JP2018040856A - 光学装置、投影光学系、露光装置、および物品の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ミラーの反射面を精度よく変形させるために有利な技術を提供する。
【解決手段】ミラーの反射面を変形させる光学装置は、前記ミラーと対向して配置されたベース定盤と、前記ベース定盤と前記ミラーとの間に配置され、前記ミラーの複数箇所に力を加える複数のアクチュエータと、前記ベース定盤と前記ミラーとの間の距離を検出する検出部と、前記複数のアクチュエータの駆動により前記ベース定盤を予熱して前記ベース定盤を基準状態とする第１処理と、該第１処理を行った後、前記基準状態の前記ベース定盤の形状を示す形状情報と前記検出部での検出結果とに基づいて、前記反射面の形状が目標形状に近づくように前記複数のアクチュエータを駆動する第２処理とを行う処理部と、を含む。
【選択図】図２

Description

本発明は、ミラーの反射面を変形させる光学装置、それを用いた投影光学系、露光装置、および物品の製造方法に関する。

半導体デバイスなどの製造に用いられる露光装置では、解像度を向上させるため、投影光学系の光学収差を補正することが求められている。特許文献１には、投影光学系に含まれるミラーに複数のアクチュエータによって力を加え、ミラーの反射面を変形させることで、投影光学系の光学収差を補正する光学装置が提案されている。

特許第４３３０５７７号公報

ミラーの反射面を変形させる光学装置には、ベース定盤とミラーとの間に複数のアクチュエータを配置し、ベース定盤とミラーとの間の距離が所定の距離になるように複数のアクチュエータを制御するものがある。このように構成された光学装置では、基板の露光中において、ミラーの反射面の形状が目標形状となるように複数のアクチュエータを制御している間、複数のアクチュエータの各々での発熱によりベース定盤が徐々に（過渡的に）変形しうる。この状態では、ベース定盤とミラーとの間の距離が所定の距離になるように複数のアクチュエータを制御したとしても、ベース定盤の変形に起因してミラーの反射面も徐々に変形するため、ミラーの反射面の形状を目標形状とすることが困難になりうる。

そこで、本発明は、ミラーの反射面を精度よく変形させるために有利な技術を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明の一側面としての光学装置は、ミラーの反射面を変形させる光学装置であって、前記ミラーと対向して配置されたベース定盤と、前記ベース定盤と前記ミラーとの間に配置され、前記ミラーの複数箇所に力を加える複数のアクチュエータと、前記ベース定盤と前記ミラーとの間の距離を検出する検出部と、前記複数のアクチュエータの駆動により前記ベース定盤を予熱して前記ベース定盤を基準状態とする第１処理と、該第１処理を行った後、前記基準状態の前記ベース定盤の形状を示す形状情報と前記検出部での検出結果とに基づいて、前記反射面の形状が目標形状に近づくように前記複数のアクチュエータを駆動する第２処理とを行う処理部と、を含むことを特徴とする。

本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。

本発明によれば、例えば、ミラーの反射面を精度よく変形させるために有利な技術を提供することができる。

第１実施形態の露光装置を示す図である。 第１実施形態の光学装置の構成例を示す図である。 アクチュエータの構成例を示す図である。 ベース定盤を加熱した時間とベース定盤の温度との関係を示す図である。 露光処理を示すフローチャートである。 ミラーおよびベース定盤の変形後の形状を示す図である。 各アクチュエータの駆動条件とベース定盤の形状との関係の生成方法を示すフローチャートである。

以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材ないし要素については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。

＜第１実施形態＞
本発明に係る第１実施形態の露光装置１００について、図１を参照しながら説明する。図１は、第１実施形態の露光装置１００を示す図である。第１実施形態の露光装置１００は、照明光学系１０と、マスク１を保持して移動可能なマスクステージ２０と、投影光学系３０と、基板２を保持して移動可能な基板ステージ４０と、制御部５０とを含みうる。制御部５０は、例えばＣＰＵやメモリなどを有するコンピュータによって構成され、基板２を露光する処理（露光装置１００の各部）を制御する。

