JP2018044779A - 回路装置、電気光学装置及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】 オフセットの影響を低減し、環境センサーからの信号に基づく比較処理を高い精度で行う回路装置、電気光学装置及び電子機器等の提供。【解決手段】 回路装置５００は、比較回路ＣＰと、スイッチ回路ＳＷを含み、スイッチ回路ＳＷは、検出期間のうちの第１の期間においては比較回路ＣＰの第１の入力端子Ｔｉｎ１に環境センサーからの検出結果に基づく検出電圧Ｖｄｅｔ、第２の入力端子Ｔｉｎ２に基準電圧Ｖｒｅｆを供給し、第２の期間においては第１の入力端子Ｔｉｎ１に基準電圧Ｖｒｅｆ、第２の入力端子Ｔｉｎ２に検出電圧Ｖｄｅｔを供給し、検出期間の長さをＴＡ、第１の検出期間が終了してから次の検出期間である第２の検出期間が開始するまでの期間の長さをＴＢとした場合に、ＴＢ＞ＴＡである。【選択図】 図６

Description

本発明は、回路装置、電気光学装置及び電子機器等に関する。

従来、環境センサーからの検出結果に基づく信号が入力される回路装置が知られている。例えば、環境センサーからの信号と所与の基準信号との比較処理を行う回路装置では、比較結果に基づいて、周囲環境の状態と所与の基準状態との関係を判定できる。

例えば特許文献１には、温度に依存して変化する電圧と、所与の温度に対応する参照電圧とを、コンパレーターにより比較する温度検知回路を含む表示装置が開示されている。特許文献１の例では、環境センサーとは温度センサーである。そして、特許文献１には、温度が設定以上となったか否かを温度検知回路で検出し、異常検出時には温度異常を解消するようにソースドライバーやゲートドライバーを制御する手法が開示されている。

特開２０１１−１２８２１９号公報

環境センサーからの信号と所与の基準信号との比較処理を行う場合、ほとんどのケースで結果が一定となる。高温異常を検出する例であれば、環境温度は設定よりも低いケースがほとんどである。結果として、比較回路内の電圧レベルがほとんどのケースで同じレベルになってしまい、素子に経時変化が生じ（例えばオフセットが発生し）、比較精度が低下してしまう。

これに対して、比較回路への２つの入力信号（環境センサーからの信号と所与の基準信号）を適宜入れ替えることで、電圧レベルの偏りが緩和され、オフセットを改善できると考えられる。入力信号の入れ替えを行う場合、入れ替え前及び入れ替え後の２回の比較動作を含む期間（検出期間）の長さや、所与の検出期間と次の検出期間の間の期間の長さを設定する必要がある。これらの期間の長さは、オフセットの低減、或いは回路装置の構成、動作の簡略化という観点から、望ましい関係があると考えられる。しかし従来手法では、各期間について適切な設定を行う手法は開示されていない。

本発明の幾つかの態様によれば、オフセットの影響を低減し、環境センサーからの信号に基づく比較処理を高い精度で行う回路装置、電気光学装置及び電子機器等を提供できる。

本発明の一態様は、第１の入力端子及び第２の入力端子を有し、前記第１の入力端子に供給される電圧と前記第２の入力端子に供給される電圧を比較する比較回路と、環境センサーからの検出結果に基づく検出電圧と、基準電圧とが入力されるスイッチ回路と、を含み、前記スイッチ回路は、検出期間のうちの第１の期間においては前記比較回路の前記第１の入力端子に前記検出電圧を供給し、前記第２の入力端子に前記基準電圧を供給し、前記検出期間のうちの第２の期間においては前記第１の入力端子に前記基準電圧を供給し、前記第２の入力端子に前記検出電圧を供給し、前記検出期間の長さをＴＡとし、前記検出期間である第１の検出期間が終了してから、前記第１の検出期間の次の前記検出期間である第２の検出期間が開始するまでの期間の長さをＴＢとした場合に、ＴＢ＞ＴＡである回路装置に関係する。

本発明の一態様では、第１の期間と第２の期間で、比較回路の２つの入力端子に供給される電圧を入れ替え、さらに検出期間の長さＴＡと、検出期間の間隔に相当する期間の長さＴＢがＴＢ＞ＴＡとなる。このようにすれば、スイッチ回路の制御により、比較回路での電圧レベルの偏りを抑制することで素子の経時変化（オフセットの発生）を抑止できる。さらに、ＴＡとＴＢの設定により、オフセット抑止効果の向上や、回路装置の低消費電力化等も可能になる。

また本発明の一態様では、前記比較回路は、前記第１の期間と前記第２の期間の間の第３の期間において、非動作状態、又は、前記第１の期間及び前記第２の期間に比べて消費電力が小さい低消費電力状態に設定されてもよい。

このようにすれば、比較回路を効率的に動作させることができ、オフセット抑止効果の向上や、回路装置の低消費電力化等が可能になる。

また本発明の一態様では、前記スイッチ回路は、前記第１の期間と前記第２の期間の間の第３の期間において、前記第１の入力端子及び前記第２の入力端子に前記検出電圧と前記基準電圧のいずれも供給しない非選択状態に設定されてもよい。

このようにすれば、第３の期間で比較回路に電圧が供給されてしまうことを抑止できる。

また本発明の一態様では、前記比較回路は、前記第１の検出期間が終了してから前記第２の検出期間が開始するまでの期間である第４の期間において、非動作状態、又は、前記第１の期間及び前記第２の期間に比べて消費電力が小さい低消費電力状態に設定されてもよい。

このようにすれば、比較回路を効率的に動作させることができ、オフセット抑止効果の向上や、回路装置の低消費電力化等が可能になる。

また本発明の一態様では、前記スイッチ回路は、前記第１の検出期間が終了してから前記第２の検出期間が開始するまでの期間である第４の期間において、前記第１の入力端子及び前記第２の入力端子に前記検出電圧と前記基準電圧のいずれも供給しない非選択状態に設定されてもよい。

このようにすれば、第４の期間で比較回路に電圧が供給されてしまうことを抑止できる。

また本発明の一態様では、前記比較回路は、前記第１の期間及び前記第２の期間において動作状態となり、前記第１の期間及び前記第２の期間以外の期間において、非動作状態、又は、前記第１の期間及び前記第２の期間に比べて消費電力が小さい低消費電力状態に設定されてもよい。

このようにすれば、比較回路を効率的に動作させることができ、オフセット抑止効果の向上や、回路装置の低消費電力化等が可能になる。

また本発明の一態様では、前記比較回路の比較結果を出力する出力回路を含み、前記出力回路は、前記第１の期間及び前記第２の期間のいずれか一方の期間での前記比較結果を出力してもよい。

このようにすれば、信号レベルを反転させる回路を省略すること等が可能になり、回路規模を小さくできる。

また本発明の一態様では、前記検出期間において、前記第１の期間の後に前記第２の期間が設定される場合に、前記出力回路は、前記第２の期間での前記比較結果を出力してもよい。

このようにすれば、比較回路の出力が安定するタイミングで出力を行うこと等が可能になる。

また本発明の一態様では、前記第１の期間の長さと前記第２の期間の長さが等しくてもよい。

このようにすれば、第１の入力端子と第２の入力端子に印加される電圧の対称性が高くなるため、オフセット抑止効果の向上が可能になる。

また本発明の一態様では、前記検出期間の長さＴＡと、前記第１の検出期間が終了してから前記第２の検出期間が開始するまでの期間の長さＴＢは、ＴＢ＞２×ＴＡであってもよい。

このようにすれば、ＴＡをＴＢに比べて充分小さくできるため、オフセット抑止効果の向上や、回路装置のさらなる低消費電力化が可能になる。

また本発明の一態様では、電気光学パネルを駆動する駆動回路を含み、前記検出期間は、前記電気光学パネルの駆動に用いられる垂直同期信号、又は外部からのコマンドに基づいて設定されてもよい。

このようにすれば、回路装置を表示ドライバー等に適用する場合において、効率的な回路構成を実現すること等が可能になる。

また本発明の一態様では、前記第１の期間及び前記第２の期間は、前記電気光学パネルの駆動に用いられる画素クロック信号に基づいて設定されてもよい。

このようにすれば、回路装置を表示ドライバー等に適用する場合において、効率的な回路構成を実現すること等が可能になる。

また本発明の他の態様は、環境センサーからの検出結果に基づく検出電圧と、基準電圧とが入力されるスイッチ回路と、第１の入力端子及び第２の入力端子を有し、前記第１の入力端子に供給される電圧と前記第２の入力端子に供給される電圧を比較する比較回路と、を含み、前記スイッチ回路は、第１の比較期間において、前記第１の入力端子に前記検出電圧を供給し、前記第２の入力端子に前記基準電圧を供給し、前記第１の比較期間が終了した後の第２の比較期間において、前記第１の入力端子に前記基準電圧を供給し、前記第２の入力端子に前記検出電圧を供給し、前記第２の比較期間が終了した後の第３の比較期間において、前記第１の入力端子に前記検出電圧と前記基準電圧の一方を供給し、前記第２の入力端子に前記検出電圧と前記基準電圧の他方を供給し、前記第１の比較期間の開始から前記第２の比較期間の終了までの期間が、前記第２の比較期間の終了から前記第３の比較期間の開始までの期間より短い回路装置に関係する。

