JP2018087888A - 温度検出回路および液晶表示パネル - Google Patents

Abstract

【課題】 温度検出の感度が高い温度検出回路とすること、また高感度の温度検出回路を備えた液晶表示パネルを提供すること。
【解決手段】 温度検出回路は、第１ソース電極１ａｓが正電位の第１電源端子ＶＤに接続され、第１ゲート電極１ａｇが第１ゲート制御端子ＴＲＩＧに接続されているｐチャネルＴＦＴ１ａと、第２ソース電極１ｂｓが第２電源端子ＶＳに接続され、第２ゲート電極１ｂｇが第２ゲート制御端子ＶＧに接続されているｎチャネルＴＦＴ１ｂと、入力部３ｉが第１ドレイン電極１ａｄと第２ドレイン電極１ｂｄとの接続部１ａｂｓに接続され、出力部３ｏが接続部１ａｂｓの電位の反転信号を出力するインバータ３と、接続部１ａｂｓとインバータ３とを接続する第１接続線１１に一方の容量電極２ａが接続され、第２電源端子ＶＳに他方の容量電極２ｂが接続されている容量素子２と、を有している。
【選択図】 図１

Description

本発明は、温度検出回路およびそれを有する液晶表示パネルに関するものである。

従来、液晶表示装置（Liquid Crystal Display:ＬＣＤ）は、薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：ＴＦＴ）を含む画素部が多数形成されたガラス基板等から成るアレイ側基板と、カラーフィルタ及びブラックマトリクスが形成されたガラス基板等から成るカラーフィルタ側基板とを互いに対向させて、それらの基板を所定の間隔でもって貼り合わせ、それらの基板間に液晶を充填、封入させることによって作製される。また、一般的に、カラーフィルタ側基板は、ＴＦＴ及び画素電極に対向する側の面（液晶側の面）の全面に、画素電極との間で液晶に印加する垂直電界を形成するための共通電極が形成されている。この共通電極は、ＩＰＳ（In-Plane Switching）方式のＬＣＤの場合、アレイ側基板の画素部に画素電極と同じ面内に形成されることによって横電界を生じさせるものとなる。また共通電極は、ＦＦＳ（Fringe Field Switching）方式のＬＣＤの場合、アレイ側基板の画素部に画素電極の上方または下方に絶縁層を挟んで形成されることによって端部電界（Fringe Field）を生じさせるものとなる。また、カラーフィルタ側基板の液晶側の面には、それぞれの画素部に対応する赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカラーフィルタが形成されており、それぞれの画素部を通過する光が相互に干渉することを防ぐブラックマトリクスがカラーフィルタの外周を囲むように形成されている。

また、図１１は、アクティブマトリクス型であってＩＰＳ型のＬＣＤに用いられる液晶表示パネル３０の基本構成を示すブロック回路図である。例えば、ＬＣＤのアレイ側基板３０ｂは、その上の第１の方向（例えば、行方向）に形成された複数本のゲート信号線３１（GL1，GL2，GL3・・・GLm）と、第１の方向と交差する第２の方向（例えば、列方向）にゲート信号線３１と交差させて形成された複数本の画像信号線（ソース信号線）３２（SL1，SL2，SL3・・・SLn）と、ゲート信号線３１と画像信号線３２の交差部に対応して配置された、ＴＦＴ３３、画素電極PE11,PE12,PE13・・・PEmn及びその画素電極PE11,PE12,PE13・・・PEmnとの間で液晶に印加する横電界等の電界を形成するための共通電極を含む画素部P11，P12，P13・・・Pmnと、共通電極に共通電圧（Vcom）を供給する共通電圧線３４と、を有する構成である。アレイ側基板３０ｂの液晶３８側の面におけるゲート信号線３１の入力端側にゲート信号線駆動回路３５が配置されており、画像信号線３２の入力端側に画像信号線駆動回路３６が配置されている。液晶３８が枠状のシール部材２０の内側に配置されている液晶配置部３９があり、液晶配置部３９の内部に画素部P11，P12，P13・・・Pmnを有する表示部３７ｄがあり、液晶配置部３９における表示部３７ｄとシール部材２０の間に非表示部３７ｎがある。アレイ側基板３０ｂの液晶３８側の面における液晶配置部３９の外側に、温度センサ４０が配置されている。なお、符号３０ａはカラーフィルタ側基板を示す。

温度センサ４０は、例えば、ＬＣＤを０℃以下等の低温環境下で使用すると液晶表示パネル３０の応答速度が遅くなる、動画解像度が低くなる等の問題点を解消するヒータを起動し制御する目的のために設けられる。また温度センサ４０は、温度によってＬＣＤの駆動電圧、駆動周波数を制御する目的で設けられる場合もある。

また、他の従来例として、ＴＦＴ基板上に、ｎチャネル型ＴＦＴとｐチャネル型ＴＦＴの両方から成るインバータの奇数個を配列したインバータ列を有するリングオシレータを具備し、そのリングオシレータを温度センサとして用いたＬＣＤが提案されている（例えば、特許文献１，２参照）。

図１２（ａ）は、温度センサとしてのリングオシレータのブロック回路図、（ｂ）はリングオシレータを構成するインバータの回路図である。リングオシレータ４０ｒは、奇数個のインバータ４１を直列的に接続して構成されており、最終段のインバータ４１の出力を１段目のインバータ４１に帰還入力することによって特定の周波数で自励発振する。リングオシレータ４０ｒの周波数は、リングオシレータ４０ｒを構成するＴＦＴの閾値電圧、電荷の移動度の温度特性に起因して、温度特性を有する。すなわち、温度によってリングオシレータ４０ｒの周波数は変動する。例えば、温度が上昇するとＴＦＴの閾値電圧が低下することによりＴＦＴのオン電流が増加するため、リングオシレータ４０ｒの周波数が高くなり、温度が下降するとＴＦＴの閾値電圧が上昇することによりＴＦＴのオン電流が減少するため、リングオシレータ４０ｒの周波数が低くなる。リングオシレータ４０ｒの周波数の温度特性を利用することによって、液晶表示パネル３０の温度を検出することができる。

図１２（ｂ）は、ｐチャネル型ＴＦＴ４１ｃａとｎチャネル型ＴＦＴ４１ｃｂとを組み合わせて構成されるＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）インバータ４１ｃを示す。ＣＭＯＳインバータ４１ｃは、例えば低温ポリシリコン（Low-temperature Poly Silicon：ＬＴＰＳ）から成る半導体層を用いて形成されたＴＦＴから構成される。

特開２０００−９５４７号公報 特開平２−１４７８２８号公報

上記従来のリングオシレータ４０ｒを用いた温度センサにおいては、以下の問題点があった。すなわち、リングオシレータ４０ｒは、それを構成するＴＦＴのオン電流の温度特性を利用している。オン電流は、ＴＦＴのゲートをオン状態としたとき、すなわちソース電極とドレイン電極との間を導通状態としたときに、ソース電極とドレイン電極との間を流れる電流である。一方、オフリーク電流は、ＴＦＴのゲートをオフ状態としたとき、すなわちソース電極とドレイン電極との間を非導通状態としたときに、ソース電極とドレイン電極との間を流れる微小な電流（漏れ電流）である。オン電流は温度に対して線形的に変化するが、オフリーク電流は温度に対して指数関数的に変化する。したがって、オン電流の温度変化による変化の度合い、すなわちオン電流の温度変化に対する感度は、オフリーク電流の温度変化に対する感度に比べて、きわめて低い（鈍い）という問題点があった。