照明光学系１０は、例えばスリットにより、光源（不図示）から射出された光を、Ｙ方向に長い円弧状の光に整形し、整形した光（スリット光）でマスク１を照明する。マスク１および基板２は、マスクステージ２０および基板ステージ４０によってそれぞれ保持されており、投影光学系３０を介して光学的にほぼ共役な位置（投影光学系３０の物体面および像面の位置）に配置される。投影光学系３０は、所定の投影倍率を有し、マスク１のパターン像を複数のミラーで反射させて基板２に投影する。そして、マスクステージ２０および基板ステージ４０を、投影光学系３０の物体面と平行な方向（例えばＸ方向）に、投影光学系３０の投影倍率に応じた速度比で相対的に移動させる。これにより、スリット光を基板上で走査して基板２の露光を行い、マスク１に形成されたパターンを基板２に転写する。

投影光学系３０は、例えば、図１に示すように、台形ミラー３１と、凹面ミラー３２と、凸面ミラー３３とを含むように構成されうる。照明光学系１０から射出されてマスク１を透過した光は、台形ミラー３１の面３１ａにより光路を折り曲げられ、凹面ミラー３２の反射面３２ａの上部に入射する。凹面ミラー３２の反射面３２ａの上部で反射した光は、凸面ミラー３３の反射面で反射し、凹面ミラー３２の反射面３２ａの下部に入射する。凹面ミラー３２の反射面３２ａの下部で反射した光は、台形ミラー３１の面３１ｂにより光路を折り曲げられ、基板２に入射する。このように構成された投影光学系３０では、凸面ミラー３３の反射面が光学的な瞳となる。

露光装置１００では、解像度を向上させるため、投影光学系３０の光学収差を補正することが求められている。そのため、第１実施形態の露光装置１００には、投影光学系３０の凹面ミラー３２の反射面３２ａを変形させる光学装置６０が設けられる。そして、光学装置６０によって凹面ミラー３２の反射面３２ａを変形させることにより、投影光学系３０の光学収差や、投影像の倍率、歪み、フォーカスを補正する。なお、反射面３２ａはＸ方向に変形させる。ここで、第１実施形態では、光学装置６０によって凹面ミラー３２の反射面３２ａを変形させる例について説明するが、例えば、投影光学系３０における複数のミラーのうち少なくとも１つのミラーの反射面を光学装置６０によって変形してもよい。また、本実施形態の光学装置６０は、投影光学系３０のミラーの反射面に限られず、例えば、望遠鏡に設けられたミラーの反射面を変形するために用いられてもよい。

次に、第１実施形態の光学装置６０について、図２を参照しながら説明する。図２は、第１実施形態の光学装置６０の構成例を示す図である。第１実施形態の光学装置６０は、例えば、ベース定盤６１と、複数のアクチュエータ６２と、検出部６３と、処理部６４とを含み、投影光学系３０における凹面ミラー３２（以下では、ミラー３２と称する）の反射面３２ａを変形しうる。ベース定盤６１は、ミラー３２と対向して配置される。また、処理部６４は、例えばＣＰＵやメモリなどを有するコンピュータによって構成され、ミラー３２の反射面３２ａを変形する処理を行う。

ミラー３２は、光を反射する反射面３２ａと、反射面３２ａの反対側の面である裏面３２ｂとを有し、ミラー３２の中心を含むミラー３２の一部（以下、中心部）が固定部材６５を介してベース定盤６１に固定されている。このようにミラー３２の中心部をベース定盤６１に固定するのは、露光装置１００の投影光学系３０に用いられるミラー３２においては、ミラー３２の中心部に光が照射されないことが多く、ミラー３２の中心部を変形させる必要性が小さいからである。ここで、第１実施形態では、固定部材６５によってミラー３２の中心部をベース定盤６１に固定しているが、固定部材６５によってミラー３２の任意の箇所をベース定盤６１に固定してもよい。

