JP2018049003A - Method for measuring electrical characteristics of electronic component device, method for selecting electronic component device and electrical characteristics measurement device - Google Patents
Method for measuring electrical characteristics of electronic component device, method for selecting electronic component device and electrical characteristics measurement device Download PDFInfo
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Abstract
Description
本発明は、電子部品装置の電気的特性測定方法に関し、さらに詳しくは、高い測定精度を備えた電子部品装置の電気的特性測定方法に関する。 The present invention relates to a method for measuring electrical characteristics of an electronic component device, and more particularly to a method for measuring electrical characteristics of an electronic component device having high measurement accuracy.
また、本発明は、上記電子部品装置の電気的特性測定方法を応用した電子部品装置の選別方法に関し、さらに詳しくは、高い選別精度を備えた電子部品装置の選別方法に関する。 The present invention also relates to a method for selecting an electronic component device to which the method for measuring electrical characteristics of the electronic component device is applied, and more particularly, to a method for selecting an electronic component device having high selection accuracy.
また、本発明は、上記電子部品装置の電気的特性測定方法に使用するのに適した電気的特性測定装置に関し、さらに詳しくは、高い測定精度を備えた電気的特性測定装置に関する。 The present invention also relates to an electrical property measuring device suitable for use in the electrical property measuring method of the electronic component device, and more particularly to an electrical property measuring device having high measurement accuracy.
電子機器の高機能化、高精度化にともない、電子機器に使用される電子部品装置にも、高い特性精度が求められている。特に、医療用や車載用の電子機器に使用される電子部品装置には、安全性の観点からも、より高い特性精度が求められている。たとえば、そのような高い特性精度が求められる用途においては、特性精度のバラツキの大きさを、一般の民生用途の1/2から1/10、もしくはそれ以下に収めるように求められる場合もある。 With higher functionality and higher precision of electronic devices, high characteristic accuracy is also required for electronic component devices used in electronic devices. In particular, electronic component devices used for medical and vehicle-mounted electronic devices are required to have higher characteristic accuracy from the viewpoint of safety. For example, in applications that require such high characteristic accuracy, there may be cases where the variation in characteristic accuracy is required to be within a range of 1/2 to 1/10 or less than that of general consumer applications.
そのような、電子部品装置に対する高い特性精度の要求に対応するために、電子部品装置の電気的特性測定方法や電気的特性測定装置においても、高い測定精度が求められている。すなわち、高い測定精度で電子部品装置の電気的特性を測定し、目標とする電気的特性値から外れた電子部品装置を、規格外として使用しないようにする必要がある。 In order to meet such a demand for high characteristic accuracy for the electronic component device, high measurement accuracy is also required in the electrical property measurement method and the electrical property measurement device of the electronic component device. In other words, it is necessary to measure the electrical characteristics of the electronic component device with high measurement accuracy and not use an electronic component device that deviates from the target electrical characteristic value as being out of specification.
電子部品装置の電気的特性の測定において、測定誤差を発生させる大きな原因の1つとして、基準となる温度(その電気的特性の測定に求められている特定の温度;以下において「基準温度」という)と、測定時の電子部品装置の実際の温度(以下において「測定温度」という)とのずれがある。すなわち、たとえば、基準温度である25℃で電気的特性を測定しなければならないにもかかわらず、測定温度が25℃からずれてしまうと、測定された測定電気的特性は、実際にその電子部品装置が備えている25℃での電気的特性からずれてしまう。しかしながら、実際に電子部品装置の電気的特性を測定する工場の製造ラインなどにおいては、気候、空調の状態、ドアの開け閉め、作業者の人数などにより影響を受けるため、測定温度を基準温度と同一の温度に保つことは難しい。 One of the major causes of measurement errors in the measurement of electrical characteristics of electronic component devices is a reference temperature (a specific temperature required for measuring the electrical characteristics; hereinafter referred to as “reference temperature”) ) And the actual temperature of the electronic component device at the time of measurement (hereinafter referred to as “measurement temperature”). That is, for example, when the measured temperature deviates from 25 ° C. even though the electrical property must be measured at the reference temperature of 25 ° C., the measured measured electrical property is actually the electronic component. It deviates from the electrical characteristics at 25 ° C. that the device has. However, factory production lines that actually measure the electrical characteristics of electronic component devices are affected by climate, air conditioning conditions, door opening and closing, the number of workers, etc., so the measured temperature is the reference temperature. It is difficult to maintain the same temperature.
特に、NTCサーミスタやPTCサーミスタなどのサーミスタは、温度により抵抗値が大きく変化する電子部品装置であるため、サーミスタの抵抗値測定においては、基準温度と測定温度とのずれが原因となって発生する測定誤差が大きな問題となる。 In particular, a thermistor such as an NTC thermistor or a PTC thermistor is an electronic component device whose resistance value varies greatly depending on the temperature. Therefore, in the resistance value measurement of the thermistor, it occurs due to a difference between the reference temperature and the measurement temperature. Measurement error is a big problem.
この問題への対応を施した電気的特性測定方法が、特許文献1(特開平7−218579号公報)に開示されている。 An electrical characteristic measurement method that addresses this problem is disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 7-218579.
特許文献1に開示された抵抗値測定方法は、被測定電子部品装置を測定点に搬送するパーツフィーダ(搬送経路)に温度センサを設けておき、温度センサで測定した温度に応じてパーツフィーダを冷却制御し、被測定電子部品装置を安定した温度で測定点に搬送するようにしている。
In the resistance value measuring method disclosed in
すなわち、特許文献1に開示された抵抗値測定方法は、電気的特性測定装置のモータやパーツフィーダの発熱により測定誤差が発生することを考慮し、温度センサでパーツフィーダの温度を測定したうえで、パーツフィーダを冷却制御することにより測定誤差を小さくするようにしたものである。
That is, in the resistance value measuring method disclosed in
また、別の方法によりこの問題への対応を施した電気的特性測定方法が、特許文献2(特開2007−240158号公報)に開示されている。特許文献2に開示された電気的特性測定方法は、サーミスタの抵抗値を測定するものである。
An electrical characteristic measurement method that addresses this problem by another method is disclosed in Patent Document 2 (Japanese Patent Laid-Open No. 2007-240158). The electrical characteristic measuring method disclosed in
特許文献2に開示された抵抗値測定方法は、次のステップでサーミスタの抵抗値を測定している。
The resistance value measuring method disclosed in
まず、基準となる基準サーミスタ(基準電子部品装置)を選定する。そして、基準サーミスタの基準温度で抵抗値を測定する。たとえば、基準温度が25℃である場合には、測定温度を厳格に25℃に保ったうえで、基準サーミスタの25℃の抵抗値を測定する。 First, a reference thermistor (reference electronic component device) is selected as a reference. Then, the resistance value is measured at the reference temperature of the reference thermistor. For example, when the reference temperature is 25 ° C., the resistance value at 25 ° C. of the reference thermistor is measured after the measurement temperature is strictly kept at 25 ° C.
次に、抵抗値を測定する被測定サーミスタ(被測定電子部品装置)を用意し、測定端子を被測定サーミスタの外部電極に当接し、被測定サーミスタの抵抗値を測定して測定抵抗値R1を得る。このとき、同時に、被測定サーミスタの抵抗値を測定した場所の近傍において、基準サーミスタの抵抗値を測定して測定抵抗値Roを得る。 Next, a measured thermistor (measured electronic component device) for measuring the resistance value is prepared, the measurement terminal is brought into contact with the external electrode of the measured thermistor, the resistance value of the measured thermistor is measured, and the measured resistance value R1 is obtained. obtain. At the same time, the resistance value of the reference thermistor is measured in the vicinity of the place where the resistance value of the measured thermistor is measured to obtain the measured resistance value Ro.
次に、次の(式3)により、基準サーミスタの測定抵抗値Ro
に対する、被測定サーミスタの測定抵抗値R1の偏差(測定値ずれ率)を求める。
Next, the measured resistance value Ro of the reference thermistor is expressed by the following (Equation 3).
The deviation (measurement value deviation rate) of the measured resistance value R1 of the thermistor to be measured is obtained.
次に、求められた偏差から、被測定サーミスタの良品/不良品の判断を行う。具体的には、求められた偏差が、予め定められた許容範囲内の場合に被測定サーミスタを良品と判断し、予め定められた許容範囲外の場合に被測定サーミスタを不良品と判断する。なお、偏差の許容範囲は、上述した基準サーミスタの基準温度での抵抗値を考慮して定められる。 Next, a non-defective product / defective product of the measured thermistor is determined from the obtained deviation. Specifically, the measured thermistor is determined to be a non-defective product when the obtained deviation is within a predetermined allowable range, and the measured thermistor is determined to be defective when it is outside the predetermined allowable range. The allowable range of deviation is determined in consideration of the resistance value at the reference temperature of the reference thermistor described above.
この場合において、被測定サーミスタと基準サーミスタとは、近傍に配置されているため、抵抗値を測定した時点において、被測定サーミスタと基準サーミスタとは同一温度であると仮定して偏差を求め、被測定サーミスタの良品/不良品の判断を行っている。 In this case, since the measured thermistor and the reference thermistor are arranged in the vicinity, when the resistance value is measured, it is assumed that the measured thermistor and the reference thermistor have the same temperature, and a deviation is obtained. The measurement thermistor is judged as good / defective.
すなわち、たとえば、基準温度が25℃である場合には、被測定サーミスタの測定温度を厳格に25℃にして抵抗値を測定することが理想である。しかしながら、上述のとおり、実際の電子部品装置の電気的特性の測定においては、種々の要因により、被測定サーミスタの測定温度を基準温度と同一の温度に保つことは難しい。 That is, for example, when the reference temperature is 25 ° C., it is ideal to measure the resistance value by strictly setting the measurement temperature of the measured thermistor to 25 ° C. However, as described above, in measuring the electrical characteristics of an actual electronic component device, it is difficult to keep the measurement temperature of the measured thermistor at the same temperature as the reference temperature due to various factors.
そこで、特許文献2に開示された抵抗値測定方法は、被測定サーミスタと基準サーミスタとを近傍に配置することにより、被測定サーミスタと基準サーミスタとは同一温度であると仮定し、その上で、基準サーミスタの測定抵抗値Roに対する被測定サーミスタの測定抵抗値R1の偏差を求め、被測定サーミスタの良品/不良品の判断を行うことにより、被測定サーミスタの測定温度と基準温度との差異に起因する測定誤差を極めて小さくした状態で、被測定サーミスタの良品/不良品の判断を行っている。すなわち、特許文献2に開示された抵抗値測定方法は、被測定サーミスタの測定温度が基準温度からずれたとしても、同様に基準サーミスタの測定温度も基準温度からずれるため、測定温度と基準温度との差異に起因して発生した測定誤差を補正できるとしている。
Therefore, the resistance value measuring method disclosed in
特許文献1および特許文献2に開示された電気的特性測定方法には、それぞれ次のような問題点があった。
The electrical characteristic measurement methods disclosed in
まず、特許文献1に開示された電気的特性測定方法は、おおまかなパーツフィーダの温度制御であり、電気的特性の測定精度に限界があった。たとえば、温度センサでパーツフィーダの温度を測定してから、パーツフィーダの温度が制御されるまでにタイムラグがあり、その間は大きな測定誤差が生じてしまう虞があった。また、パーツフィーダが過度に温度制御されてしまい(必要以上に冷却されてしまい)、それが原因で電気的特性の測定精度が低下してしまう虞があった。
First, the electrical characteristic measurement method disclosed in
特許文献2に開示された電気的特性測定方法は、特許文献1に開示された電気的特性測定方法に比べて、電気的特性の測定精度が高かった。しかしながら、特許文献2に開示された電気的特性測定方法にも、次のような問題点があった。
The electrical characteristic measurement method disclosed in
まず、特許文献2に開示された電気的特性測定方法は、被測定サーミスタと基準サーミスタとが同一温度であることを前提としており、この前提が維持できないと、被測定電子部品装置の電気的特性の測定に測定誤差が発生してしまう虞があった。すなわち、被測定電子部品装置は搬送経路を通って測定点に搬送され、電気的特性が測定されるが、被測定電子部品装置は測定点に搬送された時点で、搬送経路および測定点近傍の温度となじんで、基準電子部品装置と同じ温度になっている必要があった。しかしながら、被測定電子部品装置の周囲温度へのなじみは、被測定電子部品装置の熱容量、基準温度、電気的特性測定装置の運転速度などにより異なるため一様ではない。そして、被測定電子部品装置が周囲温度へなじみ、基準電子部品装置と同じ温度になる前に被測定電子部品装置の電気的特性を測定すると、測定誤差が発生してしまう虞があった。
First, the electrical characteristic measurement method disclosed in
そして、この測定誤差の発生を防止するためには、特許文献2に開示された電気的特性測定方法は、電気的特性測定装置の運転速度を抑制しなければならなかった。すなわち、被測定サーミスタを周囲温度へなじませ、被測定サーミスタの温度が基準サーミスタの温度と同一になるまで待つ必要があり、電気的特性測定装置を高速で運転することができず、たとえば、電子部品装置の製造ラインにおいて電子部品装置の電気的特性を測定する場合には、電子部品装置の生産性を低下させてしまう虞があった。
And in order to prevent generation | occurrence | production of this measurement error, the electrical characteristic measuring method disclosed by
本発明は、上述した従来技術の課題を解決するためになされたものである。その手段として、本発明の電子部品装置の電気的特性測定方法は、被測定電子部品装置の電気的特性を測定する電子部品装置の電気的特性測定方法であって、被測定電子部品装置は、初期温度特定位置を経由して測定点に搬送され、測定点において、電気的特性が測定されて測定電気的特性が取得され、第1温度の被測定電子部品装置が、第1温度と異なる第2温度の第2温度領域に置かれた場合の、時間t経過後の被測定電子部品装置の温度を推定する第1の相関関係と、電気的特性を測定する時に被測定電子部品装置があるべき温度である基準温度と、電気的特性を測定した時の被測定電子部品装置の実際の温度である測定温度とから、測定電気的特性に含まれる、基準温度と測定温度とのずれに起因して発生する測定誤差を補正する第2の相関関係と、をそれぞれ明らかにし、初期温度特定位置において被測定電子部品装置の初期温度を特定し、測定点の温度であるところの測定点温度を特定し、初期温度特定位置を経由した被測定電子部品装置が測定点の温度領域に入ってから電気的特性が測定されるまでに要した経過時間を特定し、第1の相関関係において、初期温度を第1温度とし、測定点温度を第2温度とし、経過時間を時間tとすることで、電気的特性を測定した時の被測定電子部品装置の測定時推定温度を推定し、第2の相関関係において、測定時推定温度を測定温度とすることにより、基準温度と測定温度とのずれに起因して発生した測定誤差が補正された補正済電気的特性を取得するようにした。 The present invention has been made to solve the above-described problems of the prior art. As its means, the electrical property measuring method of the electronic component device of the present invention is an electrical property measuring method of the electronic component device for measuring the electrical property of the measured electronic component device, and the measured electronic component device is It is transported to the measurement point via the initial temperature specific position, the electrical characteristic is measured at the measurement point, the measured electrical characteristic is acquired, and the electronic device to be measured at the first temperature is different from the first temperature. There is a first correlation for estimating the temperature of the measured electronic component device after the elapse of time t when placed in the second temperature region of two temperatures, and the measured electronic component device when measuring electrical characteristics Due to the difference between the reference temperature and the measured temperature included in the measured electrical characteristics from the reference temperature that is the power temperature and the measured temperature that is the actual temperature of the electronic device under test when the electrical characteristics are measured To correct measurement errors caused by The initial temperature of the measured electronic component device is specified at the initial temperature specifying position, the measuring point temperature that is the temperature of the measuring point is specified, and the measured temperature is passed through the initial temperature specifying position. The elapsed time required until the electrical characteristics are measured after the measurement electronic component device enters the temperature region of the measurement point is specified. In the first correlation, the initial temperature is the first temperature, and the measurement point temperature is Estimating the estimated temperature during measurement of the measured electronic component device when measuring the electrical characteristics by setting the second temperature and the elapsed time as time t, and measuring the estimated temperature during measurement in the second correlation By setting the temperature, a corrected electrical characteristic in which a measurement error caused by a difference between the reference temperature and the measured temperature is corrected is acquired.
