JP2018133418A - 薄膜トランジスタ - Google Patents
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 51
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 83
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 32
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 23
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims abstract description 23
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 19
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 14
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 abstract description 11
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 2
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 abstract 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 18
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 14
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 14
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 13
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 11
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 9
- 229910007991 Si-N Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910006294 Si—N Inorganic materials 0.000 description 8
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910018557 Si O Inorganic materials 0.000 description 6
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Inorganic materials [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 5
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 5
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 229910007541 Zn O Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 238000005001 rutherford backscattering spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000005685 electric field effect Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- -1 or the like Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
Description
図1は、実施の形態の薄膜トランジスタ100を示す断面図である。以下では、図1における上下方向の関係を用いて位置関係を説明するが、これは説明の便宜上の位置関係にすぎず、普遍的な位置関係を表すものではない。
成膜時の圧力:0.6Pa
半導体層(活性層)140の厚さ:10nm
印加電力:RF100W(Znスパッタターゲット)、DC0W(Siスパッタターゲット)
図2に示すように、比較例のTFTのゲート電圧−ドレイン電流特性は、作製日にはドレイン電流が立ち上がるゲート電圧は約−4から約−3V程度で良好であるが、作製から2ヶ月後、3ヶ月後には、ドレイン電流が立ち上がるゲート電圧が約−10程度まで低下し、ドレイン電流の立ち上がりも緩やかになり、経時変化が大きいことが分かった。
成膜時の圧力:0.6Pa
半導体層(活性層)140の厚さ:10nm
印加電力:RF100W(Znスパッタターゲット)、DC3W(Siスパッタターゲット)
このように、実施例1では、Siスパッタターゲットに3Wの直流電力を印加して半導体層140にシリコンを添加した。
成膜時の圧力:0.6Pa
半導体層(活性層)140の厚さ:10nm
印加電力:RF100W(Znスパッタターゲット)、DC5W(Siスパッタターゲット)
このように、実施例2では、Siスパッタターゲットに5Wの直流電力を印加して半導体層140にシリコンを添加した。
成膜時の圧力:0.6Pa
半導体層(活性層)140の厚さ:10nm
印加電力:RF100W(Znスパッタターゲット)、DC10W(Siスパッタターゲット)
このように、実施例3では、Siスパッタターゲットに10Wの直流電力を印加して半導体層140にシリコンを添加した。
成膜時の圧力:0.6Pa
半導体層(活性層)の厚さ:10nm
印加電力:RF100W(Znスパッタターゲット)、DC20W(Siスパッタターゲット)
このように、実施例4では、Siスパッタターゲットに20Wの直流電力を印加して半導体層140にシリコンを添加した。
成膜時の圧力:0.6Pa
半導体層(活性層)の厚さ:10nm
印加電力:RF100W(Znスパッタターゲット)、DC30W(Siスパッタターゲット)
このように、実施例5では、Siスパッタターゲットに30Wの直流電力を印加して半導体層140にシリコンを添加した。
成膜時の圧力:0.6Pa
半導体層(活性層)の厚さ:10nm
印加電力:RF100W(Znスパッタターゲット)、DC50W(Siスパッタターゲット)
このように、実施例6では、Siスパッタターゲットに50Wの直流電力を印加して半導体層140にシリコンを添加した。
110 基板
120 ゲート電極
130 ゲート絶縁膜
140 半導体層
150 ソース電極
160 ドレイン電極
Claims (3)
- 少なくとも亜鉛、酸素、窒素、及びシリコンを含む半導体層と、
前記半導体層の第1面に配設されるソースと、
前記半導体層の前記第1面に配設されるドレインと、
前記半導体層の前記第1面又は第2面に配設されるゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して前記半導体層に接続されるゲートと
を含む、薄膜トランジスタ。 - 前記半導体層は、窒化シリコンをさらに含む、請求項1記載の薄膜トランジスタ。
- 前記半導体層は、酸化シリコンをさらに含む、請求項2記載の薄膜トランジスタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017025364A JP6893091B2 (ja) | 2017-02-14 | 2017-02-14 | 薄膜トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017025364A JP6893091B2 (ja) | 2017-02-14 | 2017-02-14 | 薄膜トランジスタ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018133418A true JP2018133418A (ja) | 2018-08-23 |
JP6893091B2 JP6893091B2 (ja) | 2021-06-23 |
Family
ID=63249800
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017025364A Active JP6893091B2 (ja) | 2017-02-14 | 2017-02-14 | 薄膜トランジスタ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6893091B2 (ja) |
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-
2017
- 2017-02-14 JP JP2017025364A patent/JP6893091B2/ja active Active
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---|---|
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