JP2018106152A - ケイ素含有下層を使用する方法 - Google Patents

ケイ素含有下層を使用する方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2018106152A
JP2018106152A JP2017231378A JP2017231378A JP2018106152A JP 2018106152 A JP2018106152 A JP 2018106152A JP 2017231378 A JP2017231378 A JP 2017231378A JP 2017231378 A JP2017231378 A JP 2017231378A JP 2018106152 A JP2018106152 A JP 2018106152A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polymer
moiety
alkyl
silicon
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2017231378A
Other languages
English (en)
Inventor
リ・カイ
Li Cui
ポール・ジェイ・ラボーム
J Labeaume Paul
シャルロット・エイ・カトラー
A Cutler Charlotte
ヤマダ シンタロウ
Shintaro Yamada
ヤマダ シンタロウ
ジェームス・エフ・キャメロン
F Cameron James
ウィリアム・ウィリアムズ
Willams William
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rohm and Haas Electronic Materials LLC
Original Assignee
Rohm and Haas Electronic Materials LLC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rohm and Haas Electronic Materials LLC filed Critical Rohm and Haas Electronic Materials LLC
Publication of JP2018106152A publication Critical patent/JP2018106152A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F220/00Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
    • C08F220/02Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
    • C08F220/10Esters
    • C08F220/20Esters of polyhydric alcohols or phenols, e.g. 2-hydroxyethyl (meth)acrylate or glycerol mono-(meth)acrylate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0035Multiple processes, e.g. applying a further resist layer on an already in a previously step, processed pattern or textured surface
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F220/00Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
    • C08F220/02Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
    • C08F220/04Acids; Metal salts or ammonium salts thereof
    • C08F220/06Acrylic acid; Methacrylic acid; Metal salts or ammonium salts thereof
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F220/00Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
    • C08F220/02Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
    • C08F220/10Esters
    • C08F220/12Esters of monohydric alcohols or phenols
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F230/00Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and containing phosphorus, selenium, tellurium or a metal
    • C08F230/04Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and containing phosphorus, selenium, tellurium or a metal containing a metal
    • C08F230/08Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and containing phosphorus, selenium, tellurium or a metal containing a metal containing silicon
    • C08F230/085Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and containing phosphorus, selenium, tellurium or a metal containing a metal containing silicon the monomer being a polymerisable silane, e.g. (meth)acryloyloxy trialkoxy silanes or vinyl trialkoxysilanes
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L101/00Compositions of unspecified macromolecular compounds
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L101/00Compositions of unspecified macromolecular compounds
    • C08L101/02Compositions of unspecified macromolecular compounds characterised by the presence of specified groups, e.g. terminal or pendant functional groups
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/075Silicon-containing compounds
    • G03F7/0752Silicon-containing compounds in non photosensitive layers or as additives, e.g. for dry lithography
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/075Silicon-containing compounds
    • G03F7/0757Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/075Silicon-containing compounds
    • G03F7/0757Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
    • G03F7/0758Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds with silicon- containing groups in the side chains
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/09Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/11Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42Stripping or agents therefor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02107Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02436Intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H01L21/02439Materials
    • H01L21/02441Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/0245Silicon, silicon germanium, germanium
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518Deposited layers
    • H01L21/02521Materials
    • H01L21/02524Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02532Silicon, silicon germanium, germanium
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274Photolithographic processes
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F220/00Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
    • C08F220/02Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
    • C08F220/10Esters
    • C08F220/12Esters of monohydric alcohols or phenols
    • C08F220/16Esters of monohydric alcohols or phenols of phenols or of alcohols containing two or more carbon atoms
    • C08F220/18Esters of monohydric alcohols or phenols of phenols or of alcohols containing two or more carbon atoms with acrylic or methacrylic acids
    • C08F220/1804C4-(meth)acrylate, e.g. butyl (meth)acrylate, isobutyl (meth)acrylate or tert-butyl (meth)acrylate
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16Coating processes; Apparatus therefor
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/168Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30Imagewise removal using liquid means

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

【課題】良好な耐エッチング性及び高いケイ素含量を有し、湿式剥離性であるコーティング層及び下層を形成する方法、およびそれに用いるケイ素含有ポリマーを含む組成物を提供する。
【解決手段】(a)ポリマー主鎖にペンダントしている縮合性ケイ素含有部分を有する1つ以上の第1の不飽和モノマーを重合単位として含む1つ以上のポリマーの1つ以上の縮合物及び/または加水分解物を含む組成物で基板をコーティングして、コーティング層を形成すること、(b)コーティング層を硬化させてポリマー下層を形成すること、(c)ポリマー下層上にフォトレジストの層を配設すること、(d)フォトレジスト層をパターン状に露光して潜像を形成すること、(e)潜像を現像して中にレリーフ画像を有するパターン形成されたフォトレジスト層を形成すること、(f)レリーフ画像を基板に転写すること、(g)湿式剥離によってポリマー下層を除去すること、を含む、方法。
【選択図】なし

