JP2018040883A - 調光デバイス - Google Patents

Abstract

【課題】電極層の抵抗値が低く抑えられ、しかも熱線反射機能を備えた調光デバイスの提供。【解決手段】本発明の調光デバイス１０は、調光層１１と、この調光層１１を挟む一対の電極基材１２，１２とを備える。電極基材１２は、支持層１３と、調光層１１側を向く形で支持層１３上に形成される電極層１４とを有する。電極層１４は、金属系薄膜層１４ａと、この金属系薄膜層１４ａを挟む一対の金属酸化物層１４ｂ，１４ｂとを少なくとも含むことを特徴とする。【選択図】図１

Description

本発明は、調光デバイスに関する。

印加する電圧の有無に応じて光の透過率を変化させる調光デバイスが知られている（例えば、特許文献１〜３参照）。この種の調光デバイスは、主として、液晶材料等を含む調光層と、この調光層を挟む一対の電極基板とを備えている。

特許文献１は、ＰＥＴフィルムからなる透明基材上に、ＩＴＯ（亜鉛添加酸化インジウム）等透明導電膜からなる電極層が形成されてなる電極基板を利用した調光デバイスを開示する。

特許文献２は、ＰＥＴフィルムからなる透明基板上に、電極層として、紫外線硬化型の導電コーティング剤からなる導電性ポリマー層が形成されてなる電極基板を利用した調光デバイスを開示する。

特許文献３は、ＰＥＴフィルムからなる透明基板上に、Ａｇナノワイヤーと、バインダ等を含む電極層が形成されてなる電極基板を利用した調光デバイスを開示する。

特開２０１６−２９５０２号公報 特開２０１５−２１５４２０号公報 特開２０１５−１２５１７０号公報

上記のように、電極層がＩＴＯ等の金属酸化物や導電性ポリマー層からなる場合、電極基板（電極層）の抵抗値を低くすること（例えば、６．５Ω／□程度）が難しい。そのため、このような電極基板を備えた調光デバイスでは、印加電圧（駆動電圧）が高くなり、しかも調光層の応答速度が遅くなるという問題があった。

また、上記のように、電極層がＡｇナノワイヤーを含んでいる場合、Ａｇナノワイヤーが湿気等の影響により腐食し易く、調光デバイスの耐久性に問題があった。

また、従来の調光デバイスは、可視光の透過率を変化させる機能を備えているものの、熱線（赤外光）を調節する機能は備えていなかった。

本発明の目的は、電極層の抵抗値が低く抑えられ、しかも熱線反射機能を備えた調光デバイスを提供することである。

本発明に係る調光デバイスは、調光層と、この調光層を挟む一対の電極基材とを備える調光デバイスであって、前記電極基材は、支持層と、前記調光層側を向く形で前記支持層上に形成される電極層とを有し、前記電極層は、金属系薄膜層と、この金属系薄膜層を挟む一対の金属酸化物層とを少なくとも含むことを特徴とする。

前記調光デバイスにおいて、前記金属系薄膜層は、銀又は銀合金からなる銀系薄膜層からなることが好ましい。

前記調光デバイスにおいて、前記電極基材は、前記支持層と前記電極層との間に介在されるガスバリア層を備えることが好ましい。

前記調光デバイスにおいて、前記電極層の表面抵抗値が６．５Ω／□以下であることが好ましい。

前記調光デバイスにおいて、前記電極基材の全光線透過率が７８％以上であることが好ましい。

前記調光デバイスにおいて、前記電極基材の日射反射率が２５％以上であることが好ましい。

前記調光デバイスにおいて、前記支持層の厚みが６０μｍ以下であることが好ましい。

本発明によれば、電極層の抵抗値が低く抑えられ、しかも熱線反射機能を備えた調光デバイスを提供することができる。

調光デバイスの構成を模式的に表した断面図 電極基材の構成を模式的に表した断面図 ガスバリア層を備えた電極基材の構成を模式的に表した断面図 金属系薄膜層を２層有する電極層を備えた電極基材の構成を模式的に表した断面図

本発明の一実施形態に係る調光デバイスについて、図面を参照しつつ説明する。図１は、調光デバイス１０の構成を模式的に表した断面図である。調光デバイス１０は、図１に示されるように、主として、調光層１１と、一対の電極基材１２，１２とを備えている。

