JP2018176247A5 - - Google Patents
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Description
前記制御波形Ｃは、第１−第３工程毎に、はんだ付けポイントＰの加熱目標温度と、このはんだ付けポイントＰを目標温度にまで加熱するために必要なレーザー光Ｂの出力及び照射時間を求めることにより、決められる。
前記加熱目標温度は、はんだ付けポイントＰを形成する端子２１やリード２２の材質、形状、大きさ、表面状態等により、前もって行った数値シミュレーションや過去の経験則等に基づいて、好ましい目標温度が予め求められている。例えば、本実施形態のようにはんだ付けポイントＰが通常の端子２１及びリード２２からなる場合、はんだ１５が供給される前の第１工程Ｓ１における好ましい加熱目標温度は１５０−２５０℃であり、また、供給されたはんだ１５を溶融させて拡散させる第２工程Ｓ２においては、はんだ１５を含むはんだ付けポイントＰを２００−３００℃に保つ必要があるため、好ましい加熱目標温度は２００−３００℃であり、さらに、はんだ付けポイントＰを後加熱する第３工程Ｓ３においては、はんだ付けに必要な金属化合物が生成されるようにはんだ付けポイントＰを２５０−３００℃に保つ必要があるため、好ましい加熱目標温度は２５０−３００℃である。
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