Description

本発明は、一般に下層及びそれらを使用する方法に関し、特に、湿式剥離性ケイ素含有下層及び電子デバイスの製造におけるそれらの使用に関する。
従来のフォトリソグラフィー法では、レジストパターンは、適切なエッチング方法によって、例えば反応性イオンエッチング(RIE)によって、基板へのパターン転写のためのマスクとして使用される。使用されるレジストの厚さが連続的に減少すると、レジストパターンは、RIE法によるパターン転写のためのマスクとして不適切なものとなる。その結果、パターン転写のためのマスクとして3層、4層またはそれ以上の層を使用する別の方法が開発されてきた。例えば、3層法では、ケイ素含有反射防止層が、下層/有機平坦化層とレジスト層との間に配設される。これらの層が有するフッ素及び酸素含有RIE化学作用に対する交互選択性のため、この3層スキームは、Si含有層の上部のレジストパターンから下層下の基板への高度に選択的なパターン転写を提供する。
酸化物エッチング化学作用に対するケイ素含有下層の耐性により、この層はエッチングマスクとして機能することができる。このようなケイ素含有下層は架橋シロキサン網状構造からなる。これらの材料のエッチング耐性は、ケイ素含量に起因し、ケイ素含量が高いほど、より良好なエッチング耐性を提供する。現在の193nmのリソグラフィー法においては、このようなケイ素含有下層は≧40%のケイ素を含有する。これらの材料におけるこのような高ケイ素含量及びシロキサン網状構造はこれらの除去を困難なものにしている。フッ素含有プラズマ及びフッ化水素酸(HF)は、両方ともに、これらのケイ素含有層を除去する(または剥離する)ために使用することができる。しかしながら、Fプラズマ及びHFは両方とも、これらのケイ素含有材料のみならず、基板などのそのまま残留することが望まれる他の材料をも除去する。テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)を、≧5重量%などのより高濃度で用いる湿式剥離を使用して、これらのケイ素含有層の少なくともいくつかを除去することができるが、これらのより高濃度のTMAHは基板を損傷するリスクもある。比較的低量のケイ素(≦17%)を有するケイ素含有層は、「ピラニア酸」(濃HSO+30%H)を使用して時に除去することができるが、そのようなアプローチは、より高いケイ素含量を有するケイ素含有材料では成功していない。
Cao et al.,Langmuir,2008,24,12771−12778は、N−イソプロピルアクリルアミドと3−(トリメトキシシリル)プロピルメタクリレートとをフリーラジカル共重合させ、次いでメトキシシリル基の加水分解及び縮合による架橋によって形成されたミクロゲルを報告している。Caoらは、制御された薬物放出材料、バイオセンサー及び組織工学のような生物学的用途において有用な材料を記載している。米国特許第9,120,952号は、化学的機械的平坦化処理で使用するために、Caoらの参考文献で開示されたものと同様な材料を用いている。
米国公開特許出願第2016/0229939号は、上部レジストパターンとの改良された接着性を有するケイ素含有レジスト下層を形成するための組成物を開示している。この参考文献で開示されている組成物は、ポリマー主鎖からペンダントしているフェニル、ナフタレンまたはアントラセン基を有する繰り返し単位であって、そのフェニル、ナフタレンまたはアントラセン基が、
によって置換され、式中、LはH、1〜10個の炭素原子を有する脂肪族1価炭化水素、または1価の芳香族基を表し、*はフェニル、ナフタレンまたはアントラセン基に対する結合点を示している、繰り返し単位と、ケイ素に結合されたヒドロキシまたはアルコキシの1つ以上を含有するペンダントケイ素基を有する繰り返し単位とを含むケイ素含有ポリマーを使用する。ケイ素含有ポリマーは加水分解または縮合させることができる。この参考文献によれば、芳香族環に直接結合された炭素上にOL基が存在していて、これは、膜表面を変化させる脱離基として働き、その結果としてパターン接着性が改善される。これらの組成物の利点は、微細パターンの形成においてパターンの崩壊がほとんど起こらない点にある。この参考文献は、湿式剥離によって除去することができるケイ素含有下層の必要性に言及していない。
本発明は、(a)ポリマー主鎖にペンダントしている縮合性ケイ素含有部分を有する1つ以上の第1の不飽和モノマーを重合単位として含む1つ以上のポリマーの縮合物及び/または加水分解物を含む組成物で基板をコーティングして、コーティング層を形成することと、(b)コーティング層を硬化させてポリマー下層を形成することと、(c)ポリマー下層上にフォトレジストの層を配設することと、(d)フォトレジスト層をパターン状に露光して潜像を形成することと、(e)潜像を現像して中にレリーフ画像を有するパターン形成されたフォトレジスト層を形成することと、(f)レリーフ画像を基板に転写することと、(g)湿潤剥離によってポリマー下層を除去することとを含む方法を提供する。電子デバイス基板上のポリマー主鎖に対してペンダントしている縮合性ケイ素含有部分を有する1つ以上の第1の不飽和モノマーを重合単位として含む1つ以上のポリマーの湿式剥離性の縮合物及び/または加水分解物のコーティング層を含むコーティングされた基板も本発明によって提供される。本ポリマーは、好ましくは、2つ以上のラジカル重合性二重結合を有するモノマーの繰り返し単位を有していない。好ましくは、本ポリマーはフルオロアルキル置換基を有していない。本発明のポリマーは、好ましくは、下式の置換基を有するペンダント芳香環を有しておらず、
式中、各Rxは独立して、Hまたは1〜15個の炭素のアルキル基であり、各Rxは一緒になって脂肪族環を形成してもよく、LgはH、炭素数1〜10個の炭素を有する脂肪族で1価の炭化水素、または1価の芳香族基であり、*は芳香環への結合点を示している。
本発明は、(a)ポリマー主鎖にペンダントしている縮合性ケイ素含有部分を有する1つ以上の第1の不飽和モノマーと、縮合性ケイ素含有部分を有していない1つ以上の第2の不飽和モノマーとを重合単位として含む1つ以上のポリマーの縮合物及び/または加水分解物を含む組成物で基板をコーティングしてコーティング層を形成することと、(b)コーティング層を硬化させてポリマー下層を形成することと、(c)ポリマー下層上にフォトレジストの層を配設することと、(d)フォトレジスト層をパターン状に露光して潜像を形成することと、(e)潜像を現像して中にレリーフ画像を有するパターン形成されたフォトレジスト層を形成することと、(f)レリーフ画像を基板に転写することと、(g)湿潤剥離によってポリマー下層を除去することとを含む方法をさらに提供する。
なおさらに、本発明は、ポリマー主鎖にペンダントしている縮合性ケイ素含有部分を有する1つ以上の第1の不飽和モノマーと、縮合性ケイ素含有部分を有していない1つ以上の追加の不飽和モノマーとを重合単位として含む1つ以上のポリマーの縮合物及び/または加水分解物であって、ここで少なくとも1つの追加のモノマーは、酸分解性基、三級炭素を介してエステル部分の酸素原子に結合されたC4−30有機残基、アセタール官能基を含むC4−30有機残基、ラクトン部分を有する1価の有機残基、またはそれらの組み合わせから選択されるペンダント部分を含む、1つ以上のポリマーの縮合物及び/または加水分解物と、1つ以上の溶媒とを含む組成物を提供する。
その上なおさらに、本発明は、(a)ペンダント結合されたシロキサン部分を有する有機ポリマー鎖を有する縮合性ポリマーを含む組成物で基材をコーティングして、コーティング層を形成することと、(b)コーティング層を硬化させてポリマー下層を形成することと、(c)ポリマー下層上にフォトレジストの層を配設することと、(d)フォトレジスト層をパターン状に露光して潜像を形成することと、(e)潜像を現像して中にレリーフ画像を有するパターン形成されたフォトレジスト層を形成することと、(f)レリーフ画像を基板に転写することと、(g)湿潤剥離によってポリマー下層を除去することとを含む方法も提供する。電子デバイス基板上にペンダント結合されたシロキサン部分を有する有機ポリマー鎖を有する湿式剥離性の縮合ポリマーのコーティング層を含むコーティングされた基板も本発明によって提供される。本縮合ポリマーは、好ましくは、2つ以上のラジカル重合性二重結合を有するモノマーの繰り返し単位を有していない。本発明のポリマーは、好ましくは、下式の置換基を有するペンダント芳香環を有しておらず、
式中、各Rxは独立して、Hまたは1〜15個の炭素のアルキル基であり、各Rxは一緒になって脂肪族環を形成してもよく、LgはH、炭素数1〜10個の炭素を有する脂肪族で1価の炭化水素、または1価の芳香族基であり、*は芳香環への結合点を示している。
なおさらに、本発明は、(a)縮合性ケイ素含有部分を有する1つ以上の第1の不飽和モノマーと、縮合性ケイ素含有部分を有していない1つ以上の追加の不飽和モノマーとを重合単位として含み、ペンダント結合されたシロキサン部分を有する有機ポリマー鎖を有する縮合ポリマーであって、少なくとも1つの追加のモノマーが、酸分解性基、三級炭素を介してエステル部分の酸素原子に結合されたC4−30有機残基、アセタール官能基を含むC4−30有機残基、ラクトン部分を有する1価の有機残基、またはそれらの組み合わせから選択される部分を含む、縮合ポリマーと、(b)1つ以上の有機溶媒とを含む組成物を提供する。
ある要素が、他の要素に対して「隣接して」または「上に」存在すると言及されるとき、それは、他の要素に対して直接隣接しているかまたは上に存在することができるか、またはそれらの間に介在要素が存在し得ることが理解される。対照的に、ある要素が、他の要素に「直接隣接して」または「直接上に」存在すると言及されるとき、介在要素は存在しない。第1、第2、第3などの用語は、様々な要素、成分、領域、層及び/またはセクションを記述するために使用することができるが、これらの要素、成分、領域、層及び/またはセクションは、これらの用語によって限定されるべきではないことが理解されよう。これらの用語は、1つの要素、成分、領域、層、またはセクションを、他の要素、成分、領域、層またはセクションと区別するためにのみ使用される。したがって、以下で考察される第1の要素、成分、領域、層、またはセクションは、本発明の教示から逸脱することなく、第2の要素、成分、領域、層またはセクションと呼ぶことができる。
本明細書全体にわたって使用されるとき、以下の略語は、文脈からそうでないことが明確に示されていない限り、以下の意味を有するものとする。℃=摂氏度、g=グラム、mg=ミリグラム、ppm=特に明記しない限り重量百万分率、μm=ミクロン=マイクロメータ、nm=ナノメータ、Å=オングストローム、L=リットル、mL=ミリリットル、sec.=秒、min.=分、hr.=時間、及びDa=ダルトン。すべての量は、重量パーセントであり、すべての比は、特に明記しない限り、モル比である。そのような数値範囲が最大100%に制限されることが明らかである場合を除き、すべての数値範囲は、包括的であり、任意の順序で組み合わせ可能である。「重量%」は、特に明記しない限り、参照組成物の総重量を基準とした重量パーセントを意味する。冠詞「a」、「an」及び「the」は単数形及び複数形を意味する。本明細書で使用されるとき、用語「及び/または」は、関連する列挙された項目のうちの1つ以上の任意及びすべての組み合わせを包含する。Mは重量平均分子量を意味し、ポリスチレン標準を使用したゲル透過クロマトグラフィー(GPC)によって決定される。
本明細書全体にわたって使用されるとき、用語「アルキル」は、直鎖、分枝及び環状アルキルを包含する。用語「アルキル」は、アルカンラジカルを指し、アルカンモノラジカル、ジラジカル(アルキレン)、及びより高級なラジカルを包含する。いずれのアルキルまたはヘテロアルキルに関しても炭素数が示されていない場合、1〜12個の炭素が企図される。用語「ヘテロアルキル」は、例えばエーテルまたはチオエーテルにおいて、ラジカル内の1個以上の炭素原子を置換している1個以上のヘテロ原子、例えば窒素、酸素、硫黄、リンを有するアルキル基を指す。用語「アルケニル」は、アルケンラジカルを指し、アルケンモノラジカル、ジラジカル(アルケニレン)、及びより高級なラジカルを包含する。「アルケニル」は、特に明記しない限り、直鎖、分枝及び環状アルケンラジカルを指す。用語「アルキニル」は、アルキンラジカルを指し、アルキンモノラジカル、ジラジカル、及びより高級なラジカルを包含する。「アルキニル」は直鎖及び分枝のアルキンラジカルを指す。いずれのアルケニルまたはアルキニルに関して炭素数が示されない場合、2〜12個の炭素が考えられる。「有機残基」とは、任意の有機部分のラジカルを指し、それは、炭素及び水素に加えて、酸素、窒素、ケイ素、リン及びハロゲンのような1個以上のヘテロ原子を任意に含むことができる。有機残基は、1つ以上のアリールまたは非アリールの環またはアリール及び非アリールの環の両方を含むことができる。用語「ヒドロカルビル」は、任意の炭化水素のラジカルを指し、それは、脂肪族、環式、芳香族またはそれらの組み合わせであってもよく、またそれは、炭素及び水素に加えて、酸素、窒素、ケイ素、リン及びハロゲンのような1個以上のヘテロ原子を任意に含むことができる。ヒドロカルビル部分は、アリールもしくは非アリールの環またはアリール及び非アリールの環の両方、例えば、1つ以上の脂環式環、または芳香環、または脂環式環及び芳香環の両方を含むことができる。ヒドロカルビル部分が2つ以上の脂環式環を含むとき、そのような脂環式環は、単離されてもよく、融合されてもよく、またはスピロ環であってもよい。脂環式ヒドロカルビル部分は、単一脂環式環、例えばシクロペンチル及びシクロヘキシル、ならびに二環式環、例えばジシクロペンタジエニル、ノルボルニル、及びノルボルネニルを含む。ヒドロカルビル部分が2つ以上の脂環式環を含むとき、そのような脂環式環は、単離または融合され得る。用語「硬化」は、材料または組成物の分子量を増加させる重合または縮合のような任意の方法を意味する。「硬化性」とは、特定の条件下で硬化され得る任意の材料を指す。用語「オリゴマー」は、ダイマー、トリマー、テトラマー及びさらなる硬化が可能な他の比較的低分子量の材料を指す。用語「ポリマー」は、オリゴマーを包含し、ホモポリマー、コポリマー、ターポリマー、テトラポリマーなどを指す。本明細書で使用されるとき、用語「(メタ)アクリレート」はアクリレート及びメタクリレートの両方を指す。同様に、用語「(メタ)アクリル酸」、「(メタ)アクリロニトリル」及び「(メタ)アクリルアミド」は、アクリル酸及びメタクリル酸、アクリロニトリル及びメタアクリロニトリル、ならびにアクリルアミド及びメタクリルアミドをそれぞれ指す。
