JP2018037241A - 照明器具の製造方法、および、照明器具 - Google Patents

照明器具の製造方法、および、照明器具 Download PDF

Info

Publication number
JP2018037241A
JP2018037241A JP2016168578A JP2016168578A JP2018037241A JP 2018037241 A JP2018037241 A JP 2018037241A JP 2016168578 A JP2016168578 A JP 2016168578A JP 2016168578 A JP2016168578 A JP 2016168578A JP 2018037241 A JP2018037241 A JP 2018037241A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wavelength
laser
conversion member
light
lighting fixture
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2016168578A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6681605B2 (ja
Inventor
北野 博史
Hiroshi Kitano
博史 北野
秀治 河地
Hideji Kawachi
秀治 河地
真太郎 林
Shintaro Hayashi
真太郎 林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Original Assignee
Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd filed Critical Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Priority to JP2016168578A priority Critical patent/JP6681605B2/ja
Priority to DE102017119135.6A priority patent/DE102017119135A1/de
Priority to US15/682,706 priority patent/US10240726B2/en
Publication of JP2018037241A publication Critical patent/JP2018037241A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6681605B2 publication Critical patent/JP6681605B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21KNON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/60Optical arrangements integrated in the light source, e.g. for improving the colour rendering index or the light extraction
    • F21K9/64Optical arrangements integrated in the light source, e.g. for improving the colour rendering index or the light extraction using wavelength conversion means distinct or spaced from the light-generating element, e.g. a remote phosphor layer
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21KNON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/90Methods of manufacture
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/0014Measuring characteristics or properties thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/005Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
    • H01S5/0087Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping for illuminating phosphorescent or fluorescent materials, e.g. using optical arrangements specifically adapted for guiding or shaping laser beams illuminating these materials
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21VFUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V9/00Elements for modifying spectral properties, polarisation or intensity of the light emitted, e.g. filters
    • F21V9/30Elements containing photoluminescent material distinct from or spaced from the light source
    • F21V9/32Elements containing photoluminescent material distinct from or spaced from the light source characterised by the arrangement of the photoluminescent material
    • F21V9/35Elements containing photoluminescent material distinct from or spaced from the light source characterised by the arrangement of the photoluminescent material at focal points, e.g. of refractors, lenses, reflectors or arrays of light sources
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21YINDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2115/00Light-generating elements of semiconductor light sources
    • F21Y2115/30Semiconductor lasers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/0225Out-coupling of light
    • H01S5/02251Out-coupling of light using optical fibres
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/30Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/32Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
    • H01S5/323Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
    • H01S5/32308Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm
    • H01S5/32341Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm blue laser based on GaN or GaP
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/40Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4012Beam combining, e.g. by the use of fibres, gratings, polarisers, prisms
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/40Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
    • H01S5/4087Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar emitting more than one wavelength

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)
  • Optical Filters (AREA)
  • Circuit Arrangement For Electric Light Sources In General (AREA)
  • Planar Illumination Modules (AREA)

Abstract

【課題】照明器具の色度の個体差によるバラツキを抑制する。
【解決手段】レーザー光Lに基づきレーザー光Lとは異なる波長の光を放射する波長変換部材104を備える照明器具100の製造方法であって、複数のレーザー素子のそれぞれについて発振するレーザー光Lの波長を測定(S101)して主波長を特定(S102)し、特定された主波長を示す主波長情報と、測定対象のレーザー素子を識別する素子情報とをそれぞれ関連づけ(S103)て記憶し、関連づけられた主波長情報と素子情報とに基づき、合成波長が所定の第一範囲内に収まるレーザー素子の組み合わせを複数のレーザー素子中から選出し(S104)、選出されたレーザー素子のレーザー光が波長変換部材104の同一箇所に照射されるように光路を配置する(S105)照明器具100の製造方法。
【選択図】図3

