JP2018055876A - 発光装置及びその制御方法、プログラム - Google Patents

発光装置及びその制御方法、プログラム Download PDF

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Abstract

【課題】蓄電素子の状態に応じて発光までに必要な充電時間を短縮する。
【解決手段】CPU103は、充電開始前のキャパシタ電圧Vaと、充電開始直後のキャパシタ電圧Vbとを測定し、電圧差ΔVchgを、ΔVchg=Vb−Vaにより算出し、電圧差ΔVchgを充電電流で除すことで直流抵抗ESRを算出する(ESR=ΔVchg/充電電流)。CPU103は、LED107を発光させるための最大発光電流における降下電圧ΔVESRと最大降下電圧VESR(max)との差分をマージンVmarginとして算出し(Vmargin=VESR(max)−ΔVESR)、満充完電圧からマージンVmarginを差し引く(満充完電圧−Vmargin)ことで、発光可能電圧値VENを算出する。CPU103は、キャパシタ電圧が発光可能電圧値VENに達すると発光を許可するよう制御する。
【選択図】図3

Description

本発明は、ストロボ装置などの発光装置の制御に関する。
従来、ストロボ装置などの発光装置は一般に、光源を発光させるための電荷エネルギを蓄えるメインコンデンサを有し、これを充放電することで発光が制御される。発光に必要なエネルギを蓄えるまでにかかるメインコンデンサの充電時間については多数の提案がされている。例えば、特許文献1では、予備発光と本発光の発光可能電圧レベルを変更可能とし、予備発光によりメインコンデンサの電圧が低下した場合も、確実な本発光を可能としている。この発光装置によれば、メインコンデンサを最大値まで充電しなくても発光が可能となり、従って発光までに必要な充電時間が短縮可能である。
特開平10−48713号公報
通常、発光装置においてキセノン管を光源とした場合、放電エネルギを蓄えるメインコンデンサとして、数百Vの高電圧の電気エネルギを蓄える電解コンデンサが使用される。これに対し、LEDを光源とした場合、数V程度で大容量の電荷を蓄電可能な電気二重層キャパシタが通常使用される。
電気二重層キャパシタにおいては、温度変化や劣化がキャパシタの直流抵抗に対して大きな影響を与えるため、素子の状態によって、発光可能な充電レベル(発光可能電圧値)が大きく変化する。従って、従来技術のように、予め設定される充電レベルを一律に変更するだけでは、状況に応じた最適な充電レベルを設定できず、発光までに必要な充電時間の短縮に関して改善の余地があった。
本発明は、蓄電素子の状態に応じて発光までに必要な充電時間を短縮することを目的とする。
上記目的を達成するために本発明は、発光素子と、前記発光素子を発光させるための電荷を蓄積する蓄電素子と、前記蓄電素子のインピーダンスを取得する取得手段と、前記取得手段により取得されたインピーダンスに基づいて、前記蓄電素子の満充電電圧以下となる値を発光可能電圧値として設定し、前記蓄電素子に蓄積された電圧が前記発光可能電圧値に達すると発光を許可するよう制御する制御手段と、を有することを特徴とする。
本発明によれば、蓄電素子の状態に応じて発光までに必要な充電時間を短縮することができる。
発光装置のブロック図である。 満充電状態からLEDが発光する場合のキャパシタ電圧波形を示すタイムチャートである。 発光可能電圧値まで充電した状態からLEDが発光する場合のキャパシタ電圧波形を示すタイムチャートである。 充電・発光制御のフローチャートである。 順方向電圧の特性テーブルを示す図である。
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
図1は、本発明の一実施の形態に係る発光装置のブロック図である。この発光装置は例えばストロボ装置100として構成される。ストロボ装置100はクリップオンタイプのストロボでもあってもよいし、撮像装置(図示せず)に内蔵されるものであってもよい。ストロボ装置100は、その内部に、バッテリ101、電源部102、CPU103、昇圧部104、キャパシタ105、定電流制御部106、LED107及びA/D変換部108を有している。
