JP2018046188A - 半導体発光素子駆動回路、液滴吐出装置 - Google Patents

Abstract

【課題】制御元からスイッチング信号を出力するチャンネル数を、スイッチング制御数よりも軽減する。【解決手段】ＦＰＧＡ２００では、レーザパワーを特定する信号をＰＷＭ信号とし、半導体発光素子ブロック７４の光出力の平均値が最大となるときのＰＷＭ信号のオン期間がその信号周期の５０％未満となるように、半導体発光素子駆動部６０におけるスイッチングパルスの周期、インダクタンス値、及び電源電圧を設定し、ＰＷＭ信号のオフ期間を他の半導体発光素子ブロック７４のＰＷＭ信号に適用するようにした。半導体発光素子ブロック７４の光出力の平均値が最大となるときのＰＷＭ信号のオン期間がその信号周期の５０％未満としており、単一のＰＷＭ信号に、２種類のレーザパワーを特定する信号を重畳した。復調回路部２２８では、例えば、多重化信号と選択信号との論理積によって、各スイッチング信号を抽出する。【選択図】図５

Description

本発明は、半導体発光素子駆動回路、液滴吐出装置に関する。

例えば、インクジェットプリンタにより画像形成の際、液滴（インク）を乾燥するために半導体発光素子から発光する光を適用する場合がある。光は、液滴の乾燥度合いに応じて光量が制御される。

特許文献１には、二つの電源のスイッチング信号の位相を逆、キャリアを同一にして、二つの電源を直列接続したときのリップルを抑制することが記載されている。

特許文献２には、ＰＷＭ変調された制御信号を多重化することが記載されている。

特許文献３には、データをラッチすることでパルスを生成することが記載されている。

特開２００３−０４７２５３号公報 特開２００５−３０８８２８号公報 特許第２００７−２３７５２９号公報

例えば、液滴吐出装置において、半導体発光素子から発光する光でインクを乾燥する際に、主走査方向に細分化してスイッチング制御すると、細分化に応じて制御元からスイッチング信号を出力するチャンネル数が増加する。

本発明は、制御元からスイッチング信号を出力するチャンネル数を、スイッチング制御数よりも軽減することができる半導体発光素子駆動回路、液滴吐出装置を得ることが目的である。

請求項１に記載の発明は、複数のスイッチング信号を各々のオン期間が互いに重複しないように時分割で多重化することにより生成された多重化信号と、当該時分割の周期と同期した選択信号とを伝送する伝送手段と、前記伝送手段から伝送された前記多重化信号と前記選択信号とを用いて、前記複数のスイッチング信号の各々に復調し、復調したスイッチング信号の各々を、複数の半導体発光素子を個別に駆動する複数の電源部へ供給する供給手段と、を有する半導体発光素子駆動回路である。

請求項２に記載の発明は、前記請求項１に記載の発明において、前記供給手段は、前記選択信号によって選択された期間以外はオフ信号で補間して、前記多重化信号を前記複数のスイッチング信号の各々に復調する。

請求項３に記載の発明は、前記請求項１又は請求項２に記載の発明において、前記多重化信号と前記選択信号とを論理回路の入力端に入力させることによって、前記論理回路の出力端から前記多重化信号に重畳された複数のスイッチング信号の各々を抽出し、かつオフ信号を生成する。

請求項４に記載の発明は、前記請求項１又は請求項２に記載の発明において、前記供給手段が、多重化信号から各スイッチング信号へ振り分けるアナログスイッチと、前記アナログスイッチの端子に設けられ、オフ信号を再生するためのプルダウン抵抗又はプルアップ抵抗と、を備える。

請求項５に記載の発明は、前記請求項１〜請求項４の何れか１項記載の発明において、前記電源部は、スイッチング信号を受信する受付部を備えるスイッチング素子と、前記スイッチング素子の出力端子に接続され、かつ前記半導体発光素子と並列関係にあるインダクタと、前記半導体発光素子に並列接続されたコンデンサと、前記スイッチング素子および半導体発光素子と直列関係にある電圧源を備え、半導体発光素子を駆動する駆動電圧とほぼ同等になるように前記電源部の出力電圧を設定して、かつ前記スイッチング信号のオン期間の最大幅を前記多重化信号の周期の５０％未満としたときに、前記インダクタに電流が流れる期間が前記多重化信号の周期の１００％未満となるように前記インダクタのインダクタンス値を設定する。

請求項６に記載の発明は、前記請求項５に記載の発明において、前記多重化信号に重畳する前記スイッチング信号のオン期間の最大幅の合計が、前記多重化信号の周期の１００％未満となるように、多重化信号を生成する。

請求項７に記載の発明は、液滴を吐出することで記録用紙に画像を形成する画像形成部と、前記画像形成部での画像形成後の記録用紙の画像形成面と対峙された半導体発光素子を備え、当該半導体発光素子の発光時の熱量により液滴を乾燥させる乾燥部と、前記半導体発光素子の発光を制御する半導体発光素子駆動回路とを有し、前記半導体発光素子駆動回路が、複数のスイッチング信号を各々のオン期間が互いに重複しないように時分割で多重化することで生成された多重化信号と、当該時分割の周期と同期した選択信号とを伝送する伝送手段と、前記伝送手段から伝送された前記多重化信号と前記選択信号とを用いて、前記複数のスイッチング信号の各々に復調し、復調したスイッチング信号の各々を、複数の半導体発光素子を個別に駆動する複数の電源部へ供給する供給手段と、を備える液滴吐出装置である。

