JP2018112463A - 光照射装置、光学検出装置および光源制御装置 - Google Patents

Abstract

【課題】光源部からの出射光の特性を高精度かつ安定的に設定する。【解決手段】光を出射する光源部と、前記光源部からの出射光のうち第１波長域の光を受光する第１受光部と、前記出射光のうち前記第１波長域よりも長波長側の第２波長域の光を受光する第２受光部と、前記第１受光部による受光強度と前記第２受光部による受光強度とに応じて前記光源部を制御する光源制御部とを具備する光照射装置。【選択図】図２

Description

本発明は、光源を制御する技術に関する。

白熱電球やハロゲンランプ等の各種の光源の出射光の特性を制御するための各種の技術が開示されている。例えば特許文献１には、光源からの出射光が所望の強度および色温度となるように光源に対する給電を制御する構成が開示されている。

特表２００５−５２０３０９号公報

しかし、光源からの出射光を所望の特性に高精度かつ安定的に設定することは実際には困難である。以上の事情を考慮して、本発明は、光源部からの出射光の特性を高精度かつ安定的に設定することを目的とする。

以上の課題を解決するために、本発明の好適な態様に係る光照射装置は、光を出射する光源部と、前記光源部からの出射光のうち第１波長域の光を受光する第１受光部と、前記出射光のうち前記第１波長域よりも長波長側の第２波長域の光を受光する第２受光部と、前記第１受光部による受光強度と前記第２受光部による受光強度とに応じて前記光源部を制御する光源制御部とを具備する。以上の態様では、光源部からの出射光のうち第１波長域の光の受光強度と第２波長域の光の受光強度とに応じて光源部が制御される。したがって、例えば光源部からの出射光のうち単一の波長域の光に応じて光源部を制御する構成と比較して、光源部からの出射光の特性を高精度かつ安定的に設定することが可能である。なお、光源部は、例えば発熱発光する白熱電球やハロゲンランプである。

本発明の好適な態様において、前記光源制御部は、前記第１受光部による受光強度と前記第２受光部による受光強度とが、前記光源部が出射すべき光の色温度に応じた所定の比率となるように、前記光源部を制御する。以上の態様では、第１受光部による受光強度と第２受光部による受光強度とが所望の色温度に応じた比率となるように光源部が制御されるから、光源部からの出射光の色温度を高精度かつ安定的に設定できるという利点がある。

本発明の好適な態様において、前記光源制御部は、前記第１受光部による受光強度に応じた前記第１受光信号と前記第２受光部による受光強度に応じた第２受光信号とを、前記第１受光部による受光強度と前記第２受光部による受光強度とが前記所定の比率であるときに前記第１受光信号と前記第２受光信号とが相互に同等の信号強度となるように生成する信号生成部と、前記第１受光信号と前記第２受光信号との信号強度の大小に応じて２値的に変動する制御信号を生成する信号比較部と、前記光源部に対する電流の供給を前記制御信号に応じて制御する給電制御部とを含む。以上の態様では、第１受光部による受光強度と第２受光部による受光強度とが目標の色温度に応じた所定の比率であるときに同等の信号強度となるように第１受光信号と第２受光信号とが生成される。そして、第１受光信号と第２受光信号との信号強度の大小に応じて２値的に変動する制御信号を利用して光源部に対する電流の供給が制御される。したがって、光源部に対する電流の供給および遮断を制御する簡便な構成で光源部の出射光を所望の色温度に制御できるという利点がある。

本発明の好適な態様に係る光照射装置は、前記光源部からの出射光のうち前記第１波長域の光を前記第１受光部に導き、当該出射光のうち前記第２波長域の光を前記第２受光部に導き、前記第１波長域と前記第２波長域との間の照射波長域の光を照射対象に導く光学系を具備する。以上の態様では、照射対象に照射される光の光照射波長域に対して短波長側の第１波長域の光と長波長側の第２波長域の光とが光源部の制御に利用される。したがって、照射対象に対する光照射に並行して光源部の出射光の特性を制御できるという利点がある。