バッテリ101は電源部102や昇圧部104に電力を供給する。電源部102は定電圧を出力して各部に供給する。CPU103は、昇圧部104や定電流制御部106およびA/D変換部108などへの各命令や演算を行う。昇圧部104はバッテリ101から供給される電圧を昇圧してキャパシタ105を充電する。キャパシタ105は、発光素子としてのLED107を発光させるための電荷を蓄積する蓄電素子である。LED107を光源とするので、キャパシタ105には、数V程度で大容量の電荷を蓄電可能な電気二重層キャパシタが採用される。キャパシタ105は、LED107の順方向電圧よりも高い電圧まで充電された状態から、定電流制御部106を介して定電流でLED107に電流を供給する。LED107は、被写体に対して発光し、撮像補助光として被写体を照射する。また、CPU103は、A/D変換部108によって、キャパシタ電圧やキャパシタ105の充放電電流、またはLED107の順方向電圧などを、アナログ値からデジタル値に変換して取得する。
図2は、満充電(充電完了)までキャパシタ105を充電した状態からLED107が発光する場合のキャパシタ電圧波形を示すタイムチャートである。同図において、縦軸にはキャパシタ電圧をとる。曲線V1はキャパシタ105の直流抵抗ESR(インピーダンス)が比較的低い状態でのキャパシタ電圧波形を示す。直流抵抗ESRは、使用環境変化、劣化、使用環境温度変化などにより変化する。曲線V2は、直流抵抗ESRが、設計上想定される最大となった場合のキャパシタ電圧波形である。
時刻t1まではキャパシタ105の充電が継続され、時刻t1においてキャパシタ電圧が満充電電圧(充電完了電圧)に達すると、充電が完了する。時刻t1から時刻t2まではユーザによる撮影開始待ちの期間であり、その間、ストロボ装置100は、キャパシタ105の再充電を行うことにより発光可能な電圧を保ちながら待機している。
時刻t2において、撮影開始による発光処理が開始され、キャパシタ105の蓄電エネルギを使用して発光が行われる。キャパシタ105の直流抵抗ESRは、使用環境温度や劣化、部品公差によって変化する。曲線V1に示すように、LED107を発光させるための発光電流がキャパシタ105に流れると、瞬時に降下電圧ΔVESR(発光電流×ESR)が生じる。そして時刻t3において、キャパシタ105は電流出力を停止してLED107の発光を終了するので、時刻t1において生じた降下電圧ΔVESRの分が元に戻り、時刻t3から再充電が開始される。
最大降下電圧VESR(max)は、想定される発光電流が最大で且つ直流抵抗ESRが最大の場合における降下電圧であり、固定値である。最大降下電圧VESR(max)が生じた場合に、時刻t3における発光終了時に、キャパシタ電圧がLED107の順方向電圧Vfを下回らない様に、満充電電圧が設計されている。ここでいう順方向電圧Vfは、想定される順方向電圧の最大値である。マージンVmarginは、VESR(max)と降下電圧ΔVESRとの差分であり、発光を行った場合のキャパシタ電圧の余裕になる。
本実施の形態では、直流抵抗ESRを考慮し、キャパシタ105の充電電圧が、LED107を発光させることが可能な値となれば、満充電とならなくても発光を許可、すなわち発光指示があることを条件に発光が開始されるよう制御する。これを図3、図4で説明する。
図3は、キャパシタ105を発光可能電圧値まで充電した状態からLED107が発光する場合のキャパシタ電圧波形を示すタイムチャートである。同図において、縦軸にはキャパシタ電圧をとる。
図2の例で示したように、キャパシタ105の満充電完了後にLED107が発光する場合、直流抵抗ESRの大きさに応じて、発光終了時のキャパシタ電圧はLED107の順方向電圧Vfに対して、マージンVmarginの値の電圧マージンを持つ。マージンVmarginは、Vmargin=VESR(max)−ΔVESRにより算出される。直流抵抗ESRが想定される最大値である場合は、降下電圧ΔVESRが最大となるので、マージンVmarginはほぼ0となる。そのため、この場合は、LED107が発光させるために必要なキャパシタ電圧である「発光可能電圧値VEN」は、満充電電圧と同じとなる。しかし、直流抵抗ESRが想定される最大値よりも小さければ降下電圧ΔVESRも最大値より小さくなるので、マージンVmarginは0より大きくなる。従って、満充完電圧よりもマージンVmarginだけ低い発光可能電圧値VENでLED107を発光させることが可能となる。図3の例では、CPU103は、発光可能電圧値VENを算出し、状況によっては満充電となる前段階に発光を許可できるようにしている。この制御を、図3、図4を参照して説明する。