請求項１に記載の発明によれば、制御元からスイッチング信号を出力するチャンネル数を、スイッチング制御数よりも軽減することができる。

請求項２に記載の発明によれば、選択信号で選択された期間以外の信号レベルをオフ信号に特定することができる。

請求項３に記載の発明によれば、論理演算でスイッチング信号とオフ信号とを抽出することができる。

請求項４に記載の発明によれば、アナログスイッチの切り替えによって、スイッチング信号を抽出することができる。

請求項５に記載の発明によれば、スイッチング信号の周期の５０％未満をオン期間とすることができる。

請求項６に記載の発明によれば、スイッチング信号のオン期間の最大幅の合計を、スイッチング信号の周期の１００％未満とすることができる。

請求項７に記載の発明によれば、制御元からスイッチング信号を出力するチャンネル数を、スイッチング制御数よりも軽減することができる。

第１の実施の形態に係るインクジェット記録装置の主要構成部の一例を示す概略構成図である。 第１の実施の形態に係る液滴乾燥装置のレーザ光照射面の一例を示す図である。 半導体発光素子による記録用紙上の乾燥制御単位を示す平面図である。 第１の実施の形態に係り、制御部において実行される半導体発光素子駆動部及び液滴乾燥装置の乾燥制御機能を示すブロック図である。 第１の実施の形態に係る復調回路部の具体例（論理回路、二重化）及びその周辺の回路図である。 第１の実施の形態に係る多重化信号生成制御の流れを示すフローチャートである。 第１の実施の形態に係るＰＷＭ信号復調制御の流れを示すフローチャートである。 第１の実施の形態に係り、（Ａ）はＰＷＭ信号を多重化した多重化信号を生成するときＦＰＧＡ内の変調処理のタイミングチャート、（Ｂ）はＰＷＭ信号を抽出するときの復調回路部内の復調処理のタイミングチャートである。 第２の実施の形態に係る復調回路部の具体例（アナログマルチプレクサ、二重化）及びその周辺の回路図である。 第１の実施の形態の変形例１に係る復調回路部の具体例（論理回路、三重化）及びその周辺の回路図である。 第１の実施の形態の変形例１に係り、（Ａ）はＰＷＭ信号を多重化した多重化信号を生成するときＦＰＧＡ内の変調処理のタイミングチャート、（Ｂ）はＰＷＭ信号を抽出するときの復調回路部内の復調処理のタイミングチャートである。 第２の実施の形態の変形例２に係る復調回路部の具体例（アナログマルチプレクサ、三重化）及びその周辺の回路図である。 第２の実施の形態の変形例２に係り、（Ａ）はＰＷＭ信号を多重化した多重化信号を生成するときＦＰＧＡ内の変調処理のタイミングチャート、（Ｂ）はＰＷＭ信号を抽出するときの復調回路部内の復調処理のタイミングチャートである。

［第１の実施の形態］
（装置概略）
図１は、第１の実施形態に係るインクジェット記録装置１２の主要構成部を示した概略構成図である。

インクジェット記録装置１２は、例えば、２組の画像形成部２０Ａ及び２０Ｂ、制御部２２、記憶部３０、給紙ロール８０、排出ロール９０、及び搬送ローラ１００を備えている。

また、画像形成部２０Ａは、例えばヘッド駆動部４０Ａ、印字ヘッド５０Ａ、半導体発光素子駆動部６０Ａ、液滴乾燥装置７０Ａ、及び用紙速度検出センサ１１０Ａを含む。

同様に、画像形成部２０Ｂは、例えばヘッド駆動部４０Ｂ、印字ヘッド５０Ｂ、半導体発光素子駆動部６０Ｂ、液滴乾燥装置７０Ｂ、及び用紙速度検出センサ１１０Ｂを含む。

なお、以下では画像形成部２０Ａ及び画像形成部２０Ｂ、並びに、画像形成部２０Ａ及び画像形成部２０Ｂに含まれる共通の部材を区別する必要がない場合には、符号末尾の記号“Ａ”及び記号“Ｂ”を省略して表す場合がある。

制御部２２は、図示しない用紙搬送モータを駆動することで、例えば用紙搬送モータとギヤ等の機構を介して接続された搬送ローラ１００の回転を制御する。給紙ロール８０には、記録媒体として用紙搬送方向に長尺状の用紙Ｐが巻き付けられており、搬送ローラ１００の回転に伴って用紙Ｐが用紙搬送方向に搬送される。

制御部２２は、例えば、記憶部３０に記憶された画像データを取得し、画像データに含まれる画像の画素毎の色情報に基づいて画像形成部２０Ａを制御することで、用紙Ｐの一方の画像形成面に画像データに対応した画像を形成する。

具体的には、制御部２２は、ヘッド駆動部４０Ａを制御する。そして、ヘッド駆動部４０Ａは、制御部２２から指示されたインク滴の吐出タイミングに従って、ヘッド駆動部４０Ａに接続された印字ヘッド５０Ａを駆動して、印字ヘッド５０Ａからインク滴を吐出させ、搬送される用紙Ｐの一方の画像形成面上に画像データに対応した画像を形成する。

なお、画像データに含まれる画像の画素毎の色情報は、画素の色を一意に示す情報を含む。第１の実施形態では、一例として、画像の画素毎の色情報がイエロー（Ｙ）、マゼンタ（Ｍ）、シアン（Ｃ）、ブラック（Ｋ）の各々の濃度によって表されているものとするが、画像の色を一意に示す他の表現方法を用いてもよい。

印字ヘッド５０Ａは、Ｙ色、Ｍ色、Ｃ色、及びＫ色の４色それぞれに対応した４つの印字ヘッド５０ＡＹ、５０ＡＭ、５０ＡＣ、及び５０ＡＫを含み、印字ヘッド５０Ａから対応する色の液滴であるインク滴を吐出する。なお、印字ヘッド５０Ａにおいてインク滴を吐出するための駆動方法は特に限定されず、いわゆるサーマル方式や圧電方式等、公知のものが適用される。

半導体発光素子駆動部６０Ａには液滴乾燥装置７０Ａに含まれる半導体発光素子７２（図２及び図３参照）の発光量をオン又はオフで制御するＦＥＴ（Field Effect Transistor）等のスイッチング素子が含まれ、制御部２２からの指示に基づいてスイッチング素子を駆動する（詳細後述）。本実施の形態に係る半導体発光素子７２としては、例えば半導体レーザやＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ：発光ダイオード）等特に制限なく用いられるが、本実施の形態では半導体レーザを用いている。なお、本実施の形態に係る半導体レーザとしては、端面発光型半導体レーザ、ＶＣＳＥＬ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ｃａｖｉｔｙ Ｓｕｒｆａｃｅ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｌａｓｅｒ：面発光型半導体レーザ）等、特に限定されずに用いられる。また、半導体レーザを用いる場合の波長帯は、インク滴に効率よく吸収されるように選ばれる。

そして、制御部２２は半導体発光素子駆動部６０Ａを制御することで、液滴乾燥装置７０Ａから用紙Ｐの一方の画像形成面に向けてレーザ光を照射させ、当該レーザ光の照射光量（投入熱量）により、用紙Ｐに形成された画像のインク滴を乾燥させて、用紙Ｐへの画像の定着を図る。また、制御部２２は、画像情報に基づき、例えば半導体発光素子７２の駆動電流の時間平均を制御してレーザ照射のオン／オフ制御を行う。なお、駆動電流の時間平均の大小を制御して半導体発光素子７２の光出力を調整する場合もある。

その後、用紙Ｐは、搬送ローラ１００の回転に伴って画像形成部２０Ｂと対向する位置に搬送される。この際、用紙Ｐは、画像形成部２０Ａによって画像が形成された画像形成面とは異なる他方の画像形成面が画像形成部２０Ｂと向き合うように搬送される。

制御部２２は、前述した画像形成部２０Ａに対する制御と同様の制御を画像形成部２０Ｂに対しても実行することで、用紙Ｐの他方の画像形成面に画像データに対応した画像を形成する。

