JP2018156945A - Laminate, conductive pattern substrate for touch panel, and method of manufacturing laminate - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a laminate having a transparent conductive layer with low sheet resistance.SOLUTION: A laminate includes a support medium and a transparent conductive layer composed of an ITO formed on one side of the support medium. An X ray is incident on one side of the laminate to generate a diffraction peak, and when the diffraction peak is measured by in-plane measurement, P/Pis 3.6 or more, if Pis a height of the diffraction peak based on a (222) face of an ITO crystal in the transparent conductive layer and Pis a height of the diffraction peak based on a (400) face of the ITO crystal in the transparent conductive layer.SELECTED DRAWING: Figure 10

Description

本発明は、積層体およびタッチパネル用導電性パターン基材に関する。   The present invention relates to a laminate and a conductive pattern substrate for a touch panel.

導電性を有しながら透光性を示す透明導電層、例えばインジウム錫酸化物(以下、ITO)からなる透明導電層は、液晶表示装置や有機EL表示装置における透明電極や、タッチパネルセンサにおける検出用の透明導電パターンなどとして利用されている。   A transparent conductive layer having conductivity and exhibiting translucency, for example, a transparent conductive layer made of indium tin oxide (hereinafter referred to as ITO), is used for detection in transparent electrodes in liquid crystal display devices and organic EL display devices, and touch panel sensors. It is used as a transparent conductive pattern.

透明電極や透明導電パターンの特性を高めるため、透明導電層のシート抵抗を低くすることが期待されている。ITOからなる透明導電層のシート抵抗は、ITOが結晶化されている場合の方が、アモルファス状態の場合に比べ、低くなることが知られている。このような特性を考慮して、特許文献1においては、基材上に形成されたITO層に対してアニール処理を施し、これによって、ITO層の結晶化を促進することが提案されている。   In order to improve the characteristics of the transparent electrode and the transparent conductive pattern, it is expected to reduce the sheet resistance of the transparent conductive layer. It is known that the sheet resistance of a transparent conductive layer made of ITO is lower when ITO is crystallized than when it is in an amorphous state. In consideration of such characteristics, Patent Document 1 proposes that the ITO layer formed on the base material is subjected to annealing treatment, thereby promoting crystallization of the ITO layer.

特開2003−16858号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2003-16858

ところで、ITO層のシート抵抗は、ITO層の厚みを大きくするほど低くすることが可能である。しかしながら、ITO層の厚みを大きくしてしまうと、ITO層の透光性が劣化してしまったり、ITO層に色味が生じたりしてしまう。従って、一般にITO層の厚みは数十nm程度になっている。このような薄膜状のITO層においてそのシート抵抗を低くするためには、単にITO層の結晶化を促すだけでは足りず、ITO層に対する更なる改善が必要であると考えられる。   By the way, the sheet resistance of the ITO layer can be lowered as the thickness of the ITO layer is increased. However, when the thickness of the ITO layer is increased, the translucency of the ITO layer is deteriorated or the ITO layer is colored. Therefore, generally, the thickness of the ITO layer is about several tens of nm. In order to lower the sheet resistance in such a thin ITO layer, it is not sufficient to promote the crystallization of the ITO layer, and further improvement to the ITO layer is considered necessary.

本発明は、このような課題を効果的に解決し得る、積層体およびタッチパネル用導電性パターン基材を提供することを目的とする。   An object of this invention is to provide the laminated body and the conductive pattern base material for touchscreens which can solve such a subject effectively.

本発明は、支持体と、当該支持体の一方の側の面に形成されたITOからなる透明導電層と、を備えた積層体であって、当該積層体の一方の側の面にX線を入射させることによって発生する回折ピークの測定をIn−Plane測定で実施した場合の、前記透明導電層のITO結晶の(222)面に基づく回折ピークの高さをPITO(222)とし、当該透明導電層のITO結晶の(400)面に基づく回折ピークの高さをPITO(400)とするとき、PITO(222)/PITO(400)が3.6以上である、積層体である。 The present invention is a laminate including a support and a transparent conductive layer made of ITO formed on one surface of the support, and an X-ray is formed on one surface of the laminate. The height of the diffraction peak based on the (222) plane of the ITO crystal of the transparent conductive layer when the measurement of the diffraction peak generated by the incident is carried out by In-Plane measurement is defined as PI ITO (222). when the height of the diffraction peak based on the (400) plane of the ITO crystals of the transparent conductive layer and the P ITO (400), is P ITO (222) / P ITO (400) is 3.6 or more, a laminated body is there.

例えば、本発明の積層体において、前記透明導電層中の酸化スズと酸化インジウムスズとの重量比が、93:7である。   For example, in the laminate of the present invention, the weight ratio of tin oxide to indium tin oxide in the transparent conductive layer is 93: 7.

例えば、本発明の積層体において、前記支持体は、1または複数の層を含んでおり、当該支持体の前記透明導電層と接する層が、ポリシロキサンを含んでいる   For example, in the laminate of the present invention, the support includes one or more layers, and the layer in contact with the transparent conductive layer of the support includes polysiloxane.

本発明は、上記記載の積層体を加工することによって得られる、タッチパネル用導電性パターン基材である。   This invention is a conductive pattern base material for touchscreens obtained by processing the laminated body described above.

本発明によれば、積層体の一方の側の面にX線を入射させることによって発生する回折ピークの測定をIn−Plane測定で実施した場合の、透明導電層のITO結晶の(222)面に基づく回折ピークの高さをPITO(222)とし、透明導電層のITO結晶の(400)面に基づく回折ピークの高さをPITO(400)とするとき、PITO(222)/PITO(400)が3.6以上となっている。これによって、シート抵抗の低い透明導電層を実現し得る。 According to the present invention, the (222) plane of the ITO crystal of the transparent conductive layer when the measurement of the diffraction peak generated by making X-rays incident on the surface on one side of the laminate is performed by In-Plane measurement. when the height of the diffraction peak based on the P ITO (222), the height of the diffraction peak based on the (400) plane of the ITO crystals of the transparent conductive layer and P ITO (400), P ITO (222) / P ITO (400) is 3.6 or more. Thereby, a transparent conductive layer having a low sheet resistance can be realized.