本発明の他の態様では、第１の比較期間と第２の比較期間で、比較回路の２つの入力端子に供給される電圧を入れ替える。このようにすれば、スイッチ回路の制御により、比較回路での電圧レベルの偏りを抑制することで素子の経時変化（オフセットの発生）を抑止できる。さらに、第１の比較期間の開始から第２の比較期間の終了までの期間と、第２の比較期間の終了から第３の比較期間の開始までの期間の設定により、オフセット抑止効果の向上や、回路装置の低消費電力化等も可能になる。

また本発明の他の態様は、上記の回路装置と、前記電気光学パネルと、を含む電気光学装置に関係する。

また本発明の他の態様は、上記の回路装置を含む電子機器に関係する。

回路装置の基本的な構成例。 回路装置の詳細な構成例。 ダイオードの温度特性の例。 基準電圧生成回路の構成例。 比較回路の構成例。 回路装置の動作を説明するタイミングチャート。 画像表示動作を説明するタイミングチャート。 画像表示動作を説明するタイミングチャート。 回路装置の動作を説明する他のタイミングチャート。 回路装置の動作を説明する他のタイミングチャート。 電気光学装置の構成例。 電子機器の構成例。

以下、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお以下に説明する本実施形態は特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではなく、本実施形態で説明される構成の全てが本発明の解決手段として必須であるとは限らない。

１．本実施形態の手法
まず本実施形態の手法について説明する。環境センサーからの信号と所与の基準信号との比較処理を行うことで、環境のセンシングを行う回路装置が広く知られている。ここでの環境センサーとは、周囲環境のセンシングを行うセンサーであり、種々のセンサーが考えられる。例えば環境センサーは、周囲温度を検出する温度センサーであってもよいし、気圧を検出する気圧センサーであってもよいし、照度を検出する照度センサーであってもよいし、他のセンサーであってもよい。

このような回路装置では、所与の基準信号として、異常判定用の閾値となる信号が用いられることがある。例えば特許文献１に開示されているように、高温異常検出用の比較的高い設定温度に対応する信号を、環境センサーに基づく信号との比較処理に用いる。この場合、高温異常は発生すべきでない（発生することが少ない）状況であるため、多くのケースでは環境温度＜設定温度となる。例えば、後述する図３のように、検出電圧Ｖｄｅｔ（環境依存電圧、温度依存電圧）が温度と負の相関を有する場合、Ｖｄｅｔと設定温度に対応する基準電圧Ｖｒｅｆは、多くのケースでＶｄｅｔ＞Ｖｒｅｆという関係を満たす。

比較回路の２つの入力端子のうち、一方にＶｄｅｔが入力され、他方にＶｒｅｆが入力されるという接続状態が固定されてしまった場合、Ｖｄｅｔ側の入力端子は、Ｖｒｅｆ側の入力端子に比べて常時高い電圧が供給されることになる。結果として、比較回路内の電圧レベルは常に偏った状態となり、素子の経時変化（オフセット）が生じてしまう。

比較回路は、例えば図５を用いて後述するように差動対を有し、差動対は入力端子にゲートが接続される２つのトランジスター（Ｔｒ１，Ｔｒ２）を有する。ＭＯＳトランジスターでは、電圧により加速された非常に高いエネルギーを有するキャリア（ホットキャリア）等が、ゲート酸化膜に注入され、浮遊電荷としてトラップされる現象が発生する。キャリアがトラップされることで、閾値電圧Ｖｔｈの上昇等が発生し、回路性能が低下する。

上記のように比較回路内の電圧レベルがほとんどのケースで偏る場合、差動対に含まれるトランジスターのうち、一方のトランジスターと他方のトランジスターとで、劣化度合い（理想値に対する閾値電圧Ｖｔｈのずれ量）の差が大きくなる。結果として、比較回路での比較精度が低下する。具体的には、検出電圧Ｖｄｅｔと基準電圧Ｖｒｅｆが等しくところで比較結果が切り替わることが理想であるのに対して、Ｖｄｅｔ≠Ｖｒｅｆとなる点で比較結果が切り替わり、Ｖｄｅｔ及びＶｒｅｆの大小関係と比較結果が一致しないおそれがでてくる。

これに対して、本実施形態の回路装置５００は、図１に示したように、第１の入力端子Ｔｉｎ１及び第２の入力端子Ｔｉｎ２を有し、第１の入力端子Ｔｉｎ１に供給される電圧と第２の入力端子Ｔｉｎ２に供給される電圧を比較する比較回路ＣＰと、環境センサーからの検出結果に基づく検出電圧Ｖｄｅｔと、基準電圧Ｖｒｅｆとが入力されるスイッチ回路ＳＷを含む。そしてスイッチ回路ＳＷは、検出期間のうちの第１の期間においては比較回路ＣＰの第１の入力端子Ｔｉｎ１に検出電圧Ｖｄｅｔを供給し、第２の入力端子Ｔｉｎ２に基準電圧Ｖｒｅｆを供給する。またスイッチ回路ＳＷは、検出期間のうちの第２の期間においては第１の入力端子Ｔｉｎ１に基準電圧Ｖｒｅｆを供給し、第２の入力端子Ｔｉｎ２に検出電圧Ｖｄｅｔを供給する。第１の検出期間は後述する図６のＡ５に対応し、第２の検出期間は図６のＡ６に対応する。また、第１の期間は図６のＡ１に対応し、第２の期間は図６のＡ２に対応する。

ここでの環境センサーは、環境センシングに用いられる種々のセンサーにより実現可能である。また、環境センサーは、図２に示すように回路装置５００の内部に設けられてもよいし、回路装置５００の外部に設けられてもよい。

また検出期間とは、検出電圧Ｖｄｅｔに基づいて１つの比較結果を求める単位となる期間であり、第１の期間及び第２の期間を少なくとも含む。検出期間は、具体的には図６を用いて後述するように第１の期間と、第２の期間と、第３の期間とを含む期間である。

比較回路ＣＰの第１の入力端子Ｔｉｎ１及び第２の入力端子Ｔｉｎ２は、一方が反転入力端子であり、他方が非反転入力端子である。以下では、第１の入力端子Ｔｉｎ１が反転入力端子であって、図５のＴｒ１のゲートに接続される端子であり、第２の入力端子Ｔｉｎ２が非反転入力端子であって図５のＴｒ２に接続される端子である例を説明する。そのため、Ｖｒｅｆ＜Ｖｄｅｔとなる状況（図３の特性の温度センサーを用いた場合、高温異常非検出時に対応）では、比較結果は第１の期間でローレベルとなり、第２の期間でハイレベルとなる。ただし、第１の入力端子が非反転入力端子であり、第２の入力端子が反転入力端子であってもよい。

このようにすれば、第１の期間と第２の期間で接続状態を切り替えることが可能になる。スイッチ回路ＳＷは、例えば図１に示したように４つのスイッチＳＷ１１，ＳＷ１２，ＳＷ２１，ＳＷ２２を含んでもよい。第１の期間ではスイッチＳＷ１１及びＳＷ１２がオンになり、スイッチＳＷ２１及びＳＷ２２がオフになる。第２の期間ではスイッチＳＷ２１及びＳＷ２２がオンになり、スイッチＳＷ１１及びＳＷ１２がオフになる。これにより、１回の検出期間全体で考えた場合、２つの入力端子（差動対に含まれる２つのトランジスターのゲート）には、それぞれＶｒｅｆ及びＶｄｅｔが供給されることになる。つまり、電圧レベルの偏りを低減できるため、オフセットの発生を抑止し、高精度での比較処理が可能になる。

ここで、周囲環境は短い時間で急激に変化することは考えにくい。温度センサーの例では、自然環境下での温度変動は例えば０．２８℃／ｓｅｃ程度である。図１１のように電気光学パネルの温度検出であれば、バックライト（例えばＬＥＤ）による発熱も考慮する必要があるが、それでも極端に大きい変動とはならない。つまり、比較結果の出力レート（比較処理のレート）を極端に高くしたとしても、隣接タイミング間での比較結果が変化する可能性は低く、高頻度で比較結果を出力するメリットは小さい。むしろレートを高くして、比較回路ＣＰに対してＶｒｅｆやＶｄｅｔが供給される時間が長くなることで、消費電力の増大や、素子の劣化が速くなるといったデメリットも生じうる。出力レートの具体的な値は種々考えられるが、例えば後述するように数十ｍｓｅｃ〜１ｓｅｃ程度の時間に１回、比較結果を出力すればよい。

一方、第１の期間と第２の期間との時間差、例えば第１の期間の方が時間的に前の場合であれば、第１の期間の終了から第２の期間の開始までの時間は短い方がよい。後述するように、第１の期間と第２の期間のいずれか一方の期間（ここでは第２の期間とする）での比較結果が出力される場合、出力対象とならない期間（ここでは第１の期間とする）での比較結果は出力に影響を与えないため、当該期間をどのタイミングで開始、終了しても問題無いように思える。しかし、第１の期間は電圧レベルの偏りを低減するために設定される期間であるため、第２の期間での電圧レベルとの対称性が重要となる。