本発明は、上記の問題点に鑑みて完成されたものであり、その目的は、温度変化に対する感度が高い温度検出回路とすることである。また、そのような良好な特性を有する温度検出回路を備えた液晶表示パネルを提供することである。

本発明の温度検出回路は、第１ソース電極が正電位の第１電源端子に接続されるとともに、第１ゲート電極が温度検出の開始を制御する第１ゲート制御端子に接続されており、第１ドレイン電極を有するｐチャネル薄膜トランジスタと、第２ソース電極が前記第１電源端子よりも電位が低い第２電源端子に接続され、第２ゲート電極がそれをオフ状態に保持する第２ゲート制御端子に接続されるとともに、第２ドレイン電極が前記第１ドレイン電極に接続されているｎチャネル薄膜トランジスタと、入力部が前記第１ドレイン電極と前記第２ドレイン電極との接続部に接続されるとともに、出力部が温度検出の停止を制御するための前記接続部の電位の反転信号を出力するインバータと、前記接続部と前記インバータとを接続する接続線に一方の容量電極が接続されるとともに、前記第２電源端子に他方の容量電極が接続されている容量素子と、を有している構成である。

本発明の温度検出回路は、好ましくは、前記インバータの前記出力部にシュミットトリガ回路が接続されている。

また本発明の温度検出回路は、好ましくは、前記容量素子の放電時間の長さを温度に変換する変換回路を有しており、前記変換回路は、前記第１ゲート制御端子にオフ信号が入力されて前記ｐチャネル薄膜トランジスタがオフ状態となる温度検出開始タイミングと、前記ｐチャネル薄膜トランジスタのオフ状態において、前記ｎチャネル薄膜トランジスタに流れるオフ電流によって前記容量素子に放電が生じて前記容量素子の電圧が降下し、前記電圧が前記インバータの論理閾値電圧以下になったときに前記出力部から前記反転信号が出力される温度検出停止タイミングと、を捉えて、前記温度検出開始タイミングと前記温度検出停止タイミングとの間の時間間隔を温度に変換する。

他の発明の温度検出回路は、第１ソース電極が正電位の第１電源端子に接続されるとともに、第１ゲート電極がそれをオフ状態に保持する第１ゲート制御端子に接続されており、第１ドレイン電極を有するｐチャネル薄膜トランジスタと、第２ソース電極が前記第１電源端子よりも電位が低い第２電源端子に接続され、第２ゲート電極が温度検出の開始を制御する第２ゲート制御端子に接続されるとともに、第２ドレイン電極が前記第１ドレイン電極に接続されているｎチャネル薄膜トランジスタと、入力部が前記第１ドレイン電極と前記第２ドレイン電極との接続部に接続されるとともに、出力部が温度検出の停止を制御するための前記接続部の電位の反転信号を出力するインバータと、前記接続部と前記インバータとを接続する接続線に一方の容量電極が接続されるとともに、前記第２電源端子に他方の容量電極が接続されている容量素子と、を有している構成である。

他の発明の温度検出回路は、好ましくは、前記インバータの前記出力部にシュミットトリガ回路が接続されている。

また他の発明の温度検出回路は、好ましくは、前記容量素子の充電時間の長さを温度に変換する変換回路を有しており、前記変換回路は、前記第２ゲート制御端子にオフ信号が入力されて前記ｎチャネル薄膜トランジスタがオフ状態となる温度検出開始タイミングと、前記ｎチャネル薄膜トランジスタのオフ状態において、前記ｐチャネル薄膜トランジスタに流れるオフ電流によって前記容量素子に充電が生じて前記容量素子の電圧が上昇し、前記電圧が前記インバータの論理閾値電圧以上になったときに前記出力部から前記反転信号が出力される温度検出停止タイミングと、を捉えて、前記温度検出開始タイミングと前記温度検出停止タイミングとの間の時間間隔を温度に変換する。

本発明の液晶表示パネルは、一対の基板と、前記一対の基板間に挟持される液晶と、を備えている液晶表示パネルであって、前記基板は、上記本発明の温度検出回路を有している構成である。

他の発明の液晶表示パネルは、一対の基板と、前記一対の基板間に挟持される液晶と、を備えている液晶表示パネルであって、前記基板は、上記他の発明の温度検出回路を有している構成である。

本発明の温度検出回路は、第１ソース電極が正電位の第１電源端子に接続されるとともに、第１ゲート電極が温度検出の開始を制御する第１ゲート制御端子に接続されており、第１ドレイン電極を有するｐチャネル薄膜トランジスタと、第２ソース電極が前記第１電源端子よりも電位が低い第２電源端子に接続され、第２ゲート電極がそれをオフ状態に保持する第２ゲート制御端子に接続されるとともに、第２ドレイン電極が前記第１ドレイン電極に接続されているｎチャネル薄膜トランジスタと、入力部が前記第１ドレイン電極と前記第２ドレイン電極との接続部に接続されるとともに、出力部が温度検出の停止を制御するための前記接続部の電位の反転信号を出力するインバータと、前記接続部と前記インバータとを接続する接続線に一方の容量電極が接続されるとともに、前記第２電源端子に他方の容量電極が接続されている容量素子と、を有している構成であることから、以下の効果を奏する。

ｎチャネル薄膜トランジスタのオフリーク電流は、温度が高くなると大きくなり、温度が低くなると小さくなる。また、ｎチャネル薄膜トランジスタに対して並列的に接続された容量素子の放電時間は、ｎチャネル薄膜トランジスタのオフリーク電流の大きさに反比例的に依存する。温度が高くなると、オフリーク電流が大きくなるので、容量素子の電荷が消失するに至る時間が短くなり、容量素子の放電時間は短くなる。温度が低くなると、オフリーク電流が小さくなるので、容量素子の電荷が消失するに至る時間が長くなり、容量素子の放電時間は長くなる。従って、温度変化に依存する容量素子の放電時間の長さを特定することによって、温度を検出することができる。これにより、オン電流よりも温度変化に対する変化の度合いがきわめて大きい、すなわち温度変化に対する感度がきわめて高い、温度に対して指数関数的に変化するオフリーク電流に基づいて、高感度の温度検出が可能となる。

本発明の温度検出回路は、インバータの出力部にシュミットトリガ回路が接続されている場合、インバータの反転信号の揺らぎが抑えられるので、より正確な温度検出ができる。すなわち、容量素子の一方の容量電極と接続線との接続点（ノードＡとする）の電位が、放電開始に伴って低下していき、インバータの論理閾値電圧（反転閾値電圧）よりも低い低電圧側の閾値電圧に到達したときに、インバータの出力は反転する。この反転タイミングを温度検出停止のタイミングとすることによって、インバータの反転信号の揺らぎによる反転タイミングの不安定性を解消することができる。

