JP2018022226A - 入力検出装置および電子装置 - Google Patents

Abstract

【課題】表示装置と、電磁誘導方式のタッチパネルと静電容量方式のタッチパネルとを一体化した入力検出装置であって、電磁誘導方式のタッチ検出動作におけるノイズを低減することができる入力検出装置を提供する。
【解決手段】入力検出装置は、複数の駆動電極ＴＬ（ｎ）〜ＴＬ（ｎ＋５）と、複数の駆動電極ＴＬ（ｎ）〜ＴＬ（ｎ＋５）に第１電圧を供給する第１配線ＴＰＨと、複数の駆動電極ＴＬ（ｎ）〜ＴＬ（ｎ＋５）に第１電圧と異なる第２電圧を供給する第２配線ＴＰＬと、を備える。そして、複数の駆動電極ＴＬ（ｎ）〜ＴＬ（ｎ＋５）に第１電圧および第２電圧を供給することにより発生する磁界により電磁誘導方式の入力検出を行い、第１配線ＴＰＨおよび第２配線ＴＰＬを流れる第１電圧および第２電圧の両方が直流電圧である。
【選択図】図６

Description

本発明は、入力検出装置および電子装置に関し、特に外部物体の近接を検出可能なタッチ検出機能を有する入力検出装置および電子装置に関する。

近年、入力検出装置として、いわゆるタッチパネルと呼ばれる、外部物体の近接（以下、接触も含む）を検出可能なタッチ検出機能を有する入力検出装置が注目されている。タッチパネルは、表示装置、例えば液晶表示装置上に装着または液晶表示装置と一体化され、タッチ検出機能付き表示装置として提供される。

外部物体として、例えばペンを用いることを可能にしたタッチパネルがある。ペンを用いることにより、例えば小さな領域を指定したり、手書き文字の入力が可能となる。ペンによるタッチを検出する技術は、種々ある。種々ある技術の一つとして、電磁誘導方式がある。電磁誘導方式は、高精度、高い筆圧検出精度を実現することが可能であり、外部物体がタッチパネル表面から離間したホバリング検出機能も実現可能であるため、ペンによるタッチを検出する技術としては有力な技術である。

また、外部物体として、指等の検出が可能なタッチ検出装置がある。この場合、検出対象が、ペンと異なるため、タッチを検出する技術としては、電磁誘導方式とは異なる方式が採用される。例えば、指等のタッチにより生じる光学的な変化、抵抗値の変化、あるいは電界の変化を検出する方式が存在する。これらの方式のなかで、電界の変化を検出する方式は、例えば静電容量を用いる静電容量方式がある。静電容量方式は、比較的単純な構造を有し、低消費電力であるため、携帯情報端末などに用いられている。

電磁誘導方式のタッチパネルに関する技術は、例えば特許文献１に記載されている。

特開平１０−４９３０１号公報

タッチ検出機能付き表示装置には、タッチパネルを表示装置と一体化した、いわゆるインセルタイプの表示装置と、タッチパネルを表示装置上に装着した、いわゆるオンセルタイプの表示装置とがある。インセルタイプのタッチパネルは、コストの低減やパネルの厚みの低減などの面でオンセルタイプのタッチパネルよりも有利である。

特許文献１には、位置指示ペンの検出回路が表示装置に内蔵された電磁誘導方式の座標入力装置に関する技術が記載されている。しかし、特許文献１に記載の座標入力装置では、ペンの内部で電磁波を発生させるため、ペンに電池が必要となりペンが大型化する場合があった。

そこで、本発明者らは、表示装置と一体化した電磁誘導方式の入力検出装置であって、表示装置内で磁界を発生させる入力検出装置の実現について検討したが、表示装置内で磁界を発生させる際にノイズが発生する場合があった。

また、ペンと指の両方を検出したい場合、電磁誘導方式のタッチパネルにさらに静電容量方式のタッチパネルを重ねる必要があり、タッチパネルの厚みや重量が増加したり、製造コストが増加するという問題があった。

本発明の目的は、表示装置と、電磁誘導方式のタッチパネルと静電容量方式のタッチパネルとを一体化した入力検出装置であって、電磁誘導方式のタッチ検出動作におけるノイズを低減することができる入力検出装置を提供することにある。

本発明の一態様に係わる入力検出装置は、複数の駆動電極と、複数の駆動電極に第１電圧を供給する第１配線と、複数の駆動電極に第１電圧と異なる第２電圧を供給する第２配線と、を備える。そして、複数の駆動電極に第１電圧および第２電圧を供給することにより発生する磁界により電磁誘導方式の入力検出を行い、前記第１配線および前記第２配線を流れる第１電圧および第２電圧の両方が直流電圧である。

（Ａ）および（Ｂ）は、表示装置の構成を示す平面図および断面図である。 （Ａ）〜（Ｃ）は、磁界検出の原理を示す説明図である。 （Ａ）〜（Ｃ）は、電界検出の原理を示す説明図である。 実施の形態１に係わる表示装置の構成を示すブロック図である。 実施の形態１に係わるモジュールの構成を示す平面図である。 実施の形態１に係わる電磁誘導方式による磁界タッチ検出の単位磁界発生期間を説明する説明図である。 実施の形態１に係わる電磁誘導方式による磁界タッチ検出の磁界発生休止期間を説明する説明図である。 実施の形態１に係わる電磁誘導方式による磁界タッチ検出を説明する波形図である。 実施の形態１に係わる電磁誘導方式による磁界タッチ検出における近端と遠端との波形差を説明する波形図である。 実施の形態１に対する比較例に係わる電磁誘導方式による磁界タッチ検出の単位磁界発生期間を説明する説明図である。 実施の形態１に対する比較例に係わる電磁誘導方式による磁界タッチ検出を説明する波形図である。 実施の形態１に対する比較例に係わる電磁誘導方式による磁界タッチ検出における近端と遠端との波形差を説明する波形図である。 実施の形態１に係わる第１スキャナ回路対、第２スキャナ回路対、第１選択駆動回路および第２選択駆動回路の構成を示すブロック図である。 （Ａ）および（Ｂ）は、実施の形態１に係わる第１スキャナ回路および第２スキャナ回路の構成を概略的に示すブロック図である。 （Ａ）および（Ｂ）は、実施の形態１に係わる第３スキャナ回路および第４スキャナ回路の構成を概略的に示すブロック図である。 （Ａ）および（Ｂ）は、実施の形態１に係わる第１選択駆動回路および第２選択駆動回路の構成を示す回路図である。 実施の形態１に係わる磁界タッチ検出の全体動作を説明する波形図である。 実施の形態１に係わる磁界タッチ検出の全体動作を説明する波形図である。 実施の形態１に係わる電界タッチ検出の動作を説明するブロック図である。 実施の形態１に係わる電界タッチ検出の動作を説明する波形図である。 実施の形態１に係わる電界タッチ検出の動作を説明する波形図である。 実施の形態２に係わる第１スキャナ回路対、第２スキャナ回路対、第１選択駆動回路および第２選択駆動回路の構成を示すブロック図である。 実施の形態２に係わる第２選択駆動回路の構成を示す回路図である。 実施の形態２に係わる磁界タッチ検出の全体動作を説明する波形図である。 実施の形態２に係わる磁界タッチ検出の全体動作を説明する波形図である。 実施の形態２に係わる電界タッチ検出の動作を説明するブロック図である。 実施の形態２に係わる電界タッチ検出の動作を説明する波形図である。 実施の形態２に係わる電界タッチ検出の動作を説明する波形図である。 実施の形態１および２に係わる電子装置を示す斜視図である。

以下、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまでも一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。

また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。以下の説明は、入力検出装置として、タッチ検出機能付き液晶表示装置を例として述べるが、これに限定されるものではない。例えば、入力検出装置は、タッチ検出機能付きＯＬＥＤ表示装置でもよいし、表示機能を有していないタッチパネル等であってもよい。

（実施の形態１）
実施の形態１では、ペンによるタッチと指によるタッチの両方を検出することが可能なタッチ検出機能付き液晶表示装置（以下、表示装置とも称する）が提供される。実施の形態１に係わる表示装置は、タッチ検出機能を有する入力検出装置を表示装置と一体化した、いわゆるインセルタイプの表示装置である。先ず、表示装置の基本的な構成を説明し、次に、この基本的な構成を基にして、ペンによるタッチを検出する磁界検出（以下、磁界タッチ検出、電磁誘導方式による磁界タッチ検出とも称する）および指によるタッチを検出する電界検出（以下、電界タッチ検出、静電容量方式による電界タッチ検出とも称する）の原理を説明する。

＜表示装置の基本的な構成＞
図１は、表示装置の構成を模式的に示す図である。図１において、１は、表示装置を示しており、図１（Ａ）は、表示装置１の平面を示す平面図であり、図１（Ｂ）は、表示装置１の断面を示す断面図である。表示装置１は、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）ガラス基板（以下、絶縁性第１基板または単に第１基板とも称する）ＴＧＢと、第１基板ＴＧＢに積層されたレイヤ（層）、カラーフィルタＣＦＴ、ＣＦ（Ｃｏｌｏｒ Ｆｉｌｔｅｒ）ガラス基板（以下、絶縁性第２基板または単に第２基板とも称する）ＣＧＢおよび第２基板ＣＧＢに積層されたレイヤ（層）を備えている。

図１（Ａ）において、ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）は、第１基板ＴＧＢの第１主面ＴＳＦ１に形成されたレイヤによって構成された駆動電極を示している。また、ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）は、第２基板ＣＧＢの第１主面ＣＳＦ１に形成されたレイヤによって構成された検出電極を示している。理解を容易にするために、図１（Ａ）では、第１基板ＴＧＢと第２基板ＣＧＢとが分離して、描かれているが、実際には、図１（Ｂ）に示すように、液晶層を挟んで、第１基板ＴＧＢの第１主面ＴＳＦ１と第２基板ＣＧＢの第２主面ＣＳＦ２とが対向するように配置されている。

第１基板ＴＧＢの第１主面ＴＳＦ１と、第２基板ＣＧＢの第２主面ＣＳＦ２との間には、複数のレイヤと、液晶層等が挟まれているが、図１（Ｂ）では、第１主面ＴＳＦ１と第２主面ＣＳＦ２との間に挟まれた駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｎ＋２）、液晶層およびカラーフィルタＣＦＴのみが示されている。また、第２基板ＣＧＢの第１主面ＣＳＦ１には、図１（Ａ）に示すように複数の検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）と偏光板が配置されている。また、図１（Ｂ）において、１３は検出電極ＲＬ（ｎ）に接続された単位検出回路を示している。

本明細書では、表示装置１を、図１（Ｂ）に示すように、第２基板ＣＧＢおよび第１基板ＴＧＢの第１主面ＣＳＦ１、ＴＳＦ１側から見たときの状態を、平面視として説明する。第１主面ＣＳＦ１およびＴＳＦ１側から、平面視で見たとき、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）は、第１基板ＴＧＢの第１主面ＴＳＦ１において、図１（Ａ）に示すように、行方向（横方向）に延在し、列方向（縦方向）に平行に配置されている。また、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）は、第２基板ＣＧＢの第１主面ＣＳＦ１において、図１（Ａ）に示すように、列方向（縦方向）に延在し、行方向（横方向）に平行に配置されている。

駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）と検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）の間には、第２基板ＣＧＢ、液晶層等が介在している。そのため、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）と検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）は、平面視で見たときには、交差しているが、互いに電気的に分離されている。駆動電極と検出電極との間には、容量が存在するため、図１（Ｂ）では、この容量が容量素子として破線で示されている。

駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）と検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）とは、平面視で見たとき、直交していることが望ましいが、平面視で見たときに、駆動電極と検出電極とは傾きを持って交差していてもよい。そのため、以下の説明で用いる「直交」は「交差」も含むものと理解されるべきである。

＜磁界検出の原理＞
図２は、磁界検出の原理を示す説明図である。磁界検出の期間は、磁界を発生する磁界発生期間と磁界を検出する磁界検出期間とによって構成される。図２（Ａ）および（Ｃ）は、磁界発生期間のときの動作を示しており、図２（Ｂ）は、磁界検出期間のときの動作を示している。説明の都合上、図２（Ａ）〜（Ｃ）は、図１（Ａ）を９０度回転させた状態が示されている。

磁界発生期間においては、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）のうち、所定の駆動電極間の端部が、電気的に接続され、端部が接続された駆動電極に、所定の電圧（例えば接地電圧Ｖｓ）と磁界駆動信号が供給される。例えば、図１に示した駆動電極ＴＬ（０）およびＴＬ（２）のそれぞれの端部のうち、他方の端部が、図１の右側において電気的に接続される。これにより、互いに平行に配置されている駆動電極ＴＬ（０）およびＴＬ（２）が、直列的に接続される。駆動電極ＴＬ（０）の一方の端部に、図１の左側において、接地電圧Ｖｓを供給し、駆動電極ＴＬ（２）の一方の端部に、図１の左側において、磁界駆動信号を供給する。ここで、磁界駆動信号は、その電圧が周期的に変化する信号である。駆動電極ＴＬ（０）およびＴＬ（２）によって、この駆動電極により挟まれた領域（形成された領域）を内側とした磁界発生コイルが構成され、この磁界発生コイルは、磁界駆動信号の電圧の変化に応じた磁界を、その内側で発生する。

図２（Ａ）において、ＧＸ（ｎ−１）は、駆動電極ＴＬ（０）、ＴＬ（２）によって構成された磁界発生コイルを示し、ＧＸ（ｎ）〜ＧＸ（ｎ＋４）のそれぞれは、磁界発生コイルＧＸ（ｎ−１）と同様に、駆動電極ＴＬ（１）、ＴＬ（３）〜ＴＬ（ｐ）によって構成された磁界発生コイルを示している。

図２（Ａ）において、ＣおよびＬ１は、ペンＰｅｎに内蔵されている容量素子およびコイルを示している。容量素子ＣとコイルＬ１は、共振回路を構成するように、並列接続されている。磁界発生期間において、磁界発生コイルＧＸ（ｎ−１）〜ＧＸ（ｎ＋３）のそれぞれの一方の端部には、接地電圧Ｖｓが供給される。磁界駆動信号ＣＬＫが、磁界発生コイルＧＸ（ｎ）の他方の端部に供給される。これにより、磁界発生コイルＧＸ（ｎ）が、磁界駆動信号ＣＬＫの電圧変化に応じた磁界φ１を発生する。ペンＰｅｎが、磁界発生コイルＧＸ（ｎ）に近接していれば、磁界発生コイルＧＸ（ｎ）とコイルＬ１との間は電磁結合され、磁界φ１によってコイルＬ１に相互誘導による誘起電圧が発生し、容量素子Ｃが充電される。

次に、図２（Ｂ）に示す磁界検出期間に移行する。磁界検出期間においては、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）を用いて、磁界の検出が行われる。検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）は一対の端部を有している。検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）のうち、所定の検出電極間の他方の端部が、互いに電気的に接続される。例えば、図１に示した検出電極ＲＬ（０）とＲＬ（３）のそれぞれの他方の端部が、図１の上側において電気的に接続される。これにより、平行に配置された検出電極ＲＬ（０）、ＲＬ（３）が直列的に接続される。磁界検出期間においては、検出電極ＲＬ（３）の一方の端部に所定の電圧Ｖｓが供給され、検出電極ＲＬ（０）の一方の端部が、単位検出回路に接続される。これにより、検出電極ＲＬ（０）とＲＬ（３）とによって挟まれた領域（形成された領域）を内側とした磁界検出コイルが形成され、この磁界検出コイルによって、ペンＰｅｎからの磁界の検出が行われる。

図２（Ｂ）において、ＤＹ（ｎ−２）は、検出電極ＲＬ（０）、ＲＬ（３）によって構成された磁界検出コイルを示しており、ＤＹ（ｎ−１）〜ＤＹ（ｎ＋１）は、同様に検出電極ＲＬ（２）〜ＲＬ（ｐ）によって構成された磁界検出コイルを示している。磁界検出期間のとき、磁界検出コイルＤＹ（ｎ−１）〜ＤＹ（ｎ＋１）のそれぞれの一方の端部に、所定の電圧Ｖｓが供給され、それぞれの他方の端部における信号Ｒｘ（ｎ−２）〜Ｒｘ（ｎ＋１）が、単位検出回路に供給される。

磁界発生期間において、容量素子Ｃに充電が行われていれば、磁界検出期間のとき、コイルＬ１は、容量素子Ｃに充電されている電荷に従って、共振回路の共振周波数に応じて変化する磁界φ２を発生する。図２（Ｂ）では、磁界検出コイルＤＹ（ｎ）の内側に、コイルＬ１の中心（一点鎖線）が存在している。そのため、磁界検出コイルＤＹ（ｎ）とコイルＬ１との間で電磁結合が発生し、相互誘導によって、磁界検出コイルＤＹ（ｎ）に誘起電圧が発生する。その結果、磁界検出コイルＤＹ（ｎ）の他方の端部における信号Ｒｘ（ｎ）は、容量素子Ｃに充電されている電荷量に応じて変化することになる。磁界検出コイルＤＹ（ｎ）に接続された単位検出回路は、この信号Ｒｘ（ｎ）の変化を検出信号として出力する。これにより、ペンＰｅｎが近接（タッチ）しているか否か、および座標を抽出することが可能となる。また、電荷量に応じて検出信号が変化するため、ペンＰｅｎとの距離を求めることが可能となる。

図２（Ｃ）は、図２（Ｂ）に続いて移行した磁界発生期間を示している。図２（Ａ）と異なるのは、磁界発生コイルＧＸ（ｎ＋１）に磁界駆動信号ＣＬＫが供給されていることである。ペンＰｅｎの位置は変化していないため、図２（Ｃ）に示した磁界発生期間においては、コイルＬ１に誘起電圧が発生せず、容量素子Ｃは充電されない。これにより、図２（Ｃ）に続いて移行する磁界検出期間においては、ペンＰｅｎが近接していないと検出される。以降、同様にして、ペンＰｅｎの検出が行われる。

＜電界検出の原理＞
図３は、電界検出の原理を示す説明図である。図３（Ａ）において、１２−０〜１２−ｐのそれぞれは、電界駆動信号を出力する単位駆動回路を示し、１３−０〜１３−ｐのそれぞれは、単位検出回路を示している。また、図３（Ａ）において、実線の○で囲んだパルス信号は、駆動電極ＴＬ（２）へ供給される電界駆動信号Ｔｘ（２）の波形を示している。外部物体として、指がＦＧとして示されている。

駆動電極ＴＬ（２）に、電界駆動信号Ｔｘ（２）が供給されると、図３（Ｂ）に示すように、駆動電極ＴＬ（２）と、この駆動電極ＴＬ（２）と直交する検出電極ＲＬ（ｎ）との間で電界が発生する。このとき、指ＦＧが、駆動電極ＴＬ（２）の近傍をタッチしていると、指ＦＧと駆動電極ＴＬ（２）との間でも電界が発生し、駆動電極ＴＬ（２）と検出電極ＲＬ（ｎ）との間で発生している電界が減少する。これにより、駆動電極ＴＬ（２）と検出電極ＲＬ（ｎ）との間の電荷量が減少する。その結果、図３（Ｃ）に示すように、駆動信号Ｔｘ（２）の供給に応答して生じる電荷量は、指ＦＧがタッチしているときは、タッチしていないときに比べてΔＱだけ減少する。電荷量の差は、電圧の差として表れ、単位検出回路１３−ｎに供給され、検出信号として出力される。

他の駆動電極についても、同様にして、電界駆動信号を供給することにより、指ＦＧがタッチしているか否かに応じた信号の電圧変化が、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）に生じ、検出信号として出力されることになる。これにより、指ＦＧがタッチしているか否か、および座標を抽出することが可能となる。

上記したように、磁界検出の際には、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）のうち、選択された駆動電極に磁界駆動信号が供給され、電界検出の際には、選択された駆動電極に電界駆動信号が供給される。一方、表示の際には、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）に、表示駆動信号が供給される。表示駆動信号によって、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）のそれぞれは、同じ電圧とされるため、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）は、１個の共通電極と見なすことができる。

