で切削加工し、仕上げ加工をする。
特に、第１，第２離脱防止体３７を詰め込む際には、第１，第２底面強磁性体３６Ａ,３６Ｂと内部強磁性体８０または中継磁性体８１が面で接触するように加圧固定する。なお、内部強磁性体８０と底面強磁性体３６Ａ,３６Ｂとの接合とは、後述する中継磁性体を介在する場合には、それらの金属との接触を維持する構成としてもよい。何れにせよ、途中に空気層または真空層が形成され、磁気抵抗が高くならなければよい。

第１，第２筐体３５及び第１，第２底面強磁性体３６Ａ,３６Ｂの残存厚δの反対側は、内部強磁性体８０が接触するように配設されている。即ち、連結強磁性体８２は内部強磁性体８０と、その両端に配設した中継磁性体８１からなり、前記内部強磁性体８０及びその両端に配設した中継磁性体８１によって構成されている。本実施の形態のブロック本体３４には、内部強磁性体８０の磁極に対して吸着するように底面強磁性体３６Ａ,３６Ｂが配設されている。
したがって、連結強磁性体８２の磁極Ｎは底面強磁性体３６Ｂの磁極Ｓに、連結強磁性体８２の磁極Ｓは底面強磁性体３６Ａの磁極Ｎに吸引され、面接触するように接続されている。しかし、本発明を実施する場合には、１本の内部強磁性体８０並びに第１，第２底面強磁性体３６Ａ,３６Ｂを取付けた略コ字状をブロック本体３４の長さ方向に２個または３個繰り返して配設することができる。

連結強磁性体８２は、ブロック本体３４から容易に離脱しないように、反磁性体または非磁性体または磁性体で両端を離脱防止体３７ｃで位置決めするように配設している。ここで、離脱防止体３７ｃは、銅、真鍮等の反磁性体または非磁性体で構成することにより、第１，第２底面強磁性体３６Ａ,３６Ｂの磁束密度を変化させることができる。また、第１，第２離脱防止体３７を磁性体で構成すると、第１，第２底面強磁性体３６Ａ,３６Ｂの磁界が若干増加するが、ブロック本体３４の左右両端に拡散する。
特に、第１，第２底面強磁性体３６Ａ,３６Ｂ側の残存厚δ側に、磁性体等が配置されていると、その磁路の抵抗が低くなり、吸引力を大きくすることができる。

第１，第２底面強磁性体３６Ａ,３６Ｂの上面と連結強磁性体８２の両端は、隙間が生じると磁気抵抗が増加するので、面接触し、互いに吸着していることが必要である。そのため、連結強磁性体８２は、内部強磁性体８０及び中継磁性体８１ａ及び中継磁性体８１ｂからなり、その中央には、強磁性体からなる内部強磁性体８０が配設されている。中継磁性体８１ａと中継磁性体８１ｂとは、下面が第１，第２底面強磁性体３６Ａ,３６Ｂに面接触し、吸引するように下面が切削されている。それによって、磁気抵抗を小さくしている。

なお、本実施の形態では、強磁性体からなる連結強磁性体８２は、直径が中継磁性体８１ａ，８１ｂよりも小さくしているが、本発明を実施する場合には、連結強磁性体８２が挿入できる連結挿入孔８４としては、内部強磁性体８０並びに中継磁性体８１ａ及び中継磁性体８１ｂが固定できた連結筐体８３であればよい。
本実施の形態では、連結筐体８３を銅、真鍮等の反磁性体または非磁性体で構成し、磁束が広がらないようにしているが、本発明を実施する場合には、磁性体でも同様な効果が得られたが、ブロック本体３４と精密バイスの保持ブロック１３、可動壁１６に装着されるとその吸引力が若干弱くなる。

したがって、本実施の形態の精密バイス用ブロック２０は、ブロック本体３４が精密バイスの保持ブロック１３、可動壁１６に装着されていないとき、ブロック本体３４の立面３１からの残存厚δの範囲を残して形成してなる第１，第２底面挿入孔３３との間に適当な水平距離（例えば、５〜１５ｃｍ）を離し、第１，第２底面強磁性体３６Ａ,３６Ｂが配設されているから、磁束は第１，第２底面強磁性体３６Ａ,３６Ｂ側の残存厚δの範囲の磁路が形成される。このとき、ブロック本体３４の立面３１は残存厚δによって磁路が形成され、ブロック本体３４外の磁束が弱くなり、ブロック本体３４の立面３１の表面に付着する鉄粉、切削粉が存在しても、エアーガン等で容易に清掃できる。

また、本実施の形態の精密バイス用ブロック２０は、ブロック本体３４が精密バイスの保持ブロック１３、可動壁１６に装着されたとき、ブロック本体３４の立面３１側の磁路が、装着された保持ブロック１３、可動壁１６側にも形成され、磁気抵抗が低下するから、ブロック本体３４の立面３１からの残存厚δの範囲を残して形成され、第１，第２底面強磁性体３６Ａ,３６Ｂは、ブロック本体３４外の立面３１側の磁界は、残存厚δの範囲の磁束密度が高くなるから、精密バイスの保持ブロック１３、可動壁１６に装着されると、ブロック本体３４を大きな吸引力で吸着する。
よって、使用時には表面側の残存厚δの範囲の磁束密度が高くなり、ブロック本体３４の挿着状態を安定化させ、不使用時には表面の磁束密度が低くなり、鉄粉、切削粉をウエスまたはエアーガンで除去可能となる。故に、ブロック本体３４の垂直方向３１に移動できなくなり、切り屑がブロック本体３４に付着しないから精度の良い加工が可能となる。

このとき、連結強磁性体８２は、両端の側部から第１，第２底面強磁性体３６Ａ,３６Ｂに磁束が通る。この磁束は、底面強磁性体３６Ａ,３６Ｂの残存厚δに磁路が形成され、そこを通過することになる。また、連結強磁性体８２自体は、ブロック本体３４外に磁力線を漏らすことなく、ブロック本体３４内に閉じられた磁束となる。また、第１，第２底面強磁性体３６Ａ,３６Ｂと内部強磁性体８０とは、残存厚δに磁路を形成するから、ブロック本体３４外の磁束を少なくすることができる。
したがって、ブロック本体３４が精密バイスの保持ブロック１３、可動壁１６に装着されていないとき、ブロック本体３４の外部の精密バイスの保持ブロック１３、可動壁１６に装着され、そこに出る磁束密度を小さくすることができ、逆に、ブロック本体３４が精密バイスの保持ブロック１３、可動壁１６に装着されたとき、ブロック本体３４の立面３１及び底面３８から外部、精密バイスの保持ブロック１３、可動壁１６に装着され出る磁束密度は小さいが、その積分値は大きくなり、安定に保持することができる。

［実施の形態２］
次に、図８乃至図９を用いて、実施の形態２の一対の精密バイス用ブロック２０について説明する。
本実施の形態の一対の精密バイス用ブロック２０は、厚肉部３２とその上に位置する薄肉部３９で、ブロック本体３４が形成されているのは実施の形態１と同じである。厚肉部３２及び薄肉部３９の裏面は、磁性体からなる保持ブロック１３に吸引され、面接触（接合）するブロック本体３４の立面３１となっている。