そして、用紙Ｐは、搬送ローラ１００の回転に伴って排出ロール９０まで搬送され、排出ロール９０に巻き取られる。

用紙速度検出センサ１１０は、例えば用紙Ｐの画像形成面と対向する位置に配置され、用紙Ｐの用紙搬送方向における搬送速度を検出して制御部２２へ通知する。

制御部２２は、用紙速度検出センサ１１０から取得した用紙Ｐの搬送速度を用いて、用紙Ｐに吐出されたインク滴が液滴乾燥装置７０のレーザ照射領域に搬送されるタイミングで液滴乾燥装置７０から用紙Ｐへレーザ光を照射するように、半導体発光素子駆動部６０を駆動するタイミングを制御する
用紙速度検出センサ１１０において用紙Ｐの搬送速度を検出するための検出方法は特に限定されず、公知のものが適用される。

また、インクには水性インク、溶媒が蒸発するインクである油性インク、紫外線硬化型インク等が存在するが、第１の実施形態では水性インクを使用するものとする。第１の実施形態において、単に「インク」又は「インク滴」とある場合は、「水性インク」又は「水性インク滴」を意味するものとする。

（液滴乾燥装置）
図２を参照して、本実施の形態に係る図１に示す液滴乾燥装置７０について説明する。図２は、液滴乾燥装置７０（図１参照）の光照射面の一例を示した図である。なお、液滴乾燥装置７０の光照射面とは、用紙Ｐの画像形成面と対向する面をいう。

図２に示すように、液滴乾燥装置７０の光照射面には、用紙搬送方向及び用紙搬送方向と直交（交差）する方向である用紙幅方向に、複数の半導体発光素子７２が格子状に配置され、熱的に結合している。図２に示した液滴乾燥装置７０の光照射面に配置される半導体発光素子７２の数及び配置形状は一例であり、これに限定されない。

また、本実施の形態では、半導体発光素子駆動部６０Ａ、６０Ｂ（図１参照、以下、半導体発光素子駆動部６０Ａ及び６０Ｂを総称する場合は、「半導体発光素子駆動部６０」という）により光量を制御する単位を、複数の半導体発光素子７２が用紙幅方向に配列された半導体発光素子ブロック（半導体発光素子群）７４としている。

むろん、これに限定されず、半導体発光素子７２の単位で光量を制御してもよい。また、半導体発光素子ブロック７４における複数の半導体発光素子７２の配列方向は用紙幅方向に限られず、用紙搬送方向としてもよいし、用紙幅方向と用紙搬送方向両方に配列してもよい。

乾燥に必要なトータルの発光量を確保するために、図２に示すように、半導体発光素子アレイ７６は、用紙幅方向に半導体発光素子７２が配列された半導体発光素子ブロック７４を、用紙搬送方向に複数配列して構成してもよい。なお、図２では、１個で用紙幅方向の全域をカバーする半導体発光素子ブロック７４とした形態を例示しているが、これに限られず、複数の半導体発光素子ブロック７４を直列に配列して、用紙幅方向の全域をカバーするようにしてもよい。画像情報に伴うインクの塗布量に応じ、半導体発光素子７２あるいは複数の半導体発光素子ブロック７４の発光量を制御することにより、効率良く乾燥でき、消費エネルギーを抑制できる。

図１に示される如く、液滴乾燥装置７０は、画像が形成され、搬送されてくる用紙Ｐに向けて発光することで、照射光による発熱量（投入熱量）を用いてインクを乾燥させる。この際、制御部２２は、例えば、画像形成時の画像情報に基づくインク吐出量に応じて半導体発光素子ブロック７４の発光量を演算し、基本的にこの設定された発光量が照射されるように半導体発光素子駆動部６０を制御する。その結果、インク吐出量に適合した発熱量で乾燥処理が実行される。

ここで、上述のようなインクジェットプリントヘッド（印字ヘッド５０）を使った連帳機では、エネルギー消費の低減を主目的とし、印字された領域を中心に必要な時だけ液滴乾燥装置から間欠的に乾燥エネルギーを投入する方法が検討されている。以下、制御部２２からの指示により、液滴乾燥装置から間欠的に乾燥エネルギーを投入することを、「オンデマンド照射」という場合がある。

インクの乾燥に半導体レーザを用いる場合、特に紙送り速度が高速な連帳機で単位面積当たり必要な乾燥エネルギーをレーザ光で供給するには、用紙幅方向に半導体レーザを並べて、それぞれの半導体レーザをインクの吐出量に応じたパワーで、インク吐出領域に応じて、オンオフ制御する必要がある。

第１の実施の形態では、図３に示される如く、４００個の半導体発光素子ブロック７４が用紙Ｐの幅寸法は５００ｍｍと想定して当該用紙幅方向に、１．２５ｍｍピッチで配列されている（１．２５×４００＝５００）。また、半導体発光素子ブロック７４は、用紙搬送方向の長さが２０ｍｍであり、１個の半導体発光素子ブロック７４の中で直列に接続された複数の半導体発光素子７２による発熱量の総和で、目的のインク滴を乾燥する。なお、本実施の形態では、用紙搬送方向に半導体発光素子ブロック７４が１個の構成としたが、上述のように、乾燥に必要なトータルの発光量を確保するために、半導体発光素子ブロック７４は、用紙搬送方向に複数配列して構成してもよい。

ここで、液滴乾燥装置７０によるインク滴を乾燥する乾燥制御単位は、用紙幅方向が１．２５ｍｍ、用紙搬送方向が１．８９ｍｍとされている。なお、半導体発光素子ブロック７４の数（４００個）、配列ピッチ（１．２５ｍｍ）及び乾燥制御単位（１．２５ｍｍ×１．８９ｍｍ）等、提示した数値は一例であり、限定されるものではない
すなわち、少なくとも用紙幅方向においては、乾燥制御単位のピッチで独立した半導体発光素子ブロック７４での乾燥が可能であり、個々にレーザ発光量を設定する。

なお、用紙搬送方向においては、半導体発光素子ブロック７４の長さ（２０ｍｍ）が、乾燥制御単位（１．８９ｍｍ）を超えるため、用紙搬送方向に並ぶ複数の乾燥制御単位の内、最も発熱量が要求される乾燥制御単位に照準を合わせて、レーザ発光量を決定すればよい。

（乾燥制御）
図４は、制御部２２及び、当該制御部２２及び半導体発光素子駆動部６０において実行される液滴乾燥装置７０による乾燥制御機能を示すブロック図である。なお、図４は、乾燥制御に特化した機能をブロック化したものであり、制御部２２及び半導体発光素子駆動部６０のハード構成を限定するものではない。

制御部２２には、前述した４００個の半導体発光素子ブロック７４を独立して制御するための信号（レーザパワーを特定するＰＷＭ信号）を発生させるためのチャンネル数に見合う、プログラミング可能な集積回路を備えている。第１の実施の形態では、伝送手段の一例である集積回路として、ＦＰＧＡ２００（Field Programmable Gate Array）が適用されている。

