JP2018056352A - 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法 - Google Patents
炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018056352A JP2018056352A JP2016191295A JP2016191295A JP2018056352A JP 2018056352 A JP2018056352 A JP 2018056352A JP 2016191295 A JP2016191295 A JP 2016191295A JP 2016191295 A JP2016191295 A JP 2016191295A JP 2018056352 A JP2018056352 A JP 2018056352A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon carbide
- carbide semiconductor
- manufacturing
- semiconductor device
- semiconductor substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 151
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 143
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 84
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 58
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 72
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 69
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 52
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims abstract description 52
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims abstract description 36
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 36
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims abstract description 12
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 63
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 26
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 24
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 24
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 22
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229960001730 nitrous oxide Drugs 0.000 claims description 8
- 235000013842 nitrous oxide Nutrition 0.000 claims description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 6
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 2
- 238000003763 carbonization Methods 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 92
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 37
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 31
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 21
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 19
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 230000005524 hole trap Effects 0.000 description 17
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 17
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 15
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 13
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 10
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 9
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 9
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 7
- 150000001722 carbon compounds Chemical class 0.000 description 6
- -1 fluorine ions Chemical class 0.000 description 6
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 150000002221 fluorine Chemical class 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 4
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 3
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 150000002366 halogen compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005527 interface trap Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/0445—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising crystalline silicon carbide