第１の期間での環境情報と、第２の期間での環境情報との間の変化が大きい場合、接続状態を反転しても電圧レベルが反転しないおそれがある。例えば、第１の期間ではＶｄｅｔ＞Ｖｒｅｆであり、第２の期間までにＶｄｅｔが減少し、第２の期間ではＶｄｅｔ＜Ｖｒｅｆとなる場合もある。この例では、第１の期間と第２の期間のいずれの期間でも、第１の入力端子Ｔｉｎ１に対して、第２の入力端子Ｔｉｎ２よりも高い電圧が供給されることになり、オフセットの低減効果が低くなってしまう。

上述したように、回路装置５００の動作効率を考慮すれば、出力の間隔はある程度の環境変化が生じる程度には長い期間が設定される。そのため、第１の期間と第２の期間の設定によっては、２つの期間の間での環境変化が大きくなってしまう可能性は否定できない。例えば１秒に１回出力を行う場合において、第１の期間と第２の期間を等間隔に設定した場合、第１の期間と第２の期間の間隔は約５００ｍｓｅｃとなる。５００ｍｓｅｃの間には、温度等の環境情報はある程度の変動が生じる可能性があり、上述したように第１の期間と第２の期間でＶｄｅｔとＶｒｅｆの関係が逆転しているおそれがある。これに対して、第１の期間と第２の期間の間の期間（一方の期間の終了から他方の期間の開始までの期間）を短くすれば、環境変化を抑えられるため、第１の期間と第２の期間の対称性を高くすることが可能になる。

以上の点を考慮し、本実施形態では、検出期間の長さをＴＡとし、検出期間である第１の検出期間が終了してから、第１の検出期間の次の検出期間である第２の検出期間が開始するまでの期間の長さをＴＢとした場合に、ＴＢ＞ＴＡとする。このようにすれば、検出期間の間隔を相対的に長くすることで効率的な環境センシングを行うことが可能になる。また、検出期間の長さを短くすることで、第１の期間と第２の期間の時間差が小さくなり、オフセットの適切な低減を行うことが可能になる。例えば後述する例であれば、ＴＡ＋ＴＢが数十ｍｓｅｃ〜１ｓｅｃであるのに対して、ＴＡは数十μｓｅｃ程度となり、ＴＢ＞ＴＡとなる。

以下、図２〜図５を用いて回路装置５００の詳細な構成例を説明し、図６〜図１０を用いて回路装置５００の動作例を説明する。その後、本実施形態の回路装置５００を含む電気光学装置４００、電子機器３００について説明する。なお、以下では温度センサーを用いる例について説明するが、環境センサーが他のセンサーでもよいことは上述したとおりである。

２．回路装置の構成例
図２は、本実施形態の回路装置５００の詳細な構成例である。回路装置５００は、比較回路ＣＰと、スイッチ回路ＳＷと、電源回路５５（定電圧生成回路）と、基準電圧生成回路２３と、検出電圧生成回路２５（環境センサー）を含む。ただし、回路装置５００は図２の構成に限定されず、これらの一部の構成要素を省略したり、他の構成要素を追加するなどの種々の変形実施が可能である。また、回路装置５００の各部の構成についても図２に限定されず種々の変形実施が可能である。

検出電圧生成回路２５により、環境温度に依存した電圧である検出電圧Ｖｄｅｔが生成される。また電源回路５５及び基準電圧生成回路２３により、所与の設定温度に対応する基準電圧Ｖｒｅｆが生成される。以下、各部について詳細に説明する。

検出電圧生成回路２５は、ダイオードＤＩと、スイッチＳＷ３１、ＳＷ３２を含む。スイッチＳＷ３１の一端には所与の基準電流Ｉｄｉが供給され、スイッチＳＷ３１の他端と低電位側電源電圧ＶＳＳとの間にダイオードＤＩが設けられる。具体的にはＳＷ３１のうち、Ｉｄｉが供給される側とは反対側の端部と、ダイオードＤＩのアノードが接続され、ダイオードＤＩのカソードにＶＳＳが供給される。なお、以下では低電位側電源電圧ＶＳＳはグラウンドＧＮＤである例について説明する。

温度センサーの起動時には、スイッチＳＷ３１及びＳＷ３２はオンとなり、ダイオードＤＩには、定電流Ｉｄｉが順方向電流として流れる。定電流Ｉｄｉは、不図示の定電流源から供給される。ここで、ダイオードＤＩの順方向電圧（端子間電圧）は、温度に依存して変化することが知られている。

図３は所与の電流値の順方向電流が流れる場合における、ダイオードＤＩの順方向電圧と温度の関係を示す図である。図３の横軸が温度、縦軸が順方向電圧を表す。図３に示したように、ダイオードＤＩの順方向電圧は、一般的に温度の上昇に伴って減少するという負の温度特性を有する。つまり、定電流Ｉｄｉを供給することで、検出電圧生成回路２５は環境温度Ｔｅに依存した電圧を検出電圧Ｖｄｅｔとして出力できる。

なお、図２では検出電圧生成回路２５（温度センサー）としてダイオードＤＩを用いる構成を例示したが、これには限定されない。温度センサーは抵抗を用いる構成等の種々の構成が広く知られており、本実施形態の検出電圧生成回路２５はこれらの構成を広く適用可能である。また、ダイオードＤＩの端子間電圧そのものを検出電圧Ｖｄｅｔとするのではなく、端子間電圧に対して電圧変換（昇圧、降圧）を行った電圧を検出電圧Ｖｄｅｔとしてもよい。この場合、ダイオードＤＩのアノードとスイッチＳＷ３２の間、或いはスイッチＳＷ３２とスイッチ回路ＳＷの間に、不図示の電圧変換回路が追加される。

電源回路５５は、所与の定電圧ＶＤＡＣ＿ＩＮを供給する回路である。定電圧を生成する回路については種々の構成が知られており、電源回路５５はそれらの構成を広く適用可能である。電圧ＶＤＡＣ＿ＩＮは、比較回路ＣＰでの比較対象である基準電圧Ｖｒｅｆの生成に用いられる電圧である。

なお、電源回路５５で生成される電圧は、基準電圧Ｖｒｅｆの生成以外に用いられてもよい。例えば、電源回路５５で生成される電圧は、回路装置５００の他の回路の動作等に用いられる。回路装置５００が表示ドライバー１００に含まれる場合、電源回路５５は、電気光学パネル２００を駆動する駆動回路１０の動作に用いられてもよい。図２の基準電圧生成回路２３、及び検出電圧生成回路２５が温度センサーの起動に伴って動作する回路ブロックであるのに対して、この場合の電源回路５５は、温度センサーの起動とは関係なく常時動作する回路と言える。電源回路５５は、例えば回路装置５００の起動に伴って動作を開始する回路である。

基準電圧生成回路２３は、電源回路５５から供給される電圧ＶＤＡＣ＿ＩＮに基づいて、所与の設定温度に対応する基準電圧Ｖｒｅｆを生成し、生成したＶｒｅｆをスイッチ回路ＳＷに出力する。例えば検出電圧生成回路２５から出力される検出電圧Ｖｄｅｔが図３に示した特性を有する場合、基準電圧生成回路２３は当該特性に従った電圧を出力する。具体的には、設定温度がＴｒｅｆである場合、Ｔｒｅｆ及び図３の直線から決定される電圧を、基準電圧Ｖｒｅｆとして出力する。このようにすれば、基準電圧Ｖｒｅｆと検出電圧Ｖｄｅｔの比較により、設定温度Ｔｒｅｆと環境温度Ｔｅの比較を行うことが可能になる。基準電圧生成回路２３は、図３に示すように、電源回路５５から電圧ＶＤＡＣ＿ＩＮが供給される端子と、グラウンドＧＮＤとの間に設けられる抵抗Ｒｘ，Ｒ４（Ｒ４０〜Ｒ４ｎ），Ｒｙを含んでもよい。基準電圧生成回路２３は、電圧ＶＤＡＣ＿ＩＮを抵抗Ｒｘ，Ｒ４，Ｒｙにより分圧した電圧を、基準電圧Ｖｒｅｆとして出力する。なお、設定温度Ｔｒｅｆは１つの温度に固定してもよいがこれには限定されず、複数の温度から選択可能であってもよい。

図４は基準電圧生成回路２３の詳細な構成例である。基準電圧生成回路２３は、電源回路５５から電圧ＶＤＡＣ＿ＩＮが供給される端子とグラウンドＧＮＤとの間に、直列に設けられる抵抗Ｒｘ，Ｒ４０〜Ｒ４ｎ，Ｒｙを含む。抵抗Ｒ４０〜Ｒ４ｎによる電圧分割ノードＮＢ１〜ＮＢｎがセレクターＳＥのｎ個の入力端子に接続される。電圧分割ノードＮＢｉは抵抗Ｒ４ｉ−１と抵抗Ｒ４ｉの接続ノードである。ここでｉは１以上ｎ以下の整数であり、ｎは２以上の整数である。電圧分割ノードＮＢｉでの電圧をＶｒｅｆｉとした場合、セレクターＳＥにはｎ通りの電圧Ｖｒｅｆ１〜Ｖｒｅｆｎが入力される。セレクターＳＥは、設定温度を決定するための制御信号ＴＳＥＴに基づいて、Ｖｒｅｆ１〜Ｖｒｅｆｎのうちのいずれか１つの電圧を選択し、選択した電圧を基準電圧Ｖｒｅｆとしてスイッチ回路ＳＷに出力する。