また本発明の温度検出回路は、前記容量素子の放電時間の長さを温度に変換する変換回路を有しており、前記変換回路は、前記第１ゲート制御端子にオフ信号が入力されて前記ｐチャネル薄膜トランジスタがオフ状態となる温度検出開始タイミングと、前記ｐチャネル薄膜トランジスタのオフ状態において、前記ｎチャネル薄膜トランジスタに流れるオフ電流によって前記容量素子に放電が生じて前記容量素子の電圧が降下し、前記電圧が前記インバータの論理閾値電圧以下になったときに前記出力部から前記反転信号が出力される温度検出停止タイミングと、を捉えて、前記温度検出開始タイミングと前記温度検出停止タイミングとの間の時間間隔を温度に変換する場合、温度に依存する上記オフ電流の大きさおよび容量素子の放電時間の長さを利用した、高感度の温度検出回路となる。

他の発明の温度検出回路は、第１ソース電極が正電位の第１電源端子に接続されるとともに、第１ゲート電極がそれをオフ状態に保持する第１ゲート制御端子に接続されており、第１ドレイン電極を有するｐチャネル薄膜トランジスタと、第２ソース電極が前記第１電源端子よりも電位が低い第２電源端子に接続され、第２ゲート電極が温度検出の開始を制御する第２ゲート制御端子に接続されるとともに、第２ドレイン電極が前記第１ドレイン電極に接続されているｎチャネル薄膜トランジスタと、入力部が前記第１ドレイン電極と前記第２ドレイン電極との接続部に接続されるとともに、出力部が温度検出の停止を制御するための前記接続部の電位の反転信号を出力するインバータと、前記接続部と前記インバータとを接続する接続線に一方の容量電極が接続されるとともに、前記第２電源端子に他方の容量電極が接続されている容量素子と、を有している構成であることから、以下の効果を奏する。

ｐチャネルＴＦＴのオフリーク電流は、温度が高くなると大きくなり、温度が低くなると小さくなる。また、ｎチャネルＴＦＴに対して並列的に接続された容量素子の充電時間は、ｐチャネルＴＦＴのオフリーク電流の大きさに反比例的に依存する。温度が高くなると、オフリーク電流が大きくなるので、容量素子の電荷が上限まで蓄積されるに至る時間が短くなり、容量素子の充電時間は短くなる。温度が低くなると、オフリーク電流が小さくなるので、容量素子の電荷が上限まで蓄積されるに至る時間が長くなり、容量素子の充電時間は長くなる。従って、温度変化に依存する容量素子の充電時間の長さを特定することによって、温度を検出することができる。これにより、オン電流よりも温度変化に対する変化の度合いがきわめて大きい、すなわち温度変化に対する感度がきわめて高い、温度に対して指数関数的に変化するオフリーク電流に基づいて、高感度の温度検出が可能となる。

他の発明の温度検出回路は、インバータの出力部にシュミットトリガ回路が接続されている場合、インバータの反転信号の揺らぎが抑えられるので、より正確な温度検出ができる。すなわち、容量素子の一方の容量電極と接続線との接続点（ノードＡとする）の電位が、充電開始に伴って上昇していき、インバータの論理閾値電圧よりも高い高電圧側の閾値電圧に到達したときに、インバータの出力は反転する。この反転タイミングを温度検出停止のタイミングとすることによって、インバータの反転信号の揺らぎによる反転タイミングの不安定性を解消することができる。

また他の発明の温度検出回路は、前記容量素子の充電時間の長さを温度に変換する変換回路を有しており、前記変換回路は、前記第２ゲート制御端子にオフ信号が入力されて前記ｎチャネル薄膜トランジスタがオフ状態となる温度検出開始タイミングと、前記ｎチャネル薄膜トランジスタのオフ状態において、前記ｐチャネル薄膜トランジスタに流れるオフ電流によって前記容量素子に充電が生じて前記容量素子の電圧が上昇し、前記電圧が前記インバータの論理閾値電圧以上になったときに前記出力部から前記反転信号が出力される温度検出停止タイミングと、を捉えて、前記温度検出開始タイミングと前記温度検出停止タイミングとの間の時間間隔を温度に変換する場合、温度に依存する上記オフ電流の大きさおよび容量素子の充電時間の長さを利用した、高感度の温度検出回路となる。

本発明の液晶表示パネルは、一対の基板と、前記一対の基板間に挟持される液晶と、を備えている液晶表示パネルであって、前記基板は、上記本発明の温度検出回路を有している構成であることから、高感度の温度検出が可能な温度検出回路を有する液晶表示パネルとなる。

他の発明の液晶表示パネルは、一対の基板と、前記一対の基板間に挟持される液晶と、を備えている液晶表示パネルであって、前記基板は、上記他の発明の温度検出回路を有している構成であることから、高感度の温度検出が可能な温度検出回路を有する液晶表示パネルとなる。

図１は、本発明の温度検出回路について実施の形態の１例を示す図であり、温度検出回路の回路図である。 図２（ａ），（ｂ）は、本発明の温度検出回路の動作を説明する図であり、（ａ）は温度検出動作を説明するためのタイミングチャート、（ｂ）はｎチャネル薄膜トランジスタのオフリーク電流と容量素子の放電時間のそれぞれの温度依存性を説明するためのグラフである。 図３は、本発明の温度検出回路を用いた温度モニター回路の基本構成を示す図であり、温度モニター回路の１例のブロック回路図である。 図４は、本発明の温度検出回路について実施の形態の他例を示す図であり、温度検出回路の回路図である。 図５は、本発明の温度検出回路について実施の形態の他例を示す図であり、温度検出回路の回路図である。 図６（ａ），（ｂ）は、他の発明の温度検出回路について実施の形態の一例を示す図であり、（ａ）は温度検出回路の回路図、（ｂ）は温度検出動作を説明するためのタイミングチャートである。 図７は、本発明の液晶表示パネルについて実施の形態の一例を示す図であり、本発明の温度検出回路が基板のシール部材の外側に配置されている液晶表示パネルの平面図である。 図８は、本発明の液晶表示パネルについて実施の形態の他例を示す図であり、本発明の温度検出回路の複数が、基板のシール部材の外側に配置されている液晶表示パネルの平面図である。 図９は、本発明の液晶表示パネルについて実施の形態の他例を示す図であり、温度検出回路におけるｎチャネル薄膜トランジスタが、シール部材の内側の基板の部位に液晶に接して配置されており、ｎチャネル薄膜トランジスタ以外の部位が、シール部材の外側の基板の部位に配置されている構成である液晶表示パネルの平面図である。 図１０は、本発明の液晶表示パネルについて実施の形態の他例を示す図であり、図９の構成を有する本発明の温度検出回路の複数が、基板に配置されている液晶表示パネルの平面図である。 図１１は、従来の液晶表示パネルの平面図である。 図１２（ａ），（ｂ）は、従来の温度センサの図であり、（ａ）は温度センサとしてのリングオシレータのブロック回路図、（ｂ）はリングオシレータを構成するインバータの回路図である。