ここで、乾燥制御のための半導体発光素子ブロック７４によるレーザパワーの設定は、単純計算では、各色（ＣＭＹＫ）におけるインク吐出量に応じた計算が必要であるため、１６００（＝４００×４）のチャンネル数が必要となる。

そこで、第１の実施の形態では、レーザパワーを特定する信号をＰＷＭ信号とし、半導体発光素子ブロック７４の光出力の平均値が最大となるときのＰＷＭ信号のオン期間がその信号周期の５０％未満となるように、半導体発光素子駆動部６０におけるスイッチングパルスの周期、インダクタンス値、及び電源電圧を設定し、ＰＷＭ信号のオフ期間を他の半導体発光素子ブロック７４のＰＷＭ信号に適用するようにした。

第１の実施の形態では、半導体発光素子ブロック７４の光出力の平均値が最大となるときのＰＷＭ信号のオン期間がその信号周期の５０％未満としており、単一のＰＷＭ信号に、２種類のレーザパワーを特定する信号を重畳した。

図４に示される如く、ＦＰＧＡ２００は、設定部２０２、変換部２０４及び出力部２０６を備える。

設定部２０２は、画像データ取込部２０８によって、例えば記憶部３０（図１参照）に記憶された画像データ、又は図示しない通信回線網を介して外部から取得した画像データを取り込み、レーザパワー設定部２１０へ送出する。

レーザパワー設定部２１０には、インク量−レーザパワー換算テーブルメモリ２１２が接続されている。レーザパワー設定部２１０では、インク量−レーザパワー換算テーブルメモリ２１２により、画像データに応じたインク量を乾燥するために必要なレーザパワーを設定する。

レーザパワー設定部２１０は、設定したレーザパワーの情報を変換部２０４のＰＷＭ信号換算部２１４へ送出する。

ＰＷＭ信号換算部２１４は、レーザパワーをＰＷＭ信号に変換する。このとき、第１の実施の形態では、多重化の設定を「二重化」としており、レーザパワーの最大値が、パルス幅５０％未満となるように換算する。

例えば、半導体発光素子７２を発光させる入力電圧Ｖｉｎ及び出力電圧Ｖｏｕｔは、インダクタンス電流Ｉに依存する（Ｖｉｎ＝Ｌ×ｄＩ／ｄｔ、Ｖｏｕｔ＝Ｌ×ｄＩ／ｄｔ）。

入力電圧Ｖｉｎと出力電圧Ｖｏｕｔとの関係をＶｉｎ≒Ｖｏｕｔとした場合、スイッチングのオン時間を半周期以内（デューティ５０％未満）にして、オフ時に電流が０に戻らなくなることを回避する。

言い換えれば、パルス幅の１／２ずつがオン期間とオフ期間になり、データが変化せず固定となるオフ期間に、別のデータを重畳させることが可能となる。

ＰＷＭ信号換算部２１４は、ＰＷＭ信号グルーピング部２１６及び選択信号生成部２１８に接続されている。

ＰＷＭ信号グルーピング部２１６では、単一の多重化信号に重畳するＰＷＭ信号をグループ化し、多重化信号生成部２２０へ送出する。

また、選択信号生成部２１８は、多重化する数以上の区別が可能なビット数の選択信号を生成する。

第１の実施の形態では、二重化するために数は２となり、１ビットの信号が生成される。すなわち、レーザパワーを示すＰＷＭ信号と同一の周期でデューティ５０％となる信号が選択信号として生成される。

多重化信号生成部２２０は、出力部２０６の多重化信号出力部２２２に接続されている。多重化信号生成部２２０は、生成した多重化信号を多重化信号出力部２２２へ送出する。

また、選択信号生成部２１８は、前記多重化信号生成部２２０及び出力部２０６の選択信号出力部２２４に接続されている。選択信号生成部２１８は、生成した選択信号を多重化信号生成部２２０及び選択信号出力部２２４へ送出する。

出力部２０６は、出力端子群２２６を備えている。出力端子群２２６は、選択信号出力部２２４からの単一の信号線が接続される端子（チャンネル）と、多重化信号出力部２２２からの複数の信号線が接続される複数の端子（チャンネル）とを備える。

このとき、多重化信号には、２種類のＰＷＭ信号が重畳されているため、ＦＰＧＡ２０２の出力端子群２２６の多重化信号出力用チャンネル数の２倍のＰＷＭ信号を同時に出力することが可能となっている。

出力端子群２２６から選択信号及び多重化信号を出力するための信号線は、それぞれ半導体発光素子駆動部６０に接続されている。

半導体発光素子駆動部６０は、前述した半導体発光素子ブロック７４の数に応じた数の供給手段の一例としての復調回路部２２８と電源回路部２３０とを備える。

各復調回路２２８には、半導体発光素子駆動部６０側で生成されるオフ信号を伝搬する信号線が分岐されて接続されている。オフ信号は、復調回路部２２８で復調するときのベースとなる信号（０レベル信号）となる。なお、オフ信号は必ずしも半導体発光素子駆動部６０から伝播されずに、復調回路部２２８内部で生成させる構成もあり得る。

また、第１の実施の形態では、各復調回路部２２８には、選択信号を出力する信号線２２６Ａが分岐されて接続されている。

さらに、第１の実施の形態では、２個の復調回路部２２８が組（グループ）となっており、１本の多重化信号を出力する信号線２２６Ｂが、組となった２個の復調回路部２２８のそれぞれに接続されている。

復調回路部２２８では、多重化信号に重畳されたＰＷＭ信号を抽出し、電源回路部２３０へ送出する。電源回路部２３０では、液滴乾燥装置７０に設けられた個々の半導体発光素子ブロック７４を発光させるための駆動電流をＰＷＭ信号に基づいて生成し、個々の半導体発光素子ブロック７４の発光を制御する。

また、半導体発光素子ブロック７４を駆動するときの駆動電圧および駆動電流を測定して、それらの値から発光量を算出する手段や、発光量を直接測定する手段を用いて得られた実際の発光量をレーザパワー設定部の設定にフィードバックする手段を備えれば、より正確な発光量を照射することができ、乾燥むら等を抑制できる。

図５に示される如く、第１の実施の形態に係る復調回路部２２８は、ＡＮＤ回路２３２Ａ及びＡＮＤ回路２３２Ｂが組となった、複数の段の論理回路部を備えている。

ＡＮＤ回路２３２Ａの一方の入力端には、出力端子群２２６（図４参照）から選択信号を出力する信号線２２６Ａが直接接続されている。また、ＡＮＤ回路２３２Ｂの一方の入力端には、出力端子群２２６（図４参照）から選択信号が反転回路２３６を介して接続されている。

