JP2018062465A - Cyclohexasilane - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide cyclohexasilane of high purity.SOLUTION: Cyclohexasilane of the present invention comprises pure cyclohexasilane in a rate of 98-100 mass%.SELECTED DRAWING: None

Description

本発明は、高純度のシクロヘキサシランに関するものである。   The present invention relates to high purity cyclohexasilane.

シクロヘキサシランは、ジフェニルジクロロシランを原料に、アルカリ金属を用いて環化させ、6員環を単離し、塩化アルミニウム存在下で塩酸ガスと接触させてケイ素上を塩素化し、次いで水素化リチウムアルミニウム等の金属水素化物と接触させて還元する古くから公知の方法(Hengge法、非特許文献1)や、トリクロロシランを、N,N,N’,N’’,N’’−ペンタエチルジエチレントリアミン(ペデタ(pedeta))あるいはN,N,N’,N’−テトラエチルエチレンジアミン(テエダ(teeda))等の第三級ポリアミンの存在下で環化カップリングしてテトラデカクロロシクロヘキサシランジアニオンの塩を調製し、該塩に金属水素化物還元剤を接触させて還元する方法(特許文献1)で合成できることが知られている。   Cyclohexasilane is cyclized from diphenyldichlorosilane using alkali metal, isolated from a 6-membered ring, chlorinated on silicon by contact with hydrochloric acid gas in the presence of aluminum chloride, and then lithium aluminum hydride For example, a method known in the art for reduction by contact with a metal hydride such as Hengge method (Non-Patent Document 1), trichlorosilane, N, N, N ′, N ″, N ″ -pentaethyldiethylenetriamine ( A cyclodecachlorocyclohexasilane dianion salt by cyclization coupling in the presence of a tertiary polyamine such as pedeta) or N, N, N ′, N′-tetraethylethylenediamine (teeda). It is known that it can be synthesized by a method of preparing and reducing the salt by bringing a metal hydride reducing agent into contact therewith (Patent Document 1). It has been.

特許第4519955号公報Japanese Patent No. 4519955

Angew. Chem. Int. Ed. Engl., 1977, 16, 403.Angew. Chem. Int. Ed. Engl., 1977, 16, 403.

ところで、これまでシクロヘキサシランの精製方法は知られていない。そこで本発明者らはその精製に挑戦したが、シクロヘキサシランの精製効率は極めて悪く、高効率でこれを精製することは困難であった。具体的には、シクロヘキサシランを蒸留で精製する場合、低温で精製しても高温で精製しても、精製効率を高めることはできなかった。例えば低温で蒸留すると、蒸発速度が遅いだけでなく、気化したシクロヘキサシランを確実に凝縮するためにコンデンサーの温度を低温にする必要があり、コンデンサーに固化物が付着しやすくなって閉塞が生じ、精製効率が劣った。また高温で蒸留すると、途中で蒸留が停止してしまい、やはり精製効率が劣った。   By the way, the purification method of cyclohexasilane is not known until now. Therefore, the present inventors challenged the purification, but the purification efficiency of cyclohexasilane was very poor, and it was difficult to purify it with high efficiency. Specifically, when purifying cyclohexasilane by distillation, purification efficiency could not be improved by purifying at a low temperature or purifying at a high temperature. For example, when distillation is performed at a low temperature, not only is the evaporation rate slow, but it is necessary to lower the temperature of the condenser in order to reliably condense the vaporized cyclohexasilane. The purification efficiency was inferior. In addition, when distillation was performed at a high temperature, the distillation stopped halfway, and the purification efficiency was still inferior.

本発明は上記の様な事情に鑑みてなされたものであって、その目的は、高純度のシクロヘキサシランを提供することにある。   This invention is made | formed in view of the above situations, Comprising: The objective is to provide high purity cyclohexasilane.

本発明者らは、前記課題を解決するために鋭意研究を重ねた結果、精製効率がよくなる圧力域と温度域が特異的に存在することを突き止めた。そして粗シクロヘキサシランを少なくとも2kPa以下の絶対圧力下で蒸留することとし、蒸留時に粗シクロヘキサシランにかかる温度を特定範囲に制御するか、もしくは更に低圧領域(例えば0.1〜100Paの中真空領域ないし0.00001〜0.1Paの高真空領域)で蒸留するのに適した特定の蒸留装置を採用する様にすれば、コンデンサーの閉塞や蒸留の途中停止を回避でき、シクロヘキサシランの精製効率が高まることを見出し、本発明を完成した。   As a result of intensive studies to solve the above problems, the present inventors have found that a pressure region and a temperature region in which purification efficiency is improved exist specifically. Then, the crude cyclohexasilane is distilled under an absolute pressure of at least 2 kPa, and the temperature applied to the crude cyclohexasilane during the distillation is controlled to a specific range, or is further reduced to a low pressure region (for example, a medium vacuum of 0.1 to 100 Pa). If a specific distillation apparatus suitable for distillation in a high-vacuum range from 0.00001 to 0.1 Pa is employed, blockage of the condenser and stoppage of the distillation can be avoided, and purification of cyclohexasilane is achieved. The present invention has been completed by finding that the efficiency is increased.

すなわち、本発明に係る第一のシクロヘキサシランの製造方法は、粗シクロヘキサシランを蒸留して精製シクロヘキサシランを得るにあたり、蒸留時の絶対圧力を2kPa以下とし、粗シクロヘキサシランの加熱温度を25〜100℃とすることを特徴とする。
本発明に係る第二のシクロヘキサシランの製造方法は、粗シクロヘキサシランを蒸留して精製シクロヘキサシランを得るにあたり、分子蒸留装置または短行程蒸留装置を用いることを特徴とする。
That is, in the first method for producing cyclohexasilane according to the present invention, when distilling crude cyclohexasilane to obtain purified cyclohexasilane, the absolute pressure during distillation is 2 kPa or less, and the heating temperature of the crude cyclohexasilane is Is 25 to 100 ° C.
The second method for producing cyclohexasilane according to the present invention is characterized by using a molecular distillation apparatus or a short-path distillation apparatus in obtaining crude cyclohexasilane by distilling crude cyclohexasilane.

