JP2018173544A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】実施形態の課題は、表示品位および透過率の向上が可能な表示装置を提供することにある。
【解決手段】実施形態に係る表示装置は、それぞれ画素電極を含む複数の画素が設けられた第１基板ＳＵＢ１と、第１基板に対向して配置された第２基板ＳＵＢ２と、第１基板と第２基板との間に封入された液晶層ＬＣと、第１基板に対向する第２基板の内面に設けられた第１スペーサＰＳ１および前記第１スペーサと高さの異なる第２スペーサＰＳ２と、第１基板に設けられ、それぞれ第１スペーサおよび第２スペーサに対向する複数の第１アレイ柱ＡＰ１と、第１基板に設けられ、それぞれ第１アレイ柱と高さが異なる複数の第２アレイ柱ＡＰ２と、を備えている。
【選択図】 図４

Description

ここで述べる実施形態は、表示装置に関する。

表示装置として、例えば、液晶表示装置は、複数の画素電極や薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等がマトリクス状に設けられた第１基板（アレイ基板）と、この第１基板に対向して配置された第２基板（対向基板）と、これら第１基板と第２基板との間に保持された液晶層と、を備えている。第１基板と第２基板は、シール材により貼り合わせられ、このシール材の内側に液晶層が封入されている。また、第１基板と第２基板との間のギャップを維持するため、これらの基板間に複数のスペーサが設けられている。これらのスペーサとして、第１基板に設けられたスペーサと対向基板に設けられたスペーサとを互いに交差するように配置して構成するクロス柱配置のスペーサが提案されている。

近年、液晶表示装置の薄型化に伴い、第１基板と第２基板とのギャップが小さくなっている。同時に、液晶表示装置の高透過率化に伴い、ブラックマトリックスの幅が縮小している。通常、スペーサは、ブラックマトリックスと対向する位置に設けられている。このような薄型、高透過率の液晶表示装置を曲げたり、押し潰したりした場合、アレイ基板と対向基板とが位置ずれし、スペーサが画素のアレイを擦ってしまうことがある。その結果、液晶配向の乱れが生じ、輝点（ＰＳ痕）と成り得る。輝点の発生は、液晶表示装置の表示品位に悪影響を与える。また、輝点の発生を抑制するため、ブラックマトリックスの幅を広くすると、液晶表示装置の透過率が低下する。

特開２０１６−１７７０８０号公報

この発明の実施形態の課題は、表示品位の向上および透過率の向上が可能な表示装置を提供することにある。

実施形態に係る表示装置は、それぞれ画素電極を含む複数の表示画素が設けられた第１基板と、前記第１基板に対向しているとともにカラーフィルタが設けられた第２基板と、前記第１基板と第２基板との間に封入された液晶層と、前記第２基板の内面に設けられた第１スペーサおよび前記第１スペーサと高さの異なる第２スペーサと、前記第１基板に設けられ前記第１スペーサに対向しているとともに前記第１スペーサの延在方向と交差する方向に延在する第１アレイ柱と、前記第１基板に設けられ前記第２スペーサに対向しているとともに前記第２スペーサの延在方向と交差する方向に延在する第２アレイ柱と、を備え、前記第１アレイ柱は前記第２アレイ柱とは高さが異なる。
本特許では、クロス柱構造で高さの異なる２種類のアレイ柱を形成することでパネルを潰したときと曲げたときのスペーサ痕耐性を上げることができ、その結果、ＢＭ幅を縮小できより透過率を向上することができる。

図１は、第１の実施形態に係る液晶表示装置を概略的に示す斜視図。 図２は、前記液晶表示装置のアレイ基板上の複数画素を概略的に示す平面図。 図３は、前記液晶表示装置のアレイ基板上の複数画素および遮光層（ブラックマトリックス）を重ねて概略的に示す平面図。 図４は、図３の線Ａ１−Ａ１に沿った前記液晶表示装置の断面図。 図５は、対向基板に設けられたスペーサとアレイ基板に設けられたアレイ柱とのクロス配置を模式的に示す斜視図。 図６Ａは、複数画素、メインスペーサ、第１アレイ柱、第２アレイ柱を模式的に示す平面図。 図６Ｂは、通常状態のメインスペーサとアレイ柱との位置関係を模式的に示す図。 図６Ｃは、液晶パネルを潰した場合のメインスペーサとアレイ柱との位置関係を模式的に示す図。 図６Ｄは、液晶パネルを曲げた場合のメインスペーサとアレイ柱との位置関係を模式的に示す図。 図７は、第２の実施形態に係る液晶表示装置を、メインスペーサおよびサブスペーサを含む平面で破断した状態を示す断面図。 図８は、第３の実施形態に係る液晶表示装置のアレイ基板上の複数画素を概略的に示す平面図。 図９は、第３の実施形態に係る液晶表示装置のアレイ基板上の複数画素および遮光層（ブラックマトリックス）を重ねて概略的に示す平面図。 図１０は、図９の線Ａ２−Ａ２に沿った前記液晶表示装置の断面図。 図１１Ａは、複数画素、メインスペーサ、第１アレイ柱、第２アレイ柱を模式的に示す平面図。 図１１Ｂは、通常状態のメインスペーサとアレイ柱との位置関係を模式的に示す図。 図１１Ｃは、液晶パネルを潰した場合のメインスペーサとアレイ柱との位置関係を模式的に示す図。 図１１Ｄは、液晶パネルを曲げた場合のメインスペーサとアレイ柱との位置関係を模式的に示す図。 図１２は、第４の実施形態に係る液晶表示装置を、メインスペーサおよびサブスペーサを含む平面で破断した状態を示す断面図。

以下、図面を参照しながら、この発明の実施形態について詳細に説明する。
なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更であって容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。

実施形態においては、表示装置の一例として、液晶表示装置を開示する。この液晶表示装置は、例えば、時計、ナビゲーション等のウエラブルデバイス、スマートフォン、タブレット端末、携帯電話端末、パーソナルコンピュータ、テレビ受像装置、車載装置、ゲーム機器等の種々の装置に用いることができる。

（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係る液晶表示装置を示す斜視図である。
液晶表示装置１０は、アクティブマトリクス型の液晶表示パネル１２、液晶表示パネル１２を駆動する駆動ＩＣチップＣＰ、制御モジュール１４、フレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ）１５などを備えている。更に、液晶表示装置１０は、液晶表示パネル１２の背面に対向して設けられた照明装置（バックライト装置）ＢＬを備えている。