厚肉部３２の中央付近に互いに５〜１５ｃｍ間隔を設けた第１，第２立面挿入孔４３を設けている。この第１，第２立面挿入孔４３の深さの残存厚δは、実施の形態１と同様に、ブロック本体３４の立面３１からの残存厚δを残して穿設する。この残存厚δを残して穿設するのは、磁性体から形成されたブロック本体３４は、その磁性体の機械的強度から、この残存厚δに設定すれば、表面を切削加工することができるし、外力を加えて磨き加工する場合にも窪みや、突起ができない。発明者による実験では、残存厚δ＝０．４ｍｍがその最低の残存厚δであり、また、残存厚δの１．２ｍｍはその最大の厚さであり、残存厚δ＝１．２ｍｍ以上の厚みに増加させると、磁気抵抗が低下し、ブロック本体３４内に磁路ができてしまう。残存厚δ＝１．２ｍｍ以下では、ブロック本体３４の内部に磁路を形成するか、外部に磁路を形成するかの境界と思われる。

第１，第２立面挿入孔４３には、厚み０．５〜２．５ｍｍの筒体からなる反磁性体または非磁性体の第１，第２立面挿入孔４３に挿入された立面強磁性体４６Ａ,４６Ｂを有する。厚み０．５〜２．５ｍｍからなる反磁性体または非磁性体の第１，第２筐体４５とは、厚みが０．５以下であると、立面強磁性体４６Ａ,４６Ｂを巻き込むだけの材料の余裕がなく、抵抗の低い磁気回路がブロック本体３４内に形成されるから、厚み０．５〜２．５ｍｍからなる反磁性体または非磁性体の第１，第２筐体４５が望ましい。また、立面強磁性体４６Ａ,４６Ｂがガタツク要因になり、重心移動が生じて安定した特性が生じ難い。そこで、厚み０．５〜２．５ｍｍの反磁性体または非磁性体の材料で立面強磁性体４６を巻き込み、加えて、第１,第２離脱防止体４７で押圧力を加えるだけで収まるようにしたものである。
更に、第１，第２離脱防止体４７によって、立面強磁性体４６Ａ,４６Ｂを固定する機械的強度からして、第１，第２筐体４５の厚み２．５ｍｍを超えると、磁束密度が高くなり、当該磁気回路の抵抗値が低すぎて、磁束の直線性が高くなり、精密バイスの保持ブロック１３、可動壁１６に装着されたときの磁路の切り替えが行われ難くなる。

なお、本実施の形態では第１，第２筐体４５として筒体を使用したが、本発明を実施する場合には、筒体でなくて、特定の面のみを露出させ、それ以外を閉じる筐体または曲げ板であってもよい。
また、第１，第２筐体４５は省略することも可能であるが、設けることにより、磁束密度の高い立面強磁性体４６Ａ,４６Ｂの中央からの磁束の広がりが急激に広くなり、ブロック本体３４の表面では磁束密度が低くなるから、第１，第２筐体４５を省略するよりも条件的に有利である。

第１，第２筐体４５及び立面強磁性体４６Ａ,４６Ｂの離脱を防止すべくブロック本体３４と一体化した反磁性体または非磁性体からなる第１,第２離脱防止体４７は、第１，第２筐体４５及び立面強磁性体４６Ａ,４６Ｂの第１，第２立面挿入孔４３からの離脱の防止だけでなく、内部で接触吸着しても、それらが移動することもないように一体に固着されるものである。
即ち、第１，第２離脱防止体４７ａ，４７ｂは、その立面強磁性体４６Ａ,４６Ｂ側に磁性体からなる中継磁性体４０ａ，４０ｂを配設し、立面強磁性体４６Ａ,４６Ｂの面に中継磁性体４０の各面が接触し、かつ、連結強磁性体８２の中継磁性体８１ａ，８１ｂに穿設した嵌合孔８６ａ，８６ｂに挿入されるように組み付けている。よって、立面強磁性体４６Ａ,４６Ｂの上面を中継磁性体４０ａ，４０ｂが押圧し、更に、第１，第２離脱防止体４７ａ，４７ｂによって圧縮する外力によって一体に固着している。

このように、磁性体からなる金属で形成されたブロック本体３４の立面３１からの残存厚δとして穿設した第１，第２立面挿入孔４３に対して、厚み０．５〜２．５ｍｍの筒体からなる反磁性体または非磁性体の第１，第２筐体４５を挿入する。厚み０．５〜２．５ｍｍの筒体からなる第１，第２筐体４５には立面強磁性体４６Ａ,４６Ｂが挿入される。または、第１，第２筐体４５で立面強磁性体４６Ａ,４６Ｂを包み込み、それを第１，第２立面挿入孔４３に挿入する。
第１，第２立面挿入孔４３に第１，第２筐体４５及び立面強磁性体４６Ａ,４６Ｂを挿入した後、反磁性体または非磁性体からなる第１，第２離脱防止体４７を挿入してブロック本体３４と一体化する。

このとき、第１，第２離脱防止体４７ａ，４７ｂは、その底面強磁性体３６Ａ,３６Ｂ側に磁性体からなる中継磁性体４０ａ，４０ｂを配設し、底面強磁性体３６Ａ,３６Ｂの面に中継磁性体４０の各面が接触し、かつ、連結強磁性体８２の中継磁性体８１ａ，８１ｂに穿設した嵌合孔８６ａ，８６ｂに挿入されるように組み付けている。よって、底面強磁性体３６Ａ,３６Ｂの上面を中継磁性体４０ａ，４０ｂが押圧し、更に、第１，第２離脱防止体４７ａ，４７ｂによって圧縮する外力によって一体に固着している。

また、第１，第２離脱防止体４７ａ，４７ｂは、その立面強磁性体４６Ａ,４６Ｂ側に磁性体からなる中継磁性体４０ａ，４０ｂを配設し、立面強磁性体４６Ａ,４６Ｂの面に中継磁性体４０の各面が接触し、かつ、連結強磁性体８２の中継磁性体８１ａ，８１ｂに穿設した嵌合孔に８６ａ，８６ｂに挿入されるように組み付けている。よって、底面強磁性体３６Ａ,３６Ｂの上面を中継磁性体４０ａ，４０ｂが押圧し、更に、第１，第２離脱防止体４７ａ，４７ｂによって圧縮する外力によって一体に固着している。
即ち、第１，第２立面挿入孔４３に第１，第２離脱防止体４７を挿入してブロック本体３４と一体化するには、第１，第２立面挿入孔４３に第１，第２筐体４５及び立面強磁性体４６Ａ,４６Ｂを挿入し、次いで、第１，第２離脱防止体４７を挿入して押圧力を加え、第１，第２筐体４５及び第１，第２離脱防止体４７を変形させて、ブロック本体３４と一体化し、表面を工作機械で切削加工し、仕上げ加工をする。