本発明において有用な組成物は、縮合ケイ素含有ポリマー(本明細書では「縮合ポリマー」とも呼ぶ)を含む。本発明の縮合ポリマー、及びそれらから形成される膜及び下層は、湿式剥離性である。本明細書で使用されるとき、用語「縮合ポリマー」は、(a)ポリマー主鎖にペンダントしている縮合性ケイ素含有部分を有する1つ以上の第1の不飽和モノマーを重合単位として含むポリマーの縮合物及び/または加水分解物、あるいは(b)ペンダント結合されたシロキサン部分を有する有機ポリマー鎖を有するポリマーを指す。本明細書で使用するとき、用語「縮合物及び/または加水分解物」は、縮合生成物、加水分解生成物、加水分解−縮合生成物、または前述のいずれかの組み合わせを指す。本縮合ポリマーは、ポリマー主鎖にペンダントしている縮合性ケイ素含有部分を有する1つ以上の第1の不飽和モノマーを重合単位として含み、ここでそのモノマーは、不飽和の部位を介して重合され、かつケイ素含有部分を介して縮合される。好ましくは、不飽和モノマーは、1つのラジカル重合性の二重または三重結合、より好ましくはラジカル重合性の炭素−炭素二重または三重結合、さらにより好ましくはラジカル重合性の炭素−炭素二重結合を含む。本ポリマーは、好ましくは、2つ以上のラジカル重合性二重結合を有するモノマーの繰り返し単位を有していない。好ましくは、本ポリマーはフルオロアルキル置換基を有していない。
縮合性ケイ素含有部分を有する任意の不飽和モノマーは、縮合ポリマーを形成するための第1の不飽和モノマーとして使用するのに適している。1つ以上の第1の不飽和モノマーを使用することができる。縮合性ケイ素含有部分を有するエチレン性不飽和モノマーが好ましい。好ましい不飽和モノマーは、式(1)の縮合性ケイ素含有部分を有するものであり、
式中、Lは単結合または2価の連結基であり、各Rは独立して、H、C1−10−アルキル、C2−20−アルケニル、C5−20−アリール、及びC6−20−アラルキルから選択され、各Yは独立して、ハロゲン、C1−10−アルコキシ、C5−10−アリールオキシ、及びC1−10−カルボキシから選択され、bは0〜2の整数であり、*は該モノマーに対する結合点を示している。Lは2価の連結基であることが好ましい。2価の連結基は、酸素及びケイ素から選択される1個以上のヘテロ原子を含むことがさらに好ましい。適切な2価の連結基は、1〜20個の炭素原子及び任意に1個以上のヘテロ原子を有する有機ラジカルである。好ましい2価の連結基は、式−C(=O)−O−L−を有し、式中Lは単結合または1〜20個の炭素原子を有する有機ラジカルである。好ましくは、各Rは独立して、C1−10−アルキル、C2−20−アルケニル、C5−20−アリール、及びC6−20−アラルキルから選択される。各Yは独立して、好ましくはハロゲン、C1−6−アルコキシ、C5−10−アリールオキシ、C1−6−カルボキシから選択され、より好ましくはハロゲン、C1−6−アルコキシ、及びC1−6−カルボキシから選択される。好ましくは、bは0または1であり、より好ましくはb=0である。
好ましくは、少なくとも1つの第1の不飽和モノマーは式(2)を有し、
式中、Lは単一の共有結合または2価の連結基であり、各Rは独立して、H、C1−10−アルキル、C2−20−アルケニル、C5−20−アリール、及びC6−20−アラルキルから選択され、R及びRの各々は独立して、H、C1−4−アルキル、C1−4−ハロアルキル、ハロ、C5−20−アリール、C6−20−アラルキル、及びCNから選択され、RはH、C1−10−アルキル、C1−10−ハロアルキル、ハロ、C5−20−アリール、C6−20−アラルキル、及びC(=O)Rから選択され、RはOR及びN(Rから選択され、RはH、C1−20−アルキル、C5−20−アリール、及びC6−20−アラルキルから選択され、各Rは独立して、H、C1−20−アルキル、及びC5−20−アリールから選択され、各Yは独立して、ハロゲン、C1−10−アルコキシ、C5−10−アリールオキシ、C1−10−カルボキシから選択され、そしてbは0〜2の整数である。Lは2価の連結基であることが好ましい。2価の連結基は、酸素及びケイ素から選択される1個以上のヘテロ原子を含むことがさらに好ましい。適切な2価の連結基は、1〜20個の炭素原子及び任意に1個以上のヘテロ原子を有する有機ラジカルである。好ましい2価の連結基は、式−C(=O)−O−L−を有し、式中Lは単一の共有結合または1〜20個の炭素原子を有する有機ラジカルである。好ましくは、各Rは独立して、C1−10−アルキル、C2−20−アルケニル、C5−20−アリール、及びC6−20−アラルキルから選択される。各Yは独立して、好ましくはハロゲン、C1−6−アルコキシ、C5−10−アリールオキシ、C1−6−カルボキシから選択され、より好ましくはハロゲン、C1−6−アルコキシ、及びC1−6−カルボキシから選択される。好ましくは、bは0または1であり、より好ましくはb=0である。各R及びRは独立して、H、C1−4−アルキル、C1−4−ハロアルキル、C5−20−アリール、及びC6−20−アラルキルから選択されることが好ましく、より好ましくは、H、C1−4−アルキル、C5−20−アリール、及びC6−20−アラルキルから選択される。さらにより好ましくは、各R及びRは独立して、H、メチル、エチル、プロピル、ブチル、フェニル、ナフチル、ベンジル、及びフェネチルから選択される。RはH、C1−10−アルキル、C1−10−ハロアルキル、C5−20−アリール、C6−20−アラルキル、及びC(=O)Rから選択され、より好ましくは、H、C1−10−アルキル、C5−20−アリール、C6−20−アラルキル、及びC(=O)Rから選択される。RはORであることが好ましい。Rは、好ましくはH、C1−10−アルキル、C5−10−アリール、及びC6−15−アラルキルから選択される。好ましくは、各Rは独立して、H、C1−10−アルキル、及びC6−20−アリールから選択される。
縮合性ケイ素含有部分を有する適切な第1の不飽和モノマーは、一般に、Sigma−Aldrich(ミズーリ州セントルイス)などの様々な供給元から市販されているものか、または当技術分野で知られている方法によって調製することができる。そのようなモノマーは、そのまま使用することができ、またはさらに精製することができる。例示的な第1の不飽和モノマーとしては、アリルジメトキシシラン、アリルジクロロシラン、(トリメトキシシリル)メチル(メタ)アクリレート、(トリメトキシシリル)エチル(メタ)アクリレート、(トリメトキシシリル)プロピル(メタ)アクリレート、(トリメトキシシリル)ブチル(メタ)アクリレート、(トリエトキシシリル)メチル(メタ)アクリレート、(トリエトキシシリル)エチル(メタ)アクリレート、(トリエトキシシリル)プロピル(メタ)アクリレート、(トリエトキシシリル)ブチル(メタ)アクリレート、(トリクロロシリル)メチル(メタ)アクリレート、(トリクロロシリル)エチル(メタ)アクリレート、(トリクロロシリル)プロピル(メタ)アクリレート、(トリクロロシリル)ブチル(メタ)アクリレート、(メチルジメトキシシリル)プロピル(メタ)アクリレート、ビニルトリアセトキシシラン、(トリアセトキシシリル)プロピル(メタ)アクリレート、4−((トリメトキシシリル)プロピル)スチレン、4−(トリメトキシシリル)スチレン、及びビニルトリメトキシシランが挙げられるが、それらに限定されない。
本発明の縮合ポリマーは、縮合性ケイ素含有部分を有していない1つ以上の追加の不飽和モノマーをさらに含むことができる。好ましくは、縮合ポリマーは、式(3)の1つ以上の第2の不飽和モノマーを重合単位としてさらに含み、
式中、Zは、1〜30個の炭素原子を有する有機残基及び−5〜13の水中pKaを有する酸性プロトン、C5−30−アリール部分、置換されたC5−30−アリール部分、CN、及び−C(=O)R13から選択され;R10はH、C1−10−アルキル、C1−10−ハロアルキル、ハロ、及び−C(=O)R14から選択され;R11及びR12の各々はH、C1−4−アルキル、C1−4−ハロアルキル、ハロ、及びCNから選択され;R13及びR14の各々は独立して、OR15及びN(R16から選択され;R15はH、C1−20−アルキル、C5−30−アリール、C6−20−アラルキル、及びラクトン部分を有する1価の有機残基から選択され;そしてR16は独立して、H、C1−20−アルキル、及びC6−20−アリールから選択され、ここでZ及びR10は一緒になって5〜7員の不飽和環を形成することができる。本明細書で使用するとき、用語「アリール」は、芳香族炭素環及び芳香族複素環を指す。アリール部分は芳香族炭素環であることが好ましい。「置換アリール」は、ハロゲン、C1−6−アルキル、C1−6−ハロアルキル、C1−6−アルコキシ、C1−6−ハロアルコキシ、フェニル、及びフェノキシから、好ましくはハロゲン、C1−6−アルキル、C1−6−アルコキシ、フェニル、及びフェノキシから、より好ましくはハロゲン、C1−6−アルキル、及びフェニルから選択される1つ以上の置換基で置換されるハロゲンの1つ以上を有するあらゆるアリール(または芳香族)部分を指す。好ましくは、置換アリールは1〜3つの置換基を有し、より好ましくは1または2つの置換基を有する。例示的なエチレン性不飽和モノマーとしては、ビニル芳香族モノマー、例えばスチレン、α−メチルスチレン、β−メチルスチレン、スチルベン、ビニルナフチレン、アセナフタレン、及びビニルピリジン;ヒドロキシ置換ビニル芳香族モノマー、例えばヒドロキシスチレン、o−クマル酸(courmaric acid)、m−クマル酸、p−クマル酸、及びヒドロキシビニルナフタレン;カルボキシル置換ビニル芳香族モノマー、例えばビニル安息香酸;エチレン性不飽和カルボン酸、例えばケイ皮酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸、シトラコン酸、イタコン酸、3−ピリジン(メタ)アクリル酸、2−フェニル(メタ)アクリル酸、(メタ)アクリル酸、2−メチレンマロン酸、シクロペンテンカルボン酸、メチルシクロペンテンカルボン酸、シクロヘキセンカルボン酸、及び3−ヘキセン−1,6−ジカルボン酸;エチレン性不飽和カルボン酸のヒドロキシアリールエステル、例えばヒドロキシフェニル(メタ)アクリレート、ヒドロキシベンジル(メタ)アクリレート、ヒドロキシナフチル(メタ)アクリレート、及びヒドロキシアントラセニル(メタ)アクリレート;エチレン性不飽和無水モノマー、例えば無水マレイン酸、無水シトラコン酸、及び無水イタコン酸、エチレン性不飽和イミドモノマー、例えばマレイミド;エチレン性不飽和カルボン酸エステル、例えばクロトン酸エステル、イタコン酸エステル、及び(メタ)アクリル酸エステル;(メタ)アクリロニトリル;(メタ)アクリルアミド;などが挙げられるが、それらに限定されない。適切な(メタ)アクリレートエステルモノマーとしては、C7−10−アラルキル(メタ)アクリレート、C1−10−ヒドロキシアルキル(メタ)アクリレート、グリシジル(メタ)アクリレート、C1−10−メルカプトアルキル、及びC1−10−アルキル(メタ)アクリレートが挙げられるが、それらに限定されない。例示的な(メタ)アクリレートエステルモノマーとしては、ベンジルアクリレート、ベンジルメタクリレート、ヒドロキシエチルアクリレート、ヒドロキシエチルメタクリレート、ヒドロキシプロピルアクリレート、ヒドロキシプロピルメタクリレート、メルカプトプロピルメタクリレート、グリシジルメタクリレート、メチルアクリレート、及びメチルメタクリレートが挙げられるが、それらに限定されない。
好ましい第2の不飽和モノマーは、式(4)のモノマーであり、