液晶表示パネル１２は、矩形平板状のアレイ基板（第１基板）ＳＵＢ１と、アレイ基板ＳＵＢ１に対向配置された矩形平板状の対向基板（第２基板）ＳＵＢ２と、アレイ基板ＳＵＢ１と対向基板ＳＵＢ２との間に保持された液晶層ＬＣと、を備えている。アレイ基板ＳＵＢ１および対向基板ＳＵＢ２は、例えば、ガラス板、透明な樹脂基板等の絶縁基板により構成される。アレイ基板ＳＵＢ１及び対向基板ＳＵＢ２は、これらの間に所定のセルギャップを形成した状態で、枠状のシール材ＳＥによって貼り合わされている。液晶層ＬＣは、セルギャップにおいてシール材ＳＥによって囲まれた内側に保持されている。液晶表示パネル１２は、シール材ＳＥによって囲まれた内側に、画像を表示する表示領域（アクティブ領域）ＤＡと、この表示領域ＤＡの周囲に位置する枠状の非表示領域（額縁領域）ＮＤＡと、を備えている。表示領域ＤＡは、マトリクス状に配列された複数の画素ＰＸによって構成されている。図示した例では、表示領域ＤＡは、四角形状に形成されているが、他の多角形状に形成されても良いし、円形状あるいは楕円形状などの他の形状に形成されても良い。

アレイ基板ＳＵＢ１は、表示領域ＤＡにおいて、走査線（ゲート線）Ｇ、信号線Ｓ、スイッチング素子ＳＷ、画素電極ＰＥ、共通電極ＣＥなどを備えている。走査線Ｇは、例えば第１方向Ｘに沿って延出している。信号線Ｓは、第１方向Ｘに交差する第２方向Ｙに沿って延出している。図示した例では、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙは、互いに直交している。なお、走査線Ｇは第１方向Ｘに平行な直線状に形成されていなくても良いし、信号線Ｓは第２方向Ｙに平行な直線状に形成されていなくても良い。例えば、走査線Ｇ及び信号線Ｓは、屈曲していても良いし、一部が分岐していても良い。

スイッチング素子ＳＷは、各画素ＰＸにおいて走査線Ｇ及び信号線Ｓと電気的に接続されている。画素電極ＰＥは、各画素ＰＸにおいてスイッチング素子ＳＷと電気的に接続されている。共通電極ＣＥは、複数の画素ＰＸに対して共通に設けられ、コモン電位に設定される。

駆動ＩＣチップＣＰおよびＦＰＣ１５などの液晶表示パネル１２の駆動に必要な信号供給源は、表示領域ＤＡよりも外側の非表示領域ＮＤＡに設けられている。図示した例では、アレイ基板ＳＵＢ１は、対向基板ＳＵＢ２の一側縁よりも外側に延出した実装部ＭＴを有している。駆動ＩＣチップＣＰ及びＦＰＣ１５は、この実装部ＭＴに実装されている。ＦＰＣ１５はアレイ基板ＳＵＢ１から外方に延出し、その延出端は、制御モジュール１４に接続されている。

なお、液晶表示パネル１２は、例えば、バックライト装置ＢＬからの光を選択的に透過させることで画像を表示する透過表示機能を備えた透過型であるが、これに限定されるものではない。例えば、液晶表示パネル１２は、外光やフロントライトユニットからの補助光といった表示面側からの光を選択的に反射させることで画像を表示する反射表示機能を備えた反射型であっても良い。また、液晶表示パネル１２は、透過表示機能及び反射表示機能を備えた半透過型であっても良い。

液晶表示パネル１２において、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙによって規定されるＸ−Ｙ平面、あるいは、基板主面に沿った横電界を利用する表示モードでは、画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥの双方がアレイ基板ＳＵＢ１に備えられる。また、Ｘ−Ｙ平面の法線に沿った縦電界を利用する表示モード、あるいは、Ｘ−Ｙ平面に対して斜め方向に傾斜した傾斜電界を利用する表示モードでは、画素電極ＰＥがアレイ基板ＳＵＢ１に備えられる一方で、共通電極ＣＥが対向基板ＳＵＢ２に備えられる。また、液晶表示パネル１２は、上記の縦電界、横電界、及び、傾斜電界を適宜組み合わせて利用する表示モードに対応した構成を有していても良い。

図２は、アレイ基板ＳＵＢ１の複数画素および対向基板側に設けられたスペーサの構成例を概略的に示す平面図である。ここでは、表示モードの一例として、横電界を利用する表示モードを適用した液晶表示パネル１２の構成例について説明する。なお、図中には、説明に必要な主要部のみを図示している。

アレイ基板ＳＵＢ１は、複数の走査線（ゲート線）Ｇ、複数の信号線Ｓ、複数のスイッチング素子、例えば、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）ＳＷ、複数の画素電極ＰＥ、共通電極ＣＥなどを備えている。

走査線Ｇは、第１方向Ｘに沿ってそれぞれ延出し、第２方向Ｙに等ピッチで並んでいる。信号線Ｓは、概ね第２方向Ｙに沿ってそれぞれ延出し、第１方向Ｘに等ピッチで並んでいる。図示した例では、信号線Ｓは、第２方向Ｙに対して鋭角に傾斜した方向に延出している。これらの走査線Ｇと信号線Ｓは、Ｘ−Ｙ平面において互いに交差している。各スイッチング素子ＳＷは、走査線Ｇと信号線Ｓとの交差部付近に設けられ、走査線Ｇ及び信号線Ｓと電気的に接続されている。

共通電極ＣＥは、アレイ基板ＳＵＢ１の略全域に亘って延在している。すなわち、Ｘ−Ｙ平面において、共通電極ＣＥは、走査線Ｇ、信号線Ｓ、スイッチング素子ＳＷと重なり、Ｘ方向およびＹ方向に延在している。共通電極ＣＥは、図示しない平坦化膜等の絶縁膜を介して、アレイ基板ＳＵＢ１上に設けられている。共通電極ＣＥは、透明導電膜、例えば、ＩＴＯ（イットリウム・ティン・オキサイド）で形成されている。

