JP2018120002A - レチクルセット、半導体装置、及び、半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】アライメントマークをダミーチップ内に形成する場合に、レチクルを用いてパターニングされる層の数が多くても、アライメントマークが形成されるダミーチップの面積を低減して有効な半導体チップの数を増やす。【解決手段】レチクルセットは、複数の第1の半導体チップパターン部が転写パターン配置領域に配置されると共に、転写パターン配置領域における第1の位置にアライメントマークパターンが配置された第1のレチクルと、複数の第2の半導体チップパターン部が転写パターン配置領域に配置されると共に、転写パターン配置領域における第2の位置にアライメントマークパターンが配置された第2のレチクルと、複数の第3の半導体チップパターン部が転写パターン配置領域に配置されると共に、転写パターン配置領域における第1の位置にアライメントマークパターンが配置された第3のレチクルとを備える。【選択図】図1
Description
本発明は、フォトリソグラフィー法によってパターンを被転写対象に転写するために用いられるレチクル(フォトマスク)のセットに関する。また、本発明は、そのようなレチクルセットを用いて製造される半導体装置、及び、その製造方法等に関する。
半導体装置の製造工程においては、ウェルや配線層等の複数の層のパターンを形成するために、半導体ウエハー等の上にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィー法によって、レチクルに形成されたパターンをフォトレジストに転写することが行われている。その際に、レチクルと半導体ウエハーとの相対的な位置合わせを行うために、レチクルにアライメントマークパターンが形成されている。レチクルに形成されたアライメントマークパターンは、フォトレジストに転写され、フォトレジストを用いてパターニングされた層にアライメントマークが形成される。
従来は、回路素子が形成された半導体ウエハーを複数の半導体チップに分離する際の切り代となるスクライブ領域に、TEG(テストエレメンタリーグループ)と呼ばれるウエハー検査用の素子と共にアライメントマークが形成されていた。一方、近年においては、1つの半導体ウエハーから製造可能な半導体チップの数を増やすために、スクライブ領域の幅を小さくして、アライメントマークやTEGをダミーチップに形成することが行われている。なお、本願において、ダミーチップとは、最終的に製品として利用できない半導体チップのことをいう。
関連する技術として、特許文献1には、チップサイズが微小化した場合においても、チップの占有率の低下を抑制しつつ、必要十分なアライメントマークを確保することが可能なレチクルが開示されている、このレチクルは、所定間隔で配列された複数のチップ領域と、それらのチップ領域から選択された一部のチップ領域に配置されたアライメントマークとを備えている。
アライメントマークをダミーチップに形成する場合に、半導体装置の複数の層のパターンをフォトリソグラフィー法によって形成すると、それに応じた数のアライメントマークがダミーチップに形成されることになる。その際に、複数の層のアライメントマークを同じ位置に重ねて配置すると、アライメントマークの形状が、直下のアライメントマークの影響を受けて歪んでしまうおそれがある。
これを避けるために、複数の層のアライメントマークは、互いに異なる位置に配置されている。フォトリソグラフィー法によってパターニングされる層の数が多いほど、アライメントマークの数も多くなり、それらのアライメントマークを形成するためにダミーチップの面積が大きくなってしまう。
そこで、本発明の第1の目的は、アライメントマークをダミーチップ内に形成する場合に、レチクルを用いたフォトリソグラフィー法によってパターニングされる層の数が多くても、アライメントマークが形成されるダミーチップの面積を低減して、半導体ウエハーにおいて有効な半導体チップの数を増やすことができるレチクルセットを提供することである。
また、本発明の第2の目的は、フォトリソグラフィー法によってパターニングされる層の数が多くても、アライメントマークが形成されるダミーチップの面積を低減して、半導体ウエハーにおいて有効な半導体チップの数を増やすことができる半導体装置等を提供することである。
以上の課題の少なくとも一部を解決するため、本発明の第1の観点に係るレチクルセットは、複数の第1の半導体チップパターン部が転写パターン配置領域に配置されると共に、転写パターン配置領域における第1の位置にアライメントマークパターンが配置された第1のレチクルと、複数の第2の半導体チップパターン部が転写パターン配置領域に配置されると共に、転写パターン配置領域における第1の位置とは異なる第2の位置にアライメントマークパターンが配置された第2のレチクルと、複数の第3の半導体チップパターン部が転写パターン配置領域に配置されると共に、転写パターン配置領域における第1の位置にアライメントマークパターンが配置された第3のレチクルとを備える。
本発明の第1の観点によれば、第1のレチクル〜第3のレチクルを用いたフォトリソグラフィー法によって順にパターニングされる第1の層〜第3の層において、アライメントマークを第1の位置と第2の位置とに交互に形成することができる。従って、アライメントマークをダミーチップ内に形成する場合に、レチクルを用いたフォトリソグラフィー法によってパターニングされる層の数が多くても、アライメントマークが形成されるダミーチップの面積を低減して、半導体ウエハーにおいて有効な半導体チップの数を増やすことができる。
