JP2018060108A - Positioning method, exposure method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、露光装置等で複数枚の基板を連続して処理する際の位置合わせ方法に関する。 The present invention relates to an alignment method for processing a plurality of substrates continuously with an exposure apparatus or the like.
近年、ICやLSI等の半導体集積回路や液晶パネルの微細化や高集積化に伴い、これらの製品の製造装置である露光装置も高精度化や高機能化が進んでいる。このような露光装置としては、ステッパやスキャナと呼ばれる露光装置が用いられることが多い。これらの露光装置は、基板(例えばウェハ)をステップ移動しながら、原板(例えばレチクル)上に形成したパターンを基板の複数個所に順次転写する。この転写を一括で行う装置をステッパと呼び、ステージをスキャンしながら転写を行う装置をスキャナと呼んでいる。 In recent years, along with the miniaturization and high integration of semiconductor integrated circuits such as ICs and LSIs and liquid crystal panels, exposure apparatuses that are manufacturing apparatuses for these products have become highly accurate and highly functional. As such an exposure apparatus, an exposure apparatus called a stepper or a scanner is often used. These exposure apparatuses sequentially transfer a pattern formed on an original plate (for example, a reticle) to a plurality of locations on the substrate while stepping the substrate (for example, a wafer). An apparatus that performs the transfer collectively is called a stepper, and an apparatus that performs the transfer while scanning the stage is called a scanner.
近年においては、露光装置の重要な性能である重ね合わせ精度及びスループットの向上への要求が厳しくなり課題となっている。この課題に対する従来の技術として、複数のパターン領域が形成されたＮ枚の基板の各々について、パターン領域の位置に関する設計値と複数の誤差パラメータとに基づいて、パターン領域の各々に対して現実に露光すべきショット位置を決定して位置合わせする位置合わせ方法において、１枚目からｍ（ｍ＜Ｎ）枚目までの各基板に対しては、Ｍｍａｘ個のパターン領域の位置を計測して得られた第１の実測値に基づいて複数の誤差パラメータの全てを推定する。 In recent years, demands for improving overlay accuracy and throughput, which are important performances of an exposure apparatus, have become stricter and have become issues. As a conventional technique for this problem, for each of the N substrates on which a plurality of pattern regions are formed, each of the pattern regions is actually based on a design value related to the position of the pattern region and a plurality of error parameters. In the alignment method for determining and aligning the shot position to be exposed, the position of Mmax pattern regions is obtained for each substrate from the first to m (m <N). All of the plurality of error parameters are estimated based on the obtained first actual measurement value.
そして、現実に露光すべきショット位置を決定する第１のステップと、推定された複数の誤差パラメータのうち、１又は２以上の所定の誤差パラメータを選択し、ｍ枚の基板の各々から求められた選択された誤差パラメータの各値をそれぞれ平均化処理する。 Then, a first step of determining a shot position to be actually exposed and one or more predetermined error parameters are selected from a plurality of estimated error parameters, and are obtained from each of m substrates. Each value of the selected error parameter is averaged.
そして、登録された第１の「判定基準」内の各判定基準項目に格納する第２のステップと、ｍ＋１枚目以降の基板の各々に対しては、計測点数がＭｍｉｎ（＜Ｍｍａｘ）個のパターン領域の位置を計測して得られた第２の実測値に基づいて推定した複数の誤差パラメータの全てのうち選択された誤差パラメータの値が第１の「判定基準」に対して所定の範囲内にあれば、第１の「判定基準」内の各判定基準項目に格納されている誤差パラメータと当該実測値で得られたその他の誤差パラメータとに基づいて、現実に露光すべきショット位置を決定する第３のステップと、第２の実測値に基づいて推定した複数の誤差パラメータのうち選択された誤差パラメータの値が所定の範囲内になければ、選択された誤差パラメータの値が所定の範囲内に入るまで計測点数を追加して再計測を行う第４のステップとを備えたことを特徴とする位置合わせ方法がある。（特許文献１）。 Then, for each of the second step stored in each determination criterion item in the first registered “determination criterion” and each of the (m + 1) th and subsequent substrates, the number of measurement points is Mmin (<Mmax). The error parameter value selected from all of the plurality of error parameters estimated based on the second actual measurement value obtained by measuring the position of the pattern region is within a predetermined range with respect to the first “judgment criterion”. The shot position to be actually exposed is determined based on the error parameter stored in each determination criterion item in the first “determination criterion” and the other error parameters obtained from the actual measurement value. If the selected error parameter value is not within a predetermined range among the plurality of error parameters estimated based on the third step to be determined and the second actual measurement value, the selected error parameter value is a predetermined value. Within range It has an alignment method comprising comprising a fourth step of until the remeasurement by adding measurement points that. (Patent Document 1).