本発明の第一および第二のシクロヘキサシランの製造方法における前記蒸留で用いる蒸発器は、遠心型薄膜式蒸発器又は流下型薄膜式蒸発器であることが好ましい。また本発明の第一および第二のシクロヘキサシランの製造方法における前記蒸留では、シクロヘキサシランを−5℃〜30℃で凝縮させることが好ましい。さらに本発明の第一および第二のシクロヘキサシランの製造方法において前記粗シクロヘキサシランは、シクロヘキサシランのハロゲン化物を還元することにより得られた反応混合物であることが好ましい。   The evaporator used in the distillation in the first and second cyclohexasilane production methods of the present invention is preferably a centrifugal thin film evaporator or a falling thin film evaporator. Moreover, in the said distillation in the manufacturing method of the 1st and 2nd cyclohexasilane of this invention, it is preferable to condense cyclohexasilane at -5 degreeC-30 degreeC. Further, in the first and second cyclohexasilane production methods of the present invention, the crude cyclohexasilane is preferably a reaction mixture obtained by reducing a halide of cyclohexasilane.

本発明のシクロヘキサシランは、純シクロヘキサシランを98質量%以上100質量%以下の割合で含有する。なお、本発明において「純シクロヘキサシラン」とは、純度100%であるシクロヘキサシランを意味するものである。
本発明のシクロヘキサシランの好ましい態様においては、ヘキサシランを2質量%以下の割合で含有するか、シクロヘキサシランの二量体を2質量%以下の割合で含有するか、シロキサン化合物を2質量%以下の割合で含有する。
The cyclohexasilane of the present invention contains pure cyclohexasilane in a proportion of 98% by mass to 100% by mass. In the present invention, “pure cyclohexasilane” means cyclohexasilane having a purity of 100%.
In a preferred embodiment of the cyclohexasilane of the present invention, hexasilane is contained in a proportion of 2% by mass or less, a dimer of cyclohexasilane is contained in a proportion of 2% by mass or less, or a siloxane compound is contained in 2% by mass. Contains in the following proportions.

なお、本発明のシクロヘキサシランが純シクロヘキサシランを100質量%未満の割合で含有する場合には、本発明のシクロヘキサシランは、純シクロヘキサシランと不純物とを含む組成物となる。   In addition, when the cyclohexasilane of this invention contains pure cyclohexasilane in the ratio of less than 100 mass%, the cyclohexasilane of this invention turns into a composition containing pure cyclohexasilane and an impurity.

本発明によれば、蒸留の際の圧力と温度を所定の範囲とするか、もしくは特定の蒸留装置を採用することにより、装置の閉塞や蒸留の途中停止を回避でき、良好な精製効率で高純度のシクロヘキサシランを得ることができる。   According to the present invention, the pressure and temperature during distillation are set within a predetermined range, or by employing a specific distillation apparatus, it is possible to avoid clogging of the apparatus and the middle stop of distillation, and high purification efficiency. A pure cyclohexasilane can be obtained.

図1は、実施例1で得た精製シクロヘキサシランのガスクロマトグラフィー分析チャートである。1 is a gas chromatography analysis chart of purified cyclohexasilane obtained in Example 1. FIG.

本発明の第一および第二のシクロヘキサシランの製造方法は、粗シクロヘキサシランを蒸留して精製シクロヘキサシランを得る方法である。
前記蒸留にあたり、第一の発明では、蒸留時の絶対圧力を2kPa以下とし、粗シクロヘキサシランの加熱温度を25〜100℃とし、第二の発明では、分子蒸留装置または短行程蒸留装置を使用する。かかる第一または第二の発明によれば、装置の閉塞や蒸留の途中停止を回避でき、良好な精製効率で高純度のシクロヘキサシランを得ることができる。
The first and second methods for producing cyclohexasilane of the present invention are methods in which crude cyclohexasilane is distilled to obtain purified cyclohexasilane.
For the distillation, in the first invention, the absolute pressure during distillation is 2 kPa or less, the heating temperature of the crude cyclohexasilane is 25-100 ° C., and in the second invention, a molecular distillation apparatus or a short path distillation apparatus is used. To do. According to the first or second invention, it is possible to avoid clogging of the apparatus or stop in the middle of distillation, and high purity cyclohexasilane can be obtained with good purification efficiency.

第一の発明において、蒸留時の絶対圧力は、2kPa以下であり、好ましくは1kPa以下、より好ましくは500Pa以下である。蒸留時の絶対圧力がこの範囲よりも高いと、蒸留が途中で停止する。本発明者らのその後の詳細な検討により、この停止は、蒸留中にシクロヘキサシランが開環重合した為であると推測している。なお蒸留の際の圧力の下限は、実現可能な範囲であれば特に制限されるものではないが、あまりに圧力が低すぎると(真空度が高すぎると)、粗シクロヘキサシランの蒸発量が少なくなる虞があり、また装置上の制約も大きくなるので、1Pa以上とするのが好ましく、より好ましくは5Pa以上、さらに好ましくは10Pa以上である。   In the first invention, the absolute pressure during distillation is 2 kPa or less, preferably 1 kPa or less, more preferably 500 Pa or less. If the absolute pressure during distillation is higher than this range, distillation stops halfway. From subsequent detailed studies by the inventors, it is speculated that this termination is due to ring-opening polymerization of cyclohexasilane during distillation. The lower limit of the pressure during distillation is not particularly limited as long as it is in a feasible range, but if the pressure is too low (the degree of vacuum is too high), the amount of evaporation of crude cyclohexasilane is small. In addition, since the restrictions on the apparatus increase, the pressure is preferably 1 Pa or more, more preferably 5 Pa or more, and further preferably 10 Pa or more.