図1は、本発明の第1の実施の形態における積層体を示す断面図。FIG. 1 is a cross-sectional view showing a laminated body according to the first embodiment of the present invention. 図2は、図1の積層体を作製するために用いられる支持体を示す断面図。FIG. 2 is a cross-sectional view showing a support used to produce the laminate of FIG. 図3は、図1の積層体の変形例を示す断面図。FIG. 3 is a cross-sectional view showing a modification of the laminate of FIG. 図4は、図3の積層体を作製するために用いられる支持体を示す断面図。4 is a cross-sectional view showing a support used for producing the laminate of FIG. 図5Aは、図2に示す支持体の製造方法を説明するための図。FIG. 5A is a view for explaining a method of manufacturing the support shown in FIG. 図5Bは、図2に示す支持体の製造方法を説明するための図。FIG. 5B is a view for explaining a method of manufacturing the support shown in FIG. 図6は、図3に示す積層体を加工することにより得られるタッチパネル用導電性パターン基材を示す平面図。FIG. 6 is a plan view showing a conductive pattern substrate for a touch panel obtained by processing the laminate shown in FIG. 3. 図7は、図6の導電性パターン基材の、線VII−VIIに沿った断面図。7 is a cross-sectional view of the conductive pattern substrate of FIG. 6 taken along line VII-VII. 図8は、ITOの結晶構造を示す図。FIG. 8 is a diagram showing a crystal structure of ITO. 図9は、サンプル5の積層体から得られた回折ピークを示す図。FIG. 9 is a diagram showing a diffraction peak obtained from the laminate of Sample 5. FIG. 図10は、各サンプルの積層体におけるPITO(222)/PITO(400)と、透明導電層のシート抵抗と、の関係を示す図。FIG. 10 is a diagram showing the relationship between PITO (222) / PITO (400) in the laminate of each sample and the sheet resistance of the transparent conductive layer. 図11は、各サンプルの積層体におけるPITO(222)/PITO(400)と、各サンプルの支持体の表面自由エネルギーと、の関係を示す図。FIG. 11 is a diagram showing the relationship between PITO (222) / PITO (400) in the laminate of each sample and the surface free energy of the support of each sample.

以下、図1乃至図8を参照して、本発明の実施の形態について説明する。図1に示すように、積層体10は、支持体11と、支持体11の一方の側の面11aに設けられた第1透明導電層16aと、を含んでいる。まず、支持体11について説明し、その後、第1透明導電層16aについて説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to FIGS. As shown in FIG. 1, the stacked body 10 includes a support 11 and a first transparent conductive layer 16 a provided on a surface 11 a on one side of the support 11. First, the support 11 will be described, and then the first transparent conductive layer 16a will be described.

(支持体)
支持体11は、図1および図2に示すように、基材12と、基材12の一方の側の面12aに順に設けられた第1ハードコート層13a、および第1インデックスマッチング層14aと、を含んでいる。以下、基材12、第1ハードコート層13a、および第1インデックスマッチング層14aについてそれぞれ説明する。
(Support)
As shown in FIGS. 1 and 2, the support 11 includes a base 12, a first hard coat layer 13 a and a first index matching layer 14 a that are sequentially provided on the surface 12 a on one side of the base 12. , Including. Hereinafter, the substrate 12, the first hard coat layer 13a, and the first index matching layer 14a will be described.

(基材)
基材12としては、十分な透光性を有するフィルムやガラスが用いられる。基材12に用いられるフィルムを構成する材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、シクロオレフィンポリマー(COP)、環状オレフィン・コポリマー(COC)、ポリカーボネート(PC)、トリアセチルセルロース(TAC)、ポリメチルメタクリレート(PMMA)などが挙げられる。基材12の厚みは、例えば25〜200μmの範囲内となっている。
(Base material)
As the substrate 12, a film or glass having sufficient translucency is used. Examples of the material constituting the film used for the substrate 12 include polyethylene terephthalate (PET), cycloolefin polymer (COP), cyclic olefin copolymer (COC), polycarbonate (PC), triacetyl cellulose (TAC), poly Examples thereof include methyl methacrylate (PMMA). The thickness of the base material 12 is in the range of, for example, 25 to 200 μm.

(ハードコート層)
第1ハードコート層13aは、擦り傷を防止するという目的や、層間の界面に低分子重合体(オリゴマー)が析出して白く濁ってみえることを防ぐという目的のために設けられる層である。第1ハードコート層13aとしては、例えばアクリル樹脂などが用いられる。なお図1および図2に示すように、第1ハードコート層13aと同一の材料から構成された第2ハードコート層13bが、基材12の他方の面12bにさらに設けられていてもよい。ハードコート層13a,13bの厚みは、例えば0.1〜10μmの範囲内となっている。
(Hard coat layer)
The first hard coat layer 13a is a layer provided for the purpose of preventing scratches and for the purpose of preventing the low molecular weight polymer (oligomer) from being precipitated and appearing cloudy in the interface between the layers. As the first hard coat layer 13a, for example, an acrylic resin is used. As shown in FIGS. 1 and 2, a second hard coat layer 13 b made of the same material as the first hard coat layer 13 a may be further provided on the other surface 12 b of the substrate 12. The thickness of the hard coat layers 13a and 13b is, for example, in the range of 0.1 to 10 μm.

(インデックスマッチング層)
第1インデックスマッチング層14aは、積層体10における光の透過率や反射率を調整するという目的のために、基材12と第1透明導電層16aとの間に設けられる層である。本実施の形態では、第1インデックスマッチング層14aは、基材12を構成する材料よりも高い屈折率を有する材料から構成される第1高屈折率層を含んでいる。また、本実施の形態の第1インデックスマッチング層14aは、第1高屈折率層と第1透明導電層16aとの間に、基材12を構成する材料よりも低い屈折率を有する材料から構成される第1低屈折率層を含んでいる。
(Index matching layer)
The first index matching layer 14 a is a layer provided between the base material 12 and the first transparent conductive layer 16 a for the purpose of adjusting the light transmittance and reflectance in the stacked body 10. In the present embodiment, the first index matching layer 14a includes a first high-refractive index layer made of a material having a higher refractive index than that of the material constituting the substrate 12. Further, the first index matching layer 14a of the present embodiment is made of a material having a lower refractive index than the material constituting the substrate 12 between the first high refractive index layer and the first transparent conductive layer 16a. The first low refractive index layer is included.

第1低屈折率層を構成する材料としては、例えば酸化珪素やフッ化マグネシウムが用いられる。第1高屈折率層を構成する材料としては、例えば酸化ニオブやジルコニウムが用いられる。第1高屈折率層および第1低屈折率層の厚みは、所望の透過率や反射率が達成されるよう、用いられる材料に応じて適宜設定される。   As a material constituting the first low refractive index layer, for example, silicon oxide or magnesium fluoride is used. As a material constituting the first high refractive index layer, for example, niobium oxide or zirconium is used. The thicknesses of the first high-refractive index layer and the first low-refractive index layer are appropriately set according to the material used so that desired transmittance and reflectance can be achieved.