すなわち、ＡＮＤ回路２３２Ａの一方の入力端には、選択信号のＨｉ電位（以降、Ｈ信号）とＬｏ電位（以降、Ｌ信号）はそのまま入力され、また、ＡＮＤ回路２３２Ｂの一方の入力端には、選択信号のＨ信号とＬ信号がそれぞれ、Ｌ信号とＨ信号に反転されて入力される。

また、初段のＡＮＤ回路２３２Ａ及びＡＮＤ回路２３２Ｂのそれぞれの他方の入力端には、出力端子群２２６（図４参照）から同一の多重化信号（ＰＷＭ信号１、２を含む）を出力する信号線２２６Ｂが分岐されて接続されている。

次段のＡＮＤ回路２３２Ａ及びＡＮＤ回路２３２Ｂのそれぞれの他方の入力端には、出力端子群２２６（図４参照）から同一の多重化信号（ＰＷＭ信号３、４を含む）を出力する信号線２２６Ｂが分岐されて接続されている。

同様に、最終段のＡＮＤ回路２３２Ａ及びＡＮＤ回路２３２Ｂのそれぞれの他方の入力端には、出力端子群２２６（図４参照）から同一の多重化信号（ＰＷＭ信号Ｎ−１、Ｎを含む）を出力する信号線２２６Ｂが分岐されて接続されている（Ｎは半導体発光素子ブロック数に相当）。

復調回路部２２８における、各段のＡＮＤ回路２３２Ａでは、２つの入力端の両方ともＨ信号の場合は出力端からＨ信号が出力され、それ以外の組み合わせの場合はＬ信号が出力される。ＡＮＤ回路２３２Ｂの出力も同様である。

各段のＡＮＤ回路２３２Ａ及びＡＮＤ回路２３２Ｂは、それぞれスイッチング部としてのＭＯＳＦＥＴ２４０（例えば、ｎＭＯＳ）のゲートＧに接続されている。本実施の形態では、論理回路のＨｉ電位を、ＭＯＳＦＥＴ２４０がターンオンするのに必要なゲート電位とすることで、論理回路で直接ＭＯＳＦＥＴ２４０を駆動できるようにしている。また、ＭＯＳＦＥＴ２４０のドレインＤは、他方の端部が接地されたインダクタ２４４に接続され、ソースＳは他方の端部が接地された電圧源２３４に接続されている。本実施の形態では、ＭＯＳＦＥＴ２４０、電圧源２３４、インダクタ２４４をまとめて電源回路部２３０と総称する。

また、ＭＯＳＦＥＴ２４０とインダクタ２４４との間には、逆流防止用ダイオード２４２を介して半導体発光素子ブロック７４が接続され、半導体発光素子ブロック７４と平滑コンデンサ２４６は並列に接続されている。

ＭＯＳＦＥＴ２４０がオン状態（ゲートＧにＨ信号が入力されるとき）のときに電圧源２３４からインダクタ２４４にエネルギーが投入され、その後にＭＯＳＦＥＴ２４０がオフ状態（ゲートＧにＬ信号が入力されるとき）になると、そのエネルギーが半導体発光素子７２に投入され、半導体発光素子７２を発光させる。

以下に、第１の実施の形態の作用を説明する。

まず、制御部２２に設けられたＦＰＧＡ２００で実行される多重化信号生成制御を、図６に示す多重化信号生成制御ルーチンを示すフローチャート、及び、図８（Ａ）に示す多重化信号生成タイミングチャートに従い説明する。なお、多重化信号生成処理を変調処理という場合がある。

図６に示される如く、ステップ３００では、画像形成指示があると、記憶部３０（図１参照）又は図示しない通信回線網を介して外部から画像データ取込部２０８に画像データを取り込み、次いでステップ３０２へ移行して、インク量−レーザパワー換算テーブルメモリ２１２より、インク量−レーザパワー換算テーブルを読み出す。

次のステップ３０４では、ステップ３００で取り込んだ画像データを、レーザパワー設定部２１０にて、図３に示す乾燥制御単位に区画して、当該乾燥制御単位毎に、ステップ３０２で読み出したインク量−レーザパワー換算テーブルに基づいて、レーザパワーを設定し、二次元プロファイルを作成する。

次のステップ３０６では、ＰＷＭ信号換算部２１４にて、作成したレーザパワーをＰＷＭ信号に換算する。

ＰＷＭ信号に換算するとき、第１の実施の形態では、半導体発光素子駆動部６０におけるスイッチングパルスの周期、インダクタンス値、及び電源電圧を調整することで、半導体発光素子ブロック７４の光出力の平均値が最大となるときのＰＷＭ信号のオン期間が、ＰＷＭ信号の周期の５０％未満となるようにした。この結果、ＰＷＭ信号のオフ期間は、他の半導体発光素子ブロック７４のＰＷＭ信号に適用可能となる。

ステップ３０８では、ＰＷＭ信号グルーピング部２１６にて、ＰＷＭ信号のオン期間とオフ期間のそれぞれにレーザパワーを特定するための２個のＰＷＭ信号（第１ＰＷＭ信号及び第２ＰＷＭ信号）をグループ化する（図８（Ａ）参照）。

次のステップ３１０では、選択信号生成部２１８にて、選択信号を生成する。選択信号は、ステップ３０８でグルーピングされたＰＷＭ信号の個数に依存して、ビット信号の組み合わせで選択し得る信号である。第１の実施の形態では、２種類のＰＷＭ信号を選択可能であればよいので、１ビット（Ｌ信号又はＨ信号）の選択信号が生成される（図８（Ａ）参照）。また、選択信号は、すべてのＰＷＭ信号と同一の周期でデューティ５０％となる信号として出力され、ステップ３１２へ移行する。

ステップ３１２では、多重化信号生成部２２０にて、選択信号のＨ信号時期かＬ信号時期かが判断され、Ｈ信号時期であれば、ステップ３１４へ移行して、グルーピングした第１ＰＷＭ信号の同時期の信号の部分を選択し多重化信号として生成し、ステップ３１８に移行する。また、Ｌ信号時期であれば、ステップ３１６へ移行して、グルーピングした第２ＰＷＭ信号の同時期の信号の部分を選択して多重化信号として生成し、ステップ３１８へ移行する。ここで、ステップ３１２〜ステップ３１８は、ＰＷＭ信号のグループの初段から最終段までのすべてにおいて、同時期、もしくは順次に行われる。

ステップ３１８では、生成された多重化信号および選択信号をそれぞれ、多重化信号出力部２２２および選択信号出力部２２４にて半導体発光素子駆動部６０に出力し、ステップ３２０に移行する。

ステップ３２０では、グルーピングした全段の半導体発光素子ブロック７４に対するＰＷＭ信号に対して重畳処理が終了したか（多重化信号の生成が終了したか）否かが判断され、否定判定された場合は、ステップ３１４へ戻り、これまでに生成した多重化信号のあとに続けて多重化信号生成を実行する。