しかし、従来の位置合わせ方法では、パターン領域の計測点数を削減する際に最適な計測点及び計測点数の算出をせずに計測点を減らしているため、計測点数を削減した後に推定した誤差パラメータが所定の範囲内になかった際は計測点数を追加して再計測を行うため、逆にスループットを落としてしまうというケースが発生する問題があった。 However, in the conventional alignment method, when the number of measurement points in the pattern area is reduced, the number of measurement points is reduced without calculating the optimal number of measurement points and the number of measurement points. Therefore, the error parameter estimated after reducing the number of measurement points Is not within the predetermined range, re-measurement is performed by adding the number of measurement points, and there is a problem in that the throughput is reduced.
そこで、本発明は、複数枚のウェハを連続して位置合わせする際の位置合わせ方法に関し、各ウェハ内のパターン毎に最適な計測点数及び計測点の算出したうえで、計測点を計測、誤差パラメータの算出、誤差パラメータに基づいて露光すべきショット位置を決定することで、高い位置合わせ精度を保ちつつスループットを向上させた位置合わせ方法を提供することを目的とする。 Therefore, the present invention relates to an alignment method for continuously aligning a plurality of wafers, and after calculating the optimum number of measurement points and measurement points for each pattern in each wafer, It is an object of the present invention to provide an alignment method that improves throughput while maintaining high alignment accuracy by determining a shot position to be exposed based on parameter calculation and an error parameter.
その目的を達成するために、本発明の一側面としての位置合わせ方法は、複数のパターン領域が形成されたＮ枚の基板の各々について、パターン領域の位置に関する設計値と複数の誤差パラメータとに基づいて、パターン領域の各々に対して現実に露光すべきショット位置を決定して位置合わせする位置合わせ方法で、
前記Ｎ枚の基板の内、ｍ枚目（ｍ＜Ｎ）までの各基板についての第１の計測点数Sと、ｍ＋１〜Ｎ枚目までの各基板についての第２の計測点数S’とは異なることを特徴とする位置合わせ方法において、
前記ｍ枚目までの各基板に対して、Ｍｍａｘ個の前記パターン領域の位置を計測して得られた第１の実測値に基づいて前記複数の誤差パラメータの全てを推定し、現実に露光すべきショット位置を決定する第１のステップと、
前記選択した計測点の中からさらに抽出したP個(P≦Mmax)の1つ以上の計測点の組み合わせパターンに対して、計測結果を用いて前記被露光基板上の各ショット位置に対して露光する際の複数の誤差パラメータを算出する第2のステップと、
前記第１のステップと前記第２のステップで算出した誤差パラメータの差を算出し、前記算出した誤差パラメータの差が所定の閾値に入っているかをチェックし、各誤差パラメータの差と閾値チェックの結果を記憶する第3のステップと
前記第１〜３のステップをｍ枚目まで繰り返し行い、前記ｍ枚目までのチェック結果に応じて、ｍ＋１枚目以降の計測点を、前記第2のステップで抽出した計測点の組み合わせパターンのうち、第３のステップで記憶した各誤差パラメータの差が閾値内であり、且つ、差のばらつきの最も小さかった組み合わせの計測点を計測し、計測した実測値に基づいて誤差パラメータのすべてを推定し、現実に露光すべきショット位置を決定することを特徴とする。
In order to achieve the object, an alignment method according to one aspect of the present invention uses a design value and a plurality of error parameters for the position of a pattern region for each of N substrates on which a plurality of pattern regions are formed. Based on the alignment method for determining and aligning the shot position to be actually exposed for each of the pattern areas,
Of the N substrates, the first measurement point S for each substrate up to m-th (m <N) and the second measurement point S ′ for each substrate from m + 1 to N-th substrate In an alignment method characterized by being different,
All of the plurality of error parameters are estimated on the basis of the first actual measurement values obtained by measuring the positions of the Mmax pattern regions for each of the m substrates up to the m-th substrate, and actually exposed. A first step of determining a shot position to be performed;
For a combination pattern of one or more measurement points of P (P ≦ Mmax) further extracted from the selected measurement points, exposure is performed for each shot position on the substrate to be exposed using a measurement result. A second step of calculating a plurality of error parameters when
The difference between the error parameters calculated in the first step and the second step is calculated, it is checked whether the calculated error parameter difference is within a predetermined threshold, and the difference between each error parameter and the threshold check The third step of storing the result and the first to third steps are repeated up to the m-th sheet, and the measurement points after the (m + 1) -th sheet are determined in the second step according to the check result up to the m-th sheet. Of the measurement point combination patterns extracted in step 3, the measurement points of the combination where the difference between the error parameters stored in the third step is within the threshold and the variation in the difference is the smallest are measured and measured. All the error parameters are estimated based on the above, and the shot position to be actually exposed is determined.