このようにすれば、設定温度Ｔｒｅｆを、ｎ通りの候補のうちから選択することが可能になり、柔軟な温度検出を行うことが可能になる。Ｒｘ，Ｒ４０〜Ｒ４ｎ，Ｒｙの具体的な抵抗値は、設定温度Ｔｒｅｆの候補値、及び検出電圧生成回路２５の特性（例えば図３）に基づいて設定すればよい。なお、図２では基準電圧生成部２３が、抵抗Ｒｘ，Ｒ４０〜Ｒ４ｎ，Ｒｙを含む構成を示した。ただし、基準電圧生成部２３の構成はこれに限定されず、温度依存性がない構成であれば抵抗以外を用いることも可能である。

以上のように、電源回路５５、基準電圧生成回路２３、及び検出電圧生成回路２５により、スイッチ回路ＳＷには基準電圧Ｖｒｅｆ及び検出電圧Ｖｄｅｔが入力される。スイッチ回路ＳＷは、図１を用いて上述したように、ＳＷ１１，ＳＷ１２，ＳＷ２１，ＳＷ２２を含む。各スイッチの制御例については、図６等を用いて後述する。

図５は、比較回路ＣＰの構成例である。比較回路ＣＰは、Ｎ型（広義には第１導電型）のトランジスターＴｒ１，Ｔｒ２，Ｔｒ６，Ｔｒ７，Ｔｒ８と、Ｐ型（広義には第２導電型）のトランジスターＴｒ３，Ｔｒ４，ＴＲ５を含む。トランジスターＴｒ１及びＴｒ２は入力トランジスターであり、２つの入力信号（Ｖｒｅｆ，Ｖｄｅｔ）が、それぞれのゲートに入力される。すなわち、比較回路ＣＰの第１の入力端子Ｔｉｎ１及び第２の入力端子Ｔｉｎ２は、トランジスターＴｒ１のゲートに接続される端子及びトランジスターＴｒ２のゲートに接続される端子に対応する。トランジスターＴｒ１及びＴｒ２は差動対を構成する。

トランジスターＴｒ３及びＴｒ４はカレントミラーを構成し、トランジスターＴＲ４とＴＲ２の接続ノードがＴｒ５のゲートに接続される。トランジスターＴｒ５及びＴｒ６は出力段となるソース接地回路であり、Ｔｒ５とＴｒ６の間のノードＮｏｕｔが、出力信号ＯＵＴを出力する出力端子Ｔｏｕｔに接続される。

ＴＲ８とＴＲ７でカレントミラー回路が構成され、ＩＲＥＦに対応する電流が電流源のトランジスターであるＴＲ７に流れる。ＴＲ８とＴＲ６でカレントミラー回路が構成され、ＩＲＥＦに対応する電流が電流源のトランジスターであるＴＲ６に流れる。

第１の入力端子Ｔｉｎ１に入力される電圧をＶｉｎ１とし、第２の入力端子Ｔｉｎ２に入力される電圧をＶｉｎ２とする。Ｖｉｎ２＞Ｖｉｎ１の場合、ＴＲ２に流れる電流が大きくなり、ＴＲ５のゲートのノードの電圧が下がり、ＴＲ５がオンになり、ＯＵＴがハイレベルになる。Ｖｉｎ２＜Ｖｉｎ１の場合、ＴＲ２に流れる電流が小さくなり、ＴＲ５のゲートのノードの電圧が上がり、ＴＲ５がオフになり、ＯＵＴがローレベルになる。以上のように、図５の構成により比較回路ＣＰは２つの入力信号の大小に応じた比較結果を出力信号ＯＵＴとして出力する。ただし、比較回路ＣＰの構成は図５に限定されず、他の構成の比較回路（コンパレーター）を広く適用可能である。

図２において、比較回路ＣＰは、出力信号ＯＵＴを出力回路３１に出力する。出力回路３１は、例えばラッチ回路であり、当該ラッチ回路は例えば図１１の制御回路３０に設けられる。また、回路装置５００は、ラッチ回路の前段に、波形整形回路や電圧変換回路（降圧回路）等を含んでもよい。出力回路３１の動作タイミング（出力信号ＯＵＴに基づく信号をラッチするタイミング）については、図６等を用いて後述する。

また、図２に示したように、比較回路ＣＰの第１の入力端子Ｔｉｎ１、第２の入力端子Ｔｉｎ２、出力端子ＴｏｕｔのそれぞれとグラウンドＧＮＤとの間に、トランジスターＴｒ９〜Ｔｒ１１が設けられてもよい。トランジスターＴｒ９〜Ｔｒ１１は、比較回路ＣＰが動作状態の場合にはオフになり、非動作状態の場合にオンになる。このようにすれば、比較回路ＣＰの非動作状態の場合には第１の入力端子Ｔｉｎ１、第２の入力端子Ｔｉｎ２、出力端子Ｔｏｕｔの電荷がディスチャージされ、適切な動作を行うことが可能になる。

３．回路装置の動作例
次に回路装置５００の動作例について、図６〜図１０のタイミングチャートを用いて説明する。まず図６を用いて基本的な動作例を説明する。また回路装置５００が表示ドライバーに含まれる場合において、表示用の制御信号（垂直同期信号ＶＳＹＮＣ等）との関係を図７、図８を用いて説明する。また、回路装置５００の動作の変形例を図９、図１０を用いて説明する。

３．１ 回路装置の基本動作
図６は、回路装置５００の動作を表すタイミングチャート（信号の波形図）である。ＳＷ１は、スイッチ回路ＳＷに含まれるスイッチＳＷ１１及びＳＷ１２を制御する制御信号であり、図６の例ではＳＷ１がハイレベルの期間でＳＷ１１及びＳＷ１２がオン、ローレベルの期間でオフとなる。同様に、ＳＷ２は、スイッチＳＷ２１及びＳＷ２２を制御する制御信号であり、ＳＷ２がハイレベルの期間でＳＷ２１及びＳＷ２２がオン、ローレベルの期間でオフとなる。

ＳＷ１１及びＳＷ１２と、ＳＷ２１及びＳＷ２２は排他的にオンとなり、同時にオンになることはない。一方、ＳＷ１１及びＳＷ１２と、ＳＷ２１及びＳＷ２２が同時にオフになることは許容される。ＳＷ１がハイレベル（且つＳＷ２がローレベル）の期間が第１の期間であり、ＳＷ２がハイレベル（且つＳＷ１がローレベル）の期間が第２の期間である。

図６に示したように、スイッチ回路ＳＷは、まずＳＷ１１及びＳＷ１２をオン、ＳＷ２１及びＳＷ２２をオフとすることで、第１の入力端子Ｔｉｎ１にＶｄｅｔを供給し第２の入力端子Ｔｉｎ２にＶｒｅｆを供給する（Ａ１）。さらに、一旦ＳＷ１１，ＳＷ１２，ＳＷ２１，ＳＷ２２の全てをオフにし（Ａ３）、その後にＳＷ１１及びＳＷ１２をオフ、ＳＷ２１及びＳＷ２２をオンとすることで、第１の入力端子Ｔｉｎ１にＶｒｅｆを供給し第２の入力端子Ｔｉｎ２にＶｄｅｔを供給する（Ａ２）。Ａ１〜Ａ３により、比較回路ＣＰの差動対（Ｔｒ１，Ｔｒ２）での電圧レベルの偏りを抑止できる。Ａ１が第１の期間、Ａ２が第２の期間であり、その間の期間であるＡ３を第３の期間とする。

本実施形態の検出期間は、例えば第１〜第３の期間により構成される。つまり、第１〜第３の期間の長さをそれぞれＴ１〜Ｔ３とした場合、検出期間の長さＴＡ＝Ｔ１＋Ｔ２＋Ｔ３である。

また本実施形態では、所与の検出期間（第１の検出期間、図６のＡ５）の終了後、次の検出期間（第２の検出期間、Ａ６）が開始するまでの期間（Ａ４）を第４の期間とする。第４の期間の長さは上述したＴＢであり、ＴＢ＞ＴＡである。ＴＡ＋ＴＢは比較結果の出力周期を表し、例えば図７を用いて後述する垂直同期信号ＶＳＹＮＣに基づいて設定される。

ここでオフセットの低減効果を考慮すれば、第１の期間で比較回路ＣＰに供給される電圧は、第２の期間で比較回路ＣＰに供給される電圧と対称性を有することが重要である。そのため、スイッチ回路ＳＷにより入力信号を入れ替えたとしても、各期間の長さが異なってしまえば、当該長さのずれが電圧レベルの偏りにつながってしまい好ましくない。

よって本実施形態では、第１の期間の長さＴ１と第２の期間の長さＴ２が等しいことが望ましい。このようにすれば、電圧レベルの偏りを低減できるため、オフセットを適切に低減することが可能になる。ただし、Ｔ１とＴ２は厳密に一致する必要はなく、略同一であればよい。例えばＴ１及びＴ２は、Ｔ１とＴ２の差分が所与の閾値±δ１の範囲内であるという条件、或いはＴ１とＴ２の比が１±δ２の範囲内であるという条件を満たせばよい。一例としては、Ｔ１＝Ｔ２＝３０μｓｅｃ程度の時間を設定する。

