JP2018085104A - フルデジタルマルチピン値検出装置及びそれと連動したサンプリング方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】いくつかの選択可能な特性のうちの1つに従って装置特性を確定するように操作する内部回路および制御モジュールを収容する集積回路(IC)部材を提供する。
【解決手段】ICチップ100の回路120は、複数の装置特性に対応するi個の外部受動回路と連携して操作し、N個のデジタルI/Oピンを含む。iは3より大きな整数であり、Nは1より大きいまたは等しい整数である。制御モジュールは、一連のトリガー信号を生成することに応じて、複数の外部受動回路がそれぞれピンに適用される場合に、複数の異なるシーケンスのピンの状態に応じたサンプル値を生成し、サンプル値により、複数の外部受動回路の各外部受動回路に対応する複数の異なるシーケンスの状態のいずれが発生されたことを確定するステップと、確定した複数の異なるシーケンスに対応する個別装置特性を確定するステップとを含む。
【選択図】図1
【解決手段】ICチップ100の回路120は、複数の装置特性に対応するi個の外部受動回路と連携して操作し、N個のデジタルI/Oピンを含む。iは3より大きな整数であり、Nは1より大きいまたは等しい整数である。制御モジュールは、一連のトリガー信号を生成することに応じて、複数の外部受動回路がそれぞれピンに適用される場合に、複数の異なるシーケンスのピンの状態に応じたサンプル値を生成し、サンプル値により、複数の外部受動回路の各外部受動回路に対応する複数の異なるシーケンスの状態のいずれが発生されたことを確定するステップと、確定した複数の異なるシーケンスに対応する個別装置特性を確定するステップとを含む。
【選択図】図1
Description
本発明はチップ構成を確定する装置に係わり、特にデジタルマルチピンを用いて、チップの状態を検出、サンプリングおよびチップ構成を確定する装置に関する。
ストラップピン(strap pin)は構成設置(configuration setting)に広く使われている。通常、ストラップピンは二級設置(0または1、“HIGH”または“LOW”に設定する)に使用されることができる。三級設置(“HIGH”、“LOW”または“開路(OPEN)”に設定する)も同様に使用される。それ以上のレベルを有する設定において、通常、アナログデジタル変換器(analog to digital converter,ADC)または比較器(comparator)が使用される。抵抗器ネットワークは、ADCの入力に接続する予め計算された電圧を供給し、多くのオプションのうちの一つを指示するために利用できる。従来のジョイスティックトラッキング機構は、既知の電容器と、スティックの傾きに応じて変化する抵抗器に基づいて、ジョイスティックの位置を識別する。例えば、米国特許第6297751B1号および第4656456号に開示された内容を参照する。
一般的に、ジョイスティックの応用において、抵抗は遅延自体により測定されるのではなく、遅延を生成してその遅延の変化(その抵抗に関連する)に着目して測定される。
本領域において、複数の外部受動回路を少なくとも1つのデジタルI/Oピン(例えば、チップ上の単一ピン)に適用することによって、複数のチップ構成を選択/確定する装置を提供する必要がある。ここでの「チップ構成」は、「チップ特性」またはより一般的に使用された「装置特性」は、本発明の非限定的な例であることに留意されたい。したがって、チップから構成された装置の場合に、チップ構成以外のチップ特性が存在する可能性がある。装置特性の他の非限定的な例は、例えば、チップ(場合によって他のチップも備える)を収容する基板を備える装置の場合に、チップ上のデジタルI/Oピンに適用された複数の外部受動回路がその基板のバージョン(製造バージョンなど)またはタイプ(例えば、一般の基板タイプの一つ)を決定する。基板のタイプまたはバージョンは本発明の装置特性のもう一つの非限定的な例である。本発明は、これらの実施例に限定されないことに留意されたい。
説明を簡単にするために、以下の説明は主にチップ構成の非限定的な例に参照する。
また、以下の説明において、用語“デジタルI/Oピン”は、説明しやすくするために“デジタルピン”、“ストラップピン”、“I/Oピン”または“ピン”と略称される場合があることに留意されたい。
一つの実施例において、内部回路はサブシーケンス1(以下の操作I〜IIIを含む)およびサブシーケンス2(以下の操作IV〜VIを含む)を実行し、且つサブシーケンス2は、サブシーケンス1の後(以下のように)またはその前に実行されることもあり得る。
操作I:ピンを“LOW”に駆動して、ピンをフロートにする
操作II:所定時間後にサンブル値Aを生成する
操作III:他の所定時間後にサンプル値Bを生成する
操作IV:ピンを“HIGH”に駆動して、ピンをフロートにする
操作V:所定時間後にサンブル値Cを生成する
操作VI:他の所定時間後にサンプル値Dを生成する
操作I:ピンを“LOW”に駆動して、ピンをフロートにする
操作II:所定時間後にサンブル値Aを生成する
操作III:他の所定時間後にサンプル値Bを生成する
操作IV:ピンを“HIGH”に駆動して、ピンをフロートにする
操作V:所定時間後にサンブル値Cを生成する
操作VI:他の所定時間後にサンプル値Dを生成する
それぞれ2進数字を含む4つのサンプルA、B、C、Dの組合せは、ピンに適用された外部受動回路に応じてi個のオプションの1つを決定し、そのうち、iは3より大きい整数であり、これらのオプションを使用して、チップの他の部分の構成を決定する。本発明の実施例により以下の設備を提供する。
その設備は、内部回路および制御モジュールを備える少なくとも1つのIC部材を備え、内部回路および制御モジュールは、複数の選択可能な装置特性のうちの一つを選択して装置特性を確定(determine)するように操作し、内部回路および制御モジュールは、複数の装置特性に対応する複数の外部受動回路のうちの3つ以上の外部受動回路と結合し、且つ少なくとも1つのデジタルI/Oピンを備える。そのうち、内部回路の制御モジュールは、予め選択された一連のトリガー信号を生成することに応じて、複数の外部受動回路がそれぞれピンに適用される場合に、複数の異なるシーケンスのピンの状態に応じたサンプル値を生成し、サンプル値により、ピンに適用された複数の外部受動回路の各外部受動回路に対応する複数の異なるシーケンスの状態のいずれが発生されたことを確定し、複数の選択可能な装置特性から、確定した複数の異なるシーケンスに対応する個別装置特性を確定する。
本発明の実施例により、N個のデジタルI/Oピンを備える装置がさらに提供され、内部回路および制御モジュールは、前記ピンにおける所定ピンに適用されたi個の外部受動回路と結合し、且つ前記所定ピンと異なるピンに適用されたそれぞれの数量の外部受動回路と結合し、そのうち、iは3より大き整数であり、Nは1より大きいまたは等しい整数である。
本発明の実施例により、N個のデジタルI/Oピンを備える装置がさらに提供され、その中の内部回路および制御モジュールは、N個の前記ピンの各ピンごとに異なるi個の外部受動回路と結合し、iN個の装置特性を生成し、且つiは3より大き整数であり、Nは1より大きい整数である。
本発明の実施例により、N個のデジタルI/Oピンを備える装置がさらに提供され、複数の外部受動回路は3つ以上であり、且つNは1である。
本発明の実施例により、一種の装置がさらに提供され、その装置特性はIC部材の構成である。
本発明の実施例により、一種の装置がさらに提供され、複数の外部受動回路がC回路を備える。
本発明の実施例により、一種の装置がさらに提供され、C回路がプルダウンキャパシタを備える。
本発明の実施例により、一種の装置がさらに提供され、C回路は、連結されたキャパシタの組み合わせを備える。
本発明の実施例により、一種の装置がさらに提供され、複数の外部受動回路は、R回路を備える。
