JP2018160763A - 撮像モジュール、内視鏡、および、撮像モジュールの製造方法 - Google Patents

撮像モジュール、内視鏡、および、撮像モジュールの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2018160763A
JP2018160763A JP2017056321A JP2017056321A JP2018160763A JP 2018160763 A JP2018160763 A JP 2018160763A JP 2017056321 A JP2017056321 A JP 2017056321A JP 2017056321 A JP2017056321 A JP 2017056321A JP 2018160763 A JP2018160763 A JP 2018160763A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
main surface
light receiving
imaging module
resin
optical member
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2017056321A
Other languages
English (en)
Inventor
純平 米山
Junpei Yoneyama
純平 米山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Olympus Corp
Original Assignee
Olympus Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Olympus Corp filed Critical Olympus Corp
Priority to JP2017056321A priority Critical patent/JP2018160763A/ja
Priority to US15/885,886 priority patent/US20180278816A1/en
Publication of JP2018160763A publication Critical patent/JP2018160763A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
    • A61B1/00—Instruments for performing medical examinations of the interior of cavities or tubes of the body by visual or photographical inspection, e.g. endoscopes; Illuminating arrangements therefor
    • A61B1/04—Instruments for performing medical examinations of the interior of cavities or tubes of the body by visual or photographical inspection, e.g. endoscopes; Illuminating arrangements therefor combined with photographic or television appliances
    • A61B1/05—Instruments for performing medical examinations of the interior of cavities or tubes of the body by visual or photographical inspection, e.g. endoscopes; Illuminating arrangements therefor combined with photographic or television appliances characterised by the image sensor, e.g. camera, being in the distal end portion
    • A61B1/051—Details of CCD assembly
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/50—Constructional details
    • H04N23/55—Optical parts specially adapted for electronic image sensors; Mounting thereof
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B13/00—Optical objectives specially designed for the purposes specified below
    • G02B13/001—Miniaturised objectives for electronic devices, e.g. portable telephones, webcams, PDAs, small digital cameras
    • G02B13/0085—Miniaturised objectives for electronic devices, e.g. portable telephones, webcams, PDAs, small digital cameras employing wafer level optics
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B23/00—Telescopes, e.g. binoculars; Periscopes; Instruments for viewing the inside of hollow bodies; Viewfinders; Optical aiming or sighting devices