本発明により、複数枚の基板を連続して位置合わせする際の位置合わせ方法に関し、各基板内のパターン毎に最適な計測点数及び計測点の算出したうえで、計測点を計測、誤差パラメータを算出し、誤差パラメータに基づいて露光すべきショット位置を決定することで、高い位置合わせ精度を保ちつつスループットを向上させた位置合わせ方法を提供することができる。 The present invention relates to an alignment method for continuously aligning a plurality of substrates, and after calculating the optimum number of measurement points and measurement points for each pattern in each substrate, the measurement points are measured and error parameters are set. By calculating and determining a shot position to be exposed based on the error parameter, it is possible to provide an alignment method that improves throughput while maintaining high alignment accuracy.
・添付図面の各々について、下記のように簡単な説明を記載する。
以下に、本発明の好ましい実施形態を添付の図面に基づいて詳細に説明する。
〔第1実施形態〕
本発明の第１実施形態の位置合わせ方法について説明する。図１は本発明の一実施形態の位置合わせ方法のフローチャートである。本実施形態の位置合わせ方法では、図１に示すように基板内に露光するパターン領域より、計測点数Mmaxと計測点を決定する(S101)。
Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
[First embodiment]
An alignment method according to the first embodiment of the present invention will be described. FIG. 1 is a flowchart of an alignment method according to an embodiment of the present invention. In the alignment method of this embodiment, as shown in FIG. 1, the number of measurement points Mmax and the measurement points are determined from the pattern area exposed in the substrate (S101).
次に１枚目の基板(S102)を装置内のステージに搬送し(S103)、S103で決定した計測点を計測(S104)、S104により得られた各計測点の計測結果から誤差パラメータαを算出する(S105)。さらに、S104により得られた各計測点の計測結果から、計測点数をMmaxより減らした組み合わせでの誤差パラメータβを算出する(S106)。 Next, the first substrate (S102) is transferred to the stage in the apparatus (S103), the measurement points determined in S103 are measured (S104), and the error parameter α is calculated from the measurement results of each measurement point obtained in S104. Calculate (S105). Further, an error parameter β is calculated from the measurement result of each measurement point obtained in S104 in a combination in which the number of measurement points is reduced from Mmax (S106).
その後、誤差パラメータαと誤差パラメータβの差γを算出する(S107)。誤差パラメータβは計測点の組み合わせ分のあるため、γも計測点の組み合わせ分ある。γが閾値の範囲内にあるかどうかをチェックし(S108)、チェック結果、つまり閾値以内であるか、閾値外であるかと、γの値を記憶する(S109)。 Thereafter, a difference γ between the error parameter α and the error parameter β is calculated (S107). Since the error parameter β is a combination of measurement points, γ is also a combination of measurement points. It is checked whether γ is within the threshold range (S108), and the result of the check, that is, whether the value is within the threshold value or outside the threshold value is stored (S109).