本発明の好適な態様において、前記光学系は、前記照射波長域の光を透過して他の波長域の光を反射する反射素子と、前記反射素子による反射光のうち前記第１波長域の光を抽出して前記第１受光部に出射する第１光学フィルターと、前記反射素子による反射光のうち前記第２波長域の光を抽出して前記第２受光部に出射する第２光学フィルターとを含む。

本発明の好適な態様において、前記光学系は、前記光源部からの出射光のうち前記第１波長域の光を前記第１受光部に向けて反射して他の波長域の光を透過する第１反射素子と、前記光源部からの出射光のうち前記第２波長域の光を前記第２受光部に向けて反射して他の波長域の光を透過する第２反射素子とを含む。以上の態様では、光源部からの出射光のうち第１波長域の光が第１反射素子により第１受光部に向けて反射され、第２波長域の光が第２反射素子により第２受光部に向けて反射される。また、光源部からの出射光のうち照射波長域の光は第１反射素子および第２反射素子の双方を透過して照射対象に供給される。したがって、第１反射素子と第２反射素子とを利用した簡便な構成により、光源部からの出射光を第１波長域と第２波長域と照射波長域とに分離できるという利点がある。

本発明の好適な態様に係る光検出装置は、前述の何れかの態様に係る光照射装置と、前記光照射装置から出射して照射対象を通過した光を受光する受光装置とを具備する。前述の各態様に係る光照射装置では、光源部からの出射光のうち第１波長域の光の受光強度と第２波長域の光の受光強度とに応じて光源部が制御されるから、光源部からの出射光の特性を高精度かつ安定的に設定することが可能である。したがって、本発明の好適な態様に係る光検出装置によれば、高精度かつ安定的に特性が設定された光を照射対象に通過させて受光することで、照射対象の特性（例えば生体情報）を高精度に特定可能な検出信号を生成することが可能である。本発明の好適な態様において、前記受光装置は、ＩｎＧａＡｓを含有する光電変換層を含む。

本発明の好適な態様に係る光制御装置は、光を出射する光源部を制御する光源制御装置であって、前記光源部からの出射光のうち第１波長域の光を受光する第１受光部と、前記出射光のうち前記第１波長域よりも長波長側の第２波長域の光を受光する第２受光部と、前記第１受光部による受光強度と前記第２受光部による受光強度とに応じて前記光源部を制御する光源制御部とを具備する。以上の態様では、光源部からの出射光のうち第１波長域の光の受光強度と第２波長域の光の受光強度とに応じて光源部が制御される。したがって、例えば光源部からの出射光のうち単一の波長域の光に応じて光源部を制御する構成と比較して、光源部からの出射光の特性を高精度かつ安定的に設定することが可能である。

本発明の第１実施形態における測定装置の構成図である。 光照射装置の構成図である。 光源部の出射光の分光特性と各波長域との関係を示す説明図である。 光源部の出射光の波長と強度との関係を示す説明図である。 光源部の出射光のうち第１波長域の光および第２波長域の光の比率と色温度との関係を示す説明図である。 光源制御部の構成図である。 第１受光信号および第２受光信号と光源部の制御との関係を示す説明図である。 第２実施形態における光照射装置の構成図である。 第２実施形態における光照射装置の光学系の説明図である。

＜第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態に係る測定装置１００の構成図である。第１実施形態の測定装置１００は、利用者の生体情報を非侵襲的に測定する生体計測器である。例えば、利用者の血中グルコース濃度（血糖値），ヘモグロビン濃度，血中酸素濃度，中性脂肪濃度等の各種の血液成分濃度が生体情報の好適例である。