第１，第２筐体４５及び立面強磁性体４６Ａ,４６Ｂの残存厚δの反対側には、第１，第２筐体４５の外周まで連結強磁性体８２が配設されている。各磁極は、連結強磁性体８２の磁極に対して吸引するように立面強磁性体４６Ａ,４６Ｂが配設されている。したがって、連結挿入孔８４に挿入した連結筐体８３内の連結強磁性体８２の磁極Ｎは立面強磁性体４６の磁極Ｓに、連結強磁性体８２の磁極Ｓは立面強磁性体４６Ａ,４６Ｂの磁極Ｎに吸引接続されている。
本実施の形態のブロック本体３４には、１本の内部強磁性体８０と、その両端に中継磁性体８０ａ，８０ｂを取付けた略コ字状の配設を行っている。しかし、本発明を実施する場合には、１本の内部強磁性体８０並びに立面強磁性体４６Ａ,４６Ｂを取付けた略コ字状をブロック本体３４の長さ方向に２個または３個繰り返して配設することができる。

連結強磁性体８２は、ブロック本体３４から容易に離脱しないように、反磁性体または非磁性体または磁性体で両端を第１，第２離脱防止体４７で位置決めするように配設している。ここで、第１，第２離脱防止体４７は、反磁性体または非磁性体で構成することにより、立面強磁性体４６Ａ,４６Ｂの磁界を強くすることができる。また、第１，第２離脱防止体４７を磁性体で構成すると、立面強磁性体４６Ａ,４６Ｂの磁界が若干増加するが、ブロック本体３４の左右両端に拡散する。
特に、立面強磁性体４６Ａ,４６Ｂ側の残存厚δに、精密バイスの保持ブロック１３、可動壁１６に装着され、磁性体等が配置されると、その磁路の抵抗が低くなり、保持ブロック１３、可動壁１６に装着され、吸引力を大きくすることができる。

立面強磁性体４６Ａ,４６Ｂの上面と連結強磁性体８２の両端は、隙間が生じると磁気抵抗が増加するので、面接触（接合）していることが必要である。そのため、連結強磁性体８２は、内部強磁性体８０及び中継磁性体８１ａ及び中継磁性体８１ｂからなり、その中央には、強磁性体からなる内部強磁性体８０が配設されている。中継磁性体８１ａと中継磁性体８１ｂとは、下面が立面強磁性体４６Ａ,４６Ｂに面接触するように下平面が切削されている。それによって、磁気抵抗を小さくしている。
なお、本実施の形態では、強磁性体からなる内部強磁性体８０は、直径が中継磁性体８１よりも小さくしているが、本発明を実施する場合には、連結強磁性体８２が挿入できる内部挿入孔８４に挿入した連結筐体８３内で内部強磁性体８２が固定できるものであればよい。

したがって、本実施の形態の精密バイス用ブロック２０は、ブロック本体３４が精密バイスの保持ブロック１３、可動壁１６に装着されていないとき、ブロック本体３４の立面３１からの残存厚δの範囲を残して形成してなる第１，第２立面挿入孔４３との間に適当な水平距離（例えば、５〜１５ｃｍ）を離し、立面強磁性体４６Ａ,４６Ｂが配設されているから、磁束は、立面強磁性体４６Ａ,４６Ｂ側の残存厚δの範囲の磁路が形成される。このとき、ブロック本体３４の立面３１は残存厚δによって磁路が形成され、ブロック本体３４外の磁界が弱くなり、ブロック本体３４の立面３１の表面に付着する鉄粉、切削粉が存在しても、エアーガン等で容易に清掃できる。

また、本実施の形態の精密バイス用ブロック２０は、ブロック本体３４が精密バイスの保持ブロック１３、可動壁１６に装着されとき、ブロック本体３４の立面３１側の磁路が、挿着された保持ブロック１３、可動壁１６側にも形成され、磁気抵抗が低下するから、ブロック本体３４の立面３１からの残存厚δの範囲を残して形成され、立面強磁性体４６は、ブロック本体３４外の立面３１側の磁界は、残存厚δの範囲の磁束密度が高くなるから、精密バイスの保持ブロック１３、可動壁１６はブロック本体３４を大きな吸引力で吸着する。
よって、使用時には表面の残存厚δの範囲の磁束密度が高くなり、ブロック本体３４の挿着状態を安定化させ、不使用時には表面の磁束密度が低くなり、鉄粉、切削粉をウエスまたはエアーガンで除去可能となる。故に、ブロック本体３４の垂直方向３１に移動できなくなり、精度の良い加工が可能となる。

このとき、内部強磁性体８０は、両端の側部から立面強磁性体４６Ａ,４６Ｂに磁束が通る。この磁束は、立面強磁性体４６Ａ,４６Ｂの残存厚δに磁路が形成され、そこを通過することになる。また、内部強磁性体８２自体は、ブロック本体３４外に磁力線を漏らすことなく、ブロック本体３４内で閉じられた磁束となる。また、立面強磁性体４６Ａ,４６Ｂと内部強磁性体８０とは、残存厚δ＝０．４〜１．２ｍｍに磁路を形成するから、ブロック本体３４外の磁束を少なくすることができる。
したがって、ブロック本体３４が精密バイスの保持ブロック１３、可動壁１６に装着されていないとき、ブロック本体３４の外部に出る磁束密度を小さくすることができ、逆に、ブロック本体３４が精密バイスの保持ブロック１３、可動壁１６に装着されたとき、ブロック本体３４の立面３１及び底面３８から外部に出る磁束は小さいが、その和は大きくなり、安定に保持することができる。

［実施の形態３］
上記実施の形態１，２では、各立面３１側の磁界、底面３８側の磁界について説明した。しかし、本発明を実施する場合には、各々独立した連結強磁性体８２を２本以上使用してもよいが、単一の連結強磁性体８２を共通として使用することもできる。
図１０乃至図１２において、第１，第２底面挿入孔３３の深さ、第１，第２立面挿入孔４３の深さは、ブロック本体３４中の底面強磁性体３６Ａ,３６Ｂの底面３８からの残存厚δ、ブロック本体３４中の底面強磁性体４６Ａ,４６Ｂの立面３１からの残存厚δ、言い換えれば、第１，第２底面挿入孔３３の底または第１，第２立面挿入孔４３の底と底面３８との厚みである。

第１，第２底面挿入孔３３及び第１，第２立面挿入孔４３の深さには、厚み０．５〜２．５ｍｍの筒体からなる反磁性体または非磁性体の第１，第２筐体３５、第１，第２筐体４５に挿入された底面強磁性体３６Ａ,３６Ｂ、第１，第２筐体４５に挿入された立面強磁性体４６Ａ,４６Ｂを有する。

