JP2018022561A - 荷電粒子線装置 - Google Patents
荷電粒子線装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018022561A JP2018022561A JP2016151232A JP2016151232A JP2018022561A JP 2018022561 A JP2018022561 A JP 2018022561A JP 2016151232 A JP2016151232 A JP 2016151232A JP 2016151232 A JP2016151232 A JP 2016151232A JP 2018022561 A JP2018022561 A JP 2018022561A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- charged particle
- particle beam
- electron beam
- irradiation
- sample
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/045—Beam blanking or chopping, i.e. arrangements for momentarily interrupting exposure to the discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/08—Ion sources; Ion guns
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/026—Means for avoiding or neutralising unwanted electrical charges on tube components
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/004—Charge control of objects or beams
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/004—Charge control of objects or beams
- H01J2237/0041—Neutralising arrangements
- H01J2237/0044—Neutralising arrangements of objects being observed or treated
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/15—Means for deflecting or directing discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/26—Electron or ion microscopes
- H01J2237/28—Scanning microscopes
- H01J2237/2813—Scanning microscopes characterised by the application
- H01J2237/2817—Pattern inspection
Abstract
【解決手段】荷電粒子源101と、荷電粒子光学系に挿入され、荷電粒子線102の進行方向を荷電粒子光学系の光軸外に偏向させ、或いは荷電粒子光学系の光軸内に偏向させるセパレータ103と、荷電粒子光学系の光軸外に偏向された荷電粒子線を吸収、或いはセパレータの方向へ反射する荷電粒子線照射切替器104と、荷電粒子線照射切替器を制御する制御装置110と、を有する荷電粒子線装置とする。
【選択図】図1
Description
荷電粒子源と、
試料を載置するステージと、
前記荷電粒子源で発生した荷電粒子線を前記試料に照射するための荷電粒子光学系と、
前記荷電粒子光学系に挿入され、前記荷電粒子線の進行方向を前記荷電粒子光学系の光軸外に偏向させ、或いは前記荷電粒子光学系の光軸内に偏向させるセパレータと、
前記荷電粒子光学系の光軸外に偏向された前記荷電粒子線を吸収、或いは前記セパレータの方向へ反射する荷電粒子線照射切替器と、
前記荷電粒子線照射切替器を制御する制御装置と、
を有することを特徴とする荷電粒子線装置とする。
荷電粒子源と、
印加電圧の切替えによって前記荷電粒子源からの荷電粒子線を吸収および反転させ、試料への前記荷電粒子線の照射を切替える荷電粒子線反射制御電極と、
を有することを特徴とする荷電粒子線装置とする。
図1は、本実施例に係る電子線観察装置の一例を示す概略構成図である。
まず、装置構成について説明する。電子源101から電子線102が引出される。下流方向には、ビームセパレータ103、電子線照射切替器104、検出器105、走査偏向用偏向器106、対物レンズ107が配置されている。更に、電子光学系には、一次ビームの中心軸(光軸)調整用アライナ、収差補正器等も付加されている(図示せず)。なお、本実施例における対物レンズ107は励磁電流によってフォーカスを制御する電磁レンズである例を示すが、静電レンズまたは電磁レンズと静電レンズの複合であってもよい。
図8AはSEM画像を形成する際に、制御装置110から走査偏向用偏向器106に与えられる走査信号(制御信号)の一例を示す信号波形図であり、上図はX方向、下図はY方向を示す。最も一般的な走査信号はラスタスキャンと呼ばれるX方向及びY方向にそれぞれランプ信号を与えるものである。
図11は、本実施例における電子線照射切替器104の制御信号の他の例である。本実施例において、電子線の試料への照射、非照射、照射、非照射のように時間ton1、toff1、ton2、toff2の順で繰り返して切り替えている。すなわち、図8Cにおいては、照射と非照射の時間はそれぞれ一種類ずつであったが、図11では、それぞれ2種類である。このうち、ton1、toff1の時間は、試料への電子線の予備照射を行っており、観察前にあらかじめ帯電を形成することにより、取得する画像のコントラストの強調を行った。ton2、toff2の時間は、連続的に試料に電子線が到達しないように制御することで、帯電による像障害の発生を回避するために使用する。このようにして照射と非照射の信号波形を制御することにより、帯電制御と帯電抑制を両立した観察が実施できた。
(1)荷電粒子源から発生した荷電粒子線を試料上に照射する荷電粒子線装置であって、前記荷電粒子線の進行方向に応じて偏向方向を切り替えるビームセパレータを備え、少なくとも一つの電極を有する切替器を備え、前記切替器を制御する制御装置を備え、前記制御装置は前記電極に第一の電圧が印加される第一の条件と前記電極に第二の電圧が印加される第二の条件を実施するように前記切替器を切り替えて制御し、前記第一の条件では前記切替器が前記荷電粒子線の軌道の進行方向を反転しかつ前記荷電粒子線が前記試料に到達し、前記第二の条件では前記切替器が前記荷電粒子線を吸収しかつ前記荷電粒子線が前記試料に到達しないことを特徴とする荷電粒子線装置とする。
(2)荷電粒子線装置において、印加電圧の切替によって荷電粒子源からの荷電粒子線を吸収および反転させる電極を有し、
前記電極の印加電圧の切替によって、試料への前記荷電粒子線の照射を切り替えることを特徴とする荷電粒子線装置。
Claims (14)
- 荷電粒子源と、
試料を載置するステージと、
前記荷電粒子源で発生した荷電粒子線を前記試料に照射するための荷電粒子光学系と、
前記荷電粒子光学系に挿入され、前記荷電粒子線の進行方向を前記荷電粒子光学系の光軸外に偏向させ、或いは前記荷電粒子光学系の光軸内に偏向させるセパレータと、
前記荷電粒子光学系の光軸外に偏向された前記荷電粒子線を吸収、或いは前記セパレータの方向へ反射する荷電粒子線照射切替器と、
前記荷電粒子線照射切替器を制御する制御装置と、