図4は、充電・発光制御のフローチャートである。このフローチャートの処理は、CPU103が備えるROM等の記憶部に格納されたプログラムをCPU103が読み出して実行することにより実現される。
まず、CPU103は、充電開始前にキャパシタ電圧Vaを測定する(ステップS401)。次に、CPU103は、図3の時刻T0で充電を開始し(ステップS402)、充電開始直後のキャパシタ電圧Vbを測定する(ステップS403)。キャパシタ電圧Vaは、キャパシタ105に電流が流れる前の第1の電圧値であり、キャパシタ電圧Vbは、充電開始によりキャパシタ105に電流が流れた直後の第2の電圧値である。キャパシタ電圧Va、Vbの測定の時間差はごく短い所定値としてもよい。
次に、CPU103は、キャパシタ電圧Va、Vbの差分、すなわち充電開始前後の電圧上昇である電圧差ΔVchgを、ΔVchg=Vb−Vaにより算出する(ステップS4004)。次に、CPU103は、電圧差ΔVchgを充電電流で除すことで直流抵抗ESRを算出する(ESR=ΔVchg/充電電流)(ステップS405)。これによりキャパシタ105のインピーダンスが取得される。CPU103は、本発明における取得手段に該当する。次に、CPU103は、LED107を発光させるための発光電流が最大発光電流となる場合(ストロボがフル発光する際)における降下電圧ΔVESRを算出する(ステップS406)。次に、CPU103は、設計値である最大降下電圧VESR(max)と上記算出した降下電圧ΔVESRとの差分をマージンVmarginとして算出する(Vmargin=VESR(max)−ΔVESR)(ステップS407)。次に、CPU103は、満充完電圧からマージンVmarginを差し引く(満充完電圧−Vmargin)ことで、発光可能電圧値VENを算出し、その値を設定する(ステップS408)。
その後、CPU103は、キャパシタ電圧が発光可能電圧値VEN以上となるまで監視する(ステップS409)。図3の時刻T1において、キャパシタ電圧は発光可能電圧値VENに到達すると発光動作が可能な状態となるので、CPU103は、ユーザに対して発光許可表示を行う(ステップS410)。これにより、以降、発光指示があることを条件に発光が実行される。CPU103は、本発明における制御手段に該当する。なお、発光許可表示としては例えば、CPU103は不図示のランプを点灯させるが、これに限らず、例えば音声表示としてもよい。これ以降、発光が可能になるため、CPU103は、発光指示が有ったか否かを判別する(ステップS411)。発光指示が有った場合は、CPU103は、発光処理を開始し(ステップS412)(図3の時刻T2)、発光処理を終了させ(ステップS413)(図3の時刻T3)、再度、充電を開始する(ステップS414)。そして、処理はステップS409に戻る。
一方、ステップS411で発光指示がない場合は、CPU103は、キャパシタ電圧が満充完電圧以上となったか否かを判別する(ステップS415)。図3の例では、時刻T2’で満充電状態となる。そして、キャパシタ電圧が満充完電圧以上となったら、CPU103は、充電を停止させ(ステップS416)、処理をステップS411に戻す。一方、満充完状態に移行した後でもキャパシタ105は自己放電するため、キャパシタ電圧が満充完電圧よりも下回ったら、CPU103は再び充電を開始し(ステップS417)、処理をステップS411へ戻す。従って、CPU103は、キャパシタ電圧を満充完電圧付近に保持しながら発光指示の待機状態となる。