（調光層）
調光層１１は、印加電圧に応じて光透過率が変化する層であり、一対の電極基材１２，１２の間で挟まれる透明なマトリックスポリマー層１１ａと、このマトリックスポリマー層１１ａ中に分散されている複数の液晶カプセル１１ｂとを備えている。

マトリックスポリマー層１１ａは、光（可視光）透過性を有する透明な樹脂（高分子バインダ）の層であり、例えば、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂等からなる。

液晶カプセル１１ｂは、マイクロカプセル内に液晶分子が封入されたものからなる。液晶分子としては、特に制限はなく、例えば、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）液晶、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）液晶、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）液晶等の従来公知の液晶を用いることができる。

マイクロカプセルに使用される材料としては、内包する液晶分子に溶解しない材料が用いられ、例えば、ポリスチレン、ポリアミド、ナイロン、ポリエステル、ポリフェニルエステル、ポリウレタン、ポリウレア、メラミンホルマリン樹脂、フェノールホルマリン樹脂、尿素ホルマリン樹脂、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、ゼラチン、セルロース誘導体、ゼラチン−アラビアゴム、ゼラチン−ゲランゴム、ゼラチン−ペプトン、ゼラチン−カルボキシメチルセルロース等が挙げられる。なお、マイクロカプセル内には、液晶分子以外に、溶媒等が含まれてもよい。

液晶カプセル１１ｂの調製には、公知の液晶マイクロカプセル化手法（例えば、相分離法、界面重合法、in situ重合法）を用いることができる。

調光層１１の厚みは、本発明の目的を損なわない限り、特に制限はないが、例えば、５μｍ〜２０μｍが好ましく、８μｍ〜１５μｍがより好ましい。

なお、本実施形態の調光層１１は、高分子バインダ中にマイクロカプセル化された液晶を分散したＰＤＭＬＣ（Polymer Dispersed Microencapsulated Liquid Crystal）と称される方式であるが、本発明はこれに限られない。例えば、他の調光層としては、一対の電極基材の間に液晶を連続相として封入する方式、高分子バインダ中にコレステリック液晶をドロップ状に分散したＰＤＬＣ（Polymer Dispersed Liquid Crystal）と称される方式等を用いてもよい。

（電極基材）
電極基材１２は、支持層１３と、調光層１１側を向く形で支持層１３上に形成される電極層１４とを備えている。

支持層１３は、透明な樹脂フィルムからなり、電極基材１２の強度確保、電極層１４等の支持等の目的で利用される。樹脂フィルムを構成する樹脂材料としては、本発明の目的を損なわない限り、特に制限はないが、例えば、ポリエステル系樹脂が挙げられる。ポリエステル系樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリエチレンナフタレート等を用いることができる。また、透明性等が確保されていれば、ポリエステル系樹脂以外のフィルム材でもよく、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン樹脂、ナイロン６、ナイロン１２等のポリアミド樹脂、ポリビニルアルコール、エチレン−ビニルアルコール共重合体等のビニルアルコール樹脂、ポリスチレン、トリアセチルセルロース、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエーテルサルホン、環状ポリオレフィン等の合成樹脂からなるフィルムを用いることができる。

支持層１３は、樹脂フィルムのみからなる構成である。支持層１３の厚みは、本発明の目的を損なわない限り、特に制限はないが、例えば、２５μｍ〜１２５μｍが好ましく、５０μｍ〜７５μｍがより好ましい。また、支持層１３の厚みを、７５μｍ以下（好ましくは、６０μｍ以下）にすることで、電極基材１２、及び調光デバイス１０全体の可撓性を確保することができる。

なお、他の実施形態においては、樹脂フィルムからなる芯材の両面又は片面に平坦化層（ハードコート層）が形成された構成であってもよい。平坦化層の厚みは、特に制限されないが、例えば、１μｍ〜１０μｍが好ましい。平坦化層の厚みが１μｍ未満になると、期待するような平坦化を十分に行うことが難しくなる。一方、平坦化層の厚みが１０μｍを超えると、さらなる平坦化を期待することは困難である。