Description

本発明は、レーザー光を光源とする照明器具の製造方法、および、照明器具に関する。
従来、レーザー光を励起光として波長変換部材に分散配置される蛍光体を発光させ、例えば白色光などの所望の光色の可視光に変換して照明する照明器具が知られている。このような照明器具において発光輝度を高めるためには、複数のレーザーダイオードから出力されたレーザー光を一つの波長変換部材に重畳的に照射することが行われている(例えば、特許文献1参照)。
特開2014−11034号公報
ところが、レーザー光を励起光として波長変換部材を発光させる照明器具の場合、同一種類の照明器具であったとしても個体差により発光色が異なる場合がある。この照明器具の発光色の個体差は、レーザーダイオードから放射されるレーザー光の波長幅がLEDなどに比べて狭いため、各照明器具が備えるレーザーダイオードの個体差によるレーザー光の主波長の僅かなずれが照明器具の発光色に強く影響している。従って、発光色(色温度)のバラツキを抑制して安定した照明器具を製造することが課題となっている。
本発明は、上記従来の課題を考慮し、レーザー光を光源とする照明器具の製造方法、および、照明器具であって、製品間で発光色のバラツキが少ない照明器具の製造方法、および、照明器具を提供することを目的とする。
本発明の一態様に係る照明器具の製造方法は、レーザー素子が発振するレーザー光に基づき前記レーザー光とは異なる波長の光を放射する波長変換部材を備える照明器具の製造方法であって、複数の前記レーザー素子のそれぞれについて発振するレーザー光の波長を測定して主波長を特定し、特定された主波長を示す主波長情報と、測定対象のレーザー素子を識別する素子情報とをそれぞれ関連づけて記憶し、関連づけられた主波長情報と素子情報とに基づき、合成波長が所定の第一範囲内に収まる前記レーザー素子の組み合わせを複数の前記レーザー素子中から選出し、選出された前記レーザー素子のレーザー光が前記波長変換部材の同一箇所に照射されるように光路を配置する。
本発明によれば、レーザー光を光源とする照明器具であって、個体差による発光色のバラツキを抑えた照明器具を製造し、当該照明器具を提供することが可能である。
実施の形態に係る照明器具の概要を示す図である。 実施の形態に係る波長変換部材を示す断面図である。 実施の形態に係る照明器具の製造工程の流れを示す図である。 一のレーザー素子が発振したレーザー光の測定結果を示すグラフである。 他のレーザー素子が発振したレーザー光の測定結果を示すグラフである。 関連づけられた素子情報と主波長との記憶状態を示す図である。 照明器具の色度の測定結果を示すxy色度図である。 実施の形態の変形例に係る照明器具の製造工程の流れを示す図である。 実施の形態の変形例に係る照明器具の構成概要を示す図である。
以下では、本発明の実施の形態に係る照明器具の製造方法、および、照明器具について、図面を用いて説明する。なお、以下に説明する実施の形態及びその変形例は、いずれも本発明の一具体例を示すものである。従って、以下の実施の形態及び変形例で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置及び接続形態等は、一例であり、本発明を限定する趣旨ではない。よって、以下の実施の形態及び変形例における構成要素のうち、本発明の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。
また、各図は、模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではない。また、各図において、同じ構成部材については同じ符号を付し、その説明が省略される場合がある。
(実施の形態)
[照明器具の構成概要]
図1は、実施の形態に係る照明器具の概要を示す図である。
同図に示す照明器具100は、複数のレーザー素子が発振するレーザー光Lを波長変換部材104の同一箇所に照射し、レーザー光Lとは異なる波長の光を含む可視光Vを放射する装置であり、例えば、室内または屋外の所定の場所を照らす装置である。照明器具100は、レーザー素子(第一レーザー素子111、第二レーザー素子112)、導光部材(第一導光部材121、第二導光部材122)、基体103、波長変換部材104とを備えている。
本実施の形態の場合、照明器具100は、波長変換部材104の一方の面にレーザー光Lを照射し、反対側の面から白色光が放射される透過型の器具である。具体的には、散乱したレーザー光Lの一部と、波長変換部材104から放射されたレーザー光Lとは異なる波長の光が混ざり合うことで白色光を放射する。