＜表示装置の全体構成＞
図４は、実施の形態１に係わる表示装置１の構成を示すブロック図である。図４において、表示装置１は、表示パネル（液晶パネル）、制御装置３、ゲートドライバ４（第１ゲートドライバ４Ｌ、第２ゲートドライバ４Ｒ）およびタッチ制御装置５を備えている。また、表示装置１は、第１スキャナ回路対ＳＣＬ、第２スキャナ回路対ＳＣＲ、第１選択駆動回路ＳＤＬ、第２選択駆動回路ＳＤＲおよび検出回路ＤＥＴを備えている。表示パネルは、表示を行う表示領域とその周辺の額縁領域とを備えている。表示と言う観点で見た場合、表示領域はアクティブ領域であり、表示領域を包囲する額縁領域は非アクティブ領域である。図４では、２が、表示領域である。

表示領域２は、複数の画素が行列状に配置された画素配列を有している。画素配列には、複数の信号線、複数の駆動電極、複数の走査線および複数の検出電極が配置されている。図４を参照して述べると、画素配列において、信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）は、縦方向（列方向）に延在し、横方向（行方向）に平行に配置されている。また、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）は、横方向に延在し、縦方向に平行に配置されている。さらに、走査線は、横方向に延在し、縦方向に平行に配置され、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）は、縦方向に延在し、横方向に平行に配置されている。この場合、画素は、かかる複数の信号線と複数の走査線とが交差することにより形成される空間に配置されている。表示の期間（表示期間）においては、信号線と走査線により、画素が選択され、選択された画素には、そのときの信号線の電圧と、駆動電極の電圧が印加され、信号線と駆動電極との間の電圧差に従った表示が行われる。

制御装置３は、外部端子Ｔｔに供給されるタイミング信号と入力端子Ｔｉに供給される画像情報とを受け、表示期間のとき、画像情報に従った画像信号を形成し、複数の信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）に供給する。また、制御装置３は、外部端子Ｔｔに供給されるタイミング信号とタッチ制御装置５からの制御信号ＳＷとを受け、種々の信号を形成する。図４には、制御装置３により形成される信号のうち、説明に必要な信号のみが、代表として描かれている。すなわち、制御装置３は、同期信号ＴＳＨＤ、駆動信号ＴＰＨ、ＴＰＬ、制御信号ＣＯＭＦＬ、検出タイミング信号ＴＰＳＥＬ、状態選択信号ＶＳＥＬ１、ＶＳＥＬ２を形成する。また、制御装置３は、シフトクロック信号ＣＫ−ＡＲ、ＣＫ−ＢＲ、ＣＫ−ＡＬ、ＣＫ−ＢＬおよびスタート信号ＳＴ−ＡＲ、ＳＴ−ＢＲ、ＳＴ−ＡＬ、ＳＴ−ＢＬを形成する。

特に制限されないが、この実施の形態１において、制御装置３は、離間量レジスタＳ−ＲＥＧを備えている。この離間量レジスタＳ−ＲＥＧに格納された情報に基づいて、制御装置３は、スタート信号ＳＴ−ＡＲ、ＳＴ−ＢＲ、ＳＴ−ＡＬ、ＳＴ−ＢＬおよびシフトクロック信号を形成する。

同期信号ＴＳＨＤは、表示領域２において表示を行う表示期間とタッチ検出を行うタッチ検出期間とを識別する同期信号である。制御装置３は、この同期信号ＴＳＨＤによって、タッチ制御装置５が、タッチ検出期間の際に動作するように制御する。

ゲートドライバ４は、表示のとき、制御装置３からのタイミング信号に従って走査線信号Ｖｓ０〜Ｖｓｐを形成し、表示領域２内の走査線に供給する。表示期間においては、ハイレベルの走査線信号が供給されている走査線に接続されている画素が選択され、選択された画素は、そのとき信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）に供給されている画像信号に従った表示を行う。

検出回路ＤＥＴは、磁界タッチ検出および電界タッチ検出の際に、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）における信号の変化を検出し、検出信号Ｒｘ（０）〜Ｒｘ（ｐ）として出力する。

タッチ制御装置５は、検出信号Ｒｘ（０）〜Ｒｘ（ｐ）を受け、タッチされた位置の座標を抽出し、外部端子Ｔｏから出力する。また、タッチ制御装置５は、制御信号ＳＷを出力するとともに、同期信号ＴＳＨＤを受け、制御装置３に同期して動作する。

表示領域２は、画素配列の行に平行した辺２−Ｕ、２−Ｄと、画素配列の列に平行した辺２−Ｒ、２−Ｌを有している。ここで、辺２−Ｕと辺２−Ｄは、互いに対向した辺であり、この２辺の間に、画素配列における複数の駆動電極と複数の走査線が配置されている。また、辺２−Ｒと辺２−Ｌも、互いに対向した辺であり、この２辺の間に、画素配列における複数の信号線と複数の検出電極が配置されている。

第１スキャナ回路対ＳＣＬおよび第１選択駆動回路ＳＤＬは、表示領域２の辺２−Ｌに沿って、複数の駆動電極の第１端に近接するように配置されており、第１選択駆動回路ＳＤＬは、辺２−Ｌにおいて、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）のそれぞれの第１端に接続されている。同様に、第２スキャナ回路対ＳＣＲおよび第２選択駆動回路ＳＤＲは、表示領域２の辺２−Ｒに沿って、複数の駆動電極の第２端に近接するように配置されており、第２選択駆動回路ＳＤＲは、辺２−Ｒにおいて、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）のそれぞれの第２端に接続されている。

第１スキャナ回路対ＳＣＬは、一対の第１スキャナ回路ＳＣＡＬおよび第２スキャナ回路ＳＣＢＬを有し、第１選択駆動回路ＳＤＬは、選択回路ＳＥＬＬと駆動回路ＤＲＶＬを有している。同様に、第２スキャナ回路対ＳＣＲは、一対の第３スキャナ回路ＳＣＡＲおよび第４スキャナ回路ＳＣＢＲを有し、第２選択駆動回路ＳＤＲは、選択回路ＳＥＬＲと駆動回路ＤＲＶＲを有している。

第１スキャナ回路対ＳＣＬ、第２スキャナ回路対ＳＣＲ、第１選択駆動回路ＳＤＬおよび第２選択駆動回路ＳＤＲは、磁界タッチ検出のとき、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）から、所望の駆動電極を選択し、選択した駆動電極に磁界駆動信号と接地電圧とを供給し、電界タッチ検出のときにも、所望の駆動電極を選択し、選択した駆動電極に電界駆動信号を供給する。そのため、磁界タッチ検出および電界タッチ検出の際には、第１スキャナ回路対ＳＣＬ、第２スキャナ回路対ＳＣＲ、第１選択駆動回路ＳＤＬおよび第２選択駆動回路ＳＤＲによって、駆動電極を駆動する駆動回路が構成されていると見なすことができる。

第１スキャナ回路対ＳＣＬ、第２スキャナ回路対ＳＣＲ、第１選択駆動回路ＳＤＬおよび第２選択駆動回路ＳＤＲについては、後で図を用いて詳しく説明するので、ここでは、これ以上、説明しない。

＜表示装置のモジュール構成＞
図５は、表示装置１を実装したモジュール５００の全体構成を示す模式的な平面図である。模式的ではあるが、図５は、実際の配置に合わせて描かれている。同図において、５０１は、図１で示した第１基板ＴＧＢの領域を示し、５０２は、第１基板ＴＧＢと第２基板ＣＧＢとが積層された領域を示している。モジュール５００において、第１基板ＴＧＢは、領域５０１と５０２において一体となっている。また、領域５０２では、第１基板ＴＧＢの第１主面ＴＳＦ１と第２基板ＣＧＢの第２主面ＣＳＦ２とが対向するように、第１基板ＴＧＢに第２基板ＣＧＢが搭載されている。また、図５において、５００−Ｕ、５００−Ｄは、モジュール５００の短辺を示しており、５００−Ｌ、５００−Ｒは、モジュール５００の長辺を示している。

領域５０２であって、表示領域２の辺２−Ｌとモジュール５００の辺５００−Ｌとの間の額縁領域には、図４で示した第１ゲートドライバ４Ｌ、第１スキャナ回路対ＳＣＬおよび第１選択駆動回路ＳＤＬが配置されている。表示領域２の辺２−Ｒとモジュール５００の辺５００−Ｒとの間の額縁領域には、図４で示した第２ゲートドライバ４Ｒ、第２スキャナ回路対ＳＣＲおよび第２選択駆動回路ＳＤＲが配置されている。表示領域２の辺２−Ｄとモジュール５００の辺５００−Ｄとの間の額縁領域には、図４で示した検出回路ＤＥＴおよび制御装置３が配置されている。検出回路ＤＥＴは、領域５０１の第１基板ＴＧＢの第１主面ＴＳＦ１に形成された配線および部品により構成されている。平面視で見たとき、検出回路ＤＥＴを覆うように、制御装置３が、第１基板ＴＧＢに実装されている。また、第１スキャナ回路対ＳＣＬ、第２スキャナ回路対ＳＣＲ、第１選択駆動回路ＳＤＬおよび第２選択駆動回路ＳＤＲを構成する配線および部品も、領域５０２における第１基板ＴＧＢの第１主面ＴＳＦ１に形成されている。

図４において説明した検出信号Ｒｘ（０）〜Ｒｘ（ｐ）は、フレキシブルケーブルＦＢ１内の配線を介して、タッチ制御装置５に供給される。領域５０１には、フレキシブルケーブルＦＢ２が接続されており、このフレキシブルケーブルＦＢ２に設けられたコネクタＣＮを介して、タッチ制御装置５と制御装置３との間で信号の送受信が行われる。

表示領域２には、既に述べたように、複数の画素が行列状に配列された画素配列を有しており、画素配列の行に沿って配置された複数の駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）および走査線と、配列の列に沿って配置された複数の信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）と複数の検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）とを備えている。図５には、例として、２個の駆動電極ＴＬ（ｎ）、ＴＬ（ｍ）と２個の信号線ＳＬ（ｋ）、ＳＬ（ｎ）と３個の検出電極ＲＬ（ｎ−２）〜ＲＬ（ｎ）が示されている。なお、図５では、走査線は、省略されているが、走査線は、例示した駆動電極ＴＬ（ｎ）、ＴＬ（ｍ）と平行して、延在している。

また、図５には、画素配列が、破線ＰＤＭとして示されており、画素配列ＰＤＭに配置されている複数の画素のうち、表示領域２の４個の角に配置されている画素と、例示した駆動電極および信号線との交差部に配置された画素が、Ｐｉｘとして示されている。

＜電磁誘導方式の入力検出装置をインセル化する場合＞
図６〜図１２は、電磁誘導方式の入力検出装置をインセル化した表示装置で磁界を発生する場合を説明するための説明図である。電磁誘導方式の入力検出装置をインセル化した表示装置では、図４、図５に示した駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）及び駆動電極の駆動回路を用いて磁界を発生させる。このうち、図６〜図９は、実施の形態１に係わる説明図であり、図１０〜図１２は、実施の形態１に対する比較例の説明図である。図６、図７および図１０では、図面が複雑になるのを避けるために、表示領域２に配置されている駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）のうち、駆動電極ＴＬ（ｎ）〜ＴＬ（ｎ＋５）に対応する第１ゲートドライバ４Ｌ、第２ゲートドライバ４Ｒ、第１スキャナ回路対ＳＣＬ、第２スキャナ回路対ＳＣＲ、第１選択駆動回路ＳＤＬおよび第２選択駆動回路ＳＤＲの部分のみが示されている。

第１ゲートドライバ４Ｌ、第２ゲートドライバ４Ｒ、第１スキャナ回路対ＳＣＬ、第２スキャナ回路対ＳＣＲ、第１選択駆動回路ＳＤＬおよび第２選択駆動回路ＳＤＲは、図５で示したように額縁領域に配置されている。第１ゲートドライバ４Ｌ、第１スキャナ回路対ＳＣＬおよび第１選択駆動回路ＳＤＬが、表示領域２の辺２−Ｌとモジュール５００の辺５００−Ｌとの間の額縁領域において、表示領域２の辺２−Ｌに沿って配置されている。第１スキャナ回路対ＳＣＬは、第１スキャナ回路ＳＣＡＬおよび第２スキャナ回路ＳＣＢＬを有する。第１選択駆動回路ＳＤＬは、単位駆動回路ＵＳＬ、第１配線ＴＰＨおよび第２配線ＴＰＬを有する。第２ゲートドライバ４Ｒ、第２スキャナ回路対ＳＣＲおよび第２選択駆動回路ＳＤＲが、表示領域２の辺２−Ｒとモジュール５００の辺５００−Ｒとの間の額縁領域において、表示領域２の辺２−Ｒに沿って配置されている。第２スキャナ回路対ＳＣＲは、第３スキャナ回路ＳＣＡＲおよび第４スキャナ回路ＳＣＢＲを有する。第２選択駆動回路ＳＤＲは、単位駆動回路ＵＳＲ、第１配線ＴＰＨおよび第２配線ＴＰＬを有する。

静電容量方式では、表示装置と一体化し、電極や駆動回路を表示装置と兼用するインセルタイプのタッチパネルの量産が進んでいる。インセルタイプのタッチパネルは、コストの低減やパネルの厚みの低減などの面でオンセルタイプのタッチパネルよりも有利である。一方、電磁誘導方式では、オンセルタイプのタッチパネルが主流であり、コストが上昇し、パネルの厚みが増すという難点があった。そのため、電磁誘導方式でも、インセル化することが有効な手段である。

しかしながら、電磁誘導方式のタッチパネルをインセル化すると、表示領域の周辺の額縁領域内に図２で説明した磁界駆動信号ＣＬＫを供給する信号配線を引き回す必要があるため、その信号配線から磁界が発生し、ノイズ源となってしまうという問題があった。そこで、本発明者は、電磁誘導方式と静電容量方式とで共にインセル化する場合のノイズ低減を実現することを検討した。実施の形態１では、電磁誘導方式と静電容量方式とで共にインセル化する場合のノイズ低減が可能な入力検出装置を提供することにある。

まず、実施の形態１に係わる表示装置１の特徴を分かり易くするために、実施の形態１に対する比較例について説明する。図１０〜図１２は、実施の形態１に対する比較例に係わる表示装置の磁界発生期間の動作の説明図であり、図１０は電磁誘導方式による磁界タッチ検出の単位磁界発生期間を説明する説明図を示し、図１１は波形図を示し、図１２は近端と遠端との波形差を説明する説明図を示す。

図１１に示される比較例の表示装置では、タッチ用状態選択信号ＶＳＥＬ１（ＶＳＥＬ２）がハイレベルの磁界発生期間において、選択された駆動電極の一方の端部から、第１配線ＴＰＨに供給される、交流波形の駆動信号を入力し、他方の端部から第２配線ＴＰＬに供給される直流の所定電圧を入力して電流を流して（変化させて）磁界を発生する単位期間（単位磁界発生期間）と、電流を流さずに磁界の発生を休む期間（磁界発生休止期間）とを交互に繰り返すことになる。第１配線ＴＰＨに供給される交流波形の駆動信号ＡＣは、例えば接地電圧のような第２電圧Ｖｓとこれより高い第１電圧Ｖｄとの間で値が周期的に変化する信号（ＡＣ）である。一方、第２配線ＴＰＬに供給される駆動信号は、例えば接地電圧のような第２電圧Ｖｓである。

図１１では、駆動信号ＡＣの電圧がＶｄの時に磁界が発生し、駆動信号ＡＣの電圧がＶｓの時に磁界の発生を休むことになっている。

図１０では、図１１の単位磁界発生期間の状態を示しており、選択された第２駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）は、その第２端ｎ２から、第１配線ＴＰＨに供給される交流波形の駆動信号（ＡＣ）の電圧Ｖｄを入力し、第１端ｎ１から、第２配線ＴＰＬに供給される接地電圧Ｖｓを入力している。同時に、選択された第１駆動電極ＴＬ（ｎ＋３）は、第１端ｎ１から、第１配線ＴＰＨに供給される交流波形の駆動信号（ＡＣ）の電圧Ｖｄを入力し、第２端ｎ２から、第２配線ＴＰＬに供給される接地電圧Ｖｓを入力している。

この場合、選択された第２駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）は、第２端ｎ２から第１端ｎ１に向けて電流Ｉ１１が流れて磁界φ１１が発生し、同時に、選択された第１駆動電極ＴＬ（ｎ＋３）は、第１端ｎ１から第２端ｎ２に向けて電流Ｉ１２が流れて磁界φ１２が発生する。選択された第１駆動電極ＴＬ（ｎ＋３）と第２駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）とに挟まれた非選択の駆動電極ＴＬ（ｎ＋２）の領域には、これらの磁界φ１１、φ１２が重畳されることになる。

図１０に示すような比較例の場合に第１配線ＴＰＨには、（１）ゲートドライバ４Ｌ、４Ｒに接続される走査線とのクロス容量（走査線本数分）、（２）スキャナ回路対ＳＣＬ、ＳＣＲに接続されるスイッチ制御線とのクロス容量（駆動電極段数×２本分）、（３）並走するスキャナ回路対ＳＣＬ、ＳＣＲに使われている電源などの配線との隣接容量、（４）配線抵抗、といった負荷が形成される。なお、図１０では、第１配線ＴＰＨの負荷を示す（１）（２）（３）（４）を左側または右側の一方のみ記載しているが、第１配線ＴＰＨの負荷は左側および右側の両方に生じる現象である。このため、第１配線ＴＰＨに交流波形の信号を供給するとこれらの負荷が形成された状態で交流波形の振幅を電圧Ｖｓから電圧Ｖｄまで変動する必要があるため、第１配線ＴＰＨを流れる交流波形ＡＣの周波数が低下する。この結果、検出電極ＲＬにおける検出信号の出力値の低下（パルス数の低減）によるタッチ特性の低下が発生する。

また、図１０に示すような比較例の場合に、第１配線ＴＰＨには、上記（１）（２）（３）（４）の負荷が付いているため、図１２に示すように、電圧供給源である制御装置３に近い近端と制御装置３に遠い遠端とでは波形に遅延差が生じる。

遠端の波形は、近端の波形に比べて、負荷が多い為立ち上がりが緩やかになり、また、立ち下がりも緩やかになる。その結果、電圧Ｖｄに達するまでの期間および電圧Ｖｓに戻るまでの期間が近端よりも長くなり一回の交流波形の変化に要する時間が長くなる。なお、図１０に示す第１配線ＴＰＨにおいては、近端は駆動電極ＴＬ（ｎ＋５）に対応する位置とし、遠端は駆動電極ＴＬ（ｎ）に対応する位置として示しているが、実施の形態１においては、近端は駆動電極ＴＬ（ｐ）に対応する位置となり、遠端は駆動電極ＴＬ（０）に対応する位置となる。このように、近端と遠端とで第１配線に流れる信号波形に差異が生じると、電圧差により第１配線ＴＰＨ自体にも電流が流れ、かつ電流が変化することとなる。この結果、余計な磁界が発生し、ノイズ源となる。

そこで、実施の形態１においては、図６〜図９に示すような工夫を施している。図６〜図９は、実施の形態１に係わる表示装置１の磁界発生期間における動作の説明図であり、図６は電磁誘導方式による磁界タッチ検出の単位磁界発生期間を説明する説明図を示し、図７は電磁誘導方式による磁界タッチ検出の磁界発生休止期間を説明する説明図を示し、図８は波形図を示し、図９は近端と遠端との波形差を説明する説明図を示す。