第一の発明において、粗シクロヘキサシランの加熱温度は25〜100℃であり、好ましくは35℃以上、より好ましくは40℃以上、さらに好ましくは45℃以上、特に好ましくは50℃以上である。また当該加熱温度は、95℃以下が好ましく、より好ましくは90℃以下、さらに好ましくは85℃以下である。粗シクロヘキサシランの加熱温度が低すぎると、蒸発速度が遅いだけでなく、気化したシクロヘキサシランを確実に凝縮させるためにコンデンサーの温度を低温にする必要があり、コンデンサーに固化物が付着して装置が閉塞しやすくなる。本発明者らのその後の詳細な検討により、この固化物は、固体シクロヘキサシランであることが判明した。なお、加熱温度が低すぎる条件でコンデンサーの温度を固化物が生じない温度まで上げると、加熱部と凝縮部の温度差が小さくなり、シクロヘキサシランが凝縮されないものが増え、蒸留収率が悪化する。一方、粗シクロヘキサシランの加熱温度が高すぎると、蒸留が途中で停止する。本発明者らのその後の詳細な検討により、この停止は、蒸留中にシクロヘキサシランが開環重合した為であると推測している。粗シクロヘキサシランを蒸留で精製する場合、加熱温度が高くても低くても精製効率が低下するところ、特定の温度域で蒸留する時に初めて効率よく精製シクロヘキサシランを得ることができる。   In the first invention, the heating temperature of the crude cyclohexasilane is 25 to 100 ° C., preferably 35 ° C. or higher, more preferably 40 ° C. or higher, still more preferably 45 ° C. or higher, and particularly preferably 50 ° C. or higher. The heating temperature is preferably 95 ° C. or lower, more preferably 90 ° C. or lower, and further preferably 85 ° C. or lower. If the heating temperature of the crude cyclohexasilane is too low, not only will the evaporation rate be slow, but it will also be necessary to lower the condenser temperature in order to reliably condense the vaporized cyclohexasilane, and solidified substances will adhere to the condenser. This makes it easier to block the device. Subsequent detailed examination by the inventors revealed that this solidified product was solid cyclohexasilane. If the condenser temperature is raised to a temperature at which the solidified product is not generated under conditions where the heating temperature is too low, the temperature difference between the heating part and the condensing part becomes smaller, the number of cyclohexasilanes not condensed increases, and the distillation yield deteriorates. To do. On the other hand, if the heating temperature of the crude cyclohexasilane is too high, distillation stops midway. From subsequent detailed studies by the inventors, it is speculated that this termination is due to ring-opening polymerization of cyclohexasilane during distillation. When the crude cyclohexasilane is purified by distillation, the purification efficiency is lowered regardless of whether the heating temperature is high or low. However, the purified cyclohexasilane can be efficiently obtained for the first time when it is distilled in a specific temperature range.

なお、上記粗シクロヘキサシランの加熱温度とは、蒸留時に蒸発させるべく加熱された粗シクロヘキサシランの液温を意味するものであり、例えば、粗シクロヘキサシランの蒸発を釜で行う場合には「蒸留ボトムの温度」が当該加熱温度となり、薄膜式蒸発器を用いた蒸留装置を用いる場合には「蒸発面の温度」が当該加熱温度となる。   The heating temperature of the crude cyclohexasilane means the liquid temperature of the crude cyclohexasilane heated to evaporate during distillation. For example, when the crude cyclohexasilane is evaporated in a kettle “Distillation bottom temperature” becomes the heating temperature, and when a distillation apparatus using a thin film evaporator is used, “evaporation surface temperature” becomes the heating temperature.

第二の発明においては、蒸留に際し分子蒸留装置または短行程蒸留装置を用いる。なお用語「分子蒸留」、「短行程蒸留」は時代や国によってそれらが指す意味に広狭があり、本明細書では以下の意味で使用する。   In the second invention, a molecular distillation apparatus or a short path distillation apparatus is used for distillation. The terms “molecular distillation” and “short-path distillation” have various meanings depending on the times and countries, and are used in the present specification with the following meanings.

すなわち厳密な定義によれば、分子蒸留とは、高真空(例えば10-1Pa〜10-5Pa程度)下で行われ、ベーパー分子の平均自由行程よりも蒸発面、凝縮面間の距離を短くする蒸留を指すが、本明細書では用語「分子蒸留」を、本技術分野での通称としての分子蒸留の意味、すなわち高真空(例えば10-1Pa〜10-5Pa程度)下で行われてさえいれば、蒸発面、凝縮面間の距離がベーパー分子の平均自由行程を超えているか否かを問わない意味で使用する。この様な分子蒸留によれば、理想的には、蒸発した全てのベーパー分子が蒸発面から凝集面に到達するまでに他のベーパー分子や壁面に衝突せず、全ての分子が凝縮器内に凝集される。
一方、短行程蒸留は、中真空(例えば102Pa〜10-1Pa程度)下で行われ、かつ蒸発面と凝縮面とが相対して配置されている点に特徴がある。
That is, according to a strict definition, molecular distillation is performed under high vacuum (for example, about 10 −1 Pa to 10 −5 Pa), and the distance between the evaporation surface and the condensation surface is larger than the mean free path of vapor molecules. In this specification, the term “molecular distillation” refers to the meaning of molecular distillation, ie, under high vacuum (for example, about 10 −1 Pa to 10 −5 Pa). As long as it is understood, it is used in the sense whether or not the distance between the evaporation surface and the condensation surface exceeds the mean free path of the vapor molecule. According to such molecular distillation, ideally, all evaporated vapor molecules do not collide with other vapor molecules or walls until they reach the agglomeration surface from the evaporation surface, and all the molecules enter the condenser. Aggregated.
On the other hand, short stroke distillation is performed under a medium vacuum (for example, about 10 2 Pa to 10 −1 Pa), and is characterized in that the evaporation surface and the condensation surface are arranged to face each other.

第二の発明における蒸留時の絶対圧力は、上述した高真空又は中真空の範囲で適宜設定できる。また蒸発面での粗シクロヘキサシランの加熱温度は、例えば、25〜80℃が好ましく、より好ましくは25〜75℃、さらに好ましくは40〜70℃である。   The absolute pressure at the time of distillation in the second invention can be appropriately set within the above-described high vacuum or medium vacuum range. Further, the heating temperature of the crude cyclohexasilane on the evaporation surface is preferably, for example, 25 to 80 ° C, more preferably 25 to 75 ° C, and further preferably 40 to 70 ° C.