本発明の第2の観点に係る半導体装置は、半導体基板と、半導体基板内又は半導体基板上に配置された第1の層〜第3の層とを備え、第1の層のパターンの位置を示す第1の層のアライメントマークが、平面視で第1の位置に配置され、第2の層のパターンの位置を示す第2の層のアライメントマークが、平面視で第1の位置とは異なる第2の位置に配置され、第3の層のパターンの位置を示す第3の層のアライメントマークが、平面視で第1の位置に配置されている。
また、本発明の第3の観点に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板内又は半導体基板上に第1の層のパターンを形成すると共に、第1の層のパターンの位置を示す第1の層のアライメントマークを平面視で第1の位置に形成する工程(a)と、第1の層のアライメントマークを基準として第2の層のパターンを形成すると共に、第2の層のパターンの位置を示す第2の層のアライメントマークを平面視で第1の位置とは異なる第2の位置に形成する工程(b)と、第2の層のアライメントマークを基準として第3の層のパターンを形成すると共に、第3の層のパターンの位置を示す第3の層のアライメントマークを平面視で第1の位置に形成する工程(c)とを備える。
本発明の第2又は第3の観点によれば、半導体装置の第1の層〜第3の層において、アライメントマークが平面視で第1の位置と第2の位置とに交互に配置されるので、フォトリソグラフィー法によってパターニングされる層の数が多くても、アライメントマークが形成されるダミーチップの面積を低減して、半導体ウエハーにおいて有効な半導体チップの数を増やすことができる。
以上において、半導体装置が、半導体基板内又は半導体基板上に配置された複数の層を備え、複数の層のパターンの位置をそれぞれ示す複数の層のアライメントマークが、平面視で少なくとも2つの位置に配置されるようにしても良い。その場合でも、複数の層のアライメントマークを、フォトリソグラフィー法によってパターニングされる層の数よりも少ない位置に配置することができる。
特に、複数の層のアライメントマークが、平面視で2つの領域に配置されることが望ましい。それにより、フォトリソグラフィー法によってパターニングされる層の数が多くても、複数の層のアライメントマークが形成されるダミーチップの面積を大幅に低減することができる。
また、複数の層が、平面視で第1及び第2の位置の内の一方にアライメントマークが配置された層間絶縁膜と、層間絶縁膜上に配置され、平面視で第1及び第2の位置の内の他方にアライメントマークが配置された配線層とを含むようにしても良い。それにより、層間絶縁膜にアライメントマークを設けることによって多少の凹凸が生じても、それと異なる位置に配線層のアライメントマークが配置されるので、配線層のアライメントマークの形状が歪むことを防止できる。
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
<レチクル>
図1は、本発明の一実施形態に係るレチクルの一例を示す平面図である。レチクルは、電子部品の製造工程において使用されるパターン原版をガラス又は石英等の透明な板に形成して構成され、フォトリソグラフィー法と呼ばれる転写技術によって電子部品の回路パターン等を被転写対象に転写する際の原版となるものである。半導体装置の製造工程においては、半導体装置の複数の層をフォトリソグラフィー法によってパターニングするために、複数のレチクルを含むレチクルセットが用いられる。
<レチクル>
図1は、本発明の一実施形態に係るレチクルの一例を示す平面図である。レチクルは、電子部品の製造工程において使用されるパターン原版をガラス又は石英等の透明な板に形成して構成され、フォトリソグラフィー法と呼ばれる転写技術によって電子部品の回路パターン等を被転写対象に転写する際の原版となるものである。半導体装置の製造工程においては、半導体装置の複数の層をフォトリソグラフィー法によってパターニングするために、複数のレチクルを含むレチクルセットが用いられる。
図1に示すように、レチクルセットに含まれている各々のレチクルは、矩形の転写パターン配置領域10と、遮光帯20とを有している。転写パターン配置領域10には、複数の半導体チップパターン部11と、少なくとも1つのダミーチップパターン部12とが、交差する2つの方向(図中のX軸方向及びY軸方向)に沿って配列されている。図1には、22個の半導体チップパターン部11が示されているが、一般的には、さらに多数の半導体チップパターン部11が、転写パターン配置領域10に設けられる。
半導体チップパターン部11には、半導体装置の層として半導体チップに形成されるウェル、フィールド酸化膜、ゲート電極、不純物領域、層間絶縁膜、又は、配線層等のパターンを被転写対象に転写するための半導体チップパターンが形成されている。半導体チップパターン部11の大きさ及び形状は、製造される半導体チップの大きさ及び形状に対応して適宜定められる。
ダミーチップパターン部12には、レチクルと半導体ウエハーとの相対的な位置合わせに用いられるアライメントマークを被転写対象に転写するためのアライメントマークパターン12aが形成されており、さらに、TEG、位置合わせ検査用マーク、又は、チップ識別用マーク等を被転写対象に転写するためのパターンが形成されても良い。図1に示す例においては、ダミーチップパターン部12が、半導体チップパターン部11の3個分の大きさを有しており、アライメントマークパターン12aとして、互いに異なる形状を有する複数種類のパターンが例示的に示されている。
半導体チップパターン部11及びダミーチップパターン部12は、スクライブ領域13で囲まれている。また、遮光帯20は、レチクルにおいて転写パターン配置領域10以外の領域における光の透過を遮断して、被転写対象の所定の領域のみが露光されるようにする部材である。