画素電極ＰＥは、図示しない絶縁層を介して、共通電極ＣＥに重ねて設けられている。画素電極ＰＥは、それぞれ２本の走査線Ｇおよび２本の信号線Ｓで囲まれた領域に設けられ、第１方向Ｘに間隔をおいて並んでいる。画素電極ＰＥは、スイッチング素子ＳＷと電気的に接続されている。画素電極ＰＥは、互いに隙間を置いてほぼ平行に延びる複数本、例えば、２本の電極部ＰＢ、電極部ＰＢの一端部同志を連結した連結部ＰＣ、電極部ＰＢの他端部同志を連結したコンタクト部ＰＡを有している。２本の電極部ＰＢは、信号線Ｓとほぼ平行に延在している。電極部ＰＢは、帯状電極、線状電極、櫛歯電極などと称される場合もある。コンタクト部ＰＡは、一方の走査線Ｇに隣接して位置し、共通電極ＣＥおよび絶縁膜に形成されたコンタクトホールＣＨを介してスイッチング素子ＳＷに電気的に接続されている。画素電極ＰＥは、透明導電膜、例えば、ＩＴＯで形成されている。
なお、画素電極ＰＥの形状は、図示した例に限らず、例えば、連結部ＰＣを省略しても良いし、電極部ＰＢの本数が２本でなくても良い。
上記のように構成された複数の画素は、後述するカラーフィルタＣＦと組み合わせることにより、第１方向Ｘに順番に並んだ、赤色画素Ｂ、緑色画素Ｒ、青色画素Ｇを構成する。これらの画素は、３色に限らず、更に、白色画素を含むようにしてもよい。

アレイ基板ＳＵＢ１の複数個所に、複数の第１アレイ柱ＡＰ１および複数の第２アレイ柱ＡＰ２が立設されている。第１アレイ柱ＡＰ１は、赤色画素Ｒと青色画素Ｂとの間で、信号線Ｓと走査線Ｇの交差部と重なる位置に、かつ、スイッチング素子ＳＷの近傍にもう置けられている。第１アレイ柱ＡＰ１は、信号線Ｓの延在方向に沿った所定長さを有し、信号線Ｓに重ねて配置されている。また、第１アレイ柱ＡＰ１の中央部は、幅広に形成され、Ｘ方向に延在している。

第２アレイ柱ＡＰ２は、Ｘ方向に隣合う２つの第１アレイ柱ＡＰ１間に設けられている。複数の第２アレイ柱ＡＰ２は、第１アレイ柱ＡＰ１と共に、Ｘ方向に所定のピッチで並んで設けられている。本実施形態では、２つの第１アレイ柱ＡＰ１間に、２つの第２アレイ柱ＡＰ２が設けられている。各第２アレイ柱ＡＰ２は、信号線Ｓと走査線Ｇの交差部と重なる位置に、かつ、スイッチング素子ＳＷの近傍にもう置けられている。第２アレイ柱ＡＰ２は、信号線Ｓの延在方向に沿った所定長さを有し、信号線Ｓに沿って重ねて配置されている。第２アレイ柱ＡＰ２は、一定の幅を有している。第２アレイ柱ＡＰ２の幅は、信号線Ｓの幅以下であることが望ましい。
後述するように、第１アレイ柱ＡＰ１と第２アレイ柱ＡＰ２とは互いに高さが相違している。本実施形態では、第１アレイ柱ＡＰ１が高く、第２アレイ柱ＡＰ２が低く形成される。

図２には、対向基板ＳＵＢ２側に設けられる複数のスペーサを図示している。後述するが、スペーサは、アレイ基板ＳＵＢ１と対向基板ＳＵＢ２との間のセルギャップを保持する第１スペーサ（メインスペーサ）ＰＳ１と、液晶表示パネル１２が押し潰され、あるいは、曲げられた場合に、セルギャップ保持をサポートする第２スペーサ（サブスペーサ）ＰＳ２と、を含んでいる。一例では、第１スペーサＰＳ１および第２スペーサＰＳ２は、それぞれアレイ基板ＳＵＢ１の第１アレイ柱ＡＰ１と対向する位置に設けられている。
すなわち、第１スペーサＰＳ１は、赤色画素Ｒと青色画素Ｂとの間で、信号線Ｓと走査線Ｇの交差部と重なる位置に、かつ、スイッチング素子ＳＷの近傍に設けられている。第１スペーサＰＳ１は、走査線Ｇの延在方向（Ｘ方向）に沿った所定長さを有し、走査線Ｇに対向して配置されている。第１スペーサＰＳ１は、第１アレイ柱ＡＰ１と交差する方向に延在し、その長手方向の中央部が、第１アレイ柱ＡＰ１の長手方向の中央部に対向している。第１スペーサＰＳ１の幅は、走査線Ｇの幅とほぼ等しく、あるいは、走査線Ｇの幅よりも僅かに大きく形成されている。

第２スペーサＰＳ２は、赤色画素Ｒと青色画素Ｂとの間で、信号線Ｓと走査線Ｇの交差部と重なる位置に、かつ、スイッチング素子ＳＷの近傍に設けられている。第２スペーサＰＳ２は、走査線Ｇの延在方向（Ｘ方向）に沿った所定長さを有し、走査線Ｇに対向して配置されている。第２スペーサＰＳ２は、第１アレイ柱ＡＰ１と交差する方向に延在し、その長手方向の中央部が、第１アレイ柱ＡＰ１の長手方向の中央部に対向している。第２スペーサＰＳ２の幅は、走査線Ｇの幅とほぼ等しく、あるいは、走査線Ｇの幅よりも僅かに大きく形成されている。後述するように、一例では、第２スペーサＰＳ２は、第１スペーサＰＳ１よりも高さが低く形成されている。これにより、第２スペーサＰＳ２は、第１アレイ柱ＡＰ１と隙間を置いて対向している。

図３は、アレイ基板ＳＵＢ１の複数画素および対向基板側に設けられたスペーサに、対向基板側に設けられる遮光層（ブラックマトリックス）ＢＭを更に重ねて示す平面図である。図に示すように、対向基板ＳＵＢ２に設けられる遮光層ＢＭは、マトリクス状に形成され、アレイ基板ＳＵＢ１の複数の信号線Ｓ、複数の走査線Ｇ、コンタクト部ＰＡ、スイッチング素子ＳＷなどの配線部と対向する領域に配置されている。遮光層ＢＭは、多数の開口部を規定している。各開口部は、画素電極ＰＥと対向する領域に相当している。遮光層ＢＭにおいて、Ｘ方向に延在し走査線Ｇに対向するＸ方向延在領域は、第１および第２スペーサＰＳ１、ＰＳ２の幅よりも大きな幅に形成されている。そして、遮光層ＢＭのＸ方向延在領域は、第１および第２スペーサＰＳ１、ＰＳ２、並びに、第１および第２アレイ柱ＡＰ１、ＡＰ２に対向している。