実施の形態１においては、図８に示すように、第１配線ＴＰＨに供給する駆動信号は、直流電圧とする。この直流電圧の駆動信号は、例えば接地電圧のような第２電圧Ｖｓより高い第１電圧Ｖｄの信号（ＤＣ）である。すなわち、実施の形態１において、第１配線ＴＰＨは、駆動電極に第１電圧Ｖｄを供給し、第２配線ＴＰＬは、駆動電極に第２電圧Ｖｓを供給する。第１電圧Ｖｄおよび第２電圧Ｖｓの両方が直流電圧である。合わせて、実施の形態１では磁界発生期間においてタッチ用状態選択信号ＶＳＥＬ１（ＶＳＥＬ２）を所定の周期で複数回変化させ、この周期に同期して、第１配線ＴＰＨと第２配線ＴＰＬとを交互に選択して、第１配線ＴＰＨの第１電圧Ｖｄと第２配線ＴＰＬの第２電圧Ｖｓとを交互に切り替えることで交流信号を駆動電極の一方の端部に供給する。また、磁界発生期間の間、他方の端部には第２配線ＴＰＬから第２電圧Ｖｓを供給する。この場合に、タッチ用状態選択信号ＶＳＥＬ１（ＶＳＥＬ２）は、単位磁界発生期間ではハイレベルであり、磁界発生休止期間ではロウレベルである。

この時、駆動電極に供給される交流信号が図２の磁界駆動信号に相当し、タッチ用状態選択信号ＶＳＥＬ１（ＶＳＥＬ２）の周波数が磁界駆動信号の周波数に相当する。

実施の形態１において、単位磁界発生期間を示す図６では、選択された第２駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）は、その第２端ｎ２から、第１配線ＴＰＨに供給される第１電圧Ｖｄが供給され、第１端ｎ１から、第２配線ＴＰＬに供給される第２電圧Ｖｓが供給されている。同時に、選択された第１駆動電極ＴＬ（ｎ＋３）は、第１端ｎ１から、第１配線ＴＰＨに供給される第１電圧Ｖｄが供給され、第２端ｎ２から、第２配線ＴＰＬに供給される第２電圧Ｖｓが供給されている。図６では、第１配線ＴＰＨに供給された第１電圧Ｖｄが、＋で示されており、第２配線ＴＰＬに供給された第２電圧Ｖｓが、０で示されている。

この場合、選択された第２駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）は、その第２端ｎ２から第１端ｎ１に向けて電圧差によって電流Ｉ１１が流れて磁界φ１１が発生し、同時に、選択された第１駆動電極ＴＬ（ｎ＋３）は、第１端ｎ１から第２端ｎ２に向けて電圧差によって電流Ｉ１２が流れて磁界φ１２が発生する。第２駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）と第１駆動電極ＴＬ（ｎ＋３）とに挟まれた非選択の駆動電極ＴＬ（ｎ＋２）の領域には、これらの磁界が重畳されることになる。

実施の形態１において、磁界発生休止期間を示す図７では、選択された駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）およびＴＬ（ｎ＋３）は、その一対の第１端ｎ１および第２端ｎ２から、第２配線ＴＰＬに供給される第２電圧Ｖｓが供給されている。この場合、選択された駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）およびＴＬ（ｎ＋３）は、第１端ｎ１と第２端ｎ２との間で電圧差がなく、電流が流れず磁界が発生することはない。

すなわち、この実施の形態では、磁界発生期間において、第１駆動電極ＴＬ（ｎ＋３）の第１端ｎ１と第２駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）の第２端ｎ２に第１電圧Ｖｄと第２電圧Ｖｓが交互に供給され、第１駆動電極ＴＬ（ｎ＋３）の第２端ｎ２と第２駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）の第１端ｎ１には第２電圧Ｖｓが継続的に供給されている。

図６および図７に示すような実施の形態１の場合に、第１配線ＴＰＨに供給される駆動信号が直流電圧の第１電圧Ｖｄであると、図１０に示すような比較例の場合の（１）（２）（３）（４）の負荷の影響を著しく低減させることができる。実施の形態１においては、図９に示すように、状態選択信号ＶＳＥＬ１（ＶＳＥＬ２）の切り替わり時点で、第１配線ＴＰＨおよび第２配線ＴＰＬの波形は一瞬歪む場合があるが、第１配線ＴＰＨに供給される電圧が直流電圧の場合は制御装置３内の電圧供給源から即座に電荷供給されるため、歪は非常に小さく抑えられる。

この結果、駆動電極ＴＬに供給される磁界駆動信号の速度（周波数）の低下が著しく低減され、磁界タッチ検出の検出速度を向上させることができる。

また、実施の形態１においては、図９に示すように、第１配線ＴＰＨと第２配線ＴＰＬとの両方において、近端と遠端との波形差が生じづらい。この結果、余計な磁界が発生しづらくなり、ノイズを低減することができる。

＜第１スキャナ回路対、第２スキャナ回路対、第１選択駆動回路および第２選択駆動回路の構成＞
実施の形態１に係る表示装置１においては、第１スキャナ回路対、第２スキャナ回路対、第１選択駆動回路および第２選択駆動回路を介して駆動電極に第１電圧及び第２電圧を供給している。これらの構成について以下に説明する。

図１３は、実施の形態１に係わる第１スキャナ回路対ＳＣＬ、第２スキャナ回路対ＳＣＲ、第１選択駆動回路ＳＤＬおよび第２選択駆動回路ＳＤＲの構成を示すブロック図である。図１３では、図面が複雑になるのを避けるために、表示領域２に配置されている駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）のうち、駆動電極ＴＬ（ｎ）〜ＴＬ（ｎ＋５）に対応する第１スキャナ回路対ＳＣＬ、第２スキャナ回路対ＳＣＲ、第１選択駆動回路ＳＤＬおよび第２選択駆動回路ＳＤＲの部分のみが示されている。図１３に示していない駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｎ−１）およびＴＬ（ｎ＋６）〜ＴＬ（ｐ）についても、同様な構成になっている。ここでは、図１３に示した部分を、代表として説明する。

第１選択駆動回路ＳＤＬは、選択回路ＳＥＬＬと駆動回路ＤＲＶＬとを備えており、表示領域２の辺２−Ｌに沿って配置されている。駆動回路ＤＲＶＬは、駆動電極ＴＬ（ｎ）〜ＴＬ（ｎ＋５）に対応した複数の単位駆動回路ＵＳＬと、第１配線ＴＰＨおよび第２配線ＴＰＬを備えている。また、選択回路ＳＥＬＬも、駆動電極ＴＬ（ｎ）〜ＴＬ（ｎ＋５）のそれぞれに対応した単位選択回路ＳＥＬ（ｎ）〜ＳＥＬ（ｎ＋５）を備えている。また、駆動電極ＴＬ（ｎ）〜ＴＬ（ｎ＋５）のそれぞれは、一対の第１端ｎ１および第２端ｎ２を有している。

単位駆動回路ＵＳＬのそれぞれは、単位選択回路ＳＥＬ（ｎ）〜ＳＥＬ（ｎ＋５）に１対１に対応しており、第１スイッチＳ０１と第２スイッチＳ００とを備えている。第１スイッチＳ０１は、対応する駆動電極の第１端ｎ１と第１配線ＴＰＨとの間に接続され、第２スイッチＳ００は、対応する駆動電極の第１端ｎ１と第２配線ＴＰＬとの間に接続されている。第１スイッチＳ０１は、対応する単位選択回路からの第１単位選択信号によってスイッチ制御され、第２スイッチＳ００も、対応する単位選択回路からの第２単位選択信号によってスイッチ制御される。図６〜９で述べた直流の第１電圧Ｖｄが、第１配線ＴＰＨに供給され、直流の第２電圧Ｖｓが、第２配線ＴＰＬに供給される。

駆動電極ＴＬ（ｎ）を例にして述べると、単位選択回路ＳＥＬ（ｎ）と、この単位選択回路ＳＥＬ（ｎ）に接続された単位駆動回路ＵＳＬが、駆動電極ＴＬ（ｎ）に対応していることになる。駆動電極ＴＬ（ｎ）の第１端ｎ１は、単位選択回路ＳＥＬ（ｎ）からの第１単位選択信号ＳＥＬＨ＿Ｌ（ｎ）によってスイッチ制御される第１スイッチＳ０１を介して、第１配線ＴＰＨに接続されている。また、駆動電極ＴＬ（ｎ）の第１端ｎ１は、単位選択回路ＳＥＬ（ｎ）からの第２単位選択信号ＳＥＬＧ＿Ｌ（ｎ）によってスイッチ制御される第２スイッチＳ００を介して、第２配線ＴＰＬに接続されている。

すなわち、単位選択回路ＳＥＬ（ｎ）〜ＳＥＬ（ｎ＋５）を含む選択回路ＳＥＬは、単位駆動回路ＵＳＬを介して、第１配線ＴＰＨおよび第２配線ＴＰＬと、駆動電極ＴＬ（ｎ）の第１端ｎ１とを接続する。

選択回路ＳＥＬは本発明に係る第１選択回路である。

残りの駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）〜ＴＬ（ｎ＋５）のそれぞれも、その第１端ｎ１は、対応する単位選択回路ＳＥＬ（ｎ＋１）〜ＳＥＬ（ｎ＋５）からの第１単位選択信号ＳＥＬＨ＿Ｌ（ｎ＋１）〜ＳＥＬＨ＿Ｌ（ｎ＋５）によってスイッチ制御される第１スイッチＳ０１を介して、第１配線ＴＰＨに接続されている。また、それぞれの第１端ｎ１は、対応する単位選択回路ＳＥＬ（ｎ＋１）〜ＳＥＬ（ｎ＋５）からの第２単位選択信号ＳＥＬＧ＿Ｌ（ｎ＋１）〜ＳＥＬＧ＿Ｌ（ｎ＋５）によってスイッチ制御される第２スイッチＳ００を介して、第２配線ＴＰＬに接続されている。

選択回路ＳＥＬＬを構成する単位選択回路ＳＥＬ（ｎ）〜ＳＥＬ（ｎ＋５）には、第１スキャナ回路対ＳＣＬから、磁界タッチ検出および電界タッチ検出の際に、選択信号が供給される。すなわち、第１スキャナ回路対ＳＣＬを構成する一対の第１スキャナ回路ＳＣＡＬおよび第２スキャナ回路ＳＣＢＬから第１選択信号および第２選択信号が供給される。

すなわち、第１スキャナ回路ＳＣＡＬおよび第２スキャナ回路ＳＣＢＬは、駆動電極のそれぞれに対応する単位選択回路ＳＥＬ（ｎ）〜ＳＥＬ（ｎ＋５）を共有し、第１選択信号および第２選択信号を供給する。

この実施の形態１においては、第１選択信号は、正相の第１選択信号ＡＬ（ｎ）〜ＡＬ（ｎ＋５）と逆相の第１反転選択信号ＸＡＬ（ｎ）〜ＸＡＬ（ｎ＋５）によって構成されている。ここで、逆相の第１反転選択信号ＸＡＬ（ｎ）〜ＸＡＬ（ｎ＋５）は、正相の第１選択信号ＡＬ（ｎ）〜ＡＬ（ｎ＋５）を位相反転した選択信号である。同様に、第２選択信号も、正相の第２選択信号ＢＬ（ｎ）〜ＢＬ（ｎ＋５）と、位相反転により得られた逆相の第２反転選択信号ＸＢＬ（ｎ）〜ＸＢＬ（ｎ＋５）によって構成されている。

図１３では、図面が複雑になるのを避けるために、逆相の第１選択信号は、正相の第１選択信号ＡＬ（ｎ）を位相反転した第１反転選択信号ＸＡＬ（ｎ）のみが示されている。同様に、逆相の第２選択信号は、正相の第２選択信号ＢＬ（ｎ）を位相反転した第２選択信号ＸＢＬ（ｎ）のみが示されている。以後の説明では、正相の第１選択信号を、第１選択信号と称し、逆相の第１選択信号を、第１反転選択信号と称する。また、正相の第２選択信号を、第２選択信号と称し、逆相の第２選択信号を、第２反転選択信号と称する。

第１スキャナ回路ＳＣＡＬおよび第２スキャナ回路ＳＣＢＬのそれぞれは、複数のシフト段が直列接続されたシフトレジスタを有しており、それぞれのシフトレジスタには、シフトクロック信号ＣＫ−ＡＬ、ＣＫ−ＢＬおよびスタート信号ＳＴ−ＡＬ、ＳＴ−ＢＬが供給される。

図１４（Ａ）および（Ｂ）は、実施の形態１に係わる第１スキャナ回路ＳＣＡＬおよび第２スキャナ回路ＳＣＢＬの構成を概略的に示すブロック図である。図１４（Ａ）は、第１スキャナ回路ＳＣＡＬの構成を示し、図１４（Ｂ）は、第２スキャナ回路ＳＣＢＬの構成を示している。第１スキャナ回路ＳＣＡＬおよび第２スキャナ回路ＳＣＢＬのそれぞれは、特に制限されないが、表示領域２に配置された駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）のそれぞれに対応したシフト段を備えており、これらのシフト段が、直列的に接続されることによって、シフトレジスタが構成されている。図１４（Ａ）および（Ｂ）には、図１３に示した駆動電極ＴＬ（ｎ）〜ＴＬ（ｎ＋５）に対応するシフト段ＦＡＬ（ｎ）〜ＦＡＬ（ｎ＋５）、ＦＢＬ（ｎ）〜ＦＢＬ（ｎ＋５）のみが示されている。

シフト段ＦＡＬ（ｎ）〜ＦＡＬ（ｎ＋５）のそれぞれは、クロック端子ＣＫ、データ入力端子Ｄおよびデータ出力端子Ｑを備えており、クロック端子ＣＫに供給されているシフトクロック信号ＣＫ−ＡＬの変化に同期して、データ入力端子Ｄに供給されているデータ（情報）を取り込み、データ出力端子Ｑから出力する。シフト段ＦＡＬ（ｎ）のデータ出力端子Ｑは、次段のシフト段ＦＡＬ（ｎ＋１）のデータ入力端子Ｄに接続され、シフト段ＦＡＬ（ｎ＋１）のデータ出力端子Ｑは、次段のシフト段ＦＡＬ（ｎ＋２）のデータ入力端子Ｄに接続されている。以降、シフト段のデータ出力端子Ｑが、次段のシフト段のデータ入力端子Ｄに接続されることにより、シフト段が直列的に接続されている。シフト段ＦＡＬ（ｎ）〜ＦＡＬ（ｎ＋５）のそれぞれのクロック端子ＣＫには、シフトクロック信号ＣＫ−ＡＬが供給される。また、図１４（Ａ）において、初段となるシフト段ＦＡＬ（ｎ）のデータ入力端子Ｄには、スタート信号ＳＴ−ＡＬが供給される。

磁界タッチ検出および電界タッチ検出の際には、駆動電極の選択を示す選択情報が、スタート信号ＳＴ−ＡＬとして、シフト段ＦＡＬ（ｎ）に供給される。また、磁界タッチ検出および電界タッチ検出の際には、シフトクロック信号ＣＫ−ＡＬが周期的に変化する。これにより、例えばシフト段ＦＡＬ（ｎ）に選択情報であるスタート信号ＳＴ−ＡＬが取り込まれ、シフトクロック信号ＣＫ−ＡＬが変化するたびに、選択情報であるスタート信号ＳＴ−ＡＬは、シフト段ＦＡＬ（ｎ）からシフト段ＦＡＬ（ｎ＋５）へ向かって順次移動することになる。この実施の形態１においては、特に制限されないが、選択を示す選択情報は、ハイレベルである。そのため、ハイレベルが、シフト段ＦＡＬ（ｎ）からシフト段ＦＡＬ（ｎ＋５）へ向かって移動することになる。

シフト段ＦＡＬ（ｎ）〜ＦＡＬ（ｎ＋５）のデータ出力端子Ｑから出力される信号が、第１スキャナ回路ＳＣＡＬから出力される第１選択信号となる。シフト段ＦＡＬ（ｎ）〜ＦＡＬ（ｎ＋５）のそれぞれが、駆動電極ＴＬ（ｎ）〜ＴＬ（ｎ＋５）に１対１で対応しているため、シフト段ＦＡＬ（ｎ）のデータ出力端子Ｑから出力される信号が、第１選択信号ＡＬ（ｎ）および第１反転選択信号ＸＡＬ（ｎ）となる。同様に、シフト段ＦＡＬ（ｎ＋１）〜ＦＡＬ（ｎ＋５）のデータ出力端子Ｑから出力される信号が、第１選択信号ＡＬ（ｎ＋１）〜ＡＬ（ｎ＋５）および第１反転選択信号ＸＡＬ（ｎ＋１）〜ＸＡＬ（ｎ＋５）となる。そのため、磁界タッチ検出および電界タッチ検出の際には、第１選択信号ＡＬ（ｎ）からＡＬ（ｎ＋５）に向かって、第１選択信号は、順次ハイレベルとなり、第１反転選択信号は、第１反転選択信号ＸＡＬ（ｎ）からＸＡＬ（ｎ＋５）に向かって、順次ロウレベルとなる。

第１スキャナ回路ＳＣＡＬを構成するシフト段ＦＡＬ（ｎ）〜ＦＡＬ（ｎ＋５）を例にして説明したが、第２スキャナ回路ＳＣＢＬを構成するシフト段ＦＢＬ（ｎ）〜ＦＢＬ（ｎ＋５）も同様である。シフト段ＦＢＬ（ｎ）〜ＦＢＬ（ｎ＋５）には、シフトクロック信号として、ＣＫ−ＢＬが供給され、スタート信号として、ＳＴ−ＢＬが供給される。選択を示すハイレベルのスタート信号ＳＴ−ＢＬは、シフトクロック信号ＣＫ−ＢＬの変化に同期して、シフト段ＦＢＬ（ｎ）からＦＢＬ（ｎ＋５）へ向かって移動し、第２選択信号ＢＬ（ｎ）〜ＢＬ（ｎ＋５）および第２反転選択信号ＸＢＬ（ｎ）〜ＸＢＬ（ｎ＋５）として、出力される。

選択回路ＳＥＬＬを構成する単位選択回路ＳＥＬ（ｎ）〜ＳＥＬ（ｎ＋５）は、磁界タッチ検出および電界タッチ検出の際、対応する第１選択信号または対応する第２選択信号が、駆動電極の選択を示しているとき、状態選択信号ＶＳＥＬ１、ＶＳＥＬ２に従って、対応する単位駆動回路ＵＳＬ内の第１スイッチＳ０１、第２スイッチＳ００を、オン状態とするような第１単位選択信号ＳＥＬＨ＿Ｌ（ｎ）〜ＳＥＬＨ＿Ｌ（ｎ＋５）および第２単位選択信号ＳＥＬＧ＿Ｌ（ｎ）〜ＳＥＬＧ＿Ｌ（ｎ＋５）を形成する。

第１スキャナ回路対ＳＣＬおよび第１選択駆動回路ＳＤＬを例にして説明したが、第２スキャナ回路対ＳＣＲおよび第２選択駆動回路ＳＤＲも、同様になっている。そのため、第２スキャナ回路対ＳＣＲおよび第２選択駆動回路ＳＤＲについては、簡単に説明する。

図１５（Ａ）および（Ｂ）は、実施の形態１に係わる第３スキャナ回路ＳＣＡＲおよび第４スキャナ回路ＳＣＢＲの構成を概略的に示すブロック図である。第２スキャナ回路対ＳＣＲも、一対の第３スキャナ回路ＳＣＡＲおよび第４スキャナ回路ＳＣＢＲを備えており、それぞれの第３スキャナ回路ＳＣＡＲおよび第４スキャナ回路ＳＣＢＲは、図１５（Ａ）および（Ｂ）に示すように、複数のシフト段ＦＡＲ（ｎ）〜ＦＡＲ（ｎ＋５）、ＦＢＲ（ｎ）〜ＦＢＲ（ｎ＋５）を有するシフトレジスタを備えている。第３スキャナ回路ＳＣＡＲのシフトレジスタには、ハイレベルのスタート信号ＳＴ−ＡＲが供給され、シフトクロック信号ＣＫ−ＡＲの変化に同期して、順次移動する。また、第４スキャナ回路ＳＣＢＲのシフトレジスタにも、ハイレベルのスタート信号ＳＴ−ＢＲが供給され、シフトクロック信号ＣＫ−ＢＲの変化に同期して、順次移動する。ここで、ハイレベルのスタート信号ＳＴ−ＡＲ、ＳＴ−ＢＲの移動する方向は、スタート信号ＳＴ−ＡＬ、ＳＴ−ＢＬの移動する方向と同じである。また、シフトクロック信号ＣＫ−ＡＲ、ＣＫ−ＢＲは、シフトクロック信号ＣＫ−ＡＬ、ＣＫ−ＢＬと同じ周期のクロック信号である。