- H01L21/045—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising crystalline silicon carbide passivating silicon carbide surfaces
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/0445—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising crystalline silicon carbide
- H01L21/048—Making electrodes
- H01L21/049—Conductor-insulator-semiconductor electrodes, e.g. MIS contacts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic System
- H01L29/1608—Silicon carbide
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/36—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the concentration or distribution of impurities in the bulk material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
- H01L29/51—Insulating materials associated therewith
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66053—Multistep manufacturing processes of devices having a semiconductor body comprising crystalline silicon carbide
- H01L29/6606—Multistep manufacturing processes of devices having a semiconductor body comprising crystalline silicon carbide the devices being controllable only by variation of the electric current supplied or the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched, e.g. two-terminal devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66053—Multistep manufacturing processes of devices having a semiconductor body comprising crystalline silicon carbide
- H01L29/66068—Multistep manufacturing processes of devices having a semiconductor body comprising crystalline silicon carbide the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/66568—Lateral single gate silicon transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/7801—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
- H01L29/7802—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/92—Capacitors with potential-jump barrier or surface barrier
- H01L29/94—Metal-insulator-semiconductors, e.g. MOS
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
- H01L21/26506—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation in group IV semiconductors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/14—Measuring as part of the manufacturing process for electrical parameters, e.g. resistance, deep-levels, CV, diffusions by electrical means
Abstract
【解決手段】炭化珪素半導体装置は、第1導電型の炭化珪素半導体基板1と、前記炭化珪素半導体基板1のおもて面に設けられた絶縁膜3と、を備える。また、前記炭化珪素半導体基板中のフッ素の濃度が、2×1017/cm3〜4×1018/cm3である。前記炭化珪素半導体基板1は、酸化膜を形成し、前記酸化膜が形成された面にフッ素をイオン注入し、イオン注入後、前記酸化膜を除去することにより作成される。
【選択図】図1
Description
実施の形態においては、炭化珪素半導体装置について、MOSキャパシタの構造を例に説明する。図1は、実施の形態にかかるMOSキャパシタの構成を示す断面図である。図1に示すように、実施の形態にかかるMOSキャパシタは、n型炭化珪素基板(第1導電型の炭化珪素半導体基板)1の第1主面(おもて面)にn型エピタキシャル膜2が堆積されている。
次に、実施の形態にかかるMOSキャパシタの製造方法について説明する。図2および図3は、実施の形態にかかるMOSキャパシタの製造途中の状態を示す断面図である。
まず、n型炭化珪素基板1として、n型4H−SiC(四層周期六方晶の炭化珪素)基板を用意する。n型4H−SiC(000−1)基板((000−1)面から0〜8度オフ基板)上に、ドナー密度1.0×1016/cm3程度のn型エピタキシャル膜2を5〜10μm成長させる。ここまでの状態が図2に記載されている。なお、4H−SiC基板単体、あるいは4H−SiC基板とn型エピタキシャル膜2を併せて4H−SiC半導体と呼ぶ。
次に、4H−SiC半導体を洗浄した後に、フッ素をイオン注入する。注入条件は、加速エネルギーを30keV、ドーズ量を5.0×1012/cm2または2.0×1013/cm2とする。なお、フッ素をイオン注入する前に、犠牲酸化膜(不図示)を、例えば、5nm以上15nm未満の二酸化珪素膜で形成し、フッ素をイオン注入後、この犠牲酸化膜を除去してもよい。
