JP2018165962A - 1枚ガラス基板投影型タッチスイッチパネルおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】絶縁性およびタッチ特性に優れ、並びに少ない工数で生産できる1枚ガラス基板投影型タッチスイッチパネルおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】X方向およびY方向に広がるタッチ面におけるタッチ位置を検出する1枚ガラス基板投影型タッチスイッチパネルは、ガラス基板2と、このガラス基板上に形成された金属薄膜からなるメッシュ状のX方向パターン電極3と、このX方向パターン電極の上面3dおよび側面3cに形成された金属薄膜の酸化物層3’と、この酸化物層上であって、X方向パターン電極3と直交する方向に形成された金属薄膜からなるメッシュ状のY方向パターン電極4とを備える。
【選択図】図3
【解決手段】X方向およびY方向に広がるタッチ面におけるタッチ位置を検出する1枚ガラス基板投影型タッチスイッチパネルは、ガラス基板2と、このガラス基板上に形成された金属薄膜からなるメッシュ状のX方向パターン電極3と、このX方向パターン電極の上面3dおよび側面3cに形成された金属薄膜の酸化物層3’と、この酸化物層上であって、X方向パターン電極3と直交する方向に形成された金属薄膜からなるメッシュ状のY方向パターン電極4とを備える。
【選択図】図3
Description
本発明は、タッチ面(XY平面)の任意の位置にユーザーの指などが接近したことを静電容量の変化により検出する投影型タッチスイッチパネルに関し、特に1枚ガラス基板投影型タッチスイッチパネルおよびその製造方法に関する。
家電機器、AV機器、PC/OA機器、産業機械、その他の電子デバイスにおいて、各機器への入力手段の1つとして投影型静電容量方式のタッチスイッチパネルが使用されている。投影型静電容量方式は、X方向とY方向にグリッド状に配列された複数のセンサー電極を有している。投影型静電容量タッチスイッチパネルは、一般的には、インジウム錫オキサイド(以下、ITOと記す)で形成されるX方向用およびY方向用の透明センサー電極層、該電極への配線層、透明電極間に設ける絶縁層(誘電体層)、表面保護層などから構成され、外部にコントロール部を有する。パネル表面を指で触れると、各センサー電極と指との間で静電結合が起きて各センサー電極の静電容量が変化する。コントロール部では、各センサー電極における静電容量の変化量を数値化し、その数値が予め決められた閾値をこえるときに指が接触したと判定する。これによりコントロール部では、指がタッチスイッチのどの位置(平面XY座標)に触れたかを検出できる。
アルミニウムメッシュ透明導電膜を使用したX−Y2枚の電極を透明絶縁樹脂で貼り合わせる投影型タッチパネルは既に知られている(特許文献1)。特許文献1に開示されている投影型静電容量タッチスイッチパネルを図6に示す。図6(a)は正面図であり、図6(b)はその側面図である。図6(b)に示すように、投影型静電容量タッチスイッチパネル10は、X方向検知用のセンサー部12を有する透光性の第1のガラス基板11と、Y方向検知用のセンサー部14を有する透光性の第2のガラス基板13とを備え、ガラス基板11およびガラス基板13とが貼り合わされた積層構造を有する。ガラス基板11の表面がタッチ面11aとなり、このタッチ面11aの反対面11bにセンサー部12が設けられている。また、ガラス基板13の片面にセンサー部14が設けられている。センサー部12およびセンサー部14は、2つのガラス基板間において対向して挟み込まれている。図6(a)に示すように、X方向検知用のセンサー部12とY方向検知用のセンサー部14とは、菱形を縦(Y)横(X)に並べた形状にパターニングされている。2つのセンサー電極間にガラス基板を介在させない構造であるため、介在させる場合と比較してセンサー電極間のギャップが大幅に少なくなる。また、各センサー部のセンサー電極と配線15で接続された外部接続端子16にフレキシブルプリント配線板(FPC)17が接続されている。FPC17を介してタッチ検出を行なうコントロール部(図示省略)が接続される。この投影型静電容量タッチスイッチパネルは、センサー電極と指との間で静電結合が起きて電極の静電容量が変化することを利用するものである。