図４は、図３の線Ａ１−Ａ１で破断した液晶表示装置の構成例を示す断面図である。ここでは、説明に必要な主要部のみを図示している。なお、以下の説明において、アレイ基板ＳＵＢ１から対向基板ＳＵＢ２に向かう方向を上方、あるいは、単に上と称する。
アレイ基板ＳＵＢ１は、ガラス基板や樹脂基板などの光透過性を有する絶縁基板２０を用いて構成されている。絶縁基板２０は、対向基板ＳＵＢ２に対向する内面と、反対側の外面とを有している。アレイ基板ＳＵＢ１は、絶縁基板２０の内面上に設けられた、アンダーコート層（第１絶縁膜）２１、ゲート絶縁膜（第２絶縁膜）２２、層間絶縁膜（第３絶縁膜）２３、平坦化膜（第４絶縁膜）２４、第５絶縁膜２６、信号線Ｓ、走査線Ｇ、スイッチング素子ＳＷ、画素電極ＰＥ、共通電極ＣＥ、第１および第２アレイ柱ＡＰ１、ＡＰ２、図示しない配向膜などを備えている。また、アレイ基板ＳＵＢ１は、絶縁基板２０の外面上に設けられた第１偏光板ＰＬ１を備えている。

アンダーコート層２１は、絶縁基板２０の対向基板ＳＵＢ２側の表面に形成され、この表面全体を覆っている。アンダーコート層２１上に、スイッチング素子ＳＷを構成する図示しない半導体層が形成されている。ゲート絶縁膜２２は、アンダーコート層２１および半導体層に重ねて設けられている。ゲート絶縁膜２２上に、図示しない走査線Ｇが設けられている。層間絶縁膜２３は、ゲート絶縁膜２２上および走査線Ｇ上に設けられている。信号線Ｓは、層間絶縁膜２３の上に位置している。また、スイッチング素子ＳＷに電気的に導通した中継電極ＳＴが層間絶縁膜２３上に設けられている。平坦化膜２４は、層間絶縁膜２３の上に位置し、信号線Ｓおよび中継電極ＳＴを覆っている。

平坦化膜２４の複数個所には、第２アレイ柱ＡＰ２を形成するための複数の凸部２５が突設されている。これらの凸部２５は、一例として、局所的に透過率が異なるハーフトーンマスクを介して平坦化膜２４をハーフ露光し、この平坦化膜を現像するフォトリソグラフィプロセスを利用することで形成することができる。
共通電極ＣＥは、平坦化膜２４および凸部２５の上に形成されている。共通電極ＣＥ上に、第５絶縁膜（平坦化膜）２６が設けられている。このように、凸部２５およびこれに重なる共通電極ＣＥおよび第５絶縁膜２６の重なり部分により、第２アレイ柱ＡＰ２が形成されている。アレイ基板ＳＵＢ１と対向基板ＳＵＢ２との間のセルギャップＧに対して、第２アレイ柱ＡＰ２の突出高さは、Ｇの１／６〜１／２に形成している。本実施形態では、第２アレイ柱ＡＰ２の高さは、Ｇの１／６程度としている。
上述した第１絶縁膜２１、第２絶縁膜２２、第３絶縁膜２３、第５絶縁膜２６は、例えば、シリコン酸化物やシリコン窒化物などの透明な無機系材料によって形成されている。第４絶縁膜（平坦化膜）２４は、透明な樹脂材料によって形成され、無機系材料によって形成された他の絶縁膜と比べて厚い膜厚を有している。

第５絶縁膜２６、共通電極ＣＥ、および平坦化膜２４に複数のコンタクトホールＣＨが形成されている。これらのコンタクトホールＣＨは、中継電極ＳＴと対向する位置に設けられている。複数の画素電極ＰＥは、第５絶縁膜２６上に設けられ、この第５絶縁膜２６を介して共通電極ＣＥに対向している。各画素電極ＰＥのコンタクト部ＰＡは、コンタクトホールＣＨを介して中継電極ＳＴに接続されている。

第５絶縁膜２６の上に、複数の第１アレイ柱ＡＰ１が設けられている。第１アレイ柱ＡＰ１は、例えば、第５絶縁膜２６上に平坦化膜等の絶縁膜を形成し、この絶縁膜をフォトリソグラフィプロセスで加工することにより、形成される。第１アレイ柱ＡＰ１は、第２アレイ柱ＡＰ２よりも高さが高く形成されている（ＡＰ１＞ＡＰ２）。一例では、第１アレイ柱ＡＰ１の高さは、セルギャップＧの１／２程度としている。なお、本実施形態において、アレイ柱の高さとは、図４における、画素部高さＨから、アレイ基板ＳＵＢ１に垂直な方向の高さを示している。第１アレイ柱ＡＰ１と第２アレイ柱ＡＰ２との高さの差は、例えば、０．５〜１μｍとすることができる。
Ｘ方向において、第１アレイ柱ＡＰ１は、例えば、３画素おきに設けられている。第２アレイ柱ＡＰ２は、Ｘ方向に隣合う２つの第１アレイ柱ＡＰ１の間に設けられ、各画素ごとに設けられている。
上述したアレイ基板ＳＵＢ１の最上層には、図示しない第１配向膜が設けられる。

図４に示すように、対向基板ＳＵＢ２は、ガラス基板や樹脂基板などの透明な絶縁基板３０を用いて構成されている。絶縁基板３０は、アレイ基板ＳＵＢ１に対向する内面と反対側の外面とを有している。対向基板ＳＵＢ２は、絶縁基板３０の内面上に設けられた、遮光層ＢＭ、カラーフィルタＣＦ、オーバーコート層ＯＣ、メインスペーサＰＳ１、サブスペーサＰＳ２などを備えている。更に、対向基板ＳＵＢ２は、絶縁基板３０の外面上に設けられた第２偏光板ＰＬ２を備えている。

遮光層ＢＭは、絶縁基板３０の内面上に設けられている。遮光層ＢＭは、マトリクス状に形成され、アレイ基板ＳＵＢ１の走査線Ｇおよび信号線Ｓに対向するように配置されている。遮光層ＢＭは、画素電極ＰＥとそれぞれ対向する多数の開口部を規定している。遮光層ＢＭは、黒色の樹脂材料や、遮光性の金属材料によって形成されている。