露光に用いられる露光装置は、露光用の光源、照明光学系、及び、投影光学系と、レチクルステージと、ウエハーステージと、半導体ウエハーに形成されたアライメントマークの位置を計測するアライメント計測系と、ウエハーステージの位置を制御する制御部とを含んでいる。アライメント計測系の光学軸と投影光学系の光学軸との間の距離は、ベースラインと呼ばれている。
半導体ウエハーに形成された層(例えば、ゲート電極となるポリシリコン膜)をパターニングする際には、ポリシリコン膜上に液状のフォトレジスト(例えば、感光性樹脂材料)が塗布される。また、レチクルがレチクルステージに取り付けられると共に、半導体ウエハーがウエハーステージ上に載置される。アライメント計測系は、半導体ウエハーに形成されたアライメントマークの位置を計測して、計測結果を制御部に出力する。
制御部は、アライメントマークの位置の計測結果をベースラインの値に反映させることにより、半導体ウエハーに形成されたアライメントマークがレチクルに対して所定の位置に配置されるようにウエハーステージを移動させる。このようにして、レチクルと半導体ウエハーとの相対的な位置合わせが行われる。より正確な位置合わせを行うためには、なるべく上層のアライメントマークを使用することが望ましい。
レチクルが取り付けられた露光装置によってフォトレジストを露光することにより、フォトレジストの一部が硬化して、レチクルに形成された半導体チップパターン及びアライメントマークパターンがフォトレジストに転写される。フォトレジストの露光は、レチクルに対して半導体ウエハーを縦方向(図中のY軸方向)及び横方向(図中のX軸方向)に移動させながら複数回行われる。
次に、現像装置によって現像を行うことにより、硬化していないフォトレジストが除去されて、フォトレジストがパターニングされる。さらに、パターニングされたフォトレジストをマスクとして用いてポリシリコン膜をエッチングすることにより、ポリシリコン膜がパターニングされてゲート電極が形成されると共に、ポリシリコン膜のアライメントマークが形成される。
以下においては、レチクルセットに含まれている複数のレチクルの内で、エッチングを伴う3つの製造工程において順に用いられる第1のレチクル〜第3のレチクルについて説明する。例えば、第1のレチクルは、半導体ウエハー上に絶縁膜を介して形成されたポリシリコン膜をパターニングしてゲート電極を形成するために用いられる。第2のレチクルは、半導体ウエハー上に形成された層間絶縁膜をパターニングしてコンタクトホールを形成するために用いられる。第3のレチクルは、層間絶縁膜上に形成された金属膜をパターニングして配線層を形成するために用いられる。
第1のレチクルにおいては、複数の第1の半導体チップパターン部が転写パターン配置領域10に配置されると共に、転写パターン配置領域10における第1の位置にアライメントマークパターンが配置されている。第1の半導体チップパターン部は、例えば、半導体ウエハー上に絶縁膜を介して形成されるゲート電極のパターンを有している。
第2のレチクルにおいては、複数の第2の半導体チップパターン部が転写パターン配置領域10に配置されると共に、転写パターン配置領域10における第1の位置とは異なる第2の位置にアライメントマークパターンが配置されている。第2の半導体チップパターン部は、例えば、層間絶縁膜に形成されるコンタクトホールのパターンを有している。
第3のレチクルにおいては、複数の第3の半導体チップパターン部が転写パターン配置領域10に配置されると共に、第1のレチクルと同様に、転写パターン配置領域10における第1の位置にアライメントマークパターンが配置されている。第3の半導体チップパターン部は、例えば、層間絶縁膜上に形成される配線層のパターンを有している。
第1のレチクルを用いて第1の層(例えば、ポリシリコン膜)をパターニングする際に、第1の層における第1の位置にアライメントマークが形成される。また、第2のレチクルを用いて第2の層(例えば、層間絶縁膜)をパターニングする際に、第2の層における第2の位置にアライメントマークが形成される。さらに、第3のレチクルを用いて第3の層(例えば、配線層)をパターニングする際に、第3の層における第1の位置にアライメントマークが形成される。
このように、本実施形態によれば、第1のレチクル〜第3のレチクルを用いたフォトリソグラフィー法によって順にパターニングされる第1の層〜第3の層において、アライメントマークを第1の位置と第2の位置とに交互に形成することができる。従って、アライメントマークをダミーチップ内に形成する場合に、レチクルを用いたフォトリソグラフィー法によってパターニングされる層の数が多くても、アライメントマークが形成されるダミーチップの面積を低減して、半導体ウエハーにおいて有効な半導体チップの数を増やすことができる。
<半導体装置1>
次に、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置及びその製造方法について説明する。図2は、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置の構成例を示す断面図である。図2に示すように、この半導体装置は、例えば、P型の半導体基板(半導体ウエハー)40と、半導体基板40内又は半導体基板40上に配置された複数の層とを備えている。また、半導体装置は、半導体チップが形成される第1の領域A1と、ダミーチップが形成される第2の領域A2とを有している。