図１に例示される通り、第１実施形態の測定装置１００は、光学検出装置１２と情報処理装置１４とを具備する。光学検出装置１２は、利用者の身体のうち測定対象となる部位（以下「測定部位」という）Ｍの状態に応じた検出信号Ｚを生成する光学センサーモジュールである。情報処理装置１４は、光学検出装置１２が生成した検出信号Ｚから利用者の生体情報を生成する。生体情報の生成には公知の技術が任意に採用され得る。情報処理装置１４が生成した生体情報は、例えば表示装置（図示略）に表示される。

図１に例示される通り、光学検出装置１２は、光照射装置２０と受光装置３０とを具備する。光照射装置２０は、測定部位Ｍ（照射対象の例示）に光を照射する発光装置である。第１実施形態の光照射装置２０は、所定の波長の範囲（以下「照射波長域」という）内の光を測定部位Ｍに照射する。具体的には、照射波長域は、９００ｎｍ以上かつ１３００ｎｍ以下の近赤外光の波長域である。他方、受光装置３０は、光照射装置２０から出射して測定部位Ｍを通過した光の受光強度に応じた検出信号Ｚを生成する。受光装置３０は、光電変換層がＩｎＧａＡｓ（インジウムガリウム砒素）で形成された受光素子を含んで構成され、光照射装置２０が出射する近赤外光（波長：９００ｎｍ〜１３００ｎｍ）を受光可能である。

図２は、光照射装置２０の構成図である。図２に例示される通り、光照射装置２０は、光源部２２と光源制御装置２４とを具備する。光源部２２は、光を出射する発光源である。第１実施形態の光源部２２は、発熱とともに白色光を出射する白熱電球やハロゲンランプである。光源制御装置２４は、光源部２２の発光を制御する。具体的には、光源部２２からの出射光が目標の色温度（分光特性）に安定的に維持されるように、光源制御装置２４は光源部２２を制御する。

図２に例示される通り、第１実施形態の光源制御装置２４は、光学系４０と第１受光部５１と第２受光部５２と光源制御部６０とを含んで構成される。光学系４０は、光源部２２からの出射光を、照射波長域Ｗ0の光Ｌ0と第１波長域Ｗ1の光Ｌ1と第２波長域Ｗ2の光Ｌ2とに分離する。

図３に例示される通り、第１波長域Ｗ1は、照射波長域Ｗ0に対して短波長側の波長域であり、例えば９００ｎｍ以下（具体的には３００ｎｍ以上かつ９００ｎｍ以下）の範囲である。第２波長域Ｗ2は、照射波長域Ｗ0に対して長波長側の波長域であり、例えば１３００ｎｍ以上（具体的には１３００ｎｍ以上かつ１６００ｎｍ以下）の範囲である。以上の説明から理解される通り、照射波長域Ｗ0は、第１波長域Ｗ1と第２波長域Ｗ2との間の範囲（具体的には第１波長域Ｗ1の上限値から第２波長域Ｗ2の下限値までの範囲）である。

図２に例示される通り、光学系４０は、照射波長域Ｗ0の光Ｌ0を測定部位Ｍに導き、第１波長域Ｗ1の光Ｌ1を第１受光部５１に導き、第２波長域Ｗ2の光Ｌ2を第２受光部５２に導く。第１実施形態の光学系４０は、反射素子４１と反射素子４２と反射素子４３と分光器４４と第１光学フィルター４５と第２光学フィルター４６とを含んで構成される。

反射素子４１は、光源部２２からの出射光のうち照射波長域Ｗ0の光Ｌ0を透過して他の光を反射する。例えばビームスプリッターやダイクロイックミラー等が反射素子４１として好適に利用される。分光器４４は、反射素子４１を透過した照射波長域Ｗ0の光Ｌ0の分光特性を調整して測定部位Ｍに出射する。例えば、分光器４４は、光Ｌ0を狭帯域化するファブリ・ペロー干渉計（エタロン）やリニアバリアブルフィルターを含んで構成される。