    • G02B23/24—Instruments or systems for viewing the inside of hollow bodies, e.g. fibrescopes
    • G02B23/2476—Non-optical details, e.g. housings, mountings, supports
    • G02B23/2484—Arrangements in relation to a camera or imaging device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1462—Coatings
    • H01L27/14623—Optical shielding
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/50—Constructional details
    • H04N23/54—Mounting of pick-up tubes, electronic image sensors, deviation or focusing coils
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/14—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of a plurality of bump connectors
    • H01L2224/141—Disposition
    • H01L2224/1412—Layout
    • H01L2224/1415—Mirror array, i.e. array having only a reflection symmetry, i.e. bilateral symmetry
    • H01L2224/14151—Mirror array, i.e. array having only a reflection symmetry, i.e. bilateral symmetry being uniform, i.e. having a uniform pitch across the array
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/14—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of a plurality of bump connectors
    • H01L2224/141—Disposition
    • H01L2224/1412—Layout
    • H01L2224/1415—Mirror array, i.e. array having only a reflection symmetry, i.e. bilateral symmetry
    • H01L2224/14154—Mirror array, i.e. array having only a reflection symmetry, i.e. bilateral symmetry covering only portions of the surface to be connected
    • H01L2224/14155—Covering only the peripheral area of the surface to be connected, i.e. peripheral arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/2612—Auxiliary members for layer connectors, e.g. spacers
    • H01L2224/26152—Auxiliary members for layer connectors, e.g. spacers being formed on an item to be connected not being a semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/26175—Flow barriers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/27—Manufacturing methods
    • H01L2224/273—Manufacturing methods by local deposition of the material of the layer connector
    • H01L2224/2731—Manufacturing methods by local deposition of the material of the layer connector in liquid form
    • H01L2224/27312—Continuous flow, e.g. using a microsyringe, a pump, a nozzle or extrusion
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/2919—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/2919—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H01L2224/29191—The principal constituent being an elastomer, e.g. silicones, isoprene, neoprene
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/731—Location prior to the connecting process
