JP2018074173A - Light emitting element - Google Patents
Light emitting element Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018074173A JP2018074173A JP2017241150A JP2017241150A JP2018074173A JP 2018074173 A JP2018074173 A JP 2018074173A JP 2017241150 A JP2017241150 A JP 2017241150A JP 2017241150 A JP2017241150 A JP 2017241150A JP 2018074173 A JP2018074173 A JP 2018074173A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- type contact
- contact layer
- barrier
- gan
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims description 72
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 332
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 80
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 25
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 18
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 16
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 16
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 13
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 9
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- -1 InGaN Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012792 core layer Substances 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
- H01L33/06—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J163/00—Adhesives based on epoxy resins; Adhesives based on derivatives of epoxy resins
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/30—Polarising elements
- G02B5/3025—Polarisers, i.e. arrangements capable of producing a definite output polarisation state from an unpolarised input state
- G02B5/3033—Polarisers, i.e. arrangements capable of producing a definite output polarisation state from an unpolarised input state in the form of a thin sheet or foil, e.g. Polaroid
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/0004—Devices characterised by their operation
- H01L33/0008—Devices characterised by their operation having p-n or hi-lo junctions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
- H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
Description
本発明は、無機物半導体発光素子に関し、特に、近紫外線発光素子に関する。 The present invention relates to an inorganic semiconductor light emitting device, and more particularly to a near ultraviolet light emitting device.
一般に、窒化ガリウム系半導体は、フルカラーディスプレイ、交通信号機、一般照明及び光通信機器の光源として紫外線、青色/緑色発光ダイオードまたはレーザーダイオードに広く用いられている。特に、窒化インジウムガリウム(InGaN)化合物半導体は、狭いバンドギャップによって多くの注目を受けている。 In general, gallium nitride based semiconductors are widely used for ultraviolet, blue / green light emitting diodes or laser diodes as light sources for full color displays, traffic signals, general lighting and optical communication equipment. In particular, indium gallium nitride (InGaN) compound semiconductors have received much attention due to their narrow band gap.
このような窒化ガリウム系列の化合物半導体を用いた発光素子は、大規模天然色フラットパネルディスプレイ、バックライト光源、信号機、室内照明、高密度光源、高解像度出力システム及び光通信などの多様な応用分野に活用されている。特に、近紫外線を放出する発光素子は、偽札鑑識、樹脂硬化及び紫外線治療などに使用されており、また、蛍光体と組み合わされて多様な色相の可視光線を実現することができる。 Light emitting devices using such gallium nitride-based compound semiconductors have various application fields such as large-scale natural color flat panel displays, backlight sources, traffic lights, indoor lighting, high-density light sources, high-resolution output systems, and optical communications. It is used for. In particular, light-emitting elements that emit near-ultraviolet rays are used for counterfeit identification, resin curing, ultraviolet ray treatment, and the like, and can be combined with phosphors to realize visible rays with various hues.
近紫外線は、一般に約320nm〜390nmの波長範囲の紫外線を称する。GaNは、約3.42eVのバンドギャップエネルギーを有するが、このエネルギーは、約365nmの波長の光エネルギーに対応する。したがって、InGaNウェル層を含む発光素子は、Inの含有量によって365nm以上の光、すなわち、365nm〜390nmの範囲の近紫外線を放出することに使用されてもよい。 Near-ultraviolet rays generally refer to ultraviolet rays having a wavelength range of about 320 nm to 390 nm. GaN has a band gap energy of about 3.42 eV, which corresponds to light energy with a wavelength of about 365 nm. Therefore, a light emitting device including an InGaN well layer may be used to emit light having a wavelength of 365 nm or more, that is, near ultraviolet rays in the range of 365 nm to 390 nm depending on the In content.
一方、ウェル層で生成された光は、障壁層及びコンタクト層を介して外部に放出されるので、光の進行経路上に多数の半導体層が位置し、これら半導体層による光吸収が発生する。特に、半導体層がウェル層より狭いバンドギャップを有したり、ウェル層と類似するバンドギャップを有する場合、相当多くの光損失が発生する。特に、発光素子のほとんどの厚さを占めるn型コンタクト層及びp型コンタクト層による光吸収を制御する必要がある。 On the other hand, since the light generated in the well layer is emitted to the outside through the barrier layer and the contact layer, a large number of semiconductor layers are positioned on the light traveling path, and light absorption by these semiconductor layers occurs. In particular, if the semiconductor layer has a narrower band gap than the well layer or a band gap similar to the well layer, a considerable amount of light loss occurs. In particular, it is necessary to control light absorption by the n-type contact layer and the p-type contact layer that occupy most of the thickness of the light emitting element.
このために、従来の近紫外線発光素子は、電子ブロック層のみならず、障壁層、n型コンタクト層及びp型コンタクト層を、InGaNに比べて相対的に広いバンドギャップを有するAlGaNで形成している。しかし、AlGaNは、良好な結晶性を維持しながら相対的に厚く成長させにくいので、近紫外線発光素子は、その電気的光学的特性が青色発光素子の電気的光学的特性に比べて相対的に低く、青色/緑色発光ダイオードに比べて相対的に高価に販売されている。 For this reason, in the conventional near-ultraviolet light emitting device, not only the electron blocking layer but also the barrier layer, the n-type contact layer, and the p-type contact layer are formed of AlGaN having a relatively wide band gap compared to InGaN. Yes. However, since AlGaN is relatively difficult to grow while maintaining good crystallinity, the near-ultraviolet light-emitting element has a relative electrical and optical characteristic relative to that of a blue light-emitting element. It is low and is relatively expensive compared to blue / green light emitting diodes.