図4の処理により、現在の直流抵抗ESRによっては、直流抵抗ESRが最大となる場合を考慮して設計された満充完電圧よりも低い値に発光可能電圧値VENを設定することが可能となる。従来であれば、満充電電圧となる図3の時刻T2’まで発光許可がされなかった。しかし本実施の形態では、図3の時刻T1で発光許可がされる。これにより、発光までに必要な充電時間を最大でTmargin(T2’−T1)だけ短くすることが可能となり、撮影の際にキャパシタ105が充電されるまでの待機時間を減らすことができるため、使い勝手が向上する。
本実施の形態によれば、CPU103は、取得したインピーダンス(ESR)に基づいて、キャパシタ105の満充電電圧以下となる値を発光可能電圧値VENとして設定し、キャパシタ電圧が発光可能電圧値VENに達すると発光を許可するよう制御する。これにより、キャパシタ105の状態に応じて発光までに必要な充電時間を短縮することができる。
ところで、上述のように、満充電電圧は、発光電流が最大で且つ最大降下電圧VESR(max)が生じた場合の発光終了時に、キャパシタ電圧が順方向電圧Vfの最大値となるように設定されている。ところが、順方向電圧VfはLED107の温度および発光電流に応じて変化する。そのため、実際の順方向電圧Vfが最大値よりも小さい場合にはマージンVmarginはより大きくなることから、これを考慮することにより発光可能電圧値VENをさらに低い値に設定することが可能である。
図5は、LED107の温度および発光電流に応じて変化する順方向電圧Vfの特性テーブルを示す図である。温度が低いほど、あるいは発光電流が大きいほど、順方向電圧Vfは大きくなる。順方向電圧Vfの最大値Vfmaxは、製品仕様上の最低温度「−10℃」で且つ発光電流が「1.5A」に対応する値Vf13である。例えば、発光電流が1.0Aで温度が25℃の場合は、順方向電圧が最大値Vfmaxである場合に比べ、マージンVmarginは「Vfmax−Vf32」だけ大きくなる。そのため、ステップS407で算出されるマージンVmarginは(Vmargin=VESR(max)−ΔVESR+Vfmax−Vf32)となる。よって、ステップS408で算出される発光可能電圧値VENがより低い値となるため、短縮可能な時間Tmarginをより長くすることが可能になる。LED107の温度は、不図示の温度センサから取得される。なお、CPU103が参照する情報は、LED107の温度または発光電流の少なくとも一方に順方向電圧Vfが対応付けられた特性テーブルであってもよい。
なお、本実施の形態では、直流抵抗ESRを求めるのは充電時であったが、発光時に求めてもよい。例えばステップS412の発光処理で、CPU103は、キャパシタ105に発光電流が流れる前と流れた直後とにキャパシタ電圧Va、Vbを取得する。そしてCPU103は、電圧差ΔVchg(ΔVchg=Vb−Va)を発光電流で除すことで直流抵抗ESRを算出してもよい(ESR=ΔVchg/発光電流)。CPU103は、この場合に算出した直流抵抗ESRを、CPU103が有する記憶部または別途設ける記憶部に記憶しておく。そして、CPU103は、記憶部に記憶された直流抵抗ESR、すなわち、最後に記憶された最新の直流抵抗ESRを用いて発光可能電圧値VENを算出する。この構成とした場合は、初回の発光時にはまだ直流抵抗ESRが取得できておらず発光可能電圧値VENは算出されていない。従って、初回発光時のみは満充完電圧まで充電させ、2回目の発光時から上記構成を適用してもよい。
(他の実施形態)
本発明は、以下の処理を実行することによっても実現される。即ち、上述した実施形態の機能を実現するソフトウェア(プログラム)をネットワーク又は各種記憶媒体を介してシステム或いは装置に供給し、そのシステム或いは装置のコンピュータ(又はCPUやMPU等)がプログラムコードを読み出して実行する処理である。この場合、そのプログラム、及び該プログラムを記憶した記憶媒体は本発明を構成することになる。
以上、本発明をその好適な実施形態に基づいて詳述してきたが、本発明はこれら特定の実施形態に限られるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の様々な形態も本発明に含まれる。
103 CPU
105 キャパシタ
107 LED
Va、Vb キャパシタ電圧
ESR 直流抵抗
EN 発光可能電圧値

Claims (15)

  1. 発光素子と、
