JP2018098447A - Mosfet - Google Patents
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Abstract
【課題】順方向バイアス時にダイオードとして動作するMOSFETの順方向電圧を低下させる技術を提供すること。
【解決手段】MOSFETは、半導体層と、絶縁ゲートと、前記半導体層の表面に設けられているソース電極と、を備えており、前記半導体層は、前記絶縁ゲートに接している第1導電型のドリフト領域と、前記ドリフト領域上に設けられており、前記絶縁ゲートに接している第2導電型のボディ領域と、前記ボディ領域上に設けられており、前記絶縁ゲートに接している第1導電型のソース領域と、前記ソース領域上に設けられており、前記ソース領域と前記ソース電極の間に介在している第2導電型のツェナー領域と、を有しており、前記ツェナー領域と前記ソース領域が、ツェナーダイオードを構成する。
【選択図】図2
【解決手段】MOSFETは、半導体層と、絶縁ゲートと、前記半導体層の表面に設けられているソース電極と、を備えており、前記半導体層は、前記絶縁ゲートに接している第1導電型のドリフト領域と、前記ドリフト領域上に設けられており、前記絶縁ゲートに接している第2導電型のボディ領域と、前記ボディ領域上に設けられており、前記絶縁ゲートに接している第1導電型のソース領域と、前記ソース領域上に設けられており、前記ソース領域と前記ソース電極の間に介在している第2導電型のツェナー領域と、を有しており、前記ツェナー領域と前記ソース領域が、ツェナーダイオードを構成する。
【選択図】図2
Description
本明細書が開示する技術は、ダイオードを内蔵するMOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)に関する。
特許文献1に開示されるように、MOSFETは、p型のボディ領域とn型のドリフト領域で構成されるpnダイオードを内蔵する。このようなMOSFETは、例えば、交流モータに交流電力を供給するインバータ装置に用いられたときに、この内蔵するpnダイオードをフリーホイールダイオードとして動作させることができる。
順方向バイアス時の順方向電圧を低下させるために、ショットキーバリアダイオード(SBD:Schottky Barrier Diode)をMOSFETに内蔵させる技術も知られており、その一例が特許文献2に開示される。このMOSFETでは、n型のドリフト領域の露出部分が半導体層の表面に露出し、ソース電極がその露出部分にショットキー接触するように構成されている。ショットキーバリアダイオードの順方向電流は、このドリフト領域の露出部分を介して流れる。このショットキーバリアダイオードは、pnダイオードと伴にフリーホイールダイオードとして動作し、順方向バイアス時の順方向電圧を低下させる。
上記したように、MOSFETは、順方向バイアス時にダイオードとして動作することがあり、このときの順方向電圧を低下させる技術が求められている。
本明細書が開示するMOSFETの一実施形態は、半導体層、絶縁ゲート部及び半導体層の表面に設けられているソース電極を備えることができる。絶縁ゲート部の構造は特に限定されるものではなく、典型的には、トレンチゲート又はプレーナーゲートを採用することができる。半導体層は、第1導電型のドリフト領域、第2導電型のボディ領域、第1導電型のソース領域及び第2導電型のツェナー領域を有することができる。ドリフト領域は、絶縁ゲート部に接している。ボディ領域は、ドリフト領域上に設けられており、絶縁ゲート部に接している。ソース領域は、ボディ領域上に設けられており、絶縁ゲート部に接している。ツェナー領域は、ソース領域上に設けられており、ソース領域とソース電極の間に介在している。ツェナー領域とソース領域が、ツェナーダイオードを構成する。この実施形態のMOSFETは、第2導電型のツェナー領域と第1導電型のソース領域の間にツェナーダイオードを内蔵する。このため、この実施形態のMOSFETは、順方向バイアス時にツェナーダイオードが動作することができるので、低い順方向電圧を有することができる。