本発明が解決しようとする課題は、窒化ガリウム系近紫外線発光素子の光出力または発光効率を改善することにある。 The problem to be solved by the present invention is to improve the light output or light emission efficiency of a gallium nitride near-ultraviolet light emitting device.
本発明が解決しようとする他の課題は、より容易に製造できる近紫外線発光素子を提供することにある。 Another problem to be solved by the present invention is to provide a near-ultraviolet light emitting device that can be more easily manufactured.
本発明の一実施例に係る発光素子は、窒化ガリウム層を含むn型コンタクト層と、窒化ガリウム層を含むp型コンタクト層と、及び前記n型コンタクト層と前記p型コンタクト層との間に位置する多重量子井戸構造の活性領域とを含み、前記多重量子井戸構造の活性領域は、365nm〜390nmの範囲内の近紫外線を放出する。 A light emitting device according to an embodiment of the present invention includes an n-type contact layer including a gallium nitride layer, a p-type contact layer including a gallium nitride layer, and the n-type contact layer and the p-type contact layer. And an active region having a multiple quantum well structure located therein, and the active region having the multiple quantum well structure emits near ultraviolet rays within a range of 365 nm to 390 nm.
前記多重量子井戸構造の活性領域は、各障壁層及び各井戸層を含む。一方、前記各障壁層はAlInGaNで形成されてもよい。障壁層がInを含有することによって、井戸層と障壁層との間の格子不一致を緩和することができる。 The active region of the multiple quantum well structure includes each barrier layer and each well layer. Meanwhile, each barrier layer may be formed of AlInGaN. When the barrier layer contains In, lattice mismatch between the well layer and the barrier layer can be reduced.
さらに、前記n型コンタクト層に最も近い第1の障壁層は、他の障壁層に比べてAlを10%〜20%さらに含有してもよい。前記第1の障壁層を他の障壁層に比べて相対的に格子定数の小さいAlInGaNで形成することによって、発光素子の光出力を向上させることができる。本明細書において、百分率で表示された金属元素の含量は、窒化ガリウム系層(gallium nitride−based layer)の金属成分の組成の和に対して各金属成分の組成を百分率で表示したものである。すなわち、AlxInyGazNで表示される窒化ガリウム系層のAlの含量は、100×x/(x+y+z)で計算し、これを%で表現する。 Furthermore, the first barrier layer closest to the n-type contact layer may further contain 10% to 20% of Al as compared with other barrier layers. By forming the first barrier layer from AlInGaN having a relatively small lattice constant compared to other barrier layers, the light output of the light emitting element can be improved. In the present specification, the content of the metal element expressed in percentage is the composition of each metal component expressed in percentage with respect to the sum of the composition of the metal components of the gallium nitride-based layer. . In other words, the Al content of the gallium nitride-based layer represented by Al x In y Ga z N is calculated by 100 × x / (x + y + z) and expressed as%.
前記各井戸層は、InGaNで形成され、375nm〜390nmの近紫外線を放出することができ、前記第1の障壁層以外の他の障壁層は、15%〜25%のAl及び1%以下のInを含有するAlInGaNで形成されてもよい。さらに、前記第1の障壁層は、30%〜40%のAl及び1%以下のInを含有するAlInGaNで形成されてもよい。 Each of the well layers is formed of InGaN and can emit near ultraviolet rays of 375 nm to 390 nm. Other barrier layers other than the first barrier layer include 15% to 25% Al and 1% or less. It may be formed of AlInGaN containing In. Furthermore, the first barrier layer may be formed of AlInGaN containing 30% to 40% Al and 1% or less In.
いくつかの実施例において、前記p型コンタクト層は、下部高濃度ドーピング層、上部高濃度ドーピング層、及び前記下部高濃度ドーピング層と上部高濃度ドーピング層との間に位置する低濃度ドーピング層を含んでもよい。また、前記低濃度ドーピング層の厚さは、前記下部及び上部高濃度ドーピング層の厚さより厚い。前記低濃度ドーピング層を相対的に厚く形成することによって、p型コンタクト層による光吸収を防止することができる。 In some embodiments, the p-type contact layer includes a lower heavily doped layer, an upper heavily doped layer, and a lightly doped layer located between the lower heavily doped layer and the upper heavily doped layer. May be included. The lightly doped layer is thicker than the lower and upper heavily doped layers. By forming the lightly doped layer relatively thick, light absorption by the p-type contact layer can be prevented.
また、前記n型コンタクト層は、下部窒化ガリウム層、上部窒化ガリウム層、及び前記下部窒化ガリウム層と前記上部窒化ガリウム層との間に位置する多層構造の中間層を含んでもよい。多層構造の中間層をn型コンタクト層の中間に挿入することによって、n型コンタクト層上に形成される各エピ層(epitaxial layer)の結晶質を改善することができる。特に、前記多層構造の中間層は、AlInNとGaNを交互に積層した構造を有してもよい。 The n-type contact layer may include a lower gallium nitride layer, an upper gallium nitride layer, and an intermediate layer having a multilayer structure positioned between the lower gallium nitride layer and the upper gallium nitride layer. By inserting an intermediate layer having a multilayer structure in the middle of the n-type contact layer, the crystallinity of each epitaxial layer formed on the n-type contact layer can be improved. In particular, the intermediate layer of the multilayer structure may have a structure in which AlInN and GaN are alternately stacked.