なお本実施の形態においては、上述の第1インデックスマッチング層14aが積層体10に含まれている例について説明するが、しかしながら、第1インデックスマッチング層14aは必ずしも設けられていなくてもよい。同様に、ハードコート層13a,13bも、必要に応じて任意に設けられる層である。従って、基材12の一方の側の面12aや第1ハードコート層13aの一方の側の面に直接的に接するよう第1透明導電層16aが設けられることもある。さらに、基材12やハードコート層13a,13b、第1インデックスマッチング層14aが、酸素等を含むいわゆるアウトガスを発生させる材料で構成される場合には、アウトガスによって第1透明導電層16aのITOの結晶化が阻害されることを防止するために、基材12、ハードコート層13a,13bないし第1インデックスマッチング層14aの一方の側の面にアウトガスを遮断するバリア層が設けられてもよい。バリア層を構成する材料としては、例えばシリカが用いられる。   In the present embodiment, an example in which the above-described first index matching layer 14a is included in the stacked body 10 will be described. However, the first index matching layer 14a is not necessarily provided. Similarly, the hard coat layers 13a and 13b are also optionally provided as necessary. Therefore, the 1st transparent conductive layer 16a may be provided so that the surface 12a of one side of the base material 12 and the surface of one side of the 1st hard-coat layer 13a may be contact | connected directly. Furthermore, when the base material 12, the hard coat layers 13a and 13b, and the first index matching layer 14a are made of a material that generates so-called outgas containing oxygen or the like, the ITO of the first transparent conductive layer 16a is outgassed. In order to prevent crystallization from being hindered, a barrier layer that blocks outgas may be provided on one side of the substrate 12, the hard coat layers 13a, 13b, or the first index matching layer 14a. As a material constituting the barrier layer, for example, silica is used.

(透明導電層)
第1透明導電層16aを構成する材料としては、導電性を有しながら透光性を示す材料が用いられ、本実施の形態では、インジウム錫酸化物(ITO)が用いられる。ここでITOとは、89〜99重量%のインジウムと、1〜11重量%の錫と、0.5重量%以下のその他の添加元素または不可避の不純物と、を含む金属酸化物を意味している。第1透明導電層16aの厚みは、例えば18〜50nmの範囲内となっている。
(Transparent conductive layer)
As the material constituting the first transparent conductive layer 16a, a material that has conductivity and exhibits translucency is used, and in this embodiment, indium tin oxide (ITO) is used. Here, ITO means a metal oxide containing 89 to 99% by weight of indium, 1 to 11% by weight of tin, and 0.5% by weight or less of other additive elements or inevitable impurities. Yes. The thickness of the first transparent conductive layer 16a is, for example, in the range of 18 to 50 nm.

ところで一般に、ITOからなる透明導電層は、その厚みを大きくすることなくそのシート抵抗が低くなるように形成されることが期待されている。この点に関して、本件発明者らが鋭意研究を重ねた結果、透明導電層の成膜条件や、透明導電層が形成される支持体の構成等によって、透明導電層のシート抵抗が異なることを見出した。原因について調べるべく、ITOからなる第1透明導電層16aの結晶構造を調べた結果、後述する実施例において示されるように、第1透明導電層16aのITO結晶の所定の結晶面の比率が十分に高ければ、第1透明導電層16aのシート抵抗が十分に低くなる、ということを見出した。   In general, it is expected that the transparent conductive layer made of ITO is formed so that the sheet resistance is lowered without increasing the thickness. In this regard, the present inventors have conducted extensive research and found that the sheet resistance of the transparent conductive layer varies depending on the film forming conditions of the transparent conductive layer, the structure of the support on which the transparent conductive layer is formed, and the like. It was. As a result of investigating the crystal structure of the first transparent conductive layer 16a made of ITO in order to investigate the cause, the ratio of the predetermined crystal plane of the ITO crystal of the first transparent conductive layer 16a is sufficient as shown in the examples described later. It has been found that the sheet resistance of the first transparent conductive layer 16a is sufficiently low.

具体的には、ITOの結晶構造は、図8に示すようなビックスバイト(Bixbyte)構造であり、積層体10の一方の側の面にX線を入射させることによって発生する回折ピークの測定をIn−Plane測定で実施すると、第1透明導電層16aのITO結晶の(222)面や(400)面、(440)面等に基づく回折ピークが表れる。ここで、In−Plane測定とは、積層体10の第1透明導電層16aの表面すれすれにX線を入射させ、この際に生じるX線の回折を観察することによって、第1透明導電層16aのITO結晶の結晶面を測定する方法である。この方法においては、第1透明導電層16aの法線方向に平行に広がる結晶面の方位が測定される。In−Plane測定によれば、従来一般に用いられてきたθ/2θ測定に比べて、基材12や第1ハードコート層13a、第1インデックスマッチング層14aに起因する信号を抑制することができるので、第1透明導電層16aの表面の結晶情報を感度良く測定することができる。   Specifically, the crystal structure of ITO is a Bixbyte structure as shown in FIG. 8, and the measurement of a diffraction peak generated by making X-rays incident on one surface of the laminate 10 is performed. When the In-Plane measurement is performed, a diffraction peak based on the (222) plane, (400) plane, (440) plane, etc. of the ITO crystal of the first transparent conductive layer 16a appears. Here, the In-Plane measurement means that X-rays are incident on the surface of the first transparent conductive layer 16a of the multilayer body 10, and the X-ray diffraction generated at this time is observed, whereby the first transparent conductive layer 16a. This is a method for measuring the crystal plane of the ITO crystal. In this method, the orientation of the crystal plane extending parallel to the normal direction of the first transparent conductive layer 16a is measured. According to the In-Plane measurement, it is possible to suppress signals caused by the base material 12, the first hard coat layer 13a, and the first index matching layer 14a, compared to the θ / 2θ measurement that has been generally used conventionally. The crystal information on the surface of the first transparent conductive layer 16a can be measured with high sensitivity.

そして、本件発明者らの研究の成果によれば、上述のIn−Plane測定を実施することにより得られた第1透明導電層16aのITO結晶の(222)面に基づく回折ピークの高さをPITO(222)とし、第1透明導電層16aのITO結晶の(400)面に基づく回折ピークの高さをPITO(400)とするとき、PITO(222)/PITO(400)が十分に高ければ第1透明導電層16aのシート抵抗が十分に低くなる。
そして、PITO(222)/PITO(400)が3.6以上であれば、第1透明導電層16aのシート抵抗は、タッチパネル用導電性パターン基材としての実用上十分な程度に低くなる、具体的には140Ω/□以下になる、ということが見出された。
And according to the results of the present inventors' research, the height of the diffraction peak based on the (222) plane of the ITO crystal of the first transparent conductive layer 16a obtained by performing the above-described In-Plane measurement is determined. and P ITO (222), when the height of the diffraction peak based on the (400) plane of the ITO crystals of the first transparent conductive layer 16a and P ITO (400), P ITO (222) / P ITO (400) is If it is sufficiently high, the sheet resistance of the first transparent conductive layer 16a is sufficiently low.
If PITO (222) / PITO (400) is 3.6 or more, the sheet resistance of the first transparent conductive layer 16a is lowered to a practically sufficient level as a conductive pattern substrate for a touch panel. Specifically, it has been found that it is 140Ω / □ or less.