第一レーザー素子111、および、第二レーザー素子112を含むレーザー素子は、半導体の再結合発光を利用したいわゆるレーザーダイオードを備える素子である。本実施の形態の場合、第一レーザー素子111、および、第二レーザー素子112は主波長が同一となるように製造されたレーザー素子であり、レーザー素子が発振するレーザー光Lの主波長は、白色光を得るための励起光として用いられる400nm以上、490nm(青紫〜青色)から選定されている。なお、波長変換部材104との組み合わせ、および、レーザー素子の製造の容易さ等を考慮すると、レーザー素子が発振するレーザー光Lの主波長は、440nm以上、470nmから選定されることが好ましい。
第一導光部材121、および、第二導光部材122を含む導光部材は、レーザー素子のレーザー光Lが波長変換部材104の同一箇所に照射されるような光路を形成する部材である。本実施の形態の場合、導光部材は、フレキシブルな(可撓性を有する)コアとクラッドとを備えたいわゆる光ファイバーであり、クラッドよりもコアの屈折率を高くすることで、全反射によりレーザー光Lをコア内に止め、高い効率でレーザー光を導光することができる部材である。コア、および、クラッドは、レーザー光に対して透過率が高い石英ガラスや樹脂などの素材で構成されている。
なお、導光部材は、ミラー、レンズ、プリズムなどを含んでいても構わない。
基体103は、波長変換部材104を保持するとともに、複数のレーザー光Lが波長変換部材104の同一箇所に照射できるように導光部材を保持する部材である。本実施の形態の場合、基体103には、波長変換部材104から放射される光を所定の方向に反射させる反射面131を備えている。
図2は、波長変換部材を示す断面図である。
波長変換部材104は、照射されたレーザー光Lを励起光としてレーザー光Lとは波長の異なる可視光Vに波長を変換する部材であり、波長変換材141と、封止材142と、保持板143とを備えている。
波長変換材141は、レーザー光Lを励起光として蛍光を放射する物質である。本実施の形態の場合、波長変換部材104は、青色のレーザー光Lにより黄色の蛍光を放射する黄色蛍光体を備えている。具体的に黄色蛍光体としては、イットリウム・アルミニウム・ガーネット(YAG)系の蛍光体を例示することができる。
なお、波長変換部材104は、複数の波長変換材141を備えても構わない。例えば、緑色に発光するセリウムで賦活されたルテチウム・アルミニウム・ガーネット(LAG)系蛍光体と、赤色に発光する(Sr,Ca)AlSiN3:Euで表されるSCASN系蛍光体とを備えていてもよい。
本実施の形態において、青色であるレーザー光Lの一部は、波長変換部材104に含まれる波長変換材141によって黄色光に波長変換される。そして、波長変換材141に吸収されなかった青色光と、黄色蛍光体によって波長変換された黄色光とは、波長変換部材104中で拡散及び混合される。これにより、波長変換部材104からは白色光が出射される。
封止材142は、波長変換材141を分散状態で保持し、レーザー光Lおよび波長変換材141から放射される蛍光を透過させることができる部材である。封止材142の材料としては特に限定されるものではないが、例えば、メチル系のシリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ユリア樹脂などの有機材料、また、ガラスまたはセラミックス等の無機材料を例示することができる。特に、耐熱性が要求される場合は無機材料が選定される。
保持板143は、レーザー光Lが透過すると共に、波長変換部材104を保持することができる構造部材である。保持板143を構成する材料は特に限定されるものではないが、酸化アルミニウムの結晶やガラスなどを例示することができる。
なお本実施の形態の場合、保持板143の一表面に、白色光の取り出し効率を向上させるため、レーザー光Lを透過し、波長変換材141から放射される蛍光を反射するダイクロイックコートが形成されており、その上に、波長変換材141を含有した基材142が塗布または印刷等されることで、波長変換部材104が形成されている。
[照明器具の製造方法]
つぎに照明器具100の製造方法について説明する。
図3は、照明器具の製造工程の流れを示す図である。
複数のレーザー素子のそれぞれについて発振するレーザー光の波長をそれぞれ測定する(波長測定工程:S101)。これらレーザー素子は、発振するレーザー光が同一の主波長となるように製造されるものである。具体的に例えば、レーザー素子は、主波長が455nmとなるように設計されて製造されている。しかしながら、個々のレーザー素子が発振するレーザー光の主波長は、個体差により±20nm程度の範囲でバラツキが生じる。