一方、前記発光素子は、前記n型コンタクト層と前記活性領域との間に位置する超格子層、及び前記超格子層と前記活性領域との間に位置する電子注入層をさらに含んでもよい。ここで、前記電子注入層は、前記超格子層に比べてより高いn型不純物ドーピング濃度を有する。前記電子注入層によって活性領域内に電子がうまく注入され得るので、発光効率を改善することができる。 Meanwhile, the light emitting device may further include a superlattice layer positioned between the n-type contact layer and the active region, and an electron injection layer positioned between the superlattice layer and the active region. Here, the electron injection layer has a higher n-type impurity doping concentration than the superlattice layer. Since electrons can be successfully injected into the active region by the electron injection layer, the luminous efficiency can be improved.
特定の実施例において、前記超格子層は、InGaN/InGaNを繰り返して積層した構造を有してもよく、前記電子注入層は、GaNまたはInGaNで形成されてもよい。ここで、InGaN/InGaNは、超格子層を構成する1周期内の各層がInGaNで形成されたことを示し、これら各層が同一の組成のInを含有する必要はない。 In a specific embodiment, the superlattice layer may have a structure in which InGaN / InGaN is repeatedly stacked, and the electron injection layer may be formed of GaN or InGaN. Here, InGaN / InGaN indicates that each layer in one cycle constituting the superlattice layer is formed of InGaN, and it is not necessary that these layers contain In having the same composition.
一方、アンドープGaN層は、前記n型コンタクト層と前記超格子層との間に位置してもよい。前記アンドープGaN層は、前記n型コンタクト層に接してもよく、不純物ドーピングによって低下したn型コンタクト層の結晶品質を回復させる。 On the other hand, the undoped GaN layer may be located between the n-type contact layer and the superlattice layer. The undoped GaN layer may be in contact with the n-type contact layer, and restores the crystal quality of the n-type contact layer that has been degraded by impurity doping.
また、前記発光素子は、前記アンドープGaN層と前記超格子層との間に位置し、前記n型コンタクト層より低濃度にn型不純物でドーピングされた低濃度GaN層と、及び前記低濃度GaN層と前記超格子層との間に位置し、前記低濃度GaN層より高濃度にn型不純物でドーピングされた高濃度GaN層とをさらに含んでもよい。 The light emitting device is located between the undoped GaN layer and the superlattice layer, and is doped with an n-type impurity at a lower concentration than the n-type contact layer, and the low-concentration GaN. A high-concentration GaN layer positioned between the layer and the superlattice layer and doped with an n-type impurity at a higher concentration than the low-concentration GaN layer may further be included.
前述の一般的説明および後述の詳細な説明は例示的なものであり、かつ解釈に役立つためのものであって、請求された発明に係るさらなる説明を提供するためのものとして理解すればいい。 It is to be understood that the foregoing general description and the following detailed description are exemplary and are intended to aid in interpretation and to provide further explanation of the claimed invention.
従来の近紫外線発光素子は、n型コンタクト層をAlGaNで形成している。基板を除いたほとんどの発光素子の厚さを占めるコンタクト層をAlGaNで形成することによって、光吸収による光損失を防止できるが、エピ層の結晶品質が悪いので、光出力や発光効率を改善することは難しい。その一方、本発明は、n型コンタクト層及びp型コンタクト層が全部またはほとんど窒化ガリウム層に形成されることによって、活性領域の結晶品質を改善することができる。したがって、光吸収による光損失を防止し、発光素子の光出力を向上させることができる。 In the conventional near-ultraviolet light emitting element, the n-type contact layer is formed of AlGaN. By forming a contact layer that occupies the thickness of most light-emitting elements excluding the substrate with AlGaN, light loss due to light absorption can be prevented, but the crystal quality of the epi layer is poor, so the light output and light emission efficiency are improved. It ’s difficult. On the other hand, according to the present invention, the crystal quality of the active region can be improved by forming the n-type contact layer and the p-type contact layer all or almost on the gallium nitride layer. Therefore, light loss due to light absorption can be prevented, and the light output of the light emitting element can be improved.
また、他の障壁層に比べて第1の障壁層にAlをさらに含有させることによって、光出力をさらに改善することができる。さらに、n型コンタクト層及びp型コンタクト層の結晶品質を改善することによって、光吸収による光損失を減少させることができる。 Further, the light output can be further improved by further adding Al to the first barrier layer as compared with other barrier layers. Furthermore, the optical loss due to light absorption can be reduced by improving the crystal quality of the n-type contact layer and the p-type contact layer.
以下、添付の各図面を参照して本発明の各実施例を詳細に説明する。次に紹介する各実施例は、当業者に本発明の思想を十分に伝達するために例として提供されるものである。したがって、本発明は、以下で説明する実施例に限定されず、他の形態に具体化することができる。そして、図面において、構成要素の幅、長さ、厚さなどは、便宜のために誇張して表現する場合もある。明細書全体にわたって同一の参照番号は、同一の構成要素を示す。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Each embodiment introduced below is provided as an example to fully convey the idea of the present invention to those skilled in the art. Therefore, the present invention is not limited to the examples described below, and can be embodied in other forms. In the drawings, the width, length, thickness, and the like of components may be exaggerated for convenience. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification.
図1は、本発明の一実施例に係る発光素子を説明するための断面図で、図2は、前記発光素子の多重量子井戸構造を説明するための拡大断面図である。 FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view illustrating a multiple quantum well structure of the light emitting device.