前記分子蒸留装置および前記短行程蒸留装置は、蒸発器、凝縮器と減圧手段(真空ポンプなど)とを備える。
前記蒸発器は、蒸発原料に接触して熱を供給し得る蒸発面を備える。この蒸発面を備えた蒸発器としては、例えば、板状体(例えば、矩形板、円板など)、筒状体、有底容器などが挙げられ、板状体の表面、筒状体の内面又は外面、容器内面などが前記蒸発面となり得る。蒸発原料を薄膜化して蒸発させることが可能である点では、板状体、筒状体などの蒸発器が好ましい。薄膜化して蒸発させると、蒸発原料の蒸発を促進し精製効率を高めることができ、しかも蒸発原料の発泡や沸騰を抑制して蒸発原料にかかる熱履歴を小さく抑えることができる。前記蒸発器が板状体、筒状体である場合、前記蒸発器は必要により強制薄膜化手段も備える。強制薄膜化手段としては、例えば、板状体表面、或いは筒状体の内面又は外面に沿って稼働するワイパーエレメントや、円板や筒状体を回転させて遠心力を発生させ得る強制回転手段などが使用できる。
The molecular distillation apparatus and the short stroke distillation apparatus include an evaporator, a condenser, and a decompression unit (such as a vacuum pump).
The evaporator includes an evaporation surface that can contact the evaporation material and supply heat. Examples of the evaporator provided with the evaporation surface include a plate-like body (for example, a rectangular plate, a disk, etc.), a cylindrical body, a bottomed container, and the like. The surface of the plate-like body, the inner surface of the cylindrical body Alternatively, the outer surface, the inner surface of the container, etc. can be the evaporation surface. An evaporator such as a plate-shaped body or a cylindrical body is preferable in that the evaporation raw material can be evaporated into a thin film. When the film is evaporated in a thin film, evaporation of the evaporation material can be promoted and purification efficiency can be increased. Further, foaming and boiling of the evaporation material can be suppressed, and the heat history applied to the evaporation material can be reduced. When the evaporator is a plate-like body or a cylindrical body, the evaporator also includes forced thinning means if necessary. As the forced thinning means, for example, a wiper element that operates along the plate-like body surface or the inner or outer surface of the cylindrical body, or a forced rotating means that can generate centrifugal force by rotating the disk or cylindrical body Etc. can be used.

前記分子蒸留および前記短行程蒸留で好ましく使用される蒸発器は、薄膜式蒸発器である。薄膜式蒸発器を用いると、蒸発原料を薄膜化して蒸発させることができるので、蒸発原料の蒸発を促進し精製効率を高めることができるとともに、蒸発原料の発泡や沸騰を抑制して蒸発原料にかかる熱履歴を小さく抑えることができる。かかる薄膜式蒸発器は上述した蒸発面や強制薄膜化手段を適宜組み合わせて構成し得る。例えば、板状体または筒状体に、強制薄膜化手段としてワイパーエレメントまたは強制回転手段を具備させると、ワイパー型薄膜式蒸発器、遠心型薄膜式蒸発器となる。また強制薄膜化手段を有さない板状体または筒状体であっても、蒸発面を鉛直に配置し、上部から蒸発原料を少しずつ流下させれば、流下型薄膜式蒸発器となる。特に好ましくは、遠心型薄膜式蒸発器、流下型薄膜式蒸発器がよい。   The evaporator preferably used in the molecular distillation and the short path distillation is a thin film evaporator. If a thin film evaporator is used, the evaporation raw material can be evaporated into a thin film, so that evaporation of the evaporation raw material can be promoted and purification efficiency can be improved. Such heat history can be kept small. Such a thin film evaporator can be configured by appropriately combining the evaporation surfaces and forced thinning means described above. For example, if a plate-like body or a cylindrical body is provided with a wiper element or a forced rotating means as a forced thinning means, a wiper type thin film evaporator and a centrifugal thin film evaporator are obtained. Moreover, even if it is a plate-shaped body or a cylindrical body that does not have the forced thinning means, a flow-down type thin film evaporator can be obtained by arranging the evaporation surface vertically and allowing the evaporation raw material to flow from the upper portion little by little. Particularly preferable are a centrifugal thin film evaporator and a falling thin film evaporator.

前記凝縮器は、前記蒸発器で蒸発させたベーパー分子と接触して該ベーパー分子を冷却する為の凝縮面を備える。
短行程蒸留に用いる装置においては、前記凝縮器の凝縮面は、前記蒸発器の蒸発面に相対して配置される。分子蒸留に用いる装置においても、蒸発面と凝縮面が相対して配されることが好ましいが、これに限定されるものではなく、分子蒸留に該当し得る範囲で種々の配置を取ることができる。蒸発面と凝縮面とが相対して配置された装置としては、例えば、外筒と内筒とから構成される二重管構造を有し、外筒の内面を蒸発面或いは凝縮面とし、内筒の外面を凝縮面或いは蒸発面とする装置が挙げられる。蒸発面と凝縮面が相対するとき、凝縮面の面積は蒸発面の面積と同等以上であることが好ましい。
The condenser includes a condensing surface for cooling the vapor molecules in contact with the vapor molecules evaporated by the evaporator.
In the apparatus used for short-path distillation, the condensation surface of the condenser is disposed relative to the evaporation surface of the evaporator. Also in the apparatus used for molecular distillation, it is preferable that the evaporation surface and the condensation surface are arranged relative to each other. However, the present invention is not limited to this, and various arrangements can be adopted within a range applicable to molecular distillation. . As an apparatus in which the evaporation surface and the condensation surface are arranged so as to face each other, for example, it has a double tube structure composed of an outer tube and an inner tube, and the inner surface of the outer tube is used as an evaporation surface or a condensation surface. An apparatus in which the outer surface of the cylinder is a condensation surface or an evaporation surface can be mentioned. When the evaporation surface and the condensation surface face each other, the area of the condensation surface is preferably equal to or greater than the area of the evaporation surface.