本実施の形態３では、第１，第２筐体３５及び底面強磁性体３６Ａ,３６Ｂの離脱を防止すべくブロック本体３４と一体化した反磁性体または非磁性体からなる第１,第２離脱防止体３７は、第１，第２筐体３５及び立面強磁性体４６Ａ,４６Ｂの離脱の防止だけでなく、内部でそれらが移動しないように一体に固着している。同様に、第１，第２筐体４５及び立面強磁性体４６Ａ,４６Ｂの離脱を防止すべくブロック本体３４と一体化した反磁性体または非磁性体からなる第１，第２離脱防止体４７は、第１，第２筐体４５及び立面強磁性体４６Ａ,４６Ｂの離脱の防止だけでなく、ブロック本体３４の内部でそれらが移動することもないように、また、吸着状態を維持するように一体に固着している。

このように、磁性体からなる金属で形成されたブロック本体３４の立面３１からの残存厚δとして穿設した第１，第２底面挿入孔３３に対して、厚み０．５〜２．５ｍｍの筒体からなる反磁性体または非磁性体の第１，第２筐体３５を挿入する。同じく、ブロック本体３４の立面３１からの残存厚δとして穿設した第１，第２立面挿入孔４３に対して、厚み０．５〜２．５ｍｍの筒体からなる反磁性体または非磁性体の第１，第２筐体４５を挿入する。厚み０．５〜２．５ｍｍの筒体からなる第１，第２筐体４５には立面強磁性体４６Ａ,４６Ｂが挿入され、また、第１，第２筐体３５には底面強磁性体３６Ａ,３６Ｂが挿入される。

第１，第２立面挿入孔４３に第１，第２筐体４５及び立面強磁性体４６Ａ,４６Ｂを挿入した後、非磁性体からなる第１，第２離脱防止体４７を挿入してブロック本体３４と一体化する。第１，第２立面挿入孔４３に第１,第２離脱防止体４７を挿入してブロック本体３４と一体化するには、第１，第２立面挿入孔４３に第１，第２筐体４５及び立面強磁性体４６Ａ,４６Ｂを挿入し、次いで、第１,第２離脱防止体４７を挿入して押圧力を加え、第１，第２筐体４５及び第１,第２離脱防止体４７を変形させて、ブロック本体３４と一体化する。そして、表面を工作機械で切削加工し、仕上げ加工をする。

また、第１，第２立面挿入孔４３に第１，第２筐体４５及び立面強磁性体４６Ａ,４６Ｂを挿入した後、非磁性体からなる第１,第２離脱防止体４７を挿入してブロック本体３４と一体化する。第１，第２立面挿入孔４３に第１,第２離脱防止体４７を挿入してブロック本体３４と一体化するには、第１，第２立面挿入孔４３に第１，第２筐体４５及び立面強磁性体４６Ａ,４６Ｂを挿入し、次いで、第１,第２離脱防止体４７を挿入して押圧力を加え、第１，第２筐体４５及び第１,第２離脱防止体４７を変形させて、ブロック本体３４と一体化し、表面を工作機械で切削加工し、仕上げ加工をする。

第１，第２筐体４５及び立面強磁性体４６Ａ,４６Ｂの残存厚δの反対側には、第１，第２筐体４５の外周まで連結強磁性体８２が配設されている。連結強磁性体８２は、中央に内部強磁性体８０が配設され、その両側に中継磁性体８１ａ，８１ｂが吸着され、それらが反磁性体または非磁性体からなる連結筐体８３に収容され、そして、ブロック本体３４の第１，第２底面挿入孔３３を両端に配設し、及び第１，第２立面挿入孔４３を両端に配設し、ブロック本体３４の底面３８及び立面３１に平行な連結挿入孔８４に挿入される。
このとき、中継磁性体８１の２面を平面、即ち、切削面８５ａ，８５ｂとし、そこに底面強磁性体３６Ａ,３６Ｂ及び立面強磁性体４６Ａ,４６Ｂの端部が吸引するように接合を得る。これによって、磁気抵抗の低い結合が得られる。

中継磁性体８１ａと中継磁性体８１ｂに挟まれた内部強磁性体８０は、中継磁性体８１ａと中継磁性体８１ｂに直角に交差する２面を切削したものであるが、内部強磁性体８０も同様の径のものを直角に交差する２面を切削してもよいし、または、切削した２面により小径化した円筒とすることもできる。
何れにせよ、中継磁性体８１ａと中継磁性体８１ｂに挟まれた形状の内部強磁性体８０であれば、半円でも、直方体でも、四角柱、六角柱でもよい。

底面強磁性体３６Ａ,３６Ｂと立面強磁性体４６Ａ,４６Ｂと内部強磁性体８０は、内部強磁性体８０の磁極に対して互いに吸引するように立面強磁性体４６Ａ,４６Ｂが配設されている。したがって、連結強磁性体８２の磁極Ｎは立面強磁性体４６Ｂの磁極Ｓに、立面強磁性体４６Ｂの磁極Ｎは残存厚δを介して底面強磁性体３６Ａの磁極Ｓに、底面強磁性体３６Ａの磁極Ｎは連結強磁性体８２の磁極Ｓに吸引、接続されている。また、連結強磁性体８２の磁極Ｎは立面強磁性体４６Ｂの磁極Ｓに、立面強磁性体４６Ａの磁極Ｎは残存厚δを介して立面強磁性体４６Ａの磁極Ｓに、立面強磁性体４６Ａ,４６Ｂの磁極Ｎは連結強磁性体８２の磁極Ｓに吸引、接続されている。

本実施の形態のブロック本体３４には、１本の連結強磁性体８２を共通とし、その両端に底面強磁性体３６Ａ及び底面強磁性体３６Ｂを取付けた略コ字状の、第１立面挿入孔４３ａ、第２立面挿入孔４３ｂ及び立面強磁性体４６Ａと立面強磁性体４６Ｂを取付けた略コ字状の配設を行っている。また、１本の連結強磁性体８２並びに立面強磁性体４６Ａ及び立面強磁性体４６Ｂを取付けた略コ字状とし、２組を構成している。

そして、連結強磁性体８２は、ブロック本体３４から容易に離脱しないように、離脱防止体４７ｃで位置決めしている。ここで、離脱防止体４７ｃは、非磁性体または反磁性体を使用することにより、連結強磁性体８２から立面強磁性体４６Ａ,４６Ｂを通る磁束を多くすることができる。
逆に、第１,第２離脱防止体４７及び第１,第２離脱防止体４７を磁性体で構成すると、ブロック本体３４の左右両端に拡散する磁束が現れ、特に、立面強磁性体４６Ａ,４６Ｂ側の残存厚δ側に、磁性体等が配置されていると、その磁路の抵抗が低くなり吸引力を大きくすることができる。

同様に、連結強磁性体８２は、両端を磁性体からなる第１離脱防止体３７ａ及び第２離脱防止体３７ｂと、第１離脱防止体４７ａ及び第２離脱防止体４７ｂ、並びに離脱防止体４７ｃで位置決めされることにより、ブロック本体３４の左右両端に拡散する磁界は全体が均一化されるから、立面３１及び／または底面３８の残存厚δ側の磁路の抵抗の影響力が大となり、また、その吸引力を大きくすることができる。