上記平坦化層を構成する材料としては、例えば、エネルギー線硬化型のアクリル系樹脂組成物を挙げることができる。ここでいうエネルギー線としては、例えば、紫外線、電子線等を挙げることができる。上記エネルギー線硬化型のアクリル系樹脂組成物としては、アクリル系のモノマーやオリゴマー等を主成分として、さらに光重合開始剤などが添加された組成物を利用することができる。

なお、本発明の目的を損なわない限り、支持層１３の表面に、必要に応じて、プラズマ処理、コロナ放電処理、火炎処理等の表面処理を行ってもよい。

図２は、電極基材１２の構成を模式的に表した断面図である。支持層１３上に形成される電極層１４は、図２に示されるように、金属系薄膜層１４ａと、この金属系薄膜層１４ａを挟む一対の金属酸化物層１４ｂ、１４ｂとを備えている。

金属系薄膜層１４ａは、金属又は合金の薄膜からなり、導電性、熱線（赤外線）反射性、光（可視光）透過性等の機能を有する。金属系薄膜層１４ａとしては、本発明の目的を損なわない限り、特に制限はないが、例えば、熱線反射性、導電性、耐久性等に優れる銀又は銀合金の薄膜からなる銀系薄膜層が好ましい。

銀系薄膜層に利用される銀又は銀合金としては、例えば、銀（Ａｇ）、銀パラジウム合金（ＡｇＰｄ）、銀パラジウム銅合金（ＡｇＰｄＣｕ）、銀同合金（ＡｇＣｕ）等が挙げられる。なお、好ましい銀系薄膜層としては、特に耐久性等に優れる銀パラジウム合金が挙げられる。

金属系薄膜層１４ａの厚みは、１４．０ｎｍ〜２２．０ｎｍが好ましく、１５．０ｎｍ〜２１．０ｎｍがより好ましい。金属系薄膜層１４ａの厚みがこのような範囲であると、電極層１４の表面抵抗率が低く抑えられると共に、光（可視光）透過性及び熱線反射性が確保される。

金属系薄膜層１４ａは、図２に示されるように、一対の金属酸化物層１４ｂ，１４ｂで挟まれる形で、それらの間に介在されている。

金属酸化物層１４ｂは、金属系薄膜層１４ａにおける可視光の反射を抑制し、かつ可視光の透過性を向上させる機能を備えている。また、金属酸化物層１４ｂは、金属系薄膜層１４ａの腐食（例えば、湿気や硫化物による腐食）を抑制する機能を備えている。

一対の金属酸化物層１４ｂ，１４ｂのうち、一方の金属酸化物層１４ｂは、支持層１３の表面に積層され、他方の金属酸化物層１４ｂは、金属系薄膜層１４ａの表面に積層されている。これらの金属酸化物層１４ｂ，１４ｂは、金属系薄膜層１４ａを挟むように形成されている。

金属酸化物層１４ｂを構成する材質（金属酸化物）としては、例えば、アルミ添加酸化亜鉛、チタン添加酸化亜鉛、亜鉛添加酸化インジウム、酸化ニオブからなる群より選ばれる１種の金属酸化物が使用される。金属酸化物層１４ｂがこのような金属酸化物から形成されると、電極基材１２が高温多湿環境下で使用されても、金属系薄膜層１４ａ（特に、銀系薄膜層）の腐食を抑制することができる。なお、本発明の目的を損なわない限り、金属酸化物層１４ｂは、上述した金属酸化物以外の物質を含有してもよい。

なお、金属酸化物がアルミ添加酸化亜鉛からなる場合、酸化亜鉛中のアルミニウム元素の含有率は、０．１〜２０原子％が好ましい。

また、金属酸化物がチタン添加酸化亜鉛からなる場合、酸化亜鉛中のチタン元素の含有率は、０．１〜２０原子％が好ましい。

また、金属酸化物が亜鉛添加酸化インジウムからなる場合、酸化インジウム中の亜鉛元素の含有率は、０．１〜２０原子％が好ましい。

また、金属酸化物層１４ｂは、金属系薄膜層１４ａと比べて、可視光の屈折率が高く設定されることが好ましい。金属酸化物層１４ｂの屈折率（波長：５８９．３ｎｍ）は、例えば、１．９以上に設定されることが好ましい。