を有することを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1記載の荷電粒子線装置において、
前記荷電粒子線照射切替器は荷電粒子線反射制御電極を有し、
前記制御装置は、前記荷電粒子線反射制御電極の方向に進行してくる前記荷電粒子線の速度エネルギーがゼロとなるような電圧を|V0|とした場合、前記電圧|V0|よりも高い電圧|Von|、或いは前記電圧|V0|よりも低い電圧|Voff|を前記荷電粒子線反射制御電極に印加することにより、前記荷電粒子線照射切替器での前記荷電粒子線の反射或いは吸収を制御することを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項2記載の荷電粒子線装置において、
前記高い電圧|Von|と前記低い電圧|Voff|との差ΔVは、ΔV≦500Vであることを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1記載の荷電粒子線装置において、
前記荷電粒子線照射切替器は、
前記荷電粒子線照射切替器により吸収される前記荷電粒子線が通過する開口を有する荷電粒子線反射制御電極と、
前記開口を通過した前記荷電粒子線を検出する検出器と、
を有することを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1記載の荷電粒子線装置において、
前記荷電粒子線照射切替器は、ファラデーカップ構造を有する荷電粒子線反射制御電極を有することを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1記載の荷電粒子線装置において、
前記荷電粒子線照射切替器は、二次荷電粒子或いは反射荷電粒子を抑制するような表面構造を備えた荷電粒子線反射制御電極を有することを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1記載の荷電粒子線装置において、
前記表面構造は、鋸歯状の表面構造であることを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1記載の荷電粒子線装置において、
前記制御装置は、前記荷電粒子線が前記試料へ照射することに起因する帯電を抑制するために前記荷電粒子線照射切替器における反射の時間長toff及び吸収の時間長tonを制御することを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項8記載の荷電粒子線装置において、
前記制御装置は、前記荷電粒子線照射切替器における前記荷電粒子線の前記反射の時間長toff及び吸収の時間長tonを含む期間を一周期として繰り返すように前記荷電粒子線照射切替器を制御することを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項9記載の荷電粒子線装置において、
前記荷電粒子線照射切替器における反射と吸収の何れか一つを切替えるタイミングは、前記荷電粒子光学系の光学条件或いは前記試料を構成する材料の種類のいずれかによって決定され、
前記光学条件は、前記荷電粒子線に対する加速電圧、プローブ電流、走査速度、前記試料の直上の電界強度、及び観察倍率の少なくとも一つを含むことを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項8記載の荷電粒子線装置において、
前記制御装置は、前記荷電粒子線照射切替器における前記荷電粒子線の第1反射の時間長toff1及び第1吸収の時間長ton1と第2反射の時間長toff2及び第2吸収の時間長ton2とを含む期間を一周期として繰り返すように前記荷電粒子線照射切替器を制御することを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項11記載の荷電粒子線装置において、
前記荷電粒子線照射切替器における第1反射と第1吸収、第2反射と第2吸収の何れか一つを切替えるタイミングは、前記荷電粒子光学系の光学条件或いは前記試料を構成する材料の種類のいずれかによって決定され、
前記光学条件は、前記荷電粒子線に対する加速電圧、プローブ電流、走査速度、前記試料の直上の電界強度、及び観察倍率の少なくとも一つを含むことを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1記載の荷電粒子線装置において、
前記荷電粒子線照射切替器は荷電粒子線反射制御電極を有し、
前記荷電粒子線が形成するクロスオーバーの一つが、前記荷電粒子線反射制御電極の近傍に形成されることを特徴とする荷電粒子線装置。 - 荷電粒子源と、
印加電圧の切替えによって前記荷電粒子源からの荷電粒子線を吸収および反転させ、試料への前記荷電粒子線の照射を切替える荷電粒子線反射制御電極と、
を有することを特徴とする荷電粒子線装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016151232A JP6746422B2 (ja) | 2016-08-01 | 2016-08-01 | 荷電粒子線装置 |
US15/664,131 US10256068B2 (en) | 2016-08-01 | 2017-07-31 | Charged particle beam apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016151232A JP6746422B2 (ja) | 2016-08-01 | 2016-08-01 | 荷電粒子線装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018022561A true JP2018022561A (ja) | 2018-02-08 |
JP2018022561A5 JP2018022561A5 (ja) | 2019-02-14 |
JP6746422B2 JP6746422B2 (ja) | 2020-08-26 |
Family
ID=61010506
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016151232A Active JP6746422B2 (ja) | 2016-08-01 | 2016-08-01 | 荷電粒子線装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10256068B2 (ja) |
JP (1) | JP6746422B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023032034A1 (ja) * | 2021-08-31 | 2023-03-09 | 株式会社日立ハイテク | 電子顕微鏡 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6883705B2 (ja) | 2018-03-29 | 2021-06-09 | 株式会社日立ハイテク | 荷電粒子線装置 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0417248A (ja) | 1990-05-09 | 1992-01-22 | Fujitsu Ltd | 電子ビーム装置及びその画像取得方法 |
JPH11101896A (ja) | 1997-09-29 | 1999-04-13 | Nissin High Voltage Co Ltd | 電子線照射装置 |
JP3441955B2 (ja) * | 1998-02-23 | 2003-09-02 | 株式会社日立製作所 | 投射方式の荷電粒子顕微鏡および基板検査システム |
EP1271606A1 (en) * | 2000-11-02 | 2003-01-02 | Ebara Corporation | Electron beam apparatus and device production method using the apparatus |