光源部２２からの出射光のうち第１波長域Ｗ1および第２波長域Ｗ2の光は、反射素子４１により反射される。図２の反射素子４２は、反射素子４１による反射光のうちの一部の光を透過させて他の光を反射する。例えばビームスプリッターが反射素子４２として好適に利用される。反射素子４３は、反射素子４２による反射光を反射させる。例えばミラーが反射素子４３として好適に利用される。反射素子４２による透過光が第１光学フィルター４５に供給され、反射素子４３による反射光が第２光学フィルター４６に供給される。

第１光学フィルター４５は、反射素子４２の透過光のうち第１波長域Ｗ1の光Ｌ1を抽出して第１受光部５１に出射するフィルター（例えばハイパスフィルター）である。他方、第２光学フィルター４６は、反射素子４３の反射光のうち第２波長域Ｗ2の光Ｌ2を抽出して第２受光部５２に出射するフィルター（例えばローパスフィルター）である。

第１受光部５１は、光学系４０（具体的には第１光学フィルター４５）から到来する第１波長域Ｗ1の光Ｌ1を受光する。例えば光電変換層がシリコン（Ｓｉ）等の半導体材料で形成された受光素子が第１受光部５１として好適に利用される。第２受光部５２は、光学系４０（具体的には第２光学フィルター４６）から到来する第２波長域Ｗ2の光Ｌ2を受光する。例えば光電変換層がＩｎＧａＡｓ（インジウムガリウム砒素）で形成された受光素子が第２受光部５２として好適に利用される。したがって、第２受光部５２は、波長が１３００ｎｍ以上の近赤外光を受光可能である。

光源制御部６０は、第１受光部５１による光Ｌ1の受光強度と第２受光部５２による光Ｌ2の受光強度とに応じて光源部２２を制御する。具体的には、第１実施形態の光源制御部６０は、第１受光部５１による受光強度と第２受光部５２による受光強度とが目標の色温度に応じた所定の比率（以下「目標比率」という）となるように、第１受光部５１による受光強度と第２受光部５２による受光強度とに応じて光源部２２を制御する。

図４は、光源部２２からの出射光の分光特性（スペクトル）である。図４には、光源部２２からの出射光の色温度を相違させた複数の場合について分光特性が併記されている。色温度Ｔの出射光の分光特性（波長λの光の強度）ｕ(λ,T)は、以下の数式(1)で表現される。数式(1)において、記号ｈはプランク定数であり、記号ｋはボルツマン定数であり、記号ｃは光速度である。

分光特性ｕ(λ,T)を第１波長域Ｗ1内で積分することで第１波長域Ｗ1の光Ｌ1の強度が算定され、分光特性ｕ(λ,T)を第２波長域Ｗ2内で積分することで第２波長域Ｗ2の光Ｌ2の強度が算定される。光源部２２からの出射光のうち第１波長域Ｗ1の光Ｌ1の強度と第２波長域Ｗ2の光Ｌ2の強度との比率を色温度毎に計算することで、図５のグラフが作成される。図５から理解される通り、光源部２２からの出射光のうち第１波長域Ｗ1の光Ｌ1の強度と第２波長域Ｗ2の光Ｌ2の強度との比率は、当該出射光の色温度に応じて変化する。具体的には、色温度が高いほど第１波長域Ｗ1の光Ｌ1が増加するとともに第２波長域Ｗ2の光Ｌ2が減少する、という傾向が確認できる。したがって、第１受光部５１による光Ｌ1の受光強度と第２受光部５２による光Ｌ2の受光強度とが所定の比率（目標比率）となるように光源部２２を制御すれば、光源部２２からの出射光は当該比率に応じた色温度に調整される。

