JP2018039925A - 半導体接着用樹脂組成物および半導体装置 - Google Patents
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Abstract
Description
(式(2)中、R5は、それぞれ、炭素数1〜10の一価炭化水素基であり、R6は、それぞれ、炭素数1〜10の一価炭化水素基であり、R7は、直鎖状または分岐状の一価炭化水素基であり、Aは、直鎖状または分岐状二価炭化水素基であり、Bは、硫黄原子、第二級窒素原子、または第三級窒素原子であり、nは、1〜3の整数である。)
本発明の半導体接着用樹脂組成物は、(A)エポキシ樹脂、(B)硬化剤、(C)硬化促進剤、および(D)無機充填材を含む。(B)硬化剤は、(B1)下記一般式(1)で表される炭素数30〜42のダイマージオールのフェノール性誘導体を含む。以下、半導体接着用樹脂組成物を単に樹脂組成物と記す。
半導体装置10は、リードフレーム11上に、樹脂組成物の硬化物からなる接着剤層12を介して、半導体素子13が固定されている。また、リードフレーム11のリード部11aと半導体素子13の電極13aとがボンディングワイヤ14により接続されている。さらに、これらが封止樹脂15により封止されている。接着剤層12の厚さは、例えば、10〜30μm程度である。
なお、本発明はこれらの実施例に何ら限定されるものではない。
撹拌機、還流冷却器、滴下ロート、および温度計を備えた1Lセパラブルフラスコに、イソチオシアン酸メチル73.1g(1.0mol)、2−エチルヘキセン酸スズ(II)0.9g(0.0023mol)、トルエン316.1gを導入し、オイルバスにて70℃に加熱した。その後、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン(信越化学工業社製、商品名:KBE−803)243.2g(1.02mol)を滴下し、110℃、2時間の加熱撹拌を行って、下記化学式(2a)で表される有機ケイ素化合物を得た。
撹拌機、還流冷却器、滴下ロート、および温度計を備えた1Lセパラブルフラスコに、イソチオシアン酸メチル73.1g(1.0mol)、トルエン316.1gを導入し、オイルバスにて70℃に加熱した。その後、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン(信越化学工業社製、商品名:KBE−903)225.4g(1.02mol)を滴下し、110℃、2時間の加熱撹拌を行って、下記化学式(2b)で表される有機ケイ素化合物を得た。
エポキシ樹脂として可とう性エポキシ樹脂(三菱化学社製、商品名:YL−7175−500、エポキシ当量:487)35質量部およびビスフェノールF型エポキシ樹脂(三菱化学社製、商品名:YL983U、エポキシ当量:170)65質量部、硬化剤として式(1a)で表されるフェノール性誘導体(Designer Molecules Inc.社製、商品名:EC−1074)45質量部およびジシアンジアミド(三菱化学社製、商品名:DICY7)1質量部、硬化促進剤としてイミダゾール系硬化促進剤(四国化成工業社製、商品名:2PHZ−PW、2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール)1質量部、無機充填材として銀粉(福田金属箔工業社製、商品名:AgC−212D)450質量部、一般式(2)で表される有機ケイ素化合物として合成例1の有機ケイ素化合物(式(2a))2質量部、高分子系イオン性分散剤(CRODA社製、商品名:Hypermer KD−9)1質量部、希釈剤としてエチレングリコールジメタクリレート(新中村化学工業社製、商品名:NKエステル1G)12質量部を十分に混合し、さらに三本ロールで混練して樹脂組成物を調製した。
一般式(2)で表される有機ケイ素化合物として合成例2の有機ケイ素化合物(式(2b))2質量部を用いたことを除いて、実施例1と同様にして樹脂組成物を調製した。
エポキシ樹脂としてビスフェノールF型エポキシ樹脂(三菱化学社製、商品名:YL983U、エポキシ当量:170)100質量部、硬化剤として式(1a)で表されるフェノール性誘導体(Designer Molecules Inc.社製、商品名:EC−1074)60質量部およびジシアンジアミド(三菱化学社製、商品名:DICY7)1質量部、硬化促進剤としてイミダゾール系硬化促進剤(四国化成工業社製、商品名:2PHZ−PW、2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール)1質量部、無機充填材として銀粉(福田金属箔工業社製、商品名:AgC−212D)490質量部、一般式(2)で表される有機ケイ素化合物として合成例1の有機ケイ素化合物(式(2a))2質量部、高分子系イオン性分散剤(CRODA社製、商品名:Hypermer KD−9)1質量部、希釈剤としてエチレングリコールジメタクリレート(新中村化学工業社製、商品名:NKエステル1G)7質量部を用いた以外は実施例1と同様にして樹脂組成物を調製した。
硬化剤としてのジシアンジアミドを用いないことを除いて、実施例1と同様にして樹脂組成物を調製した。
一般式(2)で表される有機ケイ素化合物を用いず、シランカップリング剤(信越化学工業社製、商品名:KBM−803、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン)2質量部を用いたことを除いて、実施例1と同様にして樹脂組成物を調製した。
高分子系イオン性分散剤を用いないことを除いて、実施例1と同様にして樹脂組成物を調製した。