次に、4H−SiC半導体の再度洗浄を行った後、乾燥酸素(O2)雰囲気にて熱酸化処理を行い厚さ10、40または70nmの絶縁膜3を形成する。この際、酸化温度は800℃以上であればよい。特に、酸化速度の制御が容易である1000℃〜1300℃が最も好ましい。また、絶縁膜3は、一酸化窒素ガス、一酸化二窒素(N2O)ガス、二酸化窒化(NO2)ガスのうちの少なくとも1種類のガスを含んだ雰囲気中で熱酸窒化することにより形成してもよい。ここまでの状態が図3に記載されている。
次に、絶縁膜3上に、室温でドット状のアルミゲート電極4を蒸着し、裏面全面にアルミニウムを蒸着したアルミ裏面電極5からなるMOSキャパシタを作製した。これにより、図1に示すMOSキャパシタが作製(製造)される。
次に、本発明により、界面準位密度がどのように低減されるかを検証した。本発明によるMOS界面の制御効果を検証するため、比較例として、工程2を実施しないMOSキャパシタを作製した。図4は、MOSキャパシタの界面準位密度の測定を示す図である。図4に示すように、完成したMOSキャパシタをC−V(Capacitance−Voltage)メーター6で測定し、界面準位密度を算出し比較した。
次に、本発明の実施例を図6〜図15を用いて説明する。図6〜図15は、実施例1にかかるMOSFETの製造途中の状態を示す断面図である。図6〜図15は、炭化珪素(000−1)面上へMOSFETを製造する際の工程1〜10を説明するための工程毎の断面図である。
まず、図6に示すように、p+型4H−SiC(000−1)基板7((000−1)面から0〜8度オフ基板、好ましくは0〜4度オフ基板)上に、アクセプター密度1×1016/cm3のp型エピタキシャル膜8を成長させる。
次に、図7に示すように、p型エピタキシャル膜8の表面上に減圧CVD(化学気相蒸着:Chemical Vapor Deposition)法により厚さ1μmの二酸化珪素膜を堆積し、フォトリソグラフィによりパターン加工してマスク9を形成する。その後、例えば、リン(P)イオン10を基板温度500℃、加速エネルギー40keV〜250keVで、不純物濃度が2×1020/cm3となるように多段イオン注入する。図7において、リンがイオン注入された領域はハッチングされた領域である。
次に、図8に示すように、マスク9を除去し表面上に減圧CVD法により、厚さ1μmのSiO2膜を堆積し、フォトリソグラフィによりパターン加工してマスク11を形成する。その後、例えば、アルミニウム(Al)イオン12を基板温度500℃、加速エネルギー40keV〜200keVで、不純物濃度が2×1020/cm3となるように多段イオン注入する。図8において、アルミニウムがイオン注入された領域は、リンがイオン注入された領域より薄くハッチングされた領域である。
次に、図9に示すように、マスク11を除去しアルゴン(Ar)雰囲気中にて1600℃で5分間にわたる活性化アニールを行ってn+型ドレイン領域13、n+型ソース領域14、およびp+型グラウンド領域15を形成する。
次に、図10に示すように、減圧CVD法により厚さ0.5μmのフィールド酸化膜16を堆積し、フォトリソグラフィとウェットエッチングによりフィールド酸化膜16の一部を除去してアクティブ領域17を形成する。
次に、図11に示すように、乾燥酸素雰囲気中の熱処理により犠牲酸化膜18を15nm形成した後、フッ素イオン19を注入する。注入条件は、加速エネルギーを30keV、ドーズ量を5.0×1012/cm2または2.0×1013/cm2とする。
次に、図12に示すように、フッ化水素(HF)により犠牲酸化膜18を除去し、再度洗浄を行った後、乾燥酸素雰囲気中にて熱酸化を行い厚さ10、40または70nmのゲート絶縁膜20を形成する。この際、酸化温度は800℃以上であればよい。特に、酸化速度の制御が容易である1000℃〜1300℃が最も好ましい。その後、ゲート絶縁膜20上には、減圧CVD法によって多結晶シリコンを0.3μmの厚さで堆積し、フォトリソグラフィによりパターン加工してゲート電極21を形成する。
次に、図13に示すように、フォトリソグラフィとフッ酸(HF)エッチングによりn+型ドレイン領域13、n+型ソース領域14、およびp+型グラウンド領域15上にコンタクトホールを形成し、その上から厚さ10nmのアルミニウムとさらに60nmのニッケル(Ni)を蒸着し、リフトオフによりパターン加工してコンタクトメタル22を形成する。
次に、図14に示すように、オーミックコンタクトアニールとして不活性ガスの雰囲気で950℃、2分間保持でアニールし、コンタクトメタル22とSiCの反応層23を形成する。不活性ガスは窒素、ヘリウム(He)、アルゴンの何れかである。
次に、図15に示すように、表面にアルミニウムを300nm蒸着し、フォトリソグラフィとリン酸(H3PO4)エッチングによりゲート電極21および反応層23上にパッド電極24を形成し、裏面にアルミニウムを100nm蒸着し裏面電極25を形成する。
ここで、比較例として、実施例1の工程6において、フッ素のイオン注入をせず乾燥酸素を含んだ雰囲気にて酸化のみを行ったSiCMOSFETと、注入条件を加速エネルギー50keV、ドーズ量を5×1014/cm2としたSiCMOSFETを作製した。図16は、実施例1にかかるMOSFETと、比較するために作製されたMOSFETそれぞれの測定結果から得られたチャネル移動度とホールトラップ量を示す図である。
実施例2は、実施例1における工程7において、図12に示すゲート絶縁膜20の形成方法が実施例1と異なる。フッ素の注入条件は実施例1と同じであるが、その後、1000℃で少なくとも水分を含むガス中にて厚さ50nmのゲート絶縁膜20を形成する。この際、酸化温度は800℃以上であればよい。特に、酸化速度の制御が容易である800℃〜1100℃が最も好ましい。その他の工程は実施例1と同様である。このような製造方法によって作製されたSiCMOSFETも実施例1と同様の特性を示した。
実施例3は、実施例1の工程7において、図12に示すゲート絶縁膜20の形成方法が実施例1と異なる。フッ素の注入条件は実施例1と同じであるが、その後、1300℃で一酸化二窒素と窒素の流量比が1:5の雰囲気で酸窒化を100分行うことで厚さ50nmのゲート絶縁膜20を形成する。この際、酸化温度は1000℃以上であればよい。特に、酸化速度の制御が容易である1200℃〜1350℃が最も好ましい。その他の工程は実施例1と同様である。このような製造方法によって作製されたSiCMOSFETも実施例1と同様の特性を示した。
実施例4は、実施例1の工程7において、図12に示すゲート絶縁膜20の形成方法が実施例1と異なる。フッ素の注入条件は実施例1と同じであるが、その後、1200℃で一酸化窒素と窒素の流量比が1:10の雰囲気で酸窒化を200分行うことで厚さ50nmのゲート絶縁膜20を形成する。この際、酸窒化温度は1000℃以上であればよい。特に、酸化速度の制御が容易である1200℃〜1350℃が最も好ましい。その他の工程は実施例1と同様である。このような製造方法によって作製されたSiCMOSFETも実施例1と同様の特性を示した。
実施例5は、実施例1の工程7において、図12に示すゲート絶縁膜20の形成方法が実施例1と異なる。40nm弱の膜厚の絶縁膜を堆積法により形成した後、1200℃の乾燥酸素を含んだ雰囲気で10分の熱処理を行うことで合計50nm程度のゲート絶縁膜20を形成する。絶縁膜の堆積方法は、CVD法によってシラン(SiH4)やTEOS(テトラエトキシシラン)(C8H20O4Si)を用いた方法があるが、特に限定されない。また、堆積後の熱処理雰囲気、その他の工程は実施例1と同様である。このような製造方法によって作製されたSiCMOSFETも実施例1と同様の特性を示した。
