JP2018077163A - 光学特性測定装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】光学特性の測定値の変動を抑制できる光学特性測定装置を提供する。【解決手段】発光素子に電力供給するプローブと、該発光素子から放射された光を検出する受光部と、を備えた光学特性測定装置において、前記プローブは、表面に黒色化成被膜を有し、前記発光素子に接触する先端が該黒色化成被膜に覆われずに露出する、ことを特徴とする。【選択図】図２
Description
本発明は、ＬＥＤチップ等の測定対象の光学特性を測定する光学特性測定装置に関する。
このような光学特性測定装置５の例を図１に示す。光学特性を測定する際には、ステージ２上に配置されたＬＥＤチップなど発光素子１の電極にプローブ３を接触させ、所定の電力を供給することで発光素子を発光させる。そして発光素子１から放出された光を受光部４で検出することで、波長や光度などの光学特性を測定している。
このような方式では、プローブ３が発光素子１から放出された光の一部を遮り、乱反射してしまうことで、測定誤差が大きくなってしまう問題がある。
また、従来のプローブ３は、繰り返しの測定で電圧が何度も印加されることで、表面が変色し、光反射率が低下してしまう。この結果、プローブ３の使用回数により測定値が徐々にずれてしまい、より誤差が大きくなってしまうことが判明した。
そこで本発明では、光学特性の測定値の変動を抑制できる光学特性測定装置を提供する。
本発明は、発光素子に電力供給するプローブと、発光素子から放射された光を検出する受光部と、を備えた光学特性測定装置において、プローブは表面に黒色化成被膜を有し、発光素子に接触する先端が黒色化成被膜に覆われず露出する、ことを最も主要な特徴とする。
本発明の光学特性測定装置によれば、プローブ略全体が黒色であるため、発光素子から放射された光を吸収することで、周囲に乱反射してしまうことを防止でき、測定誤差を小さくすることができる。また繰り返しの使用によりプローブ自体が劣化しても、表面をあらかじめ黒色としているため、表面の変色による光反射率の低下を抑制でき、測定値の変動を抑制できる。
本発明の光学特性測定装置５０について図２を引用しながら説明する。なお各図は説明のために各要素を簡略化して示したもので、実際の縮尺、大きさとは異なっている。
図２は本実施例の光学特性測定装置５０を示した概略図である。光学特性測定装置５０は、被測定対象である発光素子１０を搭載するステージ２０、発光素子１０に電力供給するためのプローブ３０、発光素子１０から放射される光を検出する受光部４０を備えている。以下、各部の詳細について説明する。
本実施例において、発光素子１０は上面に電極（図略）を備える青色ＬＥＤチップである。なお発光素子１０としては、個片化されたＬＥＤチップではなく、複数のＬＥＤチップが形成されたウエハ状態であってもよい。またＬＥＤに限らず、ＬＤ（レーザーダイオード）チップやＥＬ（エレクトロルミネッセンス）チップなど、プローブ３０の電力供給により発光する素子であればよい。なお後述のよう、プローブ３０には乱反射を抑制するための黒色化成被膜３１が設けられることから、黒色で吸収される可視光を発光するものが特に好ましい。
ステージ２０は、搭載された発光素子１０と、プローブ３０や受光部４０とを位置合わせする可動式のステージである。なおプローブ３０や受光部４０自体が可動することとすれば、ステージ２０はなくても良い。
プローブ３０は、電源（図略）に接続されており、発光素子１０の電極に接触し電力供給することで、発光素子１０を発光させる。プローブ３０は６元合金などの金属母材からなり、その表面には黒色化成被膜３１が形成される。また先端３２は、発光素子１０の電極へ直接接触することから、黒色化成被膜３１が形成されずに母材が露出している。これにより、繰り返し使用した場合にその摩擦等により黒色化成被膜３１が剥れることを防止し、また発光素子１０の電極表面を汚染してしまうことを防止できる。
黒色化成被膜３１は、導電性を有しており、レイデント処理などの既知の方法で形成することができる。化成被膜であるため、その表面の耐食性を高めることができる。また黒色であるため、繰り返し使用によりプローブ３０の母材が劣化しても、光反射率が低下することを防止でき、測定時の誤差を最小限に抑えることができる。
受光部４０は、光学特性を測定するコンピュータに接続されており（図略）、発光素子１０から放射された光を検出し、光度や波長スペクトルなどの光学特性を測定する。
以上のよう構成された本発明では、プローブ３０が黒色化成被膜で覆われていることで光反射率の低下を防止でき、光学特性の測定値の変動を抑制できる。