１枚目の基板はS104にて算出された誤差パラメータを使用して現実に露光すべきショット位置を決定し露光される。基板がm枚目になったかを判定し(S110)、m枚目になるまで基板を変えながら(S111)、S103〜S109の処理を行う。処理がm枚目の基板まで達したら、１〜ｍ枚目までで記憶された閾値チェックの結果とγの値より、計測点数をMmaxより減らした計測点の組み合わせの中で、γの値が閾値外にならなかった組み合わせで、且つ１〜ｍ枚目までのγの値のばらつきが最も小さい計測点の組み合わせを選び(S109)、Mmaxの値を選ばれた計測点数とする(S110)。 The first substrate is exposed by determining the shot position to be actually exposed using the error parameter calculated in S104. It is determined whether the substrate has become m-th (S110), and the processing of S103 to S109 is performed while changing the substrate until it reaches the m-th substrate (S111). When the processing reaches the m-th substrate, the value of γ is the combination of the measurement points in which the number of measurement points is less than Mmax, based on the threshold check results stored in the 1st to m-th substrates and the value of γ. A combination of measurement points with the smallest variation in the value of γ from the 1st to m-th sheets is selected (S109), and the Mmax value is set as the selected number of measurement points (S110).
m+1枚目以降の基板の計測では、選ばれた計測点の計測のみを行い誤差パラメータを算出する。これによりm+1枚目以降では、位置合わせ精度を保ったうえで、m枚目まで計測点数が減少することで、計測にかかる時間を削減することができ、スループットを向上させることができる。 In the measurement of the (m + 1) th and subsequent substrates, only the selected measurement point is measured and the error parameter is calculated. As a result, after the (m + 1) th sheet, the alignment accuracy is maintained, and the number of measurement points is decreased to the mth sheet, so that the time required for measurement can be reduced and the throughput can be improved.
［実施例１］
図２、図３に基づいて本発明の一実施形態の位置合わせ方法の実施例を説明する図２は基板２０１とその露光パターン領域と計測点２０２を示している。図2の例では、
計測点数は８点である。図２の露光パターン領域を持つ基板を25枚分露光するとき、
1枚目から５枚目までは２０２で示す通り計測点数８点分の計測を行い、その実測値さに基づいて、誤差パラメータを算出する。続いて、２０２で示す計測点８点内から考えられる計測点の組み合わせ8Cr(3≦r＜8)毎の、誤差パラメータを算出する。
[Example 1]
FIG. 2 for explaining an example of the alignment method according to the embodiment of the present invention based on FIG. 2 and FIG. In the example of Figure 2,
The number of measurement points is 8. When exposing 25 substrates with the exposure pattern area of FIG.
From the first sheet to the fifth sheet, measurement is performed for eight measurement points as indicated by 202, and an error parameter is calculated based on the actually measured values. Subsequently, an error parameter is calculated for each combination 8 C r (3 ≦ r <8) of possible measurement points from the eight measurement points indicated by 202.
図３で示す３０１〜３０８は、計測点２０２から考えられる計測点の組み合わせの１例である。２０２のように計測点８点の場合、組み合わせ数は8C3 + 8C4 + 8C5 + 8C6 + 8C7 = 218通りであり、各々について実測値に基づいて、誤差パラメータを算出することができる。 Reference numerals 301 to 308 shown in FIG. 3 are examples of combinations of measurement points that can be considered from the measurement points 202. In the case of 8 measurement points such as 202, the number of combinations is 8 C 3 + 8 C 4 + 8 C 5 + 8 C 6 + 8 C 7 = 218. For each, an error parameter is set based on the measured value. Can be calculated.
次に２０２で示す計測点８点分の実測値から算出した誤差パラメータと各組み合わせで算出した誤差パラメータの差を取る。この差が、事前に指定した閾値本例では、例えば5%未満とし、この値に納まっているかどうかをチェックし、チェック結果及び誤差パラメータの差を組み合わせ数分保存する。そして、１〜５枚目までの基板露光時の位置合わせにおいては、前述の計測点８点の実測値に基づいて、算出した誤差パラメータを用いて位置合わせを行い、基板の所望の位置に露光を行う。 Next, the difference between the error parameter calculated from the actually measured values for the eight measurement points indicated by 202 and the error parameter calculated for each combination is taken. In this example, the difference is a threshold value specified in advance, for example, less than 5%, whether it is within this value is checked, and the difference between the check result and the error parameter is stored for the number of combinations. Then, in the alignment at the time of substrate exposure for the first to fifth sheets, alignment is performed using the calculated error parameter based on the above-described actual measurement values of the eight measurement points, and exposure is performed at a desired position on the substrate. I do.