以下、本発明の温度検出回路および液晶表示パネルの実施の形態について、図面を参照しながら説明する。但し、以下で参照する各図は、本発明の温度検出回路および液晶表示パネルの実施の形態における構成部材のうち、本発明の温度検出回路および液晶表示パネルを説明するための主要部を示している。従って、本発明に係る温度検出回路および液晶表示パネルは、図に示されていない回路基板、配線導体、制御ＩＣ，ＬＳＩ等の周知の構成部材を備えていてもよい。

図１は、本発明の温度検出回路について実施の形態の１例を示す図であり、温度検出回路の回路図である。本発明の温度検出回路１０は、図１に示すように、第１ソース電極１ａｓが正電位の第１電源端子（ＶＤで示す。例えば、３Ｖ〜５Ｖの電位である。）に接続されるとともに、第１ゲート電極１ａｇが温度検出の開始を制御する第１ゲート制御端子（ＴＲＩＧで示す。例えば、０Ｖで第１ゲート電極１ａｇをオン状態とし、３Ｖ〜５Ｖで第１ゲート電極１ａｇをオフ状態とする。）に接続されており、第１ドレイン電極１ａｄを有するｐチャネルＴＦＴ１ａと、第２ソース電極１ｂｓが第１電源端子ＶＤよりも電位が低い第２電源端子（ＶＳで示す。例えば、０Ｖの電位である。）に接続され、第２ゲート電極１ｂｇがそれをオフ状態に保持する第２ゲート制御端子（ＶＧで示す。ＶＳより低い電位である場合に第２ゲート電極１ｂｇをオフ状態とする。）に接続されるとともに、第２ドレイン電極１ｂｄが第１ドレイン電極１ａｄに接続されているｎチャネルＴＦＴ１ｂと、入力部３ｉが第１ドレイン電極１ａｄと第２ドレイン電極１ｂｄとの接続部１ａｂｓに接続されるとともに、出力部３ｏが温度検出の停止を制御するための接続部１ａｂｓの電位の反転信号を出力するインバータ３と、接続部１ａｂｓとインバータ３とを接続する第１接続線１１に一方の容量電極２ａが接続されるとともに、第２電源端子ＶＳに他方の容量電極２ｂが接続されている容量素子２と、を有している構成である。なお、インバータ３の出力部３ｏは出力端子（ＯＵＴで示す。）に接続されている。上記の構成により、以下の効果を奏する。

図２（ｂ）のグラフに示すように、ｎチャネルＴＦＴ１ｂのオフリーク電流（Ｉｏｆｆ）は、温度が高くなると大きくなり、温度が低くなると小さくなる。また、ｎチャネルＴＦＴ１ｂに対して並列的に接続された容量素子２の放電時間は、ｎチャネルＴＦＴ１ｂのオフリーク電流（Ｉｏｆｆ）の大きさに反比例的に依存する。温度が高くなると、オフリーク電流（Ｉｏｆｆ）が大きくなるので、容量素子２の電荷が消失するに至る時間が短くなり、容量素子２の放電時間は短くなる。温度が低くなると、オフリーク電流（Ｉｏｆｆ）が小さくなるので、容量素子２の電荷が消失するに至る時間が長くなり、容量素子２の放電時間は長くなる。従って、温度変化に依存する容量素子２の放電時間の長さを特定することによって、温度を検出することができる。これにより、オン電流よりも温度変化に対する変化の度合いがきわめて大きい、すなわち温度変化に対する感度がきわめて高い、温度に対して指数関数的に変化するオフリーク電流に基づいて、高感度の温度検出が可能となる。なお、容量素子２の容量は、例えば０．１ｐＦ（ピコファラッド）程度である。

図２（ａ）は温度検出動作を説明するためのタイミングチャートである。第１ゲート制御端子（ＴＲＩＧ）は、まず例えば０Ｖが入力されており、ロー（Ｌ）状態である。このとき、第１ゲート電極１ａｇはオン状態とされおり、接続部１ａｂｓの電位（ノードＡ（ＮＯＤＥ−Ａ）の電位と同じ電位である）は第１電源端子（ＶＤ）の電位である３Ｖ〜５Ｖとなっている。この状態は、温度検出が停止されている状態である。

次に、第１ゲート制御端子（ＴＲＩＧ）に、ハイ（Ｈ）の信号である３Ｖ〜５Ｖの電位の信号（オフ信号であり、温度検出開始信号である）を入力すると、第１ゲート電極１ａｇはオフ状態となる。このとき、ノードＡの電位は、ｎチャネルＴＦＴ１ｂのオフリーク電流によって低下し始める。このタイミングが、温度検出開始タイミングｔ１となる。

次に、ノードＡの電位がインバータ３の論理閾値電圧（Ｖｔｈ）であるＨ／２（１．５Ｖ〜２．５Ｖ）に達すると、インバータ３の出力信号の電位がロー（Ｌ：０Ｖ）からハイ（Ｈ：３Ｖ〜５Ｖ）に反転する。インバータ３の反転信号（温度検出停止信号である）が出力されるタイミングが、温度検出停止タイミングｔ２となる。ｔ１に対するｔ２の時間の遅れ（delay time）、すなわちｔ１とｔ２との間の時間間隔を、温度検出のための容量素子２の放電時間とする。この放電時間の長さを検出温度として特定する。放電時間の長さは、例えば単位時間当たりのパルスカウント数が一定とされたパルスカウンタによって計数する手段等によって、特定することができる。例えば、パルスカウンタにタイミングｔ１の信号が入力されたらパルスカウントを開始し、パルスカウンタにタイミングｔ２の信号が入力されたらパルスカウントを停止する。そして、計数されたパルスカウント数によって温度を特定する。

なお、インバータ３は、ｐチャネルＴＦＴ３ａとｎチャネルＴＦＴ３ｂとから構成されており、ｐチャネルＴＦＴ３ａのゲート電極とｎチャネルＴＦＴ３ｂのゲート電極が共通接続され、ｐチャネルＴＦＴ３ａのドレイン電極とｎチャネルＴＦＴ３ｂのドレイン電極が共通接続されている。ゲート電極の共通接続部に第１接続線１１が接続され、ドレイン電極の共通接続部が出力端子ＯＵＴに接続されている。

本発明の温度検出回路１０は、図３に示すように、容量素子２の放電時間の長さを温度に変換するための、パルスカウンタ５３と温度データ出力回路５４と温度データテーブル５５を備えた変換回路５７を有していることが好ましい。この変換回路５７は、第１ゲート制御端子ＴＲＩＧにオフ信号が入力されてｐチャネルＴＦＴ１ａがオフ状態となる温度検出開始タイミングｔ１と、ｐチャネルＴＦＴ１ａのオフ状態において、ｎチャネルＴＦＴ１ｂのチャネル部に流れるオフ電流によって容量素子２に放電が生じて容量素子２の容量電極間の電圧が降下し、その電圧がインバータ３の論理閾値電圧Ｈ／２以下になったときに出力部３ｏから反転信号が出力される温度検出停止タイミングｔ２と、を捉えて、温度検出開始タイミングｔ１と温度検出停止タイミングｔ２との間の時間間隔を温度に変換する。これにより、温度に依存するオフ電流の大きさおよび容量素子２の放電時間の長さを利用した、高感度の温度検出回路１０となる。変換回路５７は、温度検出開始タイミングｔ１を規定する上記オフ信号（温度検出開始信号）と、温度検出停止タイミングｔ２を規定する上記反転信号（温度検出停止信号）とが、入力される。