したがって、本実施の形態の精密バイス用ブロック２０は、ブロック本体３４が精密バイスの保持ブロック１３、可動壁１６に装着されていないとき、磁束は底面強磁性体３６Ａから底面強磁性体３６Ｂ側の残存厚δの範囲から、更に、立面強磁性体４６Ａから立面強磁性体４６Ｂ側の残存厚δまで連結強磁性体８２を通り、ブロック本体３４の立面３１は残存厚δ内に磁路が形成され、ブロック本体３４外の磁界が弱くなり、ブロック本体３４の立面３１の表面に付着する鉄粉、切削粉が存在しても、エアーガン等で容易に清掃できる。

また、本実施の形態の精密バイス用ブロック２０は、ブロック本体３４が精密バイスの保持ブロック１３、可動壁１６に取付けられたとき、ブロック本体３４の立面３１側の磁路が、取付けられた保持ブロック１３、可動壁１６側の磁気抵抗が低下する。ブロック本体３４の立面３１及び底面３８からの残存厚δの範囲を残して形成され、底面強磁性体３６Ａ,３６Ｂ、立面強磁性体４６Ａ,４６Ｂはブロック本体３４外の立面３１及び底面３８側の磁界は、残存厚δの範囲の磁束密度が高くなるから、精密バイスの保持ブロック１３、可動壁１６はブロック本体３４を大きな吸引力で吸着する。
よって、使用時には表面の残存厚δの範囲の磁束密度が高くなり、ブロック本体３４の挿着状態を安定化させ、不使用時には表面の磁束密度が低くなり、鉄粉、切削粉をウエスまたはエアーガンで除去可能となる。故に、ブロック本体３４の垂直方向３１に移動できなくなり、精度の良い加工が可能となる。

このとき、連結強磁性体８２は、両端の底面強磁性体３６Ａ,３６Ｂまたは立面強磁性体４６Ａ,４６Ｂに磁束が通り、立面強磁性体４６Ａ,４６Ｂの残存厚δに磁路が形成され、ブロック本体３４内のみで短絡回路を形成することなく、連結強磁性体８２自体は、ブロック本体３４外に形成された低磁気回路がメインの磁路となる。また、底面強磁性体３６Ａ,３６Ｂまたは立面強磁性体４６Ａ,４６Ｂと連結強磁性体８２は、残存厚δを通過してブロック本体３４外の磁束がメイン磁路の磁束となる。
したがって、ブロック本体３４が精密バイスの保持ブロック１３、可動壁１６に装着されていないとき、ブロック本体３４の外部に出る磁束密度を小さくすることができ、逆に、ブロック本体３４が精密バイスの保持ブロック１３、可動壁１６に装着されたとき、ブロック本体３４の立面３１及び底面３８から外部に出る磁束の和は大きくなり、安定に保持することができる。

図１３は、上記図１０乃至図１２に示す実施の形態と共に使用するブロック本体３４の形態である。ここで、第１，第２底面挿入孔３３、第１，第２筐体３５、底面強磁性体３６Ａ,３６Ｂ、立面強磁性体４６Ａ,４６Ｂ、第１，第２立面挿入孔４３、連結強磁性体８２等は上記実施の形態と相違するものではない。
本実施の形態の形態では、ブロック本体３４の両端部位置に連結挿入孔８４を穿設する。強磁性体からなる内部強磁性体８０と中継磁性体８１ａと中継磁性体８１ｂ、そして、連結挿入孔８４に、反磁性体または非磁性体からなる連結挿入孔８４から連結筐体８３が離脱しないように挿入している。

また、本実施の形態の精密バイス用ブロック２０は、ブロック本体３４が精密バイスの保持ブロック１３、可動壁１６に装着されたとき、ブロック本体３４の立面３１側の磁路が、装着された保持ブロック１３、可動壁１６側により磁気抵抗が低下するから、ブロック本体３４の立面３１からの残存厚δ＝０．４乃至１．２ｍｍの範囲を残して形成されているから、底面強磁性体３６Ａ,３６Ｂ及び立面強磁性体４６Ａ,４６Ｂは、ブロック本体３４外の立面３１側の磁界は、残存厚δ＝０．４乃至１．２ｍｍの範囲の磁束密度が高くなるから、精密バイスの保持ブロック１３、可動壁１６に装着され、ブロック本体３４を大きな吸引力で吸着する。
したがって、使用時には表面の残存厚δ＝０．４乃至１．２ｍｍの範囲の磁束密度が高くなり、ブロック本体３４の挿着状態を安定化させ、不使用時には表面の磁束密度が低くなり、鉄粉、切削粉をウエスまたはエアーガンで除去可能となる。故に、ブロック本体３４の垂直方向３１に移動できなくなり、精度の良い加工が可能となる。

以上のように、本実施の形態の精密バイス用ブロックは、磁性体金属で形成されたブロック本体３４と、ブロック本体３４の底面３８からの残存厚δ＝０．４乃至１．２ｍｍの範囲を残して形成してなる第１底面挿入孔３３ａ及び第１底面挿入孔３３ａとの間に水平距離を離した第２底面挿入孔３３ｂと、第１底面挿入孔３３ａ及び第２底面挿入孔３３ｂの各々に１個挿着した底面強磁性体３６Ａ,３６Ｂと、または、ブロック本体３４の立面３１からの残存厚δ＝０．４乃至１．２ｍｍの範囲を残して形成してなる第１立面挿入孔４３ａ及び前記第１立面挿入孔４３ａとの間に水平距離を離した第２立面挿入孔４３ｂと、前記第１立面挿入孔４３ａ及び第２立面挿入孔４３ｂの各々に１個挿着した立面強磁性体４６Ａ，４６Ｂと、第１底面挿入孔３３ａと第２底面挿入孔３３ｂを両端に配設し、または、第１立面挿入孔４３ａと第２立面挿入孔４３ｂを両端に配設し、ブロック本体３４の底面３８及び立面３１に平行な連結挿入孔８４と、連結挿入孔８４に挿入され、互いにＳ極とＮ極との向きを同一とすべく配置された連結強磁性体８２とを具備する。

本実施の形態の精密バイス用ブロックは、磁性体金属で形成されたブロック本体３４の底面３８からの残存厚δ＝０．４乃至１．２ｍｍの範囲を残して形成してなる第１底面挿入孔３３ａ及び第１底面挿入孔３３ａとの間に水平距離を離した第２底面挿入孔３３ｂと、第１底面挿入孔３３ａ及び第２底面挿入孔３３ｂの各々に１個挿着した底面強磁性体３６Ａ,３６Ｂと、または、ブロック本体３４の立面３１からの残存厚δ＝０．４乃至１．２ｍｍの範囲を残して形成してなる第１立面挿入孔４３ａ及び第１立面挿入孔４３ａとの間に水平距離を離した第２立面挿入孔４３ｂと、第１立面挿入孔４３ａ及び第２立面挿入孔４３ｂの各々に１個挿着した立面強磁性体４６Ａ，４６Ｂとを具備し、ブロック本体３４の底面３８及び立面３１に平行に穿設した連結挿入孔８４と、連結挿入孔８４に挿入され、互いにＳ極とＮ極との向きを同一とすべく配置された連結強磁性体８２は、連結強磁性体８２と底面強磁性体３６Ａ，３６Ｂと立面強磁性体４６Ａ，４６Ｂは、互いにＮ極とＳ極とが対向するようにＮ，Ｓ，Ｎ，Ｓ・・・と接合させ、磁極の向きを同一(スピンの方向を同一)とすべくブロック本体３４内に配置したものである。