図1を参照すると、前記発光素子は、n型コンタクト層27、活性領域39及びp型コンタクト層43を含む。さらに、前記発光素子は、基板21、核層(nucleation layer)23、バッファー層25、アンドープGaN層29、低濃度GaN層31、高濃度GaN層33、超格子層35、電子注入層37、電子ブロック層41またはデルタドービング層45を含んでもよい。
Referring to FIG. 1, the light emitting device includes an n-
前記基板21は、窒化ガリウム系半導体層を成長させるための基板であって、サファイア基板、SiC基板、スピネル(spinel)基板などであってもよいが、これに特別に制限されなく、例えば、パターニングされたサファイア基板(PSS)であってもよい。
The
前記核層23は、基板21上にバッファー層25を成長させるために400℃〜600℃で(Al,Ga)Nで形成されてもよく、好ましくは、GaNまたはAlNで形成される。前記核層は、約25nmの厚さで形成されてもよい。バッファー層25は、基板21とn型コンタクト層27との間で電位などの欠陥発生を緩和するための層であって、相対的に高温で成長する。前記バッファー層25は、例えば、アンドープGaNで約1.5μmの厚さで形成されてもよい。
The
前記n型コンタクト層27は、n型不純物、例えば、Siがドーピングされた窒化ガリウム系半導体層に形成され、例えば、約3μmの厚さで形成されてもよい。前記n型コンタクト層27は、GaN層を含み、単一層または多重層に形成されてもよい。例えば、前記n型コンタクト層27は、図示したように、下部GaN層27a、中間層27b及び上部GaN層27cを含んでもよい。ここで、前記中間層27bは、AlInNで形成されてもよく、AlInNとGaNとを交互に、例えば、約10周期積層した多層構造(超格子構造を含む)で形成されてもよい。前記下部GaN層27a及び上部GaN層27cは、互いに類似する厚さ、例えば、それぞれ約1.5μmの厚さで形成されてもよい。前記中間層27bは、前記下部及び上部GaN層27a、27cに比べて相対的に小さい厚さを有するように形成され、約80nmの厚さで形成されてもよい。単一のGaN層を連続して約3mmの厚さで相対的に厚く成長することと比較し、中間層27bはn型コンタクト層27の中間に挿入する。
The n-
このように、n型コンタクト層27上に形成されるエピ層、特に、活性領域39の結晶品質を改善することができる。一方、前記n型コンタクト層27にドーピングされるSiドーピング濃度は、2×1018/cm3〜2×1019/cm3の範囲内であってもよく、より好ましくは、1×1018/cm3〜2×1
019/cm3の範囲内であってもよい。特に、前記下部GaN層27aと上部GaN層27cは、Si不純物で高濃度にドーピングされ、前記中間層27bは、前記上部GaN層27cと同一の程度または低い程度にSi不純物でドーピングされてもよく、意図的に不純物でドーピングされない場合もある。前記下部GaN層27aと上部GaN層27cは不純物で高濃度にドーピングされるので、n型コンタクト層27の抵抗成分を低下させることができる。さらに、前記n型コンタクト層27にコンタクトする電極は、上部GaN層27cに接触してもよい。
Thus, the crystal quality of the epi layer formed on the n-
It may be within the range of 0 19 / cm 3 . In particular, the lower GaN layer 27a and the upper GaN layer 27c may be doped with Si impurities at a high concentration, and the
前記アンドープGaN層29は、意図的に不純物でドーピングされていないGaNで形成され、前記上部GaN層27cに比べて相対的に薄い厚さ、例えば、80nm〜300nmの厚さで形成されてもよい。n型コンタクト層27がn型不純物でドーピングされることによって、前記n型コンタクト層27に残留応力が生成され、結晶品質が低下する。したがって、前記n型コンタクト層27上に他のエピ層を成長させる場合、良好な結晶品質を有するエピ層を成長させにくい。しかし、前記アンドープGaN層29は、不純物でドーピングされないので、n型コンタクト層27の結晶品質の低下を回復させる回復層として作用する。したがって、前記アンドープGaN層29は、前記n型コンタクト層27上に直接形成され、n型コンタクト層27に接するとよい。これに加えて、前記アンドープGaN層29がn型コンタクト層27に比べて相対的に高い抵抗率を有するので、n型コンタクト層27から活性領域39に流入する電子は、アンドープGaN層29を通過する前にn型コンタクト層27内で均一に分散され得る。
The
前記低濃度GaN層31は、前記アンドープGaN層29上に位置し、前記n型コンタクト層27より低い濃度でドーピングされたn型不純物ドーピング濃度を有する。前記低濃度GaN層31は、例えば、5×1017/cm3〜5×1018/cm3の範囲内のSiドーピング濃度を有してもよく、前記アンドープGaN層29に比べて相対的に薄い厚さ、例えば、50nm〜150nmの厚さで形成されてもよい。一方、前記高濃度GaN層33は、前記低濃度GaN層31上に位置し、前記低濃度GaN層31に比べてより高いn型不純物ドーピング濃度を有する。前記高濃度GaN層33は、前記n型コンタクト層27とほぼ類似する程度のSiドーピング濃度を有してもよい。前記高濃度GaN層33は、前記低濃度GaN層31に比べて相対的に薄い厚さ、例えば、約30nmの厚さで形成されてもよい。
The low-
前記n型コンタクト層27、アンドープGaN層29、低濃度GaN層31及び高濃度GaN層33は、チャンバー内に金属ソースガス(metal source gas)を供給することによって連続的に成長してもよい。金属ソースガスの原料としては、Al、Ga、Inの有機物、例えば、TMA(trimethylaluminum)、TMD(trimethylgallium)及び/またはTMI(trimethylindium)などが使用される。一方、Siのソースガスとしては、SiH4が使用されてもよい。これら層は、第1の温度、例えば、1050℃〜1150℃で成長してもよい。
The n-
前記超格子層35は、前記高濃度GaN層33上に位置する。超格子層35は、互いに異なる組成を有する第1のInGaN層と第2のInGaN層を、例えば、それぞれ20の厚さで約30周期で交互に積層することによって形成されてもよい。前記第1のInGaN層及び第2のInGaN層に含有されるIn組成比は、活性領域39内の各井戸層39wに含有されるIn組成比より小さい。前記超格子層35は、意図的に不純物でドーピングされずにアンドープ層に形成されてもよい。超格子層35がアンドープ層に形成されるので、発光素子の漏洩電流を減少させることができる。
The