上記実施形態のMOSFETでは、ドリフト領域が半導体層の表面に露出する露出部分を有することができる。この場合、ボディ領域がドリフト領域の露出部分を間に置いて設けられており、ソース電極がドリフト領域の露出部分にショットキー接触する。この実施形態のMOSFETは、ドリフト領域の露出部分にショットキーバリアダイオードを内蔵することができるので、さらに低い順方向電圧を有することができる。ここで、従来のMOSFETでは、オフしたときに、ドレイン側に高電圧が印加されると、ボディ領域とドリフト領域の接合面からボディ領域内に伸展する空乏層とソース領域とボディ領域の接合面の内蔵電位に伴う空乏層が接触するパンチスルー現象が問題となる。特に、ショットキーバリアダイオードを内蔵する従来のMOSFETでは、ドリフト領域の露出部分の存在により、横方向からもボディ領域が空乏化されるので、パンチスルー現象を抑える技術が特に必要とされている。上記実施形態のMOSFETでは、ソース領域がツェナー領域によってソース電極から隔てられており、ソース領域の電位がフローティングとなっている。このため、ソース領域とボディ領域の接合面には、内蔵電位に伴う空乏層が縮小して形成されている。ボディ領域とドリフト領域の接合面からボディ領域内に伸展する空乏層は、内蔵電位に伴う空乏層が縮小した分だけ、その幅を長くすることができる。即ち、パンチスルー現象が発生するのに要する逆バイアス電圧が高くなるので、パンチスルー現象が抑えられる。
上記実施形態の半導体装置では、半導体層の半導体材料を炭化珪素とすることができる。
以下、図面を参照して、複数種類のダイオードを内蔵したMOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)1を説明する。MOSFET1は、例えば、交流モータに交流電力を供給するインバータ装置に用いられ、内蔵ダイオードがフリーホイールダイオードとして動作する。図1及び図2に示されるように、MOSFET1は、ドレイン電極10、炭化珪素層20、ソース電極30、トレンチゲート40及び層間絶縁膜50を備える。
ドレイン電極10は、炭化珪素層20の裏面を被膜するように形成されており、炭化珪素層20の裏面にオーミック接触している。ドレイン電極10の材料には、例えば、Al、Ni、Ti、Mo又はCoが用いられる。
炭化珪素層20は、n型の基板21、n型のドリフト領域22、p型のボディ領域23、n型のソース領域24及びp型のツェナー領域27を有する。n型の基板21は、面方位が[0001]面の炭化珪素基板であり、ドレイン領域とも称される。基板21の裏面は、ドレイン電極10にオーミック接触している。
ドリフト領域22は、基板21上に設けられており、凸状の露出部分26を上部に有する。ドリフト領域22は、露出部分26以外の部分でトレンチゲート40に接する。露出部分26の上面は、炭化珪素層20の表面の一部に露出している。露出部分26は、ストライプ状に配置されたトレンチゲート40の長手方向(以下、奥行き方向という)に対して平行に伸びている。ドリフト領域22は、エピタキシャル成長技術を利用して、基板21から結晶成長して形成されている。
ボディ領域23は、ドリフト領域22の露出部分26を間に置いて配置されており、コンタクト領域25を上部に有している。コンタクト領域25は、ソース領域24とドリフト領域22の露出部分26の間に設けられており、炭化珪素層20の表面の一部に露出しており、不純物濃度が相対的に濃い部分である。コンタクト領域25は、奥行き方向に対して平行に伸びている。ボディ領域23は、コンタクト領域25以外の部分でトレンチゲート40の側面に接する。ボディ領域23は、飛程距離を変えた複数回のイオン注入技術を利用して、炭化珪素層20の表面からp型不純物(一例では、アルミニウム)を導入することで形成されている。
ソース領域24は、ボディ領域23上に設けられており、ボディ領域23によってドリフト領域22から隔てられている。ソース領域24は、トレンチゲート40の側面に接する。ソース領域24は、奥行き方向に対して平行に伸びている。ソース領域24の不純物濃度は、コンタクト領域25の不純物濃度よりも濃い。ソース領域24は、イオン注入技術を利用して、炭化珪素層20の表面からn型不純物(一例では、リン)を導入することで形成されている。