図３は、本発明の変換回路５７を有する温度検出回路１０を含む温度モニター回路の１例のブロック回路図である。温度モニター回路６０は、温度センサとしての温度検出回路１０に電源電圧ＶＤ，ＶＳを供給する電源回路５１と、温度検出回路１０の温度検出の開始を制御する動作制御回路５２と、温度検出回路１０から出力された放電時間に相当するパルス数を計数するパルスカウンタ５３と、パルスカウント数に対応する温度データを格納した温度データテーブル５５の温度データと実際のパルスカウント数とを対比して温度を確定し出力する温度データ出力回路５４と、を有する。そして、温度データ出力回路５４から出力された温度データは、ヒータの電源をオン、オフしたり電源電圧を制御するヒータ電源制御回路５６に出力される。なお動作制御回路５２は、一連の温度検出の動作が終了して温度検出動作を行わない期間となったときには、温度検出回路１０を温度検出停止状態にする。すなわち、第１ゲート制御端子ＴＲＩＧにロー（Ｌ）の信号である０Ｖの電位の信号（オン信号）を入力した状態とする。

パルスカウンタ５３は、動作制御回路５２から入力された温度検出開始タイミングｔ１と、温度検出回路１０の出力端子ＯＵＴから入力された温度検出停止タイミングｔ２との間の時間間隔を、パルスカウントし、そのパルスカウント数を温度データ出力回路５４に出力する。

図１に示す本発明の温度検出回路において、ｎチャネルＴＦＴ１ｂのサイズがｐチャネルＴＦＴ１ａのサイズよりも大きいことが良い。換言すると、ｎチャネルＴＦＴ１ｂのチャネル部のオフ抵抗がｐチャネルＴＦＴ１ａのチャネル部のオフ抵抗よりも小さいことが良い。この場合、温度検出時にｎチャネルＴＦＴ１ｂのオフリーク電流にｐチャネルＴＦＴ１ｂのオフリーク電流が加わって、接続部１ａｂｓおよびノードＡの電位が降下しにくくなることを抑えることができる。すなわち、温度検出時に接続部１ａｂｓおよびノードＡの電位が降下しやすくなり、温度検出が容易になる。

図４は、本発明の温度検出回路について実施の形態の他例を示す図であり、公知のシュミットトリガ回路を有する温度検出回路の回路図である。図４に示すように、インバータ３の出力部３ｏにシュミットトリガ回路９が接続されていること、すなわちインバータ３の出力部３ｏと出力端子ＯＵＴとを接続する第２接続線１２上にシュミットトリガ回路９が配置されていることが好ましい。この場合、出力端子ＯＵＴから出力されるインバータ３の反転信号の揺らぎが抑えられるので、より正確な温度検出ができる。すなわち、容量素子２の一方の容量電極２ａと第１接続線１１との接続点であるノードＡの電位が、放電開始に伴って低下していき、インバータ３の論理閾値電圧Ｖｔｈよりも低い低電圧側の閾値電圧（Ｖｔｈ−Δｖ）（Δｖは、０．２Ｖ〜０．３Ｖ程度である）に到達したときに、インバータ３の出力は反転する。これにより、インバータ３の出力の反転が再反転すること、すなわち反転信号が揺らぐこと、を確実に防ぐことができる。この反転タイミングを温度検出停止タイミングとすることによって、反転信号の揺らぎによる反転タイミングの不安定性を解消することができる。なお、ここに示したシュミットトリガ回路９は一例を示しているに過ぎす、他のシュミットトリガ回路の適用も可能である。

図４のシュミットトリガ回路９は、ｐチャネルＴＦＴ４ａ、ｎチャネルＴＦＴ４ｄ、ｐチャネルＴＦＴ４ｂ、ｎチャネルＴＦＴ４ｃ、ｐチャネルＴＦＴ５ａ、ｎチャネルＴＦＴ５ｂを有して構成されている。これらのうち、ｐチャネルＴＦＴ４ｂとｎチャネルＴＦＴ４ｃは、逆方向に接続されたインバータ４を構成しており、ｐチャネルＴＦＴ５ａとｎチャネルＴＦＴ５ｂは、順方向に接続されたインバータ５を構成している。

図５は、本発明の温度検出回路について実施の形態の他例を示す図であり、はシュミットトリガ回路および他のインバータを有する温度検出回路の回路図である。図５に示すように、シュミットトリガ回路９と出力端子ＯＵＴとの間の第２接続線１２上の部位１２ｂに、他のインバータ６，７，８が配置されており、他のインバータ６，７，８は、それぞれのサイズがインバータ３のサイズよりも大きいことが好ましい。この場合、出力端子ＯＵＴに接続された外部の信号ケーブル等の負荷容量の影響を抑えて、外部の信号ケーブル等に出力されたインバータ３の反転信号が負荷容量によって鈍るのを抑えることができる。なお、インバータのサイズは、そのインバータの負荷容量の大きさに比例するものであり、インバータのサイズを大きくすることによって、インバータの負荷容量と外部の信号ケーブル等の負荷容量との整合を行うことができる。図５において、符号１２ａは、インバータ３とシュミットトリガ回路９との間の第２接続線１２上の部位である。

また、他のインバータ６，７，８は、それらのサイズが出力端子ＯＵＴの側にあるものほど順次より大きくなっていることが好ましい。他のインバータ６，７，８のそれぞれのサイズが同程度である場合、インバータ３のサイズと他のインバータ６，７，８のそれぞれのサイズとの差が大きくなるために、シュミットトリガ回路９から出力されたインバータ３の反転信号が、出力端子ＯＵＴに到達する前に、鈍りやすくなる傾向がある。他のインバータ６，７，８は、それらのサイズが出力端子ＯＵＴの側にあるものほど順次より大きくなっている場合、上記の事象が発生することを抑えることができる。例えば、インバータ６のサイズがインバータ３のサイズの３倍乃至６倍程度であり、インバータ７のサイズがインバータ６のサイズの３倍乃至６倍程度であり、インバータ８のサイズがインバータ７のサイズの３倍乃至６倍程度であるように構成する。すなわち、他のインバータ６，７，８のそれぞれのサイズを、直前のインバータのサイズの３倍乃至６倍程度の倍率で順次増加させる構成を繰り返す。インバータのサイズの倍率は、より好ましくは、４倍程度が良い。

図５の温度検出回路１００において、インバータ３と同様に、インバータ６はｐチャネルＴＦＴ６ａおよびｎチャネルＴＦＴ６ｂから構成され、インバータ７はｐチャネルＴＦＴ７ａおよびｎチャネルＴＦＴ７ｂから構成され、インバータ８はｐチャネルＴＦＴ８ａおよびｎチャネルＴＦＴ８ｂから構成されている。