電子注入層37は、前記超格子層35に比べて相対的に高いn型不純物ドーピング濃度を有する。さらに、前記電子注入層37は、n型コンタクト層27と実質的に同じn型不純物ドーピング濃度を有してもよい。例えば、前記n型不純物ドーピング濃度は、1×1019/cm3〜5×1019/cm3の範囲内であってもよく、より好ましくは、1×1019/cm3〜3×1019/cm3の範囲内であってもよい。前記電子注入層37が高濃度でドーピングされることによって、活性領域39内への電子の注入が円滑になる。前記電子注入層37は、前記高濃度GaN層33と同様か、それより相対的に小さい厚さを有するように、例えば、約20nmの厚さで形成されてもよい。さらに、電子注入層37は、約300トルの圧力で、かつ、約820℃〜850℃の温度で、成長されてもよい。
The
前記電子注入層37上に活性領域39が位置する。図2は、活性領域39を拡大して示した断面図である。
An
図2を参照すると、前記活性領域39は、交互に積層された各障壁層39b及び各井戸層39wを含む多重量子井戸構造を有する。前記各井戸層39wは、365nm〜390nmの範囲の近紫外線を放出する組成を有する。例えば、前記井戸層39wは、InGaNまたはAlInGaNで形成されてもよく、特にInGaNで形成されてもよい。このとき、前記井戸層39wに含有されるInの含量は、要求される近紫外線波長によって決定される。例えば、前記井戸層39wに含有されるIn含量は、約2%〜5%(したがって、Gaは約95%〜98%)の範囲内であってもよい。なお、本明細書全体を通して、各層の化合物の含有量は、同様にモルパーセントで表示される。前記井戸層39wは、約20Å〜30Åの厚さで形成されてもよい。井戸層39wは、一般的な青色発光ダイオードよりも高い温度、例えば800℃から820℃で、また圧力300トルで成長させてもよい。このようにして、井戸層の結晶品質が改善されてもよい。
Referring to FIG. 2, the
前記各障壁層39bは、井戸層に比べてバンドギャップの広い窒化ガリウム系半導体層、例えば、GaN、InGaN、AlGaNまたはAlInGaNで形成されてもよい。特に、前記各障壁層39bは、AlInGaNで形成されてもよいが、Inを含むことによって、井戸層39wと障壁層39bとの間の格子不一致を緩和することができる。
Each
また、障壁層39bは、井戸層39wの成長温度よりもわずかに高い成長温度で成長させてもよい。例えば、障壁層39bは、300トルの圧力のもと、820℃から850℃の温度で成長させてもよい。
The
一方、前記各障壁層39b1、39b、39bnのうち、電子注入層37あるいはn型コンタクト層27に最も近い第1の障壁層39b1は、他の障壁層に比べてAl含量がさらに高くてもよい。例えば、第1の障壁層39b1のAl含量は、他の障壁層39bに比べて10%〜20%さらに高くてもよい。例えば、他の障壁層39b、39bnに約20%のAlが含有される場合、前記第1の障壁層39b1に約30%〜40%のAlが含有されてもよい。これら障壁層39b1、39b、39bnに含有されるIn含量は約1%以下である。特に、前記各井戸層39wがInGaNで形成されて375nm〜390nmの近紫外線を放出する場合、前記第1の障壁層39b1以外の他の障壁層39b、39bnは、15%〜25%のAl及び1%以下のInを含有するAlInGaNで形成されてもよく、前記第1の障壁層39b1は、30%〜40%のAl及び1%以下のInを含むAlInGaNで形成されてもよい。
On the other hand, among the barrier layers 39b1, 39b, 39bn, the first barrier layer 39b1 closest to the
一般に、発光素子における各障壁層は、互いに同一の組成を有するように形成される。しかし、本実施例において、第1の障壁層39b1は、他の障壁層39bに比べて10%〜20%高いAl含量を有する。本発明において、電子注入層37やn型コンタクト層27などはGaNで形成される。近紫外線を放出する井戸層39wとGaNは、バンドギャップ差が相対的に大きくない。したがって、前記第1の障壁層39b1が他の障壁層39bに比べて相対的に高いバンドギャップを有するように形成されることによって、前記第1の障壁層39b1は、活性領域39内にキャリアを閉じ込める機能を行うことができる。特に、AlGaN障壁層を用いる場合、孔の移動速度が大幅に遅くなるため、電子のオーバーフロー率が増加する可能性がある。この場合、電子ブロック層41の厚さを増加させて電子のオーバーフローを防止する案が考えられるが、活性領域への孔の注入を円滑にさせるために、電子ブロック層41の厚さの増加は制限的に行われる。
In general, the barrier layers in the light emitting device are formed to have the same composition. However, in this embodiment, the first barrier layer 39b1 has an Al content that is 10% to 20% higher than the
したがって、前記第1の障壁層39b1が他の障壁層より広いバンドギャップ(約0.5eV以上)を有するように形成することによって、電子の移動速度を減速させ、電子のオーバーフローを効果的に防止することができる。ただし、第1の障壁層39b1に含有されるAl含量が約20%以上に過度に増加する場合、第1の障壁層39b1と電子注入層37との間及び第1の障壁層39b1と井戸層39wとの間の格子不一致が大きくなり、活性領域39の結晶品質を低下させ得る。
Therefore, by forming the first barrier layer 39b1 so as to have a wider band gap (about 0.5 eV or more) than the other barrier layers, the movement speed of electrons is reduced and the overflow of electrons is effectively prevented. can do. However, when the Al content contained in the first barrier layer 39b1 excessively increases to about 20% or more, the first barrier layer 39b1 and the
第1の障壁層の厚さは、電子ブロック層41あるいはp型コンタクト層43に最も近い最後の障壁層を除いた残りの障壁層とほぼ同等かそれ以上の厚さ(例えば約40Å)を有することが好ましい。前記第1の障壁層は、例えば、40Å〜60Åの厚さ、特に、約45Åの厚さを有してもよい。
The thickness of the first barrier layer is approximately equal to or greater than the remaining barrier layer except the last barrier layer closest to the