実施例6は、実施例1の工程7において、図12に示すゲート絶縁膜20の形成方法が実施例1と異なる。40nm弱の膜厚の絶縁膜を堆積法により形成した後、1000℃の少なくとも水分を含んだ雰囲気で5分の熱処理を行うことで合計50nm程度のゲート絶縁膜20を形成する。絶縁膜の堆積方法は、CVD法によってシランやTEOS(テトラエトキシシラン)を用いた方法があるが、特に限定されない。また、堆積後の熱処理雰囲気、その他の工程は実施例1と同様である。このような製造方法によって作製されたSiCMOSFETも実施例1と同様の特性を示した。
実施例7は、実施例1の工程7において、図12に示すゲート絶縁膜20の形成方法が実施例1と異なる。40nm弱の膜厚の絶縁膜を堆積法により形成した後、1300℃の一酸化二窒素と窒素を含んだ雰囲気で20分の熱処理を行うことで合計50nm程度のゲート絶縁膜20を形成する。絶縁膜の堆積方法は、CVD法によってシランやTEOS(テトラエトキシシラン)を用いた方法があるが、特に限定されない。また、堆積後の熱処理雰囲気、その他の工程は実施例1と同様である。このような製造方法によって作製されたSiCMOSFETも実施例1と同様の特性を示した。
実施例8は、実施例1の工程7において、図12に示すゲート絶縁膜20の形成方法が実施例1と異なる。40nm弱の膜厚の絶縁膜を堆積法により形成した後、1300℃の一酸化二窒素と窒素を含んだ雰囲気で40分の熱処理を行うことで合計50nm程度のゲート絶縁膜20を形成する。絶縁膜の堆積方法は、CVD法によってシランやTEOS(テトラエトキシシラン)を用いた方法があるが、特に限定されない。また、堆積後の熱処理雰囲気、その他の工程は実施例1と同様である。このような製造方法によって作製されたSiCMOSFETも実施例1と同様の特性を示した。
図19は、本発明にかかる縦型のMOSFETの一例を示す断面図である。図19に示すように、縦型のMOSFETにおいて、n+型炭化珪素基板31のおもて面にはn型エピタキシャル層32が形成される。
2 n型エピタキシャル膜
3 絶縁膜
4 アルミゲート電極
5 アルミ裏面電極
6 C−Vメーター
7 p型炭化珪素基板
8 p型エピタキシャル膜
9 マスク
10 リンイオン
11 マスク
12 アルミニウムイオン
13 n+型ドレイン領域
14 n+型ソース領域
15 p+型グラウンド領域
16 フィールド酸化膜
17 アクティブ領域
18 犠牲酸化膜
19 フッ素イオン
20 ゲート絶縁膜
21 ゲート電極
22 コンタクトメタル
23 反応層
24 パッド電極
25 裏面電極
31 n+型炭化珪素基板
32 n型エピタキシャル層
33 n型領域
34 n+型ソース領域
35 p+型コンタクト領域
36 p型領域
37 p型SiC層
38 ソース電極
39 ドレイン電極
Claims (12)
- 第1導電型の炭化珪素半導体基板と、
前記炭化珪素半導体基板のおもて面に設けられた絶縁膜と、
を備え、
前記炭化珪素半導体基板中のフッ素の濃度が、2×1017/cm3〜4×1018/cm3であることを特徴とする炭化珪素半導体装置。 - 炭化珪素半導体基板のおもて面に、酸化膜を形成する第1工程と、
前記炭化珪素半導体基板の、前記酸化膜が形成された面にフッ素をイオン注入する第2工程と、
前記フッ素をイオン注入後、前記酸化膜を除去する第3工程と、
前記酸化膜を除去後、前記炭化珪素半導体基板のおもて面に、絶縁膜を形成する第4工程と、
を含むことを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 前記第1工程は、前記炭化珪素半導体基板のおもて面に、膜厚が5nm以上15nm未満である二酸化珪素膜を形成する工程であることを特徴とする請求項2に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 前記第2工程において、前記イオン注入は、前記炭化珪素半導体基板中のフッ素の濃度を、2×1017/cm3〜4×1018/cm3にすることを特徴とする請求項2または3に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 前記第4工程は、前記酸化膜を除去後、前記炭化珪素半導体基板のおもて面に、二酸化珪素膜を形成することを特徴とする請求項2〜4のいずれか一つに記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 前記第4工程において、前記二酸化珪素膜は水分を含まない乾燥酸素中で熱酸化することにより形成されることを特徴とする請求項5に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 前記第4工程において、前記二酸化珪素膜は少なくとも水分を含むガス中で熱酸化することにより形成されることを特徴とする請求項5に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 前記第4工程において、前記二酸化珪素膜は一酸化窒素ガス、一酸化二窒素ガス、二酸化窒化ガスのうちの少なくとも1種類のガスを含んだ雰囲気中で熱酸窒化することにより形成されることを特徴とする請求項5に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 前記第4工程において、前記二酸化珪素膜は化学的気相成長法により堆積することにより形成されることを特徴とする請求項5に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 前記第4工程は、前記二酸化珪素膜を堆積後、水分を含まない乾燥酸素ガス中で、前記炭化珪素半導体基板を熱処理する工程をさらに含むことを特徴とする請求項9に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 前記第4工程は、前記二酸化珪素膜を堆積後、少なくとも水分を含むガスで、前記炭化珪素半導体基板を熱処理する工程をさらに含むことを特徴とする請求項9に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 前記第4工程は、前記二酸化珪素膜を堆積後、一酸化窒素ガス、一酸化二窒素ガス、二酸化窒化ガスのうちの少なくとも1種のガスを含んだ雰囲気で、前記炭化珪素半導体基板を熱処理する工程をさらに含むことを特徴とする請求項9に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016191295A JP6844176B2 (ja) | 2016-09-29 | 2016-09-29 | 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法 |
US15/691,107 US10163637B2 (en) | 2016-09-29 | 2017-08-30 | Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016191295A JP6844176B2 (ja) | 2016-09-29 | 2016-09-29 | 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018056352A true JP2018056352A (ja) | 2018-04-05 |