なお、第1透明導電層16aのITO結晶の(222)面に基づく回折ピークの高さPITO(222)が高くなるようにITO結晶の配向性を制御する方法としては、特に限定されないが、本件発明者らが試行錯誤を重ねた結果、次のような方法が採用され得ることが知見された。すなわち、後述する実施例によって支持されるように、支持体11の一方の側の表面11aにおける表面自由エネルギーを十分に高めることで、当該表面11aに形成される第1透明導電層16aのITO結晶の配向性を、PITO(222)/PITO(400)が十分に高くなるように制御し得る、というものである。具体的には、当該表面11aにおける表面自由エネルギーを60mJ/m以上とすることで、PITO(222)/PITO(400)が3.6以上、より好ましくは3.8以上、さらに好ましくは4.4以上となるように、ITOの結晶の配向性を制御し得る。 The method of controlling the orientation of the ITO crystal so that the diffraction peak height PITO (222) based on the (222) plane of the ITO crystal of the first transparent conductive layer 16a is not particularly limited, As a result of repeated trial and error by the inventors, it has been found that the following method can be adopted. That is, as supported by the examples described later, by sufficiently increasing the surface free energy on the surface 11a on one side of the support 11, the ITO crystal of the first transparent conductive layer 16a formed on the surface 11a. The orientation of PITO (222) / PITO (400) can be controlled to be sufficiently high. Specifically, when the surface free energy on the surface 11a is 60 mJ / m 2 or more, PITO (222) / PITO (400) is 3.6 or more, more preferably 3.8 or more, and still more preferably. Can control the orientation of the ITO crystal so that it becomes 4.4 or more.

支持体11の表面における表面自由エネルギーを高める方法としては、特には限定されないが、例えば、支持体11の表面にプラズマ処理を施したり、支持体11の最表層をポリシロキサンを含む材料で構成する、という方法が採用され得る。ここで、支持体11の表面にプラズマ処理を施したり、支持体11の最表層をポリシロキサンを含む材料で構成することによって当該表面における表面自由エネルギーを高めることが可能な理由については、特に限定されないが、例えば、次のような理由が考えられる。すなわち、支持体11の表面にプラズマ処理が施されることにより、支持体11中のOH基が支持体11の表面に露出されることとなる。また、支持体11の最表層がポリシロキサンを含む材料で構成されることにより、支持体11の表面にOH基が存在することとなる。そして、支持体11の表面におけるOH基の存在が当該表面における表面自由エネルギーを高めることに寄与する、というものである。   The method for increasing the surface free energy on the surface of the support 11 is not particularly limited. For example, the surface of the support 11 is subjected to plasma treatment, or the outermost layer of the support 11 is made of a material containing polysiloxane. , Can be employed. Here, the reason why the surface free energy on the surface can be increased by performing plasma treatment on the surface of the support 11 or by configuring the outermost layer of the support 11 with a material containing polysiloxane is particularly limited. For example, the following reasons can be considered. That is, by performing plasma treatment on the surface of the support 11, OH groups in the support 11 are exposed on the surface of the support 11. Further, when the outermost layer of the support 11 is made of a material containing polysiloxane, OH groups exist on the surface of the support 11. The presence of OH groups on the surface of the support 11 contributes to increasing the surface free energy on the surface.

なお、支持体11の表面における表面自由エネルギーについては、支持体11の表面における水接触角、ジヨードメタン接触角、およびエチレングリコール接触角等を用いて調べることが可能である。   The surface free energy on the surface of the support 11 can be examined using the water contact angle, diiodomethane contact angle, ethylene glycol contact angle, etc. on the surface of the support 11.

その他、第1透明導電層16aを構成するために用いられる材料なども、第1透明導電層16aのITO結晶の配向性に影響を及ぼすものと考えられる。   In addition, it is considered that the material used for forming the first transparent conductive layer 16a also affects the orientation of the ITO crystal of the first transparent conductive layer 16a.

次に、このような構成からなる本実施の形態の作用および効果について説明する。ここでは、はじめに、上述の支持体11を製造する方法および支持体11を用いて積層体10を製造する方法について説明する。次に、積層体10を加工することにより得られるタッチパネル用導電性パターン基材の製造方法について説明する。   Next, the operation and effect of the present embodiment having such a configuration will be described. Here, first, a method for manufacturing the above-described support 11 and a method for manufacturing the laminate 10 using the support 11 will be described. Next, the manufacturing method of the conductive pattern base material for touchscreens obtained by processing the laminated body 10 is demonstrated.

支持体の製造方法
はじめに、図5Aに示すように、基材12を用意する。次に、図5Bに示すように、アクリル樹脂を含む塗工液を、コーターを用いて基材12の両側に塗工する。これによって、基材12の両側にハードコート層13a,13bが形成される。次に、有機樹脂および有機樹脂内に分散された高屈折率材料の粒子、例えばジルコニウムの粒子を含む塗工液を、コーターを用いて第1ハードコート層13a上に塗工する。これによって、第1ハードコート層13a上に第1高屈折率層が形成される。その後、有機樹脂および有機樹脂内に分散された低屈折率材料の粒子、例えば酸化珪素の粒子を含む塗布液を、コーターを用いて第1高屈折率層上に塗工する。これによって、第1高屈折率層上に第1低屈折率層が形成される。このようにして、第1ハードコート層13a上に第1インデックスマッチング層14aが形成され、図2に示す支持体11を得ることができる。
The manufacturing method Introduction of the support, as shown in FIG. 5A, providing a substrate 12. Next, as shown to FIG. 5B, the coating liquid containing an acrylic resin is applied to the both sides of the base material 12 using a coater. Thereby, hard coat layers 13 a and 13 b are formed on both sides of the base material 12. Next, a coating liquid containing organic resin and particles of a high refractive index material dispersed in the organic resin, for example, zirconium particles, is applied onto the first hard coat layer 13a using a coater. As a result, the first high refractive index layer is formed on the first hard coat layer 13a. Thereafter, an organic resin and a coating solution containing particles of a low refractive index material dispersed in the organic resin, for example, silicon oxide particles, are applied onto the first high refractive index layer using a coater. Thereby, the first low refractive index layer is formed on the first high refractive index layer. Thus, the 1st index matching layer 14a is formed on the 1st hard-coat layer 13a, and the support body 11 shown in FIG. 2 can be obtained.