    • H01L2224/73101—Location prior to the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73103—Bump and layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83191—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8338—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/83385—Shape, e.g. interlocking features
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H01L2224/83855—Hardening the adhesive by curing, i.e. thermosetting
    • H01L2224/83874—Ultraviolet [UV] curing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L24/14—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of a plurality of bump connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14636—Interconnect structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/1515—Shape
    • H01L2924/15158—Shape the die mounting substrate being other than a cuboid
    • H01L2924/15159—Side view
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2924/15788—Glasses, e.g. amorphous oxides, nitrides or fluorides
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/50—Constructional details
    • H04N23/555—Constructional details for picking-up images in sites, inaccessible due to their dimensions or hazardous conditions, e.g. endoscopes or borescopes

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Surgery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Astronomy & Astrophysics (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
  • Medical Informatics (AREA)
  • Radiology & Medical Imaging (AREA)
  • Animal Behavior & Ethology (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Veterinary Medicine (AREA)
  • Biomedical Technology (AREA)
  • Heart & Thoracic Surgery (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Studio Devices (AREA)
  • Lens Barrels (AREA)
  • Camera Bodies And Camera Details Or Accessories (AREA)
  • Endoscopes (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

【課題】製造が容易で信頼性の高い撮像モジュール１を提供する。
【解決手段】撮像モジュール１は、光軸を有する撮像光学系が被写体像を結像する受光面１０ＳＡに受光部１１と外部電極１２とを有する撮像素子１０と、第１の主面２０ＳＡと第２の主面２０ＳＢとを有し前記第２の主面２０ＳＢが受光面１０ＳＡに樹脂３０を介して接着されており受光部１１を覆い外部電極１２を覆っていないカバーガラス２０と、を具備し、前記カバーガラス２０は、前記第２の主面２０ＳＢが前記第１の主面２０ＳＡよりも小さく、前記第１の主面２０ＳＡを光軸上で前記第２の主面２０ＳＢ方向に延長した空間Ｓに、前記樹脂３０が、はみ出して、前記撮像素子１０と前記カバーガラス２０との間でフィレットを形成している。
【選択図】図２Ｂ

Description

本発明は、光学部材を撮像素子の受光面に樹脂を介して接着した撮像モジュール、光学部材を撮像素子の受光面に樹脂を介して接着した撮像モジュールを有する内視鏡、および、光学部材を撮像素子の受光面に樹脂を介して接着する撮像モジュールの製造方法に関する
撮像モジュールは、例えば、電子内視鏡の先端部に配設されて使用される。内視鏡の細径化は低侵襲化のため重要な課題であり、撮像モジュールの小型化が求められている。
最初に、ウエハレベルパッケージング（ＷＬＰ）型の撮像モジュールについて簡単に説明する。ＷＬＰ型の撮像モジュールは、複数の撮像素子を含む撮像ウエハとガラスウエハとを接着した接合ウエハを切断し個片化することで作製される。このため、撮像素子の受光部が形成された受光面の全面がカバーガラスで覆われている。撮像素子の受光部は貫通配線を介して、受光面と対向している裏面の外部電極と接続されている。
一方、特開２００８−１１８５６８号公報には、受光部を覆っているカバーガラスが、受光面に列設されている外部電極を覆っていない撮像モジュールが開示されている。この撮像モジュールは、ＷＬＰ型の撮像モジュールと異なり貫通配線を形成する必要がない。
カバーガラスを撮像素子に接着するには、例えば、紫外線硬化型樹脂が用いられる。すなわち、液体の未硬化の樹脂が接着面に配設されてから、カバーガラスと撮像素子とが所定間隔に配置され、硬化処理が行われる。