本発明の実施例により、一種の装置がさらに提供され、R回路は、プルダウン抵抗器を備える。
本発明の実施例により、一種の装置がさらに提供され、R回路は、プルアップ抵抗器を備える。
本発明の実施例により、一種の装置がさらに提供され、R回路は、連結された抵抗器の組み合わせを備える。
本発明の実施例により、一種の装置がさらに提供され、複数の外部受動回路は、少なくとも1つのRC回路を備える。
本発明の実施例により、一種の装置がさらに提供され、少なくとも1つのRC回路は、プルダウン抵抗器とプルアップキャパシタとを備える。
本発明の実施例により、一種の装置がさらに提供され、少なくとも1つのRC回路は、プルアップ抵抗器とプルダウンキャパシタとを備える。
本発明の実施例により、一種の装置がさらに提供され、RC回路は、連結された抵抗器の組み合わせおよび連結されたキャパシタの組み合わせを備える。
本発明の実施例により、一種の装置がさらに提供され、複数の外部受動回路は、複数のRC回路を備える。
本発明の実施例により、一種の装置がさらに提供され、サンプル値は、実質的に所定のタイミングで生成される。
予め選択された一連のトリガー信号を生成することに応じて、複数の外部受動回路がそれぞれピンに適用される場合に、複数の異なるシーケンスのピンの状態に応じたサンプル値を生成し、且つ第一サブシーケンス(i)〜(v)に続いて第二サブシーケンス(vi)〜(x)を含み、
(i)前記ピンを“LOW”に駆動して、第一継続時間(tCAP)に維持し;
(ii)前記ピンの駆動を停止して、第二継続時間(tPIN)に待機し;
(iii)前記ピンの状態をサンプリングしてレジスタに格納し;
(iv)第三継続時間(tRC)に待機し;
(v)前記ピンの前記状態をサンプリングして前記レジスタに格納し;
(vi)前記ピンを“HIGH”に駆動して、前記第一継続時間(tCAP)に維持し;
(vii)前記ピンの駆動を停止して、前記第二継続時間(tPIN)に待機し;
(viii)前記ピンの前記状態をサンプリングして前記レジスタに格納し;
(ix)第三継続時間(tRC)に待機し;且つ
(x)前記ピンの前記状態をサンプリングして前記レジスタに格納する
(i)前記ピンを“LOW”に駆動して、第一継続時間(tCAP)に維持し;
(ii)前記ピンの駆動を停止して、第二継続時間(tPIN)に待機し;
(iii)前記ピンの状態をサンプリングしてレジスタに格納し;
(iv)第三継続時間(tRC)に待機し;
(v)前記ピンの前記状態をサンプリングして前記レジスタに格納し;
(vi)前記ピンを“HIGH”に駆動して、前記第一継続時間(tCAP)に維持し;
(vii)前記ピンの駆動を停止して、前記第二継続時間(tPIN)に待機し;
(viii)前記ピンの前記状態をサンプリングして前記レジスタに格納し;
(ix)第三継続時間(tRC)に待機し;且つ
(x)前記ピンの前記状態をサンプリングして前記レジスタに格納する
予め選択された一連のトリガー信号を生成することに応じて、複数の外部受動回路がそれぞれピンに適用される場合に、複数の異なるシーケンスのピンの状態に応じたサンプル値を生成し、且つ第二サブシーケンス(vi)〜(x)に続いて第一サブシーケンス(i)〜(v)を含み、
(i)前記ピンを“LOW”に駆動して、第一継続時間(tCAP)に維持し;
(ii)前記ピンの駆動を停止して、第二継続時間(tPIN)に待機し;
(iii)前記ピンの状態をサンプリングしてレジスタに格納し;
(iv)第三継続時間(tRC)に待機し;
(v)前記ピンの前記状態をサンプリングして前記レジスタに格納し;
(vi)前記ピンを“HIGH”に駆動して、前記第一継続時間(tCAP)に維持し;
(vii)前記ピンの駆動を停止して、前記第二継続時間(tPIN)に待機し;
(viii)前記ピンの前記状態をサンプリングして前記レジスタに格納し;
(ix)第三継続時間(tRC)に待機し;且つ
(x)前記ピンの前記状態をサンプリングして前記レジスタに格納する。
本発明の実施例により、一種の装置がさらに提供され、サンプル値は、以下の状態シーケンスに対応する:
“0000”はピンに適用された第一プルダウンR外部受動回路であり、“0010”はピンに適用された第二RC外部受動回路であり、“0111”はピンに適用された第三RC外部受動回路であり、“1111”はピンに適用された第四プルアップR外部受動回路であり、且つ“0011”はピンに適用された第五C外部受動回路である。
(i)前記ピンを“LOW”に駆動して、第一継続時間(tCAP)に維持し;
(ii)前記ピンの駆動を停止して、第二継続時間(tPIN)に待機し;
(iii)前記ピンの状態をサンプリングしてレジスタに格納し;
(iv)第三継続時間(tRC)に待機し;
(v)前記ピンの前記状態をサンプリングして前記レジスタに格納し;
(vi)前記ピンを“HIGH”に駆動して、前記第一継続時間(tCAP)に維持し;
(vii)前記ピンの駆動を停止して、前記第二継続時間(tPIN)に待機し;
(viii)前記ピンの前記状態をサンプリングして前記レジスタに格納し;
(ix)第三継続時間(tRC)に待機し;且つ
(x)前記ピンの前記状態をサンプリングして前記レジスタに格納する。
本発明の実施例により、一種の装置がさらに提供され、サンプル値は、以下の状態シーケンスに対応する:
“0000”はピンに適用された第一プルダウンR外部受動回路であり、“0010”はピンに適用された第二RC外部受動回路であり、“0111”はピンに適用された第三RC外部受動回路であり、“1111”はピンに適用された第四プルアップR外部受動回路であり、且つ“0011”はピンに適用された第五C外部受動回路である。
本発明の実施例により、一種の装置がさらに提供され、サンプル値は、以下の状態シーケンスに対応する:
“0000”はピンに適用された第一プルダウンR外部受動回路であり、“1000”はピンに適用された第二RC外部受動回路であり、“1101”はピンに適用された第三RC外部受動回路であり、“1111”はピンに適用された第四プルアップR外部受動回路であり、且つ“1100”はピンに適用された第五C外部受動回路である
“0000”はピンに適用された第一プルダウンR外部受動回路であり、“1000”はピンに適用された第二RC外部受動回路であり、“1101”はピンに適用された第三RC外部受動回路であり、“1111”はピンに適用された第四プルアップR外部受動回路であり、且つ“1100”はピンに適用された第五C外部受動回路である
本発明の実施態様により、一つの方法がさらに提供され、
(i)複数の選択可能な装置特性のうちの1つを選択して装置特性を確定するように操作する内部回路および制御モジュールを収容する少なくとも1つのIC部材を含む装置を提供し、且つ内部回路および制御モジュールは複数の装置特性に対応する複数の外部受動回路のうちのi個の外部受動回路と結合し、且つN個のピンを備え、
前記方法は、
(ii)予め選択された一連のトリガー信号を生成することに応じて、複数の外部受動回路がそれぞれピンに適用される場合に、複数の異なるシーケンスのピンの状態のサンプル値を生成するステップと、
(iii)サンプル値により、複数の外部受動回路の各外部受動回路に対応する複数の異なるシーケンスの状態のいずれが発生されたことを確定するステップと、
(iv)複数の選択可能な装置特性から、確定した複数の異なるシーケンスに対応する個別装置特性を確定するステップと、をさらに含み、且つiは3より大き整数である、Nは1より大きいまたは等しい整数であることを特徴とする、サンプリング方法。
(i)複数の選択可能な装置特性のうちの1つを選択して装置特性を確定するように操作する内部回路および制御モジュールを収容する少なくとも1つのIC部材を含む装置を提供し、且つ内部回路および制御モジュールは複数の装置特性に対応する複数の外部受動回路のうちのi個の外部受動回路と結合し、且つN個のピンを備え、
前記方法は、