次に、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置及びその製造方法について説明する。図2は、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置の構成例を示す断面図である。図2に示すように、この半導体装置は、例えば、P型の半導体基板(半導体ウエハー)40と、半導体基板40内又は半導体基板40上に配置された複数の層とを備えている。また、半導体装置は、半導体チップが形成される第1の領域A1と、ダミーチップが形成される第2の領域A2とを有している。
まず、半導体基板40上に液状のフォトレジストが塗布され、ウェル形成用のレチクルを用いたフォトリソグラフィー法によって露光及び現像を行うことにより、フォトレジストがパターニングされる。さらに、パターニングされたフォトレジストをマスクとして用いて半導体基板40がエッチングされ、エッチングされた部分に燐(P)若しくは砒素(As)等のN型の不純物イオンが注入されて、熱処理によって不純物が熱拡散される。その後、フォトレジストが除去される。
それにより、第1の領域A1において、半導体基板40内にNウェル41が形成される。また、第2の領域A2において、Nウェル41と同じ層に、Nウェル41のパターンの位置を示すアライメントマーク(NWLマーク)41aが、平面視で第1の位置に形成される。なお、本願において、「平面視」とは、半導体基板40の主面(図中の上面)に垂直な方向から各部を透視することをいう。
次に、Nウェル41等が形成された半導体基板40上にシリコン窒化膜が形成され、その上に液状のフォトレジストが塗布される。半導体基板40は、アライメントマーク(NWLマーク)41aを基準として、フィールド酸化膜形成用のレチクルに対して位置合わせされ、フォトリソグラフィー法によって露光及び現像を行うことにより、フォトレジストがパターニングされる。さらに、パターニングされたフォトレジストをマスクとして用いてシリコン窒化膜がエッチングされ、露出した部分が、LOCOS(Local Oxidation of Silicon)法によって酸化される。その後、フォトレジスト及びシリコン窒化膜が除去される。
それにより、第1の領域A1において、半導体基板40にフィールド酸化膜42が形成される。また、第2の領域A2において、フィールド酸化膜42と同じ層に、フィールド酸化膜42のパターンの位置を示すアライメントマーク(Fマーク)42aが、平面視で第1の位置とは異なる第2の位置に形成される。なお、フィールド酸化膜42及びアライメントマーク(Fマーク)42aを、STI(shallow trench isolation)法によって形成しても良い。
次に、フィールド酸化膜42等が形成された半導体基板40上に二酸化ケイ素(SiO2)等の絶縁膜51とポリシリコン膜とが順に形成され、その上に液状のフォトレジストが塗布される。半導体基板40は、アライメントマーク(Fマーク)42aを基準として、ゲート電極形成用のレチクルに対して位置合わせされ、フォトリソグラフィー法によって露光及び現像を行うことにより、フォトレジストがパターニングされる。さらに、パターニングされたフォトレジストをマスクとして用いて、ポリシリコン膜がエッチングされる。その後、フォトレジストが除去される。
それにより、第1の領域A1において、半導体基板40上に絶縁膜(ゲート絶縁膜)51を介してゲート電極52が形成される。また、第2の領域A2において、ゲート電極52と同じ層に、ゲート電極52のパターンの位置を示すアライメントマーク(POLYマーク)52aが、平面視で第1の位置に形成される。なお、アライメントマーク(POLYマーク)52aとその周囲を除く領域には、ポリシリコン膜52bが形成される。
次に、ゲート電極52等が形成された半導体基板40上に液状のフォトレジストが塗布される。半導体基板40は、アライメントマーク(POLYマーク)52aを基準として、P型不純物領域形成用のレチクルに対して位置合わせされ、フォトリソグラフィー法によって露光及び現像を行うことにより、フォトレジストがパターニングされる。さらに、ゲート電極52及びパターニングされたフォトレジストをマスクとして用いて、半導体基板40にボロン(B)等のP型の不純物イオンが注入される。その後、フォトレジストが除去される。
それにより、第1の領域A1において、Nウェル41内にP型の不純物領域43及び44が形成される。なお、P型の不純物領域43及び44の位置を示すアライメントマークは形成されない。ここで、Nウェル41内に配置されたP型の不純物領域43及び44と、Nウェル41上に絶縁膜51を介して配置されたゲート電極52とは、PチャネルMOSトランジスターを構成する。フィールド酸化膜42は、トランジスター等の回路素子を他の回路素子から分離する素子分離膜として機能する。
次に、P型の不純物領域43及び44等が形成された半導体基板40上に液状のフォトレジストが塗布される。半導体基板40は、アライメントマーク(POLYマーク)52aを基準として、N型不純物領域形成用のレチクルに対して位置合わせされ、フォトリソグラフィー法によって露光及び現像を行うことにより、フォトレジストがパターニングされる。さらに、図示しないゲート電極及びパターニングされたフォトレジストをマスクとして用いて、半導体基板40に燐(P)若しくは砒素(As)等のN型の不純物イオンが注入される。その後、フォトレジストが除去される。
それにより、第1の領域A1において、半導体基板40内にN型の不純物領域(図示せず)が形成される。なお、N型の不純物領域の位置を示すアライメントマークは形成されない。ここで、半導体基板40内に配置されたN型の不純物領域と、半導体基板40上に絶縁膜51を介して配置されたゲート電極とは、NチャネルMOSトランジスターを構成する。なお、半導体基板40内にPウェルを形成し、Pウェル内にN型の不純物領域を形成することにより、NチャネルMOSトランジスターを形成しても良い。