図６に示したように、スイッチ回路ＳＷは、第１の検出期間が終了してから第２の検出期間が開始するまでの期間である第４の期間において、非選択状態に設定される。ここでの非選択状態とは、検出電圧Ｖｄｅｔ及び基準電圧Ｖｒｅｆのいずれも比較回路ＣＰに供給しない状態を表し、図１や図２の例であれば、ＳＷ１１，ＳＷ１２，ＳＷ２１，ＳＷ２２の全てのスイッチをオフにする状態に対応する。このようにすれば、スイッチ回路ＳＷの切り替えは、第１〜第４の期間のうちの、第１〜第３の期間において実行されればよく、相対的に長い期間である第４の期間では非選択状態を維持することになる。つまり、スイッチ回路ＳＷの切り替え頻度が低く、制御が容易になる。

また図６のＥＮは、比較回路ＣＰの動作を表す信号（比較回路ＣＰの制御信号）であり、ＥＮがハイレベルの場合に比較回路ＣＰは動作状態に設定され、ＥＮがローレベルの場合に、比較回路ＣＰは非動作状態又は低消費電力状態に設定される。

図６に示したように、比較回路ＣＰは、第１の検出期間が終了してから第２の検出期間が開始するまでの期間である第４の期間において、非動作状態又は低消費電力状態に設定される。このようにすれば、比較結果の出力周期に相当する第１〜第４の期間のうちの、相対的に長い期間である第４の期間で比較回路ＣＰを動作状態としないため、消費電力を低減できる。さらに非動作状態や低消費電力状態では、差動対に入力する電圧を低減する（狭義には０にする）ことができるため、素子の劣化を抑止し、オフセットを低減する効果を高めることが可能になる。

ここで比較回路ＣＰの非動作状態とは、比較回路ＣＰに対して、電源電圧ＶＤＤや基準電流（バイアス電流）Ｉｒｅｆが非供給となる期間を表す。また、非動作状態では、上述したディスチャージ用のトランジスターＴｒ９〜Ｔｒ１１がオンとなり、第１、第２の入力端子Ｔｉｎ１，Ｔｉｎ２及び出力端子Ｔｏｕｔの電荷をディスチャージしてもよい。また低消費電力状態とは、電源電圧ＶＤＤや基準電流Ｉｒｅｆの少なくとも一方の供給は継続されるが、供給量（電圧値、電流値）が動作状態に比べて小さくなる状態を表す。言い換えれば、低消費電力状態とは、第１の期間及び第２の期間に比べて、消費電力が小さい状態を表す。

また、図６のＡ３に示したように、スイッチ回路ＳＷは、第１の期間と第２の期間の間の第３の期間において、非選択状態に設定される。このようにすれば、第３の期間において、スイッチ回路ＳＷが比較回路ＣＰに電圧を供給しないため、第１の期間から第２の期間への遷移を適切に行うことが可能になる。例えば、ＳＷ１１，ＳＷ１２，ＳＷ２１，ＳＷ２２の全てのスイッチが同時にオンになるような不適切な状態の発生を抑止可能である。第３の期間の長さＴ３は種々の設定が可能であるが、例えば１５μｓｅｃ程度とすればよい。

比較回路ＣＰは、図６のＥＮに示したように、第１の期間と第２の期間の間の第３の期間において、非動作状態又は低消費電力状態に設定されてもよい。スイッチ回路ＳＷを非選択状態とすれば、スイッチ回路ＳＷから比較回路ＣＰへの検出電圧Ｖｄｅｔ及び基準電圧Ｖｒｅｆの供給は行われない。しかし、比較回路ＣＰが動作状態であれば、第３の期間での素子の劣化等の可能性は残る。例えば第３の期間の前の期間（図６の例では第１の期間）で蓄積された電荷がディスチャージされず、当該電荷により比較回路ＣＰが動作する（素子が劣化する）可能性がある。

これに対して、図６のように第３の期間で比較回路ＣＰを非動作状態又は低消費電力状態に設定すれば、不用な期間での比較回路ＣＰの動作を抑止でき、素子の経時変化（劣化）を抑止できる。図６に示した比較回路ＣＰの制御信号ＥＮは、例えばスイッチ回路ＳＷの制御信号であるＳＷ１及びＳＷ２の論理和（ＯＲ演算）により生成できる。

さらに言えば、比較回路ＣＰは、第１の期間及び第２の期間において動作状態となり、第１の期間及び第２の期間以外の期間において、非動作状態又は低消費電力状態に設定されてもよい。このようにすれば、必要な期間に限定して比較回路ＣＰが動作状態となるため、消費電力の増大や素子の劣化を効率的に抑止することが可能になる。

また図２に示したように、回路装置５００は、比較回路ＣＰの比較結果を出力する出力回路３１を含む。そして出力回路３１は、図６に示したように、第１の期間及び第２の期間のいずれか一方の期間での比較結果を出力してもよい。図６の例では、第２の期間での比較結果を出力する（ラッチする）例を示しているが、第１の期間の比較結果を出力してもよい。

なお、本実施形態では検出期間の長さＴＡを相対的に短くすることで、第１の期間と第２の期間の時間差を小さくしている。これにより、図６の出力信号ＯＵＴに示したように，第１の期間での比較結果と、第２の期間での比較結果は反転関係にあることが期待される。回路装置５００が比較結果を反転する回路を含む構成であれば、出力回路３１は、第１の期間と第２の期間のいずれの期間でも所望の信号を出力可能である。しかしその場合、反転用の回路の分だけ回路規模が増大するというデメリットがある。その点、第１の期間及び第２の期間のいずれか一方の期間での比較結果を出力する構成であれば、反転用の回路を設ける必要がなく、回路規模の増大を抑止できる。

なお、図６では出力信号ＯＵＴが第２の期間でハイレベルとなり、第１の期間でローレベルとなる例を示した。しかし出力信号ＯＵＴは、検出電圧Ｖｄｅｔと基準電圧Ｖｒｅｆの関係や、第１、第２の入力端子の設定等に応じて変化することは当業者であれば容易に理解できるであろう。

なお、本実施形態の回路装置５００は、インターフェース回路７０を介して、出力回路３１の出力結果に基づく信号を外部機器（ホスト、例えば図１２の処理部３１０）に対して出力してもよい。外部機器は、受信した信号に基づく処理を行う。後述する電気光学パネル２００を含む電子機器３００の例であれば、処理部３１０は異常検出を表す信号を受信した場合に、電気光学パネル２００のバックライトに供給する電流を絞る制御を行う。これにより電気光学パネル２００の発熱を抑えることが可能になる。

この際、回路装置５００のインターフェース（端子）からの出力は、種々の形態により実現可能である。例えば、回路装置５００の端子は、異常非検出時にはハイインピーダンス状態（Ｈｉ−Ｚ）に設定され、異常検出時には第１の論理レベルに設定されてもよい。第１の論理レベルは例えばローレベルであるがハイレベルであってもよい。或いは、画像を表示していない期間では端子をハイインピーダンス状態に設定するように、回路装置５００が表示ドライバー１００に含まれる場合は、画像の表示状態に応じて出力を変更してもよい。

なお、異常が検出された場合に、回路装置５００において、異常検出に応じた制御を実行してもよい。例えば回路装置５００が表示ドライバー１００に含まれる場合、電気光学パネル２００での画像の表示をオフにする（全面黒にする）制御を行ってもよい。

３．２ 画像表示用の制御信号との関係
本実施形態の回路装置５００は電気光学パネル２００を駆動する表示ドライバー１００に含まれてもよい。図７、図８は、表示ドライバー１００で用いられる画像表示用の制御信号の波形図（タイミングチャート）である。電気光学パネル２００での画像の表示には、垂直同期信号ＶＳＹＮＣ、水平同期信号ＨＳＹＮＣ、イネーブル信号ＥＮＡＢ、画素クロック信号（ピクセルクロック信号、ドットクロック信号）ＰＣＬＫが用いられる。

画素クロック信号ＰＣＬＫは、電気光学パネル２００の１画素（１ドット）に対応する信号であり、画面左上から右下に向かって、ＰＣＬＫに合わせて１画素ずつ走査することで１画面分のデータ信号（表示データに基づくデータ電圧）が出力される。水平同期信号ＨＳＹＮＣは、水平方向の１ラインを表す信号である。図８に示すように、ＨＳＹＮＣの１周期の間に、ＰＣＬＫは水平方向の画素数に対応する回数の立ち下がり（立ち上がり）が生じる。

また垂直同期信号ＶＳＹＮＣは１枚の画像（１フレーム）に対応する周期の信号である。ＶＳＹＮＣの１周期の間に、ＨＳＹＮＣは垂直方向の画素数（垂直フロントポーチ及び垂直バックポーチを含む）に相当する回数の立ち下がりが生じる。

イネーブル信号ＥＮＡＢは、データ信号（例えばＲ，Ｇ，Ｂの各８ビットの表示データに基づき生成される階調電圧）を出力する期間を表す信号である。

図７に示したように、垂直同期信号ＶＳＹＮＣの１周期であるＶＰは、１フレームに相当する期間となる。例えば上述したように、６４×ＶＰが約１秒であり、１フレームはその１／６４の時間となる。垂直同期信号ＶＳＹＮＣは、垂直同期を行う期間ＶＳでローレベルとなり、次に同期を開始するまでハイレベルとなる。ＶＳＹＮＣがハイレベルとなる期間は、垂直バックポーチ期間ＶＢＰと、垂直表示期間Ｖｄｉｓｐと、垂直フロントポーチ期間ＶＦＰに分けられる。