しかし、液体の樹脂が、カバーガラスと撮像素子との間の接着面から、はみ出して外部電極を覆ってしまうおそれがあった。すると、外部電極と配線板等を接合するのが容易ではなくなったり、接合信頼性が低下したりするおそれがあった。また、撮像素子の側面側に樹脂が広がると、撮像モジュールの外寸が大きくなる。このため、硬化前にふきとったり、硬化後に研削加工したりする必要があった。さらに、接着強度が十分ではないと、カバーガラスが撮像素子から剥離してしまうおそれがあった。
なお、特開２００４−２２１５４１号公報には、側面が傾斜した固体撮像素子用カバーガラスが開示されている。ただし、側面の傾斜は、マイクロクラック防止のためであり、傾斜角度は側面に対して内側に向いた角度であっても、外側に向かって向いた角度であっても良いとされている。
特開２００８−１１８５６８号公報 特開２００４−２２１５４１号公報
本発明の実施形態は、製造が容易で信頼性の高い撮像モジュール、製造が容易で信頼性の高い内視鏡、および、製造が容易で信頼性の高い撮像モジュールの製造方法を提供することを目的とする。
本発明の実施形態の撮像モジュールは、光軸を有する撮像光学系が被写体像を結像する受光面に受光部と外部電極とを有する撮像素子と、第１の主面と前記第１の主面と対向する第２の主面とを有し、前記第２の主面が、前記受光面に樹脂を介して接着されており、前記受光部を覆い、前記外部電極を覆っていない光学部材と、を具備し、前記光学部材は、前記第２の主面が前記第１の主面よりも小さく、前記第１の主面を前記光軸上で前記第２の主面方向に延長した空間に、前記樹脂が、はみ出して、前記撮像素子と前記光学部材との間でフィレットを形成している。
別の実施形態の内視鏡は撮像モジュールを含み、前記撮像モジュールは、光軸を有する撮像光学系が被写体像を結像する受光面に受光部と外部電極とを有する撮像素子と、第１の主面と前記第１の主面と対向する第２の主面とを有し、前記第２の主面が、前記受光面に樹脂を介して接着されており、前記受光部を覆い、前記外部電極を覆っていない光学部材と、を具備し、前記光学部材は、前記第２の主面が前記第１の主面よりも小さく、前記第１の主面を前記光軸上で前記第２の主面方向に延長した空間に、前記樹脂が、はみ出して、前記撮像素子と前記光学部材との間でフィレットを形成している。
別の実施形態の撮像モジュールの製造方法は、光軸を有する撮像光学系が被写体像を結像する受光面に受光部と外部電極とを有する撮像素子を作製する工程と、第１の主面と前記第１の主面と対向する第２の主面とを有する光学部材の前記第２の主面を前記第１の主面よりも小さく加工する光学部材作製工程と、前記撮像素子の前記受光面と、前記光学部材の前記第２の主面との間に未硬化の樹脂を配設する工程と、前記光学部材が前記受光部を覆い、前記外部電極を覆わないように配置し、前記受光面と前記第２の主面との間を所定の間隔とすることで、余剰の前記樹脂が前記第１の主面を前記光軸上で前記第２の主面方向に延長した空間に、はみ出して、前記撮像素子と前記光学部材との間でフィレットを形成する接着工程と、前記樹脂を硬化する工程と、を具備する。
本発明の実施形態によれば、製造が容易で信頼性の高い撮像モジュール、製造が容易で信頼性の高い内視鏡、および、製造が容易で信頼性の高い撮像モジュールの製造方法を提供できる。
第１実施形態の撮像モジュールの斜視図である。 第１実施形態の撮像モジュールの上面図である。 第１実施形態の撮像モジュールの図２ＡのＩＩＢ−ＩＩＢ線に沿った断面図である。 第１実施形態の撮像モジュールの製造方法のフローチャートである。 第１実施形態の撮像モジュールの製造方法を説明するための断面図である。 第１実施形態の変形例１の撮像モジュールの断面図である。 第１実施形態の変形例２の撮像モジュールの断面図である。 第１実施形態の変形例３の撮像モジュールの断面図である。 第１実施形態の変形例４の撮像モジュールの断面図である。 第１実施形態の変形例５の撮像モジュールの分解斜視図である。 第１実施形態の変形例６の撮像モジュールの分解斜視図である。 第１実施形態の変形例７の撮像モジュールの分解斜視図である。 第１実施形態の変形例８の撮像モジュールの斜視図である。 第２実施形態の撮像モジュールの斜視図である。 第２実施形態の撮像モジュールの断面図である。 第３実施形態の内視鏡の斜視図である。
＜第１実施形態＞
＜撮像モジュールの構成＞
図１、図２Ａおよび図２Ｂに示すように、本実施形態の撮像モジュール１は、撮像素子１０と、光学部材であるカバーガラス２０と、撮像素子１０とカバーガラス２０とを接着している樹脂３０と、を有する。
なお、図面は、いずれも模式的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、夫々の部分の厚みの比率などは現実のものとは異なることに留意すべきであり、図面の相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれている場合がある。また、一部の構成要素の図示を省略する場合がある。
光軸を有する撮像光学系（図示なし）が被写体像を結像する受光部１１が形成されている受光面１０ＳＡを有する撮像素子１０は、光軸直交方向の断面が矩形の直方体の半導体素子である。例えば厚さ１００μｍの撮像素子１０は、複数の撮像素子１０を含む撮像ウエハを切断することで作製される。ここで光軸は、図示はしないが、受光部１１の略中心で略直交する軸線である。
撮像素子１０の受光面１０ＳＡの受光部１１の周囲には受光部１１と接続された複数の外部電極１２が側面２０ＳＳ１に平行に列設されている。外部電極１２には、バンプ１３が配設されている。
平面視矩形のカバーガラス２０は、第１の主面２０ＳＡと第１の主面２０ＳＡと対向する第２の主面２０ＳＢとを有する。カバーガラス２０の第２の主面２０ＳＢは、透明な樹脂３０により、受光面１０ＳＡに接着されている。一方、受光面１０ＳＡは、例えば横２．０ｍｍ、縦１．８ｍｍ（面積：３．６ｍｍ２）である。カバーガラス２０は、撮像素子１０の光軸（Ｏ）方向への投影面内に収まり、かつ、外部電極１２を覆わないように、第１の主面２０ＳＡは、例えば、横１．５ｍｍ、縦１．５ｍｍ（面積：２．２５ｍｍ２）であり、厚さは４００μｍである。