カラーフィルタＣＦは、一例では、青色フィルタ（Ｂ）、赤色フィルタ（Ｒ）、緑色フィルタ（Ｇ）を含んでいる。これらのフィルタは、それぞれ青色、赤色、緑色に着色された樹脂材料によって形成されている。カラーフィルタＣＦは、絶縁基板３０の内面上に形成され、それぞれの端部が遮光層ＢＭに重なっている。カラーフィルタＣＦは、遮光層ＢＭの開口部に位置し、それぞれ対応する画素電極ＰＥと対向している。

オーバーコート層ＯＣは、カラーフィルタＣＦを覆っている。オーバーコート層ＯＣは、透明な樹脂材料によって形成されている。オーバーコート層ＯＣ上に第１スペーサＰＳ１および第２スペーサＰＳ２が設けられている。
第１スペーサＰＳ１は、赤色フィルタ（Ｒ）と青色フィルタ（Ｂ）との境界と重なる位置に設けられ、アレイ基板ＳＵＢ１の第１アレイ柱ＡＰ１に対向している。第１スペーサＰＳ１は、走査線Ｇの延在方向（Ｘ方向）に沿った所定長さを有し、走査線Ｇに対向して配置されている。第１スペーサＰＳ１の高さは、セルギャップＧの１／６〜１／２としている。なお、本実施形態において、スペーサの高さとは、対向基板ＳＵＢ２の最上層、例えば、オーバーコート層ＯＣから絶縁基板３０に対して垂直な方向の高さを示している。一例では、第１スペーサＰＳ１の高さは、セルギャップＧの１／２程度に形成している。これにより、第１スペーサＰＳ１は、アレイ基板ＳＵＢ１側の第１アレイ柱ＡＰ１に当接している。第１スペーサＰＳ１および第１アレイ柱ＡＰ１により、液晶表示パネル１２のセルギャップＧを保持している。

図５は、第１スペーサＰＳ１および第１アレイ柱ＡＰ１の配置関係を模式的に示している。前述したように、第１アレイ柱ＡＰ１は、ほぼＹ方向に延在している。一方、第１スペーサＰＳ１は、第１アレイ柱ＡＰ１と交差する方向、例えば、Ｘ方向に延在し、その長手方向の中央部が、第１アレイ柱ＡＰ１の長手方向の中央部に対向あるいは当接している。第１スペーサＰＳ１の幅は、走査線Ｇの幅とほぼ等しく、あるいは、走査線Ｇの幅よりも僅かに大きく形成されている。第１スペーサＰＳ１および第１アレイ柱ＡＰ１に対向する遮光層ＢＭのＸ方向延在領域の幅Ｗ１は、第１スペーサＰＳ１の移動範囲を覆う幅に設定されている。

図４に示すように、第２スペーサＰＳ２は、赤色フィルタ（Ｒ）と青色フィルタ（Ｂ）との境界と重なる位置に設けられ、アレイ基板ＳＵＢ１の第１アレイ柱ＡＰ１に対向している。第２スペーサＰＳ２は、走査線Ｇの延在方向（Ｘ方向）に沿った所定長さを有し、走査線Ｇに対向して配置されている。第２スペーサＰＳ２は、例えば、３画素分だけ、第１スペーサＰＳ１からＸ方向にずれた位置に配置されている。第２スペーサＰＳ２の高さ、すなわち、絶縁基板３０に対して垂直な方向の高さは、セルギャップＧの１／６〜１／２としている。本実施形態では、第２スペーサＰＳ２の高さは、第１スペーサＰＳ１よりも低く形成され、例えば、セルギャップＧの１／４程度に形成している。これにより、第２スペーサＰＳ２は、アレイ基板ＳＵＢ１側の第１アレイ柱ＡＰ１に隙間を置いて対向している。第２スペーサＰＳ２は、液晶表示パネル１２が押圧され、あるいは、曲げられた際、第１アレイ柱ＡＰ１に当接し、セルギャップＧの維持を補助する。

第１スペーサＰＳ１と同様に、第２スペーサＰＳ２は、第１アレイ柱ＡＰ１と交差する方向、例えば、Ｘ方向に延在し、その長手方向の中央部が、第１アレイ柱ＡＰ１の長手方向の中央部に対向している。第２スペーサＰＳ２の幅は、走査線Ｇの幅とほぼ等しく、あるいは、走査線Ｇの幅よりも僅かに大きく形成されている。

これらの第１スペーサＰＳ１および第２スペーサＰＳ２は、同一の有機高分子材料あるいは樹脂材料を用いて、一括して形成することができる。例えば、感光性樹脂材料の一種であるポジ型の透明樹脂材料をオーバーコート層ＯＣ上に塗布した後に、局所的に透過率が異なるハーフトーンマスクを介して樹脂材料を露光し、この樹脂材料を現像するフォトリソグラフィプロセスを利用することで、高さの異なる第１スペーサＰＳ１および第２スペーサＰＳ２一括して形成することができる。

対向基板ＳＵＢ２において、図示しない第２配向膜が第１および第２スペーサＰＳ１、ＰＳ２、およびオーバーコート層ＯＣを覆っている。アレイ基板ＳＵＢ１側の第１配向膜および対向基板ＳＵＢ２側の第２配向膜は、例えば、水平配向性を示す材料によって形成される。
図４に示すように、アレイ基板ＳＵＢ１および対向基板ＳＵＢ２は、第１配向膜および第２配向膜が向かい合うように配置されている。液晶層ＬＣは、第１配向膜と第２配向膜との間に封入されている。液晶層ＬＣは、誘電率異方性が負のネガ型液晶材料、あるいは、誘電率異方性が正のポジ型液晶材料によって構成されている。
アレイ基板ＳＵＢ１に設けられた第１偏光板ＰＬ１の第１偏光軸、および対向基板ＳＵＢ２に設けられた第２偏光板ＰＬ２の第２偏光軸は、例えばＸ−Ｙ平面においてクロスニコルの位置関係にある。
上記のように構成された液晶表示パネル１２は、アレイ基板ＳＵＢ１がバックライトユニットＢＬと対向し、対向基板ＳＵＢ２が表示面側に位置する。バックライトユニットＢＬとしては、種々の形態のものが適用可能であるが、その詳細な構造については説明を省略する。

以上のように構成された液晶表示装置１０によれば、高さの異なる第１スペーサおよび第２スペーサと、高さの異なる第１アレイ柱および第２アレイ柱と、を組み合わせて用いことにより、液晶表示パネルの通常状態、押圧状態、曲げ状態のいずれにおいても、セルギャップＧを安定して保持することができる。また、液晶表示パネルの押圧状態あるいは曲げ状態において、アレイ柱あるいはスペーサが画素アレイに接触あるいは擦ることを防止し、輝点の発生を抑制することができる。すなわち、液晶表示パネルのスペーサ痕耐性を上げることが可能となる。