次に、N型の不純物領域等が形成された半導体基板40上に二酸化ケイ素(SiO2)又はBPSG(Boron Phosphorus Silicon Glass)等の第1の層間絶縁膜61が形成され、その上に液状のフォトレジストが塗布される。半導体基板40は、アライメントマーク(POLYマーク)52aを基準として、コンタクトホール形成用のレチクルに対して位置合わせされ、フォトリソグラフィー法によって露光及び現像を行うことにより、フォトレジストがパターニングされる。さらに、パターニングされたフォトレジストをマスクとして用いて、第1の層間絶縁膜61がエッチングされる。その後、フォトレジストが除去される。また、第1の層間絶縁膜61においてエッチングされた部分に、タングステン(W)等の金属が埋め込まれる。
それにより、第1の領域A1において、第1の層間絶縁膜61にコンタクトホール及びコンタクトプラグ71が形成される。また、第2の領域A2において、ポリシリコン膜52b上でコンタクトプラグ71と同じ層に、第1の層間絶縁膜61におけるコンタクトホール及びコンタクトプラグ71のパターンの位置を示すアライメントマーク(CONTマーク)71aが、平面視で第2の位置に形成される。
次に、第1の層間絶縁膜61等が形成された半導体基板40上にアルミニウム(Al)等の金属膜が形成され、その上に液状のフォトレジストが塗布される。半導体基板40は、アライメントマーク(CONTマーク)71aを基準として、第1の配線層形成用のレチクルに対して位置合わせされ、フォトリソグラフィー法によって露光及び現像を行うことにより、フォトレジストがパターニングされる。さらに、パターニングされたフォトレジストをマスクとして用いて、金属膜がエッチングされる。その後、フォトレジストが除去される。
それにより、第1の領域A1において、第1の層間絶縁膜61上に第1の配線層81が形成される。また、第2の領域A2において、第1の配線層81と同じ層に、第1の配線層81のパターンの位置を示すアライメントマーク(ALAマーク)81aが、平面視で第1の位置に形成される。
第1の配線層81は、第1のコンタクトプラグ71を介して回路素子(図2においては、ゲート電極52)に電気的に接続される。なお、アライメントマーク(ALAマーク)81aとその周囲を除く領域には、アライメントマーク(CONTマーク)71aをカバーする金属膜81bが形成される。
半導体装置を多層配線構造とする場合には、続く工程において、必要な数の層間絶縁膜及び配線層が形成される。例えば、第1の配線層81等が形成された半導体基板40上に二酸化ケイ素又はBPSG等の第2の層間絶縁膜62が形成され、その上に液状のフォトレジストが塗布される。
半導体基板40は、アライメントマーク(ALAマーク)81aを基準として、スルーホール(ビアホール)形成用のレチクルに対して位置合わせされ、フォトリソグラフィー法によって露光及び現像を行うことにより、フォトレジストがパターニングされる。さらに、パターニングされたフォトレジストをマスクとして用いて、第2の層間絶縁膜62がエッチングされる。その後、フォトレジストが除去される。また、第2の層間絶縁膜62においてエッチングされた部分に、タングステン等の金属が埋め込まれる。
それにより、第1の領域A1において、第2の層間絶縁膜62にスルーホール及びコンタクトプラグ72が形成される。また、第2の領域A2において、金属膜81b上でコンタクトプラグ72と同じ層に、第2の層間絶縁膜62におけるスルーホール及びコンタクトプラグ72のパターンの位置を示すアライメントマーク(HLAマーク)72aが、平面視で第2の位置に形成される。
次に、第2の層間絶縁膜62等が形成された半導体基板40上にアルミニウム等の金属膜が形成され、その上に液状のフォトレジストが塗布される。半導体基板40は、アライメントマーク(HLAマーク)72aを基準として、第2の配線層形成用のレチクルに対して位置合わせされ、フォトリソグラフィー法によって露光及び現像を行うことにより、フォトレジストがパターニングされる。さらに、パターニングされたフォトレジストをマスクとして用いて、金属膜がエッチングされる。その後、フォトレジストが除去される。
それにより、第1の領域A1において、第2の層間絶縁膜62上に第2の配線層82が形成される。また、第2の領域A2において、第2の配線層82と同じ層に、第2の配線層82のパターンの位置を示すアライメントマーク(ALBマーク)82aが、平面視で第1の位置に形成される。
第2の配線層82は、第2のコンタクトプラグ72を介して第1の配線層81に電気的に接続される。なお、アライメントマーク(ALBマーク)82aとその周囲を除く領域には、アライメントマーク(HLAマーク)72aをカバーする金属膜82bが形成される。
以下同様にして、第3の層間絶縁膜63が形成され、第3の層間絶縁膜63内に、スルーホール及びコンタクトプラグ73と、アライメントマーク(HLBマーク)73aとが形成される。アライメントマーク(HLBマーク)73aは、金属膜82b上でコンタクトプラグ73と同じ層に平面視で第2の位置に配置され、第3の層間絶縁膜63におけるスルーホール及びコンタクトプラグ73のパターンの位置を示している。
また、第3の層間絶縁膜63上に、第3の配線層83と、アライメントマーク(ALCマーク)83aと、金属膜83bとが形成される。アライメントマーク(ALCマーク)83aは、第3の配線層83と同じ層に平面視で第1の位置に配置され、第3の配線層83のパターンの位置を示している。金属膜83bは、アライメントマーク(HLBマーク)73aをカバーする。