(ii)予め選択された一連のトリガー信号を生成することに応じて、複数の外部受動回路がそれぞれピンに適用される場合に、複数の異なるシーケンスのピンの状態のサンプル値を生成するステップと、
(iii)サンプル値により、複数の外部受動回路の各外部受動回路に対応する複数の異なるシーケンスの状態のいずれが発生されたことを確定するステップと、
(iv)複数の選択可能な装置特性から、確定した複数の異なるシーケンスに対応する個別装置特性を確定するステップと、をさらに含み、且つiは3より大き整数である、Nは1より大きいまたは等しい整数であることを特徴とする、サンプリング方法。
いくつかの構成(4、5、6、7、8、9またはこの以上)のうちの一つに対してIC部材を構成することができる、本発明の一部の実施例による機構を説明する。当該チップ構成は、例えば、本発明の装置の同じパッケージに収容された一つまたは複数の他のチップと同一のチップに適用されても良いことを注意されたい。
本明細書に説明した装置は、少なくとも単一の装置I/Oピンと一緒に使用され、内部回路と結合して使用され、対象ピンに適用された外部受動回路と結合して使用され、或いは本明細書に示されるように、トリガー信号の予め選択された一連シーケンスを介してピンの状態をサンプリングし、且つそのサンプルを復号して、複数の可能な構成から意図されたIC構成を選択することができる。一部実施例により、内部回路は能動部材から構成されてもよく、ある実施例において、その部材はデジタルであってもよいことに留意されたい。
対象ピンに接続された外部受動回路は、例えば、システム設計者によって適用された複数の可能なR回路、C回路またはRC回路のうちの一つでありえる。
一部実施例により、図3の例として示された五つの可能な外部受動回路のそれぞれは、必要とされる特定のIC構成に対応する。
内部回路は、適用された外部受動回路と交互作用して、どの構成がシステム設計者によって選択されたものかを確定することができ、それによって、どの構成を適用するかを装置構成機構に指示する。
一部実施例により、回路を操作およびサンプリングする機構は適切なクロック信号を使用する。図3に示されたR/C値を仮定すると、100KHzの周波数を使用することができる。クロックの精度は、例えば、±10%とすることができる。ここに開示された対象は、クロック信号の使用に制限されないことに留意されたい。よって、非制限的な実施例として、内部回路は、所望のサンプリング操作を達成するための個別遅延回路を収容することができる。タイミングに関しては、以下に説明する。
一部実施例により、以下の制約の少なくとも一つが適用できる。
1.外部受動回路の電容量は、一部の実施例により、20pFまでのピンおよびトレース電容器よりも遥かに高い。
2.電容量は、短時間内に充電できる(装置の初期化時間を短縮する)ように、高すぎてはいけない。許容時間は適用方法に依存し、いくつかの実施例においては、1ms未満が合理である。
3.抵抗値は、短時間内に電容器を充電するピンの能力を制限しないように、十分高い値である。よって、一部の実施例により(ピンはXmAを駆動することができる)、抵抗値はR>5*VCC/X kΩである。
4.抵抗器は、短時間でネットレベルを変えることができる(電容器がない場合では最初のサンプルまで)。
1.外部受動回路の電容量は、一部の実施例により、20pFまでのピンおよびトレース電容器よりも遥かに高い。
2.電容量は、短時間内に充電できる(装置の初期化時間を短縮する)ように、高すぎてはいけない。許容時間は適用方法に依存し、いくつかの実施例においては、1ms未満が合理である。
3.抵抗値は、短時間内に電容器を充電するピンの能力を制限しないように、十分高い値である。よって、一部の実施例により(ピンはXmAを駆動することができる)、抵抗値はR>5*VCC/X kΩである。
4.抵抗器は、短時間でネットレベルを変えることができる(電容器がない場合では最初のサンプルまで)。
これらの設計上の考慮事項は、単なる例として提供され、特定の用途に応じて変化し得ることに留意されたい。より短いリセット時間を必要とするシステムにおいて、2kΩの抵抗器と1nFの電容器を採用できる。この例により、サンプリングの時間は現在値の1/50に短縮される。
この点について、図1には、本発明の一部の実施例により、より多くのチップ構成をサポートする複数のストラップピン内部回路の通用装置が示される。
本明細書に説明される装置(例えば、ICチップ100)は、N個の装置I/Oピン(ピン“1”101、ピン“2”102およびピン“N”103は図示される)および回路120と結合して使用される。N個のピンをサポートする単一の内部回路は図1に示されたが、一部の実施例により、他の装置構造、例えば、一ピンあたりに所定内部回路が適用され、換言すれば、N個の回路が相応のN個のピンをサポートすることができる。説明しやすくするために、図1を参照する以下の説明は、単一の内部回路を指す。
上述したように、本発明の装置は、例えば、チップまたは複数のチップ(例えば、基板上に収容される)などを備えることができる。
一部実施例により、内部回路はチップ構成段階で、例えば、装置がリセットされまたはその直後に操作する。本発明はこの操作段階に限定されないことに留意されたい。内部回路120は、相応のピンに適用された各外部受動回路と結合して操作し、各外部受動回路を相応なピンに接続することができる。よって、図1に示されるように、ピン101には外部回路“1”1(111)が接続され、ピン102には外部回路“2”(112)が接続され、ピン103には外部回路“n”(113)が接続される。相応なピンに接続された外部受動回路は、例えば、システム設計者が適用した複数の可能なR、CまたはRC回路であり得る。これについては図3を参照しながら更に詳しく説明する。
一部実施例により、単一のピンを仮定すると、i個の可能な外部受動回路のそれぞれ が特定のICチップ構成に対応し、iは3より大きい整数である。N個のピンの場合に、N個のピンに適用された一連のN個の回路が特定のICチップ構成を生成するため、iN個のICチップ構成がサポートされ、そのうち、Nは1より大きい整数である。五つの外部受動回路を使用する図3の実施例を考慮すると、それぞれの外部受動回路は相応なピン操作に接続され、サポートするICチップ構成は5Nである。一部の実施例により、それぞれのピンに接続することができる外部受動回路の数量は必ずしも同じである必要はないことに留意されたい。したがって、例えば、二つのピン(N=2)があり、四つの外部受動回路が第一ピンに接続され、五つの外部受動回路が第二ピンに接続される場合に、サポートできるチップ構成の総数は20となる。本発明はこれらの実施例によって限定されるものではない。
以下により詳細に説明するように、各ピンに適用された外部受動回路の予め選択されたトリガー信号のシーケンスに応じて、ピンの状態がサンプリングされる(すべてのピンに対して、例えば、図1の104、105および106)。これらのサンプル値は、i個の外部受動回路のうちのどれがピンに適用されたかを決定する(対応するシーケンスによる)ために、異なるシーケンスの状態(各ピン)に対応し、結果として所定の意図されたIC構成(i個の可能な構成から)が選択される。N個のピンがあることを考慮すると、iN個の可能な構成が得られ、設計者の選択にしたがって、N個のピンに適用された特定のN個の外部受動回路に応じて、IC部材を所望のiN個の構成で操作することができる。選択されたIC構成を規定するように、確定されたシーケンスは、例えば、レジスタのような適切な記憶装置に格納される。
関連するIC構成の適切な操作手順は、以下により詳細に説明する。
図2Aに示されるのは、本開示の一部の実施例により、概略的に外部受動回路(i個の回路構成以外に、この特定の例では五つの回路構成、そのうち、iは3より大きい整数である)に接続されるように操作可能な装置の単一のピン内部回路の部分である。