以上の蒸発器、凝縮器、及び減圧手段を備えた分子蒸留装置又は短行程蒸留装置は、好ましくは、ポット式蒸留装置、流下膜式蒸留装置、遠心式蒸留装置、同心円管式蒸留装置、又はライボルト混合薄膜蒸留装置などに分類される。   The molecular distillation apparatus or short path distillation apparatus provided with the above evaporator, condenser, and decompression means is preferably a pot type distillation apparatus, a falling film type distillation apparatus, a centrifugal distillation apparatus, a concentric circular distillation apparatus, or It is classified as a Liebold mixed thin film distillation apparatus.

なお第一の発明において使用する蒸留装置は、蒸発器、凝縮器および減圧手段を備えたものであれば、特に限定されるものではなく、例えば上述した蒸発器、凝縮器などを備えた公知の各種蒸留装置(勿論、分子蒸留装置又は短行程蒸留装置であってもよい)を用いることができる。特に蒸発器としては、第一の発明で使用する蒸留装置においても上述した薄膜式蒸発器が好ましい。   The distillation apparatus used in the first invention is not particularly limited as long as it includes an evaporator, a condenser, and a decompression means. For example, a known apparatus including the above-described evaporator, condenser, etc. Various distillation apparatuses (of course, molecular distillation apparatus or short path distillation apparatus may be used) can be used. In particular, as the evaporator, the above-described thin film evaporator is also preferable in the distillation apparatus used in the first invention.

第一および第二の発明において、薄膜式蒸発器を用いる場合、蒸発面上に形成される薄膜の厚さは、蒸発速度等を勘案して適宜設定すればよいが、10〜100μmであることが好ましく、より好ましくは20〜90μm、さらに好ましくは30〜80μmである。   In the first and second aspects of the invention, when a thin film evaporator is used, the thickness of the thin film formed on the evaporation surface may be set as appropriate in consideration of the evaporation rate and the like, but is 10 to 100 μm. Is more preferable, more preferably 20 to 90 μm, still more preferably 30 to 80 μm.

第一および第二の発明における蒸留では、蒸発させたシクロヘキサシランは−5℃〜30℃で凝縮させることが好ましい。凝縮温度は、より好ましくは−2℃〜20℃、さらに好ましくは0℃〜15℃である。上述した特定圧力条件範囲下で、凝縮温度が前記範囲であれば、シクロヘキサシランが固化して装置内の閉塞を招くといった事もなく、良好な作業性を維持することが可能になる。   In the distillation in the first and second inventions, the evaporated cyclohexasilane is preferably condensed at -5 ° C to 30 ° C. The condensation temperature is more preferably −2 ° C. to 20 ° C., further preferably 0 ° C. to 15 ° C. If the condensation temperature is in the above-mentioned range under the specific pressure condition range described above, it is possible to maintain good workability without causing cyclohexasilane to solidify and cause clogging in the apparatus.

なお、本発明において、前記蒸留にかかる一連の操作(具体的には、粗シクロヘキサシランの仕込みから、精製シクロヘキサシランの取り出しまで)は、大気曝露することなく行うことが好ましい。例えば、粗シクロヘキサシランの収容容器、蒸留装置(蒸発器、凝縮器等)、および精製シクロヘキサシランの収容容器の全てを一つの防爆ブース内に収容し、さらにこの防爆ブース内を窒素等の不活性ガス雰囲気に制御する等してもよいし、精製前の液の仕込みや凝縮物の取出し等を、窒素ガス等の不活性ガスで圧送し密閉装置内で蒸留を行うことで大気曝露を防止するようにしてもよい。   In the present invention, the series of operations related to the distillation (specifically, from the preparation of crude cyclohexasilane to the removal of purified cyclohexasilane) is preferably performed without exposure to the atmosphere. For example, a container for crude cyclohexasilane, a distillation apparatus (evaporator, condenser, etc.), and a container for purified cyclohexasilane are all housed in one explosion-proof booth, and the explosion-proof booth is filled with nitrogen or the like. The atmosphere may be controlled by controlling the inert gas atmosphere, or by feeding the liquid before purification or removing the condensate with an inert gas such as nitrogen gas and performing distillation in a sealed device. You may make it prevent.

本発明において前記蒸留に供する粗シクロヘキサシランの調製方法は特に制限されるものではなく、公知のシクロヘキサシラン合成方法を適宜採用することができる。例えば、ジフェニルジクロロシランを原料に、アルカリ金属を用いて環化させ、6員環を単離し、塩化アルミニウム存在下で塩酸ガスと接触させてケイ素上を塩素化し、次いで得られたシクロヘキサシランのハロゲン化物を水素化リチウムアルミニウム等の金属水素化物と接触させて還元することにより得られた反応混合物を粗シクロヘキサシランとして用いることができる。また、本発明者らが見出した後述の製造例記載の方法、すなわちトリクロロシラン等のハロシラン化合物を、ホスフィンの存在下で環化させ、得られたシクロヘキサシランのハロゲン化物を還元する方法で得られた反応混合物を粗シクロヘキサシランとして用いることもできる。   In the present invention, the preparation method of the crude cyclohexasilane to be subjected to the distillation is not particularly limited, and a known cyclohexasilane synthesis method can be appropriately employed. For example, diphenyldichlorosilane is used as a raw material, cyclized with an alkali metal, a 6-membered ring is isolated, contacted with hydrochloric acid gas in the presence of aluminum chloride to chlorinate on silicon, and then obtained cyclohexasilane A reaction mixture obtained by reducing a halide by contacting with a metal hydride such as lithium aluminum hydride can be used as crude cyclohexasilane. Also obtained by the method described in the following production examples found by the present inventors, that is, a method in which a halosilane compound such as trichlorosilane is cyclized in the presence of phosphine and the resulting halide of cyclohexasilane is reduced. The resulting reaction mixture can also be used as crude cyclohexasilane.

なお、本発明において前記粗シクロヘキサシランは、少なくとも2kPa以下での真空蒸留に供されるので、軽沸点成分の含有量が少ないことが望ましく、本発明にかかる前記蒸留(真空蒸留)に供する前に予め、溶媒等の軽沸点成分を取り除いておくことが好ましい。具体的には、例えば、常圧乃至減圧(2kPa超)の下で溶媒留去するなどしておけばよい。   In the present invention, since the crude cyclohexasilane is subjected to vacuum distillation at at least 2 kPa or less, it is desirable that the content of light-boiling components is small, and before being subjected to the distillation (vacuum distillation) according to the present invention. It is preferable to remove light boiling components such as a solvent in advance. Specifically, for example, the solvent may be distilled off under normal pressure or reduced pressure (over 2 kPa).