水平同期信号ＨＳＹＮＣは、水平同期を行う期間ＨＳでローレベルとなり、次に水平同期を開始するまでハイレベルとなる。垂直同期を行う期間ＶＳで水平同期が行われたタイミングを基点として、水平同期が行われた回数をカウントすることで、パネルのうちのどの水平ラインを走査しているかを特定可能となる。

データ信号の出力は、Ｖｄｉｓｐ且つ、所与の２つのＨＳの間の期間で行われる。厳密には、所与のＨＳの終了から、次のＨＳの開始までには、図８に示すように水平バックポーチ期間ＨＢＰと、水平表示期間Ｈｄｉｓｐと、水平フロントポーチ期間ＨＦＰが含まれるため、データ信号の出力はＶｄｉｓｐ且つＨｄｉｓｐの期間で行われればよい。そのため、イネーブル信号ＥＮＡＢは、図７に示したように、Ｖｄｉｓｐ且つＨｄｉｓｐの期間でハイレベル、その他の期間でローレベルに設定される。

図６に示したスイッチ回路ＳＷの制御、及び比較回路ＣＰの制御は、独自のクロック信号に基づいて行ってもよいが、図７に示した画像表示用の制御信号を利用してもよい。具体的には、回路装置５００は図１１を用いて後述するように、電気光学パネル２００を駆動する駆動回路１０を含み、検出期間（図６のＡ５，Ａ６）は、電気光学パネル２００の駆動に用いられる垂直同期信号ＶＳＹＮＣに基づいて設定される。

表示ドライバー１００では、電気光学パネル２００の駆動のために、垂直同期信号ＶＳＹＮＣを用いる必要がある。つまり垂直同期信号ＶＳＹＮＣを検出期間の設定にも流用することで、検出期間設定用の信号を別途生成（取得）する必要がない。そのため、制御信号生成用の回路、或いは制御信号取得用のインターフェースを設ける必要がなく、回路構成を簡略化することが可能になる。

一例としては、ｍフレームに１回の頻度で検出期間を設定する。ｍ＝６４とすれば、約１秒に１回検出期間が設定されることになる。この場合、検出期間を設定（開始）した際にカウンターをリセットし（例えばカウント値＝０）、垂直同期信号ＶＳＹＮＣの立ち下がり（或いは立ち上がり）でカウンターをインクリメントすることでフレーム数をカウントする。そして、カウント値がｍに対応する値（例えばカウント値＝６３）となったタイミングで、次の検出期間を開始するとともに、カウンターの再リセットを行う。このようにすれば、ｍフレームごとに検出期間を設定することが可能になる。

また、ｍ＝１とし、１フレームに１回の頻度で検出期間を設定してもよい。この場合、カウンターを設ける必要はなく、１回の垂直同期にあわせて１回の検出期間を設定すればよい。なお、１フレームに相当する期間ＶＰのうち、どのタイミングで検出期間を開始するかは種々の変形実施が可能である。一例としては、１フレーム分のデータ信号の出力が完了した後の期間である垂直フロントポーチ期間ＶＦＰにおいて、検出期間を設定する。上述したように、ＶＳＹＮＣ及びＨＳＹＮＣに基づいて垂直フロントポーチ期間ＶＦＰを特定可能であるため、ＶＳＹＮＣ及びＨＳＹＮＣから検出期間を設定できる。

また、検出期間の設定にＶＳＹＮＣを用いる場合、温度センサーの起動から所定フレーム経過するまでは検出期間を設定しないといった変形実施も可能である。比較回路ＣＰで精度の高い比較処理を行うためには、基準電圧Ｖｒｅｆや、比較回路ＣＰに供給される基準電流Ｉｒｅｆが所望の値で安定していることが重要となる。温度センサーの起動直後は、ＶｒｅｆやＩｒｅｆが安定していないおそれがあるため、当該期間で検出期間を非設定とすることで、比較回路ＣＰでの比較精度が低下することを抑止できる。なお温度センサーの起動は、例えばホスト（図１２の処理部３１０）からのコマンドに基づいて行われる。

なお、検出期間は、垂直同期信号ＶＳＹＮＣではなく水平同期信号ＨＳＹＮＣに基づいて設定されてもよい。ただし、図７、図８からわかるように、ＨＳＹＮＣはＶＳＹＮＣに比べて速いクロックであるため、ＨＳＹＮＣの立ち下がり（或いは立ち上がり）ごとに検出すると、検出回数が過剰に多くなってしまう。よって、カウンターによりＨＳＹＮＣの立ち上がり等をカウントし、ＨＳＹＮＣのｍ’回ごとに、検出期間を設定する。ここでのｍ’は、上述したｍに比べて大きい値とするとよい。

また、検出期間は、外部からのコマンド（狭義にはコマンド発行時の信号）に基づいて設定されてもよい。上述の例であれば、温度センサーの起動タイミングに基づいて、最初の検出期間が設定されており、検出期間が温度センサーの起動コマンドに基づいて設定されていることになる。また後述するように、温度センサーによる検出をコマンド受け付け時に限定して実行する変形例も考えられる。その場合、検出期間をコマンド（温度センサーの起動コマンド）に基づいて設定し、ＶＳＹＮＣやＨＳＹＮＣを用いないといった変形実施も考えられる。また、ここではコマンドとして温度センサーの起動コマンドの例を示したが、他のコマンドを検出期間の設定に用いることも妨げられない。

また、第１の期間及び第２の期間は、電気光学パネル２００の駆動に用いられる画素クロック信号ＰＣＬＫに基づいて設定されてもよい。具体的には、図６のスイッチ回路ＳＷの制御信号（ＳＷ１，ＳＷ２）の生成に、画素クロック信号ＰＣＬＫを用いる。図７、図８を用いて上述したように、画素クロック信号ＰＣＬＫは非常に速い（周波数の高い）クロック信号であるため、ＰＣＬＫを用いることでスイッチ回路ＳＷを高速に制御することが可能になる。なお、スイッチ回路ＳＷの制御には、画素クロック信号ＰＣＬＫそのものを用いてもよいし、ＰＣＬＫに基づくクロック信号（例えばＰＣＬＫを分周した信号）を用いてもよい。その際、回路装置５００はＰＣＬＫを分周する分周回路を含んでもよいし、回路装置５００の外部機器で分周されたクロック信号をインターフェース回路７０を介して取得してもよい。

以上の説明からわかるように、検出期間が設定される頻度はｍフレームに１回である。ｍフレームに相当する時間は、ｍの値やフレームレートによっても異なるが、短くても数十ｍｓｅｃのオーダーであり、数十μｓｅｃ程度のオーダーである検出期間の長さはｍフレームに比べて充分短い。つまり検出期間の長さＴＡと、第１の検出期間が終了してから第２の検出期間が開始するまでの期間（第４の期間）の長さＴＢを考えた場合、ＴＡはＴＡ＋ＴＢに比べて充分小さい。例えば、ＴＡ及びＴＢは、ＴＢ＞２×ＴＡである。ただし、ここでの右辺の係数は２に限定されず、より大きい値でもよい。広義には、ＴＡ＜＜ＴＢの関係が成り立つ。

なお、ＶＳＹＮＣやＨＳＹＮＣを用いて検出期間を設定するように、以上では検出期間が継続的に（周期的に）設定される例を説明した。すなわち上記の例では、温度センサーの起動後は、継続的に温度異常の検出を行うことを想定している。ただし、温度センサーによる温度異常の検出を常時行うのではなく、ホストからのコマンドを受け付けたときのみ実行してもよい。このようにすれば、図２の基準電圧生成回路２３や、検出電圧生成回路２５、比較回路ＣＰの動作頻度が低下するため、省電力化が可能になるし、比較回路ＣＰに対する電圧の供給頻度も低下するため、比較回路ＣＰの劣化も抑止可能である。

ここでのコマンドとは、例えば上述したように、ホストからの温度センサーの起動コマンドである。回路装置５００（狭義には制御回路３０）は、コマンドが入力された後、所定期間だけ温度センサーによる検出動作を実行し、当該所定期間の経過後に、検出動作を終了する。検出動作の終了後は、コマンド受け付け状態に移行し、コマンドが入力された場合に、再度所定期間だけ検出動作を実行すればよい。

この場合、上述したように、検出期間は外部からのコマンドに基づいて設定される。例えば、コマンド信号の受け付け後、所定時間の経過後に検出期間を設定する。ここでの所定時間は、基準電圧Ｖｒｅｆや基準電流Ｉｒｅｆを安定されるための時間であり、上述したように、所定時間をＶＳＹＮＣを用いてカウントしてもよい。ただし、ここでは周期的な検出動作を行う必要はないため、検出期間の設定にＶＳＹＮＣを用いないことも可能である。例えば上記所定期間の計測に、ＶＳＹＮＣ以外の信号（例えば回路装置５００の内部クロック等）を用いてもよい。このようにすれば、検出期間が周期的に設定されない場合であっても、比較回路ＣＰの経時劣化を抑止することが可能になる。