第３スキャナ回路ＳＣＡＲからは、第１スキャナ回路ＳＣＡＬと同様に、それぞれの駆動電極ＴＬ（ｎ）〜ＴＬ（ｎ＋５）に対応した第１選択信号ＡＲ（ｎ）〜ＡＲ（ｎ＋５）、第１反転選択信号ＸＡＲ（ｎ）〜ＸＡＲ（ｎ＋５）が出力され、第４スキャナ回路ＳＣＢＲからは、第２スキャナ回路ＳＣＢＬと同様に、それぞれの駆動電極ＴＬ（ｎ）〜ＴＬ（ｎ＋５）に対応した第２選択信号ＢＲ（ｎ）〜ＢＲ（ｎ＋５）、第２反転選択信号ＸＢＲ（ｎ）〜ＸＢＲ（ｎ＋５）が出力される。なお、図１３では、第１反転選択信号ＸＡＲ（ｎ）と第２反転選択信号ＸＢＲ（ｎ）のみが示されている。

選択回路ＳＥＬＲは、駆動電極ＴＬ（ｎ）〜ＴＬ（ｎ＋５）に対応した単位選択回路ＳＥＲ（ｎ）〜ＳＥＲ（ｎ＋５）を備えている。単位選択回路ＳＥＲ（ｎ）〜ＳＥＲ（ｎ＋５）は、対応する第１選択信号ＡＲ（ｎ）〜ＡＲ（ｎ＋５）、第１反転選択信号ＸＡＲ（ｎ）〜ＸＡＲ（ｎ＋５）、第２選択信号ＢＲ（ｎ）〜ＢＲ（ｎ＋５）、第２反転選択信号ＸＢＲ（ｎ）〜ＸＢＲ（ｎ＋５）および状態選択信号ＶＳＥＬ１、ＶＳＥＬ２を受け、第１単位選択信号ＳＥＬＨ＿Ｒ（ｎ）〜ＳＥＬＨ＿Ｒ（ｎ＋５）と第２単位選択信号ＳＥＬＧ＿Ｒ（ｎ）〜ＳＥＬＧ＿Ｒ（ｎ＋５）を形成する。

すなわち、第３スキャナ回路ＳＣＡＲおよび第４スキャナ回路ＳＣＢＲは、駆動電極のそれぞれに対応する単位選択回路ＳＥＲ（ｎ）〜ＳＥＲ（ｎ＋５）を共有し、第１選択信号および第２選択信号を供給する。

表示領域２の辺２−Ｒに沿って配置された駆動回路ＤＲＶＲは、複数の単位駆動回路ＵＳＲ、第１配線ＴＰＨおよび第２配線ＴＰＬを備えている。単位駆動回路ＵＳＲは、対応する駆動電極ＴＬ（ｎ）〜ＴＬ（ｎ＋５）のそれぞれの第２端ｎ２と第１配線ＴＰＨとの間に接続された第１スイッチＳ０１と第２端ｎ２と第２配線ＴＰＬとの間に接続された第２スイッチＳ００とを備えている。単位駆動回路ＵＳＲ内の第１スイッチＳ０１は、対応する単位選択回路ＳＥＲ（ｎ）〜ＳＥＲ（ｎ＋５）からの第１単位選択信号ＳＥＬＨ＿Ｒ（ｎ）〜ＳＥＬＨ＿Ｒ（ｎ＋５）によってスイッチ制御され、第２スイッチＳ００は、対応する単位選択回路ＳＥＲ（ｎ）〜ＳＥＲ（ｎ＋５）からの第２単位選択信号ＳＥＬＧ＿Ｒ（ｎ）〜ＳＥＬＧ＿Ｒ（ｎ＋５）によってスイッチ制御される。

単位選択回路ＳＥＲ（ｎ）〜ＳＥＲ（ｎ＋５）を含む選択回路ＳＥＲは、単位駆動回路ＵＳＲを介して、第１配線ＴＰＨおよび第２配線ＴＰＬと、駆動電極ＴＬ（ｎ）の第２端ｎ２とを接続する。

選択回路ＳＥＲは本発明に係る第２選択回路である。

選択回路ＳＥＬＬと同様に、選択回路ＳＥＬＲを構成する単位選択回路ＳＥＲ（ｎ）〜ＳＥＲ（ｎ＋５）は、磁界タッチ検出および電界タッチ検出の際、対応する第１選択信号または対応する第２選択信号が、駆動電極の選択を示しているとき、状態選択信号ＶＳＥＬ１、ＶＳＥＬ２に従って、対応する単位駆動回路ＵＳＲ内の第１スイッチＳ０１および第２スイッチＳ００を、オン状態とするような第１単位選択信号ＳＥＬＨ＿Ｒ（ｎ）〜ＳＥＬＨ＿Ｒ（ｎ＋５）および第２単位選択信号ＳＥＬＧ＿Ｒ（ｎ）〜ＳＥＬＧ＿Ｒ（ｎ＋５）を形成する。

＜第１選択駆動回路および第２選択駆動回路の構成＞
第１選択駆動回路ＳＤＬを構成する選択回路ＳＥＬＬは、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）に対応した複数の単位選択回路ＳＥＬ（０）〜ＳＥＬ（ｐ）を備えており、駆動回路ＤＲＶＬも、駆動電極に対応した複数の単位駆動回路ＵＳＬを備えている。単位選択回路ＳＥＬ（０）〜ＳＥＬ（ｐ）は、互いに同じ構成を有し、単位駆動回路ＵＳＬも互いに同じ構成を有している。同様に、第２選択駆動回路ＳＤＲを構成する選択回路ＳＥＬＲも、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）に対応し、互いに同じ構成を有する単位選択回路ＳＥＲ（０）〜ＳＥＲ（ｐ）を備えており、駆動回路ＤＲＶＲも、互いに同じ構成を有する複数の単位駆動回路ＵＳＲを備えている。

そのため、ここでは、駆動電極ＴＬ（ｎ）に対応した単位選択回路ＳＥＬ（ｎ）および単位駆動回路ＵＳＬを例にして、第１選択駆動回路ＳＤＬを説明し、駆動電極ＴＬ（ｎ）に対応した単位選択回路ＳＥＲ（ｎ）および単位駆動回路ＵＳＲを例にして、第２選択駆動回路ＳＤＲを説明する。

図１６は、実施の形態１に係わる第１選択駆動回路ＳＤＬおよび第２選択駆動回路ＳＤＲの構成を示す回路図である。ここで、図１６（Ａ）は、第１選択駆動回路ＳＤＬを構成する単位選択回路ＳＥＬ（ｎ）と単位駆動回路ＵＳＬの構成を示しており、図１６（Ｂ）は、第２選択駆動回路ＳＤＲを構成する単位選択回路ＳＥＲ（ｎ）と単位駆動回路ＵＳＲの構成を示している。

単位選択回路ＳＥＬ（ｎ）は、Ｎ型電界効果トランジスタ（以下、Ｎトランジスタとも称する）Ｎ１Ｌ〜Ｎ７Ｌと、Ｐ型電界効果トランジスタ（以下、Ｐトランジスタとも称する）Ｐ１Ｌ〜Ｐ５Ｌと、インバータ回路ＩＶ１Ｌ〜ＩＶ３Ｌを備えている。本明細書においては、Ｐトランジスタは、ゲートに○印を付して、Ｎトランジスタと区別するように描かれている。

ＮトランジスタＮ１ＬとＰトランジスタＰ１Ｌは、それぞれのソース・ドレイン経路が並列的に接続されるように、それぞれのソースとドレインが接続されている。また、ＮトランジスタＮ１Ｌのゲートには、第１選択信号ＡＬ（ｎ）が供給され、ＰトランジスタＰ１Ｌのゲートには、第１反転選択信号ＸＡＬ（ｎ）が供給されている。これにより、ＮトランジスタＮ１ＬとＰトランジスタＰ１Ｌによって、第１選択信号ＡＬ（ｎ）によりスイッチ制御される第１転送スイッチＴＰ１Ｌが構成されている。同様に、ＮトランジスタＮ２ＬとＰトランジスタＰ２Ｌによって、第１選択信号ＡＬ（ｎ）によりスイッチ制御される第２転送スイッチＴＰ２Ｌが構成されている。

第１転送スイッチＴＰ１Ｌの一方の端子には、状態選択信号ＶＳＥＬ１が供給され、第２転送スイッチＴＰ２Ｌの一方の端子には、状態選択信号ＶＳＥＬ２が供給されている。また、第１転送スイッチＴＰ１Ｌの他方の端子は、インバータ回路ＩＶ２Ｌの入力に接続されている。同様に、第２転送スイッチＴＰ２Ｌの他方の端子は、インバータ回路ＩＶ３Ｌの入力に接続されている。

ＮトランジスタＮ５Ｌは、そのソース・ドレイン経路が所定の電圧ＶＧＬＯとインバータ回路ＩＶ２Ｌの入力との間に接続され、ゲートには第２選択信号ＢＬ（ｎ）が供給されている。この所定の電圧ＶＧＬＯは、例えばロウレベルに相当する第２電圧Ｖｓである。これにより、ＮトランジスタＮ５Ｌは、第２選択信号ＢＬ（ｎ）によりスイッチ制御される。ＰトランジスタＰ５Ｌは、そのソース・ドレイン経路が所定の電圧ＶＧＨＯとインバータ回路ＩＶ３Ｌの入力との間に接続され、ゲートには第２反転選択信号ＸＢＬ（ｎ）が供給されている。この所定の電圧ＶＧＨＯは、例えばハイレベルに相当する第１電圧Ｖｄである。これにより、ＰトランジスタＰ５Ｌは、第２反転選択信号ＸＢＬ（ｎ）によりスイッチ制御される。

インバータ回路ＩＶ２Ｌの出力は、第１単位選択信号ＳＥＬＨ＿Ｌ（ｎ）として、対応する単位駆動回路ＵＳＬに供給され、インバータ回路ＩＶ３Ｌの出力は、第２単位選択信号ＳＥＬＧ＿Ｌ（ｎ）として単位駆動回路ＵＳＬに供給される。単位駆動回路ＵＳＬは、駆動電極ＴＬ（ｎ）の第１端ｎ１と第１配線ＴＰＨとの間に接続されたＰトランジスタＰ６Ｌと、駆動電極ＴＬ（ｎ）の第１端ｎ１と第２配線ＴＰＬとの間に接続されたＰトランジスタＰ７Ｌとを備えている。このＰトランジスタＰ６Ｌが、図１３に示した第１スイッチＳ０１に相当し、ＰトランジスタＰ７Ｌが、図１３に示した第２スイッチＳ００に相当する。ＰトランジスタＰ６Ｌは、そのゲートに、インバータ回路ＩＶ２Ｌから第１単位選択信号ＳＥＬＨ＿Ｌ（ｎ）が供給され、この第１単位選択信号ＳＥＬＨ＿Ｌ（ｎ）によってスイッチ制御される。また、ＰトランジスタＰ７Ｌは、そのゲートに、インバータ回路ＩＶ３Ｌから第２単位選択信号ＳＥＬＧ＿Ｌ（ｎ）が供給され、この第２単位選択信号ＳＥＬＧ＿Ｌ（ｎ）によってスイッチ制御される。

ＮトランジスタＮ６ＬとＮ７Ｌは、そのソース・ドレイン経路が、インバータ回路ＩＶ２Ｌの入力と所定の電圧ＶＧＬＯとの間に直列的に接続されるように、直列接続されている。ＮトランジスタＮ６Ｌのゲートには、第２反転選択信号ＸＢＬ（ｎ）が供給され、ＮトランジスタＮ７Ｌのゲートには、第１反転選択信号ＸＡＬ（ｎ）が供給されている。これにより、第１選択信号ＡＬ（ｎ）および第２選択信号ＢＬ（ｎ）が、ロウレベルとなっているとき、すなわち駆動電極ＴＬ（ｎ）が非選択のとき、ＮトランジスタＮ６ＬとＮトランジスタＮ７Ｌがオン状態となり、インバータ回路ＩＶ２Ｌの入力には、所定の電圧ＶＧＬＯが供給されることになる。そのため、駆動電極ＴＬ（ｎ）が非選択のとき、インバータ回路ＩＶ２Ｌからハイレベルの第１単位選択信号ＳＥＬＨ＿Ｌ（ｎ）が、ＰトランジスタＰ６Ｌに供給されることになり、ＰトランジスタＰ６Ｌはオフ状態となる。

ＮトランジスタＮ３ＬとＰトランジスタＰ３Ｌは、それぞれのソース・ドレイン経路が並列的に接続され、ＮトランジスタＮ３Ｌのゲートには、第１反転選択信号ＸＡＬ（ｎ）が供給され、ＰトランジスタＰ３Ｌのゲートには、第１選択信号ＡＬ（ｎ）が供給されている。これにより、ＮトランジスタＮ３ＬとＰトランジスタＰ３Ｌとによって、第１反転選択信号ＸＡＬ（ｎ）によりスイッチ制御される第３転送スイッチＴＰ３Ｌが構成されている。また、ＮトランジスタＮ４ＬとＰトランジスタＰ４Ｌは、それぞれのソース・ドレイン経路が並列的に接続され、ＮトランジスタＮ４Ｌのゲートには、第２反転選択信号ＸＢＬ（ｎ）が供給され、ＰトランジスタＰ４Ｌのゲートには、第２選択信号ＢＬ（ｎ）が供給されている。これにより、ＮトランジスタＮ４ＬとＰトランジスタＰ４Ｌとによって、第２反転選択信号ＸＢＬ（ｎ）によりスイッチ制御される第４転送スイッチＴＰ４Ｌが構成されている。

第３転送スイッチＴＰ３Ｌと第４転送スイッチＴＰ４Ｌは直列接続され、制御信号ＣＯＭＦＬが、直列接続された第３転送スイッチＴＰ３Ｌと第４転送スイッチＴＰ４Ｌを介して、インバータ回路ＩＶ１Ｌの入力に供給されている。このインバータ回路ＩＶ１Ｌの出力は、インバータ回路ＩＶ３Ｌの入力に接続されている。これにより、第１反転選択信号ＸＡＬ（ｎ）および第２反転選択信号ＸＢＬ（ｎ）がハイレベルのとき、言い換えるならば、第１選択信号ＡＬ（ｎ）および第２選択信号ＢＬ（ｎ）がロウレベルのとき、第３転送スイッチＴＰ３Ｌおよび第４転送スイッチＴＰ４Ｌが、ともにオン状態となる。第１選択信号ＡＬ（ｎ）および第２選択信号ＢＬ（ｎ）が、ともにロウレベルであるため、対応する駆動電極ＴＬ（ｎ）が非選択のとき、インバータ回路ＩＶ３Ｌには、第３転送スイッチＴＰ３Ｌ、第４転送スイッチＴＰ４Ｌおよびインバータ回路ＩＶ１Ｌを介して、制御信号ＣＯＭＦＬが供給されることになる。制御信号ＣＯＭＦＬをハイレベルにすることにより、駆動電極ＴＬ（ｎ）が選択されていないとき、第２単位選択信号ＳＥＬＧ＿Ｌ（ｎ）はハイレベルとなる。

これにより、駆動電極ＴＬ（ｎ）が非選択のとき、制御信号ＣＯＭＦＬをハイレベルにすることで、第１単位選択信号ＳＥＬＨ＿Ｌ（ｎ）および第２単位選択信号ＳＥＬＧ＿Ｌ（ｎ）は、ともにハイレベルとなり、単位駆動回路ＵＳＬを構成するＰトランジスタＰ６ＬおよびＰ７Ｌは、ともにオフ状態となり、対応する駆動電極ＴＬ（ｎ）の第１端ｎ１を第１配線ＴＰＨおよび第２配線ＴＰＬから電気的に分離することが可能となる。

これに対して、第１選択信号ＡＬ（ｎ）がハイレベルのとき、すなわち対応する駆動電極ＴＬ（ｎ）が第１スキャナ回路ＳＣＡＬに選択されたとき、単位駆動回路ＵＳＬを構成するＰトランジスタＰ６ＬまたはＰ７Ｌが、状態選択信号ＶＳＥＬ１、ＶＳＥＬ２の電圧に応じてオン状態となる。これにより、対応する駆動電極ＴＬ（ｎ）の第１端ｎ１は、ＰトランジスタＰ６ＬまたはＰ７Ｌを介して、第１配線ＴＰＨまたは第２配線ＴＰＬに電気的に接続されることになる。

すなわち、第１選択信号ＡＬ（ｎ）が、ハイレベルとなった場合、第１転送スイッチＴＰ１Ｌと第２転送スイッチＴＰ２Ｌがオン状態となる。これにより、ＰトランジスタＰ６Ｌのゲートには、インバータ回路ＩＶ２Ｌから、位相反転された状態選択信号ＶＳＥＬ１が、第１単位選択信号ＳＥＬＨ＿Ｌ（ｎ）として供給され、ＰトランジスタＰ７Ｌのゲートには、インバータ回路ＩＶ３Ｌから、位相反転された状態選択信号ＶＳＥＬ２が、第２単位選択信号ＳＥＬＧ＿Ｌ（ｎ）として供給されることになる。

また、第２選択信号ＢＬ（ｎ）が、ハイレベルとなった場合には、ＮトランジスタＮ５Ｌがオン状態となる。このとき、第２選択信号ＢＬ（ｎ）が位相反転された第２反転選択信号ＸＢＬ（ｎ）はロウレベルとなるので、ＰトランジスタＰ５Ｌがオン状態となる。その結果、ＰトランジスタＰ６Ｌのゲートには、インバータ回路ＩＶ２Ｌから、所定の電圧ＶＧＬＯが位相反転された所定の電圧ＶＧＨＯが、第１単位選択信号ＳＥＬＨ＿Ｌ（ｎ）として供給され、ＰトランジスタＰ７Ｌのゲートには、インバータ回路ＩＶ３Ｌから、所定の電圧ＶＧＨＯが位相反転された所定の電圧ＶＧＬＯが、第２単位選択信号ＳＥＬＧ＿Ｌ（ｎ）として供給されることになる。

制御装置３（図３）は、磁界タッチ検出の際、状態選択信号ＶＳＥＬ１、ＶＳＥＬ２の電圧を、交互に周期的に変化させる。すなわち、制御装置３は、磁界タッチ検出の際、状態選択信号ＶＳＥＬ１とＶＳＥＬ２の電圧を、周期的に変化させる。このとき、状態選択信号ＶＳＥＬ１とＶＳＥＬ２とが相補的な電圧、例えば一方がハイレベルの電圧の時他方がロウレベルの電圧となるように、変化させる。

例えば、ハイレベルの第１選択信号ＡＬ（ｎ）によって、第１転送スイッチＴＰ１Ｌと第２転送スイッチＴＰ２Ｌがオン状態にされている場合、周期的に電圧が変化する第１単位選択信号ＳＥＬＨ＿Ｌ（ｎ）および第２単位選択信号ＳＥＬＧ＿Ｌ（ｎ）が、ＰトランジスタＰ６Ｌ、Ｐ７Ｌに供給される。このとき、状態選択信号ＶＳＥＬ１とＶＳＥＬ２を相補的に変化させると、第１単位選択信号ＳＥＬＨ＿Ｌ（ｎ）と第２単位選択信号ＳＥＬＧ＿Ｌ（ｎ）の電圧も相補的に変化することになる。これにより、ＰトランジスタＰ６ＬとＰ７Ｌは、状態選択信号ＶＳＥＬ１とＶＳＥＬ２の変化に伴って交互にオン状態となる。その結果、第１配線ＴＰＨと第２配線ＴＰＬに供給されている第１電圧Ｖｄと第２電圧Ｖｓが、単位駆動回路ＵＳＬを介して、時間的に交互に駆動電極ＴＬ（ｎ）に供給されることになる。