前記活性領域39は、電子注入層37に接してもよい。前記活性領域39の障壁層及び量子井戸層は、活性領域の結晶品質を向上させるために不純物でドーピングされていないアンドープ層に形成されてもよいが、順方向電圧を低下させるために一部または全体の活性領域内に不純物でドーピングされてもよい。
The
再び図1を参照すると、前記活性領域39上にp型コンタクト層43が位置し、前記活性領域39とp型コンタクト層43との間に電子ブロック層41が位置してもよい。前記電子ブロック層41は、p型コンタクト層と活性領域39との格子不一致を緩和するためにAlINGaNまたはAlInGaNで形成されてもよい。このとき、前記電子ブロック層41は、36%のAl及び3%のInを含有してもよい。前記電子ブロック層41は、p型不純物、例えば、5×1019/cm3から2×1020/cm3のドーピング密度によってMgでドーピングされてもよい。
Referring to FIG. 1 again, a p-
前記p型コンタクト層43は、下部高濃度ドーピング層43a、低濃度ドーピング層43b及び上部高濃度ドーピング層43cを含んでもよい。下部高濃度ドーピング層43a及び上部高濃度ドーピング層43cは、p型不純物、例えば、5×1019/cm3から2×1020/cm3のドーピング密度によってMgでドーピングされてもよい。前記低濃度ドーピング層43bは、前記下部及び上部高濃度ドーピング層43a、43cに比べて相対的に低いドーピング濃度を有し、前記下部高濃度ドーピング層43aと上部高濃度ドーピング層43cとの間に位置する。前記低濃度ドーピング層43bは、成長させる間、Mgのソースガス(例えば、Cp2Mg)の供給を遮断してもよい。
The p-
さらに、前記低濃度ドーピング層43bを成長させる間、H2ガスを用いる代わりに、N2ガスをキャリアガスとして用いて不純物含有量を減少させることができる。また、前記低濃度ドーピング層43bは、前記下部及び上部高濃度ドーピング層43a、43cに比べて相対的に厚く形成される。例えば、前記低濃度ドーピング層43bは、約60nmの厚さで形成され、前記下部及び上部高濃度ドーピング層43a、43cは、それぞれ10nmの厚さで形成されてもよい。その結果、前記p型コンタクト層43
の結晶品質を向上させると共に、不純物濃度を減少させることによって、p型コンタクト層43による近紫外線の損失を防止または緩和することができる。
Furthermore, during the growth of the lightly doped layer 43b, the impurity content can be reduced by using N 2 gas as a carrier gas instead of using H 2 gas. Further, the lightly doped layer 43b is formed relatively thicker than the lower and upper heavily doped
By improving the crystal quality and reducing the impurity concentration, the loss of near ultraviolet rays by the p-
一方、前記p型コンタクト層43上にオーミックコンタクト抵抗を低下させるためのデルタドーピング層45が位置してもよい。前記デルタドーピング層45は、n型またはp型不純物で高濃度でドーピングされ、その上に形成される電極とp型コンタクト層43との間のオーミック抵抗を低下させる。デルタドーピング層45は、約2Å〜5Åの厚さで形成されてもよい。
Meanwhile, a
一方、基板21上に成長した各エピ層をパターニングすることによって水平型構造の発光素子またはフリップチップ構造の発光素子が製造されてもよく、前記基板21を除去することによって垂直構造の発光素子が製造されてもよい。
Meanwhile, a light emitting device having a horizontal structure or a light emitting device having a flip chip structure may be manufactured by patterning each epitaxial layer grown on the
(実験例1) (Experimental example 1)
n型コンタクト層27に最も近い第1の障壁層39bのAl組成による光出力変化を確認するために、MOCVD装備を使用し、第1の障壁層のAl組成のみを異ならせて他の条件は全て同一にして各エピ層を成長させ、Al組成による光出力を測定した。図3は、第1の障壁層のAl組成による光出力を示すグラフである。第1の障壁層以外の他の障壁層のAl組成は、全て同一にした。各障壁層のAl含有量は原子プローブを用いて測定し、他の障壁層は約20%のAlが含まれていた。
In order to confirm the light output change due to the Al composition of the
図3を参照すると、第1の障壁層に含有されるAl組成が他の障壁層に比べて14%さらに大きい場合、発光素子の光出力が相対的に高く示された。一方、第1の障壁層にAlを含有しない場合、発光素子の光出力が相対的に低く示された。また、第1の障壁層に含有されるAl組成が約47%であって他の障壁層に比べて27%さらに高い試料の発光素子は、他の障壁層と同一のAl組成を有する発光素子よりも、光出力が低く示された。 Referring to FIG. 3, when the Al composition contained in the first barrier layer is 14% larger than that of the other barrier layers, the light output of the light emitting device is relatively high. On the other hand, when Al was not contained in the first barrier layer, the light output of the light emitting device was shown to be relatively low. In addition, a sample light emitting device having an Al composition contained in the first barrier layer of about 47% and 27% higher than the other barrier layers is a light emitting device having the same Al composition as the other barrier layers. The light output was shown to be lower.