図６（ａ），（ｂ）は、他の発明の温度検出回路について実施の形態の他例を示す図であり、（ａ）は温度検出回路の回路図、（ｂ）は温度検出動作を説明するためのタイミングチャートである。他の発明の温度検出回路１０ｂは、図６（ａ）に示すように、第１ソース電極１ａｓが正電位の第１電源端子（ＶＤで示す。例えば、３Ｖ〜５Ｖの電位である。）に接続されるとともに、第１ゲート電極１ａｇがそれをオフ状態に保持する第１ゲート制御端子（ＶＧで示す。例えば、３Ｖ〜５Ｖで第１ゲート電極１ａｇをオフ状態とする。）に接続されており、第１ドレイン電極１ａｄを有するｐチャネルＴＦＴ１ａと、第２ソース電極１ｂｓが第１電源端子ＶＤよりも電位が低い第２電源端子（ＶＳで示す。例えば、０Ｖの電位である。）に接続され、第２ゲート電極１ｂｇが温度検出の開始を制御する第２ゲート制御端子（ＶＧで示す。３Ｖ〜５Ｖで第２ゲート電極１ｂｇをオン状態とし、ＶＳより低い電位である場合に第２ゲート電極１ｂｇをオフ状態とする。）に接続されるとともに、第２ドレイン電極１ｂｄが第１ドレイン電極１ａｄに接続されているｎチャネルＴＦＴ１ｂと、入力部３ｉが第１ドレイン電極１ａｄと第２ドレイン電極１ｂｄとの接続部１ａｂｓに接続されるとともに、出力部３ｏが温度検出の停止を制御するための接続部１ａｂｓの電位の反転信号を出力するインバータ３と、接続部１ａｂｓとインバータ３とを接続する第１接続線１１に一方の容量電極２ａが接続されるとともに、第２電源端子ＶＳに他方の容量電極２ｂが接続されている容量素子２と、を有している構成である。この構成により、以下の効果を奏する。

ｐチャネルＴＦＴ１ａのオフリーク電流（Ｉｏｆｆ）は、温度が高くなると大きくなり、温度が低くなると小さくなる。また、ｎチャネルＴＦＴ１ｂに対して並列的に接続された容量素子２の充電時間は、ｐチャネルＴＦＴ１ａのオフリーク電流（Ｉｏｆｆ）の大きさに反比例的に依存する。温度が高くなると、オフリーク電流（Ｉｏｆｆ）が大きくなるので、容量素子２の電荷が上限まで蓄積されるに至る時間が短くなり、容量素子２の充電時間は短くなる。温度が低くなると、オフリーク電流（Ｉｏｆｆ）が小さくなるので、容量素子２の電荷が上限まで蓄積されるに至る時間が長くなり、容量素子２の充電時間は長くなる。従って、温度変化に依存する容量素子２の充電時間の長さを特定することによって、温度を検出することができる。これにより、オン電流よりも温度変化に対する変化の度合いがきわめて大きい、すなわち温度変化に対する感度がきわめて高い、温度に対して指数関数的に変化するオフリーク電流に基づいて、高感度の温度検出が可能となる。

図６（ｂ）は温度検出動作を説明するためのタイミングチャートである。第２ゲート制御端子（ＴＲＩＧ）は、まず例えば３Ｖ〜５Ｖが入力されており、ハイ（Ｈ）状態である。このとき、第２ゲート電極１ｂｇはオン状態とされおり、ノードＡ（ＮＯＤＥ−Ａ）の電位は第２電源端子（ＶＳ）の電位である０Ｖとなっている。この状態は、温度検出が停止されている状態である。

次に、第２ゲート制御端子（ＴＲＩＧ）に、ロー（Ｌ）の信号である０Ｖの電位の信号（オフ信号であり、温度検出開始信号である）を入力すると、第２ゲート電極１ｂｇはオフ状態となる。このとき、ノードＡの電位は、ｐチャネルＴＦＴ１ａのオフリーク電流によって上昇し始める。このタイミングが、温度検出開始タイミングｔ１となる。

次に、ノードＡの電位がインバータ３の論理閾値電圧（Ｖｔｈ）であるＨ／２（１．５Ｖ〜２．５Ｖ）に達すると、インバータ３の出力信号の電位がハイ（Ｈ：３Ｖ〜５Ｖ）からロー（Ｌ：０Ｖ）に反転する。インバータ３の反転信号（温度検出停止信号である）が出力されるタイミングが、温度検出停止タイミングｔ２となる。ｔ１に対するｔ２の時間の遅れ（delay time）、すなわちｔ１とｔ２との間の時間間隔を、温度検出のための容量素子２の充電時間とする。この充電時間の長さを検出温度として特定する。充電時間の長さは、例えば単位時間当たりのパルスカウント数が一定とされたパルスカウンタによって計数する手段等によって、特定することができる。

なお、図６（ａ）の構成の温度検出回路１０ｂについても図４、図５の構成を採用することができる。例えば、図４の構成を採用した場合、容量素子２の一方の容量電極２ａと第１接続線１１との接続点であるノードＡの電位が、充電開始に伴って上昇していき、インバータ３の論理閾値電圧Ｖｔｈよりも高い高電圧側の閾値電圧（Ｖｔｈ＋Δｖ）（Δｖは、０．２Ｖ〜０．３Ｖ程度である）に到達したときに、インバータ３の出力は反転する。これにより、インバータ３の出力の反転が再反転すること、すなわちインバータ３の反転信号が揺らぐこと、を確実に防ぐことができる。

また図６（ａ）の構成の温度検出回路１０ｂは、図３に示す変換回路５７を有していてもよい。この場合、変換回路５７は、第２ゲート制御端子ＴＲＩＧにオフ信号が入力されてｎチャネルＴＦＴ１ｂがオフ状態となる温度検出開始タイミングｔ１と、ｎチャネルＴＦＴ１ｂのオフ状態において、ｐチャネルＴＦＴ１ａのチャネル部に流れるオフ電流によって容量素子２に充電が生じて容量素子２の容量電極間の電圧が上昇し、その電圧がインバータ３の論理閾値電圧Ｈ／２以上になったときに出力部３ｏから反転信号が出力される温度検出停止タイミングｔ２と、を捉えて、温度検出開始タイミングｔ１と温度検出停止タイミングｔ２との間の時間間隔を温度に変換する。これにより、温度に依存するオフ電流の大きさおよび容量素子２の放電時間の長さを利用した、高感度の温度検出回路１０となる。

図７〜図１０は、本発明の液晶表示パネルについて実施の形態の各種例を示す図であり、本発明の温度検出回路を有する液晶表示パネルの平面図である。これらの図において、従来の液晶表示パネルを示す図１１と同じ部位には同じ符号を付しており、それらの詳細な説明は省略する。本発明および他の発明の液晶表示パネルは、それを構成する基板に温度検出回路が配置されている構成である。図７の液晶表示パネルは、温度検出回路が基板のシール部材の外側に配置されている好適な構成である。