同様に、ハイレベルの第２選択信号ＢＬ（ｎ）によって、ＮトランジスタＮ５ＬとＰトランジスタＰ５Ｌがオン状態にされている場合には、位相反転された所定の電圧ＶＧＬＯが、第１単位選択信号ＳＥＬＨ＿Ｌ（ｎ）として、インバータ回路ＩＶ２ＬからＰトランジスタＰ６Ｌに供給され、位相反転された所定の電圧ＶＧＨＯが、第２単位選択信号ＳＥＬＧ＿Ｌ（ｎ）として、インバータ回路ＩＶ３ＬからＰトランジスタＰ７Ｌに供給されることになる。その結果、所定の電圧ＶＧＬＯをロウレベルの信号（接地電圧）としたとき、ＰトランジスタＰ６Ｌがオフとなり、ＰトランジスタＰ７Ｌがオンとなるので、第１端ｎ１が第２配線ＴＰＬに接続される。

第１選択信号ＡＬ（ｎ）によって、第１転送スイッチＴＰ１Ｌと第２転送スイッチＴＰ２Ｌがオン状態にされたとき、ＰトランジスタＰ６Ｌのゲートに供給されるのは、位相反転された状態選択信号ＶＳＥＬ１であり、ＰトランジスタＰ７Ｌのゲートに供給されるのは、位相反転された状態選択信号ＶＳＥＬ２である。これに対して、第２選択信号ＢＬ（ｎ）によって、ＮトランジスタＮ５ＬとＰトランジスタＰ５Ｌがオン状態にされたとき、ＰトランジスタＰ６Ｌのゲートに供給されるのは、位相反転された所定の電圧ＶＧＬＯであり、ＰトランジスタＰ７Ｌのゲートに供給されるのは、位相反転された所定の電圧ＶＧＨＯである。すなわち、駆動電極ＴＬ（ｎ）の選択を第１スキャナ回路ＳＣＡＬが示した時、第１端ｎ１は第１配線ＴＰＨと第２配線ＴＰＬに交互に接続され、駆動電極ＴＬ（ｎ）の選択を第２スキャナ回路ＳＣＡＢＬが示した時、第１端ｎ１は第２配線ＴＰＬに継続的に接続される。

駆動電極ＴＬ（ｎ）に対応した単位選択回路ＳＥＬ（ｎ）とそれに対応した単位駆動回路ＵＳＬを例にして説明したが、選択回路ＳＥＬＬ内の残りの単位選択回路および駆動回路ＤＲＶＬ内の残りの単位駆動回路も同様である。

表示領域２（図４）の辺２−Ｒに沿って配置された第２選択駆動回路ＳＤＲ内の選択回路ＳＥＬＲおよび駆動回路ＤＲＶＲも、選択回路ＳＥＬＬおよび駆動回路ＤＲＶＬと同様に、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）に対応した単位選択回路ＳＥＲ（０）〜ＳＥＲ（ｐ）と単位駆動回路ＵＳＲによって構成されている。単位選択回路ＳＥＲ（０）〜ＳＥＲ（ｐ）は、互いに同じ構成を有しており、複数の単位駆動回路ＵＳＲも互いに同じ構成を有しているため、図１６（Ｂ）には、単位選択回路ＳＥＲ（ｎ）と、この単位選択回路ＳＥＲ（ｎ）に対応した単位駆動回路ＵＳＲが代表として示されている。

単位選択回路ＳＥＲ（ｎ）は、図１６（Ａ）に示した単位選択回路ＳＥＬ（ｎ）と同じ構成を有し、単位駆動回路ＵＳＲは、図１６（Ａ）に示した単位駆動回路ＵＳＬと同じ構成を有している。また、単位選択回路ＳＥＲ（ｎ）および単位駆動回路ＵＳＲの動作は、単位選択回路ＳＥＬ（ｎ）および単位駆動回路ＵＳＬと同じである。そのため、ここでは、単位選択回路ＳＥＬ（ｎ）および単位駆動回路ＵＳＬとの対応関係のみを述べて、構成と動作の詳しい説明は省略する。

単位選択回路ＳＥＲ（ｎ）は、ＮトランジスタＮ１Ｒ〜Ｎ７Ｒと、ＰトランジスタＰ１Ｒ〜Ｐ５Ｒと、インバータ回路ＩＶ１Ｒ〜ＩＶ３Ｒを備えている。ここで、ＮトランジスタＮ１Ｒ〜Ｎ７Ｒは、図１６（Ａ）で説明したＮトランジスタＮ１Ｌ〜Ｎ７Ｌに対応し、ＰトランジスタＰ１Ｒ〜Ｐ５Ｒは、図１６（Ａ）で説明したＰトランジスタＰ１Ｌ〜Ｐ５Ｌに対応し、インバータ回路ＩＶ１Ｒ〜ＩＶ３Ｒは、図１６（Ａ）で説明したインバータ回路ＩＶ１Ｌ〜ＩＶ３Ｌに対応する。また、ＴＰ１Ｒ〜ＴＰ４Ｒは、第１〜第４転送スイッチであり、図１６（Ａ）で説明した第１〜第４転送スイッチＴＰ１Ｌ〜ＴＰ４Ｌに対応している。また、単位駆動回路ＵＳＲは、図１６（Ａ）で説明したＰトランジスタＰ６ＬおよびＰ７Ｌに対応するＰトランジスタＰ６ＲおよびＰ７Ｒを備えている。

単位選択回路ＳＥＲ（ｎ）には、表示領域２の辺２−Ｒに沿って配置された第２スキャナ回路対ＳＣＲ内の第３スキャナ回路ＳＣＡＲから第１選択信号ＡＲ（ｎ）と第１反転選択信号ＸＡＲ（ｎ）が供給され、さらに第２スキャナ回路対ＳＣＲ内の第４スキャナ回路ＳＣＢＲから第２選択信号ＢＲ（ｎ）と第２反転選択信号ＸＢＲ（ｎ）が供給される。また、単位選択回路ＳＥＲ（ｎ）には、状態選択信号ＶＳＥＬ１、ＶＳＥＬ２、制御信号ＣＯＭＦＬおよび所定の電圧ＶＧＬＯ、ＶＧＨＯが供給され、図１６（Ａ）で説明した単位選択回路ＳＥＬ（ｎ）と同様にして、第１単位選択信号ＳＥＬＨ＿Ｒ（ｎ）と第２単位選択信号ＳＥＬＧ＿Ｒ（ｎ）を形成する。

単位駆動回路ＵＳＲ内のＰトランジスタＰ６ＲとＰ７Ｒは、対応する駆動電極ＴＬ（ｎ）の第２端ｎ２と第１配線ＴＰＨ、第２配線ＴＰＬとの間に接続され、図１６（Ａ）で説明した単位駆動回路ＵＳＬと同様に、第１単位選択信号ＳＥＬＨ＿Ｒ（ｎ）と第２単位選択信号ＳＥＬＧ＿Ｒ（ｎ）によってスイッチ制御される。

＜磁界タッチ検出の基本動作＞
実施の形態１における磁界タッチ検出および電界タッチ検出の全体動作を説明する前に、磁界タッチ検出の基本動作を説明しておく。ここでの説明は、図２（Ａ）および（Ｃ）で説明した磁界発生期間における動作に該当する。

図２（Ａ）および（Ｂ）では、磁界検出の原理を説明するために、平行に配置されている駆動電極間を、電気的に直列的に接続することにより、磁界発生コイルＧＸ（ｎ−１）〜ＧＸ（ｎ＋３）を構成する例を説明した。実施の形態１においては、平面視で見たとき、平行に配置されている一対の駆動電極において、互いに流れる電流の方向が反対になるようにすることにより、それぞれの駆動電極において磁界を発生させ、発生した磁界が、一対の駆動電極に挟まれた領域において重畳されるようにすることによって、強い磁界が発生するようにされている。この場合、離間して平行に配置され、それぞれ反対方向に電流が流れる一対の駆動電極によって、磁界発生コイル（例えば、ＧＸ（ｎ））が構成されていると見なすことができる。磁界タッチ検出の際に、制御装置３は、第１配線ＴＰＨに、第２電圧Ｖｓよりも高い第１電圧Ｖｄを供給し、第２配線ＴＰＬに、例えば接地電圧である第２電圧Ｖｓを供給する。

以下、図６、図７、図１３〜図１６を用いて、磁界タッチ検出における磁界発生期間の動作概要を説明する。

一対となる第１駆動電極と第２駆動電極がそれぞれ１個の駆動電極からなり、第１駆動電極と第２駆動電極はお互いの間に１個の駆動電極を挟んで離間している場合、図４に示した離間量レジスタＳ−ＲＥＧに、離間量ｎとして１を示す値が設定される。制御装置３は、シフトクロック信号ＣＫ−ＢＬを変化させる前にシフトクロック信号ＣＫ−ＡＬを離間量ｎと、第１駆動電極に含まれる駆動電極の本数である１を合計した２回（離間量ｎ＋１回）、変化させるとともに、最初にシフトクロック信号ＣＫ−ＡＬを１回分変化させるときに、スタート信号ＳＴ−ＡＬを、駆動電極の選択を示すハイレベルにする。また、制御装置３は、シフトクロック信号ＣＫ−ＡＲを変化させる前に、２回（離間量ｎ＋１回）の回数分、シフトクロック信号ＣＫ−ＢＲを変化させる。このときも、シフトクロック信号ＣＫ−ＢＲを、最初に１回分変化させるとき、スタート信号ＳＴ−ＢＲを、駆動電極の選択を示すハイレベルにする。すなわち、シフトクロック信号ＣＫ−ＢＬおよびＣＫ−ＡＲが変化する前に、シフトクロック信号ＣＫ−ＡＬとシフトクロック信号ＣＫ−ＢＲは、同時に、離間量＋第１駆動電極に含まれる駆動電極の回数分、変化する。

制御装置３は、シフトクロック信号ＣＫ−ＡＬおよびＣＫ−ＢＲを、離間量＋１回分変化させた後、シフトクロック信号ＣＫ−ＡＬ、ＣＫ−ＢＬ、ＣＫ−ＡＲおよびＣＫ−ＢＲのそれぞれを、周期的に変化させる。シフトクロック信号ＣＫ−ＡＬ、ＣＫ−ＢＬ、ＣＫ−ＡＲおよびＣＫ−ＢＲのそれぞれを周期的に変化させるとき、それぞれのシフトクロック信号の周期が同じになるように、変化させる。また、制御装置３は、シフトクロック信号ＣＫ−ＢＬおよびＣＫ−ＡＲを、最初に変化させるとき、スタート信号ＳＴ−ＢＬおよびＳＴ−ＡＲのそれぞれを、駆動電極の選択を示すハイレベルにする。

これにより、第１スキャナ回路ＳＣＡＬのシフトレジスタにおいては、第２スキャナ回路ＳＣＢＬのシフトレジスタに比べて、ハイレベルのスタート信号が、２個のシフト段分だけ、先に移動することになる。同様に、第４スキャナ回路ＳＣＢＲのシフトレジスタにおいては、第３スキャナ回路ＳＣＡＲのシフトレジスタに比べて、ハイレベルのスタート信号が、２個のシフト段分だけ、先に移動することになる。

例えば、図１４（Ｂ）に示した第２スキャナ回路ＳＣＢＬのシフト段ＦＢＬ（ｎ）が、ハイレベルのスタート信号を保持しているとき、図１４（Ａ）に示した第１スキャナ回路ＳＣＡＬでは、シフト段ＦＡＬ（ｎ＋２）が、ハイレベルのスタート信号を保持している状態となる。このとき、図１５（Ａ）に示した第３スキャナ回路ＳＣＡＲにおいては、シフト段ＦＡＲ（ｎ）が、ハイレベルのスタート信号を保持しており、図１５（Ｂ）に示した第４スキャナ回路ＳＣＢＲにおいては、シフト段ＦＢＲ（ｎ＋２）が、ハイレベルのスタート信号を保持している状態となる。この状態で、シフトクロック信号ＣＫ−ＡＬ、ＣＫ−ＢＬ、ＣＫ−ＡＲおよびＣＫ−ＢＲが変化すると、それぞれのシフトレジスタに格納されているハイレベルのスタート信号は移動し、シフト段ＦＡＬ（ｎ＋１）、ＦＢＬ（ｎ＋３）、ＦＡＲ（ｎ＋１）およびＦＢＲ（ｎ＋３）のそれぞれが、ハイレベルのスタート信号を保持する状態へ変化する。

この状態へ変化することにより、第１スキャナ回路ＳＣＡＬは、第１選択信号ＡＬ（ｎ＋３）をハイレベルにし、第１選択信号ＡＬ（ｎ）〜ＡＬ（ｎ＋２）およびＡＬ（ｎ＋４）〜ＡＬ（ｎ＋５）をロウレベルにする。同様に、第２スキャナ回路ＳＣＢＬは、第２選択信号ＢＬ（ｎ＋１）をハイレベルにし、第２選択信号ＢＬ（ｎ）およびＢＬ（ｎ＋２）〜ＡＬ（ｎ＋５）をロウレベルにする。また、第３スキャナ回路ＳＣＡＲは、第１選択信号ＡＲ（ｎ＋１）をハイレベルにし、第１選択信号ＡＲ（ｎ）およびＡＲ（ｎ＋２）〜ＡＬ（ｎ＋５）をロウレベルにする。同様に、第４スキャナ回路ＳＣＢＲは、第２選択信号ＢＲ（ｎ＋３）をハイレベルにし、第２選択信号ＢＲ（ｎ）〜ＢＲ（ｎ＋２）およびＢＲ（ｎ＋４）〜ＢＲ（ｎ＋５）をロウレベルにする。

第１選択信号ＡＬ（ｎ＋３）およびＡＲ（ｎ＋１）がハイレベルとなるため、単位選択回路ＳＥＬ（ｎ＋３）およびＳＥＲ（ｎ＋１）における第１転送スイッチＴＰ１Ｌ、ＴＰ１Ｒおよび第２転送スイッチＴＰ２Ｌ、ＴＰ２Ｒがオン状態となる。このとき、第２選択信号ＢＬ（ｎ＋１）およびＢＲ（ｎ＋３）がハイレベルとなるため、単位選択回路ＳＥＬ（ｎ＋１）およびＳＥＲ（ｎ＋３）におけるＮトランジスタＮ５Ｌ、Ｎ５ＲおよびＰトランジスタＰ５Ｌ、Ｐ５Ｒがオン状態となる。

その結果、単位選択回路ＳＥＬ（ｎ＋３）に対応する単位駆動回路ＵＳＬは、状態選択信号ＶＳＥＬ１、ＶＳＥＬ２に従って、対応する駆動電極ＴＬ（ｎ＋３）の第１端ｎ１を、第１配線ＴＰＨまたは第２配線ＴＰＬに接続することになる。同様に、単位選択回路ＳＥＲ（ｎ＋１）に対応する単位駆動回路ＵＳＲは、状態選択信号ＶＳＥＬ１、ＶＳＥＬ２に従って、対応する駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）の第２端ｎ２を、第１配線ＴＰＨまたは第２配線ＴＰＬに接続する。このとき、単位選択回路ＳＥＲ（ｎ＋３）に対応する単位駆動回路ＵＳＲは、状態選択信号ＶＳＥＬ１、ＶＳＥＬ２に従って、対応する駆動電極ＴＬ（ｎ＋３）の第２端ｎ２を、第２配線ＴＰＬに接続し、単位選択回路ＳＥＬ（ｎ＋１）に対応する単位駆動回路ＵＳＬは、状態選択信号ＶＳＥＬ１、ＶＳＥＬ２に従って、対応する駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）の第１端ｎ１を、第２配線ＴＰＬに接続する。

状態選択信号ＶＳＥＬ１とＶＳＥＬ２は、周期的に電圧が変化する。また、その電圧の変化は、相補的である。そのため、状態選択信号ＶＳＥＬ１が、例えばハイレベルのとき、状態選択信号ＶＳＥＬ２はロウレベルとなる。状態選択信号ＶＳＥＬ１がハイレベルで、状態選択信号ＶＳＥＬ２がロウレベルのとき、単位選択回路ＳＥＬ（ｎ＋３）および単位選択回路ＳＥＲ（ｎ＋１）から出力される第２単位選択信号ＳＥＬＧ＿Ｌ（ｎ＋３）およびＳＥＬＧ＿Ｒ（ｎ＋１）は、ハイレベルとなり、第１単位選択信号ＳＥＬＨ＿Ｌ（ｎ＋３）およびＳＥＬＨ＿Ｒ（ｎ＋１）は、ロウレベルとなる。これにより、単位選択回路ＳＥＬ（ｎ＋３）およびＳＥＲ（ｎ＋１）に対応する単位駆動回路ＵＳＬおよびＵＳＲにおいては、ＰトランジスタＰ６ＬおよびＰ６Ｒ（第１スイッチＳ０１）がオン状態となり、ＰトランジスタＰ７ＬおよびＰ７Ｒ（第２スイッチＳ００）がオフ状態となる。

これに対して、単位選択回路ＳＥＬ（ｎ＋１）および単位選択回路ＳＥＲ（ｎ＋３）から出力される第２単位選択信号ＳＥＬＧ＿Ｌ（ｎ＋１）およびＳＥＬＧ＿Ｒ（ｎ＋３）は、ロウレベルとなり、第１単位選択信号ＳＥＬＨ＿Ｌ（ｎ＋１）およびＳＥＬＨ＿Ｒ（ｎ＋３）は、ハイレベルとなる。これにより、単位選択回路ＳＥＬ（ｎ＋１）および単位選択回路ＳＥＲ（ｎ＋３）に対応した単位駆動回路ＵＳＬおよびＵＳＲにおいては、ＰトランジスタＰ６ＬおよびＰ６Ｒ（第２スイッチＳ００）がオフ状態となり、ＰトランジスタＰ７ＬおよびＰ７Ｒ（第１スイッチＳ０１）がオン状態となる。

図１３には、このときの状態が示されている。すなわち、単位選択回路ＳＥＬ（ｎ＋３）、ＳＥＲ（ｎ＋１）に対応した単位駆動回路ＵＳＬ、ＵＳＲ内のＰトランジスタＰ６Ｌ、Ｐ６Ｒ（第１スイッチＳ０１）を介して、駆動電極ＴＬ（ｎ＋３）の第１端ｎ１と駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）の第２端ｎ２は、第１配線ＴＰＨに接続され、第１電圧Ｖｄ（図では＋と記載）が供給されている。また、単位選択回路ＳＥＲ（ｎ＋３）、ＳＥＬ（ｎ＋１）に対応した単位駆動回路ＵＳＲ、ＵＳＬ内のＰトランジスタＰ７Ｌ、Ｐ７Ｒ（第２スイッチＳ００）を介して、駆動電極ＴＬ（ｎ＋３）の第２端ｎ２と駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）の第１端ｎ１は、第２配線ＴＰＬに接続され、第２電圧Ｖｓ（図では０と記載）が供給されている。

次に、状態選択信号ＶＳＥＬ１がロウレベルとなり、状態選択信号ＶＳＥＬ２がハイレベルとなると、単位選択回路ＳＥＬ（ｎ＋３）および単位選択回路ＳＥＲ（ｎ＋１）から出力される第２単位選択信号ＳＥＬＧ＿Ｌ（ｎ＋３）およびＳＥＬＧ＿Ｒ（ｎ＋１）は、ロウレベルとなり、第１単位選択信号ＳＥＬＨ＿Ｌ（ｎ＋３）およびＳＥＬＨ＿Ｒ（ｎ＋１）は、ハイレベルとなる。これにより、単位選択回路ＳＥＬ（ｎ＋３）およびＳＥＲ（ｎ＋１）に対応する単位駆動回路ＵＳＬおよびＵＳＲにおいては、ＰトランジスタＰ６ＬおよびＰ６Ｒ（第１スイッチＳ０１）がオフ状態となり、ＰトランジスタＰ７ＬおよびＰ７Ｒ（第２スイッチＳ００）がオン状態となる。