複数のアクチュエータ６２は、ミラー３２の裏面３２ｂに力を加えてミラー３２とベース定盤６１との間の距離を変更するように、ミラー３２とベース定盤６１との間に配置される。本実施形態では、各アクチュエータ６２として、例えばボイスコイルモータ（以下、ＶＣＭ）やリニアモータなど、互いに接触しない可動子６２ａおよび固定子６２ｂを含む非接触型のアクチュエータを用いる例について説明する。非接触型のアクチュエータを各アクチュエータ６２として用いる場合、可動子６２ａおよび固定子６２ｂのうちの一方がミラー３２の裏面３２ｂに固定され、それらのうちの他方がベース定盤６１に固定される。図１に示す例では、可動子６２ａがミラー３２の裏面３２ｂに固定され、固定子６２ｂがベース定盤６１に固定されている。ここで、各アクチュエータ６２としては、非接触型のアクチュエータの代わりに、ピエゾアクチュエータなど、剛性の比較的大きいアクチュエータが用いられてもよい。この場合、各アクチュエータ６２は、図３に示すように、ヒンジ６６を介してミラー３２の裏面３２ｂに固定されてもよい。ヒンジ６６および複数のアクチュエータ６２によってミラー３２を支持することができる場合には固定部材６５を用いなくてもよい。

検出部６３は、ミラー３２の複数箇所において、ミラー３２とベース定盤６１との間の距離を検出する複数のセンサ６３ａ（変位計）を含みうる。複数のセンサ６３ａの各々は、例えば静電容量センサやレーザ干渉計などによって構成され、各アクチュエータ６２の近傍にそれぞれ配置されうる。また、処理部６４は、検出部６３（複数のセンサ６３ａ）での検出結果に基づいて、ミラー３２の反射面３２ａの形状が目標形状になるように複数のアクチュエータ６２をフィードバック制御する。例えば、処理部６４は、各センサ６３ａで検出された距離と目標距離との偏差が小さくなるように（零に近づくように）各アクチュエータ６２を制御するための指令値を決定し、決定した指令値に基づいて各アクチュエータ６２を制御する。目標距離とは、ミラー３２の反射面３２ａの形状を目標形状とするためのミラー３２とベース定盤６１との間の距離のことであり、ミラー３２の複数箇所の各々について決定されうる。ここで、第１実施形態では、光学装置６０の処理部６４が、露光装置１００の制御部５０と一体に構成されうるが、別々に構成されてもよい。

このように構成された光学装置６０では、ミラー３２の反射面３２ａの形状が目標形状となるように複数のアクチュエータ６２を制御している間（基板を露光している間）、各アクチュエータ６２での発熱によりベース定盤６１が徐々に（過渡的に）変形しうる。この状態では、検出部６３での検出結果に基づいて複数のアクチュエータ６２を制御し、ミラー３２とベース定盤６１との間の距離を制御したとしても、ベース定盤６１の変形に起因してミラー３２の反射面３２ａも徐々に変形する。そのため、ミラー３２の反射面３２ａの形状を目標形状とすることが困難になりうる。したがって、光学装置６０では、基板２を露光している間のベース定盤６１の変形を、できる限り低減させることが好ましい。

ここで、ベース定盤６１の温度特性について説明する。図４は、ベース定盤６１に与える単位時間あたりの熱量Ｑを一定としてベース定盤６１を加熱した時間とベース定盤６１の温度との関係を示す図である。図４に示すように、ベース定盤６１は、温度が高くなるにつれて、温度変化率（単位時間当たりの温度変化）が小さくなっていき、熱的に安定した熱平衡状態となる。この熱平衡状態では、ベース定盤６１の温度がほとんど変わらないため、ベース定盤６１の変形もほとんど生じない。つまり、ベース定盤６１は、その温度が高いほど温度変化率が小さくなり、変形しづらくなる。また、基板２を露光している間（ミラー３２の反射面３２ａの形状が目標形状になるように複数のアクチュエータ６２の各々を制御している間）におけるベース定盤６１の温度低下は、ほぼ無視できる程度に小さい。したがって、ベース定盤６１を予熱して変形させた状態にしておけば、基板２を露光している間におけるベース定盤６１の変形を低減することができる。