図4、および、図5は、異なるレーザー素子が発振したレーザー光の測定結果をそれぞれ示すグラフである。
つぎに、測定結果に基づきレーザー素子毎に主波長を特定する(主波長特定工程:S102)。具体的に例えば、測定結果が図4に示すグラフであった場合、主波長は450.9nmであり、図5に示すグラフであった場合、主波長は458.2nmである。
以上のようにしてレーザー素子について特定された主波長を主波長情報とし、図6に示すように、測定対象のレーザー素子を識別する素子情報と主波長情報とをそれぞれ関連づけて記憶する(関連づけ工程:S103)。関連づけられた素子情報と主波長情報との記憶方法は、特に限定されるものではないが、例えば、製造管理ソフトウエアを用い、これらをデジタル情報としてコンピュータが備える記憶装置に記憶させる方法を例示することができる。
つぎに、関連づけられて記憶された主波長情報と素子情報とに基づき、合成波長が所定の第一範囲内に収まるレーザー素子の組み合わせを選出する(組み合わせ選出工程:S104)。
ここで、合成波長とは、選出されたレーザー素子のそれぞれの主波長に基づき決定される値であり、選出されたレーザー素子の出力光強度が同一の場合、例えば、主波長の平均値である。あるいは、選出されたレーザー素子のそれぞれの出力光強度が異なる場合、その出力光強度で重み付けされた主波長の重心値を採用してもよい。
また、第一範囲は、400nm以上、490nm以下の範囲に含まれる3nmの範囲とすることが好ましい。これによれば、照明器具100を実使用する状況において、ほとんどの人が同じ色で光っていると看取されるからである。さらに、第一範囲を400nm以上、490nm以下の範囲に含まれる2nmの範囲に制限しても構わない。これによれば、複数の照明器具100を比較実験した場合でも、ほぼ同一の色度として認識される。
本実施の形態の場合、第一範囲を455±1.5nmとしている。この場合、例えば素子情報002と、素子情報038のレーザー素子を選出すれば、(450.9+458.2)/2=454.55となって、合成波長が第一範囲内に収まる。
なお、選出されるレーザー素子が3以上の場合、合成波長は、選出されたレーザー素子全ての主波長の平均値でもよく、また、主波長の最大値と最小値との平均値でも構わない。
また、選出されるレーザー素子は、主波長が第一範囲の中央値に対して±10nmの範囲内で選定することが好ましい。中央値±10nmの範囲から外れたレーザー素子を用いた場合、合成波長が第一範囲内に収まっても所望の色温度の照明器具100とすることが困難になるためである。
つぎに、選出されたレーザー素子が発振するレーザー光が波長変換部材104の同一箇所に照射されるように導光部材により光路を配置して照明器具100を組み立てる。
本実施の形態の場合、選出された二つのレーザー素子が第一レーザー素子111と第二レーザー素子112であり、図1に示すように、同一種類で同一長さの光ファイバーである第一導光部材121と第二導光部材122にそれぞれ接続される。
以上によれば、複数のレーザー素子を備えた照明器具100の発光色の個体差によるバラツキを抑制することができ、安定した照明器具100を製造することが可能となる。
つぎに、複数の組み合わせのレーザー素子を用いて照明器具100のバラツキを観察した結果を示す。
レーザー素子として以下の組み合わせを選出した。それぞれのレーザー素子の光出力は、すべてほぼ同一である。
A:(素子情報073、主波長448.4nm)、(素子情報072、主波長458.3nm)、合成波長453.4nm
B:(素子情報039、主波長451.3nm)、(素子情報076、主波長458.0nm)、合成波長454.7nm
C:(素子情報001、主波長448.3nm)、(素子情報074、主波長462.8nm)、合成波長455.6nm
D:(素子情報040、主波長451.0nm)、(素子情報075、主波長462.4nm)、合成波長456.7nm
レーザー素子の組み合わせA、B、C、Dを用い、目標色温度3500Kの同一種類の照明器具100をそれぞれ作成し、それぞれの照明器具100について色温度を測定した。
図7は、照明器具の色温度の測定結果を示すxy色度図である。
同図中、448nm、451nm、455nm、458nm、462nmの各プロットは、その波長のレーザー素子2個を用いた場合の照明器具100の色度の結果である。また、同図の中央近傍に記載される太線の平行四辺形は、その内側が照明器具100として目標とする色度の範囲を示している。このように、合成波長が455±1.5nmの範囲に収まっているレーザー素子の組み合わせBとCとは、目標色度範囲内であり、かつ、許容できる色度の差、つまり、人間の目には同一の発光色と感じるものであった。一方、レーザー素子の組み合わせAとDとは、許容できない色度の差、つまり、人間の目にはBやCの発光色とは、異なる発光色と感じるものであった。