受光部１１を保護するカバーガラス２０は、受光部１１を完全に覆い、かつ、外部電極１２を覆わないように正確に位置決めされて、樹脂３０を介して接着されている。なお、光学部材は透明樹脂板であってもよい。
紫外線硬化型の樹脂３０は、カバーガラス２０の第１の主面２０ＳＡからの紫外光照射により硬化処理されている。
本実施形態の撮像モジュール１は、カバーガラス２０の側面２０ＳＳ（２０ＳＳ１〜２０ＳＳ４）が、傾斜しているために、第２の主面２０ＳＢが第１の主面２０ＳＡよりも小さい。すなわち、側面２０ＳＳの傾斜角度θ（図２Ｂ参照）は、鈍角である。そして、第１の主面２０ＳＡを光軸（Ｏ）方向、すなわち、第２の主面方向、に延長した空間Ｓに、樹脂３０が、接着面からはみ出して、撮像素子１０とカバーガラス２０との間でフィレットを形成している。フィレットとは、接着面から、はみ出した樹脂３０が裾状に広がった部分を指す。
空間Ｓは、２つの面（受光面１０ＳＡと側面２０ＳＳ）に、はさまれた空間であるため、接着面から、はみ出した液体の樹脂３０Ｌ（図４参照）は、界面張力により、空間Ｓに収容される。言い替えれば、空間Ｓは樹脂だまりとして過剰な樹脂３０を収容する。このため、外部電極１２（バンプ１３）が、樹脂３０により覆われるおそれはない。また、撮像素子１０の側面側に樹脂３０が広がり、撮像モジュール１の外寸が大きくなるおそれもない。
さらに、撮像素子１０とカバーガラス２０とは、接着面だけでなく、フィレットを介しても接着されている。フィレットにより接着が補強されているため、撮像モジュール１は、カバーガラス２０が撮像素子１０から、剥離してしまうおそれがない。
以上の説明のように、撮像モジュール１は、製造が容易で、かつ、信頼性が高い。
＜撮像モジュールの製造方法＞
次に、図３のフローチャートに沿って、撮像モジュール１の製造方法について説明する。
＜ステップＳ１１＞撮像素子作製工程
シリコン等の半導体ウエハの受光面１０ＳＡに半導体製造技術を用いて、複数の受光部等を有する撮像ウエハが作製される。撮像ウエハは切断により撮像素子１０に個片化される。撮像素子１０は、ＣＭＯＳイメージセンサ、または、ＣＣＤからなる受光部１１と、受光部１１と接続された複数の外部電極１２と、を有する。なお、撮像素子１０には受光部１１に加えて信号処理回路等の半導体回路が形成されていてもよい。
＜ステップＳ１２＞光学部材作製工程
ガラスウエハが、複数のカバーガラス２０に切断される。この時、断面がＶ字形のダイシングブレートを用いて切断することで、側面２０ＳＳが傾斜したカバーガラス２０が作製される。すなわち、ダイシングブレードによる切断加工により、カバーガラス２０は、切断と同時に、第２の主面２０ＳＢが第１の主面２０ＳＡよりも小さく加工される。
すなわち、側面２０ＳＳの傾斜角度θは、ダイシングブレートの選択により所望の角度に規定される。傾斜角度θは、１３５度±２０度（１１５度以上１５５度以下）が好ましく、前記範囲内であれば、樹脂３０が界面張力により樹脂だまりとなる空間Ｓに収容されやすい。なお、カバーガラス２０の厚さは仕様に応じて決定され、特に制限はない。
第２の主面２０ＳＢを第１の主面２０ＳＡよりも小さく加工するには、幅の異なる２種類のダイシングを用いたステップカットダイシング、または、エッチング加工を用いてもよい。
なお、Ｓ１２の後にＳ１１が行われてもよいことは言うまでも無い。
＜ステップＳ１３＞樹脂配設工程
撮像素子１０の受光面１０ＳＡと、カバーガラス２０の第２の主面２０ＳＢとの間に未硬化の液体の樹脂３０Ｌが配設される。例えば、図４に示す様に、未硬化の樹脂３０Ｌが、ディスペンサまたはインクジェット法により、撮像素子１０の受光面１０ＳＡの受光部１１に配設される。樹脂３０Ｌは、例えば、エポキシ系、アクリル系またはシリコーン系の透明な紫外線硬化樹脂である。なお、樹脂３０Ｌは、軟性フィルムでもよいし、熱硬化性樹脂でもよい。
また、樹脂３０Ｌは、カバーガラス２０の第２の主面２０ＳＢに配設されてもよいし、撮像素子１０の受光部１１およびカバーガラス２０の第２の主面２０ＳＢに配設されてもよい。すなわち、樹脂３０Ｌは、受光部１１およびカバーガラス２０の第２の主面２０ＳＢの少なくともいずれかに配設される。
＜ステップＳ１４＞接着工程
撮像素子１０の受光面１０ＳＡとカバーガラス２０の第２の主面２０ＳＢとの間を所定の間隔とすることで、余剰の樹脂３０Ｌが、接着面から空間Ｓに、はみ出してフィレットを形成する。
例えば、撮像素子１０がステージに配置され、ＸＹＺ方向に移動可能な治具にカバーガラス２０が取り付けられる。ＸＹ方向の位置決めが行われた後に、Ｚ方向にカバーガラス２０が移動すると、過剰な樹脂３０が接着面から、はみ出す。
＜ステップＳ１５＞紫外光照射工程（樹脂硬化工程）
例えば、カバーガラス２０の第１の主面２０ＳＡから、ライトガイドを介して紫外光（ＵＶ）が照射される。すると、樹脂３０Ｌが硬化し、カバーガラス２０と撮像素子１０とを接着する樹脂３０となる。
本実施形態の製造方法によれば、はみ出した樹脂３０は、第１の主面２０ＳＡを光軸（Ｏ）方向、すなわち、第２の主面方向に延長した空間Ｓに収容されるため、外部電極１２（バンプ１３）が、樹脂３０により覆われるおそれはない。また、撮像素子１０の側面側に樹脂３０が広がり、撮像モジュール１の外寸が大きくなるおそれもない。
さらに、カバーガラス２０の側面を傾斜面とする加工は容易である。このため、本実施形態の製造方法は容易で、かつ、信頼性の高い撮像モジュール１を製造できる。
＜第１実施形態の変形例＞
次に、第１実施形態の変形例の撮像モジュール１Ａ〜１Ｈおよび、その製造方法について説明する。撮像モジュール１Ａ〜１Ｈは、撮像モジュール１と類似し、同じ効果を有する。このため、同じ機能の構成要素には同じ符号を付し説明は省略する。
＜第１実施形態の変形例１＞
図５に示す様に、本変形例の撮像モジュール１Ａでは、カバーガラス２０Ａは、４側面（２０ＳＳ１〜２０Ｓ４）のうち、複数の外部電極１２（バンプ１３）と対向する１つの側面２０ＳＳ１だけが、第２の主面２０ＳＢに対して鈍角である傾斜角θで傾斜した傾斜面であり、他の３側面（２０ＳＳ２〜２０ＳＳ３）は、第２の主面２０ＳＢに対して垂直な垂直面である。