図７に示すように、本発明の液晶表示パネル３０１は、一対の基板３０ａ，３０ｂと、一対の基板３０ａ，３０ｂ間に挟持される液晶３８と、一対の基板３０ａ，３０ｂ間において液晶３８を取り囲むシール部材２０と、を有している液晶表示パネル３０１である。基板３０ａはカラーフィルタ側基板であり、基板３０ｂはアレイ側基板である。そして、アレイ側基板３０ｂは、シール部材２０よりも平面視で外側に温度検出回路１００が配置されており、温度検出回路１００は、第１ソース電極１ａｓが正電位の第１電源端子ＶＤに接続されるとともに、第１ゲート電極１ａｇが温度検出の開始を制御する第１ゲート制御端子ＴＲＩＧに接続されており、第１ドレイン電極１ａｄを有するｐチャネルＴＦＴ１ａと、第２ソース電極１ｂｓが第１電源端子ＶＤよりも電位が低い第２電源端子ＶＳに接続され、第２ゲート電極１ｂｇがそれをオフ状態に保持する第２ゲート制御端子ＶＧに接続されるとともに、第２ドレイン電極１ｂｄが第１ドレイン電極１ａｄに接続されているｎチャネルＴＦＴ１ｂと、入力部３ｉが第１ドレイン電極１ａｄと第２ドレイン電極１ｂｄとの接続部１ａｂｓに接続されるとともに、出力部３ｏが温度検出の停止を制御するための接続部１ａｂｓの電位の反転信号を出力するインバータ３と、接続部１ａｂｓとインバータ３とを接続する第１接続線１１に一方の容量電極２ａが接続されるとともに、第２電源端子ＶＳに他方の容量電極２ｂが接続されている容量素子２と、を有している構成である。この構成により、高感度の温度検出が可能な温度検出回路１００を有する液晶表示パネル３０１となる。

温度検出回路１００は、例えばアレイ側基板３０ｂの液晶３８側の面に配置されるが、アレイ側基板３０ｂの液晶３８側の面と反対側の面に配置されていてもよい。また温度検出回路１００は、例えばカラーフィルタ側基板３０ａの液晶３８側の面に配置されていてもよく、あるいはカラーフィルタ側基板３０ａの液晶３８側の面と反対側の面に配置されていてもよい。なお、図７の温度検出回路１００は、シュミットトリガ回路９を有する好適な構成であり、また図３に示す変換回路５７を有する構成であってもよい。

図７の構成において、温度検出回路１００は、図６（ａ）に示した以下の構成であってもよい。すなわち温度検出回路１００は、第１ソース電極１ａｓが正電位の第１電源端子ＶＤに接続されるとともに、第１ゲート電極１ａｇがそれをオフ状態に保持する第１ゲート制御端子ＶＧに接続されており、第１ドレイン電極１ａｄを有するｐチャネルＴＦＴ１ａと、第２ソース電極１ｂｓが第１電源端子ＶＤよりも電位が低い第２電源端子ＶＳに接続され、第２ゲート電極１ｂｇが温度検出の開始を制御する第２ゲート制御端子ＶＧに接続されるとともに、第２ドレイン電極１ｂｄが第１ドレイン電極１ａｄに接続されているｎチャネルＴＦＴ１ｂと、を有する構成である。

図８は、本発明の液晶表示パネルについて実施の形態の他例を示す図であり、本発明の温度検出回路の複数が、基板のシール部材の外側に配置されている液晶表示パネルの平面図である。すなわち、４つの温度検出回路１００ａ，１００ｂ，１００ｃ，１００ｄが、矩形状のアレイ側基板３０ｂの液晶３８側の面における４隅部にそれぞれ１つずつ配置されている構成である。この場合、液晶表示パネル３０２における温度の偏りを検出することができ、液晶表示パネル３０２の温度の偏りを解消するように温度制御することが可能となる。なお、図８の温度検出回路１００ａ〜１００ｄはそれぞれ、シュミットトリガ回路９を有する好適な構成であり、また図３に示す変換回路５７を有する構成であってもよい。

図９は、本発明の液晶表示パネルについて実施の形態の他例を示す図であり、温度検出回路１００におけるｎチャネルＴＦＴ１ｂが、シール部材２０の内側の基板３０ｂの部位に液晶３８に接して配置されており、ｎチャネルＴＦＴ１ｂ以外の部位が、シール部材２０の外側の基板３０ｂの部位に配置されている構成である液晶表示パネル３０３の平面図である。なお、図９の温度検出回路１００は、シュミットトリガ回路９を有する好適な構成であり、また図３に示す変換回路５７を有する構成であってもよい。

図９に示すように、本発明の液晶表示パネル３０３は、一対の基板３０ａ，３０ｂと、一対の基板３０ａ，３０ｂ間に挟持される液晶３８と、一対の基板３０ａ，３０ｂ間において液晶３８を取り囲むシール部材２と、を有している液晶表示パネル３０３であって、基板３０ｂは、温度検出回路１００が配置されており、温度検出回路１００は、第１ソース電極１ａｓが正電位の第１電源端子ＶＤに接続されるとともに、第１ゲート電極１ａｇが温度検出の開始を制御する第１ゲート制御端子ＴＲＩＧに接続されており、第１ドレイン電極１ａｄを有するｐチャネルＴＦＴ１ａと、第２ソース電極１ｂｓが第１電源端子ＶＤよりも電位が低い第２電源端子ＶＳに接続され、第２ゲート電極１ｂｇがそれをオフ状態に保持する第２ゲート制御端子ＶＧに接続されるとともに、第２ドレイン電極１ｂｄが第１ドレイン電極１ａｄに接続されているｎチャネルＴＦＴ１ｂと、入力部３ｉが第１ドレイン電極１ａｄと第２ドレイン電極１ｂｄとの接続部１ａｂｓに接続されるとともに、出力部３ｏが温度検出の停止を制御するための接続部１ａｂｓの電位の反転信号を出力するインバータ３と、接続部１ａｂｓとインバータ３とを接続する第１接続線１１に一方の容量電極２ａが接続されるとともに、第２電源端子ＶＳに他方の容量電極２ｂが接続されている容量素子２と、を有している構成であり、ｎチャネルＴＦＴ１ｂは、シール部材２０の内側のアレイ側基板３０ｂの部位に液晶３８に接して配置されており、ｎチャネルＴＦＴ１ｂ以外の部位は、シール部材２の外側のアレイ側基板３０ｂの部位に配置されている構成である。この構成により、微小なオフリーク電流が流れるｎチャネルＴＦＴ１ｂが液晶３８に接して配置されることとなる。その結果、液晶３８の温度をより高感度に検出できる温度検出回路１００を有する液晶表示パネル３０３となる。

図１０は、本発明の液晶表示パネルについて実施の形態の他例を示す図であり、図９の構成を有する本発明の温度検出回路の複数が、基板に配置されている液晶表示パネルの平面図である。すなわち、４つの温度検出回路１００ａ，１００ｂ，１００ｃ，１００ｄが、矩形状のアレイ側基板３０ｂの液晶３８側の面における４隅部にそれぞれ１つずつ配置されている構成である。この場合、液晶表示パネル３０４における温度の偏りを検出することができ、液晶表示パネル３０４の温度の偏りを解消するように温度制御することが可能となる。なお、図１０の温度検出回路１００ａ〜１００ｄのそれぞれは、シュミットトリガ回路９を有する好適な構成であり、また図３に示す変換回路５７を有する構成であってもよい。