硬化剤としての式(1a)で表されるフェノール性誘導体および一般式(2)で表される有機ケイ素化合物を用いず、シランカップリング剤(信越化学工業社製、商品名:KBM−803、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン)2質量部を用いたことを除いて、実施例1と同様にして樹脂組成物を調製した。
エポキシ樹脂としてビスフェノールF型エポキシ樹脂(三菱化学社製、商品名:YL983U、エポキシ当量:170)100質量部、無機充填材として銀粉490質量部、希釈剤としてエチレングリコールジメタクリレート7質量部を用いたことを除いて、比較例1と同様にして樹脂組成物を調製した。
次に、実施例1〜6および比較例1〜2の樹脂組成物について以下の評価を行った。結果を、表1に示す。
調製後の樹脂組成物を−20℃の温度で24時間低温保管した。その後、この低温保管された樹脂組成物を25℃の環境下で1〜2時間保管して粘度(η0)を測定した。また、低温保管された樹脂組成物を25℃の環境下にて72時間保管して粘度(η72)を測定した。粘度(η0)、粘度(η72)は、いずれも、3°コーンのE型粘度計を用いて、25℃、0.5min−1の条件で測定した。そして、下記式により粘度変化率を算出した。
(粘度変化率)=(η72−η0)/η0×100(%)
○:粘度変化率が±5%の範囲内にあるもの。
△:粘度変化率が±5%の範囲を超えて±10%の範囲内にあるもの。
×:粘度変化率が±10%の範囲を超えるもの。
銅フレーム上に樹脂組成物を介して外形8mm×8mmのチップを配置し、135℃、120分の硬化処理を行って半導体パッケージを作製した。その後、半導体パッケージの反りを室温にて測定した。測定は、シャドウモアレ測定装置(ThermoireAXP:Akrometrix製)を用いて、電子情報技術産業協会規格のJEITA ED−7306に準じて行った。
○:パッケージ反り値が5μm未満であるもの。
△:パッケージ反り値が5μm以上10μm未満であるもの。
×:パッケージ反り値が10μm以上であるもの。
樹脂組成物の硬化物について、温度85℃、湿度85%RHの条件下、168時間放置する吸水処理を行った。その後、この吸水処理後の樹脂組成物の硬化物の重量(放置後重量)を測定し、吸水処理前の樹脂組成物の硬化物の重量(初期重量)とから、下記式により重量変化率を算出した。
(吸水率)=(放置後重量−初期重量)/初期重量×100(%)
銅フレーム上に20μmの厚さに樹脂組成物を塗布した後、この樹脂組成物上に外形4mm×4mmのシリコンチップを配置し、135℃、2時間の硬化処理を行った。その後、垂直方向接着強度測定装置(西進商事社製、商品名:ボンドテスターSS−30WD)を用いて、260℃での銅フレームとシリコンチップとの引張接着強度を測定した。
リードフレームの全面にNi/Pd/Auめっきが施されたPPF上に20μmの厚さに樹脂組成物を塗布した後、この樹脂組成物上に外形4mm×4mmのシリコンチップを配置し、135℃、2時間の硬化処理を行った。その後、垂直方向接着強度測定装置(西進商事社製、商品名:ボンドテスターSS−30WD)を用いて、260℃でのPPFとシリコンチップとの引張接着強度を測定した。
リードフレームの全面にNi/Pd/Auめっきが施されたPPF上に20μmの厚さに樹脂組成物を塗布した後、この樹脂組成物上に外形6mm×6mmの半導体チップ(シリコンチップ、表面アルミ配線のみ)をマウントし、135℃、2時間の硬化処理を行った。その後、京セラ社製のエポキシ樹脂封止材(商品名:KE−G1200)を用い、175℃、2分間、1MPaの条件でトランスファー成形を行い、さらに、175℃、8時間の後硬化処理を行って、半導体チップおよびPPFの樹脂封止を行った。このようにして、半導体パッケージ(80pQFP、14mm×20mm×2mm)を作製した。
Claims (9)
- 前記(A)エポキシ樹脂は、エポキシ当量が200〜2000の可とう性エポキシ樹脂を30質量%以上含むことを特徴とする請求項1記載の半導体接着用樹脂組成物。
- 前記ダイマージオールの炭素数が36であることを特徴とする請求項1または2記載の半導体接着用樹脂組成物。
- 前記(B1)フェノール性誘導体は、前記(A)成分のエポキシ樹脂100質量部に対して、10〜60質量部であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項記載の半導体接着用樹脂組成物。
- 前記(B)硬化剤は、さらに、(B2)ジシアンジアミドを含み、
前記(B2)ジシアンジアミドは、前記(A)成分のエポキシ樹脂100質量部に対して、0.1〜5質量部であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項記載の半導体接着用樹脂組成物。 - 前記(D)無機充填材は、平均粒径0.1〜30μmの銀粉を含むことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項記載の半導体接着用樹脂組成物。
- さらに、(F)高分子系イオン性分散剤を含むことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項記載の半導体接着用樹脂組成物。
- 請求項1乃至8のいずれか1項記載の半導体接着用樹脂組成物を介して支持部材上に半導体素子が接着されていることを特徴とする半導体装置。
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