式中、ADGは酸分解性基であり、R20はH、C1−4−アルキル、C1−4−ハロアルキル、ハロ、及びCNから選択される。R20は、好ましくはH、C1−4−アルキル、C1−4−フルオロアルキル、フルオロ、及びCNから選択され、より好ましくはH、C1−4−アルキル、トリフルオロメチル、フルオロ、及びCNから選択され、さらにより好ましくはH、メチル、トリフルオロメチル、フルオロ、及びCNから選択され、最も好ましくはR20はHまたはメチルである。式(4)では、ADGは2〜30個の炭素原子を有する酸分解性基である。本明細書で使用するとき、用語「酸分解性基」は、酸によって分解されて、酸分解性基と比較して増大した水性塩基溶解度を有する異なる官能基を形成することができる任意の官能基を指す。適切な酸分解性基としては、C4−30−ヒドロカルビル部分が第三級炭素原子を介して酸素原子に結合される−O−C4−30−ヒドロカルビル部分、無水物部分を有するC2−30−ヒドロカルビル部分、イミド部分を有するC2−30−ヒドロカルビル部分、及びアセタール官能基を含むC4−30−有機残基が挙げられるが、それらに限定されない。好ましい酸分解性基は、C4−30−ヒドロカルビル部分が第三級炭素原子を介して酸素原子に結合される−O−C4−30−ヒドロカルビル部分、及びアセタール官能基を含むC4−30−有機残基であり、より好ましくはC4−20−ヒドロカルビル部分が第三級炭素原子を介して酸素原子に結合される−O−C4−30−ヒドロカルビル部分、及びアセタール官能基を含むC4−20−有機残基である。本明細書で使用されるとき、用語「アセタール」は「ケタール」、「ヘミアセタール」、及び「ヘミケタール」も包含する。例示的な酸分解性基としては、限定するものではないが、−NR2122、−OR23、及び−O−C(=O)−R24が挙げられ、式中、R21及びR22は各々独立して、H、C1−20−アルキル、及びC5−10−アリールから選択され;R23は、第三級炭素(すなわち3個の他の炭素に結合されている炭素)を介して酸素に結合されるC4−30−有機残基、またはアセタール官能基を含むC4−30−有機残基であり;R24はH、C1−30−アルキル、及びC5−30−アリールから選択される。好ましくは、R23は4〜20個の炭素原子を有する。さらに好ましくは、R23は分枝または環状部分である。R23が環状部分を含有するとき、そのような環状部分は、典型的には環中に4〜8個の原子、好ましくは環中に5または6個の原子を有する。R23は、酸素などの1個以上のヘテロ原子を任意に含有することができる。好ましくは、R23は、1個以上のヘテロ原子を任意に含有する分枝脂肪族部分または脂環式部分である。
式(4)の好ましい化合物は式(4a)の化合物であり、
式中、R23は、第三級炭素を介して酸素に結合されるC4−20−有機残基またはアセタール官能基を含むC4−20−有機残基から選択され;R20はH、C1−4−アルキル、C1−4−ハロアルキル、ハロ及びCNから選択される。より好ましくは、R23は式(5a)または(5b)で示される構造を有し、
24、R25及びR26の各々は独立して、1〜6個の炭素原子を有する有機残基であり、R24及びR25は一緒になって4〜8員環を形成することができ、Lは2価の連結基または単一の共有結合であり、Aはアセタール官能基を表し、*はエステル酸素に対する結合点を示す。R24、R25及びR26の各々は独立して、C1−6−アルキルから選択されることが好ましい。R24及びR25が一緒になって4〜8員環を形成するとき、そのような環は脂環式であることが好ましい。そのような環は、単環であっても二環であってもよく、酸素、硫黄及び窒素、好ましくは酸素及び硫黄、より好ましくは酸素から選択される1個以上のヘテロ原子を任意に含有することができる。好ましくは、R24及びR25が一緒になって5〜8員環を形成することができる。適切な4〜8員環としては、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、シクロオクチル、ノルボルニル、及びオキサビシルコ[2.2.1]ヘプチル、好ましくはシクロペンチル、シクロヘキシル、ノルボルニル、及びオキサビシルコ[2.2.1]ヘプチル、より好ましくはシクロペンチル及びシクロヘキシルが挙げられるが、それらに限定されない。適切な2価の連結基としては、C1−10−アルキレン、好ましくはC1−5−アルキレンが挙げられる。好ましくは、アセタール官能基は、5または6員環の環状ケタールであり、より好ましくはアセトンから形成される環状ケタールである。R23に関する例示的な部分としては、tert−ブチル、2,3−ジメチル−2−ブチル、2,3,3−トリメチル−2−ブチル、2−メチル−2−ブチル、2−メチル−2−ペンチル、3−メチル−3−ペンチル、2,3,4−トリメチル−3−ペンチル、2,2,3,4,4−ペンタメチル−3−ペンチル、1−メチル−1−シクロペンチル、1−エチル−1−シクロペンチル、1,2−ジメチル−1−シクロペンチル、1,2,5−トリメチル−1−シクロペンチル、1,2,2−トリメチル−シクロペンチル、1,2,2,5−テトラメチル−1−シクロペンチル、1,2,2,5,5−ペンタメチル−1−シクロペンチル、1−メチル−1−シクロヘキシル、1−エチル−1−シクロヘキシル、1,2−ジメチル−1−シクロヘキシル、1,2,6−トリメチル−1−シクロヘキシル、1,2,2,6−テトラメチル−1−シクロヘキシル、1,2,2,6,6−ペンタメチル−1−シクロヘキシル、2,4,6−トリメチル−4−ヘプチル、3−メチル−3−ノルボルニル、3−エチル−3−ノルボルニル、6−メチル−2−オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト−6−イル、2−メチル−7−オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−イルが挙げられるが、それらに限定されない。好ましくは、Rは、tert−ブチル、2,3−ジメチル−2−ブチル、2,3,3−トリメチル−2−ブチル、2−メチル−2−ブチル、2−メチル−2−ペンチル、3−メチル−3−ペンチル、2,3,4−トリメチル−3−ペンチル、2,2,3,4,4−ペンタメチル−3−ペンチル、1−メチル−1−シクロペンチル、1−エチル−1−シクロペンチル、1,2−ジメチル−1−シクロペンチル、1,2,5−トリメチル−1−シクロペンチル、1,2,2−トリメチル−シクロペンチル、1,2,2,5−テトラメチル−1−シクロペンチル、1,2,2,5,5−ペンタメチル−1−シクロペンチル、1−メチル−1−シクロヘキシル、1−エチル−1−シクロヘキシル、1,2−ジメチル−1−シクロヘキシル、1,2,6−トリメチル−1−シクロヘキシル、1,2,2,6−テトラメチル−1−シクロヘキシル、1,2,2,6,6−ペンタメチル−1−シクロヘキシル、及び2,4,6−トリメチル−4−ヘプチルから選択される。L2は好ましくは2価の連結基である。L2のための適切な2価の連結基は、1〜20個の炭素原子、より好ましくは1〜20個の炭素原子を有する有機残基を有する。任意には、L2の2価の連結基は、酸素、窒素またはそれらの組み合わせなどの1個以上のヘテロ原子を含有することができる。式(3)、(4)及び(4a)の適切なモノマーは、市販されているか、または米国特許第6,136,501号、第6,379,861号、及び第6,855,475号で開示されているような当業で知られている様々な方法によって製造することができる。
式(4)の他の好ましいモノマーは、式(6)のモノマーであり、
式中、R20は独立して、H、C1−4−アルキル、C1−4−ハロアルキル、ハロ、及びCNから選択され、そしてR30はラクトン部分を有する1価の有機残基である。式(6)では、R30はラクトン部分を含むC4−20−1価の有機残基である。R30は、任意の適切なラクトン部分を含むことができ、好ましくは、任意に置換され得る5〜7員のラクトンを含む。ラクトン環上の適切な置換基はC1−10−アルキル部分である。R30のための適切なラクトン部分は、式(7)を有するものであり、
式中、Eは5〜7員環ラクトンであり、各R31は独立して、C1−10−アルキルから選択され、pは0〜3の整数であり、Yは単一の共有結合であるかまたは1〜10個の炭素原子を有する2価の連結残基であり、*はエステルの酸素原子に対する結合点を示す。各R31が独立して、C1−6−アルキルから選択されることが好ましく、より好ましくはC1−4−アルキルである。R31の例はメチル、エチル、n−プロピル、イソプロピル、n−ブチル、sec−ブチル、及びイソ−ブチルである。好ましくは、P=0または1である。Yのための適切な2価の連結残基としては、1〜20個の炭素原子を有する2価の有機残基が挙げられるが、それらに限定されない。Yのための適切な2価の有機残基としては、C1−20−ヒドロカルビル部分、C1−20−ヘテロ原子含有ヒドロカルビル部分、及び置換C1−20−ヒドロカルビル部分が挙げられるが、それらに限定されない。用語「C1−20−ヘテロ原子含有ヒドロカルビル部分」は、ヒドロカルビル鎖内に、1個以上のヘテロ原子、例えば窒素、酸素、硫黄、リンを有するヒドロカルビル部分を指す。例示的なヘテロ原子としては、−O−、−S−、−N(H)−、−N(C1−20−ヒドロカルビル)−、−C(=O)−O−、−S(=O)−、−S(=O)−、−C(=O)−NH−などが挙げられるが、それらに限定されない。「置換C1−20−ヒドロカルビル部分」は、ハロゲン、シアノ、ヒドロキシ、アミノ、メルカプトなどの1つ以上の置換基で置換された1個以上の水素を有する任意のヒドロカルビル部分を指す。R30は、ガンマ−ブチロラクトン(GBLO)、ベータ−ブチロラクトン、ガンマ−バレロラクトン、デルタ−バレロラクトン、及びカプロラクトンから選択されることが好ましく、そしてより好ましくはR30はGBLOである。式(6)のモノマーは、一般に市販されているものか、または当技術分野で知られている方法によって調製することができる。
一つの好ましい実施形態では、本縮合ポリマーは、重合単位として、発色団を含む1つ以上の不飽和モノマーを含む。適切な発色団は、目的の波長において放射線を吸収する任意の芳香族(またはアリール)部分である。そのような発色団は、フェニル、ベンジル、ナフチル、アントラセニルなどの非置換芳香族部分であるか、またはヒドロキシル、C1−10−アルキル、C2−10−アルケニル、C2−10−アルキニル、C5−30−アリールの1つ以上で置換されていてもよく、好ましくは置換されていないかまたはヒドロキシル置換されている。好ましくは、縮合ポリマーは、発色団部分を有する式(3)の1つ以上の不飽和モノマーを重合単位として含む。好ましい発色団部分は、ピリジル、フェニル、ナフチル、アセナフチル、フルオレニル、カルバゾリル、アントラセニル、フェナントリル、ピレニル、コロネニル、テトラセニル、ペンタセニル、テトラフェニル、ベンゾテトラセニル、トリフェニレニル、ペリレニル、ベンジル、フェネチル、トリル、キシリル、スチレニル、ビニルナフチル、ビニルアントラセニル、ジベンゾチオフェニル、チオキサントニル、インドリル、アクリジニルなどから選択され、より好ましくはフェニル、ナフチル、アントラセニル、フェナントリル、ベンジルなどから選択される。本発明で使用される発色団は、構造*−−C(Rx)−O−Lgの置換基を有する遊離芳香族環であり、式中、各Rxは独立して、Hまたは1〜15個の炭素のアルキル基であり、各Rxは一緒になって脂肪族環を形成してもよく、LgはH、炭素数1〜10個の炭素を有する脂肪族で1価の炭化水素、または1価の芳香族基であり、*は芳香環に対する結合点を示している。すなわち、発色団は、sp3混成炭素が芳香環及びオキシ基に対して直接結合される置換基を有する芳香環を有していない。
本発明の縮合ポリマーは、重合単位として、式(2)の1つ以上のモノマー及び式(3)の1つ以上のモノマー、好ましくは式(2)の1つ以上のモノマー及び式(3)の2つ以上のモノマー、さらにより好ましくは式(2)の1つ以上のモノマー及び式(6)の1つ以上のモノマー、なおさらに好ましくは式(2)の1つ以上のモノマー、式(6)の1つ以上のモノマー、及び発色団部分を有する式(3)の1つ以上のモノマーを含むことが好ましい。本縮合ポリマーが、重合単位として、式(2)の1つ以上のモノマー及び式(3)の1つ以上のモノマーを含むとき、そのようなモノマーは、(2)の全モノマー対式(3)の全モノマーのモル比1:99〜99:1で存在する。式(2)の全モノマー対式(3)の全モノマーのモル比は、好ましくは95:5〜5:95、より好ましくは90:10〜50:95、さらにより好ましくは50:50〜5:95である。1つ以上の任意のエチレン性不飽和の第3のモノマーは、式(1)及び(2)の全モノマーのモル量の0〜3倍の量で使用することができる。すべての任意の第3のモノマー対式(1)及び(2)の全モノマーのモル比は、0:100〜75:25、好ましくは10:90〜75:25、より好ましくは25:70〜75:25である。本縮合ポリマーが、重合単位として、発色団を含有するモノマーを比較的より高い割合で含むとき、そのようなポリマーは湿式剥離によって除去される性能が低下する。本縮合ポリマーは、重合単位として、発色団を含有するモノマーを0〜50mol%含むことが好ましい。本縮合ポリマーが、下式の置換基を有するペンダント芳香環を有していないことがさらに好ましく、
式中、各Rxは独立して、Hまたは1〜15個の炭素のアルキル基であり、各Rxは一緒になって脂肪族環を形成してもよく、LgはH、炭素数1〜10個の炭素を有する脂肪族で1価の炭化水素、または1価の芳香族基であり、*は芳香環に対する結合点を示している。