第1温度の被測定電子部品装置が、第1温度と異なる第2温度の第2温度領域に置かれた場合の、時間t経過後の被測定電子部品装置の温度を推定する第1の相関関係は、たとえば、式や、表などとして用意される。第1の相関関係は、熱学的に計算によって導き出されたものであっても良いし、予め実測をおこなって導き出されたものであっても良い。また、第1温度と第2温度との高低は不問であり、第1温度>第2温度であっても良いし、第1温度<第2温度であっても良い。 A first correlation for estimating the temperature of the measured electronic component device after the elapse of time t when the measured electronic component device having the first temperature is placed in a second temperature region having a second temperature different from the first temperature. The relationship is prepared as an expression or a table, for example. The first correlation may be derived thermodynamically or may be derived in advance by actual measurement. The level of the first temperature and the second temperature is not important, and the first temperature may be higher than the second temperature, or the first temperature may be lower than the second temperature.
また、電気的特性を測定する時に被測定電子部品装置があるべき温度である基準温度と、電気的特性を測定した時の被測定電子部品装置の実際の温度である測定温度とから、測定電気的特性に含まれる、基準温度と測定温度とのずれに起因して発生する測定誤差を補正する第2の相関関係も、たとえば、式や、表などとして用意される。第2の相関関係は、電気学的に計算によって導き出されたものであっても良いし、予め実測をおこなって導き出されたものであっても良い。 In addition, from the reference temperature, which is the temperature at which the measured electronic component device should be when measuring the electrical characteristics, and the measured temperature, which is the actual temperature of the measured electronic component device when measuring the electrical characteristics, The second correlation that corrects the measurement error caused by the difference between the reference temperature and the measurement temperature included in the target characteristic is also prepared as, for example, an equation or a table. The second correlation may be derived electrically by calculation, or may be derived by conducting actual measurement in advance.
初期温度特定位置の温度を測定する第1温度センサが設けられ、初期温度特定位置における被測定電子部品装置の初期温度の特定が、被測定電子部品装置が初期温度特定位置を経由した時に、第1温度センサにより測定された初期温度特定位置の温度を、被測定電子部品装置の初期温度とするものであっても良い。ただし、この場合には、被測定電子部品装置が初期温度特定位置に、ある程度の時間とどまっており、被測定電子部品装置の温度が初期温度特定位置の温度になじんでいる(実質的に同じになっている)ことが前提になる。なお、初期温度特定位置における被測定電子部品装置の初期温度の特定は、第1温度センサによる方法には限定されず、たとえば、初期温度特定位置を所定の管理温度に維持し、その初期温度特定位置に被測定電子部品装置をある程度の時間とどめ、被測定電子部品装置の温度を初期温度特定位置の温度になじませることを前提にして、初期温度特定位置の管理温度を被測定電子部品装置の初期温度とする方法などであっても良い。 A first temperature sensor for measuring the temperature at the initial temperature specific position is provided, and the initial temperature of the electronic component device to be measured at the initial temperature specific position is determined when the electronic device to be measured passes through the initial temperature specific position. The temperature at the initial temperature specific position measured by the one temperature sensor may be set as the initial temperature of the electronic component device to be measured. However, in this case, the measured electronic component device stays at the initial temperature specific position for some time, and the temperature of the measured electronic component device is familiar with the temperature at the initial temperature specific position (substantially the same). It is a premise. The specification of the initial temperature of the electronic device to be measured at the initial temperature specifying position is not limited to the method using the first temperature sensor. For example, the initial temperature specifying position is maintained at a predetermined management temperature, and the initial temperature specifying is performed. Assuming that the measured electronic component device is kept at the position for a certain period of time and the temperature of the measured electronic component device is adjusted to the initial temperature specified position, the control temperature of the initial temperature specified position is set to A method of setting the initial temperature may be used.
電子部品装置が搬送経路を通って測定点に搬送され、前記初期温度特定位置が搬送経路のなかに設けられているものであっても良い。この場合には、被測定電子部品装置は搬送経路を通っているうちに搬送経路の温度になじむ(実質的に同じになる)ため、被測定電子部品装置が初期温度特定位置を通過したときに、初期温度特定位置の温度を、被測定電子部品装置の初期温度とすることができる。 The electronic component device may be transported to a measurement point through a transport path, and the initial temperature specific position may be provided in the transport path. In this case, the electronic device to be measured conforms to the temperature of the conveyance path while passing through the conveyance path (substantially the same), so when the electronic component device to be measured passes the initial temperature specific position. The temperature at the initial temperature specific position can be set as the initial temperature of the electronic device to be measured.
初期温度特定位置と測定点との間に、1つの中間温度センサが設けられ、第1の相関関係において、初期温度を第1温度とし、測定点温度を第2温度とし、経過時間を時間tとすることで、電気的特性を測定した時の被測定電子部品装置の測定時推定温度を推定するのに代えて、第1の相関関係において、初期温度を第1温度とし、被測定電子部品装置が中間温度センサの温度領域を通過している時に中間温度センサで測定された搬送経路の温度を第2温度とし、被測定電子部品装置が中間温度センサの温度領域に入ってから中間温度センサの温度領域を出るまでに要した時間をtとすることにより、中間温度センサの温度領域を出た時の被測定電子部品装置の推定温度を推定し、さらに、第1の相関関係において、中間温度センサの温度領域を出た時の被測定電子部品装置の推定温度を前記第1温度とし、測定点温度を第2温度とし、中間温度センサの温度領域を出た被測定電子部品装置が測定点の温度領域に入ってから電気的特性が測定されるまでに要した経過時間をtとすることにより、電気的特性を測定した時の前記被測定電子部品の測定時推定温度を算出するようにしても良い。この場合には、まず中間温度センサの温度領域を出た時の被測定電子部品の推定温度を算出し、次に電気的特性を測定した時の被測定電子部品の測定時推定温度を算出するため、より高い精度で被測定電子部品の測定時推定温度を算出することができ、より高い測定精度で被測定電子部品の電気的特性を測定することができる。なお、被測定電子部品装置が中間温度センサの温度領域を通過している時に中間温度センサで搬送経路の温度を測定するが、この測定をおこなうタイミングは任意であり、被測定電子部品装置が中間温度センサを通過した時であっても良いし、被測定電子部品装置が中間温度センサの温度領域を出る時や、被測定電子部品装置が中間温度センサの温度領域に入る時などであっても良い。 One intermediate temperature sensor is provided between the initial temperature specific position and the measurement point. In the first correlation, the initial temperature is the first temperature, the measurement point temperature is the second temperature, and the elapsed time is the time t. Therefore, instead of estimating the measurement estimated temperature of the measured electronic component device when measuring the electrical characteristics, the initial temperature is the first temperature in the first correlation, and the measured electronic component The temperature of the conveyance path measured by the intermediate temperature sensor when the apparatus passes the temperature range of the intermediate temperature sensor is set as the second temperature, and the intermediate temperature sensor after the electronic device to be measured enters the temperature range of the intermediate temperature sensor. The estimated temperature of the electronic device to be measured when leaving the temperature range of the intermediate temperature sensor is estimated by taking t the time required to exit the temperature range of the intermediate temperature sensor. Temperature range of temperature sensor The estimated temperature of the measured electronic component device when leaving the temperature is the first temperature, the measurement point temperature is the second temperature, and the measured electronic component device exiting the temperature range of the intermediate temperature sensor is in the temperature range of the measurement point. An estimated temperature at the time of measurement of the electronic component to be measured when the electrical characteristics are measured may be calculated by setting t as the elapsed time required until the electrical characteristics are measured after entering. In this case, first, the estimated temperature of the electronic component to be measured when it exits the temperature range of the intermediate temperature sensor is calculated, and then the estimated temperature at the time of measurement of the electronic component to be measured when the electrical characteristics are measured is calculated. Therefore, the estimated temperature during measurement of the electronic component to be measured can be calculated with higher accuracy, and the electrical characteristics of the electronic component to be measured can be measured with higher measurement accuracy. Note that the temperature of the conveyance path is measured by the intermediate temperature sensor when the measured electronic component device passes the temperature range of the intermediate temperature sensor. However, the timing at which this measurement is performed is arbitrary, and the measured electronic component device is in the middle. It may be when it passes through the temperature sensor, or when the electronic device under measurement leaves the temperature range of the intermediate temperature sensor or when the electronic device under measurement enters the temperature range of the intermediate temperature sensor. good.
また、前記初期温度特定位置と測定点との間に、複数の中間温度センサが設けられ、第1の相関関係において、初期温度を第1温度とし、測定点温度を第2温度とし、経過時間を時間tとすることで、電気的特性を測定した時の被測定電子部品装置の測定時推定温度を推定するのに代えて、第1の相関関係において、初期温度を第1温度とし、被測定電子部品装置が1つ目の中間温度センサの温度領域を通過している時に1つ目の中間温度センサで測定された搬送経路の温度を第2温度とし、被測定電子部品装置が1つ目の中間温度センサの温度領域に入ってから1つ目の中間温度センサの温度領域を出るまでに要した時間をtとすることにより、1つ目の中間温度センサの温度領域を出た時の被測定電子部品装置の推定温度を推定し、さらに、第1の相関関係において、1つ目の中間温度センサの温度領域を出た時の被測定電子部品装置の推定温度を前記第1温度とし、被測定電子部品装置が2つ目の中間温度センサの温度領域を通過している時に2つ目の中間温度センサで測定された搬送経路の温度を前記第2温度とし、1つ目の中間温度センサの温度領域を出た被測定電子部品装置が2つ目の中間温度センサの温度領域に入ってから2つ目の中間温度センサの温度領域を出るまでに要した時間をtとすることにより、2つ目の中間温度センサの温度領域を出た時の被測定電子部品装置の推定温度を推定し、中間温度センサが3つ以上設けられている場合には、同様の方法により、当該中間温度センサの温度領域を出た時の被測定電子部品装置の推定温度を算出し、さらに、第1の相関関係において、最後の中間温度センサの温度領域を出た時の被測定電子部品装置の推定温度を第1温度とし、測定点温度を第2温度とし、最後の中間温度センサの温度領域を出た被測定電子部品装置が測定点の温度領域に入ってから電気的特性が測定されるまでに要した経過時間を前記tとすることにより、電気的特性を測定した時の前記被測定電子部品装置の測定時推定温度を算出するようにしても良い。この場合には、まず1つ目の中間温度センサの温度領域を出た時の被測定電子部品の推定温度を算出し、次に2つ目の中間温度センサの温度領域を出た時の被測定電子部品の推定温度を算出し、中間温度センサの数に応じてこの推定温度の算出を繰り返し、最後に電気的特性を測定した時の被測定電子部品の測定時推定温度を算出するため、さらに高い精度で被測定電子部品の測定時推定温度を算出することができ、さらに高い測定精度で被測定電子部品の電気的特性を測定することができる。 In addition, a plurality of intermediate temperature sensors are provided between the initial temperature specifying position and the measurement point. In the first correlation, the initial temperature is the first temperature, the measurement point temperature is the second temperature, and the elapsed time. In the first correlation, the initial temperature is set as the first temperature in place of estimating the measurement-time estimated temperature of the measured electronic component device when the electrical characteristics are measured. When the measurement electronic component device passes the temperature region of the first intermediate temperature sensor, the temperature of the conveyance path measured by the first intermediate temperature sensor is set as the second temperature, and one electronic device to be measured is present. When the time required to exit the temperature range of the first intermediate temperature sensor is t, and the time required to exit the temperature range of the first intermediate temperature sensor is t. Estimate the estimated temperature of the device under test In the first correlation, the estimated temperature of the electronic component device under measurement when the temperature range of the first intermediate temperature sensor exits is the first temperature, and the electronic device under measurement is the second intermediate temperature. The electronic component device under measurement that exits the temperature region of the first intermediate temperature sensor using the second temperature as the temperature of the conveyance path measured by the second intermediate temperature sensor when passing through the temperature region of the sensor T is the time required from when the second intermediate temperature sensor enters the temperature range of the second intermediate temperature sensor until the second intermediate temperature sensor exits the temperature range of the second intermediate temperature sensor. Estimate the estimated temperature of the electronic device being measured when it exits, and if there are three or more intermediate temperature sensors, measure the temperature when exiting the temperature range of the intermediate temperature sensor using the same method. Calculate the estimated temperature of the electronic component device, and In the correlation, the estimated temperature of the electronic device to be measured when it leaves the temperature range of the last intermediate temperature sensor is the first temperature, the measurement point temperature is the second temperature, and the temperature range of the last intermediate temperature sensor is The measured electronic component when the electrical characteristic is measured by setting t as the elapsed time required for the electrical characteristic to be measured after the measured electronic component device has entered the temperature range of the measurement point. The estimated temperature at the time of measurement of the component device may be calculated. In this case, first, the estimated temperature of the electronic component to be measured when it exits the temperature range of the first intermediate temperature sensor is calculated, and then the target temperature when it exits the temperature range of the second intermediate temperature sensor. To calculate the estimated temperature of the measurement electronic component, repeat the calculation of this estimated temperature according to the number of intermediate temperature sensors, and finally calculate the estimated temperature at the time of measurement of the measured electronic component when measuring the electrical characteristics, The estimated temperature at the time of measurement of the electronic component to be measured can be calculated with higher accuracy, and the electrical characteristics of the electronic component to be measured can be measured with higher measurement accuracy.
測定される電気的特性としては、たとえば抵抗値をあげることができる。 As an electrical characteristic to be measured, for example, a resistance value can be given.
なお、上述した被測定電子部品の測定点を、予め定めた目標温度に近づけるように温度調節しても良い。 Note that the temperature of the measurement point of the electronic device to be measured may be adjusted so as to approach a predetermined target temperature.
また、予め定めた目標温度を基準温度とし、測定点温度が基準温度と等しいと見做すようにしても良い。 Alternatively, a predetermined target temperature may be used as the reference temperature, and the measurement point temperature may be considered to be equal to the reference temperature.