続いて６枚目の基板を処理する前に１〜５枚目までに行った、閾値チェックと誤差パラメータの差をもとに、６枚目以降で計測する計測点の組み合わせを決定する。組み合わせの決定には、１〜５枚目の基板処理時に行った閾値チェックの結果をもとに、本実施例では、閾値チェックで一度も閾値を外れなかった組み合わせで且つ、１〜５枚目の誤差パラメータの差のばらつきが最も小さい計測点の組み合わせを選択することとする。 Subsequently, based on the difference between the threshold value check and the error parameter performed for the first to fifth substrates before processing the sixth substrate, the combination of measurement points to be measured after the sixth substrate is determined. The combination is determined based on the result of the threshold check performed at the time of processing the first to fifth substrates. In this embodiment, the combination is a combination that has never deviated from the threshold by the threshold check, and the first to fifth sheets. It is assumed that a combination of measurement points with the smallest variation in error parameter difference is selected.
本実施例では、図３の３０１が選択されたこととする。選択された計測点を使って６枚目以降の計測を行い、誤差パラメータを算出し、算出した誤差パラメータを用いて位置合わせを行い、基板の所望の位置に露光を行う。これにより、６枚目以降では計測点数８から７に変わっているため、計測にかかる時間が短縮され、スループットを向上させることができる。また、実施例１では、計測点の組み合わせの決定には誤差パラメータの差のばらつきを考慮して決定しているが、計測点の配列評価値を算出および考慮に入れて、計測点を決定することもできる。 In this embodiment, it is assumed that 301 in FIG. 3 is selected. The sixth and subsequent sheets are measured using the selected measurement points, error parameters are calculated, alignment is performed using the calculated error parameters, and exposure is performed at a desired position on the substrate. Accordingly, since the number of measurement points is changed from 8 to 7 after the sixth sheet, the time required for measurement can be shortened and the throughput can be improved. In the first embodiment, the combination of measurement points is determined in consideration of variation in the difference in error parameters. However, the measurement points are determined by calculating and considering the array evaluation values of the measurement points. You can also.
〔第２実施形態〕
本発明の一実施形態の誤差パラメータは例えば、スケーリングX、Y、ローテーション、直行度、シフトX、Y等が考えられる。本発明では各誤差パラメータに閾値をもつことも可能である。また、１〜ｍ枚目までの閾値チェックの結果から、m+1枚目以降の計測点の組み合わせを決定する際の決定方法では、決定するための要素において、各誤差パラメータの重みを変えられることも可能である。
[Second Embodiment]
For example, scaling parameters X, Y, rotation, orthogonality, shifts X, Y, and the like are conceivable as error parameters according to an embodiment of the present invention. In the present invention, each error parameter can have a threshold value. In addition, in the determination method for determining the combination of the measurement points from the (m + 1) th sheet onward from the results of the threshold check for the 1st to mth sheets, the weight of each error parameter can be changed in the elements for determination. It is also possible.
〔第３実施形態〕
本発明の一実施形態の位置合わせ方法では、例えば実施例１に示した６枚目以降の計測点の計測で、指定した間隔毎に、再度計測点数を元に戻して計測し、再度誤差パラメータの差と閾値チェックし、計測点を再度選択し直すことも可能である。
[Third Embodiment]
In the alignment method according to an embodiment of the present invention, for example, in measurement of the sixth and subsequent measurement points shown in Example 1, measurement is performed again with the number of measurement points returned to the original for each specified interval, and the error parameter is again measured. It is also possible to check the difference and the threshold and reselect the measurement point.
〔第４実施形態〕
つぎに、本発明の一実施形態の露光方法について説明する。複数枚のウェハを連続して位置合わせする際の位置合わせ方法において、上述した実施形態１〜４で説明したように誤差パラメータを算出する際の計測点とその組み合わせを決定し、実際に決定した計測点の計測をし、誤差パラメータの算出を行い、算出された誤差パラメータに従って、露光すべきショット位置を決定し、露光することで、高い位置合わせ精度を維持しつつスループットを向上させた露光方法が可能である。
[Fourth Embodiment]
Next, an exposure method according to an embodiment of the present invention will be described. In the alignment method when continuously aligning a plurality of wafers, as described in the first to fourth embodiments, the measurement points and the combinations for calculating the error parameters are determined and actually determined. An exposure method that improves the throughput while maintaining high alignment accuracy by measuring measurement points, calculating error parameters, determining the shot position to be exposed according to the calculated error parameters, and performing exposure. Is possible.