すなわち、少なくとも側面２０ＳＳ１が傾斜面であれば、外部電極１２（バンプ１３）が、樹脂３０により覆われるおそれはない。
なお、受光部１１を挾んで両側に複数の外部電極１２が列設されている撮像モジュールでは、両側面（２０ＳＳ１、２０ＳＳ３）が傾斜面であることが好ましいことは言うまでも無い。
＜第１実施形態の変形例２＞
図６に示す様に、本変形例の撮像モジュール１Ｂのカバーガラス２０Ｂは、側面２０ＳＳの下方（撮像素子側）だけが、傾斜面である。
カバーガラス２０Ｂの厚さが厚い場合には、側面全体を所定角度θの傾斜面とし、第２の主面２０ＳＢが受光部１１を覆うように設定すると、第１の主面２０ＳＡが受光面１０ＳＡよりも大きくなるおそれがある。さらに、外部電極１２の上方に、カバーガラス２０の側面２０ＳＳ１が突き出してしまい、外部電極１２への接合が容易ではなくなる。
撮像モジュール１Ｂは、カバーガラス２０Ｂの厚さが厚くても第１の主面２０ＳＡが大きくならないため、光軸直交面の外寸が小さい。
例えば、カバーガラスの厚さが６００μｍであっても、側面の下方だけを傾斜面とすることで、傾斜角度θが、例えば１３５度であっても、第１の主面２０ＳＡが大きくなることがない。
＜第１実施形態の変形例３＞
図７に示す様に、本変形例の撮像モジュール１Ｃのカバーガラス２０Ｃは、第２の主面２０ＳＢの外周部に、切り欠きＣがある。切り欠きＣにより、第２の主面２０ＳＢは第１の主面２０ＳＡよりも小さい。
そして、第１の主面２０ＳＡを光軸方向（第２の主面方向）に延長した空間Ｓである切り欠きＣに、はみだした樹脂３０が、撮像素子１０とカバーガラス２０Ｃとの間でフィレットを形成している。
なお、切り欠きＣの深さｄは、３０μｍ以下が好ましく、１０μｍ以下が特に好ましい。前記範囲内であれば、液体の樹脂３０Ｌが表面張力により空間Ｓに収容されやすい。
なお、切り欠きＣは、エッチングまたはステップカットダイシング等により形成される。また、切り欠きＣの側面は第２の主面２０ＳＢに対して傾斜角θが９０度の垂直面であるが、傾斜角θは鈍角であっても鋭角であってもよい。
なお、すでに説明した撮像モジュール１Ｂのカバーガラス２０Ｂは、側面下部（（撮像素子側））に傾斜角θが鈍角の切り欠きがあると表現できる。
＜第１実施形態の変形例４＞
図８に示す様に、本変形例の撮像モジュール１Ｄのカバーガラス２０Ｄは、側面２０ＳＳ１の形状と、側面２０ＳＳ３の形状とが異なる。
すなわち、側面２０ＳＳ１から、はみ出した樹脂３０が外部電極１２（バンプ１３）を覆うことがないように、側面２０ＳＳ１により形成される樹脂だまり（空間Ｓ１）の体積が、他の側面、例えば、側面２０ＳＳ３により形成される空間Ｓ２よりも大きく設定されている。
すなわち、カバーガラスは、４側面の形状が同じである必要はない。
＜第１実施形態の変形例５＞
図９に示す様に、本変形例の撮像モジュール１Ｅのカバーガラス２０Ｅは、４つの角部の第２の主面２０ＳＢの切り欠きＣにより、第２の主面２０ＳＢが第１の主面２０ＳＡよりも小さい。
樹脂３０Ｌは、角部の切り欠きＣにフィレットを形成する。カバーガラス２０Ｅは、剥離の起点となりやすい角部が、フィレットにより補強されているため、撮像素子１０から剥離するおそれがない。
なお、カバーガラスは、側面２０ＳＳが傾斜面で、さらに角部に切り欠きが形成されていてもよい。
＜第１実施形態の変形例６＞
図１０に示す様に、本変形例の撮像モジュール１Ｆのカバーガラス２０Ｆは、平面視サイズ（主面寸法）が、撮像素子１０の受光面１０ＳＡのサイズよりも大きい。
撮像モジュール１Ｆは、例えば、受光面１０ＳＡの平面視サイズが、２．０ｍｍ×１．８ｍｍと超小型である。撮像モジュールの小型化のためには、カバーガラス２０Ｆの平面視サイズは、撮像素子１０の受光面１０ＳＡのサイズよりも小さいことが好ましい。しかし、カバーガラス２０Ｆは受光部１１を確実に覆うように、平面視サイズが、例えば、２．２ｍｍ×１．５ｍｍに設定されている。
カバーガラス２０Ｆの切り欠きＣ１は、撮像素子１０の受光面１０ＳＡだけでなく、側面１０ＳＳとの間でもフィレットを形成している。カバーガラス２０Ｆの受光面１０ＳＡから突出している部分は、剥離の起点となりやすい。しかし、撮像モジュール１Ｆではフィレットにより補強されているため、カバーガラス２０Ｆが撮像素子１０から剥離するおそれがない。
＜第１実施形態の変形例７＞
図１１に示す様に、本変形例の撮像モジュール１Ｇのカバーガラス２０Ｇは、第１の側面２０ＳＳ１の一部に、切り欠きＣ２がある。
すなわち、切り欠きＣ２は、１つの側面２０ＳＳ１の一部にだけ形成されていてもよい。
＜第１実施形態の変形例８＞
図１２に示す様に、本変形例の撮像モジュール１Ｈでは、光学部材がレンズユニット２０Ｈである。
レンズユニット２０Ｈは、例えば、カバーガラス２０Ｈ１、レンズ２０Ｈ３、２０Ｈ６、絞り２０Ｈ５、光路長調整部材２０Ｈ４、２０Ｈ２等の複数の光学部材２０Ｈ１〜２０Ｈ６が積層されたウエハレベル光学系である。
複数のレンズのあるレンズウエハ、複数の絞りのある絞りウエハ、複数の光路（貫通孔）のある光路長調整ウエハ、およびガラスウエハが接合された接合ウエハを切断することで、レンズユニット２０Ｈは作製される。
レンズユニット２０Ｈでは、カバーガラス２０Ｈ１の側面が傾斜面となり、樹脂だまりである空間Ｓを構成している。もちろん、例えば、光路長調整部材２０Ｈ２の側面まで傾斜面でもよい。
すなわち、光学部材はカバーガラスに限られるものではなく、複数の光学部材２０Ｈ１〜２０Ｈ６が積層されたウエハレベル光学系でもよい。
＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態の撮像モジュール１Ｉおよび、その製造方法について説明する。撮像モジュール１Ｉは、撮像モジュール１と類似し、同じ効果を有する。このため、同じ機能の構成要素には同じ符号を付し説明は省略する。
図１３および図１４に示すように、撮像モジュール１Ｉでは、樹脂３１は、受光部１１とカバーガラス２０との間に配設されている透明な第１の樹脂３２と、第１の樹脂３２の周囲に配設されている遮光性の第２の樹脂３３と、を含む。