以上のように、合成波長が3nmの範囲内に収まるようなレーザー素子の組み合わせを用いることで、色度のバラツキのない、人の目には同一の発光色と感じさせることのできる安定した照明器具100を製造することが可能となる。
一方、レーザー素子をランダムに組み合わせた場合、それらの合成波長は、例えば448nm〜462nmの範囲でばらつくため、図7中の平行四辺形を大きく超え、白色の色度が大きくばらつくことになる。
なお、本発明は、上記実施の形態に限定されるものではない。例えば、本明細書において記載した構成要素を任意に組み合わせて、また、構成要素のいくつかを除外して実現される別の実施の形態を本発明の実施の形態としてもよい。また、上記実施の形態に対して本発明の主旨、すなわち、請求の範囲に記載される文言が示す意味を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例も本発明に含まれる。
例えば、基準となるレーザー素子を用いて波長変換部材104の変換特性を測定し、測定された変換特性を示す特性情報と、測定対象の波長変換部材104を識別する変換部材情報とをそれぞれ関連づけて記憶し、関連づけられた特性情報と変換部材情報とに基づき、組み合わされたレーザー素子に基づき波長変換部材から放射される光の色度が所定の第二範囲内に収まるように組み合わされた前記レーザー素子と前記波長変換部材との組み合わせを決定して照明器具100を製造しても構わない。
具体的に例えば、図8に示すように、レーザー素子の主波長の測定し(S101〜S104)、合成波長が3nmの範囲内(好ましくは2nmの範囲内)に収まるレーザー素子の複数の組み合わせを長波長側と短波長側の2グループに分類する(S205)。一方、波長変換部材104の変換特性を測定し(S206)、波長変換部材104をy色度が低い傾向にある波長変換部材104と高い傾向にある波長変換部材104の2グループに分類する(S207)。そして、長波長側のグループに属するレーザー素子の組み合わせ、および、y色度が高いグループに属する波長変換部材104を組み合わせ、また、短波長側のグループに属するレーザー素子の組み合わせ、および、y色度が低いグループに属する波長変換部材104を組み合わせる(S208)。最後に前記組み合わせに基づき照明器具100を製造する(S209)。以上によれば、さらに照明器具100の発光色の個体差によるバラツキを低減することが可能となる。
また、波長変換部材104の変換特性は、複数の導光部材により導光され、波長変換部材104の同一箇所に照射されるレーザー光に基づき測定しても構わない。つまり、導光部材の特性も含めて変換特性を測定しても構わない。
これによれば照明器具100の色度の個体差によるバラツキをさらに抑制することが可能となる。
また、照明器具100は、波長変換部材104の一面からレーザー光が照射され、反対側の面から白色光を放射する透過型の照明器具100ばかりでなく、図9に示すように、レーザー光を照射した波長変換部材104と同じ面から白色光を放射する反射型の照明器具100であってもよい。
また、実施例では合成波長が455±1.5nmの範囲に収まる者として説明したが、445±1.5nmや465±1.5nmなど任意の範囲でも同様の効果が得られる。
また、一つの照明器具100に設けられた複数のレーザー素子のうち、主波長が最長のレーザー素子と最短のレーザー素子の発振波長帯域は、相互に重複していなくても構わない。個々で、発振波長帯域とは、例えばピークの1/10の波長幅である。これにより、レーザー素子の組み合わせを柔軟に選定することができ、効率よくレーザー素子を照明器具100に適用することが可能となる。
また、第一範囲は、波長変換部材104の励起スペクトル、または、波長変換部材104に含まれる波長変換材141の少なくとも1つの励起スペクトルのピーク波長より長波長側の範囲に制限してもよい。
また、波長変換部材104の前方には、透光性を有するカバー部材が配置されても構わない。カバー部材は、ガラスまたは樹脂等を素材とする部材であり、例えば、埃等の異物が波長変換部材104に付着することを抑制する役割を有するものでも構わない。さらに、カバー部材は、光の拡散または集光等の光学的な機能を有してもよい。
100 照明器具
104 波長変換部材
111 第一レーザー素子
112 第二レーザー素子