また、本発明は電子部品装置の選別方法にも向けられる。本発明の電子部品装置の選別方法は、上述した本発明の電子部品装置の電気的特性測定方法を応用したものである。具体的には、本発明の電子部品装置の選別方法は、被測定電子部品装置の電気的特性を測定し、その測定結果に応じて被測定電子部品装置を選別する、電子部品装置の選別方法であって、被測定電子部品装置は、初期温度特定位置を経由して測定点に搬送され、測定点において、電気的特性が測定されて測定電気的特性が取得され、第1温度の被測定電子部品装置が、第1温度と異なる第2温度の第2温度領域に置かれた場合の、時間t経過後の前記被測定電子部品装置の温度を推定する第1の相関関係と、電気的特性を測定する時に被測定電子部品装置があるべき温度である基準温度と、電気的特性を測定した時の被測定電子部品装置の実際の温度である測定温度とから、測定電気的特性に含まれる、基準温度と測定温度とのずれに起因して発生する測定誤差を補正する第2の相関関係と、をそれぞれ明らかにし、電子部品装置の基準温度における電気的特性に対して、選別基準を設定し、初期温度特定位置において被測定電子部品装置の初期温度を特定し、測定点の温度であるところの測定点温度を特定し、初期温度特定位置を経由した被測定電子部品装置が測定点の温度領域に入ってから電気的特性が測定されるまでに要した経過時間を特定し、第1の相関関係において、初期温度を第1温度とし、測定点温度を第2温度とし、経過時間を時間tとすることで、電気的特性を測定した時の被測定電子部品装置の測定時推定温度を推定し、第2の相関関係において、測定時推定温度を測定温度とすることにより、基準温度と測定温度とのずれに起因して発生した測定誤差が補正された補正済電気的特性を取得し、補正済電気的特性を選別基準と比較して電子部品装置を選別するようにした。 The present invention is also directed to a method for selecting an electronic component device. The electronic component device sorting method of the present invention is an application of the above-described method for measuring electrical characteristics of an electronic component device of the present invention. Specifically, the electronic component device sorting method according to the present invention measures the electrical characteristics of the measured electronic component device and sorts the measured electronic component device according to the measurement result. The measured electronic component device is transported to the measurement point via the initial temperature specific position, the electrical characteristic is measured at the measurement point, the measured electrical characteristic is acquired, and the first temperature measured is measured. When the electronic component device is placed in a second temperature region having a second temperature different from the first temperature, the first correlation for estimating the temperature of the measured electronic component device after the elapse of time t, and the electrical Included in the measured electrical characteristics from the reference temperature, which is the temperature at which the measured electronic component device should be when measuring the characteristics, and the measured temperature, which is the actual temperature of the measured electronic component device when measuring the electrical characteristics Due to the difference between the reference temperature and the measured temperature. The second correlation for correcting the generated measurement error is clarified, and a selection criterion is set for the electrical characteristics at the reference temperature of the electronic component device. The initial temperature is specified, the measurement point temperature that is the temperature of the measurement point is specified, and the electrical characteristics are measured after the electronic device under test that has passed through the initial temperature specification position enters the temperature range of the measurement point. In the first correlation, the electrical characteristics were measured by setting the initial temperature as the first temperature, the measurement point temperature as the second temperature, and the elapsed time as the time t. Measurement caused by the difference between the reference temperature and the measured temperature by estimating the estimated temperature at the time of the measurement of the electronic component device at the time and setting the estimated temperature at the time of measurement as the measured temperature in the second correlation Error corrected Get the corrected electrical characteristics which were as sorting electronic component device the corrected electrical properties compared to selection criteria.
なお、電子部品装置の選別は、電子部品装置の良品/不良品を分別する場合であっても良いし、電子部品装置を類別(ランク分け)する場合であっても良い。なお、電子部品装置を類別には、たとえば、電気的特性に大きなバラツキのないランクと、許容範囲内であるが電気的特性にバラツキがあるランクとに類別する場合などがある。電子部品装置の良品/不良品の分別と、電子部品装置を類別とを、同時に行うこともできる。 The selection of the electronic component device may be performed when the non-defective product / defective product of the electronic component device is classified, or may be classified (ranked) by the electronic component device. The electronic component devices are classified into, for example, a rank that does not have a large variation in electrical characteristics and a rank that is within an allowable range but has a variation in electrical characteristics. The classification of the non-defective product / defective product of the electronic component device and the classification of the electronic component device can be performed simultaneously.
なお、上記の電子部品装置を選別方法は、第2の相関関係において、測定時推定温度を測定温度とすることにより、基準温度と測定温度とのずれに起因して発生した測定誤差が補正された補正済電気的特性を取得し、補正済電気的特性を選別基準と比較して電子部品装置を選別するのに代えて、測定時推定温度に対応して選別基準を対応補正して、対応補正選別基準を取得し、測定電気的特性を対応補正選別基準と比較して前記電子部品装置を選別するようにしても良い。すなわち、基準温度と測定温度とのずれに起因して発生した測定誤差の補正は、測定電気的特性を補正して補正済電気的特性を取得するのではなく、選別基準を補正して対応補正選別基準を取得することによっておこなっても良い。 In the above-described method for selecting an electronic component device, in the second correlation, the measurement error caused by the difference between the reference temperature and the measurement temperature is corrected by using the measurement estimated temperature as the measurement temperature. Instead of selecting corrected electronic characteristics and comparing the corrected electrical characteristics with the selection criteria to sort out the electronic device, the selection criteria are correspondingly corrected corresponding to the estimated temperature during measurement. A correction selection criterion may be obtained, and the electronic component device may be selected by comparing the measured electrical characteristics with the corresponding correction selection criterion. In other words, the correction of measurement error caused by the difference between the reference temperature and the measurement temperature is not the correction of the measurement electrical characteristic to obtain the corrected electrical characteristic, but the correction of the selection standard and correction. You may carry out by acquiring a selection standard.
また、本発明の電子部品装置の選別方法は、予め、必要な範囲の測定温度と電気的特性の関係が特定された、基準電子部品装置を選定し、必要な範囲の測定温度にわたって、選別基準を基準電子部品装置の電気的特性との相対値で設定し、基準電子部品装置を、測定点の近傍に配置し、被測定電子部品装置の電気的特性の測定と同時に、または、前後して、基準電子部品装置の電気的特性を測定して、基準電子部品装置の測定電気的特性を取得し、基準電子部品装置の測定電気的特性から、基準電子部品装置の測定温度およびそれに対応する選別基準を特定し、測定点温度を、基準電子部品装置の測定温度と等しいと見做し、さらに基準温度を、基準電子部品装置の測定温度で置き換えることで、基準電子部品装置の測定温度における、電子部品装置の補正済電気的特性を取得するものであっても良い。この方法は、本発明の電子部品装置の選別方法に、さらに、上述した特許文献2に記載された電子部品装置の電気的特性測定方法(選別方法)を複合化させたものであり、高い精度で、被測定電子部品装置の良品/不良品判断を行うことができる。
The electronic component device sorting method according to the present invention selects a reference electronic component device in which a relationship between a measurement temperature in a necessary range and an electrical characteristic is specified in advance, and performs a sorting standard over the measurement temperature in the necessary range. Is set relative to the electrical characteristics of the reference electronic component device, the reference electronic component device is placed near the measurement point, and at the same time as or before or after the measurement of the electrical characteristics of the measured electronic component device. Measure the electrical characteristics of the reference electronic component device, obtain the measured electrical properties of the reference electronic component device, and select the measurement temperature of the reference electronic component device and the corresponding selection from the measured electrical characteristics of the reference electronic component device By identifying the reference, assuming that the measurement point temperature is equal to the measurement temperature of the reference electronic component device, and further replacing the reference temperature with the measurement temperature of the reference electronic component device, the measurement temperature of the reference electronic component device is Electronic It may be configured to obtain the corrected electrical characteristics of goods unit. This method is a combination of the electronic component device sorting method of the present invention and the electronic component device electrical characteristic measurement method (sorting method) described in
本発明の電気的特性測定装置は、上述した本発明の電子部品装置の電気的特性測定方法に使用するのに適したものである。具体的には、本発明の電気的特性測定装置は、被測定電子部品装置を初期温度特定位置から測定点まで搬送する搬送機構と、測定点において、被測定電子部品装置の電気的特性を測定する測定器と、を備え、初期温度特定位置、または、初期温度特定位置の近傍に、被測定電子部品装置の初期温度を特定する初期温度特定手段が設けられ、測定点、または、測定点の近傍に、測定点の温度であるところの測定点温度を特定する測定点温度特定手段が設けられたものとした。 The electrical property measuring device of the present invention is suitable for use in the electrical property measuring method of the electronic component device of the present invention described above. Specifically, the electrical characteristic measuring apparatus of the present invention measures the electrical characteristics of the measured electronic component device at the measurement point, and a transport mechanism that transports the measured electronic component device from the initial temperature specific position to the measurement point. And an initial temperature specifying means for specifying the initial temperature of the electronic device to be measured is provided in the vicinity of the initial temperature specifying position or in the vicinity of the initial temperature specifying position. In the vicinity, a measuring point temperature specifying means for specifying a measuring point temperature which is the temperature of the measuring point is provided.
初期温度特定手段として、初期温度特定位置の温度を測定する第1温度センサを設けても良い。 As the initial temperature specifying means, a first temperature sensor for measuring the temperature at the initial temperature specifying position may be provided.
また、電子部品装置を測定点に搬送するための搬送経路を設け、初期温度特定位置を搬送経路のなかに設けるようにしても良い。 In addition, a transport path for transporting the electronic component device to the measurement point may be provided, and the initial temperature specific position may be provided in the transport path.
さらに、初期温度特定位置と測定点との間に、1つ、又は、複数の中間温度センサを設けるようにしても良い。この場合には、より高い測定精度で電気的特性を測定することができる。 Furthermore, one or a plurality of intermediate temperature sensors may be provided between the initial temperature specifying position and the measurement point. In this case, the electrical characteristics can be measured with higher measurement accuracy.
さらに、少なくとも測定点を予め定めた目標温度に近づけるように温度調節する温度調節手段を設けるようにしても良い。 Furthermore, temperature adjusting means for adjusting temperature so that at least the measurement point approaches a predetermined target temperature may be provided.
さらに、被測定電子部品装置の測定点近傍に、基準電子部品の測定点を設けるようにしても良い。この場合も、より高い測定精度で電気的特性を測定することができる。 Further, the measurement point of the reference electronic component may be provided in the vicinity of the measurement point of the electronic device to be measured. Also in this case, the electrical characteristics can be measured with higher measurement accuracy.
本発明の電子部品装置の電気的特性測定方法によれば、測定温度と基準温度との差異に起因して発生した測定誤差を補正した、精度の高い測定結果を得ることができる。 According to the electrical characteristic measuring method for an electronic component device of the present invention, it is possible to obtain a highly accurate measurement result by correcting a measurement error caused by the difference between the measurement temperature and the reference temperature.
また、本発明の電子部品装置の選別方法によれば、精度の高い電気的特性の測定結果に基づき、適正に、電子部品装置の良品/不良品判断や、電子部品装置の類別(ランク分け)を行うことができる。 In addition, according to the electronic component device sorting method of the present invention, it is possible to appropriately judge whether the electronic component device is good or defective, or classify the electronic component devices (ranking) based on the measurement result of the electrical characteristics with high accuracy. It can be performed.
また、本発明の電気的特性測定装置によれば、測定温度と基準温度との差異に起因して発生した測定誤差を補正した、精度の高い測定結果を得ることができる。 In addition, according to the electrical characteristic measuring apparatus of the present invention, it is possible to obtain a highly accurate measurement result in which a measurement error caused by the difference between the measurement temperature and the reference temperature is corrected.
以下、図面とともに、本発明を実施するための形態について説明する。 Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings.
なお、各実施形態は、本発明の実施の形態を例示的に示したものであり、本発明が実施形態の内容に限定されることはない。また、異なる実施形態に記載された内容を組合せて実施することも可能であり、その場合の実施内容も本発明に含まれる。 Each embodiment shows an embodiment of the present invention exemplarily, and the present invention is not limited to the content of the embodiment. Moreover, it is also possible to implement combining the content described in different embodiment, and the implementation content in that case is also included in this invention.
[第1実施形態]
図1〜図3に、本実施形態において使用する電気的特性測定装置100を示す。ただし、図1は、電気的特性測定装置100の平面図である。図2は、電気的特性測定装置100の要部平面図である。図3(A)、(B)は、それぞれ、電気的特性測定装置100の要部断面図であり、図3(A)は図1、図2のY-Y部分を示し、図3(B)は図1、図2のZ-Z部分を示している。
[First Embodiment]
1 to 3 show an electrical
本実施形態においては、被測定電子部品装置XをNTCサーミスタとし、電気的特性として抵抗値を測定する。ただし、被測定電子部品装置の種類は任意であり、NTCサーミスタには限定されず、PTCサーミスタや、固定抵抗や、キャパシタや、インダクタや、白金測温抵抗体、その他、温度により電気特性が変わる電子部品装置などであっても良い。また、被測定電子部品装置の形状も任意であり、チップ状電子部品装置、板状電子部品装置、リード線付電子部品装置、モジュール型電子部品装置など、あらゆる形状の電子部品装置を含む。また、被測定電子部品装置は、完成品である必要はなく、半製品(製造途中のもの)であっても良い。 In this embodiment, the electronic component device X to be measured is an NTC thermistor, and a resistance value is measured as an electrical characteristic. However, the type of electronic component device to be measured is arbitrary, and is not limited to the NTC thermistor. The electrical characteristics change depending on the temperature, such as a PTC thermistor, a fixed resistor, a capacitor, an inductor, a platinum resistance thermometer, etc. It may be an electronic component device. Also, the shape of the electronic component device to be measured is arbitrary, and includes electronic component devices of all shapes such as a chip-shaped electronic component device, a plate-shaped electronic component device, an electronic component device with a lead wire, and a module type electronic component device. Further, the electronic component device to be measured does not have to be a finished product, but may be a semi-finished product (manufacturing product).
また、測定される電気的特性の種類も任意であり、抵抗値には限定されず、キャパシタンス値や、インダクタンス値などであっても良い。なお、本実施形態においては、被測定電子部品装置(NTCサーミスタ)Xの25℃における抵抗値と、50℃における抵抗値とを測定し、被測定電子部品装置Xの抵抗温度特性を求める。 Also, the type of electrical characteristics to be measured is arbitrary, and is not limited to a resistance value, and may be a capacitance value, an inductance value, or the like. In this embodiment, the resistance value at 25 ° C. and the resistance value at 50 ° C. of the measured electronic component device (NTC thermistor) X are measured to determine the resistance temperature characteristic of the measured electronic component device X.