遮光性の第２の樹脂３３により側面２０ＳＳが覆われているため撮像モジュール１Ｉは外光の影響を受けにくい。第２の樹脂３３は、第１の樹脂３２とは同じ樹脂でも異なる樹脂でも良い。生産性および信頼性の観点からは、第２の樹脂３３は、カーボン等の遮光性顔料を含む第１の樹脂３２であることが好ましい。
撮像モジュール１Ｉのカバーガラス２０は撮像モジュール１と同じように側面が傾斜面である。しかし、カバーガラスの構成がカバーガラス２０とは異なる撮像モジュール１Ａ〜１Ｈにおいても、樹脂３０を樹脂３１と同じ構成とすることで、撮像モジュール１Ｉと同じ効果を有することは言うまでも無い。
＜第３実施形態＞
次に、第３実施形態の内視鏡９について説明する。
図１５に示すように、内視鏡９は、製造が容易な小型の撮像モジュール１（１Ａ〜１Ｉ）が先端部９Ａに配設された挿入部９Ｂと、挿入部９Ｂの基端側に配設された操作部９Ｃと、操作部９Ｃから延出するユニバーサルコード９Ｄと、を具備する。ユニバーサルコード９Ｄは、撮像モジュール１のバンプ１３と接合された配線板（不図示）と接続されている。
内視鏡９は、小型で高特性の撮像モジュール１（１Ａ〜１Ｉ）を挿入部９Ｂの先端部９Ａに有するため、細径、高特性で、かつ製造が容易である。なお、内視鏡９は軟性鏡であるが、硬性鏡でもよい。また、実施形態の内視鏡は、撮像モジュール１（１Ａ〜１Ｉ）を具備していれば、カプセル型でもよいし、医療用でも工業用でもよい。
本発明は上述した実施の形態および変形例等に限定されるものではなく、本発明の要旨を変えない範囲において、種々の変更、改変等ができる。
１、１Ａ〜１Ｉ…撮像モジュール
９…内視鏡
１０…撮像素子
１１…受光部
１２…外部電極
１３…バンプ
２０…カバーガラス
３０…樹脂

Claims (8)

  1. 光軸を有する撮像光学系が被写体像を結像する受光面に受光部と外部電極とを有する撮像素子と、
    第１の主面と前記第１の主面と対向する第２の主面とを有し、前記第２の主面が、前記受光面に樹脂を介して接着されており、前記受光部を覆い、前記外部電極を覆っていない光学部材と、を具備し、
    前記光学部材は、前記第２の主面が前記第１の主面よりも小さく、前記第１の主面を前記光軸上で前記第２の主面の方向に延長した空間に、前記樹脂が、はみ出して、前記撮像素子と前記光学部材との間でフィレットを形成していることを特徴とする撮像モジュール。
  2. 前記光学部材の側面が前記第２の主面に対して傾斜していることを特徴とする請求項１に記載の撮像モジュール。
  3. 前記光学部材の前記第２の主面の外周部に、切り欠きがあることを特徴とする請求項１に記載の撮像モジュール。
  4. 前記光学部材の角部の前記第２の主面が、前記第１の主面よりも小さいことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の撮像モジュール。
  5. 前記樹脂は、前記受光部と前記光学部材との間に配設されている透明な第１の樹脂と、前記第１の樹脂の周囲に配設されている遮光性の第２の樹脂と、を含むことを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の撮像モジュール。
  6. 請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の撮像モジュールを含むことを特徴とする内視鏡。
  7. 光軸を有する撮像光学系が被写体像を結像する受光面に受光部と外部電極とを有する撮像素子を作製する工程と、
    第１の主面と前記第１の主面と対向する第２の主面とを有する光学部材の前記第２の主面を前記第１の主面よりも小さく加工する光学部材作製工程と、
    前記撮像素子の前記受光面と、前記光学部材の前記第２の主面との間に未硬化の樹脂を配設する工程と、
    前記光学部材が前記受光部を覆い、前記外部電極を覆わないように配置し、前記受光面と前記第２の主面との間を所定の間隔とすることで、余剰の前記樹脂が、前記第１の主面を前記光軸上で前記第２の主面方向に延長した空間に、はみ出して、前記撮像素子と前記光学部材との間でフィレットを形成する接着工程と、
    前記樹脂を硬化する工程と、を具備することを特徴とする撮像モジュールの製造方法。
  8. 前記光学部材作製工程が、断面がＶ字形のダイシングソーによる切断加工、または、幅の異なる２種類のダイシングソーによるステップカット切断加工であることを特徴とする請求項７に記載の撮像モジュールの製造方法。
JP2017056321A 2017-03-22 2017-03-22 撮像モジュール、内視鏡、および、撮像モジュールの製造方法 Pending JP2018160763A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017056321A JP2018160763A (ja) 2017-03-22 2017-03-22 撮像モジュール、内視鏡、および、撮像モジュールの製造方法
US15/885,886 US20180278816A1 (en) 2017-03-22 2018-02-01 Image pickup module, endoscope, and method for manufacturing image pickup module

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017056321A JP2018160763A (ja) 2017-03-22 2017-03-22 撮像モジュール、内視鏡、および、撮像モジュールの製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2018160763A true JP2018160763A (ja) 2018-10-11

Family

ID=63581192

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017056321A Pending JP2018160763A (ja) 2017-03-22 2017-03-22 撮像モジュール、内視鏡、および、撮像モジュールの製造方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20180278816A1 (ja)
JP (1) JP2018160763A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020089960A1 (ja) * 2018-10-29 2020-05-07 オリンパス株式会社 撮像装置、内視鏡、および、撮像装置の製造方法
JPWO2020105162A1 (ja) * 2018-11-22 2021-09-02 三菱電機株式会社 センサモジュール
WO2022024972A1 (ja) * 2020-07-27 2022-02-03 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像装置及び固体撮像装置の製造方法並びに電子機器
DE112020004368T5 (de) 2019-09-13 2022-06-02 Panasonic I-Pro Sensing Solutions Co., Ltd. Bildaufnahmemodul und Visualisierungssonde

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3977414B1 (ja) * 2004-08-06 2007-09-19 株式会社アライドマテリアル 半導体素子搭載部材、半導体装置、撮像装置、発光ダイオード構成部材、および発光ダイオード
US20070190747A1 (en) * 2006-01-23 2007-08-16 Tessera Technologies Hungary Kft. Wafer level packaging to lidded chips
JP2015052629A (ja) * 2013-09-05 2015-03-19 セイコーエプソン株式会社 光学デバイス、光学モジュール、電子機器、光学筐体、及び光学筐体の製造方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020089960A1 (ja) * 2018-10-29 2020-05-07 オリンパス株式会社 撮像装置、内視鏡、および、撮像装置の製造方法
JPWO2020105162A1 (ja) * 2018-11-22 2021-09-02 三菱電機株式会社 センサモジュール
JP7163970B2 (ja) 2018-11-22 2022-11-01 三菱電機株式会社 センサモジュール
DE112020004368T5 (de) 2019-09-13 2022-06-02 Panasonic I-Pro Sensing Solutions Co., Ltd. Bildaufnahmemodul und Visualisierungssonde
WO2022024972A1 (ja) * 2020-07-27 2022-02-03 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像装置及び固体撮像装置の製造方法並びに電子機器

Also Published As

Publication number Publication date
US20180278816A1 (en) 2018-09-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2018160763A (ja) 撮像モジュール、内視鏡、および、撮像モジュールの製造方法
JP2007012995A (ja) 超小型カメラモジュール及びその製造方法
KR20090038490A (ko) 반도체 장치 및 그 제조 방법
WO2018037551A1 (ja) 内視鏡用光モジュール、内視鏡、および内視鏡用光モジュールの製造方法
JP2006338018A (ja) 光学アセンブリ
JP2007324303A (ja) 光モジュール及びその実装方法
JP6270339B2 (ja) 撮像装置、撮像装置の製造方法、及び内視鏡システム
JPWO2017212520A1 (ja) 内視鏡用光学ユニットの製造方法、内視鏡用光学ユニット、および内視鏡
WO2018092347A1 (ja) 撮像モジュール、および内視鏡
JP2018050769A (ja) 光学素子、内視鏡用光学ユニット、内視鏡、および内視鏡用光学ユニットの製造方法。
US9874706B2 (en) Optical transmission module and method for manufacturing optical transmission module
US20180247962A1 (en) Image sensor package structure and packaging method thereof
JP2010283760A (ja) カメラモジュール及びその製造方法
WO2015141577A1 (ja) 光ファイバ保持部材、内視鏡、および光ファイバ保持部材の製造方法
US10470642B2 (en) Optical transmitter and endoscope
WO2017179144A1 (ja) 内視鏡用光学ユニットの製造方法および内視鏡
US20180368662A1 (en) Optical transmission module and endoscope
JP2006080597A (ja) 撮像モジュール及び撮像モジュールの製造方法
WO2013080622A1 (ja) 撮像ユニットおよび撮像ユニットの製造方法
JPWO2018087872A1 (ja) 撮像モジュールおよび内視鏡
JP2018064925A (ja) 内視鏡用撮像モジュールの製造方法、内視鏡用撮像モジュール、および内視鏡
JP2014228602A (ja) 光学装置
WO2019171460A1 (ja) 内視鏡用撮像装置、内視鏡、および内視鏡用撮像装置の製造方法
CN112041721B (zh) 摄像装置、内窥镜和摄像装置的制造方法
US10326919B2 (en) Method for manufacturing endoscope image pickup module, endoscope image pickup module and endoscope