そこで、本実施形態の光学装置６０は、複数のアクチュエータ６２を駆動して発熱させることによりベース定盤６１を予熱して基準状態とする第１処理を行う。そして、第１処理の後に、基準状態におけるベース定盤６１の形状を示す形状情報と検出部６３での検出結果とに基づいて、ミラー３２の反射面３２ａの形状が目標形状に近づくように複数のアクチュエータの各々を制御する第２処理を行う。これにより、第２処理（基板２の露光中）におけるベース定盤６１の変形を低減することができる。ここで、ベース定盤６１の形状とは、複数のアクチュエータ６２が配置されたベース定盤６１の面（ミラー側の面）における複数箇所の各々での位置（Ｘ方向）のマップのことである。

以下に、本実施形態の露光装置１００における露光処理のフローについて、図５を参照しながら説明する。図５は、本実施形態の露光装置１００における露光処理を示すフローチャートである。図５に示すフローチャートの各工程は、制御部５０（処理部６４）によって実行されうる。フローチャートの開始前において、処理部６４に含まれるメモリには、ベース定盤６１を基準状態にするための各アクチュエータ６２の駆動条件（所定の駆動条件）、および、基準状態のベース定盤の形状を示す形状情報が記憶されている。また、当該メモリには、ベース定盤６１の形状情報に基づく基板２の露光中のベース定盤６１とミラー３２との目標距離も記憶されている。

Ｓ１１では、制御部５０は、メモリに記憶された駆動条件に基づいて複数のアクチュエータ６２を駆動して発熱させることにより、図６示すように、ベース定盤６１を予熱して基準状態とする（第１処理）。図６では、ベース定盤６１を基準状態としたときのミラー３２およびベース定盤６１の形状を破線で示している。Ｓ１１の工程では、熱平衡状態を基準状態として適用し、ベース定盤６１が熱平衡状態になるように複数のアクチュエータ６２を駆動する。しかしながらそれに限られるものではなく、例えば熱平衡状態となる前のベース定盤６１の状態を基準状態としてもよい。また、Ｓ１１の工程では、複数のアクチュエータ６２の各々での発熱量が同じになるように各アクチュエータ６２を駆動することが好ましい。ここで、Ｓ１１の工程（第１処理）は、基板２に形成された複数のショット領域の各々に対する露光処理のうち最初の露光処理の前に行われうるが、それに限られるものではなく、例えば、２番目以降の露光処理の前に行われてもよい。即ち、Ｓ１１の工程は、露光処理と露光処理との間のアイドリング期間に行われてもよい。また、Ｓ１１の工程は、露光装置１００を立ち上げた後の最初の露光処理の前に行われてもよい。

Ｓ１２では、制御部５０は、基板２に形成された複数のショット領域のうちの対象ショット領域の露光を行う。このとき、制御部５０は、基準状態でのベース定盤６１の形状を示す形状情報と、検出部６３での検出結果とに基づいて、ミラー３２の反射面３２ａの形状が目標形状となるように複数のアクチュエータ６２の各々を制御する（第２処理）。例えば、制御部５０は、形状情報におけるベース定盤６１の形状（基準状態でのベース定盤６１の形状）を基準としてミラー３２の反射面３２ａの形状を目標形状とするためのミラー３２とベース定盤６１との目標距離をミラーの複数箇所の各々について求める。そして、制御部５０は、検出部６３での検出結果に基づいて、ミラー３２とベース定盤６１との距離が当該目標距離になるように複数のアクチュエータ６２の各々をフィードバック制御する。これにより、対象ショット領域の露光を行っている間において、ミラー３２の反射面３２ａの形状を目標形状とすることができる。

