JP2018148051A5 - 成膜装置、成膜方法 - Google Patents

Claims (7)

1. 基板の搬送機構と、加熱室と、第１の成膜室と、冷却室と、を有し、
   前記加熱室、前記第１の成膜室、及び前記徐冷室は、前記搬送機構が送る前記基板の進行方向に沿って、この順で設けられ、
   前記加熱室は、該加熱室内を減圧雰囲気とする第１の圧力調整機構と、前記基板を５０度以上１００℃未満に加熱する第１の加熱機構と、を有し、
   前記第１の成膜室は、第１の金属酸化物ターゲットと、前記第１の成膜室内を減圧雰囲気とする第２の圧力調整機構と、を有し、
   前記冷却室は、前記基板の温度が５０℃以下になるまで保持する機能を有し、
   前記基板は、該基板の成膜面と鉛直方向との成す角が１°以上１０°以内に収まるよう保持された状態で処理される成膜装置。
2. 請求項１において、
   前記第１の成膜室は、前記基板を室温以上１３０℃以下の温度に加熱する第２の加熱機構を有する成膜装置。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記第１の成膜室は、質量分析計を有する成膜装置。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
   前記第１の成膜室と、前記冷却室との間に、第２の成膜室を有し、
   前記第２の成膜室は、第２の金属酸化物ターゲットと、前記第２の成膜室内を減圧雰囲気とする第３の圧力調整機構と、を有する成膜装置。
5. 請求項４において、
   前記第１の金属酸化物ターゲットと、前記第２の金属酸化物ターゲットとは、概略同じ組成の金属酸化物を含む成膜装置。
6. 金属酸化物膜の成膜方法であって、
   加熱室で、減圧雰囲気下に保持した状態で、基板を５０℃以上１００℃未満に加熱し、
   第１の成膜室で、前記基板を室温以上１３０℃以下の温度に保持した状態で金属酸化物膜を成膜し、
   冷却室で、前記基板の温度が５０℃以下になるまで保持し、
   前記基板は、該基板の成膜面と鉛直方向との成す角が１°以上１０°以内に収まるよう保持された状態で処理される成膜方法。
7. 請求項６において、
   前記金属酸化物膜の成膜において、
   前記第１の成膜室内の水素分圧が、０．０１Ｐａ以下の時に成膜を開始することを特徴とする成膜方法。