しかし、2枚の電極を貼り合わせる投影型タッチパネルは、貼り合わせ工程が必要であり、工数減が望まれている。また、2枚のガラスを貼り合わせるため、薄型パネルが望まれる状況下でタッチパネルの薄型化に限界がある。このため、1枚基板も各種提案されている(特許文献2、特許文献3)。しかし、いずれも透明導電膜がITOであり、抵抗値が高く、タッチ特性が不十分である。
また、1枚基板で透明絶縁膜を介して積層する方法も提案されている(特許文献4)。しかしながら、透明導電膜がITOであり、上記と同じ問題があり、またITOのフォトリソグラフィ時のエッチング液が透明絶縁膜のSiO2を腐食してしまうため、XパターンとYパターンとの絶縁が困難であった。
また、1枚基板で透明絶縁膜を介して積層する方法も提案されている(特許文献4)。しかしながら、透明導電膜がITOであり、上記と同じ問題があり、またITOのフォトリソグラフィ時のエッチング液が透明絶縁膜のSiO2を腐食してしまうため、XパターンとYパターンとの絶縁が困難であった。
本発明はこのような問題に対処するためになされたものであり、1枚のガラス基板上に形成された金属薄膜電極の表面および側面に、優れた絶縁耐力を有する陽極酸化膜を形成することで、絶縁性およびタッチ特性に優れ、並びに少ない工数で生産できる1枚ガラス基板投影型タッチスイッチパネルおよびその製造方法を提供することを目的とする。
本発明の投影型タッチスイッチパネルは、X方向およびY方向に広がるタッチ面におけるタッチ位置を検出する1枚ガラス基板投影型タッチスイッチパネルである。
この1枚ガラス基板投影型タッチスイッチパネルは、ガラス基板と、このガラス基板上に形成された金属薄膜からなるメッシュ状のX方向パターン電極と、このX方向パターン電極の上面および側面に形成された上記金属薄膜の酸化物層と、この酸化物層上であって、上記X方向パターン電極と直交する方向に形成された金属薄膜からなるメッシュ状のY方向パターン電極とを備えることを特徴とする。
また、上記X方向パターン電極およびY方向パターン電極の上面に形成された透光性保護膜を有することを特徴とする。
また、上記金属薄膜がアルミニウム薄膜またはアルミニウム合金薄膜であることを特徴とする。
この1枚ガラス基板投影型タッチスイッチパネルは、ガラス基板と、このガラス基板上に形成された金属薄膜からなるメッシュ状のX方向パターン電極と、このX方向パターン電極の上面および側面に形成された上記金属薄膜の酸化物層と、この酸化物層上であって、上記X方向パターン電極と直交する方向に形成された金属薄膜からなるメッシュ状のY方向パターン電極とを備えることを特徴とする。
また、上記X方向パターン電極およびY方向パターン電極の上面に形成された透光性保護膜を有することを特徴とする。
また、上記金属薄膜がアルミニウム薄膜またはアルミニウム合金薄膜であることを特徴とする。
本発明の1枚ガラス基板投影型タッチスイッチパネルの製造方法は、
ガラス基板上に金属薄膜をスパッタリングまたは蒸着で形成し、フォトリソグラフィでメッシュ状にエッチングしX方向パターン電極を形成する工程と、
上記X方向パターン電極の上面および側面に上記金属膜の陽極酸化膜を形成する工程と、