よって、この特定の実施例を介して、C、R、RCの五つの異なる組み合わせからなる外部受動回路211は、回路位置212、213に接続され、ピンに接続される外部受動回路211を構成し、これらも図3を参照しながら説明する。緩衝器216の入力端217に提供された起動/中止信号に応じて、データ出力信号215が緩衝器216(例えば、増幅器)を通る(または、ブロックされ)ことが可能にすることによって、一連のトリガー信号を外部受動回路に印加する。これらのトリガー信号は、ピンに接続された特定の外部受動回路(前記i個のオプション以外)に応じて、ピン214で異なるサンプル値を生成する。これらのデジタル形式のサンプル値は、緩衝器219の“データ入力”の出力端218でサンプリングされ、且つ、例えば、4ビットレジスタ221に格納できる、所定のIC構成を表すユニークシーケンスを生成する。データ出力トリガー信号の起動/停止信号の生成、およびサンプルシーケンスのIC構成の演繹(deduction)は、例えば、公知された自身の制御モジュール220によって実行することができる。制御モジュールの一つの可能な実行方法は、公知された自体の状態マシンを介するものである。本発明はこれらの例に限定されない。また、一部の実施例により、“データ入力”、“データ出力”信号および緩衝器216、219はデジタル形式であるが、トリガー信号(例えば、緩衝器216の出力端)およびサンプリング信号(例えば、緩衝器219の入力端)はアナログ形式であることに留意されたい。
本発明は、図2Aの内部回路構造に限定されるものではなく、同じ機能を達成するために他の周知のそれ自体の実施形態を使用することができることに留意されたい。
図2Bに示されるのは、本発明の特定の実施形態により、外部受動回路がピンに接続された場合に、図2Aの内部回路の一連の動作の通用フローチャートである。
よって、内部回路の使用は以下に説明する操作のステップ2010〜2095の一部または全部を含む:
サブシーケンス1:
ステップ2010:ピン214を“LOW”に駆動して(例えば、緩衝器216に供給された出力信号215(例えば、トリガー信号)は“LOW”である)、継続時間(tCAP)に維持して、ピンを放電される。緩衝器216は入力信号217を介して“起動”できることに留意されたい。
ステップ2020:ピン214の駆動を停止し(例えば、入力信号217を介して緩衝器216を停止させる)、回路を安定させるための継続時間(tPIN)を維持する。
ステップ2030:ピン214の状態をサンプリングして格納する⇒SMP1(例えば、“データ入力”で緩衝器219の出力端をサンプリングし、且つSMP1を4ビットレジスタ221に格納する)。
ステップ2040:継続時間(tRC)に待機する。
ステップ2050:ピン214の状態をサンプリングして格納する⇒SMP2(例えば、“データ入力”で緩衝器219の出力端をサンプリングし、且つSMP2を4ビットレジスタ221に格納する)。
ステップ2010:ピン214を“LOW”に駆動して(例えば、緩衝器216に供給された出力信号215(例えば、トリガー信号)は“LOW”である)、継続時間(tCAP)に維持して、ピンを放電される。緩衝器216は入力信号217を介して“起動”できることに留意されたい。
ステップ2020:ピン214の駆動を停止し(例えば、入力信号217を介して緩衝器216を停止させる)、回路を安定させるための継続時間(tPIN)を維持する。
ステップ2030:ピン214の状態をサンプリングして格納する⇒SMP1(例えば、“データ入力”で緩衝器219の出力端をサンプリングし、且つSMP1を4ビットレジスタ221に格納する)。
ステップ2040:継続時間(tRC)に待機する。
ステップ2050:ピン214の状態をサンプリングして格納する⇒SMP2(例えば、“データ入力”で緩衝器219の出力端をサンプリングし、且つSMP2を4ビットレジスタ221に格納する)。
サブシーケンス2:
ステップ2060:ピン214を“HIGH”に駆動して(例えば、緩衝器216に供給された出力信号215(例えば、トリガー信号)は“HIGH”である)、継続時間(tCAP)に維持して、ピンが充電される。緩衝器216は入力信号217を介して“起動”できることに留意されたい。
ステップ2070:ピン214の駆動を停止し(例えば、入力信号217を介して緩衝器216を停止する)、回路を安定させるための継続時間(tPIN)を維持する。
ステップ2080:ピン214の状態をサンプリングして格納する⇒SMP3(例えば、“データ入力”で緩衝器219の出力端をサンプリングし、且つSMP3を4ビットレジスタ221に格納する)。
ステップ2090:継続時間(tRC)に待機する。
ステップ2050:ピン214の状態をサンプリングして格納する⇒SMP4(例えば、“データ入力”で緩衝器219の出力端をサンプリングし、且つSMP4を4ビットレジスタ221に格納する)。
ステップ2060:ピン214を“HIGH”に駆動して(例えば、緩衝器216に供給された出力信号215(例えば、トリガー信号)は“HIGH”である)、継続時間(tCAP)に維持して、ピンが充電される。緩衝器216は入力信号217を介して“起動”できることに留意されたい。
ステップ2070:ピン214の駆動を停止し(例えば、入力信号217を介して緩衝器216を停止する)、回路を安定させるための継続時間(tPIN)を維持する。
ステップ2080:ピン214の状態をサンプリングして格納する⇒SMP3(例えば、“データ入力”で緩衝器219の出力端をサンプリングし、且つSMP3を4ビットレジスタ221に格納する)。
ステップ2090:継続時間(tRC)に待機する。
ステップ2050:ピン214の状態をサンプリングして格納する⇒SMP4(例えば、“データ入力”で緩衝器219の出力端をサンプリングし、且つSMP4を4ビットレジスタ221に格納する)。
サブシーケンス2がサブシーケンス1に先行しても良いことが理解される。一部の実施例により実行される操作2010〜2095は、以下でさらに説明する。
また、図2Bを参照して説明した操作のシーケンスは、制御モジュール220を内部回路230の様々な部材を結合して実行できるが、本発明は、制御モジュール220の特定な構造または図2Aに示された回路構造に限定されることなく、単なる説明のために使用されることに留意されたい。
一部実施例において、tCAPおよびtPINは、構成する時に利用可能なクロック信号に応じて選択することができる。一部の実施例により、より正確なクロック信号が利用可能であり、且つ他の状況において、比較的に不正確なクロック信号も利用できる。tCAPはピン駆動能力と電容量に依存する場合がある。tPINはピンとトレース電容量および抵抗値に依存する場合がある。特定の非制限的な実施例において、tCAPおよびtPINの両方が1クロック時間(10μs)未満になるように選択される。
開示された主題の教示は、図2Bに示されたフローチャートに拘束されないことに留意されたい。
図3に示されるように、五つの可能な外部受動回路(ストラップピン回路にも呼ばれる、例えば、図2Aの211)の一部または全部はストラップピン(例えば、図2Aの214)に適用できる。
図4に示されるように、複数の異なるシーケンスの状態のいずれが発生されたことを確定することを表示し、且つ外部受動回路のどれが回路に適用されることを確定し、そのうちの一部または全部は、例えば、本発明の実施例の一部の実施例の回路を介して実行できる。
以下の説明は、説明を分かりやすくするために、場合によっては図2Aおよび図2Bを参照することに留意されたい。上述のように、本発明は内部回路230の構造、および図2Bに説明した操作シーケンスにも制限されない。したがって、例えば、図2Aに描かれた部材の少なくとも1つは他の部材で置き換えられてもよく、または他の異なる交互に接続された部材を介してその回路の効果を達成する。