ここで、メモリに記憶されている前述の形状情報について説明する。形状情報は、例えば、Ｓ１１の工程（第１処理）の前に、所定の駆動条件に従って各アクチュエータ６２を駆動したときのベース定盤の状態を基準状態として事前に生成（取得）されうる。このように生成された形状情報を用いる場合、Ｓ１１の工程では、形状情報を生成するために用いられた当該所定の駆動条件に従って複数のアクチュエータ６２の各々を駆動することによりベース定盤６１を基準状態とする。駆動条件は、例えば、複数のアクチュエータ６２の各々を駆動するための指令値および時間のうち少なくとも一方を含みうる。アクチュエータ６２を駆動するための指令値は、アクチュエータの種類に応じて異なり、例えば電流値または電圧値である。

例えば、各アクチュエータ６２としてＶＣＭが用いられる場合、アクチュエータ６２を駆動するための指令値は電流値であり、ＶＣＭの単位時間当たりの発熱量Ｑ_１は、Ｑ_１＝ｄ_１・Ａ_１ ^２／Ｒ_１で表されうる。ｄ_１はＶＣＭの熱損失係数、Ｒ_１はＶＣＭの抵抗値、Ａ_１はＶＣＭを駆動する際の電流値である。制御部５０は、電流値Ａ_１（第１電流値）で各ＶＣＭを駆動し続け、ＶＣＭの駆動を開始してからベース定盤が熱平衡状態となるまでの時間（第１時間）を求める。そして、第１時間において第１電流値で各ＶＣＭを駆動したときのミラー３２の反射面３２ａの形状を外部の計測器で計測するとともに、ミラー３２とベース定盤６１との間の距離を検出部６３に検出させる。これにより、外部の計測器での計測結果と検出部６３での検出結果とに基づいて、第１時間の間において第１電流値で各アクチュエータ６２（各ＶＣＭ）を駆動したときの形状情報を生成することができる。そして、このように生成された形状情報を用いる場合、制御部５０（処理部６４）は、Ｓ１１の工程において、第１時間において第１電流値で各アクチュエータ６２を駆動することによりベース定盤６１を熱平衡状態（基準状態）とする。

ここで、形状情報を生成する工程は、例えば、光学装置６０を投影光学系３０に搭載する前に事前に行われるとよい。また、外部の計測器としては、例えばシャックハルトマンセンサなどが用いられうる。なお、アクチュエータ６２に固定の電流値しか入力しない場合には、駆動条件は時間だけでよく、アクチュエータ６２に経時変化する電流を入力することができる場合には、駆動条件は電流値および時間である。後者の倍には、電流値を時間で積分した値に基づいて、ベース定盤６１を基準状態にするための駆動条件を定めてもよい。

一方、各アクチュエータ６２としてピエゾアクチュエータが用いられる場合、アクチュエータ６２を駆動するための指令値は電圧値である。ピエゾアクチュエータは、ピエゾアクチュエータ内のコンデンサの電圧を変化させることにより駆動し、当該電圧変化に伴い電流が流れることで発熱する。ピエゾアクチュエータの単位時間当たりの発熱量Ｑ_２は、Ｑ_２＝ｄ_２・Ｒ_２・ΔＶ_２ ^２で表されうる。ｄ_２はピエゾアクチュエータの熱損失係数、Ｒ_２はピエゾアクチュエータの抵抗値、ΔＶ_２はピエゾアクチュエータに印加される単位時間当たりの電圧変化である。制御部５０は、第１電圧をΔＶ_２で電圧変化させながら各ピエゾアクチュエータを駆動し続け（駆動量を変化させ続け）、駆動を開始してからベース定盤６１が熱平衡状態となるまでの時間（第１時間）を求める。そして、ΔＶ_２で電圧変化させながらベース定盤６１が基準状態となるまで各ピエゾアクチュエータを駆動したときのミラー３２の反射面３２ａの形状を外部の計測器で計測するとともに、ミラー３２とベース定盤６１との間の距離を検出部６３に検出させる。これにより、外部の計測器での計測結果と検出部での検出結果とに基づいて、ベース定盤６１が基準状態となるまで各アクチュエータ６２（各ピエゾアクチュエータ）を駆動したときの形状情報を生成することができる。