また、ステップ３２０で肯定判定された場合は、このルーチンは終了する。

次に、半導体発光素子駆動部６０で実行されるＰＷＭ信号抽出制御を、図７に示す多重化信号から半導体発光素子ブロック７４毎のＰＷＭ信号（ＭＯＳＦＥＴ２４０のスイッチング信号）を抽出するためのＰＷＭ信号抽出制御ルーチンを示すフローチャート、及び図８（Ｂ）に示すＰＷＭ信号抽出タイミングチャートに従い説明する。なお、ＰＷＭ信号抽出制御を復調処理という場合がある。

図７に示される如く、ステップ３５０では、制御部２２（ＦＰＧＡ２００）から選択信号と多重化信号とを受信したか否かが判断され、否定判定された場合は、このルーチンは終了する。また、ステップ３５０で肯定判定されると（選択信号と多重化信号とを受信すると）、ステップ３５２へ移行する。

ステップ３５２では、復調回路部２２８にて、選択信号がＨ信号時期かＬ信号時期のいずれであるか判断される。図５に示すように、第１の実施の形態に係る復調回路部２２８では、復調回路部２２８はそれぞれ２つずつに組になっており、２つのうち一方（以降、第１復調回路部）には選択信号がそのまま入力され、他方（以降、第２復調回路部）には反転して入力される。

すなわち、選択信号としてＨ信号が入力された場合、ステップ３５４に移行し、第１復調回路部ではＨ信号時期と判定され、第１ＰＷＭ信号として多重化信号の同時期の信号の部分が設定される。また、第２復調回路部ではＬ信号時期と判定され、第２ＰＷＭ信号として補間信号が設定される。ここで特に、補間信号はＭＯＳＦＥＴ２４０をオフ状態にするオフ信号とする。

逆に、選択信号としてＬ信号が入力された場合、ステップ３５６に移行し、第１復調回路部ではＬ信号時期と判定され、第１ＰＷＭ信号としてオフ信号が設定される。また、第２復調回路部ではＨ信号時期と判定され、第２ＰＷＭ信号として多重化信号の同時期の信号の部分が設定される。ステップ３５４又はステップ２５６の処理が完了すると、ステップ３５８に移行する。

ここで、ステップ３５２〜ステップ３５６は、復調回路部２２８のグループの初段から最終段までのすべてにおいて、同時期、もしくは順次に行われる。

ステップ３５８では、設定された第１ＰＷＭ信号と第２ＰＷＭ信号が復調回路部２２８から電源回路部２３０に出力される。

ステップ３６０では、全ての多重化信号に対する抽出が終了したか否かが判断され、否定判定された場合は、ステップ３５２へ戻り、これまでに生成したＰＷＭ信号のあとに続けて信号の生成を繰り返す。

また、ステップ３６０で肯定判定された場合は、このルーチンは終了する。

［第２の実施の形態］
以下に、第２の実施の形態について説明する。第２の実施の形態において、第１の実施の形態と同一構成部分については、図示を省略する、或いは、同一の符号を付して構成の説明を省略する。

第２の実施の形態の特徴は、多重化信号からＰＷＭ信号を抽出する回路として、アナログマルチプレクサ回路を適用した点にある。

図９に示される如く、第２の実施の形態に係る復調回路部２２８は、複数の段のアナログマルチプレクサ２５０を備えている。第２の実施の形態に適用されるアナログマルチプレクサ２５０は、２接点切替え型の切替部２５２を有している。なお、図９では、切替部２５２の切替え機能を見易くするために、コモン端子Ａ、第１接点Ｂ及び第２接点Ｃを有する切替スイッチとして図示した。

アナログマルチプレクサ２５０は、切替部２５２の接点の切替えを制御するための切替信号入力端２５４を備えている。

全ての段のそれぞれのアナログマルチプレクサ２５０の切替信号入力端２５４には、出力端子群２２６（図４参照）から選択信号を出力する信号線２２６Ａが、分岐されて接続されている。

また、各段のアナログマルチプレクサ２５０の切替部２５２の入力端（図９では切替スイッチとして図示したコモン端子Ａ）には、出力端子群２２６（図４参照）から、それぞれ異なる多重化信号を出力する信号線２２６Ｂが接続されている。

さらに、各段のアナログマルチプレクサ２５０の切替部２５２の出力端（図９では、第１接点Ｂ及び第２接点Ｃ）は、それぞれバッファ２５６Ａ、２５６Ｂ（直列接続された２個の反転回路）を介して、ＭＯＳＦＥＴ２４０のゲートＧに接続されている。

また、第１接点Ｂ及び第２接点Ｃとバッファ２５６Ａ、２５６Ｂとの間には、一端がＭＯＳＦＥＴ２４０のＳ端子と同電位（電圧源２３４のマイナス電位）となるように接続されたプルダウン抵抗２５８Ａ、２５８Ｂの他端が接続されている。このプルダウン抵抗２５８Ａ、２５８Ｂは、オフ信号生成用として機能する。なお、選択信号および多重化信号のＬｏ電位（Ｌ信号）は電圧源２３４のマイナス電位と同電位として、Ｈｉ電位（Ｈ信号）はアナログマルチプレクサ２５０およびバッファ２５６Ａ，２５６Ｂを動作させるために必要な電位とする。例えば、電圧源のマイナス電位が−４８Ｖで、マルチプレクサ２５０およびバッファ２５６Ａ，２５６Ｂの動作に電圧５Ｖが必要な場合、Ｌ信号は−４８Ｖ、Ｈ信号は−４３Ｖとなる。

ここで、第２の実施の形態のアナログマルチプレクサ２５０では、選択信号に基づいて、切替部２５２の第１接点Ｂと第２接点Ｃとに切り替わり、多重化信号に重畳された第１ＰＷＭ信号と第２ＰＷＭ信号とを、それぞれ異なる半導体発光素子ブロック７４へ送出する。

なお、アナログマルチプレクサ２５０の場合、オン抵抗が高い場合には、ＭＯＳＦＥＴ２４０のゲートＧの容量が大きいため、遷移時間を最少にして損失を最小化するために、バッファ２５６Ａ、２５６Ｂを用いることが好ましい。

また、バッファ２５６Ａ、２５６Ｂは、シュミット入力タイプを用いてアナログスイッチの抵抗によって波形がなまった場合でも波形整形して、ＭＯＳＦＥＴ２４０のゲートＧの駆動時の遷移時間を最少にして損失を最小化する。

また、オフ信号は、アナログマルチプレクサ２５０の出力端に設けられたプルダウン抵抗２５８Ａ、２５８Ｂで発生させている。

切替部２５２の切り替え動作時に、出力がＨレベルのまま、オフ状態（ハイインピーダンス）に切り替えると、切替部２５２の抵抗値によっては、出力がＨレベルを維持してしまいＬレベルにならない場合がある。この場合、出力がＬレベルになった以降に切り替えるようにすることで問題を回避することができる。