本発明の縮合ポリマーは、当業において良く知られている方法に従って、1つ以上の第1の不飽和モノマーといずれかの任意の第2の不飽和モノマーとをまず最初に重合させて縮合していないポリマーを形成することによって、調製することができる。好ましくは、本発明のモノマーは、フリーラジカル重合、例えば(メタ)アクリレートまたはスチレンポリマーを調製するために使用される手順などによって重合される。広範な種類のフリーラジカル開始剤及び条件のいずれかを使用することができる。本縮合していないポリマーを調製する他の適切な重合としては、ディールス・アルダー、リビングアニオン、縮合、交差カップリング、RAFT、ATRPなどが挙げられるが、それらに限定されない。次に、1つ以上の縮合していないポリマーを、縮合性ケイ素含有部分を縮合及び/または加水分解する条件に曝して本縮合ポリマーを形成する。そのような縮合及び/または加水分解条件は、当業において良く知られており、典型的には、1つ以上の縮合していないポリマーを水性酸または水性塩基、好ましくは水性酸と接触させることを含む。例えば、本縮合していないポリマーの1つ以上を、水、酸、及び任意に1つ以上の有機溶媒を含む組成物と、任意に加熱して接触させることができる。好ましい酸は、鉱酸、例えばHClである。本発明の縮合ポリマーは、部分的に縮合していてもよいか、または完全に縮合していてもよい。「部分的に縮合した」とは、ポリマー中に存在する縮合性ケイ素含有部分の一部が縮合または加水分解反応を受けていることを意味している。「完全に縮合した」とは、ポリマー中に存在するすべての縮合性ケイ素含有部分が縮合または加水分解反応を受けていることを意味している。本ポリマーは、典型的には1000〜10000Da、好ましくは2000〜8000Da、より好ましくは2500〜6000DaのMを有する。縮合ポリマーの混合物が本発明の方法において適切に使用され得ることは、当業者には理解されよう。
本発明の組成物は、(a)上記ポリマー主鎖に対してペンダントしている縮合性ケイ素含有部分を有する1以上の第1の不飽和モノマーを重合単位として含む1以上のポリマーの1つ以上の縮合物及び/または加水分解物、及び(b)1つ以上の溶媒を含む。あるいは、本発明の組成物は、(a)1つ以上の溶媒、及び(b)ペンダント結合されたシロキサン部分を有する有機ポリマー鎖を有する1つ以上の縮合ポリマーを含む。
好ましい組成物は、ポリマー主鎖にペンダントしている縮合性ケイ素含有部分を有する1つ以上の第1の不飽和モノマーと、縮合性ケイ素含有部分を有していない1つ以上の追加の不飽和モノマーとを重合単位として含む1以上のポリマーの1つ以上の縮合物及び/または加水分解物であって、少なくとも1つの追加のモノマーが、酸分解性基、ラクトン部分を有する1価の有機残基、またはそれらの組み合わせから選択されるペンダント部分を含む、1つ以上のポリマーの1つ以上の縮合物及び/または加水分解物と、1つ以上の溶媒とを含む。好ましくは、組成物は、式(4)の少なくとも1つの追加の不飽和モノマーをさらに含み、
式中、ADGは酸分解性基であり、R20はH、C1−4−アルキル、C1−4−ハロアルキル、ハロ、及びCNから選択される。本発明の組成物が下層として使用されるとき、縮合ポリマーの1つ以上は1つ以上の発色団部分を含むことが好ましく、少なくとも1つの発色団部分はポリマー主鎖からペンダントしていることがより好ましい。適切な発色団は、アリール部分、置換アリール部分、アラルキル部分またはアラルケニル部分、例えばC6−20アリール、置換C6−20アリール、C6−20アラルキル、及びC8−30アラルケニルである。そのような発色団の選択は、所望される反射防止特性によって決定され、当業者の能力の範囲内である。別の好ましい実施形態では、組成物は、ピリジル、フェニル、ナフチル、アセナフチル、フルオレニル、カルバゾリル、アントラセニル、フェナントリル、ピレニル、コロネニル、テトラセニル、ペンタセニル、テトラフェニル、ベンゾテトラセニル、トリフェニレニル、ペリレニル、ベンジル、フェネチル、トリル、キシリル、スチレニル、ビニルナフチル、ビニルアントラセニル、ジベンゾチオフェニル、チオキサントニル、インドリル、及びアクリジニルから選択される発色団部分を含む少なくとも1つの追加の不飽和モノマーをさらに含む。好ましい代替の実施形態では、少なくとも1つの縮合性ケイ素モノマーは、ピリジル、フェニル、ナフチル、アセナフチル、フルオレニル、カルバゾリル、アントラセニル、フェナントリル、ピレニル、コロネニル、テトラセニル、ペンタセニル、テトラフェニル、ベンゾテトラセニル、トリフェニレニル、ペリレニル、ベンジル、フェネチル、トリル、キシリル、スチレニル、ビニルナフチル、ビニルアントラセニル、ジベンゾチオフェニル、チオキサントニル、インドリル、及びアクリジニルから選択される発色団部分を含む。
様々な有機溶媒及び水を本組成物において使用することができるが、但し溶媒が組成物の成分を溶解する場合に限る。好ましくは、本組成物は、1つ以上の有機溶媒を含み、場合によっては水を含む。有機溶媒は単独で使用してもよくまたは有機溶媒の混合物を使用してもよい。適切な有機溶媒としては、ケトン、例えばシクロヘキサノン及びメチル−2−n−アミルケトン;アルコール、例えば3−メトキシブタノール、3−メチル−3−メトキシブタノール、1−メトキシ−2−プロパノール、及び1−エトキシ−2−プロパノール;エーテル、例えばプロピレングリコールメチルエーテル(PGME)、プロピレングリコールエチルエーテル(PGEE)、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、及びジエチレングリコールジメチルエーテル;エステル、例えばプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチルラクテート(EL)、メチルヒドロキシイソブチレート(HBM)、エチルピルベート、ブチルアセテート、メチル3−メトキシプロピオネート、エチル3−エトキシプロピオネート、tert−ブチルアセテート、tert−ブチルプロピオネート、及びプロピレングリコールモノ−tert−ブチルエーテルアセテート;ラクトン、例えばガンマ−ブチロラクトン;及びそれらの任意の組み合わせが挙げられるが、それらに限定されない。好ましい溶媒は、PGME、PGEE、PGMEA、EL、HBM、及びそれらの組み合わせである。
本発明の組成物は、1つ以上の任意の成分、例えば硬化触媒、コーティング促進剤、1つ以上の安定剤などを含むことができる。本発明の組成物で使用されるこのような任意の成分の量は十分に当業者の能力の範囲内にある。
適切な硬化触媒には、熱酸発生剤、光酸発生剤、及び第四級アンモニウム塩、好ましくは熱酸発生剤及び第四級アンモニウム塩、より好ましくは第四級アンモニウム塩が挙げられるが、それらに限定されない。熱酸発生剤は、熱に曝露されると酸を遊離する任意の化合物である。熱酸発生剤は当技術分野で良く知られており、例えばKing Industries(コネチカット州ノーウォーク)から一般に市販されている。例示的な熱酸発生剤としては、アミンでブロックされた強酸、例えばアミンでブロックされたドデシルベンゼンスルホン酸のようなアミンでブロックされたスルホン酸が挙げられるが、それらに限定されない。広範な種類の光酸発生剤もまた、当技術分野で知られており、例えばWako Pure Chemical Industries,Ltd.及びBASF SEから一般に市販されている。適切な第四級アンモニウム塩は、第四級アンモニウムハリド、第四級アンモニウムカルボキシレート、第四級アンモニウムスルホネート、第四級アンモニウムビスルフェートなどである。好ましい第四級アンモニウム塩としては、ベンジルトリアルキルアンモニウムハリド、例えばベンジルトリメチルアンモニウムクロリド及びベンジルトリエチルアンモニウムクロリド;テトラアルキルアンモニウムハリド、例えばテトラメチルアンモニウムハリド、テトラエチルアンモニウムハリド、及びテトラブチルアンモニウムハリド;テトラアルキルアンモニウムカルボキシレート、例えばテトラメチルアンモニウムホルメート、テトラメチルアンモニウムアセテート、テトラメチルアンモニウムトリフレート、テトラブチルアンモニウムアセテート、及びテトラブチルアンモニウムトリフレート;テトラアルキルアンモニウムスルホネート、例えばテトラメチルアンモニウムスルホネート及びテトラブチルアンモニウムスルホネート;などが挙げられる。好ましい硬化触媒は、テトラアルキルアンモニウムハリド、より好ましくはテトラアルキルアンモニウムクロリドである。そのような第四級アンモニウム塩は、例えばSigma−Aldrichから一般に市販されているものか、または当技術分野で知られている手順によって調製することができる。そのような任意の硬化触媒は、本組成物において、全固形分の0〜10%、好ましくは全固形分の0.01〜7%、より好ましくは全固形分の0.05〜5%の量で使用される。
基板上にコーティングされる組成物の膜または層の品質を改善するために、コーティング促進剤が本組成物に任意に添加される。そのようなコーティング促進剤は、可塑剤、表面レベリング剤などとして機能することができる。そのようなコーティング促進剤は、当業者に良く知られており、一般に市販されている。例示的なコーティング促進剤は、長鎖アルカノール、例えばオレイルアルコール、セチルアルコールなど;グリコール、例えばトリプロピレングリコール、テトラエチレングリコールなど;及び界面活性剤である。任意の適切な界面活性剤をコーティング促進剤として使用することができるが、このような界面活性剤は、典型的には非イオン性である。例示的な非イオン性界面活性剤は、アルキレンオキシ結合を含有するものであり、例えばエチレンオキシ、プロピレンオキシ、またはエチレンオキシとプロピレンオキシ結合の組み合わせである。本組成物では、1つ以上のコーティング促進剤が使用されることが好ましい。コーティング促進剤は、本組成物において、典型的には全固形分の0〜10%、好ましくは全固形分の0.5〜10%、より好ましくは全固形分の1〜8%の量で使用される。
1つ以上の安定剤を本組成物に任意に添加することができる。そのような安定剤は、貯蔵中のケイ素含有部分の望ましくない加水分解または縮合を防止するのに有用である。種々のそのような安定剤が知られており、好ましくはケイ素含有ポリマー安定剤は酸である。シロキサンポリマーに適する酸安定剤としては、カルボン酸、カルボン酸無水物、鉱酸などが挙げられるが、それらに限定されない。例示的な安定剤としては、シュウ酸、マロン酸、無水マロン酸、リンゴ酸、マレイン酸、無水マレイン酸、フマル酸、シトラコン酸、グルタル酸、無水グルタル酸、アジピン酸、コハク酸、無水コハク酸、及び硝酸が挙げられる。驚くべきことに、式(1b)の1つ以上のモノマーを重合単位として含む有機ブレンドポリマーは、そのようなケイ素含有ポリマー酸安定剤の存在下で、本コーティング組成物において安定であることを見出した。そのような安定剤は、全固形分の0〜20%、好ましくは全固形分の0.1〜15%、より好ましくは全固形分の0.5〜10%、さらにより好ましくは全固形分の1〜10%の量で使用される。
本発明の組成物は、1つ以上の本縮合ポリマー、1つ以上の溶剤、及びいずれかの任意の成分を、任意の順序で組み合わせることによって調製される。本組成物は、そのまま使用することができるか、または例えばろ過によってさらに精製することができる。
本発明の方法は、(a)ポリマー主鎖にペンダントしている縮合性ケイ素含有部分を有する1つ以上の第1の不飽和モノマーを重合単位として含む1つ以上のポリマーの1つ以上の縮合物及び/または加水分解物を含む組成物で基板をコーティングしてコーティング層を形成することと、(b)コーティング層を硬化させてポリマー下層を形成することと、(c)ポリマー下層上にフォトレジストの層を配設することと、(d)フォトレジスト層をパターン状に露光して潜像を形成することと、(e)潜像を現像して中にレリーフ画像を有するパターン形成されたフォトレジスト層を形成することと、(f)レリーフ画像を基板に転写することと、(g)湿式剥離によってポリマー下層を除去することとを含む。
本組成物のいずれかを含むコーティング層は、任意の適切な手段によって、例えばスピンコーティング、スロットダイコーティング、ドクターブレードコーティング、カーテンコーティング、ローラーコーティング、スプレーコーティング、浸漬コーティングなどによって、電子デバイス基板上にコーティングすることができる。スピンコーティングが好ましい。典型的なスピンコーティング法では、本発明の組成物は、500〜4000rpmの速度で15〜90秒間、スピンしている基板に塗布され、基板上において所望の縮合ポリマーの層が得られる。縮合ポリマー混合物層の厚さは、スピン速度ならびに組成物の固形分を変化させることによって調整され得ることは当業者には理解されよう。
本発明では、例えば、マルチチップモジュールなどのパッケージング基板、フラットパネルディスプレイ基板、集積回路基板、有機発光ダイオードを含む発光ダイオード(LED)のための基板、半導体ウェーハ、多結晶シリコン基板などの広範な種類の電子デバイス基板を使用することができる。そのような基板は、典型的には、ケイ素、ポリシリコン、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、シリコンゲルマニウム、ガリウムヒ素、アルミニウム、サファイア、タングステン、チタン、チタン−タングステン、ニッケル、銅、及び金の1つ以上から構成される。適切な基板は、集積回路、光センサ、フラットパネルディスプレイ、集積光回路、及びLEDの製造で使用されるようなウェーハの形態であり得る。本明細書で使用するとき、用語「半導体ウェーハ」は、「電子デバイス基板」、「半導体基板」、「半導体デバイス」、及び様々なレベルの相互接続のための様々なパッケージ、例えばシングルチップウェーハ、マルチチップウェーハ、様々なレベルのパッケージ、またははんだ接続を必要とする他のアセンブリを包含することが意図されている。そのような基板は任意の適切なサイズであり得る。好ましいウェーハ基板直径は200mm〜300mmであるが、より小さい直径やより大きい直径を有するウェーハを本発明に従って適切に使用することができる。本明細書で使用されるとき、用語「半導体基板」は、半導体デバイスの能動部分または動作部分を任意に含むことができる1つ以上の半導体層または構造を有する任意の基板を含む。半導体デバイスとは、少なくとも1つのマイクロ電子デバイスが上にバッチ作製されているかまたはこれからバッチ作製される半導体基板を指す。