積層体の製造方法
次に、本実施の形態では、第1透明導電層16aが形成される支持体11の一方の表面11aの表面自由エネルギーを高めるため、第1インデックスマッチング層14a上にプラズマ処理を施す。続いて、スパッタリング法などの真空成膜法を用いて、第1インデックスマッチング層14a上に第1透明導電層16aを形成する。本実施の形態では、酸化スズと酸化インジウムスズとの重量比が93:7(92.5:7.5〜93.5:6.5の範囲内)のターゲットを用いてスパッタリングを行うことにより、第1透明導電層16aを形成する。その後、第1透明導電層16a中のITOの結晶化をさらに進行させるため、第1透明導電層16aに対してアニール処理を施してもよい。このようにして、図1に示す積層体10を得ることができる。
Method for producing a laminate Next, in this embodiment, to increase the surface free energy of the one surface 11a of the support 11 the first transparent conductive layer 16a is formed, plasma treatment on the first index matching layer 14a Apply. Subsequently, the first transparent conductive layer 16a is formed on the first index matching layer 14a by using a vacuum film formation method such as a sputtering method. In this embodiment, sputtering is performed using a target having a weight ratio of tin oxide to indium tin oxide of 93: 7 (within a range of 92.5: 7.5 to 93.5: 6.5). Then, the first transparent conductive layer 16a is formed. Thereafter, in order to further promote crystallization of ITO in the first transparent conductive layer 16a, the first transparent conductive layer 16a may be annealed. Thus, the laminated body 10 shown in FIG. 1 can be obtained.

タッチパネル用導電性パターン基材の製造方法
次に、積層体10の用途の一例として、積層体10を加工することにより得られるタッチパネル用導電性パターン基材について説明する。タッチパネル用導電性パターン基材60は、液晶表示パネルや有機EL表示パネルなどの表示パネルの観察者側に設けられ、人体などの被検出体の接触位置を検出するための透明導電パターンなどを含むセンサである。タッチパネル用導電性パターン基材60としては、被検出体からの圧力に基づいてタッチ箇所を検出する抵抗膜方式のタッチパネルセンサや、人体などの被検出体からの静電気に基づいてタッチ箇所を検出する静電容量方式のタッチパネルセンサなど様々なタイプのものが知られているが、ここでは、積層体10をパターニングすることによって静電容量方式のタッチパネルセンサとしてのタッチパネル用導電性パターン基材60を形成する例について、図6および図7を参照して説明する。図6は、タッチパネル用導電性パターン基材60を示す平面図であり、図7は、図6に示すタッチパネル用導電性パターン基材60の線VII−VIIに沿った断面図である。なお図6および図7においては、図4に示す基材12の一方の側および他方の側に配置されたインデックスマッチング層14a,14bを含む支持体11を用いて作製された積層体10であって、図3に示すように支持体11の一方の側および他方の側に配置された透明導電層16a,16bを含む積層体10を用いることにより、タッチパネルセンサ60が作製されている。
Method for Producing Conductive Pattern Substrate for Touch Panel Next, as an example of the use of the laminate 10, a conductive pattern substrate for a touch panel obtained by processing the laminate 10 will be described. The conductive pattern substrate 60 for a touch panel is provided on the viewer side of a display panel such as a liquid crystal display panel or an organic EL display panel, and includes a transparent conductive pattern for detecting a contact position of a detection target such as a human body. It is a sensor. As the conductive pattern base material 60 for a touch panel, a touch location is detected based on a resistance film type touch panel sensor that detects a touch location based on pressure from the detection target or static electricity from a detection target such as a human body. Various types such as a capacitive touch panel sensor are known. Here, the laminate 10 is patterned to form a conductive pattern substrate 60 for a touch panel as a capacitive touch panel sensor. An example of this will be described with reference to FIGS. 6 is a plan view showing the conductive pattern substrate 60 for touch panel, and FIG. 7 is a cross-sectional view taken along the line VII-VII of the conductive pattern substrate 60 for touch panel shown in FIG. 6 and 7 show the laminate 10 produced using the support 11 including the index matching layers 14a and 14b arranged on one side and the other side of the substrate 12 shown in FIG. As shown in FIG. 3, the touch panel sensor 60 is manufactured by using the laminated body 10 including the transparent conductive layers 16 a and 16 b disposed on one side and the other side of the support 11.

図6に示すように、タッチパネル用導電性パターン基材60は、指などの外部導体の接近に起因する静電容量の変化を検出するための透明導電パターン62a,62bを備えている。透明導電パターン62a,62bは、基材12の一方の側に配置され、図6の横方向に延びる第1透明導電パターン62aと、基材12の他方の側に配置され、図6の縦方向に延びる第2透明導電パターン62bと、からなっている。なお図6において、下側に設けられた第2透明導電パターン62bが点線で表されている。図7に示すように、各透明導電パターン62a,62bは、積層体10の透明導電層16a,16bをパターニングすることにより得られるものである。透明導電層16a,16bをパターニングする方法としては、例えばフォトリソグラフィー法が用いられる。   As shown in FIG. 6, the conductive pattern base material 60 for touch panels includes transparent conductive patterns 62a and 62b for detecting a change in capacitance caused by the approach of an external conductor such as a finger. The transparent conductive patterns 62a and 62b are disposed on one side of the substrate 12, and are disposed on the other side of the first transparent conductive pattern 62a extending in the lateral direction of FIG. 6 and the longitudinal direction of FIG. And a second transparent conductive pattern 62b extending in the direction. In FIG. 6, the second transparent conductive pattern 62b provided on the lower side is represented by a dotted line. As shown in FIG. 7, the transparent conductive patterns 62 a and 62 b are obtained by patterning the transparent conductive layers 16 a and 16 b of the multilayer body 10. As a method for patterning the transparent conductive layers 16a and 16b, for example, a photolithography method is used.

また図6に示すように、タッチパネル用導電性パターン基材60は、各透明導電パターン62a,62bに接続された取出パターン64a,64bと、各取出パターン64a,64bに接続され、各透明導電パターン62a,62bからの信号を外部へ取り出すための端子部65a,65bと、をさらに有していてもよい。これら取出パターン64a,64bおよび端子部65a,65bは、タッチパネル用導電性パターン基材60のうち表示パネルからの映像光が通過しない領域、いわゆる額縁領域に配置されている。このため、取出パターン64a,64bおよび端子部65a,65bを構成する材料が透明性を有する必要はない。従って、取出パターン64a,64bおよび端子部65a,65bは一般に、透明導電パターン62a,62bを構成する透明導電性材料よりも高い電気伝導率を有する金属材料から構成される。   As shown in FIG. 6, the conductive pattern base material 60 for the touch panel is connected to the extraction patterns 64 a and 64 b connected to the transparent conductive patterns 62 a and 62 b and to the extraction patterns 64 a and 64 b, respectively. Terminal portions 65a and 65b for taking out signals from 62a and 62b to the outside may be further included. The extraction patterns 64a and 64b and the terminal portions 65a and 65b are arranged in a region where the image light from the display panel does not pass, that is, a so-called frame region, of the touch panel conductive pattern substrate 60. For this reason, the material which comprises extraction pattern 64a, 64b and terminal part 65a, 65b does not need to have transparency. Therefore, the extraction patterns 64a and 64b and the terminal portions 65a and 65b are generally made of a metal material having a higher electric conductivity than the transparent conductive material constituting the transparent conductive patterns 62a and 62b.