この陽極酸化膜上に金属薄膜をスパッタリングまたは蒸着で形成し、フォトリソグラフィでメッシュ状にエッチングし、上記X方向パターン電極と直交する方向に金属薄膜からなるメッシュ状のY方向パターン電極を形成する工程とを備えることを特徴とする。
特に、上記金属薄膜がアルミニウム薄膜またはアルミニウム合金薄膜であり、上記陽極酸化が酸性浴、好ましくは硫酸浴で陽極酸化をした後に、中性塩浴、好ましくはホウ酸およびホウ酸塩浴で陽極酸化をし、その後400℃〜550℃で大気中で熱処理を行なう工程であることを特徴とする。
ガラス基板上に金属薄膜をスパッタリングまたは蒸着で形成し、フォトリソグラフィでメッシュ状にエッチングしX方向パターン電極を形成する工程と、
上記X方向パターン電極の上面および側面に上記金属膜の陽極酸化膜を形成する工程と、
この陽極酸化膜上に金属薄膜をスパッタリングまたは蒸着で形成し、フォトリソグラフィでメッシュ状にエッチングし、上記X方向パターン電極と直交する方向に金属薄膜からなるメッシュ状のY方向パターン電極を形成する工程とを備えることを特徴とする。
特に、上記金属薄膜がアルミニウム薄膜またはアルミニウム合金薄膜であり、上記陽極酸化が酸性浴、好ましくは硫酸浴で陽極酸化をした後に、中性塩浴、好ましくはホウ酸およびホウ酸塩浴で陽極酸化をし、その後400℃〜550℃で大気中で熱処理を行なう工程であることを特徴とする。
本発明の投影型タッチスイッチパネルは、1枚のガラス基板上に金属薄膜からなるX方向パターン電極とY方向パターン電極とを備えるので、2枚のガラス基板を貼り合わせるタッチスイッチパネルに比較して、薄くすることができる。また、X方向パターン電極の上面および側面を金属薄膜の酸化物層とするので、Y方向パターン電極に対して電気絶縁性に優れたタッチスイッチパネルが得られる。また、上記X方向パターン電極およびY方向パターン電極の上面に形成された透光性保護膜を有するので、1枚のガラス基板でタッチスイッチパネルを完成させることができる。
本発明の投影型タッチスイッチパネルの製造方法は、1枚のガラス基板上に金属薄膜からなるX方向パターン電極とY方向パターン電極とを順に形成するので、貼り合わせ工程がなくなり、製造工数が削減できる。
特に、金属薄膜がアルミニウム薄膜またはアルミニウム合金薄膜であり、上記陽極酸化が硫酸浴で陽極酸化をした後に、ホウ酸およびホウ酸塩浴で陽極酸化をし、その後400℃〜550℃で大気中で熱処理を行なうので、絶縁耐力に優れた陽極酸化膜を製造できる。また、アルミニウム薄膜またはアルミニウム合金薄膜なので、ITO薄膜に比較して、導電性に優れているため、タッチ特性に優れた投影型タッチスイッチパネルが得られる。
特に、金属薄膜がアルミニウム薄膜またはアルミニウム合金薄膜であり、上記陽極酸化が硫酸浴で陽極酸化をした後に、ホウ酸およびホウ酸塩浴で陽極酸化をし、その後400℃〜550℃で大気中で熱処理を行なうので、絶縁耐力に優れた陽極酸化膜を製造できる。また、アルミニウム薄膜またはアルミニウム合金薄膜なので、ITO薄膜に比較して、導電性に優れているため、タッチ特性に優れた投影型タッチスイッチパネルが得られる。
本発明の投影型タッチスイッチパネルの一例を図1により説明する。図1(a)はタッチスイッチパネルを示す正面図であり、図1(b)はその側面図である。
投影型タッチスイッチパネル1は、ガラス基板2のX方向およびY方向に広がるタッチ面2aにおける任意のタッチ位置を検出できる1枚ガラス基板投影型タッチスイッチパネルである。ガラス基板2の表面がタッチ面2aとなり、このタッチ面2aの反対面2bに金属薄膜からなるメッシュ状のX方向パターン電極3と、金属薄膜からなるメッシュ状のY方向パターン電極4とが形成されている。投影型タッチスイッチパネル1は、パターン電極3および4と接続された接続端子5を有し、接続端子5にフレキシブルプリント配線板(FPC)6が接続され、FPC6を介して図示を省略したコントロール部が接続される。コントロール部は、PCB上にタッチ検出等を行なうコントロール回路が実装されたものである。なお、コントロール部はガラス基板の2b面に直接実装することができる。