図６Ａは、通常状態の液晶表示パネルを模式的に示す平面図、図６Ｂは、通常状態の液晶表示パネルを模式的に示す断面図、図６Ｃは、押圧状態（潰れた状態）の液晶表示パネルを模式的に示す断面図、図６Ｄは、曲げ状態の液晶表示パネルを模式的に示す断面図である。
図６Ａに破線で示すように、また、図６Ｂに示すように、通常状態において、第１スペーサＰＳ１は、第１アレイ柱ＡＰ１の長手方向の中央部に当接し、セルギャップＧを維持している。また、第１スペーサＰＳ１は、両側の第２アレイ柱ＡＰ２から離間している。

液晶表示パネル１２が押し潰された状態では、図６Ａに実線で示すように、また、図６Ｃに示すように、第１スペーサＰＳ１は、例えば、Ｙ方向に移動し、その一部が第２アレイ柱ＡＰ２に当接する。これにより、第１スペーサＰＳ１は、第１アレイ柱ＡＰ１および第２アレイ柱ＡＰ２に支持され、セルギャップＧを維持する。
液晶表示パネル１２が曲げられた状態では、図６Ａに実線で示すように、また、図６Ｄに示すように、第１スペーサＰＳ１は、曲げられた部位に向かって、例えば、Ｙ方向に移動し、その一部が第２アレイ柱ＡＰ２に当接する。これにより、第１スペーサＰＳ１は、第１アレイ柱ＡＰ１および第２アレイ柱ＡＰ２に支持され、セルギャップＧを維持する。また、パネルが曲がることにより、第１アレイ柱ＡＰ１および第２アレイ柱ＡＰ２は互いに接近する方向に変位するが、第２アレイ柱ＡＰ２は第１アレイ柱ＡＰ１よりも低く形成されていることから、アレイ柱同志が接触あるいは衝突することがない。そのため、いずれの場合でも、第１、第２アレイ柱あるいは第１、第２スペーサが画素アレイに接触あるいは擦ることを防止し、輝点の発生を抑制することができる。

なお、図示しないが、液晶表示パネル１２が押し潰され、あるいは、曲げられた場合、第２スペーサＰＳ２は、第１アレイ柱ＡＰ１に当接し、セルギャップＧを維持する。また、第２スペーサＰＳ２の一部は、第２アレイ柱ＡＰ２に当接あるいは接触し、支持される。この場合でも、第１アレイ柱ＡＰ１と第２アレイ柱ＡＰ２とが互いに接触あるいは衝突することがない。そのため、第１、第２アレイ柱あるいは第１、第２スペーサが画素アレイに接触あるいは擦ることを防止し、輝点の発生を抑制することができる。

上記のように、液晶表示パネルのスペーサ痕耐性が上がることにより、輝点発生領域を大幅に縮小することができる。そのため、輝点発生領域を覆うための遮光層ＢＭの幅Ｗ１を縮小することができ、その分、液晶表示パネルの光透過率を向上することが可能となる。
以上のことから、本実施形態によれば、輝点の発生を抑制し、表示品位の向上および透過率の向上が可能な液晶表示装置が得られる。

次に、他の実施形態に係る液晶表示装置について説明する。なお、以下に説明する他の実施形態において、前述した第１の実施形態と同一の部分には、同一の参照符号を付してその詳細な説明を省略し、第１の実施形態と異なる部分を中心に詳しく説明する。
（第２の実施形態）
図７は、第２の実施形態に係る液晶表示装置の断面図である。
第２の実施形態では、アレイ基板ＳＵＢ１に設けられている第２アレイ柱ＡＰ２の構成が、第１の実施形態と相違している。図７に示すように、第２アレイ柱ＡＰ２は、第５絶縁膜２６の上に設けられている。すなわち、第２アレイ柱ＡＰ２は、例えば、第５絶縁膜２６上に平坦化膜等の絶縁膜を形成し、この絶縁膜をフォトリソグラフィプロセスで加工することにより、形成される。

同様に、第１アレイ柱ＡＰ１は、第５絶縁膜２６上に設けられている。これらの第１アレイ柱ＡＰ１は、例えば、第５絶縁膜２６上に平坦化膜等の絶縁膜を形成し、この絶縁膜をフォトリソグラフィプロセスで加工することにより、形成される。第１アレイ柱ＡＰ１は、第２アレイ柱ＡＰ２よりも高さが高く形成されている。一例では、第１アレイ柱ＡＰ１の高さは、セルギャップＧの１／２程度としている。第２アレイ柱ＡＰ２の高さは、セルギャップＧの１／６程度としている。第１アレイ柱ＡＰ１と第２アレイ柱ＡＰ２との高さの差は、例えば、０．５〜１μｍとすることができる。
なお、第１アレイ柱ＡＰ１および第２アレイ柱ＡＰ２は、上記のように、２層の絶縁膜を別々に加工して形成してもよいし、あるいは、共通の絶縁膜を加工して形成するようにしてもよい。
第２の実施形態において、他の構成は、前述した第１の実施形態と同一である。そして、第２の実施形態においても、前述した第１の実施形態と同様の作用効果を得ることができる。

（第３の実施形態）
図８は、第３の実施形態に係る液晶表示装置のアレイ基板上の複数画素を概略的に示す平面図、図９は、第３の実施形態に係る液晶表示装置のアレイ基板上の複数画素および遮光層（ブラックマトリックス）を重ねて概略的に示す平面図、図１０は、図９の線Ａ２−Ａ２に沿った液晶表示装置の断面図である。
第３の実施形態では、アレイ基板ＳＵＢ１に設けられている第１アレイ柱ＡＰ１および第２アレイ柱ＡＰ２の構成が、第１の実施形態と相違している。図８および図９に示すように、第２アレイ柱ＡＰ２は、平面視（アレイ基板ＳＵＢ１に垂直な方向からアレイ基板を見た状態）で、ほぼＵ字形状に形成されている。すなわち、各第２アレイ柱ＡＰ２は、信号線Ｓに沿ってほぼＹ方向に延在し、長手方向の両端部は、第１アレイ柱ＡＰ１側に屈曲あるいは湾曲している。Ｘ方向において、各第１アレイ柱ＡＰ１の両側に設けられた第２アレイ柱ＡＰ２は、それぞれ長手方向両端部が第１アレイ柱ＡＰ１側に屈曲あるいは湾曲している。これら両側の２つの第２アレイ柱ＡＰ２により、間の第１アレイ柱ＡＰ１を囲むように構成している。