本発明の第一または第二の製造方法によれば、通常60%以上、好ましくは70%以上、より好ましくは80%以上、さらに好ましくは90%以上の高い精製収率で精製シクロヘキサシランを得ることが可能になる。
本発明の第一または第二の製造方法で得られた精製シクロヘキサシランは、高純度であり、例えば実施例で後述するガスクロマトグラフィー分析では、通常98面積%以上、好ましくは99面積%以上、より好ましくは99.5面積%以上、さらに好ましくは99.9面積%以上である。
According to the first or second production method of the present invention, purified cyclohexasilane is usually obtained in a high purification yield of 60% or more, preferably 70% or more, more preferably 80% or more, and further preferably 90% or more. It becomes possible to obtain.
The purified cyclohexasilane obtained by the first or second production method of the present invention has a high purity. For example, in gas chromatography analysis described later in Examples, it is usually 98 area% or more, preferably 99 area% or more. More preferably, it is 99.5 area% or more, More preferably, it is 99.9 area% or more.

本発明のシクロヘキサシランは、純シクロヘキサシランを98質量%以上100質量%以下の割合で含有する。純シクロヘキサシランの含有割合は、好ましくは99質量%以上、より好ましくは99.5質量%以上、さらに好ましくは99.9質量%以上である。なお、純シクロヘキサシランの含有割合の求め方は例えば、ガスクロマトグラフィー分析チャートにおけるシクロヘキサシランの「面積%」を、純シクロヘキサシランの含有割合とすることができる。かかる本発明のシクロヘキサシランは、例えば上述した本発明の第一または第二の製造方法で得ることができる。   The cyclohexasilane of the present invention contains pure cyclohexasilane in a proportion of 98% by mass to 100% by mass. The content of pure cyclohexasilane is preferably 99% by mass or more, more preferably 99.5% by mass or more, and further preferably 99.9% by mass or more. In addition, the method of calculating | requiring the content rate of pure cyclohexasilane can make "area%" of the cyclohexasilane in a gas chromatography analysis chart into the content rate of pure cyclohexasilane. Such cyclohexasilane of the present invention can be obtained, for example, by the above-described first or second production method of the present invention.

本発明のシクロヘキサシランが純シクロヘキサシラン以外に含有しうる不純物は、特に制限されないが、主としては、ヘキサシラン(Si614)、シクロヘキサシランの二量体(Si1222)またはその開環物(二量体の1個または2個の環が開環した化合物(Si1224、Si1226);本明細書では纏めて「シクロヘキサシランの二量体」と称することもある)、シロキサン化合物(水素化シランに酸素原子が付加した、シロキサン結合を有する化合物)等が挙げられる。不純物は1種のみであってもよいし、2種以上であってもよい。 Impurities that the cyclohexasilane of the present invention may contain in addition to pure cyclohexasilane are not particularly limited, but are mainly hexasilane (Si 6 H 14 ), a dimer of cyclohexasilane (Si 12 H 22 ) or its Ring-opened compounds (compounds in which one or two rings of the dimer are opened (Si 12 H 24 , Si 12 H 26 ); collectively referred to as “cyclohexasilane dimer” in this specification) And a siloxane compound (a compound having a siloxane bond in which an oxygen atom is added to a silane hydride). Only one type of impurity may be used, or two or more types of impurities may be used.

本発明のシクロヘキサシランの好ましい態様においては、ヘキサシランを2質量%以下の割合で含有するか、シクロヘキサシランの二量体を2質量%以下の割合で含有するか、シロキサン化合物を2質量%以下の割合で含有する。つまり、上述した主な3種の不純物のうちの1種または2種以上を含有する場合には、それぞれが2質量%以下であり、且つ合計含有量が2質量%以下であることが好ましい。主な3種の不純物(ヘキサシラン、シクロヘキサシランの二量体、シロキサン化合物)のそれぞれの含有割合は、より好ましくは1質量%以下、さらに好ましくは0.1質量%以下である。下限はゼロ(N.D)であることが最も好ましいが、ヘキサシラン、シクロヘキサシランの二量体についてはゼロにすることは技術的に困難であるので、0.0001質量%程度が好ましく、0.001質量%以上がさらに好ましく、0.01質量%以上が特に好ましい。なお、主な3種の含ケイ素不純物の中では、特にシクロヘキサシランの二量体の含有割合が前記範囲であることが望ましい。   In a preferred embodiment of the cyclohexasilane of the present invention, hexasilane is contained in a proportion of 2% by mass or less, a dimer of cyclohexasilane is contained in a proportion of 2% by mass or less, or a siloxane compound is contained in 2% by mass. Contains in the following proportions. That is, when one or more of the three main impurities described above are contained, each is preferably 2% by mass or less, and the total content is preferably 2% by mass or less. The content of each of the three main impurities (hexasilane, cyclohexasilane dimer, and siloxane compound) is more preferably 1% by mass or less, and still more preferably 0.1% by mass or less. The lower limit is most preferably zero (ND), but it is technically difficult to reduce the hexasilane and cyclohexasilane dimer, so about 0.0001% by mass is preferable. 0.001% by mass or more is more preferable, and 0.01% by mass or more is particularly preferable. Of the three main types of silicon-containing impurities, the content of cyclohexasilane dimer is preferably within the above range.

以上のような高純度のシクロヘキサシラン(本発明の第一または第二の製造方法で得られたシクロヘキサシランまたは本発明のシクロヘキサシラン)は、例えば太陽電池や半導体等に用いられるシリコン原料として有用である。   The high-purity cyclohexasilane (cyclohexasilane obtained by the first or second production method of the present invention or the cyclohexasilane of the present invention) as described above is, for example, a silicon raw material used for solar cells, semiconductors, etc. Useful as.