このとき、単位選択回路ＳＥＬ（ｎ＋１）および単位選択回路ＳＥＲ（ｎ＋３）から出力される第２単位選択信号ＳＥＬＧ＿Ｌ（ｎ＋１）およびＳＥＬＧ＿Ｒ（ｎ＋３）は、ロウレベルとなり、第１単位選択信号ＳＥＬＨ＿Ｌ（ｎ＋１）およびＳＥＬＨ＿Ｒ（ｎ＋３）は、ハイレベルとなる。これにより、単位選択回路ＳＥＬ（ｎ＋１）および単位選択回路ＳＥＲ（ｎ＋３）に対応した単位駆動回路ＵＳＬおよびＵＳＲにおいては、ＰトランジスタＰ６ＬおよびＰ６Ｒ（第１スイッチＳ０１）がオフ状態となり、ＰトランジスタＰ７ＬおよびＰ７Ｒ（第２スイッチＳ００）がオン状態となる。

その結果、状態選択信号ＶＳＥＬ１がロウレベルとなり、状態選択信号ＶＳＥＬ２がハイレベルとなると、駆動電極ＴＬ（ｎ＋３）の第１端ｎ１と駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）の第２端ｎ２には、第２電圧Ｖｓ（０）が供給され、ＴＬ（ｎ＋３）の第２端ｎ２と駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）の第１端ｎ１には、第２電圧Ｖｓ（０）が供給されることになる。

図６（図１３も同様）は、状態選択信号ＶＳＥＬ１をハイレベルにし、状態選択信号ＶＳＥＬ２をロウレベルにしたときに、選択された駆動電極ＴＬ（ｎ＋３）、ＴＬ（ｎ＋１）に供給される駆動電圧の関係を示した図である。図６では、第２配線ＴＰＬに供給された第２電圧Ｖｓが、０（接地電圧）で示されており、第１配線ＴＰＨに供給された第１電圧Ｖｄが、＋で示されている。

図６では、駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）において、第２端ｎ２（辺２−Ｒ側）から第１端ｎ１（辺２−Ｌ側）へ向かう方向に電圧差によって電流Ｉ１１が流れ、駆動電極ＴＬ（ｎ＋３）においては、第１端ｎ１（辺２−Ｌ側）から第２端ｎ２（辺２−Ｒ側）へ向かう方向に電圧差によって電流Ｉ１２が流れることになる。電流Ｉ１１、Ｉ１２が流れるように変化することにより、駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）およびＴＬ（ｎ＋３）のそれぞれで、破線で示す方向の磁界φ１１、φ１２が発生し、選択された駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）と駆動電極ＴＬ（ｎ＋３）との間に挟まれて駆動電極ＴＬ（ｎ＋２）の部分（領域）において、磁界φ１１、φ１２が重畳されることになる。これにより、強い磁界の変化が、駆動電極ＴＬ（ｎ＋２）の領域において生じる。

図６に示した状態で、駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）、ＴＬ（ｎ＋３）を流れる電流Ｉ１１、Ｉ１２の変化量がなくなり、時間的に定常となるタイミングで、状態選択信号ＶＳＥＬ１をロウレベルにし、状態選択信号ＶＳＥＬ２をハイレベルにして駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）、ＴＬ（ｎ＋３）の一対の第１端ｎ１および第２端ｎ２に、第２電圧Ｖｓ（０）を供給して、図７に示す状態にする。図７では、第２配線ＴＰＬに供給された第２電圧Ｖｓが、０（接地電圧）で示されている。この図７の状態では、駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）、ＴＬ（ｎ＋３）に電流が流れないため、駆動電極ＴＬ（ｎ＋２）の領域において磁界は発生しない。その後、再び、図６に示す状態となるように、駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）、ＴＬ（ｎ＋３）を駆動して、磁界を発生することになる。表示装置１は磁界タッチ検出期間の磁界発生期間において図６の状態と図７の状態とを複数回繰り返す。

＜磁界タッチ検出の全体動作＞
次に、実施の形態１に係わる表示装置１における磁界タッチ検出の全体動作を説明する。

実施の形態１に係る表示装置１は電磁誘導方式の入力検出装置と静電容量方式の入力検出装置を内蔵し、磁界タッチ検出動作と電界タッチ検出動作と表示動作を時分割で行うことができる。

実施の形態１に係わる表示装置１の動作を、波形図を用いて説明するが、図面が複雑になるのを避けるために、波形図は、図１７および図１８に分けてある。

図１７には、図４に示した第１スキャナ回路対ＳＣＬ、第２スキャナ回路対ＳＣＲ、第１選択駆動回路ＳＤＬおよび第２選択駆動回路ＳＤＲに共通に供給される制御信号ＣＯＭＦＬ、検出タイミング信号ＴＰＳＥＬ、状態選択信号ＶＳＥＬ１、ＶＳＥＬ２および駆動信号ＴＰＨ、ＴＰＬの波形と、第１スキャナ回路対ＳＣＬに供給されるシフトクロック信号ＣＫ−ＡＬ、ＣＫ−ＢＬおよびスタート信号ＳＴ−ＡＬ、ＡＴ−ＢＬの波形とが示されている。また、図１７には、図１３に示した単位選択回路ＳＥＬ（ｎ）〜ＳＥＬ（ｎ＋５）から出力される第１単位選択信号ＳＥＬＨ＿Ｌ（ｎ）〜ＳＥＬＨ＿Ｌ（ｎ＋５）および第２単位選択信号ＳＥＬＧ＿Ｌ（ｎ）〜ＳＥＬＧ＿Ｌ（ｎ＋５）の波形が示されている。

一方、図１８には、第２スキャナ回路対ＳＣＲに供給されるシフトクロック信号ＣＫ−ＡＲ、ＣＫ−ＢＲおよびスタート信号ＳＴ−ＡＲ、ＳＴ−ＢＲの波形と、図１３に示した単位選択回路ＳＥＲ（ｎ）〜ＳＥＲ（ｎ＋５）から出力される第１単位選択信号ＳＥＬＨ＿Ｒ（ｎ）〜ＳＥＬＨ＿Ｒ（ｎ＋５）および第２単位選択信号ＳＥＬＧ＿Ｒ（ｎ）〜ＳＥＬＧ＿Ｒ（ｎ＋５）の波形が示されている。図１８を、図１７の下側に配置することによって、表示装置１の動作を示す波形図が完成する。

図１７および図１８において、ＤＰは、表示領域２において画像の表示が行われる表示期間を示している。また、ＴＰ（ｎ−１）〜ＴＰ（ｎ＋４）は、磁界検出の期間（以下、磁界タッチ検出期間とも称する）を示している。また、ＴＰ（ｓｓ）は、磁界タッチ検出を開始する開始期間を示している。この実施の形態１においては、磁界タッチ検出期間ＴＰ（ｎ−１）〜ＴＰ（ｎ＋４）のそれぞれは、図２で説明したように、磁界発生期間と磁界検出期間とによって構成されている。図１７では、例として磁界タッチ検出期間ＴＰ（ｎ＋３）を構成する磁界発生期間に符合ＴＰＧが付され、磁界検出期間に符合ＴＰＤが付されている。他の磁界タッチ検出期間についても、同様に磁界発生期間ＴＰＧとそれに続く磁界検出期間ＴＰＤによって、磁界タッチ検出期間は構成されている。

この実施の形態１においては、特に制限されないが、開始期間ＴＰ（ｓｓ）以降、磁界タッチ検出期間と表示期間ＤＰとが交互に発生するように、制御装置３が制御を行う。また、制御装置３は、１回の磁界タッチ検出期間において、１個の駆動電極の領域で磁界が発生するように制御する。この実施の形態１では、駆動電極ＴＬ（０）の領域から駆動電極ＴＬ（ｐ）の領域に向けて、順次、磁界が発生するように制御している。図１７および図１８に示した磁界タッチ検出期間ＴＰ（ｎ−１）における磁界発生期間では、駆動電極ＴＬ（ｎ−１）の領域において、磁界が発生するように制御する。同様に、磁界タッチ検出期間ＴＰ（ｎ）〜ＴＰ（ｎ＋４）のそれぞれにおける磁界発生期間では、駆動電極ＴＬ（ｎ）〜ＴＬ（ｎ＋４）の領域で磁界が発生するように制御する。

この実施の形態１においては、制御装置３が、検出タイミング信号ＴＰＳＥＬによって、第１スキャナ回路対ＳＣＬおよび第２スキャナ回路対ＳＣＲ等に、磁界発生期間ＴＰＧを把握させる。すなわち、制御装置３は、磁界発生期間ＴＰＧのとき、検出タイミング信号ＴＰＳＥＬをハイレベルにする。第１スキャナ回路対ＳＣＬおよび第２スキャナ回路対ＳＣＲは、検出タイミング信号ＴＰＳＥＬがハイレベルのときに、上記した第１選択信号および第２選択信号を出力する。また、図４に示した検出回路ＤＥＴは、検出タイミング信号ＴＰＳＥＬがロウレベルのときに動作する。特に制限されないが、制御装置３は、制御信号ＣＯＭＦＬと検出タイミング信号ＴＰＳＥＬがロウレベルのときに、信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）に画像信号を供給して、表示期間ＤＰにおいて、表示を行う。

制御装置３は、それぞれの磁界発生期間ＴＰＧのとき、状態選択信号ＶＳＥＬ１、ＶＳＥＬ２の電圧を周期的に複数回、変化させる。このとき、制御装置３は、状態選択信号ＶＳＥＬ１とＶＳＥＬ２の電圧がオーバーラップしないように、相補的に変化させる。

制御装置３は、時刻ｔ５において、開始期間ＴＰ（ｓｓ）を始めるときから、シフトクロック信号ＣＫ−ＢＬ、ＣＫ−ＡＲを変化させ始めるが、シフトクロック信号ＣＫ−ＡＬおよびＣＫ−ＢＲについては、時刻ｔ５よりも前に、離間量レジスタＳ−ＲＥＧに格納されている離間量と第１駆動電極に含まれる電極数の合計に応じた数だけ、シフトクロック信号ＣＫ−ＡＬおよびＣＫ−ＢＲを変化させる。図１７および図１８の例では、離間量レジスタＳ−ＲＥＧに離間量として１が格納され、第１駆動電極に含まれる電極数が１の場合を示している。そのため、制御装置３は、時刻ｔ５よりも前の時刻ｔ１およびｔ３においてシフトクロック信号ＣＫ−ＡＬおよびＣＫ−ＢＲを２回変化させる。また、制御装置３は、シフトクロック信号が１回分変化する時刻ｔ０から時刻ｔ２の間、スタート信号ＳＴ−ＡＬおよびＳＴ−ＢＲを、駆動電極の選択を示すハイレベルにする。

その後、時刻ｔ４において、制御装置３は、スタート信号ＳＴ−ＢＬおよびＳＴ−ＡＲを、駆動電極の選択を示すハイレベルにする。制御装置３は、時刻ｔ５において、シフトクロック信号ＣＫ−ＡＬ、ＣＫ−ＢＬ、ＣＬ−ＡＲおよびＣＫ−ＢＬを変化させ、以降、磁界タッチ検出期間のたびに、制御装置３は、シフトクロック信号ＣＫ−ＡＬ、ＣＫ−ＢＬ、ＣＬ−ＡＲおよびＣＫ−ＢＬを変化させる。このとき、シフトクロック信号ＣＫ−ＡＬ、ＣＫ−ＢＬ、ＣＫ−ＡＲおよびＣＫ−ＢＬは、互いに同じ周期となるように、制御装置３は、変化させる。

これにより、第１スキャナ回路ＳＣＡＬのシフトレジスタにおいて、駆動電極の選択を示すハイレベルのスタート信号ＳＴ−ＡＬを格納しているシフト段は、第２スキャナ回路ＳＣＢＬのシフトレジスタにおいて、ハイレベルのスタート信号ＳＴ−ＢＬを格納しているシフト段よりも、２段先に進んでいることになる。同様に、第４スキャナ回路ＳＣＢＲのシフトレジスタにおいて、駆動電極の選択を示すハイレベルのスタート信号ＳＴ−ＢＲを格納しているシフト段は、第３スキャナ回路ＳＣＡＲのシフトレジスタにおいて、ハイレベルのスタート信号ＳＴ−ＡＲを格納しているシフト段よりも、２段先に進んでいることになる。すなわち、第１スキャナ回路ＳＣＡＬおよび第４スキャナ回路ＳＣＢＲは、第２スキャナ回路ＳＣＢＬおよび第３スキャナ回路ＳＣＡＲに比べて、離間量レジスタＳ−ＲＥＧに格納されている離間量＋１に相当する２個分先の駆動電極を選択することになる。

シフトクロック信号ＣＫ−ＡＬ、ＣＫ−ＢＬ、ＣＫ−ＡＲおよびＣＫ−ＢＬが、周期的に変化し、磁界タッチ検出期間ＴＰ（ｎ−１）に到達すると、第１スキャナ回路ＳＣＡＬのシフト段ＦＡＬ（ｎ）（図１４（Ａ）参照）が、ハイレベルのスタート信号を保持し、ハイレベルの第１選択信号ＡＬ（ｎ）を出力する。磁界タッチ検出期間ＴＰ（ｎ−１）において、状態選択信号ＶＳＥＬ１、ＶＳＥＬ２が変化することにより、シフト段ＦＡＬ（ｎ）に対応した単位選択回路ＳＥＬ（ｎ）からは、図１７に示すように、状態選択信号ＶＳＥＬ１、ＶＳＥＬ２の変化に同期して変化する第１単位選択信号ＳＥＬＨ＿Ｌ（ｎ）、第２単位選択信号ＳＥＬＧ＿Ｌ（ｎ）が出力される。

このとき、第４スキャナ回路ＳＣＢＲのシフト段ＦＢＲ（ｎ）（図１５（Ｂ）参照）においても、ハイレベルのスタート信号が保持されるため、シフト段ＦＢＲ（ｎ）は、ハイレベルの第２選択信号ＢＲ（ｎ）を出力する。そのため、磁界タッチ検出期間ＴＰ（ｎ−１）において、ハイレベルの第１単位選択信号ＳＥＬＨ＿Ｒ（ｎ）およびロウレベルの第２単位選択信号ＳＥＬＧ＿Ｒ（ｎ）が、図１８に示すように、対応する単位選択回路ＳＥＲ（ｎ）から継続して出力されることになる。

磁界タッチ検出期間ＴＰ（ｎ−１）の磁界発生期間ＴＰＧにおいて、駆動電極ＴＬ（ｎ）の第１端ｎ１に接続された単位駆動回路ＵＳＬに状態選択信号ＶＳＥＬ１、ＶＳＥＬ２の変化に応じてロウレベルの第１単位選択信号ＳＥＬＨ＿Ｌまたはロウレベルの第２単位選択信号ＳＥＬＧ＿Ｌが供給されることにより、駆動電極ＴＬ（ｎ）の第１端ｎ１は、第１配線ＴＰＨまたは第２配線ＴＰＬに接続されることになる。同様に、駆動電極ＴＬ（ｎ）の第２端ｎ２に接続された単位駆動回路ＵＳＲにロウレベルの第２単位選択信号ＳＥＬＧ＿Ｒおよびハイレベルの第１単位選択信号ＳＥＬＨ＿Ｒが供給されることにより、駆動電極ＴＬ（ｎ）の第２端ｎ２は、第２配線ＴＰＬに接続されることになる。

磁界タッチ検出のとき、制御装置３は、第１配線ＴＰＨに第１電圧Ｖｄ（接地電圧よりも高い電圧）を供給し、第２配線ＴＰＬに第２電圧Ｖｓ（接地電圧）を供給している。

これにより、磁界タッチ検出期間ＴＰ（ｎ−１）の磁界発生期間ＴＰＧにおいて、駆動電極ＴＬ（ｎ）の第１端ｎ１は、状態選択信号ＶＳＥＬ１、ＶＳＥＬ２の変化に従って第１配線ＴＰＨと第２配線ＴＰＬに交互に接続されることにより第１電圧Ｖｄと第２電圧Ｖｓが交互に供給され、第２端ｎ２は第２配線ＴＰＬに継続的に接続されることにより第２電圧Ｖｓが供給され、単位磁界発生期間と磁界発生休止期間とが繰り返されることにより、磁界を発生することになる。

シフトクロック信号ＣＫ−ＡＬ、ＣＫ―ＢＬ、ＣＫ−ＡＲおよびＣＫ−ＢＲが変化して、磁界タッチ検出期間ＴＰ（ｎ＋１）に到達すると、ハイレベルのスタート信号が、シフト段ＦＡＬ（ｎ＋１）からシフト段ＦＡＬ（ｎ＋２）へ移動し、シフト段ＦＡＬ（ｎ＋２）に格納される。同様に、シフト段ＦＢＲ（ｎ＋１）からシフト段ＦＢＲ（ｎ＋２）へ、ハイレベルのスタート信号が移動し、シフト段ＦＢＲ（ｎ＋２）に格納される。

このとき、第２スキャナ回路ＳＣＢＬのシフトレジスタのシフト段ＦＢＬ（ｎ）（図１４（Ｂ）参照）に、時刻ｔ５で、第２スキャナ回路ＳＣＢＬのシフトレジスタに取り込まれたハイレベルのスタート信号が、前段のシフト段から移動し、シフト段ＦＢＬ（ｎ）に格納される。同様に、このとき、第３スキャナ回路ＳＣＡＲのシフトレジスタのシフト段ＦＡＲ（ｎ）（図１５（Ａ）参照）に、時刻ｔ５で、第３スキャナ回路ＳＣＡＲのシフトレジスタに取り込まれたハイレベルのスタート信号が、前段のシフト段から移動し、シフト段ＦＡＲ（ｎ）に格納される。

そのため、磁界タッチ検出期間ＴＰ（ｎ＋１）の磁界発生期間ＴＰＧにおいては、シフト段ＦＡＬ（ｎ＋２）に対応した単位選択回路ＳＥＬ（ｎ＋２）と、シフト段ＦＡＲ（ｎ）に対応した単位選択回路ＳＥＲ（ｎ）からも、状態選択信号ＶＳＥＬ１、ＶＳＥＬ２の周期的な変化に同期した第１単位選択信号が出力されることになる。すなわち、図１７および図１８に示すように、単位選択回路ＳＥＬ（ｎ＋２）、ＳＥＲ（ｎ）から、周期的に変化する第１単位選択信号ＳＥＬＨ＿Ｌ（ｎ＋２）、ＳＥＬＨ＿Ｒ（ｎ）および第２単位選択信号ＳＥＬＧ＿Ｌ（ｎ＋２）、ＳＥＬＧ＿Ｒ（ｎ）が出力される。

また、単位選択回路ＳＥＬ（ｎ）、ＳＥＲ（ｎ＋２）から、ハイレベルの第１単位選択信号ＳＥＬＨ＿Ｌ（ｎ）、ＳＥＬＨ＿Ｒ（ｎ＋２）およびロウレベルの第２単位選択信号ＳＥＬＧ＿Ｌ（ｎ）、ＳＥＬＧ＿Ｒ（ｎ＋２）が出力される。

これにより、磁界タッチ検出期間ＴＰ（ｎ＋１）の磁界発生期間ＴＰＧにおいては、駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）を挟む駆動電極ＴＬ（ｎ）の第２端ｎ２と、ＴＬ（ｎ＋２）の第１端ｎ１に、状態選択信号ＶＳＥＬ１、ＶＳＥＬ２の周期的な変化に従って第１配線ＴＰＨと第２配線ＴＰＬに交互に接続され、駆動電極ＴＬ（ｎ）の第１端ｎ１と、ＴＬ（ｎ＋２）の第２端ｎ２に第２配線ＴＰＬが継続的に接続された駆動状態になる。その結果、駆動電極ＴＬ（ｎ）と駆動電極ＴＬ（ｎ＋２）のそれぞれで発生した磁界が、駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）の領域において重畳されることになる。