この表は、図3に示される5つの回路オプションのそれぞれに対応する上記の流れによるイベントのシーケンスを示すことに留意されたい。一番下の行のADDR_SELは、選択されたハードウェア構成の装置アドレス設定への一つ可能な解釈である(例えば、図2Aの4ビットレジスタ221に格納できる状態の4ビットシーケンスから導出される)。他の可能な解釈は、特定のチップ/装置が何を構成するかによって決定される、例えば、可能な動作モード:より多くのテストモード、HiZのピン、操作クロック周波数など。
図4の表に示すように、各ステップ(例えば、図2Aの制御回路220に制御される図2Bのステップ)は、テーブルの「ステップ#」の欄に説明され、それに関連するタイミングは、図4の“時間”の欄に説明される。図4の表にある全ての特定の値は、説明のために提供されたものであり、本発明を拘束するものではない。
また、時間定数は100μsであり、第二サンプリング時間は210μsであることにも注意されたい。時間定数は、変化点からの第二サンプリング時間の約半分であっても良い。一部の実施例により、時間定数の精度は、例えば、最大±25%であってもよい。
また、図3を参照し、図面に示された五つの外部受動回路のうちの一つ(一般には図2の211として示される)は、適用された外部受動回路に対応するIC構成を表す状態シーケンスに対応するサンプル(回路に適用された予め選択されたトリガー信号に応答して)を生成するようにストラップピン(図2Aの214)に適用されても良い。R(図3の外部受動回路1および4)、RC(図3の外部受動回路2および3)、およびC(図3の外部受動回路5)の値の許容誤差は、例えば、+10%、または他の実施例では最大+25%であっても良い。
外部受動回路と結合して操作された回路は、タイミングを生成するために100KHzのクロックを使用することができる。ストラップ検出回路の操作は、通常、Vccパワーアップリセットまたはハードウェアリセット後に数個のクロックサイクルから開始される。パワーアップリセットまたはハードウェアリセットは、本開示の主題のシステムおよび方法に適用されるチップ構成段階の実施例である。
図3において、R回路#1は、ピン214およびVss(接地)に接続された「プルダウン」抵抗器を示し、R回路#4は、ピン214およびVccに接続された「プルアップ」抵抗器を示すことに留意されたい。RC回路#2は、Vccおよびピン214に接続された電容器と、ピン214およびVss(接地)に接続された抵抗器とを示し、RC回路#3は、Vccおよびピン214に接続された抵抗器を示し、およびピン214およびVss(接地)に接続される電容器が示される。2C回路#5は、ピン214およびVssに接続された電容器を示す。本発明は、特定の回路構成に拘束されないことに留意されたい。例えば、回路#2および#3に対する等価回路は、図3に示すように、電容器は抵抗と直列ではなく、並列に接続されている。非限定的な例として、回路#5に対する等価回路は、電容器をVssではなくVccに接続したものである。当業者であれば、他の回路についても他の変形例が適用可能であることを容易に理解するであろう。
また、Vcc、Vss(例えば接地)、0V(ゼロボルト)、LOW、HIGHを参照する説明に留意されたい。Vccは、例えば1.7V〜3.3Vの範囲であり、0(アナログ)は接地電位を意味し、LOW(デジタル)は論理レベル“0”を意味し、HIGH(デジタル)は論理レベル“1”を意味する。本発明はこれらの特定の値に制限されない。また、説明を簡単にするために、寄生容量、電流リークによる電気的影響などの他の既知の自体の現象は無視されることにも留意されたい。
また、サンプリングは、実質的に予め決定されたタイミングで発生する(例えば、20、220、250および450μsec)。本発明はこれらの数字に限定されない。
これらに考慮すると、図4の表(例えば、制御モジュール220の制御下で実行される)を参照して、制御モジュールの制御下で実行される操作の手順を説明し、まずは、それぞれのC外部受動回路(図3の回路#2、#3および#5)を参照してから、それぞれのR外部受動回路(回路#1および#4)を参照する。
したがって、ステップ2010から始まり、ステップ#1については“ピンを“LOW”に駆動する”、ピン214を“0”に駆動して(例えば、緩衝器216に供給された出力信号215(例えば、トリガー信号)は“LOW”である)、継続時間tCAP(この例においては10μsec)に維持して、電容器Cを充電させる。換言すれば、回路#2において、一端はVccであり、他端(ピン)は0である電容器Cに電圧が発生する。回路#2と対照的に、ピン214を0に駆動すると、電容器C(例えば、図3の回路#3および#5のいずれかの回路211の位置213)が放電される。すなわち、一端がVssであり、他端が0である電容器Cの電圧は0である。
ステップ2020において、ステップ#2に参照して、ピンの駆動を停止して(例えば、入力信号217を介して緩衝器216を停止させる)、“ピンをフロートにする”、継続時間tPIN(例えば、もう一つの10μsec、即ち、20μsecまで)を維持する。回路#3および回路#5のいずれにおいても、電容器が放電状態に維持されるため、ピン214の値は0に維持される。
回路#2において、電容器は充電状態に維持されるため、ピン214の値はLOWである。
したがって、ステップ2030において(例えば、20μsecの時点で)、ステップ#3に参照して、“ピンをサンプリングする”、ピン214にサンプリングされた論理レベル(例えば、緩衝器219の出力端218でサンプリングする)は、すべての場合にLOWであり(回路#2、#3および#5を参照、SMPL1=0)、且つ4ビットレジスタ221の1ビットとして格納される。
ステップ2040において(図4の表の“待機”ステップ)、制御モジュールは継続時間tRCを待機し(この例においては200μsec)、電容器Cを充電または放電する(図3の回路#2、#3、#5の電容器接続に依存する)。具体的に言うと、回路#2において、電容器の両端が放電され、即ち、“待機”の時間間隔中に電流がRC回路を流れ、“待機”の時間間隔が経過した後のピン214は0Vである。
回路#3において、抵抗器の両端の電圧は、“待機”時間間隔が経過した後に電容器を充電する電流の流れを伴う。回路#5においては、電容器両端の間の0V(ピン214を含む)は待機時間間隔に沿って保持される。
したがって、ステップ2050において(例えば、220μsecの時点で)、ステップ#4に参照して、“ピンをサンプリングする”、ピン214にサンプリングされた論理レベル(例えば、緩衝器219の出力端218でサンプリングする)はLOWであるが(回路#2または#5のいずれのSMPL=0)、回路#3にはHIGHであるため、即ちSMPL2=1(充電された電容器)、その相応するサンプル値は4ビットレジスタ221の1ビットとして格納される。
次はステップ2060、ステップ#5を参照して、“ピンをHIGHに駆動する”:ピン214はVccに駆動され、ここの実施例には3.3Vであり(例えば、緩衝器216に供給された出力信号215(例えば、トリガー信号)は“HIGH”である)、継続時間tCAPを維持して、電容器Cが放電され(例えば、回路211の位置212、図3の回路#2のような)、即ち、回路#2を参照し、すなわち、一端がVccであり、他端が0である電容器Cの電圧は0である。回路#3および#5を参照し、ピン214をHIGHに駆動すると、電容器Cが充電され(例えば、回路211の位置212、図3の回路#2のような)、すなわち、一端がVssであり、他端がVccである電容器Cに電圧が発生する。
ステップ2070において、ステップ#6に参照して、ピンの駆動を停止して(例えば、入力信号217を介して緩衝器216を停止させる)、“ピンをフロートにする”、継続時間tPIN(例えば、もう一つの10μsec、即ち、240μsecまで)を維持する。回路#3および回路#5のいずれにおいても、電容器が元の状態に維持されるため、ピン214の値はすべての場合にVccに維持される。回路#2の場合に、電容器は放電状態に維持されるため、ピン214の値はVccである。