以下、実施例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明はもとより下記実施例によって制限を受けるものではなく、前・後記の趣旨に適合し得る範囲で適当に変更を加えて実施することも勿論可能であり、それらはいずれも本発明の技術的範囲に包含される。
なお、シクロヘキサシランの純度は、キャピラリーカラム(J&W SCIENTIFIC社製「DB−1MS」;0.25mm×50m)を装着したガスクロマトグラフ装置(島津製作所社製「GC2014」)にて、N2をキャリアガスとし、試料注入量1μL、試料注入温度300℃、カラム温度50℃(保持5分)〜20℃/分(昇温10分)〜10℃/分(昇温5分)〜300℃(保持10分)、検出器FID(300℃)の条件でガスクロマトグラフィー分析を行うことにより求めた。
EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples. However, the present invention is not limited by the following examples, but may be appropriately modified within a range that can meet the purpose described above and below. Of course, it is possible to implement them, and they are all included in the technical scope of the present invention.
Purity of cyclohexasilane is capillary (J & W SCIENTIFIC Co. "DB-1 MS"; 0.25 mm × 50 m) Gas chromatograph equipped with at (manufactured by Shimadzu Corporation "GC2014"), the N 2 carrier gas Sample injection volume 1 μL, sample injection temperature 300 ° C., column temperature 50 ° C. (holding 5 minutes) to 20 ° C./minute (temperature rising 10 minutes) to 10 ° C./minute (temperature rising 5 minutes) to 300 ° C. (holding 10) Min) and gas chromatography analysis under the conditions of the detector FID (300 ° C.).

[製造例(粗シクロヘキサシランの製造)]
温度計、コンデンサー、滴下ロートおよび攪拌装置を備えた300mL四つ口フラスコ内を窒素ガスで置換した後、ホスフィンとしてトリフェニルホスフィン5.81g(0.022mol)と、塩基性化合物としてジイソプロピルエチルアミン17.2g(0.133mol)と、溶媒として1,2−ジクロロエタン100mLとを入れた。続いてフラスコ内の溶液を攪拌しながら、25℃条件下において滴下ロートより、ハロシラン化合物としてトリクロロシラン18.0g(0.133mol)をゆっくりと滴下した。滴下終了後、そのまま2時間攪拌し、引き続き60℃で8時間加熱攪拌することにより反応させた。得られた反応液を濃縮・洗浄して、非イオン性のドデカクロロシクロヘキサシラン含有化合物([Ph3P]2[Si6Cl12])を白色固体として得た。
[Production example (production of crude cyclohexasilane)]
After replacing the inside of a 300 mL four-necked flask equipped with a thermometer, a condenser, a dropping funnel and a stirrer with nitrogen gas, 5.81 g (0.022 mol) of triphenylphosphine as phosphine and 17.17 of diisopropylethylamine as a basic compound. 2 g (0.133 mol) and 1,2-dichloroethane 100 mL as a solvent were added. Subsequently, while stirring the solution in the flask, 18.0 g (0.133 mol) of trichlorosilane was slowly added dropwise as a halosilane compound from a dropping funnel at 25 ° C. After completion of dropping, the mixture was stirred as it was for 2 hours, and then reacted by heating and stirring at 60 ° C. for 8 hours. The obtained reaction solution was concentrated and washed to obtain a nonionic dodecachlorocyclohexasilane-containing compound ([Ph 3 P] 2 [Si 6 Cl 12 ]) as a white solid.

滴下ロートおよび攪拌装置を備えた100mL二つ口フラスコに、得られた白色固体2.44g(ドデカクロロシクロヘキサシラン含有化合物2.18mmol)を入れて減圧乾燥させた。次いでフラスコ内をアルゴンガスで置換した後、溶媒としてシクロペンチルメチルエーテル30mLを加えた。続いてフラスコ内の懸濁液を攪拌しながら、−20℃条件下において滴下ロートより、還元剤として水素化リチウムアルミニウムのジエチルエーテル溶液(濃度:約1.0mol/L)10mLを徐々に滴下し、次いで−20℃で5時間攪拌することにより反応させた。反応後、反応液を窒素ガス雰囲気下において濾過し、生成した塩を取り除いた。得られた濾液から減圧下で溶媒を留去して、無色透明液体の粗シクロヘキサシランを得た。   In a 100 mL two-necked flask equipped with a dropping funnel and a stirrer, 2.44 g (2.18 mmol of dodecachlorocyclohexasilane-containing compound) of the obtained white solid was added and dried under reduced pressure. Next, after the inside of the flask was replaced with argon gas, 30 mL of cyclopentyl methyl ether was added as a solvent. Subsequently, while stirring the suspension in the flask, 10 mL of a lithium aluminum hydride diethyl ether solution (concentration: about 1.0 mol / L) as a reducing agent was gradually added dropwise from a dropping funnel at −20 ° C. Then, the reaction was carried out by stirring at -20 ° C for 5 hours. After the reaction, the reaction solution was filtered under a nitrogen gas atmosphere to remove the generated salt. The solvent was distilled off from the obtained filtrate under reduced pressure to obtain a colorless and transparent liquid crude cyclohexasilane.

[実施例1]
製造例で得られた粗シクロヘキサシランを、一般的なガラス製の減圧蒸留装置(釜、分留管、コンデンサー(冷却管)、受器)を用いて、絶対圧力300Pa、蒸発面の温度(釜内の粗シクロヘキサシランの温度)を75℃、凝縮面の温度(コンデンサーの設定温度)を5℃として蒸留し、精製シクロヘキサシランを得た。なお蒸留中、コンデンサーを含む装置内において、シクロヘキサシランの固化は認められなかった。
得られた精製シクロヘキサシランをガスクロマトグラフィーにて分析したところ、シクロヘキサシランが98.9面積%、ヘキサシランが0.6面積%、シクロヘキサシランの二量体が0.5面積%の割合で検出され、シロキサン化合物は検出されなかった(このときのチャートを図1に示す)。また、蒸留収率は90%であった。
[Example 1]
The crude cyclohexasilane obtained in the production example was subjected to an absolute pressure of 300 Pa, an evaporation surface temperature (by using a general glass vacuum distillation apparatus (a kettle, a fractionation pipe, a condenser (cooling pipe), a receiver)) Distillation was performed with the temperature of the crude cyclohexasilane in the kettle at 75 ° C. and the condensation surface temperature (set temperature of the condenser) at 5 ° C. to obtain purified cyclohexasilane. During the distillation, solidification of cyclohexasilane was not observed in the apparatus including the condenser.
When the obtained purified cyclohexasilane was analyzed by gas chromatography, the ratio of 98.9 area% for cyclohexasilane, 0.6 area% for hexasilane, and 0.5 area% for the dimer of cyclohexasilane was obtained. No siloxane compound was detected (the chart at this time is shown in FIG. 1). The distillation yield was 90%.