なお、プルダウン抵抗に代えて、プルアップ抵抗を用いてもよい。この場合は、バッファ２５６Ａ、２５６Ｂを反転回路に置き換える必要がある。また、多重化信号を負論理とする必要がある。つまり、多重化信号を生成するためのＰＷＭ信号のＨ信号とＬ信号とを反転させる必要がある。また、プルアップ抵抗に接続する電位は反転回路がＨレベルを出力するために必要な電位となる。

（変形例１）
図１０及び図１１に、第１の実施の形態の変形例（変形例１）を示す。

変形例１は、多重信号として、図１１（Ａ）に示すように、３個のＰＷＭ信号（第１ＰＷＭ信号〜第３ＰＷＭ信号）を重畳させた例である。重畳数が３個であるため、選択信号は２ビットとなる。すなわち、相互に周期の異なる選択信号０、選択信号１が適用される。

すなわち、以下の期間で第１ＰＷＭ信号〜第３のＰＷＭ信号を重畳させる。

（期間１）選択信号０のＨレベル期間、かつ選択信号１のＨレベル期間で、第１ＰＷＭ信号を重畳させる。

（期間２）選択信号０のＬレベル期間、かつ選択信号１のＨレベル期間で、第２ＰＷＭ信号を重畳させる。

（期間３）選択信号０のＨレベル期間、かつ選択信号１のＬレベル期間で、第３ＰＷＭ信号を重畳させる。

図１０に示される如く、第１の実施の形態の変形例（変形例１）における復調回路部２２８は、各半導体発光素子ブロック７４に対して、異なる期間にＨレベル信号を出力させるための選択信号用ＡＮＤ回路２６２Ａ〜２６２Ｃと、単一の多重化信号が分岐されて入力され、異なる期間のＰＷＭ信号を出力させるための多重化信号用ＡＮＤ回路２６４Ａ〜２６４Ｃとを備える。

第１ＰＷＭ信号を抽出するための選択信号用ＡＮＤ回路２６２Ａは、２種類の選択信号０及び選択信号１が直接入力端に入力される。

第２ＰＷＭ信号を抽出するための選択信号用ＡＮＤ回路２６２Ｂは、選択信号０が反転回路２６６を介して、並びに選択信号１が直接入力端に入力される。

第３ＰＷＭ信号を抽出するための選択信号用ＡＮＤ回路２６２Ｃは、選択信号０が直接、並びに選択信号１が反転回路２６８を介して入力端に入力される。

これにより、図１１（Ｂ）に示される如く、選択信号０及び選択信号１によって抽出された第１ＰＷＭ信号〜第３ＰＷＭ信号が、それぞれ異なる半導体発光素子ブロック７４を発光させるためのＭＯＳＦＥＴ２４０へ送出される。

（変形例２）
図１２及び図１３に、第２の実施の形態の変形例（変形例２）を示す。

変形例２は、多重信号として、図１３（Ａ）に示すように、３個のＰＷＭ信号（第１ＰＷＭ信号〜第３ＰＷＭ信号）を重畳させた例である。重畳数が３個であるため、選択信号は２ビットとなる。すなわち、相互に周期の異なる選択信号０、選択信号１が適用される（選択信号１の周期は、選択信号０の周期の２倍）。

すなわち、以下の期間で第１ＰＷＭ信号〜第３のＰＷＭ信号を重畳させる。

（期間１）選択信号０のＨレベル期間、かつ選択信号１のＨレベル期間で、第１ＰＷＭ信号を重畳させる。

（期間２）選択信号０のＬレベル期間、かつ選択信号１のＨレベル期間で、第２ＰＷＭ信号を重畳させる。

（期間３）選択信号０のＨレベル期間、かつ選択信号１のＬレベル期間で、第３ＰＷＭ信号を重畳させる。

図１２に示される如く、第２の実施の形態の変形例（変形例２）に係る復調回路部２２８は、複数の段のアナログマルチプレクサ２７０を備えている。変形例２に適用されるアナログマルチプレクサ２７０は、３接点切替え型の切替部２７２を有している。なお、図１２では、切替部２７２の切替え機能を見易くするために、コモン端子Ａ、第１接点Ｂ、第２接点Ｃ、及び第３接点Ｄを有する切替スイッチとして図示した。

アナログマルチプレクサ２７０は、切替部２７２の接点の切替えを制御するための切替信号入力端２７４を備えている。

全ての段のそれぞれのアナログマルチプレクサ２７０の切替信号入力端２７４には、出力端子群２２６（図４参照）から選択信号０及び選択信号１を出力する信号線２２６Ａ０、２２６Ａ１が、それぞれ分岐されて接続されている。

また、各段のアナログマルチプレクサ２７０の切替部２７２の入力端（図１２では切替スイッチとして図示したコモン端子Ａ）には、出力端子群２２６（図４参照）から、それぞれ異なる多重化信号を出力する信号線２２６Ｂが接続されている。

さらに、各段のアナログマルチプレクサ２７０の切替部２７２の出力端（図９では、第１接点Ｂ、第２接点Ｃ及び第３接点Ｄ）は、それぞれ直列接続されたバッファ２７６Ａ、２７６Ｂ及びバッファ２７６Ｃ（２個の反転回路）を介して、ＭＯＳＦＥＴ２４０のゲートＧに接続されている。また、第１接点Ｂ、第２接点Ｃ及び第３接点Ｄとバッファ２７６Ａ、２７６及び２７６Ｃとの間には、一端がＭＯＳＦＥＴ２４０のＳ端子と同電位（電圧源２３４のマイナス電位）となるように接続された、プルダウン抵抗２７８Ａ、２７８Ｂ及び２７８Ｃの他端が接続されている。このプルダウン抵抗２７８Ａ、２７８Ｂ及び２７８Ｃは、オフ信号生成用として機能する。

ここで、第２の実施の形態のアナログマルチプレクサ２７０では、選択信号０及び選択信号１の組み合わせに基づいて、切替部２７２の第１接点Ｂ、第２接点Ｃ及び第３接点Ｄの何れかに切り替わり、多重化信号に重畳された第１ＰＷＭ信号、第２ＰＷＭ信号及び第３ＰＷＭ信号を、それぞれ異なる半導体発光素子ブロック７４へ送出する。

なお、第１の実施の形態（変形例１を含む）及び第２の実施の形態（変形例２を含む）において、多重化信号の例として、ＰＷＭ信号の重畳数を２又は３としたが、多重化信号に重畳するＰＷＭ信号のオン期間の最大幅の合計が、多重化信号の周期の１００％未満となるように、多重化信号を生成すればよい。

