JP2018077940A - ナノスケール光陰極電子源 - Google Patents
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Abstract
Description
20 基板
30 透明電極層
31 アクリル樹脂層
32 アルミニウム層
33 金膜
40,41 光陰極部
Claims (9)
- 高コヒーレントな電子ビームを生成可能なナノスケール光陰極電子源であって、該ナノスケール光陰極電子源は、
レーザ光を照射可能なレーザ光源と、
前記レーザ光源からのレーザ光に対して透過性を有する基板と、
前記レーザ光源からのレーザ光に対して透過性を有する導電性材料からなり、前記基板のレーザ光が照射される側の面と対向する面上に形成され所定の電圧が印加される透明電極層と、
前記透明電極層に形成され光電変換材料からなるナノスケールの光陰極部と、
を具備することを特徴とするナノスケール光陰極電子源。 - 請求項1に記載のナノスケール光陰極電子源において、前記光陰極部は、透明電極層のレーザ光が照射される側の面と対向する面内に面一となるように埋め込まれることを特徴とするナノスケール光陰極電子源。
- 請求項1又は請求項2に記載のナノスケール光陰極電子源において、前記光陰極部は、直径がナノスケールのドット形状からなることを特徴とするナノスケール光陰極電子源。
- 請求項3に記載のナノスケール光陰極電子源において、前記レーザ光源は、光陰極部のドット形状の直径に極力近い照射径を有するように焦点が合わせられるように構成されることを特徴とするナノスケール光陰極電子源。
- 請求項1又は請求項2に記載のナノスケール光陰極電子源において、前記光陰極部は、線幅がナノスケールの微細パターンからなることを特徴とするナノスケール光陰極電子源。
- 請求項5に記載のナノスケール光陰極電子源において、前記レーザ光源は、光陰極部の微細パターン全体を照射可能な照射エリアを有するように構成されることを特徴とするナノスケール光陰極電子源。
- 請求項1乃至請求項6の何れかに記載のナノスケール光陰極電子源であって、さらに、前記レーザ光源からのレーザ光の影響を抑制するために、光陰極部へレーザ光を照射するときと光陰極部を避けて基板と透明電極層を透過するレーザ光を照射するときとの差分を取るノイズ除去部を具備することを特徴とするナノスケール光陰極電子源。
- 請求項1乃至請求項7の何れかに記載のナノスケール光陰極電子源において、前記光陰極部は、Au,Ag,Cu,GaAs,CsTe,CsKSb,NEA−GaAsの何れかであることを特徴とするナノスケール光陰極電子源。
- 請求項1乃至請求項8の何れかに記載のナノスケール光陰極電子源において、前記透明電極層は、ITO,ZnO,IGZOの何れかであることを特徴とするナノスケール光陰極電子源。
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