さらに、第4の層間絶縁膜64が形成され、第4の層間絶縁膜64内に、スルーホール及びコンタクトプラグ74と、アライメントマーク(HLCマーク)74aとが形成される。アライメントマーク(HLCマーク)74aは、金属膜83b上でコンタクトプラグ74と同じ層に平面視で第2の位置に形成され、第4の層間絶縁膜64におけるスルーホール及びコンタクトプラグ74のパターンの位置を示している。
また、第4の層間絶縁膜64上に、第4の配線層84と、アライメントマーク(ALDマーク)84aと、金属膜84bとが形成される。アライメントマーク(ALDマーク)84aは、第4の配線層84と同じ層に平面視で第1の位置に配置され、第4の配線層84のパターンの位置を示している。金属膜84bは、アライメントマーク(HLCマーク)74aをカバーする。
<アライメントマークの例>
図3は、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置におけるアライメントマークの第1の例を示す平面図である。半導体装置の第2の領域A2において、図2に示すアライメントマーク41a、52a、及び、81a〜84aが、第1の位置P1に配置されている。また、図2に示すアライメントマーク42a、及び、71a〜74aが、第2の位置P2に配置されている。
図3は、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置におけるアライメントマークの第1の例を示す平面図である。半導体装置の第2の領域A2において、図2に示すアライメントマーク41a、52a、及び、81a〜84aが、第1の位置P1に配置されている。また、図2に示すアライメントマーク42a、及び、71a〜74aが、第2の位置P2に配置されている。
図3に示す第1の例においては、アライメントマークが、正方形の形状内にそれよりも小さい正方形の開口を有する箱状のマーク(BOXマーク)となっている。また、第1の位置P1及び第2の位置P2は、第2の領域A2の長手方向(図中のX軸方向)に沿って所定の距離だけ離れている。第2の領域A2においてアライメントマークが配置されない領域には、TEG、位置合わせ検査用マーク、又は、チップ識別用マーク等が配置されても良い。
図4は、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置におけるアライメントマークの第2の例を示す平面図である。図4に示す第2の例においては、アライメントマークが、X軸方向に所定の間隔で配列された長方形の形状を有する縞状のマーク(X軸方向検出用マーク)となっている。また、第1の位置P1と第2の位置P2とは、Y軸方向に沿って所定の距離だけ離れている。さらに、Y軸方向に所定の間隔で配列された長方形の形状を有する縞状のマーク(Y軸方向検出用マーク)が、複数の位置に設けられても良い。
<製造工程のフロー>
図5は、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。図5には、一例として、図2に示す半導体装置の複数の層の内で順にパターニングされる第1の層〜第3の層を形成する3つの製造工程が示されている。
図5は、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。図5には、一例として、図2に示す半導体装置の複数の層の内で順にパターニングされる第1の層〜第3の層を形成する3つの製造工程が示されている。
図5の工程S1において、半導体基板40内又は半導体基板40上に第1の層のパターンが形成されると共に、第1の層のパターンの位置を示す第1の層のアライメントマークが、平面視で第1の位置に形成される。
工程S2において、第1の層のアライメントマークを基準として第2の層のパターンが形成されると共に、第2の層のパターンの位置を示す第2の層のアライメントマークが、平面視で第1の位置とは異なる第2の位置に形成される。
工程S3において、第2の層のアライメントマークを基準として第3の層のパターンが形成されると共に、第3の層のパターンの位置を示す第3の層のアライメントマークが、平面視で第1の位置に形成される。
以上説明したように、第1の実施形態においては、図2に示す半導体装置の複数の層の内で順にパターニングされる第1の層〜第3の層において、第1の層のパターンの位置を示す第1の層のアライメントマークが、平面視で第1の位置に配置され、第2の層のパターンの位置を示す第2の層のアライメントマークが、平面視で第1の位置とは異なる第2の位置に配置され、第3の層のパターンの位置を示す第3の層のアライメントマークが、平面視で第1の位置に配置されている。
従って、半導体装置の第1の層〜第3の層において、アライメントマークが平面視で第1の位置と第2の位置とに交互に配置されるので(本願においては、このような配置を千鳥配置という)、フォトリソグラフィー法によってパターニングされる層の数が多くても、アライメントマークが形成されるダミーチップの面積を低減して、半導体ウエハーにおいて有効な半導体チップの数を増やすことができる。
さらに、半導体装置の複数の層のパターンの位置をそれぞれ示す複数の層のアライメントマークが、平面視で少なくとも2つの位置に配置されるようにしても良い。その場合でも、複数の層のアライメントマークを、フォトリソグラフィー法によってパターニングされる層の数よりも少ない位置に配置することができる。
特に、図2に示すように、複数の層のアライメントマークが、平面視で2つの領域に配置されることが望ましい。それにより、フォトリソグラフィー法によってパターニングされる層の数が多くても、複数の層のアライメントマークが形成されるダミーチップの面積を大幅に低減することができる。