図１０に示すように、第２アレイ柱ＡＰ２は、第５絶縁膜２６の上に設けられている。第２アレイ柱ＡＰ２は、例えば、第５絶縁膜２６上に平坦化膜等の絶縁膜を形成し、この絶縁膜をフォトリソグラフィプロセスで加工することにより、形成される。本実施形態によれば、第２アレイ柱ＡＰ２は、第１アレイ柱ＡＰ１よりも高く形成されている。一例では、第２アレイ柱ＡＰ２の高さは、セルギャップＧの１／２程度としている。

第１アレイ柱ＡＰ１は、第５絶縁膜２６上に設けられている。これらの第１アレイ柱ＡＰ１は、例えば、第５絶縁膜２６上に平坦化膜等の絶縁膜を形成し、この絶縁膜をフォトリソグラフィプロセスで加工することにより、形成される。第１アレイ柱ＡＰ１は、第２アレイ柱ＡＰ２よりも高さが低く形成されている（ＡＰ１＜ＡＰ２）。一例では、第１アレイ柱ＡＰ１の高さは、セルギャップＧの１／６程度としている。第１アレイ柱ＡＰ１と第２アレイ柱ＡＰ２との高さの差は、例えば、０．５〜１μｍとすることができる。

対向基板ＳＵＢ２に設けられた第１スペーサＰＳ１は、第１アレイ柱ＡＰ１に当接する高さに形成されている。第２スペーサＰＳ２は、第１スペーサＰＳ１よりも低く形成され、第１アレイ柱ＡＰ１と隙間を置いて対向している。
なお、第３の実施形態において、液晶表示装置の上述した以外の他の構成は、第１の実施形態と同一である。

図１１Ａは、通常状態の液晶表示パネルを模式的に示す平面図、図１１Ｂは、通常状態の液晶表示パネルを模式的に示す断面図、図１１Ｃは、押圧状態（潰れた状態）の液晶表示パネルを模式的に示す断面図、図１１Ｄは、曲げ状態の液晶表示パネルを模式的に示す断面図である。
図１１Ａに破線で示すように、また、図１１Ｂに示すように、液晶表示パネルの通常状態において、第１スペーサＰＳ１は、第１アレイ柱ＡＰ１の長手方向の中央部に当接し、セルギャップＧを維持している。また、第１スペーサＰＳ１は、両側の第２アレイ柱ＡＰ２から離間している。

液晶表示パネル１２が押し潰された状態では、図１１Ａに実線で示すように、また、図１１Ｃに示すように、第１スペーサＰＳ１は、例えば、Ｘ方向およびＹ方向に僅かに移動し、移動方向の端部が第２アレイ柱ＡＰ２に当接する。第１スペーサＰＳ１の大部分は、第１アレイ柱ＡＰ１に当接した状態、すなわち、第１アレイ柱ＡＰ１に支持された状態に維持される。これにより、第１スペーサＰＳ１は、第１アレイ柱ＡＰ１に支持され、セルギャップＧを維持する。また、第２アレイ柱ＡＰ２は、第１スペーサＰＳ１が当接するストッパとして機能し、第１スペーサＰＳ１の過度の移動、ずれを規制する。

液晶表示パネル１２が曲げられた状態では、図１１Ａに実線で示すように、また、図１１Ｄに示すように、第１スペーサＰＳ１は、曲げられた部位に向かって、例えば、Ｘ方向およびＹ方向に僅かに移動し、移動方向の端部が第２アレイ柱ＡＰ２に当接することにより停止する。すなわち、第２アレイ柱ＡＰ２は、第１スペーサＰＳ１が当接するストッパとして機能し、第１スペーサＰＳ１の過度の移動、ずれを規制する。これにより、第１スペーサＰＳ１の大部分は、第１アレイ柱ＡＰ１に当接した状態、すなわち、第１アレイ柱ＡＰ１に支持された状態に維持される。従って、第１スペーサＰＳ１は、第１アレイ柱ＡＰ１に支持され、セルギャップＧを維持する。

なお、図示しないが、液晶表示パネル１２が押し潰され、あるいは、曲げられた場合、第２スペーサＰＳ２は、第１アレイ柱ＡＰ１に当接し、セルギャップＧを維持する。また、第２スペーサＰＳ２の端部は、第２アレイ柱ＡＰ２に当接する。これにより、第２スペーサＰＳ２は、過度の移動、ずれが規制され、大部分が第１アレイ柱ＡＰ１に支持された状態に維持される。

以上のように構成された第３の実施形態によれば、液晶表示パネルが潰れた場合あるいは曲げられた場合でも、第２アレイ柱ＡＰ２により第１スペーサおよび第２スペーサの大きな位置ずれを防止することができる。これにより、第１および第２スペーサが画素アレイに接触あるいは擦ることを防止し、輝点の発生を抑制することができる。従って、液晶表示パネルのスペーサ痕耐性が向上し、その分、遮光層ＢＭの幅Ｗ１を縮小することができる。その結果、液晶表示パネルの透過率を向上することが可能となる。
以上のことから、第３の実施形態によれば、輝点の発生を抑制し、表示品位の向上および透過率の向上が可能な液晶表示装置が得られる。

（第４の実施形態）
図１２は、第４の実施形態に係る液晶表示装置の断面図である。
第４の実施形態では、アレイ基板ＳＵＢ１に設けられている第１アレイ柱ＡＰ１の構成が、第３の実施形態と相違している。図１２に示すように、平坦化膜２４は、層間絶縁膜２３の上に位置し、信号線Ｓおよび中継電極ＳＴを覆っている。平坦化膜２４の複数個所には、第１アレイ柱ＡＰ１を形成するための複数の凸部２７が突設されている。これらの凸部２７は、一例として、局所的に透過率が異なるハーフトーンマスクを介して平坦化膜２４をハーフ露光し、この平坦化膜を現像するフォトリソグラフィプロセスを利用することで形成することができる。
共通電極ＣＥは、平坦化膜２４および凸部２７の上に形成されている。共通電極ＣＥ上に、第５絶縁膜（平坦化膜）２６が設けられている。このように、凸部２７およびこれに重なる共通電極ＣＥおよび第５絶縁膜２６の重なり部分により、第１アレイ柱ＡＰ１が形成されている。セルギャップＧに対して、第１アレイ柱ＡＰ１の突出高さは、Ｇの１／６〜１／２に形成している。本実施形態では、第１アレイ柱ＡＰ１の高さは、Ｇの１／６程度としている。