したがって、底面３８側に磁性体がない(大気中に浮いていると想定した)場合の連結強磁性体８２は、ブロック本体３４内の磁性体中を磁路とし、大気中側は磁気抵抗が大きくなる。第１底面挿入孔３３ａ及び第２底面挿入孔３３ｂの各々に１個挿着した底面強磁性体３６Ａ，３６Ｂに内部強磁性体８０の磁界が加わり、磁気抵抗の低いブロック本体３４内の磁路がメイン磁路となる。同様に、内部強磁性体８０は立面３１側に磁性体がない場合には、ブロック本体３４内の磁性体中を磁路とし、磁気抵抗の大きい大気中は殆ど磁路を形成せず、第１立面挿入孔４３ａ及び第２立面挿入孔４３ｂの各々に１個挿着した立面強磁性体４６Ａ，４６Ｂと内部強磁性体８０が磁路となり、磁気抵抗の低い前記ブロック本体３４内を磁束が通過する。

ところが、本実施の形態の精密バイス用ブロックは、精密バイスの保持ブロック１３、可動壁１６を装着すると、それに伴って磁気抵抗が低下するからブロック本体３４と当該磁性体が磁気抵抗の低い精密バイスの外部磁性体側が磁束のメインの通路となる。よって、内部強磁性体８０は精密バイスの外部磁性体中を底磁気抵抗の磁路となり、磁気抵抗の大きい大気中が逆に低抵抗の磁路となり、第１底面挿入孔３３ａ及び第２底面挿入孔３３ｂの各々に１個挿着した底面強磁性体３６Ａ,３６Ｂと内部強磁性体８０が磁路となり、磁気抵抗の低い精密バイスの外部磁性体側がメイン磁路となる。
同様に、立面３１側に精密バイス等の外部磁性体が接触し、吸引した場合も、前記ブロック本体３４内の磁性体中を磁路としているが、磁気抵抗の大きい大気中側が低抵抗側となり、第１立面挿入孔４３ａ及び第２立面挿入孔４３ｂの各々に１個挿着した立面強磁性体４６Ａ,４６Ｂと内部強磁性体８０が磁路となり、磁気抵抗の低い精密バイス等の外部磁性体側がメイン磁路となる。

即ち、内部強磁性体８０の両端の底面強磁性体３６Ａ,３６Ｂ、または、内部強磁性体８０の両端の立面強磁性体４６Ａ,４６Ｂによって、ブロック本体３４中に何れかの磁界が形成されていても、精密バイス等装着されると、両端の底面強磁性体３６Ａ,３６Ｂと立面強磁性体４６Ａ,４６Ｂは精密バイスを構成する保持ブロック１３、可動壁１６を装着すると磁路の磁気抵抗が低くなり、安定した吸引力により、ブロック本体３４は立設を維持できる。

したがって、ブロック本体３４が精密バイスを構成する保持ブロック１３、可動壁１６に装着されていないとき、大気中の磁気抵抗が高いからブロック本体３４内に磁気回路が形成され、例えば、ブロック本体３４に切削粉等の切り屑が付着しても、それらがエアーガンまたはウエス等で一掃でき、また、ブロック本体３４が精密バイスを構成する保持ブロック１３、可動壁１６側に吸引すると、ブロック本体３４外の磁気回路がブロック本体３４内の磁気回路よりも磁気抵抗が低くなり、結果的に、ブロック本体３４の底面３８及び立面３１の吸引力を強くし、精密バイスに正確に吸引され立設保持させることができる。
よって、使用時には表面の吸引力を強くし、ブロック本体３４の配置を安定化させ、不使用時には表面の磁界が低くなり、鉄粉、切削粉をウエスまたはエアーガンで除去可能とした精密バイス用ブロックとするものである。

また、他の実施の形態の精密バイス用ブロックは、磁性体金属で形成されたブロック本体３４と、ブロック本体３４の底面３８からの残存厚δ＝０．４乃至１．２ｍｍの範囲を残して形成してなる第１底面挿入孔３３ａ及び第１底面挿入孔３３ａとの間に水平距離を離した第２底面挿入孔３３ｂと、第１底面挿入孔３３ａ及び第２底面挿入孔３３ｂの各々に１個挿着した底面強磁性体３６Ａ,３６Ｂと、ブロック本体３４の立面３１からの残存厚δ＝０．４乃至１．２ｍｍの範囲を残して形成してなる第１立面挿入孔４３ａ及び第１立面挿入孔４３ａとの間に水平距離を離した第２立面挿入孔４３ｂと、第１立面挿入孔４３ａ及び第２立面挿入孔４３ｂの各々に１個挿着した立面強磁性体４６Ａ,４６Ｂと、第１底面挿入孔３３ａと第２底面挿入孔３３ｂを両端に、及び／または、第１立面挿入孔３３ａと第２立面挿入孔３３ｂを両端に配設し、ブロック本体３４の底面３８及び立面３１に平行な連結挿入孔８４と、連結挿入孔８４に挿入され、互いにＳ極とＮ極との向きを同一とすべく配置された連結強磁性体８２とを具備する。

したがって、本実施の形態の精密バイス用ブロック２０は、磁性体金属で形成されたブロック本体３４の底面３８からの残存厚δの範囲を残して形成してなる第１底面挿入孔３３ａ及び第１底面挿入孔３３ａとの間に水平距離を離した第２底面挿入孔３３ｂと、第１底面挿入孔３３ａ及び第２底面挿入孔３３ｂの各々に１個挿着した底面強磁性体３６Ａ,３６Ｂと、ブロック本体３４の立面３１からの残存厚δの範囲を残して形成してなる第１立面挿入孔４３ａ及び第１立面挿入孔４３ａとの間に水平距離を離した第２立面挿入孔４３ｂと、第１立面挿入孔４３ａ及び第２立面挿入孔４３ｂの各々に１個挿着した立面強磁性体４６Ａ,４６Ｂを具備し、ブロック本体３４の底面３８及び立面３１に平行に穿設した連結挿入孔８４と、連結挿入孔８４に挿入され、互いにＳ極とＮ極との向きを同一とすべく配置された連結強磁性体８２は、連結強磁性体８２と底面強磁性体３６Ａ,３６Ｂと立面強磁性体４６Ａ,４６Ｂは、互いにＮ極とＳ極とが対向するようにＮ，Ｓ，Ｎ，Ｓ・・・と接合させ、磁極の向きを同一(スピンの方向を同一)とすべくブロック本体３４内に配置したものである。