電気的特性測定装置100は、複数の被測定電子部品装置Xを順次供給するパーツフィーダ1を備える。
The electrical
パーツフィーダ1は、リニアフィーダ2に接続されている。リニアフィーダ2は、パーツフィーダ1により供給された被測定電子部品装置Xを、超音波振動などを利用して直線状に搬送する。
The
リニアフィーダ2は、測定ベース3に接続されている。すなわち、リニアフィーダ2によって、被測定電子部品装置Xが、順次、測定ベース3に搬送される。測定ベース3は、長方形のテーブルである。
The
測定ベース3に、搬送機構である搬送体4が設けられている。搬送体4は、駆動手段(図示せず)によって駆動され、測定ベース3上を移動する。搬送体4は長方形状であり、一方の長辺に、被測定電子部品装置Xを収容する多数の凹部4aが櫛歯状に形成されている。搬送体4は、凹部4aに収容された複数の被測定電子部品装置Xを、図1、図2の上から下の方向に、直線状に、かつ、間欠的に移動させる。なお、搬送体4は、測定ベース3の下の端まで行き着くと、駆動手段によって、破線矢印で示すように、測定ベース3の上の端まで戻される。なお、このとき、搬送体4は、未だ、後述する不良品排除領域Uや被測定電子部品回収領域V、Wで排除や回収をされていない被測定電子部品装置Xを、測定ベース3の上の現存している位置に残した状態で、測定ベース3の上の端まで戻される。
The
測定ベース3には、部分的な2つの領域である、温度領域3Sと温度領域3Tとが設けられている。測定ベース3の本体部分と、温度領域3Sと、温度領域3Tとは、間に溝を形成するなどの方法によって、相互に熱的に分離されている。
The
温度領域3Sの下面には、図3(A)に示すように、温度調節手段としてペルチェ素子5aが設けられている。温度領域3Sは、ペルチェ素子5aによって、目標温度である25℃に制御されている。ペルチェ素子5aは、温度領域3Sの全域をほぼ均質に温度制御する。なお、通常、温度領域3Sの目標温度は、被測定電子部品装置Xの電気的特性を測定すべき第1の基準温度(25℃)に合わせられている。ただし、温度領域3Sの目標温度は、必ずしも、第1の基準温度と合致している必要はない。
As shown in FIG. 3A, a
温度領域3Tの下面には、図3(B)に示すように、ペルチェ素子5bが設けられている。温度領域3Tは、ペルチェ素子5bによって、目標温度である50℃に制御されている。ペルチェ素子5bは、温度領域3Tの全域をほぼ均質に温度制御する。なお、通常、温度領域3Tの目標温度は、被測定電子部品装置Xの電気的特性を測定すべき第2の基準温度(50℃)に合わせられている。ただし、温度領域3Tの目標温度は、必ずしも、第2の基準温度と合致している必要はない。たとえば、被測定電子部品装置Xを早く加熱するために、温度領域3Tの目標温度を、第2の基準温度より高めに設定しても良い。
As shown in FIG. 3B, a
温度領域3S、3Tの温度を制御する発熱体の種類は、ペルチェ素子5a、5bには限定されず、ヒーター、チラーなどであっても良い。
The type of the heating element that controls the temperature in the
電気的特性測定装置100においては、リニアフィーダ2が、被測定電子部品装置Xの搬送経路であり、その途中に初期温度特定位置が設けられている。そして、搬送経路の近傍、特に初期温度特定位置の近傍に、初期温度特定手段として第1温度センサ6が設けられている。第1温度センサ6は、リニアフィーダ2の搬送経路の温度を監視するためのものである。なお、第1温度センサ6で搬送経路の温度を測定するのではなく、別途、初期温度特定位置に配置された被測定電子部品装置X自体の温度を直接に測定するようにしても良い。第1温度センサ6には、たとえば白金測温抵抗体が使用される。ただし、第1温度センサ6の種類は任意であり、熱電対、サーミスタ、放射温度計などであっても良い。
In the electrical
また、電気的特性測定装置100は、測定点7Pと、測定点7Qとを有している。測定点7Pは、温度領域3Sに設けられている。測定点7Qは、温度領域3Tに設けられている。
Moreover, the electrical
上述したとおり、図3(A)に、測定点7P部分の要部断面図を示す。また、図3(B)に、測定点7P部分の要部断面図を示す。
As described above, FIG. 3A shows a cross-sectional view of the main part of the
温度領域3Sの測定点7Pの近傍に、測定点温度特定手段として第2温度センサ8が設けられている。第2温度センサ8は、温度領域3Sの温度を監視するためのものである。同様に、温度領域3Tの測定点7Qの近傍に、第3温度センサ9が設けられている。第3温度センサ9は、温度領域3Tの温度を監視するためのものである。第2温度センサ8および第3温度センサ9には、たとえば白金測温抵抗体が使用される。ただし、第2温度センサ8および第3温度センサ9の種類は任意であり、熱電対、サーミスタ、放射温度計などであっても良い。
A
測定点7Pには、図3(A)に示すように、被測定電子部品装置Xの上面に当接する、当接部材10が設けられている。なお、当接部材10は、図1、図2では、図示が省略されている。
As shown in FIG. 3A, the
測定点7Pの測定ベース3(温度領域3S)には、たとえば4つの孔が設けられ、その4つの孔に、2対の測定端子11a、11b、12a、12bが配置されている。測定端子11a、11b、12a、12bは、被測定電子部品装置Xの外部電極Xa、Xbに当接するためのものである。測定端子11a、11b、12a、12bは、測定端子駆動機構13に取付けられ、測定端子駆動機構13が駆動されることにより、間欠的に被測定電子部品装置Xの外部電極Xa、Xbに当接する。
For example, four holes are provided in the measurement base 3 (
測定点7Qには、図3(B)に示すように、被測定電子部品装置Xの上面に当接する、当接部材14が設けられている。なお、当接部材14は、図1、図2では、図示が省略されている。
As shown in FIG. 3B, the
測定点7Qの測定ベース3(温度領域3T)には、たとえば4つの孔が設けられ、その4つの孔に、2対の測定端子15a、15b、16a、16bが配置されている。測定端子15a、15b、16a、16bは、被測定電子部品装置Xの外部電極Xa、Xbに当接するためのものである。測定端子15a、15b、16a、16bは、測定端子駆動機構17に取付けられ、測定端子駆動機構17が駆動されることにより、間欠的に被測定電子部品装置Xの外部電極Xa、Xbに当接する。
For example, four holes are provided in the measurement base 3 (
図1に示すように、電気的特性測定装置100は、測定器18を備える。測定器18には、測定端子11a、11b、12a、12bが接続されている。また、測定器18には、測定端子15a、15b、16a、16bも接続されている。測定器18は、測定点7Pおよび測定点7Qにおいて、被測定電子部品装置Xの電気的特性を測定するのに使用される。
As shown in FIG. 1, the electrical
図4に、被測定電子部品装置Xの底面を示す。また、図4には、被測定電子部品装置Xの外部電極Xa、Xbに、測定点7Pにおいて測定端子11a、11b、12a、12bが当接し、測定点7Qにおいて測定端子15a、15b、16a、16bが当接する部分を、破線で示している。
FIG. 4 shows a bottom surface of the electronic component device X to be measured. Further, in FIG. 4, the
たとえば、測定器18は、測定点7Pにおいて、測定端子11a、11b間に所定の値の電流を流し、測定端子12a、12b間の電圧を測定することにより、被測定電子部品装置Xの抵抗値を測定することができる。
For example, the measuring
同様に、たとえば、測定器18は、測定点7Qにおいて、測定端子15a、15b間に所定の値の電流を流し、測定端子16a、16b間の電圧を測定することにより、被測定電子部品装置Xの抵抗値を測定することができる。
Similarly, for example, the measuring
電気的特性測定装置100は、図1に示すように、パーソナルコンピュータ(以下において「PC」という)19を備える。PC19は、少なくとも、記憶装置、演算装置、入力インターフェース、出力インターフェースなどを備える。
As shown in FIG. 1, the electrical
PC19は、パーツフィーダ1、リニアフィーダ2、搬送体4、測定端子駆動機構13、測定端子駆動機構17、それぞれの駆動系に接続されている。PC19の記憶装置には、パーツフィーダ1、リニアフィーダ2、搬送体4、測定端子駆動機構13、測定端子駆動機構17、それぞれを制御する所定のコンピュータプログラムが記憶されており、PC19は、パーツフィーダ1、リニアフィーダ2、搬送体4、測定端子駆動機構13、測定端子駆動機構17、を、それぞれ制御する。
The
PC19は、測定器18に接続されている。
The
また、PC19は、第1温度センサ6、第2温度センサ8、第3温度センサ9に、それぞれ接続されている。
The
電気的特性測定装置100の測定ベース3は、電気的特性を測定した後に、不良品と判断された被測定電子部品装置Xを排除する不良品排除領域Uを備える。不良品排除領域Uには、搬送体4の凹部4aから、不良品と判断された被測定電子部品装置Xを排除する排除機構(図示せず)が設けられている。排除機構はPC19に接続されており、PC19の演算装置により不良品と判断された被測定電子部品装置Xを、搬送体4の凹部4aから排除する。
The
さらに、電気的特性測定装置100の測定ベース3は、不良品と判断された被測定電子部品装置Xを排除した後に、良品と判断された被測定電子部品装置Xのうち、電気的特性にバラツキの少ないランク1の被測定電子部品装置Xを回収する被測定電子部品回収領域Vを備える。ランク1の被測定電子部品装置Xの回収も、PC19によって制御される。
Furthermore, the
さらに、電気的特性測定装置100の測定ベース3は、ランク1の被測定電子部品装置Xを回収した後に、許容範囲内であるが電気的特性にバラツキがあるランク2の被測定電子部品装置Xを回収する被測定電子部品回収領域Wを備える。ランク2の被測定電子部品装置Xの回収も、PC19によって制御される。
Further, the
次に、電気的特性測定装置100を使用した、電子部品装置の電気的特性測定方法について説明する。本実施形態においては、上述したとおり、被測定電子部品装置XとしてNTCサーミスタを使用し、電気的特性として被測定電子部品装置Xの抵抗値を測定する。本実施形態の電子部品装置の電気的特性測定方法においては、次の(式1)を利用する。(式1)によれば、特定温度TaのこのNTCサーミスタが、特定温度Taと異なる温度Tbの異温度領域上に置かれた場合に、時間t経過後のNTCサーミスタの推定温度Txを算出することができる。
Next, an electrical property measuring method for an electronic component device using the electrical
Tx:時間t経過後のNTCサーミスタの推定温度
Ta:NTCサーミスタの特定温度
Tb:異温度領域の温度
t:経過時間
τ:NTCサーミスタの熱時定数
熱時定数τは、このNTCサーミスタの熱容量から求めることができる係数である。
Tx: Estimated temperature of NTC thermistor after elapse of time t Ta: Specific temperature of NTC thermistor Tb: Temperature in a different temperature region
t: elapsed time τ: thermal time constant of NTC thermistor The thermal time constant τ is a coefficient that can be obtained from the heat capacity of the NTC thermistor.
(式1)を、PC19の記憶装置に記憶させる。
(Equation 1) is stored in the storage device of the
また、本実施形態の電子部品の電気的特性測定方法においては、基準温度Twと、測定温度Toとから、測定抵抗値Roに含まれる、基準温度Twと測定温度Toとのずれに起因して発生する測定誤差を補正する(式2)を利用する。 Moreover, in the electrical property measurement method of the electronic component according to the present embodiment, the reference temperature Tw and the measurement temperature To are caused by a difference between the reference temperature Tw and the measurement temperature To included in the measurement resistance value Ro. (Equation 2) is used to correct the generated measurement error.
Rw:基準温度Twと測定温度Toとのずれに起因して発生する測定誤差が補正された NTCサーミスタの抵抗値
Ro:NTCサーミスタの測定抵抗値
B:NTCサーミスタの温度変化係数
Tw:基準温度
To:測定温度
温度変化係数Bは、このNTCサーミスタに固有の係数である。温度変化係数Bは、このNTCサーミスタを、基準温度からプラス方向またはマイナス方向に僅かずつの温度を強制的にずらしながら、抵抗値を複数回測定することにより算出することができる。
Rw: Resistance value of NTC thermistor in which measurement error caused by deviation between reference temperature Tw and measurement temperature To is corrected Ro: Measurement resistance value of NTC thermistor B: Temperature change coefficient of NTC thermistor Tw: Reference temperature
To: Measurement temperature The temperature change coefficient B is a coefficient specific to this NTC thermistor. The temperature change coefficient B can be calculated by measuring the resistance value of the NTC thermistor a plurality of times while forcibly shifting the temperature slightly from the reference temperature in the plus or minus direction.
(式2)を、PC19の記憶装置に記憶させる。
(Equation 2) is stored in the storage device of the
また、PC19によって制御される、温度領域3Sに設けられたペルチェ素子5aの目標温度を25℃に設定する。すなわち、本実施形態においては、測定点7Pにおいて、被測定電子部品装置(NTCサーミスタ)Xの25℃における抵抗値を測定する。
Further, the target temperature of the
また、PC19によって制御される、温度領域3Tに設けられたペルチェ素子5bの目標温度を50℃に設定する。すなわち、本実施形態においては、測定点7Qにおいて、被測定電子部品装置(NTCサーミスタ)Xの50℃における抵抗値を測定する。
Further, the target temperature of the
以上の準備の後、測定を開始する。 After the above preparation, measurement is started.
まず、複数の被測定電子部品装置Xをパーツフィーダ1に投入する。
First, a plurality of measured electronic component devices X are put into the
次に、PC19の制御に基づき、パーツフィーダ1、リニアフィーダ2、搬送体4が、それぞれ駆動を開始する。
Next, based on the control of the
その結果、被測定電子部品装置Xが、パーツフィーダ1から、順次、リニアフィーダ2に搬送される。
As a result, the measured electronic component device X is sequentially conveyed from the
次に、1番目(先頭)の被測定電子部品装置Xが、搬送経路に設けられた初期温度特定位置の近傍を通過した時に、初期温度特定手段である第1温度センサ6によって搬送経路(リニアフィーダ2)の温度を測定する。
Next, when the first (first) electronic device X to be measured passes near the initial temperature specifying position provided in the transfer path, the
パーツフィーダ1とリニアフィーダ2は室温(常温)に保たれ、かつ、被測定電子部品装置Xは十分に時間をかけて、初期温度特定位置である第1温度センサ6に到達するため、被測定電子部品装置Xは十分に搬送経路(リニアフィーダ2)の温度になじんでいる。したがって、1番目の被測定電子部品装置Xが、初期温度特定位置である第1温度センサ6を通過した時に、第1温度センサ6によって測定された搬送経路(リニアフィーダ2)の温度を、1番目の被測定電子部品装置Xの初期温度と見做すことができる。なお、第1温度センサ6が被測定電子部品装置Xの温度を直接測定することができる場合は、特段に搬送経路の温度になじんでいる必要はなく、第1温度センサ6の測定値をそのまま1番目の被測定電子部品装置Xの初期温度とすることができる。1番目の被測定電子部品装置Xの初期温度が、PC19に伝達され、PC19の記憶装置に記憶される。
Since the
なお、第1温度センサ6で搬送経路(リニアフィーダ2)の温度を測定する代わりに、厳格に室温を管理しておき、1番目の被測定電子部品装置Xが初期温度特定位置を通過した時の、別途測定された室温を、1番目の被測定電子部品装置Xの初期温度としても良い。
Instead of measuring the temperature of the conveyance path (linear feeder 2) with the
被測定電子部品装置Xの初期温度は、この後に搬送される測定ベース3の温度領域3Sの目標温度である、25℃より低い場合もあれば、25℃より高い場合もあり、さらに25℃の場合もある。
The initial temperature of the electronic device X to be measured may be lower than 25 ° C. or higher than 25 ° C., which is the target temperature of the
次に、1番目の被測定電子部品装置Xが、リニアフィーダ2によって、測定ベース3に搬送される。具体的には、1番目の被測定電子部品装置Xが、リニアフィーダ2によって、目標温度25℃で制御された測定ベース3の温度領域3Sに搬送される。なお、1番目の被測定電子部品装置Xの初期温度が25℃でない限り、温度領域3Sに到達した1番目の被測定電子部品装置Xの温度が25℃になるのには時間を要する。1番目の被測定電子部品装置Xが測定ベース3に搬送された時間が、PC19に伝達され、PC19の記憶装置に記憶される。
Next, the first electronic device to be measured X is transported to the
次に、1番目の被測定電子部品装置Xは、90°搬送方向が変更され、搬送体4により、図1および図2における下方向に搬送される。なお、搬送体4は、上述したとおり、間欠移動する。
Next, the first electronic component apparatus X to be measured is changed in the 90 ° conveyance direction and is conveyed downward by the
次に、1番目の被測定電子部品装置Xが、測定点7Pに到達する。
Next, the first measured electronic component device X reaches the
1番目の被測定電子部品装置Xが、測定点7Pに到達すると、PC19の制御に基づき、測定端子駆動機構13が駆動する。そして、1番目の被測定電子部品装置Xの抵抗値が、測定端子11a、11b、12a、12bを介して、測定器18により測定され、1番目の被測定電子部品装置Xの測定抵抗値が得られる。1番目の被測定電子部品装置Xの測定抵抗値が、測定器18からPC19に伝達され、PC19の記憶装置に記憶される。また、1番目の被測定電子部品装置Xの抵抗値が測定された時間も、PC19の記憶装置に記憶される。
When the first measured electronic component device X reaches the
この時同時に、第2温度センサ8により、温度領域3Sの温度が測定される。そして、その第2温度センサ8により測定された温度が、測定点7Pにおいて1番目の被測定電子部品装置Xの抵抗値が測定された時の温度領域3Sの温度として、PC19に伝達され、PC19の記憶装置に記憶される。なお、温度領域3Sは、目標温度25℃で制御されているが、第2温度センサ8により測定された温度は、様々な要因(室温の変化や装置の発熱など)により、25℃からずれている場合が考えられる。
At the same time, the temperature of the
次に、PC19の演算装置において、以下の演算を行う。
Next, the following calculation is performed in the calculation device of the
まず、上述した(式1)に、すでに求められている熱時定数τ以外の具体的な数値を代入し、1番目の被測定電子部品装置Xの測定時推定温度Txを求める。 First, a specific numerical value other than the already obtained thermal time constant τ is substituted into the above-described (Equation 1) to obtain the measurement estimated temperature Tx of the first measured electronic component device X.