したがって、ステップ2080において(例えば、250μsecの時点で)、ステップ#7に参照して、“ピンをサンプリングする”、ピン214にサンプリングされた論理レベル(例えば、緩衝器219の出力端218でサンプリングする)はすべての場合にHIGHであり(回路#2、#3および#5を参照、SMPL3=0)、且つ4ビットレジスタ221の1ビットとして格納される。
ステップ2090において(図4の表の“待機”ステップ)、制御モジュールは継続時間tRCを待機し(この例においては、もう一つの200μsec)、電容器Cを充電または放電する(図3の回路#2、#3、#5の電容器接続に依存する)。具体的に言うと、回路#2において、電容器の両端が放電され、即ち、“待機”の時間間隔中に電流がRC回路を流れ、“待機”の時間間隔が経過した後のピン214は0Vである。回路#3の場合に、“待機”の時間間隔が経過した後の電容器は充電状態に維持され、回路#5の電容器もそうである。
したがって、ステップ2095において(例えば、450μsecの時点で)、ステップ#8に参照して、“ピンをサンプリングする”、ピン214にサンプリングされた論理レベル(例えば、緩衝器219の出力端218でサンプリングする)はすべての場合にLOWであるが(回路#2を参照、SMPL4=0)、回路#3および#5のいずれもHIGHであるため、即ちSMPL4=1(充電された電容器)、その相応するサンプル値は4ビットレジスタ221の1ビットとして格納される。
よって、それぞれの4ビットサンプル値(レジスタ221に格納される)は、回路#2のシーケンス0010、回路#3のシーケンス0111および回路#5のシーケンス0011である。
以下にR回路#1および#4について、ステップ2010〜2095のシーケンスを簡単に説明する。
したがって、ステップ2010から始まり、ステップ#1については“ピンを“LOW”に駆動する”、ピン214を“0”に駆動して(例えば、緩衝器216に供給された出力信号215(例えば、トリガー信号)は“LOW”である)、継続時間tCAP(この例においては10μsec)に維持して、回路#1のプルダウン(213に接続される)抵抗器の一端がVssであり、他端(ピン)は0である抵抗器に電圧は0である。回路#4において、一端はVccであり、他端(ピン214)は0であるプルアップ抵抗器(212に接続される)に電圧は0であるため、この二つの例において、ピンは放電される。
ステップ2020において、ステップ#2に参照して、ピンの駆動を停止して(例えば、入力信号217を介して緩衝器216を停止させる)、“ピンをフロートにする”、継続時間tPIN(例えば、もう一つの10μsec、即ち、20μsecまで)を維持する。回路#1において、その値は0に維持され(ピン214は放電される)、回路#4において、フロートピンは抵抗器RによってVccに引き上げられ、Vccまで上昇する。
したがって、ステップ2030において(例えば、20μsecの時点で)、ステップ#3に参照して、“ピンをサンプリングする”、ピン214にサンプリングされた論理レベル(例えば、緩衝器219の出力端218でサンプリングする)は、回路#1においてはLOWであり(回路#1を参照、SMPL1=0)、回路#4においてはHIGHである場合に、(回路#4を参照、SMPL1=1)、その1ビットのサンプル値は4ビットレジスタ221の1ビットとして格納される。
ステップ2040において(図4の表の“待機”ステップ)、制御モジュールは継続時間tRCを待機し(この例においては200μsec)、且つ回路#1および回路#4のそれぞれの状態に影響しないため、ステップ2050において(例えば、220μsecの時点で)、ステップ#4を参照して、“ピンをサンプリングする”、ピン214にサンプリングされた論理レベルはそのままであり、即ち、回路#1のSMPL2=0であり、回路#4のSMPL2=1であり、それぞれのサンプル値は4ビットレジスタ221の1ビットとして格納される。
次はステップ2060に進み、ステップ#5を参照して、“ピンをHIGHに駆動する”:ピン214はVccに駆動され、(例えば、緩衝器216に供給された出力信号215(例えば、トリガー信号)は“HIGH”である)、継続時間tCAP(この例においては10μsecである)を維持して、回路#1の一端がVssであり、他端がVccであるプルダウン抵抗器に電圧が発生してピン214が充電される。回路#4のプルアップ抵抗器は、一端がVccであり、他端がVcc(ピン214)であり、そのうちに0Vが発生する。
ステップ2070において、ステップ#6を参照して、ピンの駆動を停止して(例えば、入力信号217を介して緩衝器216を停止させる)、“ピンをフロートにする”、継続時間tPIN(例えば、もう一つの10μsec、即ち、240μsecまで)を維持する。回路#1において、ピン214の値は0になり、回路#4の場合に、ピン214は接地されないため、Vccに維持されて充電される(プルアップ抵抗器に電圧が通過されない)。
したがって、ステップ2080において(例えば、250μsecの時点で)、ステップ#7に参照して、“ピンをサンプリングする”、ピン214にサンプリングされた論理レベル(例えば、緩衝器219の出力端218でサンプリングする)が回路#1の場合にはLOWであり(回路#1を参照、SMPL3=0)、回路#4の場合にはHIGHである(回路#4を参照、SMPL3=1)。その1ビットのサンプル値は4ビットレジスタ221の1ビットとして格納される。
ステップ2090において(図4の表の“待機”ステップ)、制御モジュールは継続時間tRCを待機し(この例においては、もう一つの200μsec)、それは回路#1および回路#4のそれぞれの状態に影響しないため、したがって、ステップ2095において(例えば、450μsecの時点で)、ステップ#8を参照して、“ピンをサンプリングする”、ピン214にサンプリングされた論理レベルそのままであり、即ち、回路#1のSMPL4=0であり、回路#4のSMPL4=1であり、且つそれぞれのサンプル値は4ビットレジスタ221の1ビットとして格納される。
よって、それぞれの4ビットサンプル値(レジスタ221に格納される)は、回路#1のシーケンス0000、回路#4のシーケンス1111である。
したがって、ピンに適用される各外部受動回路(図3の例では、5つの回路)に対してユニークシーケンスが得られることは明らかであり、それによってチップに5つの異なるIC構成のうちのいずれか1つを選択することが可能になる。
ピンをLOWに駆動、フロートして待機(サブシーケンス1)、そしてピンをHIGHに駆動、フロートして待機という順番を入れ替えることができる。つまり、最初にステップ2060−2095が発動され、ステップ2010〜2050は、後の段階で発動されること(すべては、例えば、制御モジュール220の制御下にある)。これは明らかに異なるシーケンスにつながり、サンプル値1、サンプル値2、サンプル値3そしてサンプル値4というシーケンスは、サンプル値3、サンプル値4、サンプル値1そしてサンプル値2という異なるユニークシーケンス順列に代わって、最初のシーケンスとは異なるが、依然として外部受動回路に適用される。
一部の実施例により、外部受動回路のそれぞれは単純であり、例えば、図面に示されるように、少数の部材しか含まない。また、図3の回路は、付加的な抵抗器または電源電圧のような付加的な部材を備えることができる。図3に示された抵抗器および電容器の数値は単なる例示的な実施例であることを理解されたい。当業者であれば、設計上の考慮が外部受動回路の各々の構造を変更し得ることを容易に理解するであろう。したがって、一部の実施例により、図3の回路#2または#3において、電容器は抵抗器と並列に接続されることも可能であり、且つ同じ結果が得られる。この場合に、図3のような二つの部材のみが存在するより、より大きな空間が必要とされる(四つの部材)。一部の実施例により、回路#5において、電容器は同じ結果が得られるように、Vssじゃなく、Vccに接続することができる。また、他の受動部材、例えば、インダクタを備えることができることに留意されたい。さらに、1つの抵抗器の等価回路として、二つの抵抗器を直列または並列に接続されることで代用可能であり、電容器についても同じである。