図５のフローチャートに戻り、Ｓ１３では、制御部５０は、次に露光処理を行うべきショット領域（次のショット領域）が基板上にあるか否かを判断する。即ち、制御部５０は、ミラー３２の反射面３２ａの形状が目標形状となるように複数のアクチュエータ６２の各々を制御する第２処理を伴う露光処理を、基板上のショット領域の数に応じて複数回行う。基板上に次のショット領域がある場合はＳ１４に進み、基板上に次のショット領域が無い場合は終了する。

Ｓ１４では、制御部５０は、基板２を露光していない期間（複数回の露光処理（第２処理）の間の期間）において、ベース定盤６１が基準状態となるように各アクチュエータ６２を駆動する（第３処理）。即ち、制御部５０は、基板２を露光していない期間において、ベース定盤６１の形状が、Ｓ１１の工程（第１処理）による変形後の形状になるように各アクチュエータ６２を駆動する。例えば、Ｓ１２での対象ショット領域の露光において各アクチュエータ６２が個別に制御されると、Ｓ１２の工程における各アクチュエータ６２での発熱量の差によりベース定盤６１に温度分布のムラが生じ、ベース定盤６１が局所的に変形しうる。このようにベース定盤６１が局所的に変形した状態では、次のショット領域の露光の際、事前に生成された形状情報を用いて各アクチュエータ６２を制御しても、ミラー３２の反射面３２ａの形状を目標形状とすることが困難になりうる。

そのため、Ｓ１４の工程において、制御部５０は、ベース定盤６１が基準状態となるように各アクチュエータ６２を駆動する。例えば、制御部５０は、Ｓ１４の工程（第３処理）およびその直前のＳ１２の工程（第２処理）における消費電力の合計が複数のアクチュエータ６２の各々で同じになるように各アクチュエータ６２を駆動するとよい。一例として、複数のアクチュエータ６２が第１アクチュエータと第２アクチュエータとを含み、Ｓ１２の工程において、第１アクチュエータの発熱量よりも第２アクチュエータの発熱量の方が少ないとする。この場合、その直後のＳ１４の工程では、第２アクチュエータの発熱量よりも第１アクチュエータの発熱量の方が多くなる駆動条件で各アクチュエータ６２を駆動することが好ましい。また、制御部５０は、Ｓ１４の工程において、ベース定盤６１が基準状態としての熱平衡状態となるように各アクチュエータ６２を制御するとよい。これにより、制御部５０は、次のショット領域の露光において、事前に生成された形状情報および検出部６３での検出結果に基づいて各アクチュエータ６２を制御することで、ミラー３２の反射面３２ａ形状を目標形状とすることができる。ここで、本実施形態におけるＳ１４の工程は、Ｓ１３の工程の後に行われているが、Ｓ１３の工程と同時に行われてもよいし、Ｓ１２の工程の後かつＳ１３の工程の前に行われてもよい。

このように、本実施形態の光学装置６０は、ミラー３２の反射面３２ａの形状が目標形状となるように各アクチュエータ６２を制御する前（基板２を露光する前）に、各アクチュエータ６２を駆動することによりベース定盤６１を予熱して基準状態とする。これにより、基板２を露光している間におけるベース定盤６１の変形を低減することができる。これにより、反射面３２ａの形状を目標形状に近づけることができる。

