JP2018045236A - 導電性光半導体コーティングの装置及び方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】光学基板を透明な導電性コーティングで被覆する方法は、光学基板の表面上に半導体コーティングを付着させるステップを含む。半導体コーティングは広帯域光透過率を有する。溝は半導体コーティングに形成される。方法は、半導体コーティング上で被覆し、溝をドープ半導体で充填するステップを含む。ドープ半導体は半導体コーティングから除去され、溝にドープ半導体を残す。
【選択図】図6
Description
102 光学基板
104 半導体コーティング
105 溝
106 ドープ半導体
108 パターン
118 保護コーティング
120 広帯域反射防止コーティング
Claims (20)
- 光学基板の被覆方法であって、
光学基板の表面上で半導体コーティングを付着させるステップであって、前記半導体コーティングが広帯域光透過率を有する、半導体コーティングを付着させるステップと、
前記半導体コーティングに溝を形成するステップと、
前記半導体コーティングの上で被覆し、前記溝を導電性ドープ半導体で少なくとも部分的に充填するステップと、
前記半導体コーティングから前記ドープ半導体の少なくとも一部を除去し、前記溝に前記ドープ半導体の少なくとも一部を残すステップと、
を含む、方法。 - 溝を形成するステップが、
前記半導体コーティング上でフォトレジストを塗布するステップと、
前記フォトレジストを選択的に露光し、前記フォトレジストをパターンで現像するステップと、
前記パターンで前記半導体コーティングをエッチングするステップと、
前記フォトレジストを除去して前記半導体コーティングの前記パターンに前記溝を残すステップと、
を含む、請求項1に記載の方法。 - 前記パターンがグリッドを含む、請求項2に記載の方法。
- 前記溝の中の前記半導体コーティング及び前記ドープ半導体の上に保護コーティングを塗布するステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記保護コーティング上に広帯域反射防止コーティングを付着させるステップをさらに含む、請求項4に記載の方法。
- 前記溝の中の前記半導体コーティング及び前記ドープ半導体の上に広帯域反射防止コーティングを付着させるステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記溝を形成するステップが、化学エッチング、反応性イオンエッチング、またはイオンビームミリングの少なくとも1つを使用し、前記溝をエッチングすることを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記半導体コーティングがIn2O3またはZnOの少なくとも1つを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記半導体コーティング上にドープ半導体で被覆するステップが、薄膜コーティングによって前記ドープ半導体を塗布することの少なくとも1つを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記ドープ半導体が、Sn、Mo、W、Ti、Al、またはGaの少なくとも1つを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記半導体コーティングが、少なくとも可視スペクトル及び赤外線スペクトルで広帯域光透過率を有する、請求項1に記載の方法。
- 前記半導体コーティングを付着させるステップが、前記半導体コーティングが非ドープの状態で前記半導体コーティングを付着させることを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記半導体コーティングからドープ半導体を除去するステップが、前記半導体コーティングに平面を形成するために研磨し、前記溝にドープ半導体を残すことを含む、請求項1に記載の方法。
- 半導体コーティングを付着させるステップが、前記光学基板の表面上に全体として前記半導体コーティングを付着させることを含む、請求項1に記載の方法。
- 溝を形成し、前記溝に前記ドープ半導体を残すステップが、前記半導体コーティングの表面が全体としてパターンで覆われるように前記パターンを形成することを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記パターンが、前記光学基板に電磁干渉(EMI)シールドを提供するように構成される、請求項2に記載の方法。
- 前記ドープ半導体、前記半導体コーティング、及び前記光学基板が、前記光学基板をパターン化またはエッチングすることなく窓の中に形成される、請求項1に記載の方法。
- 前記ドープ半導体及び前記半導体コーティングが光散乱を軽減するために厳密に適合した屈折率を有する、請求項1に記載の方法。
- 窓であって、
ドープ半導体で充填された溝を有する透明な半導体コーティングを有する透明な基板、
を備える、窓。 - 光学基板の被覆方法であって、
光学基板の表面上にドープ半導体コーティングを付着させるステップであって、前記ドープ半導体コーティングが広帯域光透過率を有する、ドープ半導体コーティングを付着させるステップと、
前記ドープ半導体コーティングに溝を形成するステップと、
前記ドープ半導体コーティング上で被覆し、前記溝を非ドープ半導体で少なくとも部分的に充填するステップと、
前記ドープ半導体コーティングから前記非ドープ半導体の少なくとも一部を除去し、前記溝に前記非ドープ半導体の少なくとも一部を残すステップと、
を含む、方法。
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