EP1209737B2 (en) * | 2000-11-06 | 2014-04-30 | Hitachi, Ltd. | Method for specimen fabrication |
WO2007013398A1 (ja) * | 2005-07-26 | 2007-02-01 | Ebara Corporation | 電子線装置 |
JP2007207688A (ja) * | 2006-02-06 | 2007-08-16 | Hitachi High-Technologies Corp | ミラー電子顕微鏡およびミラー電子顕微鏡を用いた検査装置 |
JP4908934B2 (ja) * | 2006-06-08 | 2012-04-04 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 半導体ウェーハ検査装置および半導体ウェーハ検査方法 |
JP5814741B2 (ja) * | 2011-10-20 | 2015-11-17 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 走査電子顕微鏡 |
US8907281B2 (en) * | 2012-11-19 | 2014-12-09 | Hermes Microvision Inc. | System and method for controlling charge-up in an electron beam apparatus |
EP2801997B1 (en) * | 2013-05-06 | 2016-03-09 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Electron beam wafer inspection system and method for operation thereof |
JP6320186B2 (ja) * | 2014-06-16 | 2018-05-09 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線応用装置 |
-
2016
- 2016-08-01 JP JP2016151232A patent/JP6746422B2/ja active Active
-
2017
- 2017-07-31 US US15/664,131 patent/US10256068B2/en active Active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023032034A1 (ja) * | 2021-08-31 | 2023-03-09 | 株式会社日立ハイテク | 電子顕微鏡 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10256068B2 (en) | 2019-04-09 |
US20180033587A1 (en) | 2018-02-01 |
JP6746422B2 (ja) | 2020-08-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6265719B1 (en) | Inspection method and apparatus using electron beam | |
US7432503B2 (en) | Scanning electron microscope and method for detecting an image using the same | |
JP3403036B2 (ja) | 電子ビーム検査方法及びその装置 | |
JP4920385B2 (ja) | 荷電粒子ビーム装置、走査型電子顕微鏡、及び試料観察方法 | |
JP6242745B2 (ja) | 荷電粒子線装置及び当該装置を用いる検査方法 | |
US9012842B2 (en) | Charged particle beam device and inclined observation image display method | |
JP2006032107A (ja) | 反射結像型電子顕微鏡及びそれを用いたパターン欠陥検査装置 | |
JP2010055756A (ja) | 荷電粒子線の照射方法及び荷電粒子線装置 | |
JP4359232B2 (ja) | 荷電粒子線装置 | |
JP6746422B2 (ja) | 荷電粒子線装置 | |
US8907281B2 (en) | System and method for controlling charge-up in an electron beam apparatus | |
US20020109089A1 (en) | SEM provided with an adjustable final electrode in the electrostatic objective | |
JP2019046642A (ja) | 走査電子顕微鏡 | |
JP2000048756A (ja) | 荷電粒子ビーム光学系の調整を行う方法およびその装置 | |
JP2007285966A (ja) | 欠陥検査装置及び欠陥検査方法 | |
KR20190111730A (ko) | 전자빔 장치 | |
JP4431624B2 (ja) | 荷電粒子線調整方法、及び荷電粒子線装置 | |
US11626266B2 (en) | Charged particle beam device | |
JP6920539B2 (ja) | 走査電子顕微鏡及びその撮像方法 | |
JP2000223542A (ja) | 電子ビ―ムを用いた検査方法及び検査装置 | |
JP2000133195A (ja) | 透過電子顕微鏡 | |
JPS6324617Y2 (ja) | ||
JP2005024564A (ja) | 電子ビームを用いた検査方法及び検査装置 | |
JP2022135215A (ja) | 学習器の学習方法、及び画像生成システム | |
JP2010016007A (ja) | 荷電粒子線調整方法及び荷電粒子線装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181217 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20181217 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181219 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190905 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190924 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20191112 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200303 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200423 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200714 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200805 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6746422 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |