JP2018026506A - ヒューズ抵抗器及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】温度ヒューズとリードワイヤとを一つのモジュールの形態で接合し、下部モールディング部を形成してヒュージングリードワイヤ及びリードワイヤを一体に固定することによって組立工程を簡素化できる温度ヒューズ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】抵抗体と；前記抵抗体の一側に接合される第１ワイヤ部と、基板に接続される第２ワイヤ部と、一端は前記第１ワイヤ部に接合され、他端は前記第２ワイヤ部に接合される温度ヒューズとを含んで構成されるヒュージングリードワイヤと；前記抵抗体の他側に連結されるリードワイヤと；前記ヒュージングリードワイヤの一部及びリードワイヤの一部が所定間隔だけ離隔して挿入された状態で射出成形される下部モールディング部と；一側に開口部が設けられた筒状からなり、内部に前記抵抗体、ヒュージングリードワイヤ及びリードワイヤを収容し、前記開口部が前記下部モールディング部に結合する上部ケーシングと；を含んでヒューズ抵抗器を構成する。
【選択図】 図１Ｂ

Description

本発明は、ヒューズ抵抗器及びその製造方法に関し、より詳細には、電子製品の電気回路に設置され、突入電流、内部温度の上昇、持続的な過電流などによって発生する機器の故障を防止するために設置されるヒューズ抵抗器及びその製造方法に関する。

一般に、ＬＣＤ ＴＶ、ＰＤＰ ＴＶなどの大型電子製品の電気回路には、電源をオンにしたときに発生する突入電流、内部温度の上昇、持続的な過電流などによって機器が故障することを防止するために、電気回路の電源入力端にヒューズ抵抗器（Ｔｈｅｒｍａｌ Ｆｕｓｅ Ｒｅｓｉｓｔｏｒ）などの保護素子を設けることによって電源回路を保護している。

このようなヒューズ抵抗器は、抵抗体、温度ヒューズ、及びこれらを連結するリード線を含んで構成される。

また、ヒューズ抵抗器は、溶断体の溶断時に発生する破片によって他の電子部品が影響を受けないように抵抗体と温度ヒューズをケースでパッケージするようになり、ケースの内部には充填材が充填される。

ここで、前記充填材としては、耐熱性、伝導性、硬化性などを考慮して、珪石（ＳｉＯ_２）を含むスラリー状の充填材が使用され、前記ケースとしては、通常、一般抵抗のケースとして用いられているセラミック材質のケースが使用されている。

また、前記リード線の端部は、ケースの外部に引き出されるように延長され、従来のヒューズ抵抗器は、前記リード線の端部を印刷回路基板に半田付けし、抵抗体と温度ヒューズが立設された状態になるように印刷回路基板に設置される。

したがって、このように設けられたヒューズ抵抗器は、突入電流が流入する場合は、抵抗体を用いてこれを所定電流に制限するようになり、過電流が流入する場合は、抵抗体の発熱によって発生した熱を前記充填材を介して温度ヒューズに伝導させ、温度ヒューズの内部に設けられている固相の鉛又は高分子ペレットからなる溶断体が溶断によって回路を短絡させることによって家電製品などの電気回路を保護するようになる。

図６Ａ及び図６Ｂは、従来のヒューズ抵抗器を示す図であって、これを参照すると、特許文献１には、抵抗体１０と、前記抵抗体１０の発熱作用によって回路を短絡させるように設けられた温度ヒューズ２０と、前記抵抗体１０と温度ヒューズ２０を直列に連結するリード線３１、３３と、リード線３２、３４の端部が外部に引き出された状態で前記抵抗体１０と温度ヒューズ２０を内部に収容するために一面が開放され、一側壁面に前記リード線の引き出しのための引出溝４１を備えるように設けられたケース４０と、抵抗体１０及び温度ヒューズ２０が内部に挿入されるように前記ケース４０の内部に充填され、珪石を含むように設けられた充填材５０とを備えるヒューズ抵抗器が開示されている。

但し、前記特許文献１は、温度ヒューズが抵抗体などの構造物の形態からなるので小型化が難しく、抵抗体１０と温度ヒューズ２０にそれぞれ一対のリード線３１、３２,（３３、３４）を連結した後、抵抗体１０のリード線３１と温度ヒューズ２０のリード線３３とを連結しなければならないので製造工程が複雑になる。

大韓民国登録特許第１０−１０６００１３号公報

本発明は、前記のような問題を解決するためになされたものであって、その目的は、温度ヒューズとリードワイヤとを一つのモジュールの形態で接合し、下部モールディング部を形成してヒュージングリードワイヤ及びリードワイヤを一体に固定することによって組立工程を簡素化できる温度ヒューズ及びその製造方法を提供することにある。

また、本発明の目的は、温度ヒューズがリードワイヤに一体にインサートされた構造からなるので、構造が簡単であり、小型化できるヒューズ抵抗器及びその製造方法を提供することにある。

このために、本発明に係るヒューズ抵抗器は、抵抗体と；前記抵抗体の一側に接合される第１ワイヤ部と、基板に接続される第２ワイヤ部と、一端は前記第１ワイヤ部に接合され、他端は前記第２ワイヤ部に接合される温度ヒューズとを含んで構成されるヒュージングリードワイヤと；前記抵抗体の他側に連結されるリードワイヤと；前記ヒュージングリードワイヤの一部及びリードワイヤの一部が所定間隔だけ離隔して挿入された下部モールディング部と；一側に開口部が設けられた筒状からなり、内部に前記抵抗体、ヒュージングリードワイヤの一部及びリードワイヤの一部を収容し、前記開口部が前記下部モールディング部に結合する上部ケーシングと；を含むことを特徴とする。

また、上部ケーシング内には充填部材が充填され、前記充填部材はセメントからなり、前記下部ケーシングは、前記充填部材より熱伝導率の小さい樹脂からなることを特徴とする。

また、下部モールディング部は、第１ワイヤ部の一部、第２ワイヤ部の一部及び温度ヒューズが収容され得る厚さからなることを特徴とする。

前記抵抗体の横方向中心線から前記下部モールディング部の上面までの間隔が前記抵抗体の横方向中心線から前記温度ヒューズの上面までの間隔より小さいことを特徴とする。

前記抵抗体の横方向中心線から前記下部モールディング部の上面までの間隔が前記抵抗体の横方向中心線から前記温度ヒューズの下面までの間隔より大きいことを特徴とする。

また、下部モールディング部の縁部には、前記上部ケーシングの厚さに相応する幅の載置部が設けられることを特徴とする。

また、抵抗体は、両端に一対の端子が設けられたセラミックロッド上に導線が巻かれた巻線抵抗体であり、前記セラミックロッド及び導線の表面にシリコンを塗布することによってコーティング層が形成されることを特徴とする。

また、本発明に係るヒューズ抵抗器の製造方法は、ヒュージングリードワイヤ及びリードワイヤを設けるステップと；抵抗体の両端に前記ヒュージングリードワイヤ及びリードワイヤを接合するステップと；前記ヒュージングリードワイヤ及びリードワイヤの一部が一定間隔だけ離隔して挿入されるようにインサート射出成形することによって下部モールディング部を形成するステップと；一側に開口部が設けられた筒状の上部ケーシングを設け、前記開口部を介して充填部材を充填するステップと；前記上部ケーシング内に前記抵抗体を挿入し、前記上部ケーシングと前記下部モールディング部とを結合するステップと；を含むことを特徴とする。

また、ヒュージングリードワイヤは、抵抗体の一側に接合される第１ワイヤ部と、基板に接続される第２ワイヤ部と、一端は前記第１ワイヤ部に接合され、他端は前記第２ワイヤ部に接合される温度ヒューズとを含んで構成され、前記第１ワイヤ部、第２ワイヤ部及び温度ヒューズは同一の直径からなることを特徴とする。

以上のような構成の本発明に係るヒューズ抵抗器及びその製造方法によると、温度ヒューズとリードワイヤとを一つのモジュールの形態で接合し、下部モールディング部を形成してヒュージングリードワイヤ及びリードワイヤを一体に固定することによって組立工程を簡素化できるという効果がある。

また、本発明に係るヒューズ抵抗器及びその製造方法によると、温度ヒューズがリードワイヤに一体にインサートされた構造からなるので、構造が簡単であり、小型化できるという効果がある。

本発明に係るヒューズ抵抗器の第１実施例を示す斜視図である。 本発明に係るヒューズ抵抗器の第１実施例を示す分解斜視図である。 図１の断面図である。 本発明の抵抗体にコーティング層が形成された状態を示す断面図である。 本発明の抵抗体に充填層が形成された状態を示す断面図である。 本発明の抵抗体に充填層が形成された状態を示す断面図である。 本発明の温度ヒューズの構造を示す斜視図である。 図２Ａと異なる構造の下部モールディング部を示す断面図である。 本発明のヒュージングリードワイヤが形成される過程を示した図である。 本発明の抵抗体にリードワイヤが接合される状態を示した図である。 本発明のヒュージングリードワイヤとリードワイヤをインサート射出することによって下部モールディング部が形成された状態を示す図である。 本発明の上部ケーシングと下部モールディング部とが結合される状態を示す図である。 従来のヒューズ抵抗器を示す図である。 従来のヒューズ抵抗器を示す図である。

以下、添付の図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する。

図１Ａ〜図３を参照すると、本発明に係るヒューズ抵抗器１００は、電子製品の電気回路に採用されるように設けられたものであって、大きく分けて、抵抗体１１０と、前記抵抗体１１０の両端に接合されるヒュージングリードワイヤ１２０及びリードワイヤ１３０と、前記ヒュージングリードワイヤ１２０及びリードワイヤ１３０の一部が所定間隔だけ離隔して挿入された状態で射出成形される下部モールディング部１４０と、前記下部モールディング部と結合する上部ケーシング１５０と、前記上部ケーシング１５０内に収容される充填部材１６０とを含むことができる。

前記抵抗体１１０は、過電流の印加時に発熱し、前記ヒュージングリードワイヤ１２０に設置された温度ヒューズ１２５を溶断させるものであって、図２Ｂに示したように、セラミックロッド１１１と、前記セラミックロッド１１１の両端に設けられる端子１１７と、前記セラミックロッド１１１上に巻かれた導線１１３とを含む巻線抵抗体であることを例示することができる。

そして、前記抵抗体１１０の表面には、図２Ｂに示したコーティング層１１５又は図２Ｃ及び図２Ｄに示した充填層１１５’、１１５’’を形成することができる。

前記コーティング層１１５は、導線を保護し、防爆特性を向上させる役割をするものであって、図２Ｂに示したように、セラミックロッド１１１及び導線１１３の表面にシリコンを薄く塗布して構成することができる。

前記充填層１１５’、１１５’’は、抵抗体１１０の防爆特性を極大化するためのものであって、図２Ｃ及び図２Ｄに示したように、シリコンを一対の端子１１７間に設けられた空間に少なくとも前記端子１１７と同一の厚さで充填して構成されるので、前記導線１１３を完全に密封する。

前記コーティング層１１５又は充填層１１５’、１１５’’を形成することによって、非正常的な電流の印加によって前記抵抗体が爆発する場合、その衝撃及び騒音を一次的に吸収し、製品の防爆特性を向上させるようになる。

前記抵抗体１１０の端子１１７には、前記ヒュージングリードワイヤ１２０及びリードワイヤ１３０が接合される。

前記ヒュージングリードワイヤ１２０は、前記抵抗体１１０に接合され、下側に折り曲げられる第１ワイヤ部１２１と、基板に接続される第２ワイヤ部１２３と、一端は前記第１ワイヤ部１２１に接合され、他端は前記第２ワイヤ部１２３に接合される温度ヒューズ１２５とからなる。

このように、前記ヒュージングリードワイヤ１２０の第１及び第２ワイヤ部１２１、１２３間に温度ヒューズ１２５が挿入されるので、構造が簡単になり、小型化が可能である。

前記温度ヒューズ１２５は、前記抵抗体１１０の発熱による溶断によって回路を短絡させ、回路上に設置された各素子を保護する役割をするものであって、前記抵抗体１１０と直列に接続される。

そして、前記温度ヒューズ１２５は、図３に示したように、可溶部１２６と、前記可溶部１２６の中心に挿入されるフラックス部１２７とからなり得る。前記可溶部１２６は、スズ又はスズ合金であることを例示することができ、加熱時の溶断によって電気接続を遮断する。

前記フラックス部１２７は、溶融された可溶部１２６を凝集させる役割をするものであって、塩化物、フッ化物、樹脂などからなることを例示することができる。

前記温度ヒューズ１２５と第１及び第２ワイヤ部１２１、１２３との接合時、金属素材の前記可溶部１２６の端部と前記第１及び第２ワイヤ部１２１、１２３の端部とが当接した状態で溶接が行われるので、前記温度ヒューズ１２５と第１及び第２ワイヤ部１２１、１２３は同一の直径からなることが好ましい。温度ヒューズ１２５が前記第１及び第２ワイヤ部１２１、１２３の直径より大きい場合、前記フラックス部１２７は、少なくとも前記第１及び第２ワイヤ部１２１、１２３の直径より小さく形成し、前記可溶部１２６を前記第１及び第２ワイヤ部１２１、１２３と接触させなければならない。

前記温度ヒューズが、前記フラックス部の中心に可溶部が挿入される構造からなると、前記抵抗体から供給される熱は、フラックス部を先に加熱した後で可溶部を加熱するようになるので、溶断時間が遅延され、溶断特性が低下する。そして、前記温度ヒューズの表面に絶縁素材であるフラックス部が配置されるので、スポット溶接方式を通じた接合を行えなくなる。したがって、前記温度ヒューズ１２５は、可溶部１２６内にフラックス部１２７が挿入された構造であることが好ましい。

前記上部ケーシング１５０は、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂及びセラミック素材のうちのいずれか一つからなることを例示することができ、一側に開口部１５１が設けられた筒状であり、前記開口部１５１を介して前記抵抗体１１０、ヒュージングリードワイヤ１２０及びリードワイヤ１３０が挿入される。

前記上部ケーシング１５０の開口部１５１は下部モールディング部１４０によって密閉され、前記上部ケーシング１５０の内部には、防爆特性を提供する充填部材１６０が充填される。

前記充填部材１６０は、抵抗体の爆発時に衝撃及び騒音を吸収するものであって、珪石（ＳｉＯ_２）を含むセメントであるか、シリコン、エポキシなどの樹脂であることを例示することができる。

前記下部モールディング部１４０は、図２Ａに示したように、少なくとも温度ヒューズ１２５と第１及び第２ワイヤ部１２１、１２３との接合面を収容するようにインサート射出できるが、この場合、前記下部モールディング部１４０が前記温度ヒューズ１２５の両端の接合面を密封する形態からなるので、組立過程で温度ヒューズ１２５が損傷したり第１及び第２ワイヤ部１２１、１２３と分離されることを防止することができる。

そして、前記下部モールディング部１４０によって前記抵抗体１１０、ヒュージングリードワイヤ１２０及びリードワイヤ１３０が一体にモジュール化されるので、上部ケーシング１５０と結合する過程が容易になり、前記ヒュージングリードワイヤ１２０とリードワイヤ１３０が所定間隔に維持されるので、ヒューズ抵抗器の表面実装時における不良を減少させることができる。

前記下部モールディング部１４０は、前記開口部１５１を密閉するように前記上部ケーシング１５０の開口部１５１に対応するサイズのブロック又は板状からなり、上面枠領域には前記上部ケーシング１５０の厚さに相応する幅の載置部１４１が設けられ、この載置部１４１が前記開口部１５１に嵌め合わされる。

また、下部モールディング部１４０’は、図４に示したように、温度ヒューズ１２５は挿入されなく、第２ワイヤ部１２３の一側のみが挿入されるように射出成形することができる。

以下では、前記 充填部材１６０がセメントであり、下部モールディング部１４０, １４０’が樹脂からなる場合、図２Ａの下部モールディング部と図４の下部モールディング部の溶断特性を比較してみる。図２Ａの下部モールディング１４０の場合、前記抵抗体１１０の横方向中心線Ｃから前記下部モールディング部１４０の上面までの間隔（ｄ１）が前記抵抗体１１０の横方向中心線Ｃから前記温度ヒューズ１２５の上面までの間隔（ｄ２）より小さい。

図４の下部モールディング部１４０’の場合、前記抵抗体１１０の横方向中心線Ｃから前記下部モールディング部１４０’の上面までの間隔（ｄ１’）が前記抵抗体１１０の横方向中心線Ｃから前記温度ヒューズ１２５の下面までの間隔（ｄ３）より大きい。

各下部モールディング部１４０、１４０’の溶断特性を見ると、図４では、図２Ａに比べて下部モールディング部１４０’と抵抗体１１０との間の間隔が広く、充填部材１６０の量が多いので、充填部材１６０で抵抗体１１０の発熱を吸収して外部に放熱させ、その結果、温度ヒューズ１２５に伝達される熱が相対的に少なくなる。

その一方で、図２Ａでは、温度ヒューズ１２５が、熱伝導率が充填部材１６０に比べて相対的に低い下部モールディング部１４０内に完全に挿入され、下部モールディング部１４０と抵抗体１１０との間の間隔が狭くなるので、抵抗体１１０の発熱中に下側に放熱される量が図４に比べて相対的に少なくなり、抵抗体１１０から第１ワイヤ部１２１を介して温度ヒューズ１２５に伝達される伝導熱がさらに大きくなり、その結果、溶断特性が向上する。

以下では、添付の図面を参照してヒューズ抵抗器の製造方法を説明する。

まず、図５Ａを参照すると、第１ワイヤ部１２１と、温度ヒューズ１２５と、第２ワイヤ部１２３とが接合されたヒュージングリードワイヤ１２０及びリードワイヤ１３０を設ける。

前記温度ヒューズ１２５と第１及び第２ワイヤ部１２１、１２３は、ソルダリング、スポット溶接又は超音波溶接方式で接合する。

次に、図５Ｂを参照すると、抵抗体１１０の両端にヒュージングリードワイヤ１２０及びリードワイヤ１３０を接合した後、前記ヒュージングリードワイヤ１２０とリードワイヤ１３０を折り曲げる。

その次に、図５Ｃを参照すると、前記ヒュージングリードワイヤ１２０及びリードワイヤ１３０をインサート射出することによって下部モールディング部１４０を形成する。このとき、この下部モールディング部１４０は、前記ヒュージングリードワイヤ１２０の第２ワイヤ部１２３の一側を収容するように射出する。

その次に、図５Ｄを参照すると、一側に開口部１５１が設けられた筒状の上部ケーシング１５０を設けて、開口部１５１が上方に向かうように配置した後、内部に充填部材１６０を充填する。そして、前記下部モールディング部１４０によってモジュール化された抵抗体１１０を前記上部ケーシング１５０内に挿入した後、前記下部モールディング部１４０と上部ケーシング１５０とを結合すると、ヒューズ抵抗器の製造が完了する。

結論的に、本発明では、温度ヒューズ１２５がヒュージングリードワイヤ１２０内に挿入される簡単な構造からなるので、製品の小型化を具現することができ、下部モールディング部１４０を形成してヒュージングリードワイヤ１２０及びリードワイヤ１３０を一体に固定した状態で下部モールディング部１４０を上部ケーシング１５０に結合するので、製造工程を簡素化できるという長所がある。

１００ ヒューズ抵抗器
１１０ 抵抗体
１１１ セラミックロッド
１１３ 導線
１１５ コーティング層
１１５’、１１５’’ 充填層
１１７ 端子
１２０ ヒュージングリードワイヤ
１２１ 第１ワイヤ部
１２３ 第２ワイヤ部
１２５ 温度ヒューズ
１２６ 可溶部
１２７ フラックス部
１３０ リードワイヤ
１４０ 下部モールディング部
１４１ 載置部
１５０ 上部ケーシング
１５１ 開口部
１６０ 充填部材

このために、本発明に係るヒューズ抵抗器は、抵抗体と；前記抵抗体の一側に接合される第１ワイヤ部と、基板に接続される第２ワイヤ部と、一端は前記第１ワイヤ部に接合され、他端は前記第２ワイヤ部に接合される温度ヒューズとを含んで構成されるヒュージングリードワイヤと；前記抵抗体の他側に連結されるリードワイヤと；前記ヒュージングリードワイヤの一部及びリードワイヤの一部が所定間隔だけ離隔して挿入された下部モールディング部と；一側に開口部が設けられた筒状からなり、内部に前記抵抗体、ヒュージングリードワイヤの一部及びリードワイヤの一部を収容し、前記開口部が前記下部モールディング部に結合する上部ケーシングと；を含み、前記下部モールディング部は、第１ワイヤ部の一部、第２ワイヤ部の一部及び温度ヒューズが収容され得る厚さからなり、前記上部ケーシング内には充填部材が充填され、前記充填部材はセメントからなり、前記上部ケーシングと前記下部モールディング部とを結合する、ことを特徴とする。