３．３ 変形例
図９は第１の変形例でのタイミングチャートである。図９に示したように、比較回路ＣＰは、第１〜第３の期間（Ｂ１〜Ｂ３）において動作状態となり、第４の期間（Ｂ４）において、非動作状態又は低消費電力状態に設定されてもよい。すなわち、第１の期間と第２の期間の間の期間である第３の期間では、比較回路ＣＰは、図６に示したように非動作状態又は低消費電力状態に設定されてもよいし、図９に示したように動作状態に設定されてもよい。

上述したように、比較回路ＣＰの素子の経時変化を考慮すれば、図９よりも図６の方が好ましい。ただし、図９の例では第３の期間で比較回路ＣＰが動作状態を維持する。そのため、第３の期間の後の期間（図９では第２の期間）では、比較回路ＣＰの出力が安定しており、当該期間での比較結果を出力する（ラッチする）ことで、出力信号ＯＵＴが所望の値に変化する前に出力してしまうこと等を抑止できる。

つまり、第１の期間の後に第２の期間がある場合に、出力回路３１は、第２の期間での比較結果を出力するとよい。このようにすれば、比較結果の高精度での出力が可能になる。

また図１０は第２の変形例でのタイミングチャートである。図１０に示したように、検出期間内での第１の期間と第２の期間の順序は、第１の期間が先であるものには限定されず、第２の期間が先であってもよい。また、図１０に示したように、各検出期間で第１の期間と第２の期間の順序が固定される必要もない。図１０の例では、第１の検出期間（Ｃ５）では、第１の期間（Ｃ１１）が第２の期間（Ｃ２１）よりも時間的に前であり、第２の検出期間（Ｃ６）では、第２の期間（Ｃ２２）が第１の期間（Ｃ１２）よりも時間的に前である。

このように、本実施形態の検出期間とは、第１の期間が開始してから第２の期間が終了するまでであってもよいし、第２の期間が開始してから第１の期間が終了するまでであってもよい。また、検出期間ごとに第１の期間と第２の期間の順序を入れ替えてもよく、各期間の設定は種々の変形実施が可能である。

ただし、図１０の例の場合、ラッチするタイミングの切り替え、或いは比較結果に基づく演算処理が必要になる。例えば、第１の期間（Ｃ１１，Ｃ１２）でラッチする場合、第１の検出期間（Ｃ５）では、検出期間の前半期間でラッチし、第２の検出期間（Ｃ６）では検出期間の後半期間でラッチすることになる。つまり、第１の期間での比較結果を出力しようとすれば、検出期間内でのラッチタイミングを適宜変更する制御が必要となる。これは第２の期間での比較結果を出力する場合にも同様である。

また、検出期間のうち、時間的に後（或いは前）の期間での比較結果を出力してもよい。例えば、第１の検出期間（Ｃ５）では第２の期間（Ｃ２１）の比較結果を出力し、第２の検出期間（Ｃ６）では第１の期間（Ｃ１２）の比較結果を出力する。このようにすれば、ラッチタイミングの変更は不要である。しかし、第１の期間と第２の期間では、基準電圧Ｖｒｅｆと検出電圧Ｖｄｅｔの入力される端子が反転しているため、いずれか一方の期間での比較結果に基づく演算処理（インバーターで反転する処理）が必要となってしまう。

この点を考慮すれば、図１０と比較した場合、図６或いは図９の手法は、ラッチするタイミングの変更や、比較結果に基づく演算処理が不要であるという点で有利である。

また上述してきた本実施形態（及び変形例）の手法は、以下のように考えることも可能である。すなわち、回路装置５００は、環境センサーからの検出結果に基づく検出電圧Ｖｄｅｔと、基準電圧Ｖｒｅｆとが入力されるスイッチ回路ＳＷと、第１の入力端子Ｔｉｎ１及び第２の入力端子Ｔｉｎ２を有し、第１の入力端子Ｔｉｎ１に供給される電圧と第２の入力端子Ｔｉｎ２に供給される電圧を比較する比較回路ＣＰを含む。そしてスイッチ回路ＳＷは、第１の比較期間において、第１の入力端子Ｔｉｎ１に検出電圧Ｖｄｅｔを供給し、第２の入力端子Ｔｉｎ２に基準電圧Ｖｒｅｆを供給する。またスイッチ回路ＳＷは、第１の比較期間が終了した後の第２の比較期間において、第１の入力端子Ｔｉｎ１に基準電圧Ｖｒｅｆを供給し、第２の入力端子Ｔｉｎ２に検出電圧Ｖｄｅｔを供給する。さらにスイッチ回路ＳＷは、第２の比較期間が終了した後の第３の比較期間において、第１の入力端子Ｔｉｎ２に検出電圧Ｖｄｅｔと基準電圧Ｖｒｅｆの一方を供給し、第２の入力端子Ｔｉｎ２に検出電圧Ｖｄｅｔと基準電圧Ｖｒｅｆの他方を供給する。そして第１の比較期間の開始から第２の比較期間の終了までの期間は、第２の比較期間の終了から第３の比較期間の開始までの期間より短い。

ここでの第１〜第３の比較期間の各期間は、スイッチ回路ＳＷにより比較回路ＣＰに対して基準電圧Ｖｒｅｆ及び検出電圧Ｖｄｅｔが供給され、比較回路ＣＰによる比較が行われる期間を表す。図６の例であれば、第１の比較期間は第１の検出期間Ａ５のうちの第１の期間Ａ１に対応し、第２の比較期間は第１の検出期間Ａ５のうちの第２の期間Ａ２に対応し、第３の比較期間は、第２の検出期間Ａ６のうちの第１の期間に対応する。つまり図６の例では、第１の比較期間の開始から第２の比較期間の終了までの期間とは、第１の検出期間Ａ５を表す。また、第２の比較期間の終了から第３の比較期間の開始までの期間とは、Ａ４に示した期間を表す。

第１の比較期間と第２の比較期間では、比較回路ＣＰの２つの入力端子に供給される電圧が反転しているため、第１の比較期間と第２の比較期間を合わせた期間において、比較回路ＣＰでの電圧レベルの偏りが抑制されている。それに対して、第３の比較期間で電圧が供給されることで電圧レベルの偏りが生じ、その偏りの解消には、第３の比較期間の後に電圧を反転させた比較期間（第４の比較期間）を設ける必要がある。その点で、第１の比較期間と第２の比較期間は結びつきが強い一単位の期間であり、第３の比較期間はこれら２つの期間と結びつきが弱い別単位の期間である。本実施形態では、第１の比較期間と第２の比較期間の時間差を相対的に小さくするとともに、別単位となる第３の比較期間との時間差を相対的に大きくすることで、オフセット抑止効果の向上や、回路装置の低消費電力化等を実現する。つまりこのような観点で考えた場合、上述したように、第１の比較期間の開始から第２の比較期間の終了までの期間を、第２の比較期間の終了から第３の比較期間の開始までの期間より短くすることが重要となる。

４．電気光学装置
図１１は、本実施形態の回路装置５００（特に表示ドライバー１００に適用される回路装置５００）を含む電気光学装置４００（表示装置）の構成例である。電気光学装置４００は、表示ドライバー１００、電気光学パネル２００を含む。表示ドライバー１００は、駆動回路１０、制御回路３０、Ｄ／Ａ変換回路４０、電圧生成回路５０、記憶部６０（メモリー）、インターフェース回路７０を含む。電気光学パネル２００は、画素アレイ２１０、サンプルホールド回路２２０を含む。画素アレイ２１０は複数の画素がアレイ状に配置されたものである。サンプルホールド回路２２０は、例えばトランジスターにより実現される。

インターフェース回路７０は、表示ドライバー１００と外部の処理装置（例えば図１２の処理部３１０）との間の通信を行う。例えば外部の処理装置からインターフェース回路７０を介してクロック信号や表示データが制御回路３０に入力される。

制御回路３０はインターフェース回路７０を介して入力されたクロック信号や表示データに基づいて表示ドライバー１００の各部を制御する。例えば制御回路３０は、画素アレイ２１０の水平走査線の選択や垂直同期制御等の表示タイミングの制御を行い、その表示タイミングに従って駆動回路１０の制御を行う。駆動回路１０は、制御回路３０の制御に従って、表示データに基づき生成されたデータ信号（データ電圧、階調電圧）を、電気光学パネル２００（サンプルホールド回路２２０）に出力する。

電圧生成回路５０は、各種電圧を生成して駆動回路１０やＤ／Ａ変換回路４０に出力する。例えば電圧生成回路５０は、複数の電圧を生成する階調電圧生成回路（例えばラダー抵抗）、駆動回路１０のアンプ回路の電源を生成する電源回路等を含む。また、電圧生成回路５０は、図２に示した電源回路５５を含んでもよい。

Ｄ／Ａ変換回路４０は、制御回路３０からの表示データをＤ／Ａ変換し、そのＤ／Ａ変換された電圧を駆動回路１０に出力する。即ち、電圧生成回路５０の階調電圧生成回路から供給される複数の電圧のうち、表示データに対応する電圧を選択し、その選択された電圧を駆動回路１０に出力する。

記憶部６０は、表示ドライバー１００の制御に用いる種々のデータ（例えば設定データ）等を記憶する。例えば記憶部６０は不揮発性メモリーやＲＡＭ（ＳＲＡＭ、ＤＲＡＭ等）で構成される。