投影型タッチスイッチパネル1は、ガラス基板2のX方向およびY方向に広がるタッチ面2aにおける任意のタッチ位置を検出できる1枚ガラス基板投影型タッチスイッチパネルである。ガラス基板2の表面がタッチ面2aとなり、このタッチ面2aの反対面2bに金属薄膜からなるメッシュ状のX方向パターン電極3と、金属薄膜からなるメッシュ状のY方向パターン電極4とが形成されている。投影型タッチスイッチパネル1は、パターン電極3および4と接続された接続端子5を有し、接続端子5にフレキシブルプリント配線板(FPC)6が接続され、FPC6を介して図示を省略したコントロール部が接続される。コントロール部は、PCB上にタッチ検出等を行なうコントロール回路が実装されたものである。なお、コントロール部はガラス基板の2b面に直接実装することができる。
図2はタッチスイッチパネルのメッシュ状のX方向およびY方向パターンの拡大図である。図2(a)は図1に示すA部拡大図であり、図2(b)は図2(a)に示すB部拡大図であり、図2(c)は図2(b)に示すC部拡大図である。
ガラス基板2上に金属薄膜からなるメッシュ状のX方向パターン電極3が形成されている。ガラス基板2は、透光性の絶縁基板であり、ソーダライムガラス、石英ガラス、硼珪酸ガラス、アルカリ成分を含まない無アルカリガラスなどを採用できる。高い透過率を有し、かつ、一般建材の窓ガラスに使用され非常に安価であることから、ソーダライムガラスを用いることが好ましい。 また、ガラス基板2の厚みは、0.5〜5mm程度、好ましくは0.5〜3.0mm程度である。
ガラス基板2上に金属薄膜からなるメッシュ状のX方向パターン電極3が形成されている。ガラス基板2は、透光性の絶縁基板であり、ソーダライムガラス、石英ガラス、硼珪酸ガラス、アルカリ成分を含まない無アルカリガラスなどを採用できる。高い透過率を有し、かつ、一般建材の窓ガラスに使用され非常に安価であることから、ソーダライムガラスを用いることが好ましい。 また、ガラス基板2の厚みは、0.5〜5mm程度、好ましくは0.5〜3.0mm程度である。
ガラス基板2のタッチ面2aの反対面2b全面に金属薄膜をスパッタリングまたは蒸着で形成する。均一な膜の形成が可能であることからスパッタリングを採用することが好ましい。スパッタリングは、固体ターゲットに加速したアルゴンイオンを衝突させて、ターゲット表面から飛び出した原子または分子をガラス基板上に付着させて形成する方法である。その後、フォトリソグラフィでメッシュ状にエッチングしX方向パターン電極3を形成する。微細格子部分を精度よく形成可能であることから、例えば、エッチングパターンのマスク層をレジスト材料を用いてスクリーン印刷により形成し、所定のエッチング液を用いて湿式エッチングにより微細配線パターンを形成することが好ましい。
金属薄膜としては、導電性金属薄膜であれば使用することができる。導電性、耐蝕性、陽極酸化特性、および製造コスト等に優れることからアルミニウムまたはアルミニウム合金が好ましい。メッシュ状のX方向パターン電極3とすることにより、Xパターンの内部3aは一見して目視で透明に見える透光部となる。X方向パターン電極3はメッシュ状の主パターンが連結部3bで接続された繰り返しパターンとして形成される。X方向パターン電極3は、連続した細線を用いた形状であれば、六角や縦長の長方形ひし形、台形等の任意の形状にできる。