[実施例2]
製造例で得られた粗シクロヘキサシランを、短行程蒸留装置(フィンテック社製「KDL−01」)を用いて、絶対圧力20Pa、蒸発面の温度を45℃、凝縮面の温度を0℃として蒸留し、精製シクロヘキサシランを得た。なお蒸留中コンデンサーを含む装置内において、シクロヘキサシランの固化は認められなかった。
得られた精製シクロヘキサシランをガスクロマトグラフィーにて分析したところ、シクロヘキサシランが99.1面積%、ヘキサシランが0.4面積%、シクロヘキサシランの二量体が0.5面積%の割合で検出され、シロキサン化合物は検出されなかった。また、蒸留収率は96%であった。
[Example 2]
The crude cyclohexasilane obtained in the production example was subjected to an absolute pressure of 20 Pa, an evaporation surface temperature of 45 ° C., and a condensation surface temperature of 0 ° C. using a short stroke distillation apparatus (“KDL-01” manufactured by Fintech). To obtain purified cyclohexasilane. In the apparatus including the condenser during distillation, no solidification of cyclohexasilane was observed.
When the obtained purified cyclohexasilane was analyzed by gas chromatography, the ratio of 99.1 area% of cyclohexasilane, 0.4 area% of hexasilane, and 0.5 area% of the dimer of cyclohexasilane was obtained. And no siloxane compound was detected. The distillation yield was 96%.

[実施例3]
製造例で得られた粗シクロヘキサシランを、短行程蒸留装置(フィンテック社製「KDL−01」)を用いて、絶対圧力100Pa、蒸発面の温度を60℃、凝縮面の温度を0℃として蒸留し、精製シクロヘキサシランを得た。なお蒸留中コンデンサーを含む装置内において、シクロヘキサシランの固化は認められなかった。
得られた精製シクロヘキサシランをガスクロマトグラフィーにて分析したところ、シクロヘキサシランが99.0面積%、ヘキサシランが0.5面積%、シクロヘキサシランの二量体が0.5面積%の割合で検出され、シロキサン化合物は検出されなかった。また、蒸留収率は93%であった。
[Example 3]
The crude cyclohexasilane obtained in the production example was subjected to an absolute pressure of 100 Pa, an evaporation surface temperature of 60 ° C., and a condensation surface temperature of 0 ° C. using a short stroke distillation apparatus (“KDL-01” manufactured by Fintech). To obtain purified cyclohexasilane. In the apparatus including the condenser during distillation, no solidification of cyclohexasilane was observed.
When the obtained purified cyclohexasilane was analyzed by gas chromatography, the ratio of cyclohexasilane was 99.0 area%, hexasilane was 0.5 area%, and the cyclohexasilane dimer was 0.5 area%. And no siloxane compound was detected. The distillation yield was 93%.

[比較例1]
蒸留の際の絶対圧力を300Paから3kPaに変更し、蒸発面の温度を75℃から130℃に変更したこと以外は、実施例1と同様にして粗シクロヘキサシランを蒸留し、精製シクロヘキサシランを得た。なお蒸留中、コンデンサーに固化したシクロヘキサシランが付着したので、蒸留を終了した後、コンデンサーを温めて付着したシクロヘキサシランも精製シクロヘキサシランとして回収した。
得られた精製シクロヘキサシランをガスクロマトグラフィーにて分析したところ、シクロヘキサシランが95.2面積%、ヘキサシランが2.1面積%、シクロヘキサシランの二量体が2.7面積%の割合で検出され、シロキサン化合物は検出されなかった。また、蒸留収率は42%であった。
[Comparative Example 1]
The crude cyclohexasilane was distilled in the same manner as in Example 1 except that the absolute pressure during distillation was changed from 300 Pa to 3 kPa and the temperature of the evaporation surface was changed from 75 ° C. to 130 ° C. Got. During the distillation, the solidified cyclohexasilane adhered to the condenser. After the distillation was completed, the condenser was warmed to collect the deposited cyclohexasilane as purified cyclohexasilane.
When the obtained purified cyclohexasilane was analyzed by gas chromatography, the ratio of 95.2 area% of cyclohexasilane, 2.1 area% of hexasilane, and 2.7 area% of dimer of cyclohexasilane was obtained. And no siloxane compound was detected. The distillation yield was 42%.

本発明で得られる高純度の精製シクロヘキサシランは、太陽電池や半導体等の用途におけるシリコン原料として好適に利用される。   The high purity purified cyclohexasilane obtained in the present invention is suitably used as a silicon raw material in applications such as solar cells and semiconductors.

Claims (4)

純シクロヘキサシランを98質量%以上100質量%以下の割合で含有する、シクロヘキサシラン。   Cyclohexasilane containing pure cyclohexasilane in a proportion of 98% by mass to 100% by mass. ヘキサシランを2質量%以下の割合で含有する、請求項1に記載のシクロヘキサシラン。   The cyclohexasilane of Claim 1 which contains hexasilane in the ratio of 2 mass% or less. シクロヘキサシランの二量体を2質量%以下の割合で含有する、請求項1に記載のシクロヘキサシラン。   The cyclohexasilane of Claim 1 which contains the dimer of a cyclohexasilane in the ratio of 2 mass% or less. シロキサン化合物を2質量%以下の割合で含有する、請求項1に記載のシクロヘキサシラン。   The cyclohexasilane of Claim 1 which contains a siloxane compound in the ratio of 2 mass% or less.
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