磁界タッチ検出期間ＴＰ（ｎ＋２）〜ＴＰ（ｎ＋４）のそれぞれにおける動作は、ハイレベルのスタート信号が、順次移動することを除いて、磁界タッチ検出期間ＴＰ（ｎ＋１）と同じであるため、説明は省略する。

なお、図１３に示した接続状態は、図１７および図１８において、一点鎖線Ｆ１３で囲んだタイミングのときに相当する。

この実施の形態１においては、第１スキャナ回路ＳＣＡＬおよび第４スキャナ回路ＳＣＢＲのそれぞれのシフトレジスタは、図１７および図１８に示した時刻ｔ１において、ハイレベルのスタート信号を取り込んだ後は、シフトクロック信号ＣＫ−ＡＬ、ＣＫ−ＢＲの変化に同期して、駆動電極の非選択を示すロウレベルを取り込む。同様に、第２スキャナ回路ＳＣＢＬおよび第３スキャナ回路ＳＣＡＲのそれぞれのシフトレジスタは、図１７および図１８に示した時刻ｔ５において、ハイレベルのスタート信号を取り込んだ後は、シフトクロック信号ＣＫ−ＢＬ、ＣＫ−ＡＲの変化に同期して、駆動電極の非選択を示すロウレベルを取り込む。

これにより、ハイレベルのスタート信号を保持しているシフト段を除いたシフト段は、磁界タッチ検出期間のとき、ロウレベルの第１選択信号および第２選択信号を出力することになる。図１７および図１８に示した磁界タッチ検出期間ＴＰ（ｎ＋１）においてはいずれのスキャナ回路からも選択されていない、シフト段ＦＡＬ（ｎ＋１）、ＦＡＬ（ｎ＋３）〜ＦＡＬ（ｎ＋５）、ＦＢＬ（ｎ＋１）、ＦＢＬ（ｎ＋３）〜ＦＢＬ（ｎ＋５）、ＦＡＲ（ｎ＋１）、ＦＡＲ（ｎ＋３）〜ＦＡＲ（ｎ＋５）およびＦＢＲ（ｎ＋１）、ＦＢＲ（ｎ＋３）〜ＦＢＲ（ｎ＋５）は、非選択のロウレベルを保持している。そのため、これらのシフト段から出力される第１選択信号および第２選択信号はロウレベルとなる。

図１６で説明したように、第１選択信号も第２選択信号も非選択のロウレベルを示すとき、これらのシフト段に対応する駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）、ＴＬ（ｎ＋３）〜（ｎ＋５）の一対の第１端ｎ１および第２端ｎ２は、第１配線ＴＰＨ、第２配線ＴＰＬから電気的に分離されることになる。その結果、磁界タッチ検出期間のとき、非選択の駆動電極は、第１配線ＴＰＨ、第２配線ＴＰＬに接続されず、フローティング状態となる。これにより、選択された駆動電極の電圧を変化させるとき、非選択の駆動電極との間の寄生容量の充放電を低減することが可能となり、選択された駆動電極の電圧を変化させる速度を向上することが可能となる。

また、この実施の形態１において、制御装置３は、磁界タッチ検出期間のとき、図４に示したゲートドライバ４（４Ｌ、４Ｒ）が、全ての走査線をフローティング状態とするように、ゲートドライバ４を制御する。さらに、磁界タッチ検出期間のとき、制御装置３は、全ての信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）をフローティング状態にする。これにより、選択された駆動電極の電圧を変化させるとき、走査線および信号線と選択された駆動電極との間の寄生容量の充放電を低減することが可能となり、選択された駆動電極の電圧を変化させる速度を向上することが可能となる。

磁界タッチ検出期間において、磁界発生期間ＴＰＧに続く磁界検出期間ＴＰＤでは、ペンＰｅｎからの磁界の検出が行われるが、磁界検出期間ＴＰＤにおける動作は、図２（Ｂ）で説明した動作と同じである。すなわち、第２基板ＣＧＢに形成された検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）によって、ＤＹ（ｎ−２）〜ＤＹ（ｎ＋１）のような磁界検出コイルを構成し、ペンＰｅｎからの磁界を検出する。図２（Ｂ）で説明した動作と同じであるため、磁界検出期間ＴＰＤの動作は省略する。

＜電界タッチ検出の動作＞
実施の形態１に係わる表示装置１は、磁界タッチ検出と電界タッチ検出の両方が可能である。次に、電界タッチ検出を行う場合の動作を説明する。図１９は、電界タッチ検出の構成を示すブロック図である。図１９に示すブロック図は、第１スイッチＳ０１、第２スイッチＳ００の接続が変わるだけで、図１３に示したブロック図と同じであるため、説明は省略する。図２０および図２１は、電界タッチ検出の動作を説明する波形図である。

表示装置１の構成は、図１９に示すように、電界タッチ検出の場合も同じであり、制御装置３によって形成される信号の波形が、磁界タッチ検出のときとは異なる。電界タッチ検出の動作を、波形図を用いて説明するが、図面が複雑になるのを避けるために、ここでも、波形図は、図２０および図２１に分けてある。図２１を、図２０の下側に配置することにより、波形図が完成する。図２０および図２１は、図１７および図１８と類似しているため、ここでは相違点を主に説明する。

磁界タッチ検出では、既に説明したように、磁界発生期間と磁界検出期間を識別するために、検出タイミング信号ＴＰＳＥＬが用いられていた。これに対して、電界タッチ検出においては、図３で説明したように、駆動電極で電界を発生し、そのときの電界の変化を検出電極によって検出することにより、タッチの検出が行われる。そのため、電界を発生する期間と電界を検出する期間を識別することは要求されず、検出タイミング信号ＴＰＳＥＬは、用いられないため、図２０および図２１では省略されている。

この実施の形態１においては、磁界タッチ検出のときと同様に、表示期間と電界タッチ検出期間とが交互に生じるように、制御装置３が制御する。図２０および図２１において、ＤＰは、表示期間を示し、ＴＣ（ｎ）〜ＴＣ（ｎ＋５）は、駆動電極ＴＬ（ｎ）〜ＴＬ（ｎ＋５）の領域において電界タッチ検出を行う電界タッチ検出期間を示している。また、ＴＣ（ｓｓ）は、電界タッチ検出を開始する開始期間を示している。

制御装置３は、電界タッチ検出の際、図２０に示すように、制御信号ＣＯＭＦＬをロウレベルＬにし、第２配線ＴＰＬを第２電圧Ｖｓにする。また、制御装置３は、開始期間ＴＣ（ｓｓ）および電界タッチ検出期間（図２０、図２１では、ＴＣ（ｎ）〜ＴＣ（ｎ＋５））において、第１配線ＴＰＨの電圧を、第２電圧Ｖｓと第１電圧Ｖｄとの間で周期的に変化させる。さらに、制御装置３は、電界タッチ検出期間のとき、状態選択信号ＶＳＥＬ２を、ロウレベルＬにし、開始期間ＴＣ（ｓｓ）および電界タッチ検出期間のとき、状態選択信号ＶＳＥＬ１を、ロウレベルＬからハイレベルＨへ変化させる。

制御装置３は、磁界タッチ検出のときには、離間量レジスタＳ−ＲＥＧに格納されている離間量を用いて、シフトクロック信号とスタート信号を生成していたが、電界タッチ検出のときには、離間量を用いずに、シフトクロック信号とスタート信号を生成する。すなわち、電界タッチ検出の場合、図２０および図２１に示すように、時刻ｔ０において、制御装置３は、スタート信号ＳＴ−ＡＬおよびＳＴ−ＡＲを、ロウレベルから駆動電極の選択を示すハイレベルへ変化させる。また、制御装置３は、開始期間ＴＣ（ｓｓ）および電界タッチ検出期間ごとに、シフトクロック信号ＣＫ−ＡＬおよびＣＫ−ＡＲを、ロウレベルからハイレベルに変化させる。すなわち、シフトクロック信号ＣＫ−ＡＬ、ＣＫ−ＡＲを周期的に変化させる。一方、電界タッチ検出のとき、制御装置３は、図２０および図２１に示すように、スタート信号ＳＴ−ＢＬおよびＳＴ−ＢＲのそれぞれをロウレベルＬに維持し、シフトクロック信号ＣＫ−ＢＬおよびＣＫ−ＢＲをロウレベルＬに維持する。すなわち、電界タッチ検出のとき、シフトクロック信号ＣＫ−ＢＬ、ＣＫ−ＢＲを変化させない。

時刻ｔ１において、シフトクロック信号ＣＫ−ＡＬ、ＣＫ−ＡＲが変化することにより、第１スキャナ回路ＳＣＡＬおよび第３スキャナ回路ＳＣＡＲのシフトレジスタが、駆動電極の選択を示すハイレベルのスタート信号ＳＴ−ＡＬ、ＳＴ−ＡＲを取り込む。これに対して、シフトクロック信号ＣＫ−ＢＬ、ＣＫ−ＢＲは変化しないため、第２スキャナ回路ＳＣＢＬおよび第４スキャナ回路ＳＣＢＲのシフトレジスタは、スタート信号ＳＴ−ＢＬ、ＳＴ−ＢＲを取り込まず、以前の状態を出力する。特に制限されないが、第２スキャナ回路ＳＣＢＬおよび第４スキャナ回路ＳＣＢＲのシフトレジスタは、時刻ｔ０よりも前の時刻において、リセットされ、第２スキャナ回路ＳＣＢＬおよび第４スキャナ回路ＳＣＢＲから出力されている第２選択信号は、全てロウレベルとなっている。

電界タッチ検出期間が繰り返されるたびに、シフトクロック信号ＣＫ−ＡＬ、ＣＫ−ＡＲが変化し、電界タッチ検出期間ＴＣ（ｎ）に到達すると、シフトクロック信号ＣＫ−ＡＬ、ＣＫ−ＡＲの変化に同期して、図１４（Ａ）および図１５（Ａ）に示したシフト段ＦＡＬ（ｎ）、ＦＡＲ（ｎ）が、前段のシフト段から出力されている選択を示すハイレベルのスタート信号ＳＴ−ＡＬ、ＳＴ−ＡＲを取り込み、保持する。その結果、シフト段ＦＡＬ（ｎ）、ＦＡＲ（ｎ）から出力されている第１選択信号ＡＬ（ｎ）、ＡＲ（ｎ）がロウレベルからハイレベルへ変化する。これにより、図１６に示した単位選択回路ＳＥＬ（ｎ）、ＳＥＲ（ｎ）のそれぞれにおいて、第１転送スイッチＴＰ１Ｌ、ＴＰ１Ｒおよび第２転送スイッチＴＰ２Ｌ、ＴＰ２Ｒがオン状態となる。

このとき、状態選択信号ＶＳＥＬ１はハイレベルＨになっており、状態選択信号ＶＳＥＬ２はロウレベルＬとなっているため、図２０および図２１に示すように、第２単位選択信号ＳＥＬＧ＿Ｌ（ｎ）、ＳＥＬＧ＿Ｒ（ｎ）はハイレベルとなり、第１単位選択信号ＳＥＬＨ＿Ｌ（ｎ）、ＳＥＬＨ＿Ｒ（ｎ）はロウレベルとなる。これにより、単位選択回路ＳＥＬ（ｎ）、ＳＥＲ（ｎ）に対応した単位駆動回路ＵＳＬ、ＵＳＲにおいて、ＰトランジスタＰ６Ｌ、Ｐ６Ｒがオン状態となり、ＰトランジスタＰ７Ｌ、Ｐ７Ｒはオフ状態となる。その結果、シフト段ＦＡＬ（ｎ）、ＦＡＲ（ｎ）に対応した駆動電極ＴＬ（ｎ）の第１端ｎ１は、ＰトランジスタＰ６Ｌを介して第１配線ＴＰＨに接続され、第２端ｎ２は、ＰトランジスタＰ６Ｒを介して第１配線ＴＰＨに接続されることになる。

電界タッチ検出期間ＴＣ（ｎ）においては、第１配線ＴＰＨに供給される電圧が周期的に変化するため、駆動電極ＴＬ（ｎ）は、その第１端ｎ１および第２端ｎ２に、周期的に変化する信号が供給されることになり、その信号の変化に従った電界を発生する。

なお、第２スキャナ回路ＳＣＢＬおよび第４スキャナ回路ＳＣＢＲは、電界タッチ検出のとき、ロウレベルの第２選択信号を継続的に出力しているため、単位選択回路ＳＥＬ（ｎ）、ＳＥＲ（ｎ）におけるＮトランジスタＮ５Ｌ、Ｎ５Ｒはオフ状態となっている。

また、電界タッチ検出期間ＴＣ（ｎ）のとき、第１スキャナ回路ＳＣＡＬおよび第３スキャナ回路ＳＣＡＲのシフトレジスタにおいて、シフト段ＦＡＬ（ｎ）、ＦＡＲ（ｎ）を除くシフト段は、全て、駆動電極の非選択を示すロウレベルを保持しているため、第１選択信号はロウレベルとなる。図１４および図１５に示した例では、シフト段ＦＡＬ（ｎ＋１）〜ＦＡＬ（ｎ＋５）およびＦＡＲ（ｎ＋１）〜ＦＡＲ（ｎ＋５）は、ロウレベルの第１選択信号ＡＬ（ｎ＋１）〜ＡＬ（ｎ＋５）およびＡＲ（ｎ＋１）〜ＡＲ（ｎ＋５）を出力することになる。そのため、シフト段ＦＡＬ（ｎ＋１）〜ＦＡＬ（ｎ＋５）およびＦＡＲ（ｎ＋１）〜ＦＡＲ（ｎ＋５）に対応した単位選択回路ＳＥＬ（ｎ＋１）〜ＳＥＬ（ｎ＋５）およびＳＥＲ（ｎ＋１）〜ＳＥＲ（ｎ＋５）のそれぞれにおいて、第１転送スイッチＴＰ１Ｌ、ＴＰ１Ｒおよび第２転送スイッチＴＰ２Ｌ、ＴＰ２Ｒがオフ状態となる。

このとき、単位選択回路ＳＥＬ（ｎ＋１）〜ＳＥＬ（ｎ＋５）およびＳＥＲ（ｎ＋１）〜ＳＥＲ（ｎ＋５）のそれぞれにおいて、ＮトランジスタＮ６Ｌ、Ｎ６Ｒ、Ｎ７ＬおよびＮ７Ｒがオン状態となるため、ロウレベルの電圧ＶＧＬＯがインバータ回路ＩＶ２Ｌ、ＩＶ２Ｒに供給されることになる。その結果、単位選択回路ＳＥＬ（ｎ＋１）〜ＳＥＬ（ｎ＋５）およびＳＥＲ（ｎ＋１）〜ＳＥＲ（ｎ＋５）は、図２０および図２１に示すように、ハイレベルの第１単位選択信号ＳＥＬＨ＿Ｌ（ｎ＋１）〜ＳＥＬＨ＿Ｌ（ｎ＋５）およびＳＥＬＨ＿Ｒ（ｎ＋１）〜ＳＥＬＨ＿Ｒ（ｎ＋５）を出力することになる。

また、このとき、単位選択回路ＳＥＬ（ｎ＋１）〜ＳＥＬ（ｎ＋５）およびＳＥＲ（ｎ＋１）〜ＳＥＲ（ｎ＋５）のそれぞれにおいて、第３転送スイッチＴＰ３Ｌ、ＴＰ３Ｒおよび第４転送スイッチＴＰ４Ｌ、ＴＰ４Ｒがオン状態となるため、ロウレベルの制御信号ＣＯＭＦＬが、インバータ回路ＩＶ１Ｌ、ＩＶ１Ｒによって位相反転され、インバータ回路ＩＶ３Ｌ、ＩＶ３Ｒに供給されることになる。その結果、単位選択回路ＳＥＬ（ｎ＋１）〜ＳＥＬ（ｎ＋５）およびＳＥＲ（ｎ＋１）〜ＳＥＲ（ｎ＋５）は、図２０および図２１に示すように、ロウレベルの第２単位選択信号ＳＥＬＧ＿Ｌ（ｎ＋１）〜ＳＥＬＧ＿Ｌ（ｎ＋５）およびＳＥＬＧ＿Ｒ（ｎ＋１）〜ＳＥＬＧ＿Ｒ（ｎ＋５）を出力することになる。

このように、非選択を示すロウレベルを格納したシフト段に対応する単位選択回路からは、ロウレベルの第２単位選択信号（例えば、ＳＥＬＧ＿Ｌ（ｎ＋１）〜ＳＥＬＧ＿Ｌ（ｎ＋５）およびＳＥＬＧ＿Ｒ（ｎ＋１）〜ＳＥＬＧ＿Ｒ（ｎ＋５））が出力されるため、これらのシフト段に対応した単位駆動回路ＵＳＬ、ＵＳＲにおいて、ＰトランジスタＰ７Ｌ、Ｐ７Ｒがオン状態となる。その結果、非選択の駆動電極（ＴＬ（ｎ＋１）〜ＴＬ（ｎ＋５））は、その第１端ｎ１および第２端ｎ２に、第２配線ＴＰＬを介して第２電圧Ｖｓが供給されることになり、ノイズの低減を図ることが可能となる。

電界タッチ検出期間ＴＣ（ｎ）を例にして説明したが、駆動電極の選択を示すハイレベルが、シフト段を移動することにより、電界タッチ検出期間ＴＣ（ｎ＋１）〜ＴＣ（ｎ＋５）においても同様に、選択された駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）〜ＴＬ（ｎ＋５）において電界が発生する。例えば、図２０および図２１において、電界タッチ検出期間ＴＣ（ｎ＋２）であるタイミング（一点鎖線Ｆ１９）では、シフト段ＦＡＬ（ｎ＋２）、ＦＡＲ（ｎ＋２）が、駆動電極ＴＬ（ｎ＋２）の選択を示すハイレベルを保持している。これにより、図２０および図２１に示すような、第１単位選択信号ＳＥＬＨ＿Ｌ（ｎ）〜ＳＥＬＨ＿Ｌ（ｎ＋５）、ＳＥＬＨ＿Ｒ（ｎ）〜ＳＥＬＨ＿Ｒ（ｎ＋５）および第２単位選択信号ＳＥＬＧ＿Ｌ（ｎ）〜ＳＥＬＧ＿Ｌ（ｎ＋５）、ＳＥＬＧ＿Ｒ（ｎ）〜ＳＥＬＧ＿Ｒ（ｎ＋５）が出力され、第１スイッチＳ０１（Ｐ６Ｌ、Ｐ６Ｒ）、第２スイッチＳ００（Ｐ７Ｌ、Ｐ７Ｒ）は、図１９に示すような状態になる。この状態では、駆動電極ＴＬ（ｎ＋２）が選択され、その第１端ｎ１および第２端ｎ２に、周期的に電圧が変化する駆動信号が供給され、この駆動電極ＴＬ（ｎ＋２）において、駆動信号に従った電界が発生する。

電界タッチ検出期間ＴＣ（ｎ）〜ＴＣ（ｎ＋５）のそれぞれにおいて、第２基板に形成された検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）を用いて、電界の変化が、図３で説明したように検出される。検出電極を用いた電界の変化の検出は、図３で説明したのと同様であるため、説明は省略する。

＜効果＞
実施の形態１に係わる表示装置１によれば、電磁誘導方式と静電容量方式の入力検出装置を内蔵した場合のノイズ低減が可能な表示装置１を提供することができる。特に、第１配線ＴＰＨの負荷に関係するノイズを低減することができる。また、負荷の充放電を低減し、駆動電極の電圧を変化させる速度を速くすることができる。この結果、電磁誘導方式と静電容量方式との両駆動を可能にしつつ、電磁誘導方式による駆動の高速化およびノイズ低減が可能となる。