本発明の温度検出回路は、図９、図１０に示すように、その少なくとも一部が液晶表示パネルのシール部材２０に平面視で重なった状態で配置されていてもよい。温度検出回路は、低温ポリシリコン（Low-temperature Poly Silicon ：LTPS）から成る半導体層を有するＴＦＴを備えた構成とすれば、ＣＶＤ法等の薄膜形成法によってきわめて薄いものとして形成できる。その場合、温度検出回路がシール部材２０に重なっていたとしても、そのシール性を損なうことはない。

また図７〜図１０に示す温度検出回路１００，１００ａ〜１００ｄは、図６（ａ）に示す構成のものであってもよい。

なお、本発明の液晶表示パネルは、上記実施の形態に限定されるものではなく、適宜の設計的な変更、改良が施されていてもよい。

本発明のアクティブマトリクス型の液晶表示パネルを有するＬＣＤは各種の電子機器に適用できる。その電子機器としては、自動車経路誘導システム（カーナビゲーションシステム）、船舶経路誘導システム、航空機経路誘導システム、スマートフォン端末、携帯電話、タブレット端末、パーソナルデジタルアシスタント（ＰＤＡ）、ビデオカメラ、デジタルスチルカメラ、電子手帳、電子書籍、電子辞書、パーソナルコンピュータ、複写機、ゲーム機器の端末装置、テレビジョン、商品表示タグ、価格表示タグ、産業用のプログラマブル表示装置、カーオーディオ、デジタルオーディオプレイヤー、ファクシミリ、プリンター、現金自動預け入れ払い機（ＡＴＭ）、自動販売機、ヘッドアップディスプレイ装置、プロジェクタ装置、デジタル表示式腕時計、スマートウォッチなどがある。

１ａ ｐチャネルＴＦＴ
１ａｂｓ 接続部
１ａｄ 第１ドレイン電極
１ａｇ 第１ゲート電極
１ａｓ 第１ソース電極
１ｂ ｎチャネルＴＦＴ
１ｂｄ 第２ドレイン電極
１ｂｇ 第２ゲート電極
１ｂｓ 第２ソース電極
２ 容量素子
２ａ 一方の容量電極
２ｂ 他方の容量電極
３ インバータ
３ｉ 入力部
３ｏ 出力部
６，７，８ 他のインバータ
９ シュミットトリガ回路
１０，１０ａ，１０ｂ 温度検出回路
１１ 第１接続線
１２ 第２接続線
２０ シール部材
３１ ゲート信号線
３２ 画像信号線
３３ ＴＦＴ
３４ 共通電極線
３５ ゲート信号線駆動回路
３６ 画像信号線駆動回路
３７ｄ 表示部
３７ｎ 非表示部
３８ 液晶
３９ 液晶配置部
５７ 変換回路
１００，１００ａ，１００ｂ，１００ｃ，１００ｄ 温度検出回路
３０１，３０２，３０３，３０４ 液晶表示パネル

Claims (8)

1. 第１ソース電極が正電位の第１電源端子に接続されるとともに、第１ゲート電極が温度検出の開始を制御する第１ゲート制御端子に接続されており、第１ドレイン電極を有するｐチャネル薄膜トランジスタと、
   第２ソース電極が前記第１電源端子よりも電位が低い第２電源端子に接続され、第２ゲート電極がそれをオフ状態に保持する第２ゲート制御端子に接続されるとともに、第２ドレイン電極が前記第１ドレイン電極に接続されているｎチャネル薄膜トランジスタと、
   入力部が前記第１ドレイン電極と前記第２ドレイン電極との接続部に接続されるとともに、出力部が温度検出の停止を制御するための前記接続部の電位の反転信号を出力するインバータと、
   前記接続部と前記インバータとを接続する接続線に一方の容量電極が接続されるとともに、前記第２電源端子に他方の容量電極が接続されている容量素子と、を有している温度検出回路。
2. 前記インバータの前記出力部にシュミットトリガ回路が接続されている請求項１に記載の温度検出回路。
3. 前記容量素子の放電時間の長さを温度に変換する変換回路を有しており、
   前記変換回路は、前記第１ゲート制御端子にオフ信号が入力されて前記ｐチャネル薄膜トランジスタがオフ状態となる温度検出開始タイミングと、前記ｐチャネル薄膜トランジスタのオフ状態において、前記ｎチャネル薄膜トランジスタに流れるオフ電流によって前記容量素子に放電が生じて前記容量素子の電圧が降下し、前記電圧が前記インバータの論理閾値電圧以下になったときに前記出力部から前記反転信号が出力される温度検出停止タイミングと、を捉えて、前記温度検出開始タイミングと前記温度検出停止タイミングとの間の時間間隔を温度に変換する請求項１または請求項２に記載の温度検出回路。
4. 第１ソース電極が正電位の第１電源端子に接続されるとともに、第１ゲート電極がそれをオフ状態に保持する第１ゲート制御端子に接続されており、第１ドレイン電極を有するｐチャネル薄膜トランジスタと、
   第２ソース電極が前記第１電源端子よりも電位が低い第２電源端子に接続され、第２ゲート電極が温度検出の開始を制御する第２ゲート制御端子に接続されるとともに、第２ドレイン電極が前記第１ドレイン電極に接続されているｎチャネル薄膜トランジスタと、
   入力部が前記第１ドレイン電極と前記第２ドレイン電極との接続部に接続されるとともに、出力部が温度検出の停止を制御するための前記接続部の電位の反転信号を出力するインバータと、
   前記接続部と前記インバータとを接続する接続線に一方の容量電極が接続されるとともに、前記第２電源端子に他方の容量電極が接続されている容量素子と、を有している温度検出回路。
5. 前記インバータの前記出力部にシュミットトリガ回路が接続されている請求項４に記載の温度検出回路。
6. 前記容量素子の充電時間の長さを温度に変換する変換回路を有しており、
   前記変換回路は、前記第２ゲート制御端子にオフ信号が入力されて前記ｎチャネル薄膜トランジスタがオフ状態となる温度検出開始タイミングと、前記ｎチャネル薄膜トランジスタのオフ状態において、前記ｐチャネル薄膜トランジスタに流れるオフ電流によって前記容量素子に充電が生じて前記容量素子の電圧が上昇し、前記電圧が前記インバータの論理閾値電圧以上になったときに前記出力部から前記反転信号が出力される温度検出停止タイミングと、を捉えて、前記温度検出開始タイミングと前記温度検出停止タイミングとの間の時間間隔を温度に変換する請求項４または請求項５に記載の温度検出回路。
7. 一対の基板と、
   前記一対の基板間に挟持される液晶と、を備えている液晶表示パネルであって、
   前記基板は、請求項１に記載の温度検出回路を有している液晶表示パネル。
8. 一対の基板と、
   前記一対の基板間に挟持される液晶と、を備えている液晶表示パネルであって、
   前記基板は、請求項４に記載の温度検出回路を有している液晶表示パネル。