基板上にコーティングされた後、そのコーティング層を比較的低温で任意にソフトベークして、溶媒及び他の比較的揮発性の成分を下層から除去する。典型的には、基板は、≦200℃、好ましくは100〜200℃、より好ましくは100〜150℃の温度でベークされる。ベーキング時間は、典型的には10秒〜10分、好ましくは30秒〜5分、より好ましくは60〜90秒である。基板がウェーハであるとき、そのようなベーキングステップは、ホットプレート上でウェーハを加熱することによって行うことができる。そのようなソフトベーキングステップは、コーティング層の硬化の一部として行ってもよく、または完全に省略してもよい。
次いで、本縮合ポリマーを含むコーティング層を硬化させて下層を形成する。コーティング層は、コーティング層上に直接配設されたフォトレジストまたは他の有機層などのその後に塗布される有機層と膜が混ざり合わないように十分に硬化させ、所望の反射防止特性(n値及びk値)及び下層膜のエッチング選択性をなお維持する。コーティング層は、酸素含有雰囲気、例えば空気中または不活性雰囲気、例えば窒素中において、硬化された下層を提供するのに十分な条件下、例えば加熱下で硬化させることができる。この硬化ステップは、好ましくはホットプレート型装置で行われるが、オーブン硬化を用いて同等の結果を得ることができる。典型的には、そのような硬化は、≦350℃、好ましくは200〜250℃の硬化温度で、縮合ポリマー層を加熱することによって行われる。あるいは、2段階硬化法または傾斜温度硬化法を使用してもよい。そのような2段階及び傾斜温度硬化条件は当業者に良く知られている。選択される硬化温度は、酸を遊離させるために使用される任意の熱酸発生剤が縮合ポリマー膜の硬化を助けるのに十分であるべきである。硬化時間は、10秒〜10分、好ましくは30秒〜5分、より好ましくは45秒〜5分、さらにより好ましくは45〜90秒であり得る。最終硬化温度の選択は、主として所望の硬化速度に従って決まり、より高い硬化温度はより短い硬化時間を必要とする。この硬化ステップの後、下層表面は、任意に、ヘキサメチルジシラザンなどのジシラザン化合物のような不動態化剤による処理によって、またはあらゆる吸着水を除去するための脱水ベークステップによって、任意に不動態化することができる。そのようなジシラザン化合物による不動態化処理は、典型的には120℃で行われる。
縮合ポリマーを含むコーティング層を硬化させて下層を形成した後、1つ以上の処理層、例えばフォトレジスト、ハードマスク層、底面反射防止コーティング(またはBARC)層などを下層上に配設することができる。例えば、フォトレジスト層は、例えばスピンコーティングによって、下層の表面上に直接配設してもよい。あるいは、BARC層を下層の上に直接塗布し、続いてBARC層を硬化させ、その硬化したBARC層上に直接フォトレジスト層をコーティングしてもよい。別の選択肢では、最初に有機下層を基板上にコーティングして硬化させ、次いで本発明の縮合ポリマー層を、硬化した有機下層上にコーティングし、次いでそのコーティング層を硬化させて下層を形成し、その下層上に任意のBARC層を直接コーティングすることができ、続いてその任意のBARC層を硬化させ、その硬化したBARC層上に直接フォトレジスト層をコーティングする。広範な様々なフォトレジスト、例えば193nmのリソグラフィーで使用されるフォトレジスト、例えばDow Electronic Materials(マサチューセッツ州マールボロ)から市販されているEPIC(商標)ブランドで販売されているフォトレジストを適切に使用することができる。適切なフォトレジストは、ポジ型現像またはネガ型現像レジストのいずれかであってもよく、または従来のネガ型レジストであってもよい。次いで、フォトレジスト層を、パターン化された化学線を使用して画像化(露光)し、その露光されたフォトレジスト層を、適切な現像剤を使用して現像してパターン化されたフォトレジスト層を提供する。次に、そのパターンは、適切なプラズマによるドライエッチングなどの適切なエッチング技術によって、フォトレジスト層から、いずれかの任意のBARC層へと転写され、次いで下層へと転写される。典型的には、そのようなエッチングステップ中にフォトレジストも除去される。次に、適切な技術、例えばOプラズマによるドライエッチングを用いて存在する任意の有機下層へとパターンは転写され、次いで基板へと必要に応じて転写される。これらのパターン転写ステップの後、下層及びいずれかの任意の有機下層は、従来の技術を使用して除去される。次いで、電子デバイス基板は、従来の手段に従ってさらに処理される。
本発明の組成物は、良好な耐エッチング性及び高いケイ素含量(≦45%Si、好ましくは0.5〜30%Si)を有する下層を提供する。本明細書に記載の、本縮合ポリマーを含むコーティング層及び下層は湿式剥離性である。「湿式剥離性」とは、本発明のコーティング層及び下層が、そのコーティング層または下層を、従来の湿式剥離組成物と、例えば、(1)水性塩基組成物、例えば水性アルカリ(典型的には約5%)または水性テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(典型的には≧5重量%)、(2)水性フッ化物イオン剥離剤、例えばフッ化アンモニウム/二フッ化アンモニウム混合物、(3)鉱酸、例えば硫酸または塩酸と、過酸化水素との混合物、または(4)アンモニア、水及び任意に過酸化水素の混合物と接触させることによって除去され、好ましくは実質的に除去される(膜厚の≧95%)ことを意味している。本ポリマー、特に、本下層の特定の利点は、それらがアンモニアと過酸化水素の混合物と接触するとき湿式剥離性である点にある。硫酸と過酸化水素との適切な混合物は濃硫酸+30%過酸化水素である。広範なアンモニアと水との混合物を使用することができる。アンモニアと、水と、過酸化水素との適切な混合物は、アンモニア+過酸化水素+水の重量比は1:1:5〜1:10:50、例えば1:1:10、1:1:40、1:5:40または1:1:50である。好ましくは、ポリマー層または下層の膜厚の≧97%、より好ましくは≧99%が、ポリマー層またはシロキサン下層を、(i)硫酸と過酸化水素との混合物、または(ii)水酸化アンモニウムと過酸化水素との混合物のいずれかと接触することによって除去される。
本縮合ポリマー層の別の利点は、それらが容易に除去されて、ウェーハなどの基板の再加工が可能になる点にある。そのような再加工法では、本発明の1つ以上の縮合ポリマーを含む上記の組成物は基板上にコーティングされる。次いで、コーティングされたポリマー層は、任意にソフトベークされ、次いで硬化されて下層を形成する。次に、下層上にフォトレジスト層が塗布され、レジスト層が画像化され現像される。次いで、そのパターン化されたレジスト層及び下層はそれぞれ除去され、ウェーハを再加工できるようにする。下層を、適切な温度で、上記の湿式剥離組成物、例えば水性テトラメチルアンモニウムヒドロキシド組成物(典型的には≧5重量%)及び水性フッ化物イオン剥離剤、例えばフッ化アンモニウム/二フッ化アンモニウム混合物のいずれかと接触させて下層を除去して、下層を有してない、または実質的に有していない基板を提供し、必要に応じて追加の再加工を容易に行うことができる。そのような再加工は、本縮合ポリマーの別の層を基板上にコーティングし、上記ポリマーコーティングを加工することを含む。
比較実施例1
水(156g)中の塩酸(6.15gの12.1N)を、メチルトリメトキシシラン(99.80g)、フェニルトリメトキシシラン(50.41g)、ビニルトリメトキシシラン(62.75g)、テトラエチルオルトシリケート(294g)、及び2−プロパノール(467g)の混合物に10分かけて加えた。その反応混合物を室温で1時間撹拌し、24時間加熱して還流し、室温まで冷却した。その溶液をプロピレングリコールモノエチルエーテル(PGEE)(800g)で希釈し、低沸点の反応混合物成分を減圧下で除去した。得られた溶液をPGEEで希釈して、比較ポリマー1(M=9000Da)の最終10重量%溶液を得た。
ポリマー1の調製
1,3−ジオキソラン(304g)中に溶解されたtert−ブチルメタクリレート(tBMA)、(173g)、ガンマ−ブチロラクトン(GBLMA)、(166g)、及び3−(トリメトキシシリル)プロピルメタクリレート(TMSPMA)、(60.6g)の溶液と、2:1v/vテトラヒドロフラン/アセトニトリル(60.6g)中に溶解されたV−65開始剤(60.6g)の溶液の両方を、窒素ブランケット下、75℃で、3−ジオキソラン(710g)に対して2時間かけて滴加した。添加後、その反応溶液を75℃でさらに2時間保持し、室温まで冷却し、ヘプタン:MTBE(1:1v/v、14L)中に沈殿させた。沈殿したポリマーを真空ろ過により回収し、24時間真空オーブンで乾燥させて、ポリマー1(tBMA/GBLMA/TMSPMA50/40/10)を白色固体(271g、68%)として得た。Mはポリスチレン標準に対するGPCにより決定され、5700Daであることが判明した。
縮合ポリマー1の調製
実施例1からのポリマー1(15g、91.5mmol)及び35gのテトラヒドロフラン(THF)を、熱電対、オーバーヘッドスターラー、水冷コンデンサー、添加漏斗、N供給ライン、バブラー、及び加熱マントルを備えた250mLの三つ口丸底フラスコに入れた。その混合物を、すべてのポリマーが溶解するまで室温で撹拌した。別の容器では、塩酸(0.122g、1.235mmol)及びDI水(0.816g、45.2mmol)を一緒に混合した。その酸性水溶液を周囲温度で10分間かけて添加漏斗を介して反応器に入れた。その混合物を室温で1時間撹拌した。次いで、温度を63±2℃に30分間にわたって調整して還流を開始した。その溶液を還流温度で4時間撹拌した。その反応混合物を、撹拌を続けながら一晩室温まで冷却した。次に、その溶液を、PGEEで希釈し、減圧下、ロータリーエバポレーターで濃縮して縮合ポリマー1を得た。その溶液を、1時間ローリングすることによってAmberlite(商標)IRN150イオン交換樹脂(最終重量10重量%)で処理し、0.2μmのポリテトラフルオロエチレン(PTFE)フィルターを使用してろ過し、そして−10℃のプラスチック容器中に保存した。縮合ポリマー1を分析すると、Mは51,000Da及びPDIは4.3であった。
ポリマー2〜13の調製
以下の表2に報告するポリマー2〜13を、以下の表1に掲げたモノマーを使用して実施例1の手順に従って合成した。使用された各モノマーの量を表2にmol%で示す。ポリマー2〜12は20〜99%の収率で単離され、表2に報告したMを有していた。
実施例3の手順を繰り返し、表3に報告したポリマー14〜19を提供することが予期される。表3に報告したモノマー数は、実施例2の表1のモノマーを指す。
縮合ポリマー4の調製
12g(70.4mmol)のポリマー4を、28gのTHF及び0.094g(0.95mmol)のHClと組み合わせた以外は、実施例2の一般的手順を繰り返し、そして0.628g(34.8mmol)のDI水を使用した。縮合ポリマー4を分析すると、Mは39,000Da及びPDIは2.8であった。
縮合ポリマー3の調製
ポリマー3をTHFと組み合わせて縮合ポリマー3を得た以外は実施例2の一般的手順を繰り返した。
縮合ポリマー4〜13の調製
ポリマー1を、実施例3からのポリマー4〜13のそれぞれで置き換える以外は実施例2の一般的手順を繰り返し、それぞれ縮合ポリマー4〜13が提供されることが予期される。
配合物1は、組成物の総重量を基準として示した重量パーセントで、次の成分、すなわち、実施例2からの縮合ポリマー1を1.6重量%、テトラブチルアンモニウムクロリドを0.004重量%、モノカルボン酸安定剤を0.09重量%、ジカルボン酸安定剤を0.01重量%、長鎖アルカノールコーティング促進剤を0.20重量%、PGEEを48.95重量%、及びHBMを49.15重量%組み合わせることによって調製した。
配合物1をベア200mmシリコンウェーハ上に1500rpmでスピンコートし、ACT−8クリーントラック(Tokyo Electron Co.)を使用して240℃で60秒間ベークした。ベーキング後の塗膜の厚さはTherma−Wave CoのOptiProbe(商標)装置で測定した。次いで、30%NHOH/30%H/水の、1/1/40重量/重量/重量混合物を使用して、コーティングされたサンプルをSC−1湿式剥離性について評価した。SC−1混合物を70℃まで加熱し、各コーティングされたウェーハのクーポンを5分間溶液に浸漬した。そのクーポンをSC−1混合物から取り出し、脱イオン水ですすぎ、その膜厚を再び測定した。サンプルの膜厚損失を、剥離剤との接触前と後の膜厚の差として計算した。上記のように調製した別個の膜を、エッチング後に、SC−1剥離性について任意に試験した。酸素ガス、25sscmの流量、電力180W、及び圧力6mTorrでPlasma−Therm Co.のRIE790を使用して、60秒間、エッチングを行った。エッチング前と後の両方における膜の剥離結果は>10〜50Å/分の剥離速度を示した。