第２アレイ柱ＡＰ２は、第５絶縁膜２６の上に設けられている。第２アレイ柱ＡＰ２は、例えば、第５絶縁膜２６上に平坦化膜等の絶縁膜を形成し、この絶縁膜をフォトリソグラフィプロセスで加工することにより、形成される。第２アレイ柱ＡＰ２は、第１アレイ柱ＡＰ１よりも高さが高く形成されている。一例では、第２アレイ柱ＡＰ２の高さは、セルギャップＧの１／２程度としている。第１アレイ柱ＡＰ１と第２アレイ柱ＡＰ２との高さの差は、例えば、０．５〜１μｍとすることができる。
第４の実施形態において、液晶表示装置の上述した以外の他の構成は、前述した第３の実施形態と同一である。そして、第４の実施形態においても、前述した第３の実施形態と同様の作用効果を得ることができる。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。実施形態やその変形例は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

本発明の実施形態として上述した各構成及び製造工程を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての構成及び製造工程も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。また、上述した実施形態によりもたらされる他の作用効果について本明細書の記載から明らかなもの、又は当業者において適宜想到し得るものついては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
例えば、構成部材の材料、形状、寸法は、上述した実施形態に限らず、種々選択可能である。

１０…液晶表示装置、１２…液晶表示パネル、ＳＵＢ１…アレイ基板（第１基板）、
ＳＵＢ２…対向基板（第２基板）、ＬＣ…液晶層、ＤＡ…表示領域、
ＮＤＡ…非表示領域、ＰＸ…画素、ＳＷ…スイッチング素子、ＰＥ…画素電極、
ＣＥ…共通電極、Ｓ…信号線、Ｇ…走査線、ＡＰ１…第１アレイ柱、
ＡＰ２…第２アレイ柱、ＰＳ１…第１スペーサ（メインンスペーサ）、
ＰＳ２…第２スペーサ（サブスペーサ）、ＣＦ…カラーフィルタ、ＢＭ…遮光層、
２４、２６…平坦化膜（絶縁膜）

Claims (13)

1. それぞれ画素電極を含む複数の画素が設けられた第１基板と、
   前記第１基板に対向して配置された第２基板と、
   前記第１基板と第２基板との間に封入された液晶層と、
   前記第１基板に対向する前記第２基板の内面に設けられた第１スペーサおよび前記第１スペーサと高さの異なる第２スペーサと、
   前記第１基板に設けられ、それぞれ前記第１スペーサおよび第２スペーサに対向する複数の第１アレイ柱と、
   前記第１基板に設けられ、それぞれ前記第１アレイ柱と高さが異なる複数の第２アレイ柱と、
   を備える表示装置。
2. 前記第１スペーサは、第１方向に延在する長さを有し、前記第１アレイ柱は、前記第１方向と交差する第２方向に沿って延在し、前記第１スペーサは、前記第１アレイ柱に当接している請求項１に記載の表示装置。
3. 前記第２スペーサは、前記第１方向に沿って延在しているとともに、前記第１方向に沿って前記第１スペーサと並んで配置され、
   前記第２スペーサは、前記第１スペーサよりも高さが低く形成され、前記第１アレイ柱と隙間を置いて対向している請求項２に記載の表示装置。
4. 前記第２アレイ柱は、前記第１方向に沿って、前記第１アレイ柱と並んで配置され、
   前記第２アレイ柱は、前記第１アレイ柱よりも高さが低く形成されている請求項２又は３に記載の表示装置。
5. 前記第２アレイ柱の各々は、前記第２方向に沿って延在している請求項４に記載の表示装置。
6. 前記第２アレイ柱は、前記第１方向に沿って、前記第１アレイ柱と並んで配置され、
   前記第２アレイ柱は、前記第１アレイ柱よりも高さが高く形成されている請求項２又は３に記載の表示装置。
7. 前記第２アレイ柱の各々は、前記第２方向に沿って延在している請求項６に記載の表示装置。
8. 前記第２アレイ柱は、前記第１方向において、前記第１アレイ柱の両側に配置され、
   前記第２アレイ柱の各々は、前記第２方向の両端部を有し、前記両端部は、前記第１アレイ柱側に屈曲あるいは湾曲している請求項７に記載の表示装置。
9. 前記第１基板は、前記第２基板に対向する内面を有する第１絶縁基板と、前記第１絶縁基板の内面上にもう置けられた第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜上に設けられ、それぞれ第１方向に延びる複数の走査線と、前記走査線に重ねて前記第１絶縁膜上に設けられた第２絶縁膜と、前記第２絶縁膜上に設けられ、前記第１方向と交差する第２方向に延びる複数の信号線と、前記信号線および走査線に接続されたスイッチング素子と、前記信号線に重ねて前記第２絶縁膜上に設けられた第３絶縁膜と、前記第３絶縁膜上に設けられた共通電極と、前記共通電極上に設けられた第４絶縁膜と、を備え、
   前記第１アレイ柱は、前記第４絶縁膜上に設けられている請求項１に記載の表示装置。
10. 前記第２アレイ柱は、前記第３絶縁膜上に形成された凸部と、前記凸部に重ねて設けられた前記共通電極および第４絶縁膜の重なり部分と、で形成されている請求項９に記載の表示装置。
11. 前記第２アレイ柱は、前記第４絶縁膜上に設けられている請求項９に記載の表示装置。
12. 前記第１基板は、前記第２基板に対向する内面を有する第１絶縁基板と、前記第１絶縁基板の内面上にもう置けられた第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜上に設けられ、それぞれ第１方向に延びる複数の走査線と、前記走査線に重ねて前記第１絶縁膜上に設けられた第２絶縁膜と、前記第２絶縁膜上に設けられ、前記第１方向と交差する第２方向に延びる複数の信号線と、前記信号線および走査線に接続されたスイッチング素子と、前記信号線に重ねて前記第２絶縁膜上に設けられた第３絶縁膜と、前記第３絶縁膜上に設けられた共通電極と、前記共通電極上に設けられた第４絶縁膜と、を備え、
    前記第１アレイ柱は、前記第３絶縁膜上に形成された凸部と、前記凸部に重ねて設けられた前記共通電極および第４絶縁膜の重なり部分と、で形成されている請求項１に記載の表示装置。
13. 前記第２アレイ柱は、前記第４絶縁膜上に設けられている請求項１２に記載の表示装置。

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