Claims (6)

  1. レーザー素子が発振するレーザー光に基づき前記レーザー光とは異なる波長の光を放射する波長変換部材を備える照明器具の製造方法であって、
    複数の前記レーザー素子のそれぞれについて発振するレーザー光の波長を測定して主波長を特定し、
    特定された主波長を示す主波長情報と、測定対象のレーザー素子を識別する素子情報とをそれぞれ関連づけて記憶し、
    関連づけられた主波長情報と素子情報とに基づき、合成波長が所定の第一範囲内に収まる前記レーザー素子の組み合わせを複数の前記レーザー素子中から選出し、
    選出された前記レーザー素子のレーザー光が前記波長変換部材の同一箇所に照射されるように光路を配置する
    照明器具の製造方法。
  2. 前記波長変換部材の変換特性を測定し、
    測定された変換特性を示す特性情報と、測定対象の前記波長変換部材を識別する変換部材情報とをそれぞれ関連づけて記憶し、
    関連づけられた特性情報と変換部材情報とに基づき、組み合わされた前記レーザー素子に基づき前記波長変換部材から放射される光の色度が所定の第二範囲内に収まるように組み合わされた前記レーザー素子と前記波長変換部材との組み合わせを決定する
    請求項1に記載の照明器具の製造方法。
  3. 前記第一範囲は、400nm以上、490nm以下の範囲に含まれる3nmの範囲である
    請求項1または2に記載の照明器具の製造方法。
  4. 前記波長変換部材の変換特性は、複数の前記レーザー素子に接続される複数の導光部材により導光され、前記波長変換部材の同一箇所に照射されるレーザー光に基づき測定し、
    測定された変換特性を示す特性情報と変換部材情報とに前記導光部材を示す導光部材情報とをそれぞれ関連づけて記憶し、
    関連づけられた前記特性情報と前記変換部材情報と前記導光部材情報とに基づき、色度が所定の第二範囲内に収まるように、前記レーザー素子の組み合わせと前記波長変換部材と前記導光部材を決定する
    請求項2に記載の照明器具の製造方法。
  5. レーザー素子が発振するレーザー光に基づき前記レーザー光とは異なる波長の光を放射する波長変換部材を備える照明器具であって、
    440nm以上、470nm以下の範囲に含まれる3nmの範囲内に合成波長が収まる複数の前記レーザー素子と、
    前記レーザー素子のレーザー光が前記波長変換部材の同一箇所に照射されるような光路を形成する複数の導光部材と
    を備える照明器具。
  6. 複数の前記レーザー素子のうち、主波長が最長の前記レーザー素子と最短の前記レーザー素子の発振波長帯域は、相互に重複していない
    請求項5に記載の照明器具。
JP2016168578A 2016-08-30 2016-08-30 照明器具の製造方法、および、照明器具 Active JP6681605B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016168578A JP6681605B2 (ja) 2016-08-30 2016-08-30 照明器具の製造方法、および、照明器具
DE102017119135.6A DE102017119135A1 (de) 2016-08-30 2017-08-22 Leuchte und Verfahren zur Herstellung einer Leuchte
US15/682,706 US10240726B2 (en) 2016-08-30 2017-08-22 Luminaire and method of manufacturing luminaire