また、金属酸化物層１４ｂの厚み（単層の厚み）は、例えば、１０ｎｍ〜５０ｎｍ、好ましくは１０ｎｍ〜３０ｎｍに設定される。なお、金属酸化物層１４ｂの厚みは、金属系薄膜層１４ａの厚みよりも大きい。金属酸化物層の厚みが、このような範囲であると、高温多湿環境下で使用されても、金属系薄膜層１４ａ（銀系薄膜層）の腐食を抑制することができる。

本実施形態の場合、複数の金属酸化物層は、互いに同じ材質からなる。なお、本発明の目的を損なわない限り、金属酸化物層同士が互いに異なる材質から構成されてもよい。

（成膜方法）
金属系薄膜層１４ａ、及び金属酸化物層１４ｂ，１４ｂを支持層１３上に成膜する方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択される。成膜方法としては、例えば、真空蒸着法（電子線ビーム蒸着法、抵抗加熱蒸着法）、スパッタリング法、イオンプレーティング法、イオンビーム法、イオンアシスト法、レーザーアブレーション法等の物理的気相成長（ＰＶＤ）法、熱ＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等の化学的気相成長（ＣＶＤ）法等が挙げられる。これらの中でも、物理的気相成長（ＰＶＤ）法が好ましく、支持層１３に対して金属酸化物層１４ｂ等を確実に積層し易い等の理由により、スパッタリング法が特に好ましい。

また、スパッタリング法としては、成膜レートの高いＤＣスパッタリング法が好ましい。なお、スパッタリング法により多層成膜する場合、１つのチャンバで複数のターゲットから交互又は順番に成膜する１チャンバ法であってもよいし、複数のチャンバで連続的に成膜するマルチチャンバ法であってもよいが、生産性及び材料コンタミネーションを防止する等の観点より、マルチチャンバ法が好ましい。

（その他の層）
電極基材１２は、本発明の目的を損なわない限り、上述した支持層１３、電極層１４（金属系薄膜層１４ａ、金属酸化物層１４ｂ）以外に、その他の層を備えてもよい。例えば、図３に示される電極基材１２Ａのように、支持層１３と電極層１４との間に、ＳｉＯ_２等からなるガスバリア層１５が形成されてもよい。ガスバリア層１５が形成されていると、液晶カプセル１１ｂの長寿命化等が図れる。なお、ガスバリア層１５の厚みは、機能を発揮するために、５０ｎｍ以上が好ましい。

（複数の金属系薄膜層１４ａを含む電極層１４Ｂを備えた電極基材１２Ｂ）
図４は、金属系薄膜層１４ａを２層有する電極層１４Ｂを備えた電極基材１２Ｂの構成を模式的に表した断面図である。この電極基材１２Ｂは、２層の金属系薄膜層（銀系薄膜層）１４ａ，１４ａを備えており、支持層１３に近い第１層目の金属系薄膜層１４ａは、支持層１３に近い第１層目の金属酸化物層１４ｂと、第２層目の金属酸化物層１４ｂとの間で挟まれている。また、表側（調光層１１側）に配される第２層目の金属系薄膜層（銀系薄膜層）１４ａは、第２層目の金属酸化物層１４ｂと、表側（調光層１１側）に配される第３層目の金属酸化物層１４ｂとの間で挟まれている。このように調光デバイス１０に利用される電極基材１２Ｂとしては、複数層（２層以上）の金属系薄膜層１４ａを備える構成であってもよい。

電極基材１２の全光線透過率は、特に制限されないが、例えば、７８％以上が好ましい。全光線透過率は、後述する方法で測定することができる。

調光デバイス１０において、上述した一対の電極基材１２，１２の間には、調光層１１以外に、図示されない複数のビーズ状のスペーサが介在されている。図１に示されるように、一対の電極基材１２，１２は、互いの電極層１４，１４同士が対向する形で、調光層１１を挟んでいる。なお、一対の電極層１４，１４は、バッテリ１８及びスイッチ１９を介して、互いに接続されている。

調光デバイス１０のスイッチ１９が開状態（ＯＦＦ状態）の場合、一対の電極層１４，１４の間に電位差は発生しないため、マイクロカプセル内の液晶分子がランダムに並んだ状態となる。そのため、スイッチ１９が開状態の調光デバイス１０では、液晶カプセル１１ｂが光（主として、可視光）の透過を妨げるように機能する。

