JP2018078259A - 薄膜デバイス - Google Patents
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Abstract
【解決手段】高周波信号ラインSLと、該高周波信号ラインSLに挿入された薄膜キャパシタ素子Cと、該薄膜キャパシタ素子Cに対して直流バイアス電圧を印加するバイアス電圧印加ラインBLと、該バイアス電圧印加ラインBLに挿入されて、薄膜キャパシタ素子Cと直列に接続される薄膜抵抗素子R1,R2とを有する薄膜デバイス100において、薄膜キャパシタ素子Cは、負の抵抗温度係数を有するセラミックの誘電体層6を有するとともに、絶縁抵抗値が50MΩ以下であり、薄膜抵抗素子R1,R2を形成する材料は、電気抵抗率が10000μΩcm以上であって、抵抗温度係数が誘電体層6の抵抗温度係数の絶対値よりも小さい。
【選択図】図2
Description
本発明の一実施形態について図1および図2を参照して説明する。なお、図1および図2では、説明を簡易なものとするために本発明にかかる主要な構成のみが図示されている。
薄膜デバイス100の概略構成について説明する。
薄膜デバイス100の製造方法の一例について説明する。なお、この実施形態では、大面積の基板1が用いられて複数の薄膜デバイス100の集合体が形成された後に個片化されることにより、複数の薄膜デバイス100が同時に形成される。
6 誘電体層6(誘電体薄膜)
7 キャパシタ電極層(電極膜)
100 薄膜デバイス
C 薄膜キャパシタ素子
R1,R2 薄膜抵抗素子
SL 高周波信号ライン
BL バイアス電圧印加ライン
Claims (2)
- 高周波信号ラインと、
前記高周波信号ラインに挿入された、直流バイアス電圧により容量が変化する薄膜キャパシタ素子と、
該薄膜キャパシタ素子に対して直流バイアス電圧を印加するバイアス電圧印加ラインと、
該バイアス電圧印加ラインに挿入されて、前記薄膜キャパシタ素子と直列に接続される薄膜抵抗素子と、
を有する回路が形成された薄膜デバイスであって、
前記薄膜キャパシタ素子と、前記薄膜抵抗素子とは、同一の積層体内部に形成されており、
前記薄膜キャパシタ素子は、負の抵抗温度係数を有するセラミック誘電体薄膜と、一対の電極膜とを有するとともに、使用温度範囲において絶縁抵抗値が50MΩ以下であり、
前記薄膜抵抗素子を形成する材料は、電気抵抗率が10000μΩcm以上であって、抵抗温度係数が前記誘電体薄膜の抵抗温度係数の絶対値よりも小さい
ことを特徴とする薄膜デバイス。 - 前記薄膜抵抗素子を形成する材料が、SiとNiとCrとを含有することを特徴とする請求項1に記載の薄膜デバイス。
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