例えば、図５に鎖線で示される通り、出射光の色温度が７０００Ｋである場合には、第１波長域Ｗ1の光Ｌ1の強度と第２波長域Ｗ2の光Ｌ2の強度とは、Ｌ1：Ｌ2＝８０：２０という比率の関係にある。したがって、第１受光部５１による光Ｌ1の受光強度と第２受光部５２による光Ｌ2の受光強度とが８０：２０となるように光源部２２を制御すれば、光源部２２からの出射光の色温度は７０００Ｋに設定される。以上の傾向を前提として、第１実施形態の光源制御部６０は、前述の通り、第１受光部５１の受光強度と第２受光部５２の受光強度とが目標比率となるように、第１受光部５１および第２受光部５２の各々の受光強度に応じて光源部２２を制御する。

図６は、光源制御部６０の構成図である。図２および図６に例示される通り、第１実施形態の光源制御部６０は、信号生成部６２と信号比較部６４と給電制御部６６とを含んで構成される。信号生成部６２は、第１受光部５１による光Ｌ1の受光強度に応じた第１受光信号Ｄ1と、第２受光部５２による光Ｌ2の受光強度に応じた第２受光信号Ｄ2とを生成する。

図６に例示される通り、信号生成部６２は、電流/電圧変換部７１と電流/電圧変換部７２と電圧増幅部８１と電圧増幅部８２とを具備する。電流/電圧変換部７１および電圧増幅部８１は、第１受光部５１の受光強度に応じた第１受光信号Ｄ1を生成し、電流/電圧変換部７２および電圧増幅部８２は、第２受光部５２の受光強度に応じた第２受光信号Ｄ2を生成する。

電流/電圧変換部７１および電流/電圧変換部７２の各々は、例えば演算増幅器７５１と容量素子７５２と抵抗素子７５３とで構成されるトランスインピーダンスアンプであり、電流を電圧に変換する。具体的には、電流/電圧変換部７１は、第１波長域Ｗ1の光Ｌ1の受光強度に応じて第１受光部５１に発生する電流を電圧Ｖ1に変換する。同様に、電流/電圧変換部７２は、第２波長域Ｗ2の光Ｌ2の受光強度に応じて第２受光部５２に発生する電流を電圧Ｖ2に変換する。第１受光部５１に入射する光Ｌ1と第２受光部５２に入射する光Ｌ2とで受光強度が同等である状態で電圧Ｖ1と電圧Ｖ2とが相等しい電圧となるように、電流/電圧変換部７１および電流/電圧変換部７２の各々における抵抗素子７５３の抵抗値が設定される。

図６における電圧増幅部８１および電圧増幅部８２の各々は、例えば演算増幅器８５１と抵抗素子８５２と抵抗素子８５３と抵抗素子８５４とを具備するアンプである。電圧増幅部８１は、電流/電圧変換部７１が生成した電圧Ｖ1を増幅することで第１受光信号Ｄ1を生成する。同様に、電圧増幅部８２は、電流/電圧変換部７２が生成した電圧Ｖ2を増幅することで第２受光信号Ｄ2を生成する。

電圧増幅部８１のゲインＧ1と電圧増幅部８２のゲインＧ2とは、以下の数式で表現される。抵抗値Ｒa1および抵抗値Ｒa2の各々は抵抗素子８５２の抵抗値であり、抵抗値Ｒb1および抵抗値Ｒb2の各々は抵抗素子８５３の抵抗値である。

図５に例示した関係のもとで、目標の色温度に対応する目標比率が、Ｌ1：Ｌ2＝ｎ：ｍである場合を想定する。第１実施形態では、電圧増幅部８１のゲインＧ1と電圧増幅部８２のゲインＧ2とが、Ｇ1：Ｇ2＝ｍ：ｎ（すなわち受光強度の逆比）となるように、抵抗素子８５２および抵抗素子８５３の各々の抵抗値（Ｒa1，Ｒa2，Ｒb1，Ｒb2）が設定される。したがって、第１受光部５１による光Ｌ1の受光強度と第２受光部５２による光Ｌ2の受光強度とが目標比率（Ｌ1：Ｌ2＝ｎ：ｍ）である状態では、第１受光信号Ｄ1と第２受光信号Ｄ2とは相互に同等の信号強度となる。すなわち、光源部２２の出射光が目標の色温度であれば、第１受光信号Ｄ1の電圧と第２受光信号Ｄ2の電圧とは相等しい。ただし、第１受光部５１および第２受光部５２の各々による受光強度は微細に変動するから、図７に例示される通り、実際には、第１受光信号Ｄ1と第２受光信号Ｄ2との電圧の高低は刻々と反転し得る。