これに対し、調光デバイス１０のスイッチ１９が閉状態（ＯＮ状態）の場合、一対の電極層１４，１４の間に電位差が生じ、マイクロカプセル内の液晶分子が一対の電極層１４，１４の並び方向（調光デバイス１０の厚み方向）に沿う形で配向する。そのため、スイッチ１９が閉状態の調光デバイス１０では、液晶カプセル１１ｂが光（主として、可視光）を透過させるように機能する。

また、調光デバイス１０は、電極基材１２の電極層１４が銀系薄膜層等からなる金属系薄膜層１４ａを含んでいるため、熱線（赤外線）反射性にも優れている。特に、調光デバイス１０は、一対の電極基材１２に、それぞれ金属系薄膜層１４ａが形成されているため、熱線（赤外線）反射性に優れる。

調光デバイス１０は、可視光の透過率を制御することで、透過率の低い場合に投影映像を映し出すことが可能なスクリーン（所謂、アクティブスクリーン）として利用することができる。

また、調光デバイス１０は、全体的にはフィルム状をなし、可撓性に優れている。そのため、曲面状に変形可能なフレキシブルスクリーンとして利用することができる。また、調光デバイス１０は、例えば、ＥＭＣ（Electromagnetic Compatibility）対策用の電磁波シール部材として利用することもできる。

調光デバイス１０は、建築物の窓ガラスに貼り付けて使用されてもよい。その場合、窓ガラスの室内側に貼り付けられてもよいし、外側に貼り付けられてもよい。また、調光デバイス１０は、建築物の窓ガラス以外に、車両（例えば、自動車、電車）、船舶等の乗り物の窓ガラス、遊技機（パチンコ、スロット等）の窓ガラス等に貼り付けて、遮熱用途、断熱用途、電磁波シールド用途等に用いることができる。

また、調光デバイス１０は、タッチパネルにも利用することができる。本実施形態では、電極基材１２の電極層１４は、均一に面状に広がった層状をなしているもの、他の実施形態においては、必要に応じて、適宜、パターニング（例えば、メッシュ状）されてもよい。

以下、実施例に基づいて本発明を更に説明する。なお、本発明はこれらの実施例により何ら限定されるものではない。

なお、以下に示される実施例、及び比較例では、ロール・トウ・ロール方式のマグネトロンスパッタリング装置を用いて、支持層上に各層を成膜した。また、スパッタリング装置の各チャンバ内に供給されるガス（例えば、アルゴンガス及び酸素ガス）の流量は、所定のマスフローコントローラを用いて適宜、調節した。金属酸化物層の膜中に含まれる酸素量はスパッタリング成膜時の酸素ガス導入量で調整した。

〔実施例１〕
（電極基材の作製）
支持層として、両面にアクリル系樹脂からなる平坦化層が形成された厚み５０μｍの平坦化層付きＰＥＴフィルムを用意した。その支持層の一方の面上に、スパッタリングにより、酸化ニオブ（ＮｂＯ_５）の膜からなる第１層目の金属酸化物層を形成した。次いで、第１層目の金属酸化物層上に、スパッタリングにより、銀パラジウム合金の膜からなる銀系薄膜層（金属系薄膜層の一例）を形成し、更にその銀系薄膜層上に、酸化ニオブの膜からなる第２層目の金属酸化物層を形成して、電極基材を作製した。電極基材を構成する各層の厚みは、表１に示される通りである。電極基材の各層の厚み等は、蛍光Ｘ線分析（リガク社製、ＺＳＸ−１００ｅ）によって測定した。なお、以降の実施例、比較例についても同様にして、電極基材の各層の厚み等を測定した。実施例１におけるスパッタリングの成膜条件は、以下の通りである。

＜成膜条件：各金属酸化物層＞
ターゲット：ＮＢＯターゲット（ＡＧＣセラミック社製）、成膜圧力：０．４Ｐａ、ＤＣパワー：２．５Ｗ／ｃｍ^２
＜成膜条件：銀系薄膜層＞
ターゲット：パラジウムを１原子％含有する銀、成膜圧力：０．４Ｐａ、ＤＣパワー：０．６Ｗ／ｃｍ^２

〔実施例２〜９、及び比較例１〜４〕
成膜条件を適宜、変更することで、各層の厚みを、表１に示されるものに変更したこと以外は、実施例１と同様にして、実施例２〜９及び比較例１〜４の電極基材を作製した。