JP6844176B2 JP6844176B2 (ja) | 2021-03-17 |
Family
ID=61686589
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016191295A Active JP6844176B2 (ja) | 2016-09-29 | 2016-09-29 | 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10163637B2 (ja) |
JP (1) | JP6844176B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111192926B (zh) * | 2020-01-07 | 2021-09-03 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 氧化镓肖特基二极管及其制备方法 |
CN115295407B (zh) * | 2022-09-29 | 2023-07-07 | 浙江大学杭州国际科创中心 | 一种SiC功率器件的栅氧结构制备方法和栅氧结构 |
Citations (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4978483A (ja) * | 1972-11-30 | 1974-07-29 | ||
JPH1197439A (ja) * | 1997-09-17 | 1999-04-09 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JPH11330263A (ja) * | 1998-05-11 | 1999-11-30 | Nec Corp | 半導体装置とその製造方法 |
JP2001156291A (ja) * | 1999-09-17 | 2001-06-08 | Nec Corp | Mosトランジスタの製造方法 |
JP2005294872A (ja) * | 2005-07-05 | 2005-10-20 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
WO2007086196A1 (ja) * | 2006-01-30 | 2007-08-02 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
JP2008305950A (ja) * | 2007-06-07 | 2008-12-18 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
JP2009212325A (ja) * | 2008-03-05 | 2009-09-17 | Mitsubishi Electric Corp | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
WO2011111627A1 (ja) * | 2010-03-12 | 2011-09-15 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
JP2012004273A (ja) * | 2010-06-16 | 2012-01-05 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 炭化珪素半導体装置の製造方法および炭化珪素半導体装置の製造装置 |
JP2014103175A (ja) * | 2012-11-16 | 2014-06-05 | Fuji Electric Co Ltd | 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法 |
JP2015142034A (ja) * | 2014-01-29 | 2015-08-03 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2016063111A (ja) * | 2014-09-19 | 2016-04-25 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2016157762A (ja) * | 2015-02-24 | 2016-09-01 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2018503259A (ja) * | 2015-01-07 | 2018-02-01 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 高品質fcvd膜バックグラウンド用の先進的処理フロー |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0383332A (ja) * | 1989-08-28 | 1991-04-09 | Sharp Corp | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
JPH07240409A (ja) | 1994-02-28 | 1995-09-12 | Fuji Electric Co Ltd | 炭化珪素半導体素子の製造方法 |
-
2016
- 2016-09-29 JP JP2016191295A patent/JP6844176B2/ja active Active
-
2017
- 2017-08-30 US US15/691,107 patent/US10163637B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4978483A (ja) * | 1972-11-30 | 1974-07-29 | ||
JPH1197439A (ja) * | 1997-09-17 | 1999-04-09 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JPH11330263A (ja) * | 1998-05-11 | 1999-11-30 | Nec Corp | 半導体装置とその製造方法 |
JP2001156291A (ja) * | 1999-09-17 | 2001-06-08 | Nec Corp | Mosトランジスタの製造方法 |
JP2005294872A (ja) * | 2005-07-05 | 2005-10-20 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
WO2007086196A1 (ja) * | 2006-01-30 | 2007-08-02 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
JP2008305950A (ja) * | 2007-06-07 | 2008-12-18 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
JP2009212325A (ja) * | 2008-03-05 | 2009-09-17 | Mitsubishi Electric Corp | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