図６の信号比較部６４は、信号生成部６２が生成した第１受光信号Ｄ1と第２受光信号Ｄ2との間で信号強度（具体的には電圧）を比較する比較器である。第１実施形態の信号比較部６４は、第１受光信号Ｄ1と第２受光信号Ｄ2との信号強度の大小（具体的には電圧の高低）に応じて２値的に変動する制御信号Ｃを生成する。具体的には、図７に例示される通り、第１受光信号Ｄ1の電圧が第２受光信号Ｄ2の電圧を上回る場合には、制御信号Ｃは電圧ＶL（ローレベル）に設定される。他方、第１受光信号Ｄ1の電圧が第２受光信号Ｄ2の電圧を下回る場合には、制御信号Ｃは電圧ＶH（ハイレベル）に設定される。電圧ＶHは電圧ＶLを上回る。

図６の給電制御部６６は、光源部２２に対する電流の供給を、信号比較部６４が生成する制御信号Ｃに応じて制御する。第１実施形態の給電制御部６６は、図６に例示される通り、制御信号Ｃに応じて開閉が制御されるスイッチ（例えばトランジスター）６７を含んで構成される。図６のスイッチ６７は、電池等の電源２６から光源部２２に供給される電流の経路上に設置され、光源部２２に対する電流の供給および遮断を制御信号Ｃに応じて制御する。なお、図６では、光源部２２と接地線との間にスイッチ６７を設置したが、スイッチ６７が設置される位置は図６の例示に限定されない。例えば、光源部２２と電源２６との間にスイッチ６７を設置することも可能である。なお、光源部２２には、電流の変動を抑制する容量素子２８１が並列に接続され、電源２６に供給される電流を制限するための抵抗素子２８２が直列に接続される。

以上の構成において、図７に例示される通り、制御信号Ｃがハイレベルに設定される期間ではスイッチ６７がオン状態に制御されるから、光源部２２に電流が供給される。他方、制御信号Ｃがローレベルに設定される期間ではスイッチ６７がオフ状態に制御されるから、光源部２２に対する電流の供給が停止する。すなわち、第１受光信号Ｄ1と第２受光信号Ｄ2との電圧の高低に応じて、光源部２２に電流が供給される時間と電流の供給が停止される時間との比率が制御される。

光源部２２に供給される電力が増加するほど出射光の色温度は上昇するという傾向がある。光源部２２の出射光の色温度が目標よりも低い場合、光Ｌ2に対する光Ｌ1の強度比率が目標比率に対して低い状態となる。以上の状態では、第１受光信号Ｄ1の電圧が第２受光信号Ｄ2の電圧を下回るから、制御信号Ｃは電圧ＶHに設定される。したがって、光源部２２に電流が供給される時間比率が増加し、結果的に色温度が上昇するように作用する。他方、光源部２２の出射光の色温度が目標よりも高い場合、光Ｌ2に対する光Ｌ1の強度比率が目標比率に対して高い状態となる。以上の状態では、第１受光信号Ｄ1の電圧が第２受光信号Ｄ2の電圧を上回るから、制御信号Ｃは電圧ＶLに設定される。したがって、光源部２２に対する給電が停止する時間比率が増加し、結果的に色温度が低下するように作用する。以上の説明から理解される通り、光源制御部６０は、光源部２２からの出射光が目標の色温度に近付くように光源部２２を制御する。

以上に説明した通り、第１実施形態では、光源部２２からの出射光のうち第１波長域Ｗ1の光Ｌ1の受光強度と第２波長域Ｗ2の光Ｌ2の受光強度とに応じて光源部２２が制御される。したがって、例えば光源部２２からの出射光のうち単一の波長域の光に応じて光源部２２を制御する構成と比較して、光源部２２からの出射光の特性を高精度かつ安定的に設定することが可能である。例えば第１実施形態では、第１受光部５１による受光強度と第２受光部５２による受光強度とが目標比率となるように光源部２２が制御されるから、光源部２２からの出射光を高精度かつ安定的に目標の色温度に設定できるという利点がある。

また、第１実施形態では、第１受光部５１による受光強度と第２受光部５２による受光強度とが目標比率であるときに同等の信号強度となるように第１受光信号Ｄ1と第２受光信号Ｄ2とが生成される。そして、第１受光信号Ｄ1と第２受光信号Ｄ2との信号強度の大小に応じて２値的に変動する制御信号Ｃを利用して光源部２２に対する電流の供給が制御される。したがって、光源部２２に対する電流の供給および遮断を制御する簡便な構成で光源部２２の出射光の特性を制御できるという利点がある。

第１実施形態では、測定部位Ｍに照射される照射波長域Ｗ0に対して短波長側の第１波長域Ｗ1の光Ｌ1と長波長側の第２波長域Ｗ2の光Ｌ2とが光源部２２の制御に利用される。したがって、測定部位Ｍに対する光照射に並行して光源部２２からの出射光の特性（特に色温度）を制御できるという利点がある。

＜第２実施形態＞
本発明の第２実施形態を説明する。なお、以下に例示する各形態において作用や機能が第１実施形態と同様である要素については、第１実施形態の説明で使用した符号を流用して各々の詳細な説明を適宜に省略する。

図８は、第２実施形態における光照射装置２０の構成図である。図８に例示される通り、第２実施形態の光照射装置２０における光学系４０は、反射素子４７と反射素子４８と分光器４４とを含んで構成される。反射素子４７は、図９に例示された特性Ｉの通り、光源部２２からの出射光のうち第１波長域Ｗ1の光Ｌ1を第１受光部５１に向けて反射するとともに、照射波長域Ｗ0を含む他の波長域の光を透過する。また、反射素子４８は、図９に例示された特性IIの通り、光源部２２からの出射光のうち第２波長域Ｗ2の光Ｌ2を第２受光部５２に向けて反射するとともに、照射波長域Ｗ0を含む他の波長域の光を透過する。例えばダイクロイックミラーが反射素子４７および反射素子４８として好適に利用される。

以上の構成において、光源部２２からの出射光のうち照射波長域Ｗ0の光Ｌ0は、反射素子４７および反射素子４８の双方を透過して分光器４４に到達する。すなわち、第２実施形態の光学系４０は、第１実施形態と同様に、第１波長域Ｗ1の光Ｌ1を第１受光部５１に導き、第２波長域Ｗ2の光Ｌ2を第２受光部５２に導き、照射波長域Ｗ0の光Ｌ0を測定部位Ｍに導く。他の構成は第１実施形態と同様である。

第２実施形態においても第１実施形態と同様の効果が実現される。また、第２実施形態では、光源部２２からの出射光のうち第１波長域Ｗ1の光Ｌ1が反射素子４７により第１受光部５１に向けて反射され、第２波長域Ｗ2の光Ｌ2が反射素子４８により第２受光部５２に向けて反射される。また、光源部２２からの出射光のうち照射波長域Ｗ0の光Ｌ0は反射素子４７および反射素子４８の双方を透過して測定部位Ｍに供給される。したがって、反射素子４７と反射素子４８とを利用した簡便な構成により、光源部２２からの出射光を第１波長域Ｗ1と第２波長域Ｗ2と照射波長域Ｗ0とに分離できるという利点がある。

＜変形例＞
前述の各形態では、第１受光信号Ｄ1と第２受光信号Ｄ2との信号強度の大小に応じて光源部２２に対する給電を制御したが、第１受光部５１の受光強度と第２受光部５２の受光強度とに応じて光源部２２を制御する方法は以上の例示に限定されない。例えば、第１受光部５１による受光強度と第２受光部５２による受光強度との強度比に応じて、光源部２２に供給される電流の電流量を制御することも可能である。

１００…測定装置、１２…光学検出装置、１４…情報処理装置、２０…光照射装置、２２…光源部、２４…光源制御装置、３０…受光装置、４０…光学系、４１，４２，４３，４７，４８…反射素子、４４…分光器、４５…第１光学フィルター、４６…第２光学フィルター、５１…第１受光部、５２…第２受光部、６０…光源制御部、６２…信号生成部、６４…信号比較部、６６…給電制御部、７１，７２…電流/電圧変換部、８１，８２…電圧増幅部。

Claims (10)

1. 光を出射する光源部と、
   前記光源部からの出射光のうち第１波長域の光を受光する第１受光部と、
   前記出射光のうち前記第１波長域よりも長波長側の第２波長域の光を受光する第２受光部と、
   前記第１受光部による受光強度と前記第２受光部による受光強度とに応じて前記光源部を制御する光源制御部と
   を具備する光照射装置。
2. 前記光源制御部は、前記第１受光部による受光強度と前記第２受光部による受光強度とが、前記光源部が出射すべき光の色温度に応じた所定の比率となるように、前記光源部を制御する
   請求項１の光照射装置。
3. 前記光源制御部は、
   前記第１受光部による受光強度に応じた第１受光信号と前記第２受光部による受光強度に応じた第２受光信号とを、前記第１受光部による受光強度と前記第２受光部による受光強度とが前記所定の比率であるときに前記第１受光信号と前記第２受光信号とが相互に同等の信号強度となるように生成する信号生成部と、
   前記第１受光信号と前記第２受光信号との信号強度の大小に応じて２値的に変動する制御信号を生成する信号比較部と、
   前記光源部に対する電流の供給を前記制御信号に応じて制御する給電制御部とを含む
   請求項２の光照射装置。
4. 前記光源部からの出射光のうち前記第１波長域の光を前記第１受光部に導き、当該出射光のうち前記第２波長域の光を前記第２受光部に導き、前記第１波長域と前記第２波長域との間の照射波長域の光を照射対象に導く光学系
   を具備する請求項１から請求項３の何れかの光照射装置。
5. 前記光学系は、
   前記照射波長域の光を透過して他の波長域の光を反射する反射素子と、
   前記反射素子による反射光のうち前記第１波長域の光を抽出して前記第１受光部に出射する第１光学フィルターと、
   前記反射素子による反射光のうち前記第２波長域の光を抽出して前記第２受光部に出射する第２光学フィルターとを含む
   請求項４の光照射装置。
6. 前記光学系は、
   前記光源部からの出射光のうち前記第１波長域の光を前記第１受光部に向けて反射して他の波長域の光を透過する第１反射素子と、
   前記光源部からの出射光のうち前記第２波長域の光を前記第２受光部に向けて反射して他の波長域の光を透過する第２反射素子とを含む
   請求項４の光照射装置。
7. 前記光源部は、発熱発光する
   請求項１から請求項６の何れかの光照射装置。
8. 請求項１から請求項７の何れかの光照射装置と、
   前記光照射装置から出射して照射対象を通過した光を受光する受光装置と
   を具備する光検出装置。
9. 前記受光装置は、ＩｎＧａＡｓを含有する光電変換層を含む
   請求項８の光検出装置。
10. 光を出射する光源部を制御する光源制御装置であって、
    前記光源部からの出射光のうち第１波長域の光を受光する第１受光部と、
    前記出射光のうち前記第１波長域よりも長波長側の第２波長域の光を受光する第２受光部と、
    前記第１受光部による受光強度と前記第２受光部による受光強度とに応じて前記光源部を制御する光源制御部と
    を具備する光源制御装置。
    

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