Claims (16)

  1. (a)ポリマー主鎖にペンダントしている縮合性ケイ素含有部分を有する1つ以上の第1の不飽和モノマーを重合単位として含む1つ以上のポリマーの1つ以上の縮合物及び/または加水分解物を含む組成物で基板をコーティングして、コーティング層を形成することと、(b)前記コーティング層を硬化させてポリマー下層を形成することと、(c)前記ポリマー下層上にフォトレジストの層を配設することと、(d)前記フォトレジスト層をパターン状に露光して潜像を形成することと、(e)前記潜像を現像して中にレリーフ画像を有するパターン形成されたフォトレジスト層を形成することと、(f)前記レリーフ画像を前記基板に転写することと、(g)湿式剥離によって前記ポリマー下層を除去することと、を含む、方法。
  2. 前記縮合性ケイ素含有部分が、式
    を有し、式中、Lは単結合または2価の連結基であり、各Rは独立して、H、C1−10−アルキル、C2−20−アルケニル、C5−20−アリール、及びC6−20−アラルキルから選択され、各Yは独立して、ハロゲン、C1−10−アルコキシ、C5−10−アリールオキシ、及びC1−10−カルボキシから選択され、bは0〜2の整数であり、*は前記モノマーに対する結合点を示している、請求項1に記載の方法。
  3. Lが2価の連結基である、請求項2に記載の方法。
  4. 前記2価の連結基が、酸素及びケイ素から選択される1個以上のヘテロ原子を含む、請求項3に記載の方法。
  5. 前記2価の連結基が、1〜20個の炭素原子及び場合により1個以上のヘテロ原子を有する有機ラジカルである、請求項3に記載の方法。
  6. 前記2価の連結基が式−C(=O)−O−L−を有し、式中Lは単結合または1〜20個の炭素原子を有する有機ラジカルである、請求項2に記載の方法。
  7. 少なくとも1つの第1の不飽和モノマーが、式(2)
    を有し、式中、Lは単一の共有結合または2価の連結基であり、各Rは独立して、H、C1−10−アルキル、C2−20−アルケニル、C5−20−アリール、及びC6−20−アラルキルから選択され、R及びRの各々は独立して、H、C1−4−アルキル、C1−4−ハロアルキル、ハロ、C5−20−アリール、C6−20−アラルキル、及びCNから選択され、RはH、C1−10−アルキル、C1−10−ハロアルキル、ハロ、C5−20−アリール、C6−20−アラルキル、及びC(=O)Rから選択され、RはOR及びN(Rから選択され、RはH、C1−20−アルキル、C5−20−アリール、及びC6−20−アラルキルから選択され、各Rは独立して、H、C1−20−アルキル、及びC5−20−アリールから選択され、各Yは独立して、ハロゲン、C1−10−アルコキシ、C5−10−アリールオキシ、C1−10−カルボキシから選択され、bは0〜2の整数である、請求項1に記載の方法。
  8. 前記オリゴマーが、重合単位として、縮合性ケイ素含有部分を有していない1つ以上の第2の不飽和モノマーをさらに含む、請求項1に記載の方法。
  9. 少なくとも1つの第2の不飽和モノマーが、酸性プロトンを有し、−5〜13の水中pKaを有する、請求項8に記載の方法。
  10. 少なくとも1つの第2の不飽和モノマーが、式(4)
    を有し、式中、ADGは酸分解性基であり、R20は、H、C1−4−アルキル、C1−4−ハロアルキル、ハロ、及びCNから選択される、請求項8に記載の方法。
  11. 前記オリゴマーが、発色団部分を有する1つ以上の第3の不飽和モノマーを重合単位としてさらに含む、請求項1に記載の方法。
  12. 少なくとも1つの第3のモノマーが、前記ポリマー主鎖からペンダントしている発色団部分を有する、請求項11に記載の方法。
  13. 前記発色団部分が、ピリジル、フェニル、ナフチル、アセナフチル、フルオレニル、カルバゾリル、アントラセニル、フェナントリル、ピレニル、コロネニル、テトラセニル、ペンタセニル、テトラフェニル、ベンゾテトラセニル、トリフェニレニル、及びペリレニルから選択される、請求項12に記載の方法。
  14. ポリマー主鎖にペンダントしている縮合性ケイ素含有部分を有する1つ以上の第1の不飽和モノマーと、縮合性ケイ素含有部分を有していない1つ以上の追加の不飽和モノマーとを重合単位として含むポリマーの縮合物及び/または加水分解物であって、少なくとも1つの追加のモノマーが、酸分解性基、ラクトン部分を有する1価の有機残基、またはそれらの組み合わせから選択されるペンダント部分を含む、ポリマーの縮合物及び/または加水分解物と、1つ以上の溶媒とを含む、組成物。
  15. 少なくとも1つの追加のモノマーが、式(4)
    を有し、式中、ADGは酸分解性基であり、R20はH、C1−4−アルキル、C1−4−ハロアルキル、ハロ、及びCNから選択される、請求項14に記載の組成物。
  16. ピリジル、フェニル、ナフチル、アセナフチル、フルオレニル、カルバゾリル、アントラセニル、フェナントリル、ピレニル、コロネニル、テトラセニル、ペンタセニル、テトラフェニル、ベンゾテトラセニル、トリフェニレニル、及びペリレニルから選択される発色団部分を含む少なくとも1つの追加のモノマーをさらに含む、請求項14に記載の組成物。
JP2017231378A 2016-12-14 2017-12-01 ケイ素含有下層を使用する方法 Pending JP2018106152A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201662434078P 2016-12-14 2016-12-14
US62/434,078 2016-12-14