発明者の検討によれば、およそ１２０万回使用した場合、従来のプローブ３では光学特性（光度）の測定値が０．８％低下してしまっていたところ、黒色化成被膜３１で被覆した本発明のプローブ３０では０．４％の低下にとどまり、光学特性の測定値の変動を抑制できることが確認された。
発明者の検討によれば、およそ１２０万回使用した場合、従来のプローブ３では光学特性（光度）の測定値が０．８％低下してしまっていたところ、黒色化成被膜３１で被覆した本発明のプローブ３０では０．４％の低下にとどまり、光学特性の測定値の変動を抑制できることが確認された。
以上のよう、プローブ表面を黒色化成被膜で覆うことで、使用時の乱反射による測定値の変動を抑制しつつ、プローブ自体の劣化に伴う光反射率の低下による測定値の変動をも抑制できる。
本発明は、上述の実施形態に限られるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲において、様々な構成で実現することができる。
１、１０ 発光素子
２、２０ ステージ
３、３０ プローブ
３１ 黒色化成被膜
３２ 先端
４、４０ 受光部
５、５０ 光学特性測定装置
２、２０ ステージ
３、３０ プローブ
３１ 黒色化成被膜
３２ 先端
４、４０ 受光部
５、５０ 光学特性測定装置
Claims (2)
- 発光素子に電力供給するプローブと、該発光素子から放射された光を検出する受光部と、を備えた光学特性測定装置において、
前記プローブは、表面に黒色化成被膜を有し、前記発光素子に接触する先端が該黒色化成被膜に覆われずに露出する、
ことを特徴とする光学特性測定装置。 - 前記発光素子は可視光を発光する、ことを特徴とする請求項１に記載の光学特性測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016219825A JP2018077163A (ja) | 2016-11-10 | 2016-11-10 | 光学特性測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016219825A JP2018077163A (ja) | 2016-11-10 | 2016-11-10 | 光学特性測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2018077163A true JP2018077163A (ja) | 2018-05-17 |
Family
ID=62150228
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016219825A Pending JP2018077163A (ja) | 2016-11-10 | 2016-11-10 | 光学特性測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2018077163A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0732954U (ja) * | 1993-11-29 | 1995-06-16 | 日本電子材料株式会社 | 光素子用プローブ及びこれを用いた光素子用プローブカード |
| JP2002009117A (ja) * | 2000-06-19 | 2002-01-11 | Micronics Japan Co Ltd | プローブカード |
| US20130043875A1 (en) * | 2011-08-21 | 2013-02-21 | Bruker Nano, Inc. | Testing of electroluminescent semiconductor wafers |
-
2016
- 2016-11-10 JP JP2016219825A patent/JP2018077163A/ja active Pending
Patent Citations (3)
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| JPH0732954U (ja) * | 1993-11-29 | 1995-06-16 | 日本電子材料株式会社 | 光素子用プローブ及びこれを用いた光素子用プローブカード |
| JP2002009117A (ja) * | 2000-06-19 | 2002-01-11 | Micronics Japan Co Ltd | プローブカード |
| US20130043875A1 (en) * | 2011-08-21 | 2013-02-21 | Bruker Nano, Inc. | Testing of electroluminescent semiconductor wafers |
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