このような取出パターン64a,64bおよび端子部65a,65bを形成する方法が特に限られることはなく、フォトリソグラフィー法や印刷法が適宜用いられる。例えば、はじめに積層体10の透明導電層16上に金属材料層(図示せず)を形成し、次に、フォトリソグラフィー法を用いて金属材料層および透明導電層16a,16bを順次または同時にエッチングすることにより、取出パターン64a,64bおよび端子部65a,65bと透明導電パターン62a,62bとが形成されてもよい。この場合、図7に示すように、取出パターン64a,64bとインデックスマッチング層14a,14bとの間に透明導電パターン62a,62bが介在されていてもよい。これによって、透明導電パターン62a,62bからの信号を取り出す際の電気抵抗をより小さくすることができる。なお、表示パネルからの映像光が通過する領域にある透明導電パターン62a,62b上に残っている金属材料層を取り除くためのエッチングにおいては、エッチング液として、金属材料層のみを選択的に溶解させるエッチング液が用いられる。   The method of forming such extraction patterns 64a and 64b and terminal portions 65a and 65b is not particularly limited, and a photolithography method or a printing method is appropriately used. For example, first, a metal material layer (not shown) is formed on the transparent conductive layer 16 of the laminate 10, and then the metal material layer and the transparent conductive layers 16 a and 16 b are sequentially or simultaneously etched using a photolithography method. Thereby, the extraction patterns 64a and 64b, the terminal portions 65a and 65b, and the transparent conductive patterns 62a and 62b may be formed. In this case, as shown in FIG. 7, transparent conductive patterns 62a and 62b may be interposed between the extraction patterns 64a and 64b and the index matching layers 14a and 14b. As a result, the electrical resistance when taking out signals from the transparent conductive patterns 62a and 62b can be further reduced. In the etching for removing the metal material layer remaining on the transparent conductive patterns 62a and 62b in the region where the image light from the display panel passes, only the metal material layer is selectively dissolved as an etchant. An etchant is used.

本実施の形態によれば、タッチパネル用導電性パターン基材60は、積層体10の一方の側の面にX線を入射させることによって発生する回折ピークの測定をIn−Plane測定で実施した場合の、透明導電層16a,16bのITO結晶の(222)面に基づく回折ピークの高さをPITO(222)とし、透明導電層16a,16bのITO結晶の(400)面に基づく回折ピークの高さをPITO(400)とするとき、PITO(222)/PITO(400)が3.6以上であるという積層体10を加工することにより作製されている。これにより、シート抵抗が十分に低い、具体的には、140Ω/□以下、より好ましくは130Ω/□以下の、透明導電パターン62a,62bを有するタッチパネル用導電性パターン基材60を得ることが可能である。 According to the present embodiment, when the conductive pattern base material 60 for a touch panel is subjected to measurement of a diffraction peak generated by making X-rays incident on the surface on one side of the laminate 10 by In-Plane measurement. The height of the diffraction peak based on the (222) plane of the ITO crystal of the transparent conductive layers 16a and 16b is defined as PI ITO (222), and the diffraction peak based on the (400) plane of the ITO crystal of the transparent conductive layers 16a and 16b When the height is PITO (400) , the laminate 10 is manufactured by processing that PITO (222) / PITO (400) is 3.6 or more. As a result, it is possible to obtain a conductive pattern substrate 60 for a touch panel having transparent conductive patterns 62a and 62b having a sheet resistance sufficiently low, specifically 140Ω / □ or less, more preferably 130Ω / □ or less. It is.

次に、本発明を実施例により更に具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例の記載に限定されるものではない。   EXAMPLES Next, although an Example demonstrates this invention further more concretely, this invention is not limited to description of a following example, unless the summary is exceeded.

様々な作成条件下において、積層体のサンプル1〜7を作製した。以下では、まず、積層体のサンプル1〜7を作製するために用意された支持体のサンプル1〜7について説明し、次に、各支持体を用いて作製された積層体のサンプル1〜7について説明する。   Samples 1 to 7 of the laminate were produced under various production conditions. Below, the sample 1-7 of the support body prepared in order to produce the sample 1-7 of a laminated body is demonstrated first, and the sample 1-7 of the laminated body produced using each support body next. Will be described.

(支持体)
基材12と、基材12の一方の側に順に設けられた第1ハードコート層13aおよび第1インデックスマッチング層14aと、を備えた支持体11のサンプル1〜
を作製した。第1インデックスマッチング層14aは、第1ハードコート層13a上に形成された第1高屈折率層と、第1高屈折率層上に形成された第1低屈折率層と、から構成された。各支持体11の最表層となる第1低屈折率層は、第1高屈折率層上に、以下の材料を含む塗工液を塗工することにより形成された。塗工液の塗工は、ミカサ社製スピンコーターを用いて行われた。
[サンプル1]アルコキシ金属系材料((株)日板研究所製:セラミカG-90 A, B)
[サンプル2]シリコーン系材料(信越化学(株)製:KS-3601 / CAT-PL-56)
[サンプル3]シラザン系材料(AZ ELECTRONIC MATERIALS製:NL-120A-20)
[サンプル4]有機−無機ハイブリット系材料(JSR(株)製:グラスカHPC7506A)
[サンプル5]シロキサン系材料(コルコート(株)製:コルコートN-103X)
[サンプル6]シロキサン系材料(コルコート(株)製:コルコートPX)
[サンプル7]シロキサン系材料(コルコート(株)製:コルコートSS-C1)
(Support)
Samples 1 to 1 of the support 11 including a base 12 and a first hard coat layer 13a and a first index matching layer 14a provided in order on one side of the base 12.
Was made. The first index matching layer 14a is composed of a first high refractive index layer formed on the first hard coat layer 13a and a first low refractive index layer formed on the first high refractive index layer. . The first low refractive index layer that is the outermost layer of each support 11 was formed by applying a coating liquid containing the following materials on the first high refractive index layer. The coating liquid was applied using a spin coater manufactured by Mikasa.
[Sample 1] Alkoxy metal-based material (manufactured by Nippon Sheet Laboratory Co., Ltd .: Ceramica G-90 A, B)
[Sample 2] Silicone material (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd .: KS-3601 / CAT-PL-56)
[Sample 3] Silazane material (manufactured by AZ ELECTRONIC MATERIALS: NL-120A-20)
[Sample 4] Organic-inorganic hybrid material (manufactured by JSR Corporation: Glasca HPC7506A)
[Sample 5] Siloxane-based material (Colcoat Co., Ltd .: Colcoat N-103X)
[Sample 6] Siloxane-based material (Colcoat Co., Ltd .: Colcoat PX)
[Sample 7] Siloxane material (Colcoat SS-C1 manufactured by Colcoat Co., Ltd.)