具体的な数値は、次のとおりである。
Tx:1番目の被測定電子部品装置Xの測定時推定温度
Ta:第1温度センサ6を通過した時の1番目の被測定電子部品装置Xの推定温度(初期温度)
Tb:1番目の被測定電子部品装置Xの抵抗値が測定された時の第2温度センサ8の測定温度(温度領域3Sの温度)
t:被測定電子部品装置Xが温度領域3Sに到達してから抵抗値が測定されるまでの時間
τ:このNTCサーミスタの熱時定数
Specific numerical values are as follows.
Tx: Estimated temperature at the time of measurement of the first measured electronic component device X Ta: Estimated temperature (initial temperature) of the first measured electronic component device X when passing through the
Tb: temperature measured by the
t: Time until the resistance value is measured after the measured electronic component device X reaches the
次に、上述した(式2)に、すでに求められている温度変化係数B以外の具体的な数値を代入し、基準温度Twと測定温度Toとのずれに起因して発生した測定誤差が補正された1番目の被測定電子部品装置Xの抵抗値Rwを算出する。 Next, by substituting specific numerical values other than the already obtained temperature change coefficient B into (Equation 2), the measurement error caused by the difference between the reference temperature Tw and the measurement temperature To is corrected. The resistance value Rw of the first measured electronic component device X is calculated.
具体的な数値は、次のとおりである。
Rw:基準温度Twと測定温度Toとのずれに起因して発生する測定誤差が補正された1番目の被測定電子部品装置Xの抵抗値
Ro:1番目の被測定電子部品装置Xの測定抵抗値
B:このNTCサーミスタの温度変化係数
Tw:基準温度 (温度領域3Sの目標温度である25℃)
To:1番目の被測定電子部品装置Xの測定時推定温度Tx(測定温度)
Specific numerical values are as follows.
Rw: resistance value of the first measured electronic component device X in which the measurement error caused by the difference between the reference temperature Tw and the measured temperature To is corrected Ro: the measured resistance of the first measured electronic component device X Value B: Temperature change coefficient of this NTC thermistor Tw: Reference temperature (25 ° C. which is the target temperature in the
To: Estimated temperature Tx (measurement temperature) of the first measured electronic component device X
次に、測定点7Pでの測定を終えた1番目の被測定電子部品装置Xが、搬送体4によって、温度領域3Tに搬送される。さらに、1番目の被測定電子部品装置Xは、搬送体4によって、測定点7Qに搬送される。
Next, the first measured electronic component device X that has finished the measurement at the measurement point 7 </ b> P is transported to the
1番目の被測定電子部品装置Xが、測定点7Qに到達すると、PC19の制御に基づき、測定端子駆動機構17が駆動する。そして、1番目の被測定電子部品装置Xの抵抗値が、測定端子15a、15b、16a、16bを介して、測定器18により測定され、1番目の被測定電子部品装置Xの測定抵抗値が得られる。1番目の被測定電子部品装置Xの測定抵抗値が、測定器18からPC19に伝達され、PC19の記憶装置に記憶される。また、1番目の被測定電子部品装置Xの抵抗値が測定された時間も、PC19の記憶装置に記憶される。
When the first measured electronic component device X reaches the
この時同時に、第3温度センサ9により、温度領域3Tの温度が測定される。そして、その第3温度センサ9により測定された温度が、測定点7Qにおいて1番目の被測定電子部品装置Xの抵抗値が測定された時の温度領域3Tの温度として、PC19に伝達され、PC19の記憶装置に記憶される。なお、温度領域3Tは、目標温度50℃で制御されているが、第3温度センサ9により測定された温度は、様々な要因により、50℃からずれている場合が考えられる。
At the same time, the temperature of the
次に、PC19の演算装置において、測定点7Pでの測定の場合に行ったのと同様に、測定点7Qでの測定においても、上述した(式1)を用いて1番目の被測定電子部品装置Xの測定時推定温度Txを求め、さらに上述した(式2)を用いて基準温度Twと測定温度Toとのずれに起因して発生した測定誤差を補正する。なお、測定点7Pで測定を行なった後、比較的早く被測定電子部品装置Xを温度領域3Tまで搬送する場合は、(式1)に代入する1番目の被測定電子部品装置Xの初期温度Taには、測定点7Pにおける1番目の被測定電子部品装置Xの測定時推定温度Txを用いることができる。ただし、温度領域3Tへの搬送に時間がかかる場合は、経過した時間を加味して初期温度Taを求めなおした方が良い。
Next, as in the case of measurement at the
以上により、1番目の被測定電子部品装置Xの25℃および50℃における抵抗値が、極めて正確に測定される。図5に、1番目の被測定電子部品装置Xの25℃および50℃における抵抗値(測定誤差が補正された抵抗値)と、それから推定される1番目の被測定電子部品装置Xの抵抗温度特性を示す。 As described above, the resistance values at 25 ° C. and 50 ° C. of the first electronic device to be measured X are measured very accurately. FIG. 5 shows the resistance values of the first measured electronic component device X at 25 ° C. and 50 ° C. (resistance values corrected for measurement errors) and the estimated resistance temperature of the first measured electronic component device X. Show properties.
次に、基準温度と測定温度とのずれに起因して発生した測定誤差を補正した、1番目の被測定電子部品装置Xの25℃および50℃における抵抗値に基づき、PC19において、1番目の被測定電子部品装置Xの良品/不良品の選別をおこなう。さらに、1番目の被測定電子部品装置Xが良品である場合には、PC19において、ランク1とランク2との選別をおこなう。そして、不良品の被測定電子部品装置Xを不良品排除領域Uで排除し、ランク1の被測定電子部品装置Xを被測定電子部品回収領域Vで回収し、ランク2の被測定電子部品装置Xを被測定電子部品回収領域Wで回収する。
Next, based on the resistance values at 25 ° C. and 50 ° C. of the first electronic device X to be measured, in which the measurement error caused by the difference between the reference temperature and the measured temperature is corrected, The non-defective / defective product of the electronic device X to be measured is selected. Further, when the first electronic device to be measured X is a non-defective product,
以上の方法により、1番目の被測定電子部品装置Xの抵抗値が測定され、さらに選別がおこなわれる。以下、同様の方法で、2番目以降の被測定電子部品装置Xの抵抗値の測定、および選別をおこなう。 By the above method, the resistance value of the first electronic component apparatus X to be measured is measured and further selected. Thereafter, the resistance value of the second and subsequent measured electronic component devices X is measured and selected in the same manner.
[第2実施形態]
図6に、本実施形態において使用する電気的特性測定装置200を示す。ただし、図6は、電気的特性測定装置200の要部平面図である。
[Second Embodiment]
FIG. 6 shows an electrical
電気的特性測定装置200は、第1実施形態において使用した電気的特性測定装置100を簡易化したものである。すなわち、電気的特性測定装置100は、測定点7Pと測定点7Qの2つの測定点を有していたが、電気的特性測定装置200は、測定点7Qが省略され、測定点7Pのみを有している。
The electrical
電気的特性測定装置200は、電気的特性測定装置100が備えていた、温度領域3T、ペルチェ素子5b、測定端子15a、15b、16a、16b、当接部材14、測定端子駆動機構17、第3温度センサ9が省略されている。
The electrical
電気的特性測定装置200を使用して、第1実施形態で実施した方法に準じて、被測定電子部品装置Xの25℃における抵抗値を測定した。そして、その結果に基づき、被測定電子部品装置Xの選別をおこなった。
Using the electrical
[第3実施形態]
第3実施形態においては、第2実施形態で使用した電気的特性測定装置200を使用する。ただし、第3実施形態においては、第2実施形態とは異なる方法によって、被測定電子部品装置Xの測定時推定温度Txを求めるとともに、基準温度Twと測定温度Toとのずれに起因して発生した測定誤差を補正する。なお、第3実施形態は、図6を援用して説明をおこなう。
[Third Embodiment]
In the third embodiment, the electrical
上述した第1実施形態および第2実施形態においては、(式1)を用いて1番目の被測定電子部品装置Xの測定時推定温度Txを求め、さらに(式2)を用いて基準温度Twと測定温度Toとのずれに起因して発生した測定誤差を補正した。第3実施形態においては、(式1)、(式2)は使用せず、次に示す(表1)を第1の相関関係として、(表2)を第2の相関関係として、それぞれ使用した。これらの表は、抵抗値の測定を行う前に、予め、実測により作成したものである。 In the first and second embodiments described above, the estimated temperature Tx at the time of measurement of the first measured electronic component device X is obtained using (Equation 1), and further, the reference temperature Tw is obtained using (Equation 2). And the measurement error caused by the difference between the measurement temperature To and the measurement temperature To were corrected. In the third embodiment, (Equation 1) and (Equation 2) are not used, and (Table 1) shown below is used as the first correlation and (Table 2) is used as the second correlation. did. These tables are prepared in advance by actual measurement before measuring the resistance value.
(表1)は、被測定電子部品装置Xの測定点7Pにおける測定時推定温度Txを示している。測定時推定温度Txは、被測定電子部品装置Xの初期温度と、被測定電子部品装置Xを測定点7Pで測定した時の第2温度センサ8の測定温度とによって定まる。ただし、被測定電子部品装置Xが温度領域3Sに到達してから抵抗値が測定されるまでの時間tが、所定の値で一定であることを前提とする。
(Table 1) shows the estimated temperature Tx during measurement at the
(表2)は、被測定電子部品装置Xの、基準温度Twと測定温度Toとのずれに起因して発生する測定誤差が補正された抵抗値Rwを示している。補正された抵抗値Rwは、測定時推定温度Txと、測定抵抗値Roとによって定まる。 (Table 2) shows the resistance value Rw in which the measurement error caused by the deviation between the reference temperature Tw and the measurement temperature To of the electronic component device X to be measured is corrected. The corrected resistance value Rw is determined by the measurement estimated temperature Tx and the measured resistance value Ro.
なお、第3実施形態においては、補正された抵抗値Rwが、9.98kΩ以上、10.02kΩ以下のものを良品Gとし、それ以外のものを不良品NGとした。参考として、良品G/不良品NGの区分を、(表3)に示す。 In the third embodiment, the corrected resistance value Rw is 9.98 kΩ or more and 10.02 kΩ or less as the non-defective product G, and the other is determined as the defective product NG. For reference, the classification of non-defective product G / defective product NG is shown in (Table 3).
このように、測定時推定温度Txや測定誤差が補正された抵抗値Rwを導き出す相関関係は、式としてではなく、表として用意することもできる。 Thus, the correlation for deriving the estimated temperature Tx during measurement and the resistance value Rw in which the measurement error is corrected can be prepared not as an equation but as a table.
[第4実施形態]
図7に、本実施形態において使用する電気的特性測定装置400を示す。ただし、図7は、電気的特性測定装置400の平面図である。
[Fourth Embodiment]
FIG. 7 shows an electrical
本実施形態において使用する電気的特性測定装置400は、上述した、第1実施形態において使用した電気的特性測定装置100や、第2実施形態において使用した電気的特性測定装置200から、大幅な変更がなされている。
The electrical
電気的特性測定装置400は、電気的特性測定装置100、200と同じ、パーツフィーダ1、リニアフィーダ2を備えている。また、リニアフィーダ2には、第1温度センサ6が設けられている。これらの部分に変更はない。
The electrical
電気的特性測定装置400は、測定ベース43を備える。
The electrical
測定ベース43には、電気的特性測定装置100、200の長方形の搬送体4に代えて、円板状の搬送体44が設けられている。搬送体44の外周には、被測定電子部品装置Xを収容する多数の凹部44aが形成されている。搬送体44は、凹部44aに被測定電子部品装置Xを収容した状態で、モータにより間欠的に回転する。
The
電気的特性測定装置400の測定ベース43には、被測定電子部品装置Xの電気的特性(抵抗値)を測定する測定点57Pが設けられている。
The
電気的特性測定装置400の測定ベース43には、測定点57Pを含む領域に、たとえばペルチェ素子(図示せず)が埋設され、温度制御領域Hが設けられている。温度制御領域Hは、被測定電子部品装置Xの電気的特性を測定すべき基準温度(たとえば25℃)を目標温度として温度が制御される。また、温度制御領域Hは、測定ベース43全体の温度を制御する。
In the
電気的特性測定装置400において、リニアフィーダ2と搬送体44とによって、被測定電子部品装置Xが、パーツフィーダ1から測定点57Pへ搬送される経路が、被測定電子部品装置Xの搬送経路である。
In the electrical
電気的特性測定装置400の測定ベース43には、測定点57Pの近傍に、第2温度センサ47が設けられている。また、電気的特性測定装置400の測定ベース43には、被測定電子部品装置Xの搬送経路に、7つの中間温度センサ48a、48b、48c、48d、48e、48f、48gが設けられている。なお、隣接する2つの中間温度センサの温度領域の境界は、2つの中間温度センサの中間点にあると考えることができる。
A
本実施形態においては、被測定電子部品装置Xが第1温度センサを通過した時に、第1温度センサで測定されたリニアフィーダ2の温度を、被測定電子部品装置Xの初期温度として特定する。
In this embodiment, when the measured electronic component device X passes the first temperature sensor, the temperature of the
また、被測定電子部品装置Xの初期温度と、被測定電子部品装置Xが測定ベース43に到着してから1つ目の中間温度センサ48aの温度領域を出るまでの時間と、被測定電子部品装置Xが1つ目の中間温度センサ48aの温度領域を通過しているときに測定された1つ目の中間温度センサ48aの測定温度とを、上述した(式1)に代入することによって、被測定電子部品装置Xが1つ目の中間温度センサ48aの温度領域を出た時の推定温度を求める。
Also, the initial temperature of the measured electronic component device X, the time from when the measured electronic component device X arrives at the
次に、被測定電子部品装置Xが1つ目の中間温度センサ48aの温度領域を出た時の推定温度を初期温度とし、被測定電子部品装置Xの初期温度と、被測定電子部品装置Xが1つ目の中間温度センサ48aの温度領域を出てから、2つ目の中間温度センサ48bの温度領域を出るまでの時間と、被測定電子部品装置Xが2つ目の中間温度センサ48bの温度領域を通過しているときに測定された2つ目の中間温度センサ48bの測定温度とを、上述した(式1)に代入することによって、被測定電子部品装置Xが2つ目の中間温度センサ48bの温度領域を出た時の推定温度を求める。以下、同様の方法によって、被測定電子部品装置Xが、3つ目〜7つ目の中間温度センサ48c、48d、48e、48f、48gの温度領域を出た時の推定温度を求める。
Next, the estimated temperature when the measured electronic component device X leaves the temperature range of the first
さらに同様の方法によって、被測定電子部品装置Xの電気的特性を測定点57Pで測定した時の、被測定電子部品装置Xの推定温度を求める。具体的には、被測定電子部品装置Xの初期温度(7つ目の中間温度センサ48gの温度領域を出た時の推定温度)Taと、被測定電子部品装置Xが7つ目の中間温度センサ48gの温度領域を出てから(測定点57Pの温度領域に入ってから)測定点57Pで測定がおこなわれるまでの時間tと、被測定電子部品装置Xの電気的特性を測定点57Pで測定した時の第2温度センサ47の測定温度Tbとを、上述した(式1)に代入して、被測定電子部品装置Xの測定時推定温度TXを求める。
Further, an estimated temperature of the measured electronic component device X when the electrical characteristics of the measured electronic component device X are measured at the
本実施形態においては、上記の方法で求めた被測定電子部品装置Xの測定時推定温度TXを、測定温度Toとして上述して(式2)に代入し、基準温度Twと測定温度Toとのずれに起因して発生した測定誤差が補正された被測定電子部品装置Xの抵抗値Rwを求める。 In the present embodiment, the estimated temperature T X at the time of measurement of the electronic device X to be measured obtained by the above method is substituted into (Equation 2) described above as the measurement temperature To, and the reference temperature Tw and the measurement temperature To The resistance value Rw of the measured electronic component device X in which the measurement error caused by the deviation is corrected is obtained.