また、底面３８側に磁性体がない場合、連結強磁性体８２は、ブロック本体３４内の磁性体中をメイン磁路とし、磁気抵抗の大きい大気中は磁束が少なくなる。第１底面挿入孔３３ａ及び第２底面挿入孔３３ｂの各々に１個挿着した底面強磁性体３６Ａ,３６Ｂと内部強磁性体８０が磁路となり、磁気抵抗の低いブロック本体３４内がメイン磁路となる。また、連結強磁性体８２は立面３１側に磁性体がない場合、ブロック本体３４内の磁性体中をメイン磁路とし、磁気抵抗の大きい大気中は殆ど磁路とせず、第１立面挿入孔４３ａ及び第２立面挿入孔４３ｂの各々に１個挿着した立面強磁性体４６Ａ,４６Ｂと内部強磁性体８０が磁路となり、磁気抵抗の低いブロック本体３４内を磁束が通過する。

ところが、精密バイスの保持ブロック１３、可動壁１６を装着すると、ブロック本体３４と当該磁性体が磁気抵抗の低い精密バイス等の外部磁性体側がメイン磁路となる。よって、連結強磁性体８２は精密バイスの外部磁性体中が逆に低抵抗のメイン磁路となり、第１底面挿入孔３３ａ及び第２底面挿入孔３３ｂの各々に１個挿着した底面強磁性体３６Ａ,３６Ｂと連結強磁性体８２が磁路となり、磁気抵抗の低い精密バイスの外部磁性体側がメイン磁路となる。
同様に、立面３１側に精密バイスの外部磁性体が接触吸引した場合も、ブロック本体内の磁性体中を磁路としているが、磁気抵抗の大きい大気中側が低抵抗側となり、第１立面挿入孔３３ａ及び第２立面挿入孔３３ｂの各々に１個挿着した立面強磁性体４６Ａ,４６Ｂと内部強磁性体８０が磁路となり、磁気抵抗の低い精密バイスの外部磁性体側がメイン磁路となる。

即ち、連結強磁性体８０の両端の底面強磁性体３６Ａ,３６Ｂと、連結強磁性体８２の両端の立面強磁性体４６Ａ,４６Ｂは、２個の磁界が並列的に接続されている。それらの２個の磁界の残存厚δ側は、例えば、磁束密度を上げて他極の底面強磁性体３６Ａ,３６Ｂまたは立面強磁性体４６Ａ,４６Ｂ側にメイン磁路が形成されていても、精密バイスの外部磁性体が接触吸引すると、両端の底面強磁性体３６Ａ,３６Ｂと立面強磁性体４６Ａ,４６Ｂは精密バイスを構成する外部磁性体を通る磁路の磁気抵抗側が低くなり、それがメイン磁路となり、安定した吸引力により、ブロック本体３４は立設保持される。

したがって、ブロック本体３４が大気中にあるとき、大気中の磁気抵抗が高いからブロック本体３４内に磁気回路が形成され、例えば、ブロック本体３４に切削粉等の切り屑が付着しても、それらがエアーガンまたはウエス等で一掃でき、また、ブロック本体３４が精密バイスの外部磁性体に接触し、吸引すると、ブロック本体３４外の磁気回路がブロック本体３４内の磁気回路よりも磁気抵抗が低くなり、結果的に、ブロック本体３４の底面３８及び立面３１の接合力を強くし、精密バイスに正確に吸引され立設保持させることができる。
よって、使用時には表面の吸引力を強くし、ブロック本体３４の配置を安定化させ、不使用時には表面の磁界が低くなり、鉄粉、切削粉をウエスまたはエアーガンで除去可能とした精密バイス用ブロックとするものである。

本実施の形態の精密バイス用ブロック２０の連結強磁性体８２は、第１底面挿入孔３３ａ及び第２底面挿入孔３３ｂの各々に１個挿着した底面強磁性体３６Ａ,３６Ｂと、第１立面挿入孔３３ａ及び第２立面挿入孔３３ｂの各々に１個挿着した立面強磁性体４６Ａ,４６Ｂに、各々独立した内部強磁性体８０を配設したものであるから、底面強磁性体３６Ａ,３６Ｂ＋連結強磁性体８２＋底面強磁性体３６Ａ,３６Ｂの磁気回路と、立面強磁性体４６Ａ,４６Ｂ＋連結強磁性体８２＋立面強磁性体４６Ａ,４６Ｂの磁気回路とを形成できるので、底面３８側または立面３１側の何れの吸引力をも大きくすることができる。

本実施の形態の精密バイス用ブロック２０の連結強磁性体８２は、第１底面挿入孔３３ａ及び第２底面挿入孔３３ｂの各々に１個挿着した底面強磁性体３６Ａ,３６Ｂと、第１立面挿入孔４３ａ及び第２立面挿入孔４３ｂの各々に１個挿着した立面強磁性体４６Ａ,４６Ｂに共通する連結強磁性体８２を配設したものであるから、単純な構成によって底面強磁性体３６Ａ,３６Ｂ＋連結強磁性体８２＋底面強磁性体３６Ａ,３６Ｂの磁気回路と、内部強磁性体８０を共通とする立面強磁性体４６Ａ,４６Ｂ＋連結強磁性体８２＋立面強磁性体４６Ａ,４６Ｂの磁気回路が形成できるので、最もシンプルな構成により、底面３８側または立面３１側の何れにも吸引力を大きくすることができる。

本実施の形態の精密バイス用ブロック２０の連結強磁性体８２は、連結強磁性体８２の両端から直角に底面強磁性体３６Ａ,３６Ｂを配設し、正面視においてコ字状とすべく磁性体を配設したものであるから、残存厚δに形成される磁路と、連結強磁性体８２の両端から直角に底面強磁性体３６Ａ,３６Ｂを配設した磁路とは、底面３８側の残存厚δによって切替えが容易であるから、任意の残存厚δとすることができる。

本実施の形態の精密バイス用ブロック２０の連結強磁性体８２は、連結強磁性体８２の両端から直角に立面強磁性体４６Ａ,４６Ｂを配設し、平面視においてコ字状とすべく磁性体を配設したものであるから、残存厚δ＝０．４〜１．２ｍｍに形成される磁路と、連結強磁性体８２の両端から直角に底面強磁性体３６Ａ,３６Ｂを配設した磁路とは、立面側の残存厚δによって切替えが容易であるから、任意の残存厚δとすることができる。

本実施の形態の精密バイス用ブロック２０の連結強磁性体８２は、両端部側に中継磁性体８１及びその間の中央に内部強磁性体８０を配設し、かつ、反磁性体または非磁性体からなる連結筐体８３にそれらを収容したものであるから、磁束が拡大する磁束を連結筐体８３で抑えるから、中継磁性体８１を使用しても広がりが少なくて済む。
本実施の形態の精密バイス用ブロック２０の底面強磁性体３６Ａ,３６Ｂ及び立面強磁性体４６Ａ，４６Ｂは、大きさ、例えば、直径、長さを変化させることにより、希望する磁力が得られる。また、内部強磁性体８０の数、中継磁性体８１の数及びによっても希望する磁力が得られる。