〔評価1 支持体の表面自由エネルギー〕
続いて、このようにして得られた各支持体11の第1低屈折率層の表面11aにおける水接触角、ジヨードメタン接触角、および、エチレングリコール接触角を測定し、当該表面11aにおける表面自由エネルギーを測定した。各接触角の測定条件および表面自由エネルギーの測定・解析条件を、以下に示す。
<接触角の測定条件>
測定装置:共和界面科学株式会社製接触角計
水、ジヨードメタン及びエチレングリコールの滴下量:1.0マイクロリットル
<表面自由エネルギーの測定・解析条件>
表面自由エネルギーの測定解析に使用されたソフトウェア:KYOWA interFAce Measurement and Analysis System(FAMAS)
表面自由エネルギー理論名:Owens-Wendt
[Evaluation 1 Surface Free Energy of Support]
Subsequently, a water contact angle, a diiodomethane contact angle, and an ethylene glycol contact angle on the surface 11a of the first low refractive index layer of each support 11 thus obtained are measured, and the surface free energy on the surface 11a is measured. Was measured. The measurement conditions for each contact angle and the measurement / analysis conditions for the surface free energy are shown below.
<Measurement conditions for contact angle>
Measuring device: Contact angle meter manufactured by Kyowa Interface Science Co., Ltd. Drop amount of water, diiodomethane and ethylene glycol: 1.0 microliter <Measurement and analysis conditions for surface free energy>
Software used for surface free energy measurement analysis: KYOWA interFAce Measurement and Analysis System (FAMAS)
Surface free energy theory name: Owens-Wendt

このようにして測定された各支持体11の表面11aにおける表面自由エネルギーは、以下の通りであった。
<表面自由エネルギー>
[サンプル1]62.1mJ/m
[サンプル2]25.3mJ/m
[サンプル3]19.3mJ/m
[サンプル4]26.2mJ/m
[サンプル5]63.2mJ/m
[サンプル6]62.0mJ/m
[サンプル7]66.0mJ/m
Thus, the surface free energy in the surface 11a of each support body 11 measured in this way was as follows.
<Surface free energy>
[Sample 1] 62.1 mJ / m 2
[Sample 2] 25.3 mJ / m 2
[Sample 3] 19.3 mJ / m 2
[Sample 4] 26.2 mJ / m 2
[Sample 5] 63.2 mJ / m 2
[Sample 6] 62.0 mJ / m 2
[Sample 7] 66.0 mJ / m 2

(積層体)
続いて、各支持体11の表面11a上にスパッタリング法によって第1透明導電層16aを形成し、積層体10のサンプル1〜7を形成した。各積層体10の第1透明導電層16aの厚さは、30nm程度であった。各積層体10の第1透明導電層16aの形成に用いられたターゲット中の酸化スズと酸化インジウムスズとの重量比は、以下の通りであった。
<重量比(酸化スズ:酸化インジウムスズ)>
[サンプル1]95:5
[サンプル2]93:7
[サンプル3]90:10
[サンプル4]93:7
[サンプル5]93:7
[サンプル6]93:7
[サンプル7]93:7
(Laminate)
Then, the 1st transparent conductive layer 16a was formed on the surface 11a of each support body 11 by sputtering method, and the samples 1-7 of the laminated body 10 were formed. The thickness of the first transparent conductive layer 16a of each laminate 10 was about 30 nm. The weight ratio of tin oxide and indium tin oxide in the target used for forming the first transparent conductive layer 16a of each laminate 10 was as follows.
<Weight ratio (tin oxide: indium tin oxide)>
[Sample 1] 95: 5
[Sample 2] 93: 7
[Sample 3] 90:10
[Sample 4] 93: 7
[Sample 5] 93: 7
[Sample 6] 93: 7
[Sample 7] 93: 7

〔評価2 透明導電層のシート抵抗〕
このようにして得られた各積層体10の第1透明導電層16aのシート抵抗の測定を行った。シート抵抗の測定条件を、以下に示す。
<測定条件>
測定装置:三菱化学(株)製ロレスター
測定方法:4端子法
[Evaluation 2: Sheet resistance of transparent conductive layer]
Thus, the sheet resistance of the 1st transparent conductive layer 16a of each laminated body 10 obtained was measured. The measurement conditions of sheet resistance are shown below.
<Measurement conditions>
Measuring device: Lorester manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation Measuring method: 4-terminal method

このようにして測定された各積層体10の第1透明導電層16aのシート抵抗は、以下の通りであった。
<測定結果>
[サンプル1]159Ω/□
[サンプル2]140Ω/□
[サンプル3]169Ω/□
[サンプル4]140Ω/□
[サンプル5]125Ω/□
[サンプル6]128Ω/□
[サンプル7]129Ω/□
The sheet resistance of the first transparent conductive layer 16a of each laminate 10 thus measured was as follows.
<Measurement results>
[Sample 1] 159Ω / □
[Sample 2] 140Ω / □
[Sample 3] 169Ω / □
[Sample 4] 140Ω / □
[Sample 5] 125Ω / □
[Sample 6] 128Ω / □
[Sample 7] 129Ω / □

〔評価3 回折ピーク〕
その後、各積層体10の一方の側の面にX線を入射させ、第1透明導電層16aに含まれるITO結晶の回折ピークを測定した。測定は、厚みが30nm程度の透明導電層についても精度よくITO結晶の回折ピークが得られるよう、以下の条件で行われた。
測定装置:リガク製SmartLab
測定方法:In−Plane測定
X線:管電圧45kV、管電流200mA
測定範囲:10°〜70°
スキャン軸:2θχ/φ
入射角ω:0.43°
固定角2θ:0.43°
[Evaluation 3 Diffraction peak]
Thereafter, X-rays were made incident on the surface on one side of each laminate 10, and the diffraction peak of the ITO crystal contained in the first transparent conductive layer 16a was measured. The measurement was performed under the following conditions so that the diffraction peak of the ITO crystal could be obtained with high accuracy even for a transparent conductive layer having a thickness of about 30 nm.
Measuring device: Rigaku SmartLab
Measurement method: In-Plane measurement X-ray: Tube voltage 45 kV, tube current 200 mA
Measurement range: 10 ° to 70 °
Scan axis: 2θχ / φ
Incident angle ω: 0.43 °
Fixed angle 2θ: 0.43 °

図9に、積層体のサンプル5において得られた回折ピークを示す。図9において、縦軸は、検出された回折X線の強度(cps:count per sec.)を表しており、横軸は、固定角2θを表している。   FIG. 9 shows diffraction peaks obtained in Sample 5 of the laminate. In FIG. 9, the vertical axis represents the intensity (cps: count per sec.) Of the detected diffraction X-ray, and the horizontal axis represents the fixed angle 2θ.