電気的特性測定装置400を使った本実施形態にかかる測定方法においても、高い測定精度で被測定電子部品装置Xの電気的特性(抵抗値)を測定することができる。
Also in the measurement method according to the present embodiment using the electrical
[第5実施形態]
図8に、本実施形態において使用する電気的特性測定装置500を示す。ただし、図8は、電気的特性測定装置500の平面図である。
[Fifth Embodiment]
FIG. 8 shows an electrical
本実施形態において使用する電気的特性測定装置500は、上述した、第4実施形態において使用した電気的特性測定装置400に、新たな構成を追加した。
The electrical
電気的特性測定装置500は、新たに基準電子部品Yを備えており、測定点57Pの近傍に、基準電子部品Yの測定点57Qが設けられている。なお、測定点57Pと測定点57Qとは、極めて近い距離にあるため、両者の温度は同一であると見做すことができる。
The electrical
上述した(式1)、(式2)が、PC19の記憶装置に記憶されている。
(Equation 1) and (Equation 2) described above are stored in the storage device of the
さらに、本実施形態においては、予め、下に示す、基準電子部品Yの測定抵抗値Roに対する、被測定電子部品装置(NTCサーミスタ)Xの測定抵抗値R1の偏差(測定値ずれ率)を示す(式3)が、PC19の記憶装置に記憶されている。
さらに、本実施形態においては、PC15の記憶装置に、良品と判断される、被測定電子部品装置(NTCサーミスタ)Xの測定抵抗値R1の偏差の許容範囲を記憶させる。 Further, in the present embodiment, the storage device of the PC 15, is determined to be nondefective, stores the tolerance of deviation of the measured resistance value R 1 of the measured electronic component device (NTC thermistor) X.
以上の準備の後、測定を開始する。 After the above preparation, measurement is started.
まず、複数の被測定電子部品装置Xをパーツフィーダ1に投入する。
First, a plurality of measured electronic component devices X are put into the
次に、PC19の制御に基づき、パーツフィーダ1、リニアフィーダ2、搬送体44が、それぞれ駆動を開始する。その結果、被測定電子部品装置Xが、順次、測定ベース43の測定点57Pに搬送される。
Next, based on the control of the
そして、測定点57Pにおいて、被測定電子部品装置Xの電気的特性が測定され、同時に、測定点57Qにおいて、基準電子部品Yの電気的特性が測定される。なお、測定点57Qの温度が時間経過に対して比較的安定しているのであれば、基準電子部品Yの電気特性の測定は被測定電子部品装置Xの電気特性の測定と多少前後しても良い。
Then, the electrical characteristics of the measured electronic component device X are measured at the
本実施形態においても、上述した第4実施形態と同様に、被測定電子部品装置Xが搬送経路を搬送されるのにともなって、必要なタイミングで、第1温度センサ6、中間温度センサ48a、48b、48c、48d、48e、48f、48g、第2温度センサ47により温度が測定される。
Also in the present embodiment, as in the fourth embodiment described above, the
そして、上述した(式1)により、被測定電子部品装置Xの測定時推定温度Txを求める。また、求められた被測定電子部品装置Xの測定時推定温度Txを使用して、上述した(式2)により、基準温度Twと測定温度Toとのずれに起因して発生した測定誤差が補正された被測定電子部品装置Xの抵抗値Rwを求める。 Then, the measurement estimated temperature Tx of the measured electronic component device X is obtained by the above-described (Equation 1). Further, the measurement error generated due to the difference between the reference temperature Tw and the measurement temperature To is corrected by the above-described (Equation 2) using the obtained estimated temperature Tx of the measured electronic component device X. The resistance value Rw of the measured electronic component device X is obtained.
なお、基準電子部品Yの温度は第2温度センサ47の測定温度Tbと同じになっているため、上述した(式2)により補正後の被測定電子部品装置Xの抵抗値Rwを求めるにあたり、基準温度Twに代えて、第2温度センサ47の測定温度Tbを用いることも好ましい。
Since the temperature of the reference electronic component Y is the same as the measured temperature Tb of the
次に、本実施形態においては、上述した(式3)により、基準電子部品Yの測定抵抗値Roに対する、被測定電子部品装置Xの測定抵抗値R1(測定誤差が補正された被測定電子部品装置Xの抵抗値Rw)の偏差を求める。 Next, in the present embodiment, the measured resistance value R 1 of the measured electronic component device X with respect to the measured resistance value Ro of the reference electronic component Y (the measured electron whose measurement error is corrected) according to (Equation 3) described above. The deviation of the resistance value Rw) of the component device X is obtained.
そして、求められた、基準電子部品Yの測定抵抗値Roに対する、被測定電子部品装置Xの補正済測定抵抗値R1の偏差が、予め定められた範囲内である場合に被測定電子部品装置Xを良品と判断し、予め定められた範囲外である場合に被測定電子部品装置Xを不良品と判断する。なお、許容される偏差の範囲は、上述した基準電子部品Yの基準温度での抵抗値を考慮して定められる。 Then, the determined, for measuring the resistance value Ro of the reference electronic component Y, the deviation of the corrected measured resistance value R 1 of the measured electronic component device X is to be measured electronic component device if it is within a predetermined range X is determined to be a non-defective product, and if the measured electronic component device X is out of a predetermined range, the measured electronic component device X is determined to be defective. The allowable deviation range is determined in consideration of the resistance value at the reference temperature of the reference electronic component Y described above.
本実施形態においては、被測定電子部品装置Xの測定抵抗値から、基準温度と測定温度とのずれに起因して発生した測定誤差を補正するだけではなく、基準電子部品Yの測定抵抗値Roに対する、被測定電子部品装置Xの補正済測定抵抗値R1の偏差を求め、被測定電子部品装置Xの良品/不良品の判断を行っているため、さらに適正な良品/不良品の判断を行うことができる。 In the present embodiment, the measurement resistance value Ro of the reference electronic component Y is not only corrected from the measurement resistance value of the electronic component device X to be measured, but the measurement error caused by the difference between the reference temperature and the measurement temperature is corrected. for, a deviation of the corrected measured resistance value R 1 of the measured electronic component device X, because doing good / defective determination of the measured electronic component device X, a more appropriate non-defective / defective determination It can be carried out.
[第6実施形態]
図9に、第6実施形態において使用する電気的特性測定装置600を示す。ただし、図9は、電気的特性測定装置600の平面図である。
[Sixth Embodiment]
FIG. 9 shows an electrical
本実施形態において使用する電気的特性測定装置600は、上述した、第1実施形態において使用した電気的特性測定装置100に変更を加えた。
The electrical
電気的特性測定装置100は、パーツフィーダ1、リニアフィーダ2を備えていた。電気的特性測定装置600は、電気的特性測定装置100のパーツフィーダ1とリニアフィーダ2とを省略したうえで、これらに代えて、初期温度特定位置および搬送手段として、それぞれ、パーツトレイ61と、ピックアップノズル65とを設けた。また、電気的特性測定装置100では、リニアフィーダ2に第1温度センサ6を設けていたが、電気的特性測定装置600では、パーツトレイ61に第1温度センサ66を設けた。さらに、電気的特性測定装置600では、搬送体4を省略した。電気的特性測定装置600の他の構成は、電気的特性測定装置100と同じにした。
The electrical
本実施形態においては、まず、複数の被測定電子部品装置Xをパーツトレイ61に投入する。その後、しばらく時間を置き、被測定電子部品装置Xの温度をパーツトレイ61の温度になじませる(同じ温度にする)。
In the present embodiment, first, a plurality of measured electronic component devices X are put into the
次に、ピックアップノズル65で被測定電子部品装置Xの1つを吸着し、吸着した被測定電子部品装置Xを、測定ベース3の温度領域3Sの測定点7Pへ移動させる。本実施形態においては、ピックアップノズル65が被測定電子部品装置Xを吸着した時に、第1温度センサ66が測定したパーツトレイ61の温度を、被測定電子部品装置Xの初期温度と見做す。
Next, one of the measured electronic component devices X is sucked by the
次に、測定点7Pにおいて、被測定電子部品装置Xの電気的特性を測定する。電気的特性の測定結果は、第1実施形態と同様の方法によって補正する。
Next, the electrical characteristics of the electronic component device X to be measured are measured at the
次に、ピックアップノズル65で被測定電子部品装置Xを吸着し、吸着した被測定電子部品装置Xを、温度領域3Tの測定点7Qへ移動させる。なお、ここで使用するピックアップノズルとして、上記のピックアップノズル65と別のものを用意しても良い。
Next, the measured electronic component device X is sucked by the
次に、測定点7Qにおいて、被測定電子部品装置Xの電気的特性を測定する。電気的特性の測定結果は、第1実施形態と同様の方法によって補正する。
Next, the electrical characteristics of the measured electronic component device X are measured at the
次に、測定点7Pおよび測定点7Qでの電気的特性の測定結果に基づき、被測定電子部品装置Xを、不良品、電気的特性にバラツキの少ないランク1、許容範囲内であるが電気的特性にバラツキがあるランク2に分類する。そして、ピックアップノズル65で被測定電子部品装置Xを吸着し、上記の分類結果に基づき、吸着した被測定電子部品装置Xを、不良品排除領域U、被測定電子部品回収領域V、被測定電子部品回収領域Wのいずれかに移動させ、排除または回収する。
Next, based on the measurement result of the electrical characteristics at the
本実施形態においても、高い精度で被測定電子部品装置Xを選別することができる。 Also in this embodiment, it is possible to sort the electronic device to be measured X with high accuracy.
[第7実施形態]
図10に、第7実施形態において使用する電気的特性測定装置700を示す。ただし、図10は、電気的特性測定装置700の正面図(一部断面図)である。
[Seventh Embodiment]
FIG. 10 shows an electrical
本実施形態において使用する電気的特性測定装置700は、恒温槽71を備える。恒温槽71には、液体72が収容されている。液体72は、一定の温度に制御されており、かつ、常時、温度が測定されている。
The electrical
電気的特性測定装置700は、環状の電子部品固定治具73を備える。電子部品固定治具73は、モータ74に取付けられ、モータ74に駆動されて回転する。
The electrical
電気的特性測定装置700は、測定器78を備える。
The electrical
本実施形態においては、まず、電子部品固定治具73に、複数のラジアルリード型NTCサーミスタを被測定電子部品装置Xとして取付ける。
In the present embodiment, first, a plurality of radial lead type NTC thermistors are attached to the electronic
次に、モータ74で電子部品固定治具73を回転させ、被測定電子部品装置Xの本体部分を順番に液体72に浸漬させてゆく。そして、本体部分が液体72に浸漬した被測定電子部品装置Xの電気的特性(抵抗値)を、測定器78によって測定する。
Next, the electronic
本実施形態においては、室温を被測定電子部品装置Xの初期温度Taとする。また、液体72の温度を測定温度Tbとする。そして、初期温度Taと、測定温度Tbと、被測定電子部品装置Xの本体部分が液体72に浸漬されてから電気的特性が測定されるまでの時間tと、被測定電子部品装置Xの熱時定数τを、上述した(式1)に代入して、被測定電子部品装置Xの測定時推定温度Txを求める。また、求められた被測定電子部品装置Xの測定時推定温度Txを測定温度Toとして、上述した(式2)により、基準温度Twと測定温度Toとのずれに起因して発生した測定誤差が補正された被測定電子部品装置Xの抵抗値Rwを求める。 In the present embodiment, the room temperature is the initial temperature Ta of the electronic component device X to be measured. Further, the temperature of the liquid 72 is defined as a measurement temperature Tb. Then, the initial temperature Ta, the measurement temperature Tb, the time t from when the body part of the measured electronic component device X is immersed in the liquid 72 until the electrical characteristics are measured, and the heat of the measured electronic component device X By substituting the time constant τ into the above-described (Expression 1), the measurement estimated temperature Tx of the measured electronic component device X is obtained. Moreover, the measurement error generated due to the difference between the reference temperature Tw and the measurement temperature To according to the above (Equation 2), where the measured estimated temperature Tx of the measured electronic component device X is the measurement temperature To. The corrected resistance value Rw of the measured electronic component device X is obtained.
[第8実施形態]
図11に、第8実施形態において使用する電気的特性測定装置800を示す。ただし、図11は、電気的特性測定装置800の要部斜視図であり、後述する搬送体84のみを示している。
[Eighth Embodiment]
FIG. 11 shows an electrical
第1実施形態において使用した電気的特性測定装置100などでは、被測定電子部品装置Xを搬送する手段として、長方形の搬送体4を使用した。また、第4実施形態において使用した電気的特性測定装置400などでは、被測定電子部品装置Xを搬送する手段として、円形の搬送体44を使用した。電気的特性測定装置800は、これらに代えて、ドラム状の搬送体84を備えている。
In the electrical
搬送体84は、円筒状のドラム85を備えている。ドラム85には、複数の貫通したキャビティ85aが設けられている。電気的特性測定装置800では、被測定電子部品装置Xを、キャビティ85aの内部に保持して搬送する。
The
電気的特性測定装置800を使用すれば、高い精度で、電子部品装置の電気的特性の測定や選別をおこなうことができる。
If the electrical
[第9実施形態]
図12に、第9実施形態において使用する電気的特性測定装置900を示す。ただし、図11は、電気的特性測定装置900の要部斜視図であり、後述する搬送体94のみを示している。
[Ninth Embodiment]
FIG. 12 shows an electrical
第1実施形態において使用した電気的特性測定装置100などでは、被測定電子部品装置Xを搬送する手段として、長方形の搬送体4を使用した。また、第4実施形態において使用した電気的特性測定装置400などでは、被測定電子部品装置Xを搬送する手段として、円形の搬送体44を使用した。電気的特性測定装置900は、これらに代えて、ベルトコンベア状の搬送体94を備えている。
In the electrical
搬送体94は、ベルト95を備えている。ベルト95には、複数の貫通したキャビティ95aが設けられている。電気的特性測定装置900では、被測定電子部品装置Xを、キャビティ95aの内部に保持して搬送する。
The
電気的特性測定装置900を使用すれば、高い精度で、電子部品装置の電気的特性の測定や選別をおこなうことができる。
If the electrical
[第10実施形態]
図13に、第10実施形態において使用する電気的特性測定装置1000を示す。ただし、図13は、電気的特性測定装置1000の要部正面図であり、後述する搬送体98のみを示している。
[Tenth embodiment]
FIG. 13 shows an electrical
第4実施形態において使用した電気的特性測定装置400などでは、被測定電子部品装置Xを搬送する手段として、円形の搬送体44を使用した。搬送体44は、外周に複数の凹部44aが形成されていた。
In the electrical
電気的特性測定装置1000も、円形の搬送体98を備えている。ただし、搬送体98では、外周ではなく、面内に、複数の貫通したキャビティ98aが形成されている。本実施形態においては、搬送体98に、複数のキャビティ98aが、3列の同心状に配置して形成されている。
The electrical
電気的特性測定装置1000では、被測定電子部品装置Xを、キャビティ98aの内部に保持して搬送する。なお、搬送体98は、立てた状態で、すなわち、地平面に対して垂直に設置して使用することができる。
In the electrical
電気的特性測定装置1000を使用すれば、高い精度で、電子部品装置の電気的特性の測定や選別をおこなうことができる。
If the electrical
以上、第1実施形態〜第7実施形態について説明した。しかしながら、本発明が上述した内容に限定されることはなく、発明の趣旨に沿って種々の変更をなすことができる。 The first to seventh embodiments have been described above. However, the present invention is not limited to the contents described above, and various modifications can be made in accordance with the spirit of the invention.