ツェナー領域27は、ソース領域24上に設けられており、ソース領域24とソース電極30の間に介在している。このため、ソース領域24は、ツェナー領域27によってソース電極30から隔てられており、ソース電極30に接していない。ツェナー領域27は、トレンチゲート40の側面に接する。ツェナー領域27は、例えば、イオン注入技術を利用して、炭化珪素層20の表層部の一部にボロンを導入することで形成されている。
ソース電極30は、炭化珪素層20の表面を被覆しており、炭化珪素層20の表面に露出しているツェナー領域27、ボディ領域23のコンタクト領域25及びドリフト領域22の露出部分26に接触している。ソース電極30は、ツェナー領域27とボディ領域23のコンタクト領域25に対してオーミック接触しており、ドリフト領域22の露出部分26に対してショットキー接触している。ソース電極30の材料には、例えば、Ni、Ti又はMoが用いられる。なお、ソース電極30は、この例に代えて、ツェナー領域27とボディ領域23のコンタクト領域25に対してオーミック接触する部分とドリフト領域22の露出部分26に対してショットキー接触する部分が異なる材料で構成されていてもよい。
トレンチゲート40は、ドリフト領域22とソース領域24を隔てる部分のボディ領域23に対向している。トレンチゲート40は、炭化珪素層20の表面からツェナー領域27、ソース領域24及びボディ領域23を貫通してドリフト領域22に達するトレンチ内に設けられているトレンチゲート電極42及びゲート絶縁膜44を含む。トレンチゲート電極42は、CVD技術を利用して、ゲート絶縁膜44で被膜されたトレンチ内に充填して形成される。ゲート絶縁膜44は、CVD技術を利用して、トレンチの内壁を被膜して形成されている。
図3に示されるように、MOSFET1では、ツェナー領域27の不純物濃度は濃く、厚みも薄いことを1つの特徴としている。具体的には、ツェナー領域27の不純物濃度は、1×1020cm-3〜1×1023cm-3の範囲である。ソース領域24の不純物濃度も、1×1020cm-3〜1×1023cm-3の範囲である。この例では、ツェナー領域27及びソース領域24の双方の不純物濃度が約1×1021cm-3である。さらに、ツェナー領域27の厚みはソース領域24の厚みよりも薄く、0.01〜0.1μmの範囲である。ソース領域24の厚みは、0.1〜2μmの範囲である。このような高濃度のツェナー領域27と高濃度のソース領域24で構成されるダイオードは、ツェナーダイオードとして機能する。
MOSFET1は、ドリフト領域22とボディ領域23で構成されるpnダイオード、ドリフト領域22の露出部分26とソース電極30で構成されるショットキーバリアダイオード、さらに、ソース領域24とツェナー領域27で構成されるツェナーダイオードを内蔵する。これらの内蔵ダイオードがフリーホイールダイオードとして動作する。特に、MOSFET1では、ツェナー領域27を設けることにより、ソース領域24が形成されている範囲にもツェナーダイオードを内蔵させることに成功している。このため、MOSFET1は、順方向バイアス時の順方向電圧が低いという特徴を有する。
図4に、MOSFET1の順方向バイアス時のIV特性を示す。ここで、比較例とは、ツェナー領域27が設けられていない例である。図4に示されるように、MOSFET1は、ツェナー領域27が設けられていることにより、順方向電圧が低下している。
また、ツェナー領域27とソース領域24の間の空乏層の厚みは極めて薄い。このため、MOSFET1がオンするときには、その空乏層には容易にトンネル電流が流れる。このため、MOSFET1がオンするときは、ツェナー領域27とソース領域24の間の電圧降下を非常に小さくすることができる。したがって、MOSFET1のオン動作に支障をきたすことが抑えられている。