X方向パターン電極3を構成する金属薄膜は、膜厚が0.1〜3μm、好ましくは0.3〜1.0μmであり、線幅t1が1.5〜15μm、好ましくは3〜10μmであり、線ピッチt2が100〜1000μm、好ましくは300〜700μmである。
X方向パターン電極3の上面および側面に金属薄膜の酸化物層が形成されている。この酸化物層は電気絶縁膜およびY方向パターン電極4形成時の耐エッチング性膜となる。
上面および側面に金属薄膜の酸化物層が形成されたX方向パターン電極3上に、金属薄膜をスパッタリングまたは蒸着で形成した後、フォトリソグラフィでメッシュ状にエッチングし、Yパターンの内部4aが一見して目視で透明に見える透光部を有するY方向パターン電極4を形成する。X方向パターン電極3の連結部3bとY方向パターン電極4の連結部3bは交点7で直交し、それぞれのパターンは交点7以外では交わらない。Y方向パターン電極4を構成する金属薄膜のパターン形状、膜厚、線幅、および線ピッチはX方向パターン電極3のそれらと同じであり、パターン形状がX方向パターンを角度90°回転した形状であることが好ましい。
上面および側面に金属薄膜の酸化物層が形成されたX方向パターン電極3上に、金属薄膜をスパッタリングまたは蒸着で形成した後、フォトリソグラフィでメッシュ状にエッチングし、Yパターンの内部4aが一見して目視で透明に見える透光部を有するY方向パターン電極4を形成する。X方向パターン電極3の連結部3bとY方向パターン電極4の連結部3bは交点7で直交し、それぞれのパターンは交点7以外では交わらない。Y方向パターン電極4を構成する金属薄膜のパターン形状、膜厚、線幅、および線ピッチはX方向パターン電極3のそれらと同じであり、パターン形状がX方向パターンを角度90°回転した形状であることが好ましい。
図3は交点7の拡大切り欠き斜視図である。ガラス基板2上に形成された交点7部におけるX方向パターン電極3およびY方向パターン電極4を示している。X方向パターン電極3の上面3dおよび側面3cには酸化物層3’が形成され、この酸化物層3’上にY方向パターン電極4が形成されている。
金属薄膜としてアルミニウム薄膜またはアルミニウム合金薄膜を用いた場合、酸化物層は陽極酸化により形成できる。この陽極酸化膜は、耐電気絶縁性および耐エッチング性に優れた膜であることが必要になる。具体的には、以下の特性を有する陽極酸化膜であることが必要になる。(1)絶縁耐力が2.0×106V/mm以上あること、(2)耐酸性が55℃の混酸(リン酸48%、硝酸18%)に3分間浸漬して、陽極酸化膜に発泡、溶解などの変化が見られないこと。
金属薄膜としてアルミニウム薄膜またはアルミニウム合金薄膜を用いた場合、酸化物層は陽極酸化により形成できる。この陽極酸化膜は、耐電気絶縁性および耐エッチング性に優れた膜であることが必要になる。具体的には、以下の特性を有する陽極酸化膜であることが必要になる。(1)絶縁耐力が2.0×106V/mm以上あること、(2)耐酸性が55℃の混酸(リン酸48%、硝酸18%)に3分間浸漬して、陽極酸化膜に発泡、溶解などの変化が見られないこと。
上記特性を有する陽極酸化膜は、アルミニウム薄膜またはアルミニウム合金薄膜で形成されたX方向パターン電極3上に、以下の方法で形成できる。
(1)酸性浴で陽極酸化する。
酸性浴としては、硫酸浴、シュウ酸浴等が挙げられる。膜厚さが厚い陽極酸化膜が形成しやすいことから硫酸浴が好ましい。陽極酸化の条件としては、硫酸濃度0.5〜2.0モル%、電流密度1.0〜100mA/cm2、処理時間0.5〜2.0分である。対向電極はカーボン板を用いることができる。
(2)中性塩浴で陽極酸化する。
中性塩浴としては、いわゆるバリヤー型酸化被膜を形成できる中性塩浴であれば使用できる。本発明は緻密な酸化膜が生成しやすいホウ酸およびホウ酸塩の混合浴であることが好ましい。陽極酸化の条件としては、ホウ酸濃度0.1〜1.0モル%、ホウ酸塩濃度0.01〜0.1モル%、電流密度0.1〜5.0mA/cm2、処理時間0.5〜2.0分である。対向電極はカーボン板を用いることができる。