残存厚δを０．４〜１．２ｍｍにするのは、第１，第２筐体３５で底面強磁性体３６Ａ,３６Ｂ及び立面強磁性体４６Ａ，４６Ｂの磁束の広がりを防止し、或いは底面強磁性体３６Ａ,３６Ｂ及び立面強磁性体４６Ａ，４６Ｂがショートカットしないようにしている。
そして、発明者らの実験により、底面３８側または立面３１側の何れにもブロック本体３４に精密バイス用ブロック２０の可動壁１６と保持ブロック１３が吸引され、被加工物５の吸引力を大きくすることができる。特に、残存厚δを０．４〜１．２ｍｍにすると、精密バイス用ブロック２０の可動壁１６と保持ブロック１３が吸引され、そのスイッチング動作を大きく変化させることができる。

図５乃至図７と図８乃至図１０の実施の形態を同時に持つような連結強磁性体８２は、第１底面挿入孔３３ａ及び第２底面挿入孔３３ｂの各々に１個挿着した底面強磁性体３６Ａ,３６Ｂと、第１立面挿入孔４３ａ及び第２立面挿入孔４３ｂの各々に１個挿着した立面強磁性体４６Ａ，４６Ｂに共通する連結強磁性体８２を配設した構成とすることができる。
また、図１１乃至図１２の実施の形態のように、連結強磁性体８２は、第１底面挿入孔３３ａ及び第２底面挿入孔３３ｂの各々に１個挿着した底面強磁性体３６Ａ,３６Ｂと、第１立面挿入孔４３ａ及び第２立面挿入孔４３ｂの各々に１個挿着した立面強磁性体４６Ａ，４６Ｂに、各々独立した連結強磁性体８２を配設した構成とすることができる。

そして、本実施の形態の精密バイス用ブロック２０は、立面３１、底面３８に密着しているので安心感が強い。本実施の形態の精密バイス用ブロック２０は、立面３１、底面３８が共に密着して動かないから、被加工物５の取付け、取外しのとき、従来のように５ｍｍくらいスライドするのを阻止できる。本実施の形態の精密バイス用ブロック２０は立面３１に密着し、しかも底面８は磁力で浮き上がりを防止いているので高い精度が維持できる。
このように、被加工物５を精密バイス用ブロック２０にセットするとき、精密バイス用ブロック２０が動かないので、精度よく固定できる。また、切削加工後、精密バイス用ブロック２０の表面に、鉄粉、切削粉等が付着し難い。そして、加工終了後、引き続き同じ被加工物５を載せるとき浮たり、傾向いたりしない。更に、鉄粉、切削粉はエアーガンで吹けば容易に飛ぶので除去できるので掃除が容易である。

なお、第１，第２離脱防止体３７（３７ａ，３７ｂ，３７ｃ）または第１,第２離脱防止体４７（４７ａ，４７ｂ，４７ｃ）は、表面側の一部を、ブロック本体３４と同一の磁性体金属で形成すると、表面から内部構造がわからなくなる。特に、外観上の違いがなく、機能のみに特徴を持たせることができる。

δ 残存厚
３１ 立面
３３ 第１，第２底面挿入孔
３３ａ 第１底面挿入孔
３３ｂ 第２底面挿入孔
３４ ブロック本体
３５ 第１，第２筐体
３５ａ 第１筐体
３５ｂ 第２筐体
３６Ａ,３６Ｂ 底面強磁性体
３７ 第１，第２離脱防止体
３７ａ 第１離脱防止体
３７ｂ 第２離脱防止体
３８ 底面
４０ 中継磁性体
４０ａ 中継磁性体
４０ｂ 中継磁性体
４３ 第１，第２立面挿入孔
４３ａ 第１立面挿入孔
４３ｂ 第２立面挿入孔
４５ 第１，第２筐体
４５ａ 第１筐体
４５ｂ 第２筐体
４６Ａ，４６Ｂ 立面強磁性体
４７ 第１,第２離脱防止体
４７ａ 第１離脱防止体
４７ｂ 第２離脱防止体
４７ｃ 離脱防止体
４９ 中継磁性体
４９ａ 中継磁性体
４９ｂ 中継磁性体
８０ 内部強磁性体
８１ 中継磁性体
８１ａ 中継磁性体
８１ｂ 中継磁性体
８２ 連結強磁性体
８３ 連結筐体
８４ 連結挿入孔

Claims (6)

1. 磁性体金属で形成されたブロック本体と、
   前記ブロック本体の底面からの残存厚０．４乃至１．２ｍｍの範囲を残して形成してなる第１底面挿入孔及び前記第１底面挿入孔との間に水平距離を離した第２底面挿入孔と、前記第１底面挿入孔及び前記第２底面挿入孔の各々に１個挿着した底面強磁性体と、
   及び／または、前記ブロック本体の立面からの残存厚０．４乃至１．２ｍｍの範囲を残して形成してなる第１立面挿入孔及び前記第１立面挿入孔との間に水平距離を離した第２立面挿入孔と、前記第１立面挿入孔及び前記第２立面挿入孔の各々に１個挿着した立面強磁性体と、
   前記第１底面挿入孔と前記第２底面挿入孔を両端に配設し、及び／または、前記第１立面挿入孔と前記第２立面挿入孔を両端に配設し、前記ブロック本体の前記底面及び前記立面に平行な連結挿入孔と、
   前記連結挿入孔に挿入され、前記底面強磁性体及び前記立面強磁性体が互いにＳ極とＮ極が吸引するように、その向きを同一とすべく配置された連結強磁性体と
   を具備したことを特徴とする精密バイス用ブロック。
2. 前記連結強磁性体は、前記第１底面挿入孔及び前記第２底面挿入孔の各々に１個挿着した底面強磁性体と、前記第１立面挿入孔及び前記第２立面挿入孔の各々に１個挿着した立面強磁性体とに共通する連結強磁性体を配設したことを特徴とする請求項１に記載の精密バイス用ブロック。
3. 前記連結強磁性体は、前記第１底面挿入孔及び前記第２底面挿入孔の各々に１個挿着した底面強磁性体と、前記第１立面挿入孔及び前記第２立面挿入孔の各々に１個挿着した立面強磁性体とに、各々独立した連結強磁性体を配設したことを特徴とする請求項１に記載の精密バイス用ブロック。
4. 前記連結強磁性体は、前記連結強磁性体の両端から直角に底面強磁性体を配設し、正面視においてコ字状とすべく磁性体を配設したことを特徴とする請求項１乃至請求項３の何れか１つに記載の精密バイス用ブロック。
5. 前記連結強磁性体は、前記連結強磁性体の両端から直角に立面強磁性体を配設し、平面視においてコ字状とすべく磁性体を配設したことを特徴とする請求項１乃至請求項３の何れか１つに記載の精密バイス用ブロック。
6. 前記連結強磁性体は、両端部側に中継磁性体及びその間の中央に１以上の内部強磁性体を配設し、かつ、反磁性体または非磁性体からなる連結筐体にそれらを収容してなることを特徴とする請求項１乃至請求項６の何れか１つに記載の精密バイス用ブロック。

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