＜第２実施形態＞
第１実施形態では、所定の駆動条件に従って各アクチュエータ６２を駆動することにより、基準状態（例えば熱平衡状態）でのベース定盤６１の形状を示す形状情報を事前に生成する例について説明した。しかしながら、本発明は、形状情報を事前に生成することに限定されるものではない。例えば、Ｓ１１の工程（第１処理）においてベース定盤６１を基準状態とするために各アクチュエータ６２を実際に駆動したときの駆動条件に基づいて形状情報を生成してもよい。

そこで、第２実施形態の光学装置（制御部５０（処理部６４））は、各アクチュエータ６２の駆動条件とベース定盤の形状との関係を事前に求めておき、第１処理を終えたときまでのアクチュエータ６２の駆動条件に基づいて形状情報を生成する（求める）。当該形状情報は、第１処理を終えるごとに生成されうる。具体的には、制御部５０は、Ｓ１１の工程（第１処理）において各アクチュエータ６２を実際に駆動したときの駆動条件に対応するベース定盤６１の形状を、当該関係に基づいて求めることにより形状情報を生成する。駆動条件は、第１実施形態と同様である。

以下に、各アクチュエータ６２の駆動条件とベース定盤６１の形状との関係を生成する方法について、図７を参照しながら説明する。図７は、各アクチュエータ６２の駆動条件とベース定盤６１の形状との関係の生成方法を示すフローチャートである。図７に示すフローチャートは、例えば、光学装置６０を投影光学系３０に搭載する前に事前に行われうる。また、ここでは、アクチュエータ６２としてＶＣＭを用い、電流値を一定として各アクチュエータ６２（ＶＣＭ）を駆動した時間（駆動時間）を駆動条件として用いる例について説明する。

Ｓ２１では、初期温度に設定されたベース定盤６１の形状を取得する。例えば、ベース定盤６１の温度を初期温度に設定し、そのときのミラー３２の反射面３２ａの形状を外部の計測器で計測するとともに、ミラー３２とベース定盤６１との間の距離を検出部６３に検出させる。これにより、外部の計測器での計測結果と検出部６３での検出結果とに基づいて、初期温度に設定されたベース定盤６１の形状を取得することができる。ここで、初期温度は、例えば、投影光学系３０の内部において設定されうる雰囲気温度と同じ温度に設定されることが好ましい。

Ｓ２２では、所定の電流値での各アクチュエータ６２の駆動を開始する。Ｓ２３では、所定の電流値での各アクチュエータ６２の駆動が所定の時間ｔが経過したか否かを判断する。所定の時間ｔが経過していない場合はＳ２３を繰り返し、所定の時間ｔが経過した場合はＳ２４に進む。Ｓ２４では、ミラー３２の反射面３２ａの形状を外部の計測器で計測するとともに、ミラー３２とベース定盤６１との間の距離を検出部６３に検出させる。これにより、外部の計測器での計測結果と検出部６３での検出結果とに基づいて、ベース定盤６１の形状を取得することができる。Ｓ２５では、ベース定盤が熱平衡状態になったか否かを判断する。ベース定盤が熱平衡状態になっていない場合はＳ２２に戻り、ベース定盤が熱平衡状態になった場合はＳ２６に進む。Ｓ２６では、Ｓ２１〜Ｓ２５において所定の時間ｔごとに取得したベース定盤６１の形状に基づいて、複数のアクチュエータ６２の駆動条件（駆動時間）とベース定盤６１の形状との関係（例えばテーブルや式）を生成する。

このように、本実施形態では、複数のアクチュエータ６２の駆動条件とベース定盤６１の形状との関係を事前に求めておく。これにより、Ｓ１１の工程においてベース定盤６１を基準状態とするために各アクチュエータ６２を実際に駆動したときの駆動条件から形状情報を生成することができる。ベース定盤６１に予熱を与えておくことで、基板２を露光している間におけるベース定盤６１の過渡的な変形を低減することができる。これにより、反射面３２ａの形状を目標形状に近づけることができる。