また、複数の層が、平面視で第1及び第2の位置の内の一方にアライメントマークが配置された層間絶縁膜と、層間絶縁膜上に配置され、平面視で第1及び第2の位置の内の他方にアライメントマークが配置された配線層とを含むようにしても良い。それにより、層間絶縁膜にアライメントマークを設けることによって多少の凹凸が生じても、それと異なる位置に配線層のアライメントマークが配置されるので、配線層のアライメントマークの形状が歪むことを防止できる。そのような層間絶縁膜及び配線層を多層構造とする場合には、複数の層間絶縁膜のアライメントマークと複数の配線層のアライメントマークとを交互に配置することにより、ダミーチップの面積を大幅に低減することができる。
<半導体装置2>
次に、本発明の第2の実施形態に係る半導体装置及びその製造方法について説明する。図6は、本発明の第2の実施形態に係る半導体装置の構成例を示す断面図である。第2の実施形態においては、アライメントマーク(Fマーク)42a〜アライメントマーク(ALDマーク)84a等の位置が、図2に示す第1の実施形態におけるのと異なっている。その他の点に関しては、第2の実施形態は、第1の実施形態と同様でも良い。
次に、本発明の第2の実施形態に係る半導体装置及びその製造方法について説明する。図6は、本発明の第2の実施形態に係る半導体装置の構成例を示す断面図である。第2の実施形態においては、アライメントマーク(Fマーク)42a〜アライメントマーク(ALDマーク)84a等の位置が、図2に示す第1の実施形態におけるのと異なっている。その他の点に関しては、第2の実施形態は、第1の実施形態と同様でも良い。
第2の実施形態においては、フィールド酸化膜42を形成する際に、アライメントマーク(NWLマーク)41a上に形成されたシリコン窒化膜の少なくとも一部がフォトレジストで覆われないようにすることにより、その部分のシリコン窒化膜がエッチングされて、露出した部分が、LOCOS法によって酸化される。
その結果、第2の領域A2において、アライメントマーク(NWLマーク)41a上にアライメントマーク(Fマーク)42aが重ねて形成されることになる。しかしながら、アライメントマーク(Fマーク)42aは、シリコンの酸化によって形成されるので、直下に存在するアライメントマーク(NWLマーク)41aの影響を受けて歪むおそれがない。なお、フィールド酸化膜42及びアライメントマーク(Fマーク)42aを、STI法によって形成しても良い。
その後は、第1の実施形態と同様に、ゲート電極、不純物領域、層間絶縁膜、及び、配線層が形成され、それらと共に、複数のアライメントマークが千鳥配置で形成される。従って、アライメントマーク41a、42a、及び、71a〜74aが、平面視で第1の位置に配置され、アライメントマーク52a、及び、81a〜84aが、平面視で第2の位置に配置される。第2の実施形態によっても、第1の実施形態と同様の効果を奏することができる。
<半導体装置3>
次に、本発明の第3の実施形態に係る半導体装置及びその製造方法について説明する。図7は、本発明の第3の実施形態に係る半導体装置の構成例を示す断面図である。第3の実施形態においては、図6に示す第2の実施形態におけるNウェル41及びアライメントマーク(NWLマーク)41aが省略されて、P型の半導体基板40内にN型の不純物領域45及び46が形成される。その他の点に関しては、第3の実施形態は、第2の実施形態と同様でも良い。
次に、本発明の第3の実施形態に係る半導体装置及びその製造方法について説明する。図7は、本発明の第3の実施形態に係る半導体装置の構成例を示す断面図である。第3の実施形態においては、図6に示す第2の実施形態におけるNウェル41及びアライメントマーク(NWLマーク)41aが省略されて、P型の半導体基板40内にN型の不純物領域45及び46が形成される。その他の点に関しては、第3の実施形態は、第2の実施形態と同様でも良い。
まず、半導体基板40上にシリコン窒化膜が形成され、その上に液状のフォトレジストが塗布される。フィールド酸化膜形成用のレチクルを用いたフォトリソグラフィー法によって露光及び現像を行うことにより、フォトレジストがパターニングされる。さらに、パターニングされたフォトレジストをマスクとして用いてシリコン窒化膜がエッチングされ、露出した部分が、LOCOS法によって酸化される。その後、フォトレジスト及びシリコン窒化膜が除去される。
それにより、第1の領域A1において、半導体基板40にフィールド酸化膜42が形成される。また、第2の領域A2において、フィールド酸化膜42と同じ層に、フィールド酸化膜42のパターンの位置を示すアライメントマーク(Fマーク)42aが、平面視で第1の位置に形成される。なお、フィールド酸化膜42及びアライメントマーク(Fマーク)42aを、STI法によって形成しても良い。
次に、フィールド酸化膜42等が形成された半導体基板40上に二酸化ケイ素等の絶縁膜51とポリシリコン膜とが順に形成され、その上に液状のフォトレジストが塗布される。半導体基板40は、アライメントマーク(Fマーク)42aを基準として、ゲート電極形成用のレチクルに対して位置合わせされ、フォトリソグラフィー法によって露光及び現像を行うことにより、フォトレジストがパターニングされる。さらに、パターニングされたフォトレジストをマスクとして用いて、ポリシリコン膜がエッチングされる。その後、フォトレジストが除去される。
それにより、第1の領域A1において、半導体基板40上に絶縁膜(ゲート絶縁膜)51を介してゲート電極52が形成される。また、第2の領域A2において、ゲート電極52と同じ層に、ゲート電極52のパターンの位置を示すアライメントマーク(POLYマーク)52aが、平面視で第1の位置とは異なる第2の位置に形成される。なお、アライメントマーク(POLYマーク)52aとその周囲を除く領域には、ポリシリコン膜52bが形成される。