(実験例2) (Experimental example 2)
n型コンタクト層27に最も近い第1の障壁層39bの厚さによる光出力変化を調査するために、MOCVD装備を使用し、他の条件は全て同一にして各エピ層を成長させ、第1の障壁層の厚さのみを異ならせて第1の障壁層の厚さによる光出力を測定した。図4は、第1の障壁層の厚さによる光出力を示すグラフである。第1の障壁層以外の他の障壁層の厚さは、p型コンタクト層43に最も近い最後の障壁層を除いては全て約45Åで形成し、最後の障壁層は約75Åと相対的に厚く形成した。また、第1の障壁層のAl組成は全て同一に約34%にし、他の障壁層のAl組成は全て約20%にした。
In order to investigate the light output change due to the thickness of the
図4を参照すると、第1の障壁層の厚さを他の障壁層の厚さと同一に45Åにした場合、光出力が相対的に高かった。一方、第1の障壁層の厚さを25Åで形成した場合は光出力が低く示され、第1の障壁層を75Åで厚く形成した場合にも光出力が相対的に低く示された。 Referring to FIG. 4, when the thickness of the first barrier layer was 45 mm, which was the same as the thickness of the other barrier layers, the light output was relatively high. On the other hand, when the thickness of the first barrier layer was 25 mm, the light output was low, and when the first barrier layer was thickly 75 mm, the light output was relatively low.
従来の近紫外線発光素子は、n型コンタクト層をAlGaNで形成している。基板を除いたほとんどの発光素子の厚さを占めるコンタクト層をAlGaNで形成することによって、光吸収による光損失を防止できるが、エピ層の結晶品質が悪いので、光出力や発光効率を改善することは難しい。その一方、本発明は、n型コンタクト層及びp型コンタクト層が全部またはほとんど窒化ガリウム層に形成されることによって、活性領域の結晶品質を改善することができる。したがって、光吸収による光損失を防止し、発光素子の光出力を向上させることができる。 In the conventional near-ultraviolet light emitting element, the n-type contact layer is formed of AlGaN. By forming a contact layer that occupies the thickness of most light-emitting elements excluding the substrate with AlGaN, light loss due to light absorption can be prevented, but the crystal quality of the epi layer is poor, so the light output and light emission efficiency are improved. It ’s difficult. On the other hand, according to the present invention, the crystal quality of the active region can be improved by forming the n-type contact layer and the p-type contact layer all or almost on the gallium nitride layer. Therefore, light loss due to light absorption can be prevented, and the light output of the light emitting element can be improved.
また、他の障壁層に比べて第1の障壁層にAlをさらに含有させることによって、光出力をさらに改善することができる。さらに、n型コンタクト層及びp型コンタクト層の結晶品質を改善することによって、光吸収による光損失を減少させることができる。 Further, the light output can be further improved by further adding Al to the first barrier layer as compared with other barrier layers. Furthermore, the optical loss due to light absorption can be reduced by improving the crystal quality of the n-type contact layer and the p-type contact layer.
本発明の趣旨または範囲を超えない中で、本発明に対し様々な修正や変化を試み得ることは当業者にとって明白である。本発明は請求項及びその均等物の範囲内で行われたこのような修正や変化を含むことを目的とする。 It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made to the present invention without departing from the spirit or scope of the invention. It is intended that the present invention include such modifications and variations made within the scope of the claims and their equivalents.