〔電極基材の評価〕
各実施例及び各比較例の電極基材について、以下に示される方法で、表面抵抗率（Ω／□）、全光線透過率（％）及び日射反射率（％）を求めた。

（表面抵抗率）
各実施例及び各比較例で得られた電極基材から試験片（サイズ：５ｃｍ角）を切り出し、その試験片を用いて、ＭＣＣ−Ｂ法（三菱化学法）に準拠しつつ表面抵抗値（Ω／□）を測定した。測定装置としては、Ｈｉｒｅｓｔａ−ＵＰ ＭＣＰ−ＨＴ４５０（三菱化学株式会社製）を用いた。測定装置のプローブ（電極）を、試験片の電極層の表面に押し当て、その表面を流れる電流値（温度条件：２０℃）を測定し、その電流値から表面抵抗値（Ω／□）を求めた。結果は、表１に示した。なお、本実施形態の場合、６．５Ω／□以下が好ましい。

（全光線透過率）
各実施例及び各比較例で得られた電極基材から試験片（サイズ：５ｃｍ角）を切り出し、その試験片を用いて全光線透過率（％）を測定した。全光線透過率は、ＪＩＳ Ｋ ７１３６に準拠し、ヘーズメーター（ＨＺ−２、スガ試験機株式会社製）を用いて測定した。結果は、表１に示した。なお、本実施形態の場合、全光線透過率は、７８％以上が好ましい。

（日射反射率）
各実施例及び各比較例で得られた電極基材から試験片（サイズ：５ｃｍ角）を切り出し、その試験片を用いて日射反射率（％）を測定した。日射反射率は、ＪＩＳ Ａ ５７５９ ６．４．５項に準拠して評価した。評価設備として分光光度計（Ｕ４１００、日立ハイテク社製））を利用した。結果は、表１に示した。なお、本実施形態の場合、日射反射率は、２５％以上が好ましい。

表１に示されるように、実施例１〜９の電極基材は、何れも、表面抵抗率が６．５（Ω／□）以下であり、全光線透過率が７８％以上であり、日射反射率（％）が２５％以上であった。したがって、実施例１〜９の電極基材を利用した調光デバイスは、電極層の抵抗値が低く抑えられ、しかも熱線反射機能に優れる。なお、電極層の抵抗値が低く抑えられると、電極層間に印加する電圧を低く抑えることが可能となり、調光層の液晶分子の応答速度が速くなる。

これに対し、比較例１では、電極層の銀系薄膜層の厚みが大きすぎるため、全光線透過率が低い値となった。

また、比較例２では、電極層の銀系薄膜層の厚みが小さすぎるため、電極層の表面抵抗値が高い値となった。

また、比較例３，４では、電極層の金属酸化物層の厚みが小さいため、金属酸化物層による光学調整機能が十分に発揮されず、全光線透過率の値が低い値となった。

１０…調光デバイス、１１…調光層、１２，１２Ａ，１２Ｂ…電極基材、１３…支持層、１４，１４Ｂ…電極層、１４ａ…金属系薄膜層、１４ｂ…金属酸化物層、１５…ガスバリア層、１８…バッテリ、１９…スイッチ

Claims (7)

1. 調光層と、この調光層を挟む一対の電極基材とを備える調光デバイスであって、
   前記電極基材は、支持層と、前記調光層側を向く形で前記支持層上に形成される電極層とを有し、
   前記電極層は、金属系薄膜層と、この金属系薄膜層を挟む一対の金属酸化物層とを少なくとも含むことを特徴とする調光デバイス。
2. 前記金属系薄膜層は、銀又は銀合金からなる銀系薄膜層からなる請求項１に記載の調光デバイス。
3. 前記電極基材は、前記支持層と前記電極層との間に介在されるガスバリア層を備える請求項１又は２に記載の調光デバイス。
4. 前記電極層の表面抵抗値が６．５Ω／□以下である請求項１〜３の何れか一項に記載の調光デバイス。
5. 前記電極基材の全光線透過率が７８％以上である請求項１〜４の何れか一項に記載の調光デバイス。
6. 前記電極基材の日射反射率が２５％以上である請求項１〜５の何れか一項に記載の調光デバイス。
7. 前記支持層の厚みが６０μｍ以下である請求項１〜６の何れか一項に記載の調光フィルム。

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