〔第５実施形態〕
つぎに、本発明の一実施形態のデバイス（半導体デバイス、液晶表示デバイス等）の製造方法について説明する。半導体デバイスは、ウエハに集積回路を作る前工程と、前工程で作られたウエハ上の集積回路チップを製品として完成させる後工程を経ることにより製造される。前工程は、前述の露光装置を使用して感光剤が塗布されたウエハを露光する工程と、ウエハを現像する工程を含む。後工程は、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）と、パッケージング工程（封入）を含む。液晶表示デバイスは、透明電極を形成する工程を経ることにより製造される。
[Fifth Embodiment]
Next, a method for manufacturing a device (semiconductor device, liquid crystal display device, etc.) according to an embodiment of the present invention will be described. A semiconductor device is manufactured through a pre-process for producing an integrated circuit on a wafer and a post-process for completing an integrated circuit chip on the wafer produced in the pre-process as a product. The pre-process includes a step of exposing a wafer coated with a photosensitive agent using the above-described exposure apparatus, and a step of developing the wafer. The post-process includes an assembly process (dicing and bonding) and a packaging process (encapsulation). A liquid crystal display device is manufactured through a process of forming a transparent electrode.
透明電極を形成する工程は、透明導電膜が蒸着されたガラス基板に感光剤を塗布する工程と、前述の露光装置を使用して感光剤が塗布されたガラス基板を露光する工程と、ガラス基板を現像する工程を含む。本実施形態のデバイス製造方法によれば、従来よりも高いスループットでデバイスを製造することができる。 The step of forming the transparent electrode includes a step of applying a photosensitive agent to a glass substrate on which a transparent conductive film is deposited, a step of exposing the glass substrate on which the photosensitive agent is applied using the above-described exposure apparatus, and a glass substrate. The process of developing is included. According to the device manufacturing method of this embodiment, a device can be manufactured with a higher throughput than in the past.
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。 As mentioned above, although preferable embodiment of this invention was described, this invention is not limited to these embodiment, A various deformation | transformation and change are possible within the range of the summary.
２０１ 基板
２０２ 計測点
201 Substrate 202 Measurement point
Claims (7)
前記Ｎ枚の基板の内、ｍ枚目（ｍ＜Ｎ）までの各基板についての第１の計測点数Sと、ｍ＋１〜Ｎ枚目までの各基板についての第２の計測点数S’とは異なることを特徴とする位置合わせ方法において、
前記ｍ枚目までの各基板に対して、Ｍｍａｘ個の前記パターン領域の位置を計測して得られた第１の実測値に基づいて前記複数の誤差パラメータを推定し、現実に露光すべきショット位置を決定する第１のステップと、
前記選択した計測点の中からさらに抽出したP個(P≦Mmax)の1つ以上の計測点の組み合わせパターンに対して、計測結果を用いて前記被露光基板上の各ショット位置に対して露光する際の誤差パラメータを算出する第2のステップと、
前記第１のステップと前記第２のステップで算出した誤差パラメータの差を算出し、前記算出した誤差パラメータの差が所定の閾値に入っているかをチェックし、各誤差パラメータの差と閾値チェックの結果を記憶する第3のステップを有し、誤差パラメータに基づいて、現実に露光すべきショット位置を決定することを特徴とする位置合わせ方法。 For each of the N substrates on which a plurality of pattern areas are formed, a shot position to be actually exposed to each of the pattern areas is determined based on a design value relating to the position of the pattern area and a plurality of error parameters. With the alignment method to determine and align,
Of the N substrates, the first measurement point S for each substrate up to m-th (m <N) and the second measurement point S ′ for each substrate from m + 1 to N-th substrate In an alignment method characterized by being different,
Shots to be actually exposed by estimating the plurality of error parameters based on the first actual measurement values obtained by measuring the positions of the Mmax pattern regions for each of the m-th substrates. A first step of determining a position;
For a combination pattern of one or more measurement points of P (P ≦ Mmax) further extracted from the selected measurement points, exposure is performed for each shot position on the substrate to be exposed using a measurement result. A second step of calculating an error parameter when
The difference between the error parameters calculated in the first step and the second step is calculated, it is checked whether the calculated error parameter difference is within a predetermined threshold, and the difference between each error parameter and the threshold check A registration method comprising a third step of storing a result, and determining a shot position to be actually exposed based on an error parameter.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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