    前記発光素子を発光させるための電荷を蓄積する蓄電素子と、
    前記蓄電素子のインピーダンスを取得する取得手段と、
    前記取得手段により取得されたインピーダンスに基づいて、前記蓄電素子の満充電電圧以下となる値を発光可能電圧値として設定し、前記蓄電素子に蓄積された電圧が前記発光可能電圧値に達すると発光を許可するよう制御する制御手段と、を有することを特徴とする発光装置。
  2. 前記取得手段は、前記蓄電素子に電流が流れる前の第1の電圧値と前記蓄電素子に前記電流が流れた直後の第2の電圧値とに基づいて、前記蓄電素子のインピーダンスを取得することを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
  3. 前記制御手段は、前記インピーダンスに基づいて所定の発光電流を流したときの降下電圧を算出し、前記満充電電圧よりも、最大降下電圧と前記算出した降下電圧との差分だけ低い電圧値を前記発光可能電圧値として設定することを特徴とする請求項1または2に記載の発光装置。
  4. 前記最大降下電圧は固定値であることを特徴とする請求項3に記載の発光装置。
  5. 前記所定の発光電流は、前記蓄電素子に流すことのできる最大の発光電流であることを特徴とする請求項3または4に記載の発光装置。
  6. 前記蓄電素子の前記満充電電圧は、前記発光素子を発光させるための発光電流が最大で且つ最大降下電圧が生じた場合の発光終了時に、前記発光素子の順方向電圧の最大値を前記蓄電素子の電圧が下回らないように設定されていることを特徴とする請求項1または2に記載の発光装置。
  7. 前記制御手段は、
    温度または発光電流の少なくとも一方と順方向電圧との対応を示す情報を参照して、前記発光素子の順方向電圧を取得し、
    前記インピーダンスに基づいて前記蓄電素子に流すことのできる最大の発光電流を流したときの降下電圧を算出し、
    前記満充電電圧よりも、前記最大降下電圧と前記算出した降下電圧との差分だけ低い電圧値からさらに、前記順方向電圧の最大値と前記取得した順方向電圧との差分だけ低い電圧値を、前記発光可能電圧値として設定することを特徴とする請求項6に記載の発光装置。
  8. 前記取得手段が前記インピーダンスを取得する際に前記蓄電素子に流れる前記電流は、前記蓄電素子を充電するための充電電流であることを特徴とする請求項2に記載の発光装置。
  9. 前記取得手段は、前記第1の電圧値と前記第2の電圧値との差分を前記充電電流で除すことで前記インピーダンスを取得することを特徴とする請求項8に記載の発光装置。
  10. 前記取得手段が前記インピーダンスを取得する際に前記蓄電素子に流れる前記電流は、前記発光素子を発光させるための発光電流であることを特徴とする請求項2に記載の発光装置。
  11. 前記取得手段は、前記第1の電圧値と前記第2の電圧値との差分を前記発光電流で除すことで前記インピーダンスを取得することを特徴とする請求項10に記載の発光装置。
  12. 前記取得手段により取得されたインピーダンスを記憶する記憶部を有し、
    前記制御手段は、前記発光可能電圧値を設定する際、前記記憶部に記憶されたインピーダンスを用いることを特徴とする請求項11に記載の発光装置。
  13. 前記蓄電素子は、電気二重層キャパシタであることを特徴とする請求項1〜12のいずれか1項に記載の発光装置。
  14. 発光素子と、前記発光素子を発光させるための電荷を蓄積する蓄電素子と、を有する発光装置の制御方法であって、
    前記蓄電素子のインピーダンスを取得する取得ステップと、
    前記取得ステップにより取得されたインピーダンスに基づいて、前記蓄電素子の満充電電圧以下となる値を発光可能電圧値として設定し、前記蓄電素子に蓄積された電圧が前記発光可能電圧値に達すると発光を許可するよう制御する制御ステップと、を有することを特徴とする発光装置の制御方法。
  15. 請求項14に記載の発光装置の制御方法をコンピュータに実行させることを特徴とするプログラム。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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