(3)封孔処理をする。
封孔処理をすることにより、X方向パターン電極3と直交するY方向パターン電極4との絶縁特性が良好になり、またY方向パターン電極4のフォトリソグラフィ時に行なわれるパターン電極4のエッチング時にX方向パターン電極3がエッチングされることはない。封孔処理の条件としては、400℃〜550℃で大気中で熱処理を行なうことが好ましい。
(1)酸性浴で陽極酸化する。
酸性浴としては、硫酸浴、シュウ酸浴等が挙げられる。膜厚さが厚い陽極酸化膜が形成しやすいことから硫酸浴が好ましい。陽極酸化の条件としては、硫酸濃度0.5〜2.0モル%、電流密度1.0〜100mA/cm2、処理時間0.5〜2.0分である。対向電極はカーボン板を用いることができる。
(2)中性塩浴で陽極酸化する。
中性塩浴としては、いわゆるバリヤー型酸化被膜を形成できる中性塩浴であれば使用できる。本発明は緻密な酸化膜が生成しやすいホウ酸およびホウ酸塩の混合浴であることが好ましい。陽極酸化の条件としては、ホウ酸濃度0.1〜1.0モル%、ホウ酸塩濃度0.01〜0.1モル%、電流密度0.1〜5.0mA/cm2、処理時間0.5〜2.0分である。対向電極はカーボン板を用いることができる。
(3)封孔処理をする。
封孔処理をすることにより、X方向パターン電極3と直交するY方向パターン電極4との絶縁特性が良好になり、またY方向パターン電極4のフォトリソグラフィ時に行なわれるパターン電極4のエッチング時にX方向パターン電極3がエッチングされることはない。封孔処理の条件としては、400℃〜550℃で大気中で熱処理を行なうことが好ましい。
本発明の投影型タッチスイッチパネルは、Y方向パターン電極4を形成後、Y方向パターン電極4の上から全面に保護膜を形成することが好ましい。保護膜を形成することにより、XおよびY方向パターン電極が保護される。保護膜としては、SiO2のスパッタ層が挙げられる。
本発明の投影型タッチスイッチパネルは、1枚ガラス基板で薄型であるので、家電機器、AV機器、PC/OA機器、産業機械、その他の電子デバイス等における各機器への入力手段として好適に利用できる。また、薄型になるので、小型軽量化が要求される機器への入力手段としても好適に利用できる。
実施例
0.7tソーダライムガラス(厚さ0.7mm)上に純度99%のアルミニウムをスパッタリングで厚さ1μmを全面に形成した。しかる後にフォトリソグラフィで線幅t110μm、線ピッチt2300μmの図2に示す形状のX方向パターン電極を形成した。このX方向パターン電極を陽極酸化した。陽極酸化は、1.6M硫酸浴で40mA/cm2で2分間電解した。さらに、0.5M H3BO3と0.05M Na2B4O7の混合溶液で1mA/cm2定電流で電解した。最終的に電圧は、350Vまで上昇させた。次に500℃の大気中で1時間酸化処理を行ない、封孔処理を行なった。陽極酸化深さは約200nmであった。X方向パターン電極上に形成された陽極酸化膜は、絶縁耐力が1.0×106V/mmであり、55℃の混酸(リン酸48%、硝酸18%)に3分間浸漬しても発泡、溶解などの変化が見られなかった。また、陽極酸化膜をSEM−EDX法により、Al−O組成比の加速電圧依存性を測定した。結果を図4に示す。図4(a)はAl−O組成比を示す図であり、図4(b)は陽極酸化膜表面のSEM像である。図4(a)において加速電圧が小さい程、表面に近い側の情報を表し、図4(b)でみられる表面状態と合わせて、表面側に緻密な酸化膜が生成していることが分かる。なお、Siは下地のガラス基板に由来する。