図9において、2θ=30.5°近傍の回折ピークは、ITO結晶の(222)面に基づく回折ピークである。2θ=35°近傍の回折ピークは、ITO結晶の(400)面に基づく回折ピークである。   In FIG. 9, the diffraction peak in the vicinity of 2θ = 30.5 ° is a diffraction peak based on the (222) plane of the ITO crystal. The diffraction peak near 2θ = 35 ° is a diffraction peak based on the (400) plane of the ITO crystal.

このようにして測定された各積層体10の第1透明導電層16aの、PITO(222)/PITO(400)は、以下の通りであった。
[サンプル1]2.8
[サンプル2]3.0
[サンプル3]2.9
[サンプル4]3.3
[サンプル5]4.4
[サンプル6]3.8
[サンプル7]3.6
PITO (222) / PITO (400) of the first transparent conductive layer 16a of each laminate 10 thus measured was as follows.
[Sample 1] 2.8
[Sample 2] 3.0
[Sample 3] 2.9
[Sample 4] 3.3
[Sample 5] 4.4
[Sample 6] 3.8
[Sample 7] 3.6

図10に、各積層体10の第1透明導電層16aにおけるPITO(222)/PITO(400)とシート抵抗との関係を示す。図10において、縦軸は、PITO(222)/PITO(400)を表しており、横軸は、第1透明導電層16aのシート抵抗(Ω/□)を表している。図10から分かるように、PITO(222)/PITO(400)が十分に高ければ、透明導電層のシート抵抗が十分に低くなることが分かる。そして、PITO(222)/PITO(400)が3.6以上の場合、当該表面に形成される透明導電層のシート抵抗は、実用上十分な程度に低減された。すなわち、140Ω/□以下、より具体的には130Ω/□以下に低減された。また、PITO(222)/PITO(400)がより高い場合、例えば3.8以上の場合、より好ましくは4.4以上の場合、当該表面に形成される透明導電層のシート抵抗がさらに低減された。 In FIG. 10, the relationship between PITO (222) / PITO (400) and sheet resistance in the 1st transparent conductive layer 16a of each laminated body 10 is shown. In FIG. 10, the vertical axis represents PITO (222) / PITO (400) , and the horizontal axis represents the sheet resistance (Ω / □) of the first transparent conductive layer 16a. As can be seen from FIG. 10, if PITO (222) / PITO (400) is sufficiently high, the sheet resistance of the transparent conductive layer is sufficiently low. When PITO (222) / PITO (400) was 3.6 or more, the sheet resistance of the transparent conductive layer formed on the surface was reduced to a practically sufficient level. That is, it was reduced to 140Ω / □ or less, more specifically 130Ω / □ or less. In addition, when PITO (222) / PITO (400) is higher, for example, 3.8 or more, more preferably 4.4 or more, the sheet resistance of the transparent conductive layer formed on the surface is further increased. Reduced.

また、図11に、支持体11のサンプル1〜7の表面11aにおける表面自由エネルギーと、当該表面11aに形成された第1透明導電層16aのPITO(222)/PITO(400)と、の関係を示す。図11において、縦軸は、PITO(222)/PITO(400)を表しており、横軸は、シート抵抗値を表している。図11から分かるように、支持体の表面における表面自由エネルギーが十分に高ければ、当該表面に形成される透明導電層のPITO(222)/PITO(400)が十分に高くなることが分かる。
そして、表面自由エネギーが60mJ/m以上の場合、PITO(222)/PITO(400)が3.6以上になった。
Moreover, in FIG. 11, the surface free energy in the surface 11a of the samples 1-7 of the support body 11, and PIITO (222) / PITO (400) of the 1st transparent conductive layer 16a formed in the said surface 11a, The relationship is shown. In FIG. 11, the vertical axis represents PITO (222) / PITO (400) , and the horizontal axis represents the sheet resistance value. As can be seen from FIG. 11, if the surface free energy on the surface of the support is sufficiently high, it is found that PITO (222) / PITO (400) of the transparent conductive layer formed on the surface is sufficiently high. .
And when surface free energy was 60 mJ / m < 2 > or more, PITO (222) / PITO (400) became 3.6 or more.

10 積層体
11 支持体
12 基材
13 ハードコート層
14 インデックスマッチング層
16 透明導電層
60 タッチパネルセンサ
62 透明導電パターン
64 取出パターン
65 端子部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Laminated body 11 Support body 12 Base material 13 Hard-coat layer 14 Index matching layer 16 Transparent conductive layer 60 Touch panel sensor 62 Transparent conductive pattern 64 Extraction pattern 65 Terminal part

本発明は、積層体タッチパネル用導電性パターン基材および積層体の製造方法に関する。 The present invention relates to a laminate , a conductive pattern substrate for a touch panel, and a method for producing the laminate .

Claims (5)

支持体と、
当該支持体の一方の側の面に形成されたITOからなる透明導電層と、
を備えた積層体であって、
当該積層体の一方の側の面にX線を入射させることによって発生する回折ピークの測定をIn−Plane測定で実施した場合の、前記透明導電層のITO結晶の(222)面に基づく回折ピークの高さをPITO(222)とし、当該透明導電層のITO結晶の(400)面に基づく回折ピークの高さをPITO(400)とするとき、PITO(222)/PITO(400)が3.6以上である、積層体。
A support;
A transparent conductive layer made of ITO formed on one side of the support,
A laminate comprising:
A diffraction peak based on the (222) plane of the ITO crystal of the transparent conductive layer when a diffraction peak generated by making X-rays incident on one surface of the laminate is measured by In-Plane measurement. the height and P ITO (222), when the height of the diffraction peak based on the (400) plane of the ITO crystals of the transparent conductive layer and P ITO (400), P ITO (222) / P ITO (400 ) Is 3.6 or more.
前記透明導電層中の酸化スズと酸化インジウムスズとの重量比が、93:7である
ことを特徴とする請求項1に記載の積層体。
The laminate according to claim 1, wherein a weight ratio of tin oxide and indium tin oxide in the transparent conductive layer is 93: 7.
前記支持体は、1または複数の層を含んでおり、
当該支持体の前記透明導電層と接する層が、ポリシロキサンを含んでいる、請求項1または2に記載の積層体。
The support includes one or more layers;
The laminated body of Claim 1 or 2 in which the layer which contact | connects the said transparent conductive layer of the said support body contains polysiloxane.
当該積層体は、タッチパネル用導電性パターン基材を作製するために用いられる積層体である、請求項1乃至3のいずれか一項に記載の積層体。   The said laminated body is a laminated body as described in any one of Claims 1 thru | or 3 which is a laminated body used in order to produce the conductive pattern base material for touchscreens. 請求項1に記載の積層体を加工することによって得られる、タッチパネル用導電性パターン基材。   The conductive pattern base material for touchscreens obtained by processing the laminated body of Claim 1.
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