また、前記下部ケーシングは、前記充填部材より熱伝導率の小さい樹脂からなることを特徴とする。

また、本発明に係るヒューズ抵抗器の製造方法は、第１ワイヤ部と、基板に接続される第２ワイヤ部と、一端は前記第１ワイヤ部に接合され、他端は前記第２ワイヤ部に接合される温度ヒューズとを含んだヒュージングリードワイヤ及びリードワイヤを設けるステップと；抵抗体の両端に前記ヒュージングリードワイヤの第１ワイヤ部及びリードワイヤを接合するステップと；第１ワイヤ部の一部、第２ワイヤ部の一部及び温度ヒューズが収容され得る厚さからなり、かつ、前記ヒュージングリードワイヤ及びリードワイヤの一部が一定間隔だけ離隔して挿入されるようにインサート射出成形することによって下部モールディング部を形成するステップと；一側に開口部が設けられた筒状の上部ケーシングを設けて、前記開口部を介してセメントからなる充填部材を充填するステップと；前記上部ケーシング内に前記抵抗体を挿入し、前記上部ケーシングと前記下部モールディング部とを前記充填部材で結合するステップ；を含むことを特徴とする。

また、前記第１ワイヤ部、第２ワイヤ部及び温度ヒューズは同一の直径からなることを特徴とする。

Claims (9)

1. 抵抗体と；
   前記抵抗体の一側に接合される第１ワイヤ部と、基板に接続される第２ワイヤ部と、一端は前記第１ワイヤ部に接合され、他端は前記第２ワイヤ部に接合される温度ヒューズと、を含んで構成されるヒュージングリードワイヤと；
   前記抵抗体の他側に連結されるリードワイヤと；
   前記ヒュージングリードワイヤの一部及びリードワイヤの一部が所定間隔だけ離隔して挿入された下部モールディング部と；
   一側に開口部が設けられた筒状からなり、内部に前記抵抗体、ヒュージングリードワイヤの一部及びリードワイヤの一部を収容し、前記開口部が前記下部モールディング部に結合する上部ケーシングと；
   を含むことを特徴とするヒューズ抵抗器。
2. 前記上部ケーシング内には充填部材が充填され、
   前記充填部材はセメントからなり、前記下部モールディング部は、前記充填部材より熱伝導率の小さい樹脂からなる、
   ことを特徴とする請求項１に記載のヒューズ抵抗器。
3. 前記下部モールディング部は、第１ワイヤ部の一部、第２ワイヤ部の一部及び温度ヒューズが収容され得る厚さからなる、
   ことを特徴とする請求項１に記載のヒューズ抵抗器。
4. 前記抵抗体の横方向中心線から前記下部モールディング部の上面までの間隔（ｄ１）が前記抵抗体の横方向中心線から前記温度ヒューズの上面までの間隔（ｄ２）より小さい、
   ことを特徴とする請求項１に記載のヒューズ抵抗器。
5. 前記抵抗体の横方向中心線から前記下部モールディング部の上面までの間隔（ｄ１’）が前記抵抗体の横方向中心線から前記温度ヒューズの下面までの間隔（ｄ３）より大きい、
   ことを特徴とする請求項１に記載のヒューズ抵抗器。
6. 前記下部モールディング部の縁部には、前記上部ケーシングの厚さに相応する幅の載置部が設けられる、
   ことを特徴とする請求項１に記載のヒューズ抵抗器。
7. 前記抵抗体は、両端に一対の端子が設けられたセラミックロッド上に導線が巻かれた巻線抵抗体であり、
   前記セラミックロッド及び導線の表面にシリコンを塗布することによってコーティング層が形成される、
   ことを特徴とする請求項１に記載のヒューズ抵抗器。
8. ヒュージングリードワイヤ及びリードワイヤを設けるステップと；
   抵抗体の両端に前記ヒュージングリードワイヤ及びリードワイヤを接合するステップと；
   前記ヒュージングリードワイヤ及びリードワイヤの一部が一定間隔だけ離隔して挿入されるようにインサート射出成形することによって下部モールディング部を形成するステップと；
   一側に開口部が設けられた筒状の上部ケーシングを設けて、前記開口部を介して充填部材を充填するステップと；
   前記上部ケーシング内に前記抵抗体を挿入し、前記上部ケーシングと前記下部モールディング部とを結合するステップ；
   を含むことを特徴とするヒューズ抵抗器の製造方法。
9. 前記ヒュージングリードワイヤは、
   抵抗体の一側に接合される第１ワイヤ部と、基板に接続される第２ワイヤ部と、一端は前記第１ワイヤ部に接合され、他端は前記第２ワイヤ部に接合される温度ヒューズと、を含んで構成され、
   前記第１ワイヤ部、第２ワイヤ部及び温度ヒューズは同一の直径からなる、
   ことを特徴とする請求項８に記載のヒューズ抵抗器の製造方法。

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