たとえば、第1実施形態〜第7実施形態では、NTCサーミスタの抵抗値を測定したが、電子部品の種類はNTCサーミスタには限定されず、測定される電気的特性も抵抗値には限定されない。たとえば、PTCサーミスタや固定抵抗の抵抗値を測定しても良いし、キャパシタのキャパシタンス値や、インダクタのインダクタンス値を測定しても良い。 For example, in the first to seventh embodiments, the resistance value of the NTC thermistor is measured, but the type of electronic component is not limited to the NTC thermistor, and the measured electrical characteristics are not limited to the resistance value. For example, the resistance value of a PTC thermistor or a fixed resistor may be measured, or the capacitance value of a capacitor or the inductance value of an inductor may be measured.
また、第1実施形態、第2実施形態、第4実施形態〜第7実施形態では、第1温度の被測定電子部品装置が、第1温度と異なる第2温度の第2温度領域に置かれた場合の、時間t経過後の前記被測定電子部品装置の温度を推定する第1の相関関係として、上述した(式1)を使用した。しかしながら、(式1)は一例であり、他の相関関係式を使用しても良い。また、第3実施形態のように、第1の相関関係を示した表を使用しても良い。 In the first embodiment, the second embodiment, and the fourth to seventh embodiments, the electronic component device to be measured having the first temperature is placed in the second temperature region having the second temperature different from the first temperature. As the first correlation for estimating the temperature of the measured electronic component device after the elapse of time t, (Equation 1) described above was used. However, (Equation 1) is an example, and other correlation equations may be used. Moreover, you may use the table | surface which showed the 1st correlation like 3rd Embodiment.
また、第1実施形態、第2実施形態、第4実施形態〜第7実施形態では、電気的特性を測定する時に被測定電子部品装置があるべき温度である基準温度と、電気的特性を測定した時の被測定電子部品装置の実際の温度である測定温度とから、測定電気的特性に含まれる、基準温度と前記測定温度とのずれに起因して発生する測定誤差を補正する第2の相関関係として、上述した(式2)を使用した。しかしながら、(式2)は一例であり、他の相関関係式を使用しても良い。たとえば、NTCサーミスタの温度抵抗特性の近似式である、Steinhrt-Hart式を使用しても良い。また、第3実施形態のように、第2の相関関係を示した表を使用しても良い。 In the first embodiment, the second embodiment, and the fourth to seventh embodiments, when measuring the electrical characteristics, the reference temperature, which is the temperature at which the measured electronic component device should be, and the electrical characteristics are measured. A measurement error that is caused by a deviation between the reference temperature and the measurement temperature, which is included in the measurement electrical characteristics, from the measurement temperature that is the actual temperature of the measured electronic component device at the time of the measurement. As the correlation, (Equation 2) described above was used. However, (Equation 2) is an example, and other correlation equations may be used. For example, the Steinhrt-Hart equation, which is an approximate equation of the temperature resistance characteristic of the NTC thermistor, may be used. Moreover, you may use the table | surface which showed 2nd correlation like 3rd Embodiment.
なお、本発明の電子部品装置の選別方法においては、基準温度と測定温度とのずれに起因して発生した測定誤差が補正された補正済電気的特性を取得し、補正済電気的特性を選別基準と比較して電子部品装置を選別するのに代えて、測定時推定温度に対応して選別基準を対応補正して、対応補正選別基準を取得し、測定電気的特性を対応補正選別基準と比較して前記電子部品装置を選別するようにしても良い。 In the electronic component device sorting method of the present invention, corrected electrical characteristics obtained by correcting a measurement error caused by a difference between the reference temperature and the measured temperature are acquired, and the corrected electrical characteristics are sorted. Instead of sorting the electronic component device compared to the standard, the sorting standard is correspondingly corrected corresponding to the estimated temperature at the time of measurement, the corresponding corrected sorting standard is obtained, and the measured electrical characteristic is the corresponding corrected sorting standard. The electronic component devices may be selected by comparison.
本発明の有効性を確認するために、以下の実験を行った。 In order to confirm the effectiveness of the present invention, the following experiment was conducted.
[実験例1]
比較例1、比較例2、実施例1、実施例2の実験を行い、測定精度を比較した。本実験においては、被測定電子部品にNTCサーミスタを用い、電気的特性として抵抗値を測定した。また、基準温度を25℃とし、室温は24℃に制御した。
[Experimental Example 1]
Experiments of Comparative Example 1, Comparative Example 2, Example 1, and Example 2 were performed to compare measurement accuracy. In this experiment, an NTC thermistor was used as an electronic component to be measured, and a resistance value was measured as an electrical characteristic. The reference temperature was 25 ° C. and the room temperature was controlled at 24 ° C.
比較例1には、特許文献1に開示された方法を用いた。すなわち、温度センサ(白金センサ)で搬送経路の温度を測定し、測定された温度が基準温度からずれると、搬送経路を基準温度に近づけるように制御したうえで、被測定電子部品の抵抗値を測定した。
In Comparative Example 1, the method disclosed in
比較例2には、特許文献2に開示された方法を用いた。すなわち、被測定電子部品の抵抗値測定と同時に、基準電子部品の抵抗値を測定し、基準電子部品の測定抵抗値に対する、被測定電子部品の測定抵抗値の偏差を算出した。そして、その偏差に基づき、被測定電子部品の抵抗値(実数)を求めた。
In Comparative Example 2, the method disclosed in
実施例1には、上述した第4実施形態の方法を用いた。すなわち、第1温度センサ6、中間温度センサ48a、48b、48c、48d、48e、48f、48g、第2温度センサ47により、搬送経路の温度を測定し、被測定電子部品の測定時の測定時推定温度を算出して、基準温度と測定温度とのずれに起因して発生した測定誤差が補正された補正済抵抗値を得た。
In Example 1, the method of the fourth embodiment described above was used. That is, the temperature of the conveyance path is measured by the
実施例2には、上述した第5実施形態の方法を用いた。すなわち、第1温度センサ6、中間温度センサ48a、48b、48c、48d、48e、48f、48g、第2温度センサ47により、搬送経路の温度を測定し、被測定電子部品の測定時の測定時推定温度を算出して、基準温度と測定温度とのずれに起因して発生した測定誤差が補正された補正済抵抗値を得るとともに、被測定電子部品の抵抗値測定と同時に基準電子部品の抵抗値を測定し、基準電子部品の測定抵抗値に対する、被測定電子部品の補正済抵抗値の偏差を算出した。そして、その偏差に基づき、被測定電子部品の抵抗値(実数)を求めた。
In Example 2, the method of the fifth embodiment described above was used. That is, the temperature of the conveyance path is measured by the
電気的特性測定装置の運転速度を変化させることにより、比較例1、比較例2、実施例1、実施例2それぞれについて、3種類の測定結果を取得した。具体的には、低速(100個/分)、中速(1000個/分)、高速(3000個/分)それぞれについて、測定結果を取得した。 By changing the operating speed of the electrical characteristic measuring device, three types of measurement results were obtained for each of Comparative Example 1, Comparative Example 2, Example 1, and Example 2. Specifically, measurement results were obtained for each of a low speed (100 pieces / minute), a medium speed (1000 pieces / minute), and a high speed (3000 pieces / minute).
測定精度は、比較例1、比較例2、実施例1、実施例2、それぞれにおいて、同一試料を電気的特性測定装置に10回投入することにより、次の(式4)から求めた。なお、最大抵抗値とは10回投入した中で最大の抵抗値であり、最小抵抗値とは10回投入した中で最小の抵抗値である。また、基準抵抗値とは、その被測定電子部品の供給者が、その被測定電子部品の使用者に対して保証している抵抗値である。
The measurement accuracy was obtained from the following (Equation 4) by putting the
(表4)に、比較例1、比較例2、実施例1、実施例2の測定結果を示す。 Table 4 shows the measurement results of Comparative Example 1, Comparative Example 2, Example 1, and Example 2.
比較例1、比較例2、実施例1、実施例2の測定結果を比較した場合、(表4)から分かるように、電気的特性測定装置の運転速度が同じである場合には、運転速度が低速(100個/分)、中速(1000個/分)、高速(3000個/分)であるかにかかわらず、比較例1の測定精度が最も悪く、実施例2の測定精度が最も良かった。 When the measurement results of Comparative Example 1, Comparative Example 2, Example 1, and Example 2 are compared, as can be seen from (Table 4), when the operating speed of the electrical characteristic measuring device is the same, the operating speed The measurement accuracy of Comparative Example 1 is the worst, and the measurement accuracy of Example 2 is the highest, regardless of whether the speed is low (100 / min), medium (1000 / min), or high (3000 / min). Was good.
比較例2と実施例1とを比較した場合、低速、中速では、比較例2が実施例1よりも優れていたが、高速においては、実施例1が比較例2よりも優れていた。 When Comparative Example 2 and Example 1 were compared, Comparative Example 2 was superior to Example 1 at low speeds and medium speeds, but Example 1 was superior to Comparative Example 2 at high speeds.
以上より、第5実施形態のように、被測定電子部品の抵抗値測定と同時に基準電子部品の抵抗値を測定し、基準電子部品の測定抵抗値に対する、被測定電子部品の補正済抵抗値の偏差を算出する方法で本発明を実施すれば、高い精度で抵抗値を測定できることが分かった。 As described above, as in the fifth embodiment, the resistance value of the reference electronic component is measured simultaneously with the measurement of the resistance value of the measured electronic component, and the corrected resistance value of the measured electronic component with respect to the measured resistance value of the reference electronic component is calculated. It was found that the resistance value can be measured with high accuracy if the present invention is implemented by the method of calculating the deviation.
また、第4実施形態のように、上記偏差を算出しない方法であっても、電気的特性測定装置を高速で運転する場合には、従来の方法よりも十分に高い精度で抵抗値を測定できることが分かった。 Moreover, even when the deviation is not calculated as in the fourth embodiment, the resistance value can be measured with sufficiently higher accuracy than the conventional method when the electrical characteristic measuring apparatus is operated at high speed. I understood.
[実験例2]
実験例2では、比較例3、比較例4、実施例3、実施例4の実験を行い、測定精度を比較した。本実験においても、被測定電子部品にNTCサーミスタを用い、電気的特性として抵抗値を測定した。
[Experiment 2]
In Experimental Example 2, the experiments of Comparative Example 3, Comparative Example 4, Example 3, and Example 4 were performed, and the measurement accuracy was compared. Also in this experiment, an NTC thermistor was used for the electronic component to be measured, and the resistance value was measured as an electrical characteristic.
上述した実験例1では、基準温度を25℃としたが、実験例2では、基準温度を50℃とした。実験例2の他の事項については、実験例1と同様にした。 In Experimental Example 1 described above, the reference temperature was 25 ° C., but in Experimental Example 2, the reference temperature was 50 ° C. The other items in Experimental Example 2 were the same as in Experimental Example 1.
比較例3は、実験例1の比較例1と同じ方法によった。 In Comparative Example 3, the same method as in Comparative Example 1 of Experimental Example 1 was used.
比較例4は、実験例1の比較例2と同じ方法によった。 In Comparative Example 4, the same method as in Comparative Example 2 of Experimental Example 1 was used.
実施例3は、実験例1の実施例1と同じ方法によった。 In Example 3, the same method as in Example 1 of Experimental Example 1 was used.
実施例4は、実験例1の実施例2と同じ方法によった。 In Example 4, the same method as in Example 2 of Experimental Example 1 was used.
(表5)に、比較例3、比較例4、実施例3、実施例4の測定結果を示す。 Table 5 shows the measurement results of Comparative Example 3, Comparative Example 4, Example 3, and Example 4.
(表5)から分かるように、実験例2においても、実験例1と同様の結果が出た。この結果より、本発明は、基準温度のいかんにかかわらず有効であることが分かった。 As can be seen from (Table 5), in Experimental Example 2, the same results as in Experimental Example 1 were obtained. From this result, it was found that the present invention is effective regardless of the reference temperature.
以上、実験例1、実験例2により、本発明によれば、高い精度で電子部品の電気的特性を測定できることが分かった。 As described above, it has been found from Experimental Examples 1 and 2 that according to the present invention, the electrical characteristics of the electronic component can be measured with high accuracy.
1・・・パーツフィーダ
2・・・リニアフィーダ
3・・・測定ベース
3S・・・温度領域(25℃)
3T・・・温度領域(50℃)
4・・・搬送体(長方形)
4a・・・凹部
44・・・搬送体(円形)
44a・・・凹部
5a、5b・・・ペルチェ素子
7P、7Q、57P、57Q・・・測定点
6、66・・・第1温度センサ
8、47・・・第2温度センサ
9・・・第3温度センサ
10、14・・・当接部材
11a、11b、12a、12b、15a、15b、16a、16b・・・測定端子
13、17・・・測定端子駆動機構
18、78・・・測定器
19・・・パーソナルコンピュータ(PC)
48a、48b、48c、48d、48e、48f、48g・・・中間温度センサ
61・・・パーツトレイ
65・・・ピックアップノズル
71・・・恒温槽
72・・・液体
73・・・電子部品固定治具
H・・・温度制御手段
U・・・不良品排除領域
V、W・・・被測定電子部品回収領域
X・・・被測定電子部品(NTCサーミスタ)
Y・・・基準電子部品(NTCサーミスタ)
100、200、400、500、600、700・・・電気的特性測定装置
DESCRIPTION OF
3T ... temperature range (50 ° C)
4 ... Conveyer (rectangular)
4a: Recess 44: Conveying body (circular)
44a ...
48a, 48b, 48c, 48d, 48e, 48f, 48g ...
Y ... Reference electronic component (NTC thermistor)
100, 200, 400, 500, 600, 700... Electrical characteristics measuring device
Claims (17)
前記被測定電子部品装置は、初期温度特定位置を経由して測定点に搬送され、前記測定点において、前記電気的特性が測定されて測定電気的特性が取得され、
第1温度の前記被測定電子部品装置が、前記第1温度と異なる第2温度の第2温度領域に置かれた場合の、時間t経過後の前記被測定電子部品装置の温度を推定する第1の相関関係と、
前記電気的特性を測定する時に前記被測定電子部品装置があるべき温度である基準温度と、前記電気的特性を測定した時の前記被測定電子部品装置の実際の温度である測定温度とから、前記測定電気的特性に含まれる、前記基準温度と前記測定温度とのずれに起因して発生する測定誤差を補正する第2の相関関係と、をそれぞれ明らかにし、
前記初期温度特定位置において前記被測定電子部品装置の初期温度を特定し、
前記測定点の温度であるところの測定点温度を特定し、
前記初期温度特定位置を経由した前記被測定電子部品装置が前記測定点の温度領域に入ってから前記電気的特性が測定されるまでに要した経過時間を特定し、
前記第1の相関関係において、前記初期温度を前記第1温度とし、前記測定点温度を前記第2温度とし、前記経過時間を時間tとすることで、前記電気的特性を測定した時の前記被測定電子部品装置の測定時推定温度を推定し、
前記第2の相関関係において、前記測定時推定温度を前記測定温度とすることにより、前記基準温度と前記測定温度とのずれに起因して発生した測定誤差が補正された補正済電気的特性を取得する、電子部品装置の電気的特性測定方法。 An electrical property measurement method for an electronic component device for measuring an electrical property of an electronic component device to be measured,
The measured electronic component device is transported to a measurement point via an initial temperature specific position, where the electrical characteristic is measured and the measured electrical characteristic is obtained at the measurement point,
When the electronic component device to be measured having the first temperature is placed in a second temperature region having a second temperature different from the first temperature, the temperature of the electronic component device to be measured after the elapse of time t is estimated. 1 correlation,
From the reference temperature that is the temperature at which the measured electronic component device should be when measuring the electrical characteristics, and the measured temperature that is the actual temperature of the measured electronic component device when measuring the electrical characteristics, A second correlation for correcting a measurement error caused by a deviation between the reference temperature and the measured temperature, included in the measured electrical characteristics, respectively,
Specify the initial temperature of the electronic device to be measured at the initial temperature specifying position,
Identify the measurement point temperature that is the temperature of the measurement point,
Specify the elapsed time required until the electrical characteristics are measured after the measured electronic component device via the initial temperature specifying position enters the temperature region of the measurement point,
In the first correlation, the initial temperature is the first temperature, the measurement point temperature is the second temperature, and the elapsed time is the time t, so that the electrical characteristics are measured. Estimate the estimated temperature during measurement of the measured electronic component device,
In the second correlation, a corrected electrical characteristic in which a measurement error caused by a deviation between the reference temperature and the measured temperature is corrected by setting the estimated temperature at the time of measurement as the measured temperature. A method for measuring electrical characteristics of an electronic component device.