図3に例示され、説明された回路は、外部回路の唯一の選択ではなく、その一部または全部をストラップピンに適用して、他のものを択一的または付加的に使用することもできることが理解される。
続いて、いくつかの実施形態によるタイミングの考慮に関して説明する。本発明はこの例に限定されるものではない。R=10KΩ、C=10nF、2C=10nFを仮定すると、パラメータは次のようになる:
.tPIN>0.5microsecが要求される(CPIN+R=20pFの場合に(例えば、PCBトレースおよび抵抗器を含み)、t=10KΩ*20pF=0.2microsec)。
よって、良好なデジタルレベルに上昇または下降する妥当な時間は二倍の定数であるため、2t=0.4microsec<0.5microsec
.tCAP>10microsec (tC=(10nF*3.3V)/16mA=2microsec;これらはピンの平均電流は16mA、電容量およびVcc=3.3Vのことを考慮する。t2c=(10nF*3.3V)/16mA=2microsec<10microsecは、電容器が完全に充電/放電されることを確保するため)。
.tRC>200microsec(t=10KΩ*10nF=100microsec、よって、2t=200microsec、2tの時に、電圧は入力レベルの範囲内にある。
tRC期間に、2Cの充電/放電はV2c=(10IIA*200microsec)/10nF=200mV<<VII=0.3Vcc、この場合に、入力リーク電流はILK=10μA,tRC=200microsecに仮定する。
.tPIN>0.5microsecが要求される(CPIN+R=20pFの場合に(例えば、PCBトレースおよび抵抗器を含み)、t=10KΩ*20pF=0.2microsec)。
よって、良好なデジタルレベルに上昇または下降する妥当な時間は二倍の定数であるため、2t=0.4microsec<0.5microsec
.tCAP>10microsec (tC=(10nF*3.3V)/16mA=2microsec;これらはピンの平均電流は16mA、電容量およびVcc=3.3Vのことを考慮する。t2c=(10nF*3.3V)/16mA=2microsec<10microsecは、電容器が完全に充電/放電されることを確保するため)。
.tRC>200microsec(t=10KΩ*10nF=100microsec、よって、2t=200microsec、2tの時に、電圧は入力レベルの範囲内にある。
tRC期間に、2Cの充電/放電はV2c=(10IIA*200microsec)/10nF=200mV<<VII=0.3Vcc、この場合に、入力リーク電流はILK=10μA,tRC=200microsecに仮定する。
図4を参照して上の説明からわかるように、本発明の装置に選択された外部受動回路に適用することに応答して得られた一連のサンプル値に基づいて、固有のシーケンスが決定された。これらのユニークシーケンスは、特定のチップ構成を表す。
本明細書において、図5は、本発明の一部の実施例により、所定の外部受動回路の適用に応答するスレーブアドレス選択のためのスレーブアドレス選択テーブルである。
ストラップピンに接続された回路を検出した後、制御モジュールはビットシーケンスの値をスレーブアドレスの対応する値に変換することができる。
したがって、これらの外部受動回路の1つがピン(214)に接続されると、例えば図5の表に従って、I2Cスレーブアドレス(またはテストモード)が選択される。
I2Cスレーブアドレス(およびテストモード)は、異なるIC構成を表す例である。
特定の実施形態によれば、複数の可能なチップ構成(2つ以上のピンを使用する場合にスケーラブルな方法で)を決定する(トリガー信号を提供し、得られたデジタルサンプル値をサンプリングする)ために、一定の時間間隔で操作する単純な受動回路を利用することは、設計者の選択に従ってチップ構成を決定するために外部受動回路を利用する信頼性が高く、エラーの少ない解決策を提供する利点があることに留意されたい。
上記の説明は、本発明を完全に理解するために、多くの細部の描写が記載される。しかしながら、当業者であれば、本明細書に開示された主題がこれらの特定の描写なしに実施できることが理解されるであろう。他の例では、よく知られた方法、手順、部材および回路は、本明細書に開示された主題を不明瞭にしないように、詳しく記載されていない。
チップおよび集積回路(IC)部品という用語は互換的に使用されることに留意されたい。
図1〜図4を参照してさらに詳細に説明するように、制御回路は、ハードウェア/ソフトウェア/ファームウェア、および非一時的なコンピュータ可読記憶媒体上に実装されたコンピュータ可読命令に従っていくつかの機能モジュールを実行するように構成されたソフトウェアの場合に実行することができる。
ここに開示される主題の教示は、図1および/または図2Aの回路を参照して説明された装置に限定されないことに留意されたい。等価および/または変更された機能は、別の方法で統合または分割されることができ、ファームウェアおよび/またはハードウェアとソフトウェアの適切な組み合わせで実行されることができ、適切な装置上で実行できる。
本発明は、その適用において、本明細書に含まれる説明または図面に示された描写に限定されないことを理解されたい。本発明は、他の実施形態が可能であり、様々な方法で実施又は実行される。したがって、本明細書で使用される表現および用語は、説明のためのものであり、限定的であると見なされるべきではないことを理解されたい。このように、当業者であれば、本開示が基礎とする概念は、本開示の主題のいくつかの目的を実行するための他の構造、方法、およびシステムを設計するための基礎として容易に利用できることを理解するであろう。
また、本発明によるシステムは、適切にプログラムされたコンピュータ上に少なくとも部分的に実装されてもよいことも理解されよう。同様に、本発明は、本発明の方法を実行するためのコンピュータによって読取り可能なコンピュータプログラムを意図している。本発明はさらに、本発明の方法を実行するために、コンピュータによって実行可能な命令のプログラムを有形に実施する非一時的コンピュータ可読メモリを意図する。
当業者であれば、添付の特許請求の範囲に定義された本発明の範囲から逸脱することなく、上述の本発明の実施形態に様々な修正および変更を適用できることを容易に理解するであろう。
100:ICチップ
101、102、103、104、105、106、214、Pin:ピン
111、112、113、211:外部受動回路
120、230:内部回路
212、213:回路位置
215、218:出力信号
216、219:緩衝器
217:入力信号
220:制御モジュール
221:4ビットレジスタ
2010、2020、2030、2040、2050、2060、2070、2080、2090、2095:ステップ
C:C回路
2C:2C回路
R:R回路
VCC:電源電圧
VSS:接地
101、102、103、104、105、106、214、Pin:ピン
111、112、113、211:外部受動回路
120、230:内部回路
212、213:回路位置
215、218:出力信号
216、219:緩衝器
217:入力信号
220:制御モジュール
221:4ビットレジスタ
2010、2020、2030、2040、2050、2060、2070、2080、2090、2095:ステップ
C:C回路
2C:2C回路
R:R回路
VCC:電源電圧
VSS:接地
Claims (23)
- 少なくとも1つのIC部材およびN個のデジタルI/Oピンを備えるフルデジタルマルチピン値検出装置であって、