次に、ゲート電極52等が形成された半導体基板40上に液状のフォトレジストが塗布される。半導体基板40は、アライメントマーク(POLYマーク)52aを基準として、N型不純物領域形成用のレチクルに対して位置合わせされ、フォトリソグラフィー法によって露光及び現像を行うことにより、フォトレジストがパターニングされる。さらに、ゲート電極52及びパターニングされたフォトレジストをマスクとして用いて、半導体基板40に燐(P)若しくは砒素(As)等のN型の不純物イオンが注入される。その後、フォトレジストが除去される。
それにより、第1の領域A1において、半導体基板40内にN型の不純物領域45及び46が形成される。なお、N型の不純物領域45及び46の位置を示すアライメントマークは形成されない。ここで、半導体基板40内に配置されたN型の不純物領域45及び46と、半導体基板40上に絶縁膜51を介して配置されたゲート電極52とは、NチャネルMOSトランジスターを構成している。
その後は、第2の実施形態と同様に、層間絶縁膜及び配線層が形成され、それらと共に、複数のアライメントマークが千鳥配置で形成される。従って、アライメントマーク42a、及び、71a〜74aが、平面視で第1の位置に配置され、アライメントマーク52a、及び、81a〜84aが、平面視で第2の位置に配置される。第3の実施形態によっても、第1の実施形態と同様の効果を奏することができる。
上記の実施形態においては、P型の半導体基板を用いる場合について説明したが、N型の半導体基板を用いる場合にも、本発明を適用することができる。このように、本発明は、以上説明した実施形態に限定されるものではなく、当該技術分野において通常の知識を有する者によって、本発明の技術的思想内で多くの変形が可能である。
10…転写パターン配置領域、11…半導体チップパターン部、12…ダミーチップパターン部、12a…アライメントマークパターン、13…スクライブ領域、20…遮光帯、40…半導体基板、41…Nウェル、41a…アライメントマーク(NWLマーク)、42…フィールド酸化膜、42a…アライメントマーク(Fマーク)、43、44…P型の不純物領域、45、46…N型の不純物領域、51…絶縁膜、52…ゲート電極、52a…アライメントマーク(POLYマーク)、52b…ポリシリコン膜、61〜64…層間絶縁膜、71〜74…コンタクトプラグ、71a…アライメントマーク(CONTマーク)、72a…アライメントマーク(HLAマーク)、73a…アライメントマーク(HLBマーク)、74a…アライメントマーク(HLCマーク)、81〜84…配線層、81a…アライメントマーク(ALAマーク)、82a…アライメントマーク(ALBマーク)、83a…アライメントマーク(ALCマーク)、84a…アライメントマーク(ALDマーク)、81b〜84b…金属膜
Claims (6)
- 複数の第1の半導体チップパターン部が転写パターン配置領域に配置されると共に、前記転写パターン配置領域における第1の位置にアライメントマークパターンが配置された第1のレチクルと、
複数の第2の半導体チップパターン部が転写パターン配置領域に配置されると共に、前記転写パターン配置領域における前記第1の位置とは異なる第2の位置にアライメントマークパターンが配置された第2のレチクルと、
複数の第3の半導体チップパターン部が転写パターン配置領域に配置されると共に、前記転写パターン配置領域における前記第1の位置にアライメントマークパターンが配置された第3のレチクルと、
を備えるレチクルセット。 - 半導体基板と、
前記半導体基板内又は前記半導体基板上に配置された第1の層〜第3の層と、
を備え、前記第1の層のパターンの位置を示す前記第1の層のアライメントマークが、平面視で第1の位置に配置され、前記第2の層のパターンの位置を示す前記第2の層のアライメントマークが、平面視で前記第1の位置とは異なる第2の位置に配置され、前記第3の層のパターンの位置を示す前記第3の層のアライメントマークが、平面視で前記第1の位置に配置された半導体装置。 - 前記半導体基板内又は前記半導体基板上に配置された複数の層を備え、前記複数の層のパターンの位置をそれぞれ示す前記複数の層のアライメントマークが、平面視で少なくとも2つの位置に配置されている、請求項2記載の半導体装置。
- 前記複数の層のアライメントマークが、平面視で2つの領域に配置されている、請求項3記載の半導体装置。
- 前記複数の層が、平面視で前記第1及び第2の位置の内の一方にアライメントマークが配置された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に配置され、平面視で前記第1及び第2の位置の内の他方にアライメントマークが配置された配線層とを含む、請求項3又は4記載の半導体装置。
- 半導体基板内又は前記半導体基板上に第1の層のパターンを形成すると共に、前記第1の層のパターンの位置を示す前記第1の層のアライメントマークを平面視で第1の位置に形成する工程(a)と、
前記第1の層のアライメントマークを基準として第2の層のパターンを形成すると共に、前記第2の層のパターンの位置を示す前記第2の層のアライメントマークを平面視で前記第1の位置とは異なる第2の位置に形成する工程(b)と、
前記第2の層のアライメントマークを基準として第3の層のパターンを形成すると共に、前記第3の層のパターンの位置を示す前記第3の層のアライメントマークを平面視で前記第1の位置に形成する工程(c)と、
を備える半導体装置の製造方法。
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