また、MOSFET1では、内蔵されているショットキーバリアダイオードの順方向電圧を低下させるために、ドリフト領域22の露出部分26の幅が広く形成されている。一方、MOSFET1では、オン電圧を低く抑えるために、隣り合うMOS構造の間隔を狭くしてチャネルの高密度化を図っている。このため、MOSFET1では、相対的にMOS構造のボディ領域23の面積が小さい。これにより、MOSFET1では、ボディ領域23とドリフト領域22の接合面からボディ領域23内に伸展する空乏層とソース領域24とボディ領域23の接合面の内蔵電位に伴う空乏層が接触するパンチスルー現象が懸念される。特に、ショットキーバリアダイオードを内蔵するMOSFET1では、ドリフト領域22の露出部分26の存在により、横方向からもボディ領域23が空乏化されるので、パンチスルー現象が特に懸念される。しかしながら、MOSFET1では、ソース領域24がツェナー領域27によってソース電極30から隔てられており、ソース領域24の電位がフローティングとなっている。このため、ソース領域24とボディ領域23の接合面には、内蔵電位に伴う空乏層が縮小して形成されている。このため、ボディ領域23とドリフト領域22の接合面からボディ領域23内に伸展する空乏層は、内蔵電位に伴う空乏層が縮小した分だけ、その幅を長くすることができる。即ち、パンチスルー現象が発生するのに要する逆バイアス電圧が高くなるので、パンチスルー現象が抑えられる。このように、ツェナー領域27を設ける技術は、ショットキーバリアダイオードを内蔵するMOSFET1において、パンチスルー現象を抑えるという点で特に有用である。
10:ドレイン電極
20:炭化珪素層
21:基板
22:ドリフト領域
23:ボディ領域
24:ソース領域
25:コンタクト領域
26:露出部分
27:ツェナー領域
30:ソース電極
40:トレンチゲート
42:トレンチゲート電極
44:ゲート絶縁膜
20:炭化珪素層
21:基板
22:ドリフト領域
23:ボディ領域
24:ソース領域
25:コンタクト領域
26:露出部分
27:ツェナー領域
30:ソース電極
40:トレンチゲート
42:トレンチゲート電極
44:ゲート絶縁膜
Claims (4)
- MOSFETであって、
半導体層と、
絶縁ゲート部と、
前記半導体層の表面に設けられているソース電極と、を備えており、
前記半導体層は、
前記絶縁ゲート部に接している第1導電型のドリフト領域と、
前記ドリフト領域上に設けられており、前記絶縁ゲート部に接している第2導電型のボディ領域と、
前記ボディ領域上に設けられており、前記絶縁ゲート部に接している第1導電型のソース領域と、
前記ソース領域上に設けられており、前記ソース領域と前記ソース電極の間に介在している第2導電型のツェナー領域と、を有しており、
前記ツェナー領域と前記ソース領域が、ツェナーダイオードを構成するMOSFET。 - 前記ドリフト領域は、前記半導体層の表面に露出する露出部分を有しており、
前記ボディ領域は、前記ドリフト領域の前記露出部分を間に置いて設けられており、
前記ソース電極は、前記ドリフト領域の前記露出部分にショットキー接触する、請求項1に記載のMOSFET。 - 前記絶縁ゲート部は、前記半導体層の前記表面から深部に向けて伸びているトレンチゲートを有する請求項1又は2に記載のMOSFET。
- 前記半導体層の半導体材料が炭化珪素である、請求項1〜3のいずれか一項に記載のMOSFET。
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---|---|---|---|
JP2016244401A JP2018098447A (ja) | 2016-12-16 | 2016-12-16 | Mosfet |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020047678A (ja) * | 2018-09-14 | 2020-03-26 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
-
2016
- 2016-12-16 JP JP2016244401A patent/JP2018098447A/ja active Pending
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