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016168578A JP6681605B2 (ja) 2016-08-30 2016-08-30 照明器具の製造方法、および、照明器具

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2018037241A true JP2018037241A (ja) 2018-03-08
JP6681605B2 JP6681605B2 (ja) 2020-04-15

Family

ID=61166936

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016168578A Active JP6681605B2 (ja) 2016-08-30 2016-08-30 照明器具の製造方法、および、照明器具

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10240726B2 (ja)
JP (1) JP6681605B2 (ja)
DE (1) DE102017119135A1 (ja)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004146793A (ja) * 2002-08-30 2004-05-20 Nichia Chem Ind Ltd 露光用半導体レーザ光源装置
JP2011069897A (ja) * 2009-09-24 2011-04-07 Seiko Epson Corp 光源装置および画像表示装置
WO2013073701A1 (ja) * 2011-11-18 2013-05-23 シャープ株式会社 照明装置、車両用前照灯、およびダウンライト
US20140126200A1 (en) * 2008-08-05 2014-05-08 The Regents Of The University Of California White light source employing a iii-nitride based laser diode pumping a phosphor
JP2015179291A (ja) * 2015-06-18 2015-10-08 ウシオ電機株式会社 レーザ光源装置及び画像投影装置
JP2016103423A (ja) * 2014-11-28 2016-06-02 ウシオ電機株式会社 光源装置および照明装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009224397A (ja) * 2008-03-13 2009-10-01 Sharp Corp 発光装置およびこれを利用した照明装置、表示装置
JP5767775B2 (ja) * 2009-07-06 2015-08-19 富士フイルム株式会社 内視鏡装置
EP2693114B1 (en) * 2011-03-30 2017-12-20 Olympus Corporation Light source apparatus
JP2014011034A (ja) 2012-06-29 2014-01-20 Harison Toshiba Lighting Corp 固体照明装置
US9470886B2 (en) * 2013-01-24 2016-10-18 Texas Instruments Incorporated Split phosphor/slit color wheel segment for color generation in solid-state illumination system
CN105158913B (zh) * 2013-05-13 2019-06-21 深圳光峰科技股份有限公司 激光光源、波长转换光源、合光光源及投影系统
DE102013215054A1 (de) * 2013-07-31 2015-02-05 Osram Gmbh Beleuchtungsvorrichtung mit Leuchtstoffrad und Anregungsstrahlungsquelle
DE102013217319A1 (de) * 2013-08-30 2015-03-05 Osram Gmbh Beleuchtungseinrichtung

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004146793A (ja) * 2002-08-30 2004-05-20 Nichia Chem Ind Ltd 露光用半導体レーザ光源装置
US20140126200A1 (en) * 2008-08-05 2014-05-08 The Regents Of The University Of California White light source employing a iii-nitride based laser diode pumping a phosphor
JP2011069897A (ja) * 2009-09-24 2011-04-07 Seiko Epson Corp 光源装置および画像表示装置
WO2013073701A1 (ja) * 2011-11-18 2013-05-23 シャープ株式会社 照明装置、車両用前照灯、およびダウンライト
JP2016103423A (ja) * 2014-11-28 2016-06-02 ウシオ電機株式会社 光源装置および照明装置
JP2015179291A (ja) * 2015-06-18 2015-10-08 ウシオ電機株式会社 レーザ光源装置及び画像投影装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20180058643A1 (en) 2018-03-01
DE102017119135A1 (de) 2018-03-01
US10240726B2 (en) 2019-03-26
JP6681605B2 (ja) 2020-04-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2172794A1 (en) Light source device
RU2632263C2 (ru) Светопреобразующий блок, лампа и светильник
US10208943B2 (en) Lamps for enhanced optical brightening and color preference
JP6883783B2 (ja) 蛍光体ホイール、及び、照明装置
KR20080085732A (ko) 백색 광원 장치
KR20160037050A (ko) 발광 모듈
TW201610363A (zh) 用於強化的光學增白及色彩偏好之燈具
WO2014115492A1 (ja) 固体光源装置
JP5919968B2 (ja) 波長変換部材及び発光デバイス
KR102230459B1 (ko) D50, d65 고연색성 표준 led 발광 모듈 및 조명 장치
JP2013102078A (ja) 光源装置および照明装置
US8919978B2 (en) Lighting device
JPWO2017069206A1 (ja) 屋内用光源および照明装置
JP2013225473A (ja) 発光装置
JP6616047B2 (ja) 同様のオフ状態外観を有する複数の異なる光源を備える照明デバイス
WO2016049955A1 (zh) 光线发射模组
US11538965B2 (en) Light-emitting diode filament structure and LED lighting lamp including the same
JP7416791B2 (ja) 照明光源及び車両用ライト
CN218446355U (zh) 一种光源系统及投影设备
JP6681605B2 (ja) 照明器具の製造方法、および、照明器具
JP2012243979A (ja) 光源装置
WO2008089033A1 (en) Bulb for light-emitting diode
JP2013214629A (ja) 波長変換部材及び発光デバイス
JP7319528B2 (ja) 発光装置の製造方法
JP6634766B2 (ja) 分光放射束測定装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190520

TRDD Decision of grant or rejection written
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20200227

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20200303

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20200309

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 6681605

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151