前記IC部材は、内部回路および制御モジュールを備え、前記内部回路および前記制御モジュールは、複数の選択可能な装置特性のうちの一つを選択して装置特性を確定するように操作し、前記内部回路および前記制御モジュールは、複数の前記装置特性に対応する複数の外部受動回路のうちのi個前記外部受動回路と結合し、
前記内部回路の前記制御モジュールは、予め選択された一連のトリガー信号を生成することに応じて、前記複数の外部受動回路がそれぞれ前記ピンに適用される場合に、複数の異なるシーケンスの前記ピンの状態に応じたサンプル値を生成し、
前記サンプル値により、前記ピンに適用された前記複数の外部受動回路の各外部受動回路に対応する前記複数の異なるシーケンスの状態のいずれが発生されたことを確定し、
前記複数の選択可能な装置特性から、確定した前記複数の異なるシーケンスに対応する個別装置特性を確定し、且つ
iは3より大き整数であり、Nは1より大きいまたは等しい整数であることを特徴とする、マルチピン値検出装置。 - 前記内部回路および前記制御モジュールは、前記ピンのうちの所定ピンに適用されるi個の外部受動回路と結合し、且つ前記所定ピンと異なるピンに適用される相応数量の前記外部受動回路と結合することを特徴とする、請求項1に記載のマルチピン値検出装置。
- 前記内部回路および前記制御モジュールは、N個の前記ピンの各ピンごとに異なるi個の前記外部受動回路と結合し、iN個の装置特性を生成し、Nは1より大きい整数であることを特徴とする、請求項2に記載のマルチピン値検出装置。
- 前記外部受動回路の数量は3より多く、Nは1であることを特徴とする、請求項1に記載のマルチピン値検出装置。
- 前記装置特性は、IC部材の構成であることを特徴とする、請求項1に記載のマルチピン値検出装置。
- 前記複数の外部受動回路がC回路を備えることを特徴とする、請求項1に記載のマルチピン値検出装置。
- 前記C回路がプルダウンキャパシタを備えることを特徴とする、請求項6に記載のマルチピン値検出装置。
- 前記C回路は、連結されたキャパシタの組み合わせを備えることを特徴とする、請求項6に記載のマルチピン値検出装置。
- 前記複数の外部受動回路は、R回路を備えることを特徴とする、請求項1に記載のマルチピン値検出装置。
- 前記R回路は、プルダウン抵抗器を備えることを特徴とする、請求項9に記載のマルチピン値検出装置。
- 前記R回路は、プルアップ抵抗器を備えることを特徴とする、請求項9に記載のマルチピン値検出装置。
- 前記R回路は、連結された抵抗器の組み合わせを備えることを特徴とする、請求項9に記載のマルチピン値検出装置。
- 前記複数の外部受動回路は、少なくとも1つのRC回路を備えることを特徴とする、請求項1に記載のマルチピン値検出装置。
- 前記少なくとも1つのRC回路は、プルダウン抵抗器とプルアップキャパシタとを備えることを特徴とする、請求項13に記載のマルチピン値検出装置。
- 前記少なくとも1つのRC回路は、プルアップ抵抗器とプルダウンキャパシタとを備えることを特徴とする、請求項13に記載のマルチピン値検出装置。
- 前記RC回路は、連結された抵抗器の組み合わせおよび連結されたキャパシタの組み合わせを備えることを特徴とする、請求項13に記載のマルチピン値検出装置。
- 前記複数の外部受動回路は、複数のRC回路を備えることを特徴とする、請求項13に記載のマルチピン値検出装置。
- 前記サンプル値は、実質的に所定のタイミングで生成されることを特徴とする、請求項1に記載のマルチピン値検出装置。
- 前記予め選択された一連の前記トリガー信号を生成することに応じて、前記複数の外部受動回路がそれぞれ前記ピンに適用される場合に、前記複数の異なるシーケンスの前記ピンの状態に応じたサンプル値を生成し、且つ第一サブシーケンス(i)〜(v)に続いて第二サブシーケンス(vi)〜(x)を含み、
(i)前記ピンを“LOW”に駆動して、第一継続時間(tCAP)に維持し;
(ii)前記ピンの駆動を停止して、第二継続時間(tPIN)に待機し;
(iii)前記ピンの状態をサンプリングしてレジスタに格納し;
(iv)第三継続時間(tRC)に待機し;
(v)前記ピンの前記状態をサンプリングして前記レジスタに格納し;
(vi)前記ピンを“HIGH”に駆動して、前記第一継続時間(tCAP)に維持し;
(vii)前記ピンの駆動を停止して、前記第二継続時間(tPIN)に待機し;
(viii)前記ピンの前記状態をサンプリングして前記レジスタに格納し;
(ix)第三継続時間(tRC)に待機し;且つ
(x)前記ピンの前記状態をサンプリングして前記レジスタに格納する
ことを特徴とする、請求項1に記載のマルチピン値検出装置。 - 前記予め選択された一連の前記トリガー信号を生成することに応じて、前記複数の外部受動回路がそれぞれ前記ピンに適用される場合に、前記複数の異なるシーケンスの前記ピンの状態に応じたサンプル値を生成し、且つ第二サブシーケンス(vi)〜(x)に続いて第一サブシーケンス(i)〜(v)を含み、
(i)前記ピンを“LOW”に駆動して、第一継続時間(tCAP)に維持し;
(ii)前記ピンの駆動を停止して、第二継続時間(tPIN)に待機し;
(iii)前記ピンの状態をサンプリングしてレジスタに格納し;
(iv)第三継続時間(tRC)に待機し;
(v)前記ピンの前記状態をサンプリングして前記レジスタに格納し;
(vi)前記ピンを“HIGH”に駆動して、前記第一継続時間(tCAP)に維持し;
(vii)前記ピンの駆動を停止して、前記第二継続時間(tPIN)に待機し;
(viii)前記ピンの前記状態をサンプリングして前記レジスタに格納し;
(ix)第三継続時間(tRC)に待機し;且つ
(x)前記ピンの前記状態をサンプリングして前記レジスタに格納する
ことを特徴とする、請求項1に記載のマルチピン値検出装置。 - 前記サンプル値は、以下の状態シーケンスに対応する:
“0000”は前記ピンに適用された第一プルダウンR外部受動回路であり、“0010”は前記ピンに適用された第二RC外部受動回路であり、“0111”は前記ピンに適用された第三RC外部受動回路であり、“1111”は前記ピンに適用された第四プルアップR外部受動回路であり、且つ“0011”は前記ピンに適用された第五C外部受動回路であることを特徴とする、請求項19に記載のマルチピン値検出装置。 - 前記サンプル値は、以下の状態シーケンスに対応する:
“0000”は前記ピンに適用された第一プルダウンR外部受動回路であり、“1000”は前記ピンに適用された第二RC外部受動回路であり、“1101”は前記ピンに適用された第三RC外部受動回路であり、“1111”は前記ピンに適用された第四プルアップR外部受動回路であり、且つ“1100”は前記ピンに適用された第五C外部受動回路であることを特徴とする、請求項20に記載のマルチピン値検出装置。 - フルデジタルマルチピン値検出装置を使用するサンプリング方法であって、
(i)複数の選択可能な装置特性のうちの1つを選択して装置特性を確定するように操作する内部回路および制御モジュールを収容する少なくとも1つのIC部材を含む装置を提供し、且つ前記内部回路および前記制御モジュールは前記複数の装置特性に対応する複数の外部受動回路のうちのi個の外部受動回路と結合し、且つN個のピンを備え、
前記方法は、
(ii)予め選択された一連のトリガー信号を生成することに応じて、前記複数の外部受動回路がそれぞれ前記ピンに適用される場合に、複数の異なるシーケンスの前記ピンの状態のサンプル値を生成するステップと、
(iii)前記サンプル値により、前記複数の外部受動回路の各前記外部受動回路に対応する前記複数の異なるシーケンスの状態のいずれが発生されたことを確定するステップと、
(iv)前記複数の選択可能な装置特性から、確定した前記複数の異なるシーケンスに対応する個別装置特性を確定するステップと、
をさらに含み、且つ
iは3より大き整数であり、Nは1より大きいまたは等しい整数であることを特徴とする、サンプリング方法。
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