0.7tソーダライムガラス(厚さ0.7mm)上に純度99%のアルミニウムをスパッタリングで厚さ1μmを全面に形成した。しかる後にフォトリソグラフィで線幅t110μm、線ピッチt2300μmの図2に示す形状のX方向パターン電極を形成した。このX方向パターン電極を陽極酸化した。陽極酸化は、1.6M硫酸浴で40mA/cm2で2分間電解した。さらに、0.5M H3BO3と0.05M Na2B4O7の混合溶液で1mA/cm2定電流で電解した。最終的に電圧は、350Vまで上昇させた。次に500℃の大気中で1時間酸化処理を行ない、封孔処理を行なった。陽極酸化深さは約200nmであった。X方向パターン電極上に形成された陽極酸化膜は、絶縁耐力が1.0×106V/mmであり、55℃の混酸(リン酸48%、硝酸18%)に3分間浸漬しても発泡、溶解などの変化が見られなかった。また、陽極酸化膜をSEM−EDX法により、Al−O組成比の加速電圧依存性を測定した。結果を図4に示す。図4(a)はAl−O組成比を示す図であり、図4(b)は陽極酸化膜表面のSEM像である。図4(a)において加速電圧が小さい程、表面に近い側の情報を表し、図4(b)でみられる表面状態と合わせて、表面側に緻密な酸化膜が生成していることが分かる。なお、Siは下地のガラス基板に由来する。
陽極酸化されたX電極パターン上に純度99%のアルミニウムをスパッタリングで厚さ1μmを全面に形成した。しかる後にX方向パターン電極と同様の方法を用いて、フォトリソグラフィで線幅10μm、ピッチ300μmの図2に示す形状のY方向パターン電極をX方向パターン電極と直交する形状に形成した。その後、保護膜としてのSiO2をスパッタリングで50nmの厚さで全面コーティングした。最後に異方性導電フィルムを使用してFPCでX、Y外部接続電極と接続して1枚ガラス基板投影型タッチスイッチパネルを得た。
比較例
0.7tソーダライムガラス(厚さ0.7mm)上に純度99%のアルミニウムをスパッタリングで厚さ1μmを全面に形成した。しかる後にフォトリソグラフィで線幅10μm、ピッチ300μmのX方向パターン電極を形成した。この上に保護膜としてのSiO2をスパッタリングで50nmの厚さで全面コーティングした。更に異方性導電フィルムを使用してFPCでX外部接続電極と接続した。保護膜としてのSiO2膜を形成する前のX方向パターン電極について、SEM−EDX法により、Al−O組成比の加速電圧依存性を測定した。結果を図5に示す。図5において加速電圧の小さい方が表面側であり、表面側は酸化膜が生成しておらずアルミニウム膜であることが分かる。なお、Siは下地のガラス基板に由来する。
0.7tソーダライムガラス(厚さ0.7mm)上に純度99%のアルミニウムをスパッタリングで厚さ1μmを全面に形成した。しかる後にフォトリソグラフィで線幅10μm、ピッチ300μmのX方向パターン電極を形成した。この上に保護膜としてのSiO2をスパッタリングで50nmの厚さで全面コーティングした。更に異方性導電フィルムを使用してFPCでX外部接続電極と接続した。保護膜としてのSiO2膜を形成する前のX方向パターン電極について、SEM−EDX法により、Al−O組成比の加速電圧依存性を測定した。結果を図5に示す。図5において加速電圧の小さい方が表面側であり、表面側は酸化膜が生成しておらずアルミニウム膜であることが分かる。なお、Siは下地のガラス基板に由来する。
別の0.7tソーダライムガラス(厚さ0.7mm)上にXパターン電極形成と同様の方法でYパターン電極を形成しFPCでY外部接続電極と接続した。ただし、X基板とY基板は対向させて組合せるため、膜構成は反対となる。これらX基板とY基板とをアルミニウム面を内側に対向させて150μmのスペースを設け絶縁樹脂を流し込んだ。次に紫外線硬化を行ない樹脂を硬化させた。最後に85℃の温度、0.1MPaの圧力で1時間のオートクレーブ処理を行ない脱泡処理を行なって、2枚のガラス基板を貼り合わせる従来型の投影型タッチスイッチパネルを得た。