Claims (1)
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2012-0032195 | 2012-03-29 | ||
KR20120032195 | 2012-03-29 | ||
KR10-2013-0025989 | 2013-03-12 | ||
KR1020130025989A KR101997020B1 (en) | 2012-03-29 | 2013-03-12 | Near uv light emitting device |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015503124A Division JP6484551B2 (en) | 2012-03-29 | 2013-03-29 | Light emitting element |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018074173A true JP2018074173A (en) | 2018-05-10 |
JP6587673B2 JP6587673B2 (en) | 2019-10-09 |
Family
ID=49632874
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015503124A Active JP6484551B2 (en) | 2012-03-29 | 2013-03-29 | Light emitting element |
JP2017241150A Active JP6587673B2 (en) | 2012-03-29 | 2017-12-15 | Light emitting element |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015503124A Active JP6484551B2 (en) | 2012-03-29 | 2013-03-29 | Light emitting element |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (2) | JP6484551B2 (en) |
KR (1) | KR101997020B1 (en) |
CN (1) | CN104205367B (en) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102160070B1 (en) * | 2013-10-28 | 2020-09-25 | 서울바이오시스 주식회사 | Near uv light emitting device |
DE102016112294A1 (en) | 2016-07-05 | 2018-01-11 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Semiconductor layer sequence |
DE102016117477A1 (en) | 2016-09-16 | 2018-03-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Semiconductor layer sequence |
DE102017104370A1 (en) * | 2017-03-02 | 2018-09-06 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Semiconductor body |
FR3076399B1 (en) * | 2017-12-28 | 2020-01-24 | Aledia | OPTOELECTRONIC DEVICE COMPRISING THREE-DIMENSIONAL LIGHT EMITTING DIODES |
JP6927112B2 (en) * | 2018-03-27 | 2021-08-25 | 豊田合成株式会社 | Manufacturing method of semiconductor devices |
CN110581204A (en) * | 2019-08-28 | 2019-12-17 | 映瑞光电科技(上海)有限公司 | GaN-based light emitting diode epitaxial structure and preparation method thereof |
CN111403564A (en) * | 2020-03-31 | 2020-07-10 | 厦门乾照半导体科技有限公司 | Infrared light-emitting diode epitaxial structure, chip and manufacturing method thereof |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003249694A (en) * | 2002-02-25 | 2003-09-05 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | Light emitting device and illuminator using it |
JP2005166728A (en) * | 2003-11-28 | 2005-06-23 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | Method of manufacturing nitride-based semiconductor element |
JP2010219269A (en) * | 2009-03-17 | 2010-09-30 | Toshiba Corp | Semiconductor element, semiconductor device, semiconductor wafer, and method of growing semiconductor crystal |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09232629A (en) * | 1996-02-26 | 1997-09-05 | Toshiba Corp | Semiconductor element |
JP3551101B2 (en) * | 1999-03-29 | 2004-08-04 | 日亜化学工業株式会社 | Nitride semiconductor device |
JP4161603B2 (en) | 2001-03-28 | 2008-10-08 | 日亜化学工業株式会社 | Nitride semiconductor device |
JP2003046127A (en) * | 2001-05-23 | 2003-02-14 | Sanyo Electric Co Ltd | Nitride semiconductor light-emitting element |
MY139533A (en) * | 2001-11-05 | 2009-10-30 | Nichia Corp | Nitride semiconductor device |
US8563995B2 (en) * | 2008-03-27 | 2013-10-22 | Nitek, Inc. | Ultraviolet light emitting diode/laser diode with nested superlattice |
KR100957750B1 (en) * | 2008-08-12 | 2010-05-13 | 우리엘에스티 주식회사 | Light generating device |
KR101017396B1 (en) * | 2008-08-20 | 2011-02-28 | 서울옵토디바이스주식회사 | Light emitting diode having modulation doped layer |
JP5453780B2 (en) | 2008-11-20 | 2014-03-26 | 三菱化学株式会社 | Nitride semiconductor |
WO2011083940A2 (en) * | 2010-01-05 | 2011-07-14 | 서울옵토디바이스주식회사 | Light-emitting diode and method for manufacturing same |
-
2013
- 2013-03-12 KR KR1020130025989A patent/KR101997020B1/en active IP Right Grant
- 2013-03-29 JP JP2015503124A patent/JP6484551B2/en active Active
- 2013-03-29 CN CN201380017852.5A patent/CN104205367B/en active Active
-
2017
- 2017-12-15 JP JP2017241150A patent/JP6587673B2/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003249694A (en) * | 2002-02-25 | 2003-09-05 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | Light emitting device and illuminator using it |
JP2005166728A (en) * | 2003-11-28 | 2005-06-23 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | Method of manufacturing nitride-based semiconductor element |
JP2010219269A (en) * | 2009-03-17 | 2010-09-30 | Toshiba Corp | Semiconductor element, semiconductor device, semiconductor wafer, and method of growing semiconductor crystal |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20130111294A (en) | 2013-10-10 |
KR101997020B1 (en) | 2019-07-08 |
JP6587673B2 (en) | 2019-10-09 |
JP2015511776A (en) | 2015-04-20 |
CN104205367B (en) | 2017-06-16 |
CN104205367A (en) | 2014-12-10 |
JP6484551B2 (en) | 2019-03-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6587673B2 (en) | Light emitting element | |
US9911898B2 (en) | Ultraviolet light-emitting device | |
JP5322523B2 (en) | Light emitting device and manufacturing method thereof | |
KR20100006548A (en) | Group iii nitride based semiconductor light emitting element and epitaxial wafer | |
US9224913B2 (en) | Near UV light emitting device | |
US10164150B2 (en) | Near UV light emitting device | |
US10580936B2 (en) | Group III nitride semiconductor light-emitting device and production method therefor | |
JP2010258096A (en) | Nitride semiconductor light emitting device | |
JP2009260203A (en) | Nitride semiconductor light emitting element | |
US9312447B2 (en) | Near UV light emitting device | |
JP2007088481A (en) | Nitride semiconductor device | |
KR20130141945A (en) | Light emitting device having electron blocking layer | |
KR20140002910A (en) | Near uv light emitting device | |
KR102160070B1 (en) | Near uv light emitting device | |
KR100770440B1 (en) | Nitride semiconductor light emitting device | |
KR20110048240A (en) | Nitride Semiconductor Device | |
KR20110084683A (en) | Light emitting device having active region of quantum well structure | |
KR20100049451A (en) | Nitride semiconductor device | |
US9601654B2 (en) | Method of producing group III nitride semiconductor light-emitting device | |
CN111326622A (en) | Light-emitting diode based on hole adjusting layer | |
KR20100024154A (en) | Light emitting diode | |
JP6633813B2 (en) | Group III nitride semiconductor | |
KR101876576B1 (en) | Nitride semiconductor light emitting device and method for fabricating the same | |
KR100906972B1 (en) | Nitride based light emitting device | |
KR100881053B1 (en) | Nitride based light emitting device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180112 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190122 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190419 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190827 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190910 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6587673 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |