JP2018112404A - ダイオード試験装置、ダイオードの試験方法およびダイオードの製造方法 - Google Patents
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- 238000012360 testing method Methods 0.000 title claims abstract description 178
- 238000010998 test method Methods 0.000 title claims description 36
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 6
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims abstract description 26
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 23
- 238000009499 grossing Methods 0.000 claims abstract description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 2
- 238000011084 recovery Methods 0.000 abstract description 72
- 238000010992 reflux Methods 0.000 abstract description 28
- 230000001172 regenerating effect Effects 0.000 abstract description 28
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 12
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 abstract description 7
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 abstract description 7
- 230000037361 pathway Effects 0.000 description 22
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 description 9
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 description 9
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
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- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
Description
まず各実施の形態に開示される試験方法において、試験対象とするダイオードの逆回復動作とその際に発生するエネルギー損失について原理を説明する。
ダイオードは、アノード(陽極)−カソード(陰極)間を順バイアスされた際、P型半導体領域から正孔がキャリアとして発生し、正孔はN型半導体領域に注入される。また、N型半導体領域からは電子が発生し、電子はP型半導体領域に注入される。この結果、図1の期間TP1に順方向に電流I3が流れる。次にダイオードへ印加されたバイアスが消失(≒遮断)すると、順方向導通を担ったキャリアは、完全に引抜かれるか消失するまでの期間(図1の期間TP2)、順バイアス時とは逆方向へと引っ張られ、逆方向電流I4が流れる。この現象をダイオードの逆回復動作と呼ぶ。逆回復動作の期間、ダイオードのアノード−カソード間には電圧V5、電流I6に示すような遷移的な電圧・電流が印加されるため、電流と電圧の積からなるエネルギーがスイッチングの損失、すなわち逆回復損失Loss8として発生し、ダイオードチップに負荷がかかる。また、この損失は、微小ながらチップ単体としてダイオードの発熱を促し、ダイオードの熱分布状態を変化させる。
実施の形態1.
図2は実施の形態1に係る逆回復安全動作領域試験装置の構成を示す図である。図2を参照して、ダイオード試験装置1は、電源回路Pと、電源回路Pの正極と負極との間に接続される平滑コンデンサCと、レグ(leg)LG1およびレグLG2と、誘導性負荷Lと、制御装置100とを備える。
実施の形態1では、図3に示す基本構成の回路を2個備えた試験装置で逆回復安全動作領域試験方法について述べたが、図3の基本構成を3個以上、つまり任意のn個(nは3以上の整数)備える構成であっても、同様な方法を適用することができる。
実施の形態1または2において説明したダイオード試験装置およびダイオード試験方法は、ダイオードの製造工程の一部としても考えることができる。ダイオードの製造方法は、半導体プロセスによってダイオードを製造する工程と、個々のチップに分割された複数のダイオード、またはパッケージに封止された複数のダイオードをダイオード試験装置1または101に装着し、ストレスを印加する工程と、ストレス印加後の複数のダイオードから破壊されたダイオードを取り除く工程とを含む。ダイオードが破壊されたか否かの判定は、たとえば、図4の時刻t=A5付近に破線で示したように、ダイオード試験装置で試験中にダイオードに流れる電流の大きさがしきい値より大きくなったことによって判定すればよい。また、ダイオード試験装置でストレスを印加した後に別のテスターなどの計測装置によってリーク電流を測定すればよい。
以上の試験方法を用いることによって、ダイオード試験装置に装着した全てのダイオードに対して逆回復安全動作領域の試験が可能となる。また、各試験を通じて任意の一定のエネルギーを連続してダイオードに印加することが可能である。また、上記試験方法は、還流状態では電流の減少が少なく、かつ回生状態では電流は電源もしくは平滑コンデンサに回生して再利用されるため、エネルギー消費を抑制することが可能となる。またダイオードへ印加するエネルギーの蓄積に掛かる時間を短くすることが可能となる。
Claims (6)
- 電源回路と、
前記電源回路の正極と負極との間に接続される平滑コンデンサと、
第1レグおよび第2レグとを備え、
前記第1レグは、前記電源回路の正極と負極との間に直列に接続される第1上アームと第1下アームとを含み、
前記第2レグは、前記電源回路の正極と負極との間に直列に接続される第2上アームと第2下アームとを含み、
前記第1上アーム、前記第1下アーム、前記第2上アーム、前記第2下アームの各々は、
被試験素子であるダイオードのアノード、カソードがそれぞれ接続される第1端子および第2端子と、
前記第1端子および前記第2端子を経由して流れる電流を測定する電流検出器とを含み、
前記第1上アームと前記第1下アームとが接続される第1ノードと前記第2上アームと前記第2下アームとが接続される第2ノードとの間に接続される誘導性負荷をさらに備える、ダイオード試験装置。 - 前記被試験素子である前記ダイオードが逆並列に接続されるスイッチング素子の制御電極に制御信号を与える制御装置をさらに備え、
前記制御装置は、
第1期間において、前記第1上アームおよび前記第2下アームが共に導通している状態から前記第1上アームがターンオフした後に前記第2下アームがターンオフするように、前記スイッチング素子を制御し、
前記第1期間の後に続く第2期間において、前記第1上アームがターンオンした後に前記第2下アームがターンオンするように、前記スイッチング素子を制御し、
前記第2期間の後に続く第3期間において、前記第2下アームがターンオフした後に前記第1上アームがターンオフするように、前記スイッチング素子を制御し、
前記第3期間の後に続く第4期間において、前記第2下アームがターンオンした後に前記第1上アームがターンオンするように、前記スイッチング素子を制御する、請求項1に記載のダイオード試験装置。 - 前記制御装置は、さらに、
第5期間において、前記第1下アームおよび前記第2上アームが共に導通している状態から前記第2上アームがターンオフした後に前記第1下アームがターンオフするように、前記スイッチング素子を制御し、
前記第5期間の後に続く第6期間において、前記第1下アームがターンオンした後に前記第2上アームがターンオンするように、前記スイッチング素子を制御し、
前記第6期間の後に続く第7期間において、前記第2上アームがターンオフした後に前記第1下アームがターンオフするように、前記スイッチング素子を制御し、
前記第7期間の後に続く第8期間において、前記第2上アームがターンオンした後に前記第1下アームがターンオンするように、前記スイッチング素子を制御する、請求項2に記載のダイオード試験装置。 - 前記制御装置は、前記第1〜第4期間における前記スイッチング素子の制御と前記第5〜第8期間における前記スイッチング素子の制御とを2回以上繰り返して実行する、請求項3に記載のダイオード試験装置。
- 試験装置を用いたダイオードの試験方法であって、
前記試験装置は、
電源回路と、
前記電源回路の正極と負極との間に接続される平滑コンデンサと、
第1レグおよび第2レグとを備え、
前記第1レグは、前記電源回路の正極と負極との間に直列に接続される第1上アームと第1下アームとを含み、
前記第2レグは、前記電源回路の正極と負極との間に直列に接続される第2上アームと第2下アームとを含み、
前記第1上アーム、前記第1下アーム、前記第2上アーム、前記第2下アームの各々は、
被試験素子であるダイオードのアノード、カソードをそれぞれ接続する第1端子および第2端子と、
前記第1端子、前記ダイオード、前記第2端子を経由して流れる電流を測定する電流検出器とを含み、
前記試験装置は、
前記第1上アームと前記第1下アームとが接続される第1ノードと前記第2上アームと前記第2下アームとが接続される第2ノードとの間に接続される誘導性負荷をさらに備え、
前記試験方法は、
第1期間において、前記第1上アームおよび前記第2下アームが共に導通している状態から前記第1上アームがターンオフした後に前記第2下アームがターンオフするように、前記被試験素子である前記ダイオードが逆並列に接続されるスイッチング素子を制御するステップと、
前記第1期間の後に続く第2期間において、前記第1上アームがターンオンした後に前記第2下アームがターンオンするように、前記スイッチング素子を制御するステップと、
前記第2期間の後に続く第3期間において、前記第2下アームがターンオフした後に前記第1上アームがターンオフするように、前記スイッチング素子を制御するステップと、
前記第3期間の後に続く第4期間において、前記第2下アームがターンオンした後に前記第1上アームがターンオンするように、前記スイッチング素子を制御するステップとを備える、ダイオードの試験方法。 - 請求項5に記載の試験方法によって、前記第1上アーム、前記第1下アーム、前記第2上アーム、前記第2下アームにそれぞれ取り付けられた第1〜第4のダイオードにストレスを印加する工程と、
ストレス印加後の前記第1〜第4のダイオードから破壊されたダイオードを取り除く工程とを備える、ダイオードの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publication Number | Publication Date |
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JP2018112404A true JP2018112404A (ja) | 2018-07-19 |
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