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2018106152A true JP2018106152A (ja) 2018-07-05

Family

ID=62489182

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017231378A Pending JP2018106152A (ja) 2016-12-14 2017-12-01 ケイ素含有下層を使用する方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20180164685A1 (ja)
JP (1) JP2018106152A (ja)
KR (1) KR20180068876A (ja)
CN (1) CN108227374A (ja)
TW (1) TWI661013B (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11506979B2 (en) * 2016-12-14 2022-11-22 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Method using silicon-containing underlayers

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001278918A (ja) * 2000-03-31 2001-10-10 Shin Etsu Chem Co Ltd 珪素含有化合物、レジスト組成物およびパターン形成方法
JP2005008765A (ja) * 2003-06-19 2005-01-13 Shin Etsu Chem Co Ltd 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
JP2006504827A (ja) * 2002-10-31 2006-02-09 フジフィルム・エレクトロニック・マテリアルズ・ユーエスエイ・インコーポレイテッド 新規なコポリマー、そのフォトレジスト組成物およびその深紫外線二層システム
JP2009058632A (ja) * 2007-08-30 2009-03-19 Fujitsu Ltd 液浸露光用レジスト組成物、及びそれを用いた半導体装置の製造方法
JP2010085912A (ja) * 2008-10-02 2010-04-15 Shin-Etsu Chemical Co Ltd ケイ素含有膜形成用組成物、ケイ素含有膜形成基板及びパターン形成方法
JP2012083387A (ja) * 2010-10-06 2012-04-26 Fujifilm Corp 感光性組成物、パターン形成材料、並びに、これを用いた感光性膜、パターン形成方法、パターン膜、低屈折率膜、反射防止膜、光学デバイス、及び、固体撮像素子
JP2013067799A (ja) * 2011-09-21 2013-04-18 Dow Global Technologies Llc フォトリソグラフィのための組成物および反射防止コーティング
JP2013083964A (ja) * 2011-09-30 2013-05-09 Jsr Corp レジストパターン形成方法及びレジスト下層膜形成用組成物
JP5939399B2 (ja) * 2010-10-22 2016-06-22 日産化学工業株式会社 フッ素系添加剤を有するシリコン含有レジスト下層膜形成組成物
WO2016111210A1 (ja) * 2015-01-09 2016-07-14 Jsr株式会社 シリコン含有膜形成用組成物及び該組成物を用いたパターン形成方法
JP2016141797A (ja) * 2015-02-05 2016-08-08 信越化学工業株式会社 ケイ素含有重合体、ケイ素含有化合物、レジスト下層膜形成用組成物、及びパターン形成方法
JP6457640B2 (ja) * 2015-06-24 2019-01-23 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、積層体、及び、有機溶剤現像用レジスト組成物

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009097436A2 (en) * 2008-01-29 2009-08-06 Brewer Science Inc. On-track process for patterning hardmask by multiple dark field exposures
US9543159B2 (en) * 2015-03-27 2017-01-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Patterning process of a semiconductor structure with a wet strippable middle layer
US9442377B1 (en) * 2015-06-15 2016-09-13 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Wet-strippable silicon-containing antireflectant
US10007184B2 (en) * 2016-09-01 2018-06-26 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Silicon-containing underlayers
US10114288B2 (en) * 2016-09-01 2018-10-30 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Silicon-containing underlayers
US11506979B2 (en) * 2016-12-14 2022-11-22 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Method using silicon-containing underlayers
US11360387B2 (en) * 2017-08-04 2022-06-14 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Silicon-containing underlayers
US20190146343A1 (en) * 2017-11-10 2019-05-16 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Silicon-containing underlayers

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001278918A (ja) * 2000-03-31 2001-10-10 Shin Etsu Chem Co Ltd 珪素含有化合物、レジスト組成物およびパターン形成方法
JP2006504827A (ja) * 2002-10-31 2006-02-09 フジフィルム・エレクトロニック・マテリアルズ・ユーエスエイ・インコーポレイテッド 新規なコポリマー、そのフォトレジスト組成物およびその深紫外線二層システム
JP2005008765A (ja) * 2003-06-19 2005-01-13 Shin Etsu Chem Co Ltd 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
JP2009058632A (ja) * 2007-08-30 2009-03-19 Fujitsu Ltd 液浸露光用レジスト組成物、及びそれを用いた半導体装置の製造方法
JP2010085912A (ja) * 2008-10-02 2010-04-15 Shin-Etsu Chemical Co Ltd ケイ素含有膜形成用組成物、ケイ素含有膜形成基板及びパターン形成方法
JP2012083387A (ja) * 2010-10-06 2012-04-26 Fujifilm Corp 感光性組成物、パターン形成材料、並びに、これを用いた感光性膜、パターン形成方法、パターン膜、低屈折率膜、反射防止膜、光学デバイス、及び、固体撮像素子
JP5939399B2 (ja) * 2010-10-22 2016-06-22 日産化学工業株式会社 フッ素系添加剤を有するシリコン含有レジスト下層膜形成組成物
JP2013067799A (ja) * 2011-09-21 2013-04-18 Dow Global Technologies Llc フォトリソグラフィのための組成物および反射防止コーティング
JP2013083964A (ja) * 2011-09-30 2013-05-09 Jsr Corp レジストパターン形成方法及びレジスト下層膜形成用組成物
WO2016111210A1 (ja) * 2015-01-09 2016-07-14 Jsr株式会社 シリコン含有膜形成用組成物及び該組成物を用いたパターン形成方法
JP2016141797A (ja) * 2015-02-05 2016-08-08 信越化学工業株式会社 ケイ素含有重合体、ケイ素含有化合物、レジスト下層膜形成用組成物、及びパターン形成方法
JP6457640B2 (ja) * 2015-06-24 2019-01-23 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、積層体、及び、有機溶剤現像用レジスト組成物

Also Published As

Publication number Publication date
KR20180068876A (ko) 2018-06-22
US20180164685A1 (en) 2018-06-14
TW201821557A (zh) 2018-06-16
TWI661013B (zh) 2019-06-01
CN108227374A (zh) 2018-06-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7065160B2 (ja) ケイ素含有下層を使用する方法
TWI663176B (zh) 含矽底層
JP7139469B2 (ja) ケイ素含有下層
TWI680354B (zh) 使用含矽底層之方法以及用於形成含矽底層之組合物
JP7269904B2 (ja) ケイ素含有下層
TWI661013B (zh) 使用含矽墊層之方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180110

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20180112

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20180411

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20181128

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20181128

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190227

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190704

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20191003

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200106

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200423

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20201201