WO2011111627A1 (ja) * | 2010-03-12 | 2011-09-15 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
JP2012004273A (ja) * | 2010-06-16 | 2012-01-05 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 炭化珪素半導体装置の製造方法および炭化珪素半導体装置の製造装置 |
JP2014103175A (ja) * | 2012-11-16 | 2014-06-05 | Fuji Electric Co Ltd | 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法 |
JP2015142034A (ja) * | 2014-01-29 | 2015-08-03 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2016063111A (ja) * | 2014-09-19 | 2016-04-25 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2018503259A (ja) * | 2015-01-07 | 2018-02-01 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 高品質fcvd膜バックグラウンド用の先進的処理フロー |
JP2016157762A (ja) * | 2015-02-24 | 2016-09-01 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6844176B2 (ja) | 2021-03-17 |
US20180090320A1 (en) | 2018-03-29 |
US10163637B2 (en) | 2018-12-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6305294B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP5229845B2 (ja) | 炭化ケイ素mosfetの製造方法および炭化ケイ素mosfet | |
JP6032831B2 (ja) | SiC半導体装置及びその製造方法 | |
JP6432232B2 (ja) | 炭化ケイ素半導体装置および炭化ケイ素半導体装置の製造方法 | |
JP5584823B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置 | |
JP6766512B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP6189261B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JPWO2015005397A1 (ja) | 炭化ケイ素半導体装置の製造方法 | |
CN108257858B (zh) | 一种高k栅介质层的制备方法及碳化硅MOS功率器件 | |
JP5800107B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置 | |
JP4549167B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
US9960040B2 (en) | Manufacturing method of silicon carbide semiconductor device | |
CN108257855B (zh) | 高k栅介质层的制备方法及碳化硅MOS功率器件 | |
JP2012151400A (ja) | SiC半導体装置、SiC半導体装置の製造方法 | |
JP6844176B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
JP2016201500A (ja) | 炭化ケイ素mos型半導体装置およびその製造方法 | |
JP2015142078A (ja) | 炭化ケイ素半導体装置およびその製造方法 | |
JP6035763B2 (ja) | ゲート酸化膜の形成方法及び炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
US10249497B2 (en) | Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device | |
JP2017168600A (ja) | 炭化珪素半導体素子および炭化珪素半導体素子の製造方法 | |
JP6155553B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
JP2017168601A (ja) | 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
JP6707927B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
JP2021086896A (ja) | 絶縁ゲート型半導体装置及び絶縁ゲート型半導体装置の製造方法 | |
JP2023001785A (ja) | 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20170306 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20170306 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20190206 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20190206 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20190206 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190809 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200629 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200818 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20201015 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210126 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210208 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6844176 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |