JP2018160337A5 - - Google Patents

Claims (11)

1. 電極と、
   前記電極上に形成された発光層と、
   前記発光層上に形成された、第１の金属元素を含む金属含有膜と、
   を備え、
   前記金属含有膜は、
   前記金属含有膜の前記発光層側の界面を形成する、前記第１の金属元素と第２の金属元素との合金で形成された導電性を有する第１導電金属層と、
   前記金属含有膜の前記発光層側の界面とは逆側の界面を形成する、前記第１の金属元素の酸化物で形成された透光性を有する透光酸化層と、
   前記第１導電金属層と前記透光酸化層との間であって、前記第１の金属元素単体で形成された導電性を有する第２導電金属層と、
   を含む、
   表示装置。
2. 電極と、
   前記電極上に形成された発光層と、
   前記発光層上に形成された、マグネシウム（Ｍｇ）を含むＭｇ含有膜と、
   を備え、
   前記Ｍｇ含有膜は、
   前記Ｍｇ含有膜の前記発光層側の界面を形成する、マグネシウム銀合金（ＭｇＡｇ）で形成された第１導電金属層と、
   前記Ｍｇ含有膜の前記発光層側の界面とは逆側の界面を形成する、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）で形成された透光酸化層と、
   前記第１導電金属層と前記透光酸化層との間であって、前記Ｍｇで形成された第２導電金属層と、
   を含む、
   表示装置。
3. 前記Ｍｇ含有膜上に形成された、無機絶縁材料で形成された封止膜をさらに備える、
   請求項２に記載の表示装置。
4. 前記Ｍｇ含有膜において、前記導電金属層との界面側での銀（Ａｇ）の濃度は、前記透光酸化層との界面側での銀（Ａｇ）の濃度よりも高い、
   請求項２に記載の表示装置。
5. 前記Ｍｇ含有膜において、前記導電金属層との界面側と前記透光酸化層との界面側との間で、銀（Ａｇ）の濃度が連続的に変化する、
   請求項２に記載の表示装置。
6. 発光層上に、第１の金属元素を含む金属含有膜であって、前記金属含有膜の前記発光層側の界面を形成する、前記第１の金属元素単体、又は前記第１の金属元素と第２の金属元素との合金で形成された導電性を有する導電金属層と、前記金属含有膜の前記発光層側の界面とは逆側の界面を形成する、前記第１の金属元素単体で形成された金属単体層と、を含む金属含有膜を形成し、
   前記金属含有膜の前記逆側の界面に露出する前記金属単体層を、前記導電金属層との界面に前記金属単体層の一部が残るように酸化させる、
   表示装置の製造方法。
7. 発光層上に、マグネシウム（Ｍｇ）を含むＭｇ含有膜であって、前記Ｍｇ含有膜の前記発光層側の界面を形成する、マグネシウム銀合金（ＭｇＡｇ）で形成された導電金属層と、前記Ｍｇ含有膜の前記発光層側の界面とは逆側の界面を形成する、マグネシウム（Ｍｇ）で形成されたＭｇ単体層と、を含むＭｇ含有膜を形成し、
   前記Ｍｇ含有膜の前記逆側の界面を、前記導電金属層との界面に前記Ｍｇ単体層の一部が残るように酸化させる、
   表示装置の製造方法。
8. 前記Ｍｇ含有膜の形成は、マグネシウム（Ｍｇ）と銀（Ａｇ）とを供給して前記導電金属層を形成し、その後、マグネシウム（Ｍｇ）の供給を継続し、銀（Ａｇ）の供給を停止して前記Ｍｇ単体層を形成することを含む、
   請求項７に記載の表示装置の製造方法。
9. 前記Ｍｇ単体層の形成は、マグネシウム（Ｍｇ）の供給を継続し、銀（Ａｇ）の供給を漸減した後に停止することを含む、
   請求項８に記載の表示装置の製造方法。
10. 前記Ｍｇ含有膜の前記逆側の界面の酸化は、前記Ｍｇ含有膜の前記逆側の界面に酸素プラズマ処理を施すことを含む、
    請求項７に記載の表示装置の製造方法。
11. 前記Ｍｇ含有膜の前記逆側の界面を酸化させた後、前記Ｍｇ含有膜上に無機絶縁材料で形成された封止膜を形成する、
    請求項７に記載の表示装置の製造方法。