前記初期温度特定位置における前記被測定電子部品装置の初期温度の特定が、
前記被測定電子部品装置が前記初期温度特定位置を経由した時に、前記第1温度センサにより測定された前記初期温度特定位置の温度を、前記被測定電子部品装置の前記初期温度とするものである、請求項1に記載の電子部品装置の電気的特性測定方法。 A first temperature sensor for measuring the temperature of the initial temperature specific position is provided;
Specifying the initial temperature of the measured electronic component device at the initial temperature specifying position,
When the measured electronic component device passes through the initial temperature specific position, the temperature at the initial temperature specific position measured by the first temperature sensor is used as the initial temperature of the measured electronic component device. The method for measuring electrical characteristics of an electronic component device according to claim 1.
前記第1の相関関係において、前記初期温度を前記第1温度とし、前記測定点温度を前記第2温度とし、前記経過時間を時間tとすることで、前記電気的特性を測定した時の前記被測定電子部品装置の測定時推定温度を推定するのに代えて、
前記第1の相関関係において、前記初期温度を前記第1温度とし、前記被測定電子部品装置が前記中間温度センサの温度領域を通過している時に前記中間温度センサで測定された前記搬送経路の温度を前記第2温度とし、前記被測定電子部品装置が前記中間温度センサの温度領域に入ってから前記中間温度センサの温度領域を出るまでに要した時間を前記tとすることにより、前記中間温度センサの温度領域を出た時の前記被測定電子部品装置の推定温度を推定し、
さらに、前記第1の相関関係において、前記中間温度センサの温度領域を出た時の前記被測定電子部品装置の前記推定温度を前記第1温度とし、前記測定点温度を前記第2温度とし、前記中間温度センサの温度領域を出た前記被測定電子部品装置が前記測定点の温度領域に入ってから前記電気的特性が測定されるまでに要した経過時間を前記tとすることにより、前記電気的特性を測定した時の前記被測定電子部品の測定時推定温度を算出する、請求項3に記載された電子部品装置の電気的特性測定方法。 One intermediate temperature sensor is provided between the initial temperature specific position and the measurement point,
In the first correlation, the initial temperature is the first temperature, the measurement point temperature is the second temperature, and the elapsed time is the time t, so that the electrical characteristics are measured. Instead of estimating the estimated temperature during measurement of the measured electronic component device,
In the first correlation, the initial temperature is set as the first temperature, and the transport path measured by the intermediate temperature sensor when the measured electronic component device passes the temperature range of the intermediate temperature sensor. By setting the temperature to be the second temperature, and the time required for the measured electronic component device to enter the temperature range of the intermediate temperature sensor and exit the temperature range of the intermediate temperature sensor is set to t. Estimating the estimated temperature of the measured electronic component device when leaving the temperature range of the temperature sensor,
Further, in the first correlation, the estimated temperature of the measured electronic component device when it exits the temperature range of the intermediate temperature sensor is the first temperature, the measurement point temperature is the second temperature, By letting t be the elapsed time required from when the measured electronic component device exiting the temperature range of the intermediate temperature sensor enters the temperature range of the measurement point until the electrical characteristics are measured, The method for measuring an electrical property of an electronic component device according to claim 3, wherein an estimated temperature during measurement of the electronic component to be measured when the electrical property is measured is calculated.
前記第1の相関関係において、前記初期温度を前記第1温度とし、前記測定点温度を前記第2温度とし、前記経過時間を時間tとすることで、前記電気的特性を測定した時の前記被測定電子部品装置の測定時推定温度を推定するのに代えて、
前記第1の相関関係において、前記初期温度を前記第1温度とし、前記被測定電子部品装置が1つ目の前記中間温度センサの温度領域を通過している時に1つ目の前記中間温度センサで測定された前記搬送経路の温度を前記第2温度とし、前記被測定電子部品装置が1つ目の前記中間温度センサの温度領域に入ってから1つ目の前記中間温度センサの温度領域を出るまでに要した時間を前記tとすることにより、1つ目の前記中間温度センサの温度領域を出た時の前記被測定電子部品装置の推定温度を推定し、
さらに、前記第1の相関関係において、1つ目の前記中間温度センサの温度領域を出た時の前記被測定電子部品装置の前記推定温度を前記第1温度とし、前記被測定電子部品装置が2つ目の前記中間温度センサの温度領域を通過している時に2つ目の前記中間温度センサで測定された前記搬送経路の温度を前記第2温度とし、1つ目の前記中間温度センサの温度領域を出た前記被測定電子部品装置が2つ目の前記中間温度センサの温度領域に入ってから2つ目の前記中間温度センサの温度領域を出るまでに要した時間を前記tとすることにより、2つ目の前記中間温度センサの温度領域を出た時の前記被測定電子部品装置の推定温度を推定し、
前記中間温度センサが3つ以上設けられている場合には、同様の方法により、当該中間温度センサの温度領域を出た時の前記被測定電子部品装置の推定温度を算出し、
さらに、前記第1の相関関係において、最後の前記中間温度センサの温度領域を出た時の前記被測定電子部品装置の前記推定温度を前記第1温度とし、前記測定点温度を前記第2温度とし、最後の前記中間温度センサの温度領域を出た前記被測定電子部品装置が前記測定点の温度領域に入ってから前記電気的特性が測定されるまでに要した経過時間を前記tとすることにより、前記電気的特性を測定した時の前記被測定電子部品装置の測定時推定温度を算出する、請求項3に記載された電子部品装置の電気的特性測定方法。 A plurality of intermediate temperature sensors are provided between the initial temperature specific position and the measurement point,
In the first correlation, the initial temperature is the first temperature, the measurement point temperature is the second temperature, and the elapsed time is the time t, so that the electrical characteristics are measured. Instead of estimating the estimated temperature during measurement of the measured electronic component device,
In the first correlation, the initial temperature is the first temperature, and the first intermediate temperature sensor when the measured electronic component device passes the temperature range of the first intermediate temperature sensor. The temperature of the conveyance path measured in step 2 is set as the second temperature, and the temperature range of the first intermediate temperature sensor after the measured electronic component device enters the temperature range of the first intermediate temperature sensor Estimating the estimated temperature of the measured electronic component device when exiting the temperature range of the first intermediate temperature sensor by taking the time required to exit as t,
Furthermore, in the first correlation, the estimated temperature of the measured electronic component device when the temperature range of the first intermediate temperature sensor is exited is the first temperature, and the measured electronic component device is The temperature of the conveyance path measured by the second intermediate temperature sensor when passing through the temperature range of the second intermediate temperature sensor is the second temperature, and the first intermediate temperature sensor The time required for the measured electronic component device exiting the temperature region to enter the temperature region of the second intermediate temperature sensor and then exit the temperature region of the second intermediate temperature sensor is defined as t. Accordingly, the estimated temperature of the electronic device to be measured when leaving the temperature range of the second intermediate temperature sensor is estimated,
When three or more intermediate temperature sensors are provided, a similar method is used to calculate an estimated temperature of the measured electronic component device when the temperature range of the intermediate temperature sensor is exited,
Further, in the first correlation, the estimated temperature of the electronic device to be measured when the temperature range of the last intermediate temperature sensor leaves is the first temperature, and the measurement point temperature is the second temperature. And t is the elapsed time required from when the measured electronic component device that has left the temperature range of the intermediate temperature sensor enters the temperature range of the measurement point until the electrical characteristics are measured. The method for measuring electrical characteristics of an electronic component device according to claim 3, wherein an estimated temperature during measurement of the measured electronic component device when the electrical characteristics are measured is calculated.
前記測定点温度が前記基準温度と等しいと見做す、請求項7に記載の電子部品装置の電気的特性測定方法。 The predetermined target temperature as the reference temperature,
The method for measuring electrical characteristics of an electronic component device according to claim 7, wherein the measurement point temperature is considered to be equal to the reference temperature.
前記被測定電子部品装置は、初期温度特定位置を経由して測定点に搬送され、前記測定点において、前記電気的特性が測定されて測定電気的特性が取得され、
第1温度の前記被測定電子部品装置が、前記第1温度と異なる第2温度の第2温度領域に置かれた場合の、時間t経過後の前記被測定電子部品装置の温度を推定する第1の相関関係と、
前記電気的特性を測定する時に前記被測定電子部品装置があるべき温度である基準温度と、前記電気的特性を測定した時の前記被測定電子部品装置の実際の温度である測定温度とから、前記測定電気的特性に含まれる、前記基準温度と前記測定温度とのずれに起因して発生する測定誤差を補正する第2の相関関係と、をそれぞれ明らかにし、
前記電子部品装置の前記基準温度における電気的特性に対して、選別基準を設定し、
前記初期温度特定位置において前記被測定電子部品装置の初期温度を特定し、
前記測定点の温度であるところの測定点温度を特定し、
前記初期温度特定位置を経由した前記被測定電子部品装置が前記測定点の温度領域に入ってから前記電気的特性が測定されるまでに要した経過時間を特定し、
前記第1の相関関係において、前記初期温度を前記第1温度とし、前記測定点温度を前記第2温度とし、前記経過時間を時間tとすることで、前記電気的特性を測定した時の前記被測定電子部品装置の測定時推定温度を推定し、
前記第2の相関関係において、前記測定時推定温度を前記測定温度とすることにより、前記基準温度と前記測定温度とのずれに起因して発生した測定誤差が補正された補正済電気的特性を取得し、前記補正済電気的特性を前記選別基準と比較して前記電子部品装置を選別する、電子部品装置の選別方法。 An electronic component device sorting method that measures electrical characteristics of the measured electronic component device and sorts the measured electronic component device according to the measurement result,
The measured electronic component device is transported to a measurement point via an initial temperature specific position, where the electrical characteristic is measured and the measured electrical characteristic is obtained at the measurement point,
When the electronic component device to be measured having the first temperature is placed in a second temperature region having a second temperature different from the first temperature, the temperature of the electronic component device to be measured after the elapse of time t is estimated. 1 correlation,
From the reference temperature that is the temperature at which the measured electronic component device should be when measuring the electrical characteristics, and the measured temperature that is the actual temperature of the measured electronic component device when measuring the electrical characteristics, A second correlation for correcting a measurement error caused by a deviation between the reference temperature and the measured temperature, included in the measured electrical characteristics, respectively,
For the electrical characteristics at the reference temperature of the electronic component device, set a selection criterion,
Specify the initial temperature of the electronic device to be measured at the initial temperature specifying position,
Identify the measurement point temperature that is the temperature of the measurement point,
Specify the elapsed time required until the electrical characteristics are measured after the measured electronic component device via the initial temperature specifying position enters the temperature region of the measurement point,
In the first correlation, the initial temperature is the first temperature, the measurement point temperature is the second temperature, and the elapsed time is the time t, so that the electrical characteristics are measured. Estimate the estimated temperature during measurement of the measured electronic component device,
In the second correlation, a corrected electrical characteristic in which a measurement error caused by a deviation between the reference temperature and the measured temperature is corrected by setting the estimated temperature at the time of measurement as the measured temperature. A method for selecting an electronic component device, wherein the electronic component device is selected by acquiring and comparing the corrected electrical characteristic with the selection criterion.
前記測定時推定温度に対応して前記選別基準を対応補正して、対応補正選別基準を取得し、前記測定電気的特性を前記対応補正選別基準と比較して前記電子部品装置を選別する、請求項9に記載された電子部品装置の選別方法。 In the second correlation, a corrected electrical characteristic in which a measurement error caused by a deviation between the reference temperature and the measured temperature is corrected by setting the estimated temperature at the time of measurement as the measured temperature. Instead of obtaining and sorting the electronic component device by comparing the corrected electrical characteristics with the sorting criteria,
Correspondingly correcting the selection criterion corresponding to the estimated temperature at the time of measurement, obtaining a corresponding correction selection criterion, and comparing the measured electrical characteristics with the corresponding correction selection criterion to select the electronic component device. Item 10. A method for selecting an electronic component device according to Item 9.
前記基準電子部品装置を、前記測定点の近傍に配置し、前記被測定電子部品装置の前記電気的特性の測定と同時に、または、前後して、前記基準電子部品装置の電気的特性を測定して、前記基準電子部品装置の測定電気的特性を取得し、
前記基準電子部品装置の前記測定電気的特性から、前記基準電子部品装置の測定温度およびそれに対応する前記選別基準を特定し、
前記測定点温度を、前記基準電子部品装置の前記測定温度と等しいと見做し、さらに前記基準温度を、前記基準電子部品装置の前記測定温度で置き換えることで、前記基準電子部品装置の前記測定温度における、前記電子部品装置の補正済電気的特性を取得する、請求項9または10に記載された電子部品装置の選別方法。 A reference electronic component device in which a relationship between a measurement temperature in a necessary range and an electrical characteristic is specified in advance is selected, and the selection criterion is used as an electrical characteristic of the reference electronic component device over the measurement temperature in the necessary range. Set the relative value of
The reference electronic component device is arranged in the vicinity of the measurement point, and the electrical characteristics of the reference electronic component device are measured simultaneously with or before or after the measurement of the electrical characteristics of the measured electronic component device. To obtain the measured electrical characteristics of the reference electronic component device,
From the measured electrical characteristics of the reference electronic component device, specify the measurement temperature of the reference electronic component device and the selection criteria corresponding thereto,
By assuming that the measurement point temperature is equal to the measurement temperature of the reference electronic component device, and further replacing the reference temperature with the measurement temperature of the reference electronic component device, the measurement of the reference electronic component device The method of selecting an electronic component device according to claim 9 or 10, wherein the corrected electrical characteristic of the electronic component device at a temperature is acquired.
前記測定点において、前記被測定電子部品装置の電気的特性を測定する測定器と、を備えた電気的特性測定装置であって、
前記初期温度特定位置、または、前記初期温度特定位置の近傍に、前記被測定電子部品装置の初期温度を特定する初期温度特定手段が設けられ、
前記測定点、または、前記測定点の近傍に、前記測定点の温度であるところの測定点温度を特定する測定点温度特定手段が設けられた、電気的特性測定装置。 A transport mechanism for transporting the measured electronic component device from the initial temperature specific position to the measurement point;
An electrical characteristic measuring device comprising: a measuring instrument for measuring electrical characteristics of the electronic component device to be measured at the measurement point;
In the vicinity of the initial temperature specifying position or the initial temperature specifying position, initial temperature specifying means for specifying an initial temperature of the electronic component device to be measured is provided,
An electrical characteristic measuring device provided with a measuring point temperature specifying means for specifying a measuring point temperature which is a temperature of the measuring point in the vicinity of the measuring point or the measuring point.
The electrical characteristic measuring device according to any one of claims 12 to 16, wherein a measuring point of a reference electronic component is provided in the vicinity of the measuring point of the measured electronic component device.
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