実施例および比較例で得られたタッチスイッチパネルを比較すると、実施例のタッチスイッチパネルは、比較例のタッチスイッチパネルに比較して、厚みが1/2になり、製造作業時間は1/5に短縮できた。
本発明の投影型タッチスイッチパネルは、1枚ガラス基板で薄型であるので、小型軽量化が要求される各電子機器への入力手段としても好適に利用できる。
1 投影型タッチスイッチパネル
2 ガラス基板
3 X方向パターン電極
4 Y方向パターン電極
5 接続端子
6 フレキシブルプリント配線板
7 交点
10 従来例の投影型静電容量タッチスイッチパネル
11 従来例の第1のガラス基板
12 従来例のX方向検知用のセンサー部
13 従来例の第2のガラス基板
14 従来例のY方向検知用のセンサー部
15 従来例の配線
16 従来例の外部接続端子
17 従来例のフレキシブルプリント配線板
2 ガラス基板
3 X方向パターン電極
4 Y方向パターン電極
5 接続端子
6 フレキシブルプリント配線板
7 交点
10 従来例の投影型静電容量タッチスイッチパネル
11 従来例の第1のガラス基板
12 従来例のX方向検知用のセンサー部
13 従来例の第2のガラス基板
14 従来例のY方向検知用のセンサー部
15 従来例の配線
16 従来例の外部接続端子
17 従来例のフレキシブルプリント配線板
Claims (6)
- X方向およびY方向に広がるタッチ面におけるタッチ位置を検出する1枚ガラス基板投影型タッチスイッチパネルであって、
ガラス基板と、
このガラス基板上に形成された金属薄膜からなるメッシュ状のX方向パターン電極と、
このX方向パターン電極の上面および側面に形成された前記金属薄膜の酸化物層と、
この酸化物層上であって、前記X方向パターン電極と直交する方向に形成された金属薄膜からなるメッシュ状のY方向パターン電極とを備えることを特徴とする1枚ガラス基板投影型タッチスイッチパネル。 - 前記X方向パターン電極およびY方向パターン電極の上面に形成された透光性保護膜を有することを特徴とする請求項1記載の1枚ガラス基板投影型タッチスイッチパネル。
- 前記金属薄膜がアルミニウム薄膜またはアルミニウム合金薄膜であることを特徴とする請求項1または請求項2記載の1枚ガラス基板投影型タッチスイッチパネル。
- 1枚ガラス基板投影型タッチスイッチパネルの製造方法であって、
ガラス基板上に金属薄膜をスパッタリングまたは蒸着で形成し、フォトリソグラフィでメッシュ状にエッチングしX方向パターン電極を形成する工程と、
前記X方向パターン電極の上面および側面に前記金属膜の陽極酸化膜を形成する工程と、
この陽極酸化膜上に金属薄膜をスパッタリングまたは蒸着で形成し、フォトリソグラフィでメッシュ状にエッチングし、前記X方向パターン電極と直交する方向に金属薄膜からなるメッシュ状のY方向パターン電極を形成する工程とを備えることを特徴とする1枚ガラス基板投影型タッチスイッチパネルの製造方法。 - 前記金属薄膜がアルミニウム薄膜またはアルミニウム合金薄膜であり、前記陽極酸化が酸性浴で陽極酸化をした後に、中性塩浴で陽極酸化をし、その後400℃〜550℃で大気中で熱処理を行なう工程であることを特徴とする請求項4記載の1枚ガラス基板投影型タッチスイッチパネルの製造方法。
- 前記酸性浴が硫酸浴であり、前記中性塩浴がホウ酸塩浴であることを特徴とする請求項5記載の1枚ガラス基板投影型タッチスイッチパネルの製造方法。
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2017
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