＜物品の製造方法の実施形態＞
本発明の実施形態に係る物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、基板に塗布された感光剤に上記の露光装置を用いて潜像パターンを形成する工程（基板を露光する工程）と、かかる工程で潜像パターンが形成された基板を現像する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。

１：マスク、２：基板、１０：照明光学系、２０：マスクステージ、３０：投影光学系、３２：ミラー、４０：基板ステージ、５０：制御部、６０：光学装置、６１：ベース定盤、６２：アクチュエータ、６３：検出部、６４：処理部

Claims (12)

1. ミラーの反射面を変形させる光学装置であって、
   前記ミラーと対向して配置されたベース定盤と、
   前記ベース定盤と前記ミラーとの間に配置され、前記ミラーの複数箇所に力を加える複数のアクチュエータと、
   前記ベース定盤と前記ミラーとの間の距離を検出する検出部と、
   前記複数のアクチュエータの駆動により前記ベース定盤を予熱して前記ベース定盤を基準状態とする第１処理と、該第１処理を行った後、前記基準状態の前記ベース定盤の形状を示す形状情報と前記検出部での検出結果とに基づいて、前記反射面の形状が目標形状に近づくように前記複数のアクチュエータを駆動する第２処理とを行う処理部と、
   を含むことを特徴とする光学装置。
2. 前記形状情報は、前記第１処理の前に、前記ベース定盤が前記基準状態となるまで所定の駆動条件に従って前記複数のアクチュエータを駆動することにより生成された情報である、ことを特徴とする請求項１に記載の光学装置。
3. 前記処理部は、前記複数のアクチュエータの駆動条件と前記ベース定盤の形状との関係に基づいて、前記第１処理において前記複数のアクチュエータを実際に駆動したときの駆動条件に対応する前記ベース定盤の形状を求めることにより前記形状情報を生成する、ことを特徴とする請求項１に記載の光学装置。
4. 前記駆動条件は、前記複数のアクチュエータの各々を駆動するための指令値および時間のうち少なくとも一方を含む、ことを特徴とする請求項２又は３に記載の光学装置。
5. 前記処理部は、前記第１処理において、前記複数のアクチュエータの各々での発熱量が同じになるように前記複数のアクチュエータの各々を駆動する、ことを特徴とする請求項１乃至４のうちいずれか１項に記載の光学装置。
6. 前記処理部は、前記ベース定盤が前記基準状態としての熱平衡状態になるように前記第１処理を行う、ことを特徴とする請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載の光学装置。
7. 前記処理部は、前記第２処理を複数回行い、複数回の前記第２処理の間の期間において、前記ベース定盤が前記基準状態となるように前記複数のアクチュエータを駆動する第３処理を行う、ことを特徴とする請求項１乃至４のうちいずれか１項に記載の光学装置。
8. 前記複数のアクチュエータは、第１アクチュエータと、前記第３処理の直前の前記第２処理において前記第１アクチュエータよりも発熱量が少ない第２アクチュエータとを含み、
   前記処理部は、前記第３処理において、前記第１アクチュエータよりも前記第２アクチュエータの発熱量が多くなるように前記第１アクチュエータおよび前記第２アクチュエータを駆動する、ことを特徴とする請求項７に記載の光学装置。
9. 前記処理部は、前記ベース定盤が前記基準状態としての熱平衡状態になるように前記第３処理を行う、ことを特徴とする請求項７又は８に記載の光学装置。
10. マスクのパターン像を複数のミラーで反射させて基板に投影する投影光学系であって、
    前記複数のミラーのうち少なくとも１つのミラーの反射面を変形させる請求項１乃至９のうちいずれか１項に記載の光学装置を含む、ことを特徴とする投影光学系。
11. 基板を露光する露光装置であって、
    請求項１０に記載の投影光学系を含む、ことを特徴とする露光装置。
12. 請求項１１に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
    前記工程で露光された前記基板を現像する工程と、
    を含むことを特徴とする物品の製造方法。

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