また本実施形態に係る回路装置５００を含む表示ドライバー１００は、環境センサー（温度センサー、検出電圧生成回路２５）を含んでもよい。このようにすれば、電気光学パネル２００側に温度センサーを設ける必要がない。また、表示ドライバー１００は、外部の処理装置（ホスト）に対して信号を送る機能を有することが想定されるため、環境センサー及び比較回路ＣＰ等を表示ドライバー１００に設けることで、環境異常を適切にホストに通知すること等が可能になる。なお、表示ドライバー１００は電気光学パネル２００に充分近い位置（例えばＬＥＤが実装される基板上）に実装されるため、表示ドライバー１００で検出される温度は、電気光学パネル２００の温度であると考えてよい。

５．電子機器
図１２は、本実施形態の回路装置５００（特に表示ドライバー１００に適用される回路装置５００）を含む電子機器３００の構成例である。電子機器３００の具体例としては、例えばプロジェクターやヘッドマウントディスプレイ、携帯情報端末、車載装置（例えばメーターパネル、カーナビゲーションシステム等）、携帯型ゲーム端末、情報処理装置等の、表示装置を搭載する種々の電子機器を想定できる。

電子機器３００は、処理部３１０（例えばＣＰＵ等のプロセッサー、或いはゲートアレイ）、記憶部３２０（例えばメモリー、ハードディスク等）、操作部３３０（操作装置）、インターフェース部３４０（インターフェース回路、インターフェース装置）、電気光学装置４００（ディスプレイ）を含む。電気光学装置４００は図１１のように表示ドライバー１００と電気光学パネル２００を含む。

操作部３３０は、ユーザーからの種々の操作を受け付けるユーザーインターフェースである。例えば、ボタンやマウス、キーボード、電気光学装置４００（電気光学パネル２００）に装着されたタッチパネル等である。インターフェース部３４０は、画像データや制御データの入出力を行うデータインターフェースである。例えばＵＳＢ等の有線通信インターフェースや、或いは無線ＬＡＮ等の無線通信インターフェースである。記憶部３２０は、インターフェース部３４０から入力されたデータを記憶する。或いは、記憶部３２０は、処理部３１０のワーキングメモリーとして機能する。処理部３１０は、インターフェース部３４０から入力された或いは記憶部３２０に記憶された表示データを処理して電気光学装置４００（表示ドライバー１００）に転送する。電気光学装置４００は、処理部３１０から転送された表示データに基づいて画素アレイに画像を表示する。

なお、上記のように本実施形態について詳細に説明したが、本発明の新規事項および効果から実体的に逸脱しない多くの変形が可能であることは当業者には容易に理解できるであろう。従って、このような変形例はすべて本発明の範囲に含まれるものとする。例えば、明細書又は図面において、少なくとも一度、より広義または同義な異なる用語と共に記載された用語は、明細書又は図面のいかなる箇所においても、その異なる用語に置き換えることができる。また本実施形態及び変形例の全ての組み合わせも、本発明の範囲に含まれる。また回路装置、表示ドライバー、電気光学パネル、電気光学装置、電子機器等の構成・動作等も、本実施形態で説明したものに限定されず、種々の変形実施が可能である。

ＣＰ…比較回路、ＤＩ…ダイオード、Ｔｉｎ１，Ｔｉｎ２…入力端子、
Ｔｏｕｔ…出力端子、Ｒｘ，Ｒ４０-Ｒ４ｎ，Ｒｙ…抵抗、ＳＥ…セレクター、
ＳＷ…スイッチ回路、ＳＷ１１，ＳＷ１２，ＳＷ２１，ＳＷ２２…スイッチ、
Ｔｒ１〜Ｔｒ１１…トランジスター、１０…駆動回路、２１…レギュレーター回路、
２３…基準電圧生成回路、２５…検出電圧生成回路、３０…制御回路、３１…出力回路、
４０…Ｄ／Ａ変換回路、５０…電圧生成回路、５５…電源回路、６０…記憶部、
７０…インターフェース回路、１００…表示ドライバー、２００…電気光学パネル、
２１０…画素アレイ、２２０…サンプルホールド回路、３００…電子機器、
３１０…処理部、３２０…記憶部、３３０…操作部、３４０…インターフェース部、
４００…電気光学装置、５００…回路装置

Claims (15)

1. 第１の入力端子及び第２の入力端子を有し、前記第１の入力端子に供給される電圧と前記第２の入力端子に供給される電圧を比較する比較回路と、
   環境センサーからの検出結果に基づく検出電圧と、基準電圧とが入力されるスイッチ回路と、
   を含み、
   前記スイッチ回路は、
   検出期間のうちの第１の期間においては前記比較回路の前記第１の入力端子に前記検出電圧を供給し、前記第２の入力端子に前記基準電圧を供給し、前記検出期間のうちの第２の期間においては前記第１の入力端子に前記基準電圧を供給し、前記第２の入力端子に前記検出電圧を供給し、
   前記検出期間の長さをＴＡとし、前記検出期間である第１の検出期間が終了してから、前記第１の検出期間の次の前記検出期間である第２の検出期間が開始するまでの期間の長さをＴＢとした場合に、
   ＴＢ＞ＴＡであることを特徴とする回路装置。
2. 請求項１において、
   前記比較回路は、
   前記第１の期間と前記第２の期間の間の第３の期間において、非動作状態、又は、前記第１の期間及び前記第２の期間に比べて消費電力が小さい低消費電力状態に設定されることを特徴とする回路装置。
3. 請求項１において、
   前記スイッチ回路は、
   前記第１の期間と前記第２の期間の間の第３の期間において、前記第１の入力端子及び前記第２の入力端子に前記検出電圧と前記基準電圧のいずれも供給しない非選択状態に設定されることを特徴とする回路装置。
4. 請求項１乃至３のいずれかにおいて、
   前記比較回路は、
   前記第１の検出期間が終了してから前記第２の検出期間が開始するまでの期間である第４の期間において、非動作状態、又は、前記第１の期間及び前記第２の期間に比べて消費電力が小さい低消費電力状態に設定されることを特徴とする回路装置。
5. 請求項１乃至３のいずれかにおいて、
   前記スイッチ回路は、
   前記第１の検出期間が終了してから前記第２の検出期間が開始するまでの期間である第４の期間において、前記第１の入力端子及び前記第２の入力端子に前記検出電圧と前記基準電圧のいずれも供給しない非選択状態に設定されることを特徴とする回路装置。
6. 請求項１において、
   前記比較回路は、
   前記第１の期間及び前記第２の期間において動作状態となり、
   前記第１の期間及び前記第２の期間以外の期間において、非動作状態、又は、前記第１の期間及び前記第２の期間に比べて消費電力が小さい低消費電力状態に設定されることを特徴とする回路装置。
7. 請求項１乃至６のいずれかにおいて、
   前記比較回路の比較結果を出力する出力回路を含み、
   前記出力回路は、
   前記第１の期間及び前記第２の期間のいずれか一方の期間での前記比較結果を出力することを特徴とする回路装置。
8. 請求項７において、
   前記検出期間において、前記第１の期間の後に前記第２の期間が設定される場合に、
   前記出力回路は、
   前記第２の期間での前記比較結果を出力することを特徴とする回路装置。
9. 請求項１乃至８のいずれかにおいて、
   前記第１の期間の長さと前記第２の期間の長さが等しいことを特徴とする回路装置。
10. 請求項１乃至９のいずれかにおいて、
    前記検出期間の長さＴＡと、前記第１の検出期間が終了してから前記第２の検出期間が開始するまでの期間の長さＴＢは、
    ＴＢ＞２×ＴＡであることを特徴とする回路装置。
11. 請求項１乃至１０のいずれかにおいて、
    電気光学パネルを駆動する駆動回路を含み、
    前記検出期間は、
    前記電気光学パネルの駆動に用いられる垂直同期信号、又は外部からのコマンドに基づいて設定されることを特徴とする回路装置。
12. 請求項１１において、
    前記第１の期間及び前記第２の期間は、
    前記電気光学パネルの駆動に用いられる画素クロック信号に基づいて設定されることを特徴とする回路装置。
13. 環境センサーからの検出結果に基づく検出電圧と、基準電圧とが入力されるスイッチ回路と、
    第１の入力端子及び第２の入力端子を有し、前記第１の入力端子に供給される電圧と前記第２の入力端子に供給される電圧を比較する比較回路と、
    を含み、
    前記スイッチ回路は、
    第１の比較期間において、前記第１の入力端子に前記検出電圧を供給し、前記第２の入力端子に前記基準電圧を供給し、
    前記第１の比較期間が終了した後の第２の比較期間において、前記第１の入力端子に前記基準電圧を供給し、前記第２の入力端子に前記検出電圧を供給し、
    前記第２の比較期間が終了した後の第３の比較期間において、前記第１の入力端子に前記検出電圧と前記基準電圧の一方を供給し、前記第２の入力端子に前記検出電圧と前記基準電圧の他方を供給し、
    前記第１の比較期間の開始から前記第２の比較期間の終了までの期間が、前記第２の比較期間の終了から前記第３の比較期間の開始までの期間より短いことを特徴とする回路装置。
14. 請求項１１又は１２に記載された回路装置と、
    前記電気光学パネルと、
    を含むことを特徴とする電気光学装置。
15. 請求項１乃至１３のいずれかに記載された回路装置を含むことを特徴とする電子機器。

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