また、インクジェット記録装置１２において、用紙Ｐの上に吐出されたインクの乾燥を目的にしているが、インクに含まれる水分の乾燥のためだけでなく、光反応によるインクの固化にも適用できる。また、用紙Ｐの上に吐出されたインクに含まれる水分を減少させることで、インクのにじみ防止などの画質改善を目的としたレーザ照射装置にも適用することが可能である。

さらに、第１の実施の形態（変形例１を含む）及び第２の実施の形態（変形例２を含む）に係るインクジェット記録装置１２では、２組の画像形成部２０Ａ及び２０Ｂを直列に配列し、画像形成部２０Ａと画像形成部２０Ｂとの間で用紙Ｐを反転させることで、用紙Ｐの表裏面に印刷することを可能としたが、片面のみを印刷するインクジェットプリンタであってもよい。また、用紙Ｐがロール紙である必要はなく、カット紙であってもよい。

以上説明したように、第１の実施の形態及び第２の実施の形態（それぞれ変形例を含む）によれば、制御元からスイッチング信号を出力するチャンネル数を、スイッチング制御数よりも軽減される。

選択信号で選択された期間以外の信号レベルをオフ信号に特定することで、供給手段を構成する回路が簡便となる。

論理演算でスイッチング信号とオフ信号とを抽出することで、電源部をＭＯＳＦＥＴなどからなる簡便な回路構成となる。

アナログスイッチの切り替えによって、スイッチング信号を抽出することで、少ない汎用ロジックＩＣで供給手段の構成となり、また、オフ信号を再生するためのプルダウン抵抗又はプルアップ抵抗を備えることで、電源部の誤動作が回避される。

スイッチング信号の周期の５０％未満をオン期間とすることで、２つのスイッチング信号を二重化する際に、時間ロスなく効率的に多重化される。

スイッチング信号のオン期間の最大幅の合計を、スイッチング信号の周期の１００％未満とすることで、複数のスイッチング信号を多重化する際に、時間ロスなく効率的に多重化される。

制御元からスイッチング信号を出力するチャンネル数を、スイッチング制御数よりも軽減される。

Ｐ 用紙
１２ インクジェット記録装置
２０Ａ、２３０Ｂ 画像形成部
２２ 制御部
３０ 記憶部
４０Ａ、４０Ｂ ヘッド駆動部
５０Ａ、５０Ｂ 印字ヘッド
５０ＡＹ、５０ＡＭ、５０ＡＣ、及び５０ＡＫ 印字ヘッド
５０ＢＹ、５０ＢＭ、５０ＢＣ、及び５０ＢＫ 印字ヘッド
６０Ａ、６０Ｂ 半導体発光素子駆動部
７０Ａ、７０Ｂ 液滴乾燥装置
７２ 半導体発光素子
７４ 半導体発光素子ブロック
８０ 給紙ロール
９０ 排出ロール
１００ 搬送ローラ
１１０Ａ、１１０Ｂ 用紙速度検出センサ
２００ ＦＰＧＡ
２０２ 設定部
２０４ 変換部
２０６ 出力部
２０８ 画像データ取込部
２１０ レーザパワー設定部
２１２ インク量−レーザパワー換算テーブルメモリ
２１４ ＰＷＭ信号換算部
２１６ ＰＷＭ信号グルーピング部
２１８ 選択信号生成部
２２０ 多重化信号生成部
２２２ 多重化信号出力部
２２４ 選択信号出力部
２２６ 出力端子群
２２８ 復調回路部
２３０ 電源回路部
２２６Ａ 信号線
２２６Ｂ 信号線
２３２Ａ、２３２Ｂ ＡＮＤ回路
２３４ 論理回路部
２３６ 反転回路
２４０ ＭＯＳＦＥＴ
２４２ 逆流防止用ダイオード
２４４ インダクタ
２４６ 平滑コンデンサ

Claims (7)

1. 複数のスイッチング信号を各々のオン期間が互いに重複しないように時分割で多重化することにより生成された多重化信号と、当該時分割の周期と同期した選択信号とを伝送する伝送手段と、
   前記伝送手段から伝送された前記多重化信号と前記選択信号とを用いて、前記複数のスイッチング信号の各々に復調し、復調したスイッチング信号の各々を、複数の半導体発光素子を個別に駆動する複数の電源部へ供給する供給手段と、
   を有する半導体発光素子駆動回路。
2. 前記供給手段は、前記選択信号によって選択された期間以外はオフ信号で補間して、前記多重化信号を前記複数のスイッチング信号の各々に復調する請求項１記載の半導体発光素子駆動回路。
3. 前記多重化信号と前記選択信号とを論理回路の入力端に入力させることによって、前記論理回路の出力端から前記多重化信号に重畳された複数のスイッチング信号の各々を抽出し、かつオフ信号を生成する請求項１又は請求項２記載の半導体発光素子駆動回路。
4. 前記供給手段が、多重化信号から各スイッチング信号へ振り分けるアナログスイッチと、前記アナログスイッチの端子に設けられ、オフ信号を再生するためのプルダウン抵抗又はプルアップ抵抗と、を備える請求項１又は請求項２記載の半導体発光素子駆動回路。
5. 前記電源部は、スイッチング信号を受信する受付部を備えるスイッチング素子と、前記スイッチング素子の出力端子に接続され、かつ前記半導体発光素子と並列関係にあるインダクタと、前記半導体発光素子に並列接続されたコンデンサと、前記スイッチング素子および半導体発光素子と直列関係にある電圧源を備え、半導体発光素子を駆動する駆動電圧とほぼ同等になるように前記電源部の出力電圧を設定して、かつ前記スイッチング信号のオン期間の最大幅を前記多重化信号の周期の５０％未満としたときに、前記インダクタに電流が流れる期間が前記多重化信号の周期の１００％未満となるように前記インダクタのインダクタンス値を設定する請求項１〜請求項４の何れか１項記載の半導体発光素子駆動回路。
6. 前記多重化信号に重畳する前記スイッチング信号のオン期間の最大幅の合計が、前記多重化信号の周期の１００％未満となるように、多重化信号を生成する請求項５記載の半導体発光素子駆動回路。
7. 液滴を吐出することで記録用紙に画像を形成する画像形成部と、
   前記画像形成部での画像形成後の記録用紙の画像形成面と対峙された半導体発光素子を備え、当該半導体発光素子の発光時の熱量により液滴を乾燥させる乾燥部と、
   前記半導体発光素子の発光を制御する半導体発光素子駆動回路とを有し、
   前記半導体発光素子駆動回路が、
   複数のスイッチング信号を各々のオン期間が互いに重複しないように時分割で多重化することで生成された多重化信号と、当該時分割の周期と同期した選択信号とを伝送する伝送手段と、
   前記伝送手段から伝送された前記多重化信号と前記選択信号とを用いて、前記複数のスイッチング信号の各々に復調し、復調したスイッチング信号の各々を、複数の半導体発光素子を個別に駆動する複数の電源部へ供給する供給手段と、
   を備える液滴吐出装置。