（実施の形態２）
実施の形態２に係わる表示装置１について説明する。この実施の形態２では、先に説明した実施の形態１との相違点を主に説明する。

図２２は、実施の形態２に係わる第１スキャナ回路対ＳＣＬ、第２スキャナ回路対ＳＣＲ、第１選択駆動回路ＳＤＬおよび第２選択駆動回路ＳＤＲの構成を示すブロック図である。図２２は、先に説明した図１３と類似しているので、ここでは相違点を主に説明する。相違点は、第２スキャナ回路対ＳＣＲから第２選択駆動回路ＳＤＲへの選択信号への接続が、図２２と図１３とでは、異なることである。すなわち、第２選択駆動回路ＳＤＲを構成する単位選択回路ＳＥＲ（ｎ）〜ＳＥＲ（ｎ＋５）に供給される第１選択信号ＡＲ（ｎ）〜ＡＲ（ｎ＋５）および第１反転選択信号ＸＡＲ（ｎ）〜ＸＡＲ（ｎ＋５）と、第２選択信号ＢＲ（ｎ）〜ＢＲ（ｎ＋５）および第２反転選択信号ＸＢＲ（ｎ）〜ＸＢＲ（ｎ＋５）とが入れ替わっていることである。この相違点を除いて、図２２と図１３は同じである。

図２３は、実施の形態２に係わる第２選択駆動回路ＳＤＲの構成を示す回路図である。図２３には、第２選択駆動回路ＳＤＲを構成する複数の単位選択回路のうち、単位選択回路ＳＥＲ（ｎ）とこの単位選択回路ＳＥＲ（ｎ）に対応する単位駆動回路ＵＳＲの構成が示されている。実施の形態２に係わる第１選択駆動回路ＳＤＬを構成する単位選択回路ＳＥＬ（ｎ）〜ＳＥＬ（ｎ＋５）および単位駆動回路ＵＳＬの構成は、実施の形態１と同じである。例えば、図２２に示した単位選択回路ＳＥＬ（ｎ）とこの単位選択回路ＳＥＬ（ｎ）に対応した単位駆動回路ＵＳＬは、図１６（Ａ）に示した構成を有している。図２２に示した単位選択回路ＳＥＬ（ｎ＋１）〜ＳＥＬ（ｎ＋５）とそれぞれに対応した単位駆動回路ＵＳＬについても、それぞれ図１６（Ａ）に示したような構成を有している。

図２３に示した単位選択回路ＳＥＲ（ｎ）は、図１６（Ｂ）に示した単位選択回路と同様に、第１転送スイッチＴＰ１Ｒ〜第４転送スイッチＴＰ４Ｒ、ＮトランジスタＮ５Ｒ〜Ｎ７Ｒ、ＰトランジスタＰ５Ｒおよびインバータ回路ＩＶ１Ｒ〜ＩＶ３Ｒを備えている。これらの第１転送スイッチＴＰ１Ｒ〜第４転送スイッチＴＰ４Ｒ、ＮトランジスタＮ５Ｒ〜Ｎ７Ｒ、ＰトランジスタＰ５Ｒおよびインバータ回路ＩＶ１Ｒ〜ＩＶ３Ｒの相互の接続は、図１６（Ｂ）と同じである。また、単位選択回路ＳＥＲ（ｎ）に対応した単位駆動回路ＵＳＲの構成は、図１６（Ｂ）に示した単位駆動回路と同じである。

図１６（Ｂ）に示した単位選択回路においては、第１転送スイッチＴＰ１Ｒ、第２転送スイッチＴＰ２Ｒおよび第３転送スイッチＴＰ３Ｒが、第３スキャナ回路ＳＣＡＲからの第１選択信号ＡＲ（ｎ）および第１反転選択信号ＸＡＲ（ｎ）によって、スイッチ制御され、ＮトランジスタＮ７Ｒが、第１反転選択信号ＸＡＲ（ｎ）によって、スイッチ制御されていた。また、図１６（Ｂ）の単位選択回路においては、第４転送スイッチＴＰ４Ｒが、第４スキャナ回路ＳＣＢＲからの第２選択信号ＢＲ（ｎ）および第２反転選択信号ＸＢＲ（ｎ）によって、スイッチ制御され、ＮトランジスタＮ５Ｒが、第２選択信号ＢＲ（ｎ）によって、スイッチ制御され、ＮトランジスタＮ６ＲおよびＰトランジスタＰ５Ｒが、第２反転選択信号ＸＢＲ（ｎ）によって、スイッチ制御されていた。

これに対して、図２３に示す単位選択回路ＳＥＲ（ｎ）においては、第１転送スイッチＴＰ１Ｒ、第２転送スイッチＴＰ２Ｒおよび第３転送スイッチＴＰ３Ｒは、第４スキャナ回路ＳＣＢＲからの第２選択信号ＢＲ（ｎ）および第２反転選択信号ＸＢＲ（ｎ）によって、スイッチ制御され、ＮトランジスタＮ７Ｒは、第２反転選択信号ＸＢＲ（ｎ）によって、スイッチ制御される。また、図２３の単位選択回路においては、第４転送スイッチＴＰ４Ｒは、第３スキャナ回路ＳＣＡＲからの第１選択信号ＡＲ（ｎ）および第１反転選択信号ＸＡＲ（ｎ）によって、スイッチ制御され、ＮトランジスタＮ５Ｒは、第１選択信号ＡＲ（ｎ）によって、スイッチ制御され、ＮトランジスタＮ６ＲおよびＰトランジスタＰ５Ｒは、第１反転選択信号ＸＡＲ（ｎ）によって、スイッチ制御される。ここでは、単位選択回路ＳＥＲ（ｎ）を例にして、説明したが、他の単位選択回路ＳＥＲ（ｎ＋１）〜ＳＥＲ（ｎ＋５）も同様になっている。これにより、実施の形態２においては、第３スキャナ回路ＳＣＡＲおよび第４スキャナ回路ＳＣＢＲから、第２選択駆動回路ＳＤＲへ供給される第１選択信号と第２選択信号が、実施の形態１に対して入れ替えられている。

＜磁界タッチ検出の全体動作＞
次に、実施の形態２に係わる表示装置１における磁界タッチ検出の全体動作を、波形図を用いて説明する。ここでも、図面が複雑になるのを避けるために、波形図は、図２４および図２５に分けてある。図２５を、図２４の下側に配置することによって、表示装置１の動作を示す波形図が完成する。図２４および図２５は、図１７および図１８に類似しているので、ここでは主に相違点を説明する。

実施の形態１と同様に、この実施の形態２においても、制御装置３は、離間量レジスタＳ−ＲＥＧに格納された離間量＋１の情報に基づいて、スタート信号ＳＴ−ＡＲ、ＳＴ−ＢＲ、ＳＴ−ＡＬ、ＳＴ−ＢＬおよびシフトクロック信号ＣＫ−ＡＬ、ＣＫ−ＢＬ、ＣＫ−ＡＲ、ＣＫ−ＢＲを形成する。実施の形態１では、開始期間ＴＰ（ｓｓ）の前に、離間量＋１に基づいた回数、シフトクロック信号ＣＫ−ＡＬ、ＣＫ−ＢＲを変化させ、シフトクロック信号ＣＫ−ＡＬ、ＣＫ−ＢＲを最初に変化させるとき、駆動電極の選択を示すハイレベルのスタート信号ＳＴ−ＡＬ、ＳＴ−ＢＲを、第１スキャナ回路ＳＣＡＬおよび第４スキャナ回路ＳＣＢＲに供給していた。これに対して、実施の形態２において、制御装置３は、第１スキャナ回路ＳＣＡＬおよび第３スキャナ回路ＳＣＡＲに供給されるシフトクロック信号ＣＫ−ＡＬ、ＣＫ−ＡＲを、開始期間ＴＰ（ｓｓ）の前に、離間量＋１に基づいた回数、変化させ、シフトクロック信号ＣＫ−ＡＬ、ＣＫ−ＡＲを最初に変化させるとき、駆動電極の選択を示すハイレベルのスタート信号ＳＴ−ＡＬ、ＳＴ−ＡＲを、第１スキャナ回路ＳＣＡＬおよび第３スキャナ回路ＳＣＡＲに供給する。

すなわち、制御装置３は、図２４および図２５において、開始期間ＴＰ（ｓｓ）が始まる時刻ｔ５よりも前の時刻ｔ１のときに、シフトクロック信号ＣＫ−ＡＬ、ＣＫ−ＡＲを変化させる。この実施の形態２においても、離間量に基づいた回数は、実施の形態１と同様に２回であるため、時刻ｔ５よりも前の時刻ｔ１と時刻ｔ３において、制御装置３は、シフトクロック信号ＣＫ−ＡＬ、ＣＫ−ＡＲを変化させる。また、制御装置３は、時刻ｔ０から時刻ｔ２において、スタート信号ＳＴ−ＡＬ、ＳＴ−ＡＲを、駆動電極の選択を示すハイレベルにする。その後、時刻ｔ４において、制御装置３は、スタート信号ＳＴ−ＢＬ、ＳＴ−ＢＲを、駆動電極の選択を示すハイレベルにする。以降、制御装置３は、磁界タッチ検出期間（例えばＴＰ（ｎ）〜ＴＰ（ｎ＋５））ごとに、シフトクロック信号ＣＫ−ＡＬ、ＣＫ−ＢＬ、ＣＫ−ＡＲおよびＣＫ―ＢＲを変化させる。このとき、シフトクロック信号ＣＫ−ＡＬ、ＣＫ−ＢＬ、ＣＫ−ＡＲおよびＣＫ―ＢＲが、互いに同じ周期となるように、制御装置３は、これらのシフトクロック信号を変化させる。

これにより、第１スキャナ回路ＳＣＡＬおよび第３スキャナ回路ＳＣＡＲは、第２スキャナ回路ＳＣＢＬおよび第４スキャナ回路ＳＣＢＲが出力する第２選択信号によって指定される駆動電極よりも２個分、駆動電極ＴＬ（ｐ）側に近い駆動電極を指定する第１選択信号を出力するようになる。

シフトクロック信号ＣＫ−ＡＬ、ＣＫ−ＢＬ、ＣＫ−ＡＲ、ＣＫ−ＢＲが変化して、例えば、磁界タッチ検出期間ＴＰ（ｎ−１）に到達すると、第１スキャナ回路ＳＣＡＬおよび第３スキャナ回路ＳＣＡＲのそれぞれにおいて、シフト段ＦＡＬ（ｎ）、ＦＡＲ（ｎ）（図１４および図１５参照）が、前段のシフト段からハイレベルのスタート信号ＳＴ−ＡＬ、ＳＴ−ＡＲを取り込み、保持する。これにより、第１選択信号ＡＬ（ｎ）、ＡＲ（ｎ）がハイレベルとなる。第１選択信号ＡＬ（ｎ）がハイレベルとなることにより、図１６（Ａ）に示した単位選択回路ＳＥＬ（ｎ）において、第１転送スイッチＴＰ１Ｌ、第２転送スイッチＴＰ２Ｌがオン状態となり、単位選択回路ＳＥＬ（ｎ）は、図２４に示すように、状態選択信号ＶＳＥＬ１、ＶＳＥＬ２に従って変化する第１単位選択信号ＳＥＬＨ＿Ｌ（ｎ）、第２単位選択信号ＳＥＬＧ＿Ｌ（ｎ）を出力する。これに対して、第１選択信号ＡＲ（ｎ）がハイレベルとなることにより、図２３に示した単位選択回路ＳＥＲ（ｎ）において、ＮトランジスタＮ５Ｒ、ＰトランジスタＰ５Ｒがオン状態となる。その結果、図２５に示すように、単位選択回路ＳＥＲ（ｎ）は、状態選択信号ＶＳＥＬ１、ＶＳＥＬ２に従って変化するハイレベルの第１単位選択信号ＳＥＬＨ＿Ｒ（ｎ）とロウレベルの第２単位選択信号ＳＥＬＧ＿Ｒ（ｎ）を出力する。

これにより、駆動電極ＴＬ（ｎ）の第１端ｎ１には、単位駆動回路ＵＳＬ内のＰトランジスタＰ６ＬおよびＰ７Ｌを介して、交互に第１電圧Ｖｄまたは第２電圧Ｖｓが供給され、駆動電極ＴＬ（ｎ）の第２端ｎ２には、単位駆動回路ＵＳＲ内のＰトランジスタＰ７Ｒを介して、第２電圧Ｖｓが供給されるようになる。その結果、駆動電極ＴＬ（ｎ）は、状態選択信号ＶＳＥＬ１、ＶＳＥＬ２の変化に従って駆動状態になり、磁界を発生する。

次に、シフトクロック信号ＣＫ−ＡＬ、ＣＫ−ＢＬ、ＣＫ−ＡＲおよびＣＫ−ＢＲが変化して、例えば磁界タッチ検出期間ＴＰ（ｎ＋１）に到達すると、第１スキャナ回路ＳＣＡＬ、第２スキャナ回路ＳＣＢＬ、第３スキャナ回路ＳＣＡＲおよび第４スキャナ回路ＳＣＢＲのシフトレジスタにおいて、ハイレベルのスタート信号が移動して、シフト段ＦＡＬ（ｎ＋２）、ＦＡＲ（ｎ＋２）、ＦＢＬ（ｎ）およびＦＢＲ（ｎ）に到達する。これにより、第１スキャナ回路ＳＣＡＬおよび第３スキャナ回路ＳＣＡＲは、駆動電極ＴＬ（ｎ＋２）を選択するように、第１選択信号ＡＬ（ｎ＋２）およびＡＲ（ｎ＋２）をハイレベルにし、第２スキャナ回路ＳＣＢＬおよび第４スキャナ回路ＳＣＢＲは、駆動電極ＴＬ（ｎ）を選択するように、第２選択信号ＢＬ（ｎ）およびＢＲ（ｎ）をハイレベルにする。

第１選択信号ＡＬ（ｎ＋２）およびＡＲ（ｎ＋２）がハイレベルとなることにより、状態選択信号ＶＳＥＬ１、ＶＳＥＬ２に従って、図２４および図２５に示すように、第１単位選択信号ＳＥＬＨ＿Ｌ（ｎ＋２）および第２単位選択信号ＳＥＬＧ＿Ｌ（ｎ＋２）が変化する。また第１単位選択信号ＳＥＬＨ＿Ｒ（ｎ＋２）はハイレベルとなり第２単位選択信号ＳＥＬＧ＿Ｒ（ｎ＋２）はロウレベルとなる。その結果、駆動電極ＴＬ（ｎ＋２）は駆動状態になり、磁界を発生する。

また、第２選択信号ＢＬ（ｎ）、ＢＲ（ｎ）がハイレベルとなることにより、図１６（Ａ）に示したＮトランジスタＮ５Ｌ、ＰトランジスタＰ５Ｌがオン状態となり、図２３に示した第１転送スイッチＴＰ１Ｒ、第２転送スイッチＴＰ２Ｒがオン状態となる。これにより、状態選択信号ＶＳＥＬ１、ＶＳＥＬ２に従って、図２４および図２５に示すように、第１単位選択信号ＳＥＬＨ＿Ｒ（ｎ）および第２単位選択信号ＳＥＬＧ＿Ｒ（ｎ）が変化する。また第１単位選択信号ＳＥＬＨ＿Ｌ（ｎ）はハイレベルとなり第２単位選択信号ＳＥＬＧ＿Ｌ（ｎ）はロウレベルとなる。その結果、駆動電極ＴＬ（ｎ）は駆動状態になり、磁界を発生する。

駆動電極ＴＬ（ｎ）によって発生した磁界と、駆動電極ＴＬ（ｎ＋２）によって発生した磁界は、駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）の領域において、重畳される。それぞれの磁界が発生するため、発生する磁界の変化を多くすることが可能となる。

以降、磁界タッチ検出期間ＴＰ（ｎ＋２）〜ＴＰ（ｎ＋５）のそれぞれにおいて、同様に磁界が発生する。なお、図２２に示した接続状態は、図２４および図２５において、一点鎖線Ｆ２２で囲んだタイミングのときに相当する。

また、磁界タッチ検出期間においては、実施の形態１と同様に、制御信号ＣＯＭＦＬがハイレベルとなるため、非選択の駆動電極はフローティング状態となる。これにより、実施の形態１と同様に、選択された駆動電極の電圧を変化させる際に、充放電する寄生容量を低減することが可能となっている。さらに、実施の形態１と同様に、磁界タッチ検出期間においては、走査線および信号線がフローティング状態となるように、制御装置３によって制御されている．これによっても、選択された駆動電極の電圧を変化させる際に、充放電する寄生容量を低減することが可能となっている。

＜電界タッチ検出の動作＞
実施の形態１と同様に、実施の形態２においても、電界タッチ検出が可能である。図２６は、電界タッチ検出の構成を示すブロック図である。図２６は、図２２と同様に、第２選択駆動回路ＳＤＲを構成する単位選択回路ＳＥＲ（ｎ）〜ＳＥＲ（ｎ＋５）に供給される第１選択信号ＡＲ（ｎ）〜ＡＲ（ｎ＋５）と、第２選択信号ＢＲ（ｎ）〜ＢＲ（ｎ＋５）とが入れ替わっている。

図２７および図２８は、電界タッチ検出の動作を説明する波形図である。波形図を用いて、電界タッチ検出のときの動作を説明する。図面が複雑になるのを避けるために、ここでも、波形図は、図２７および図２８に分けてある。図２８を、図２７の下側に配置することにより、波形図が完成する。図２７および図２８は、図２０および図２１に類似しているため、相違点を主に説明する。

この実施の形態２においても、実施の形態１と同様に、制御装置３は、電界タッチ検出のとき、離間量を用いずに、シフトクロック信号とスタート信号を生成する。しかしながら、実施の形態１と異なり、制御装置３は、図２７および図２８に示すように、時刻ｔ０において、スタート信号ＳＴ−ＡＲの代わりにスタート信号ＳＴ−ＢＲを、ロウレベルから選択を示すハイレベルへ変化させる。また、制御装置３は、開始期間ＴＣ（ｓｓ）および電界タッチ検出期間ごとに、シフトクロック信号ＣＫ−ＡＬおよびＣＫ−ＢＲを、ロウレベルからハイレベルに変化させる。すなわち、シフトクロック信号ＣＫ−ＡＬ、ＣＫ−ＢＲを周期的に変化させる。また、制御装置３は、図２７および図２８に示すように、スタート信号ＳＴ−ＢＬおよびＳＴ−ＡＲのそれぞれをロウレベルＬに維持し、シフトクロック信号ＣＫ−ＢＬおよびＣＫ−ＡＲをロウレベルＬに維持する。すなわち、電界タッチ検出のとき、シフトクロック信号ＣＫ−ＢＬ、ＣＫ−ＡＲは変化しない。

シフトクロック信号ＣＫ−ＡＬ、ＣＫ−ＢＲが変化し、駆動電極の選択を示すハイレベルのスタート信号ＳＴ−ＡＬ、ＳＴ−ＢＲが、シフト段ＦＡＬ（ｎ）、ＦＢＲ（ｎ）（図１４および図１５参照）に保持されると、電界タッチ検出期間ＴＣ（ｎ）となる。シフト段ＦＡＬ（ｎ）、ＦＢＲ（ｎ）が、ハイレベルのスタート信号ＳＴ−ＡＬ、ＳＴ−ＢＬを格納することにより、第１選択信号ＡＬ（ｎ）および第２選択信号ＢＲ（ｎ）がハイレベルとなる。これにより、図１６（Ａ）に示した第１転送スイッチＴＰ１Ｌおよび第２転送スイッチＴＰ２Ｌと、図２３に示した第１転送スイッチＴＰ１Ｒおよび第２転送スイッチＴＰ２Ｒがオン状態となる。電界タッチ検出期間ＴＣ（ｎ）においては、状態選択信号ＶＳＥＬ１がハイレベルとなり、状態選択信号ＶＳＥＬ２がロウレベルとなっているため、図２７および図２８に示すように、第２単位選択信号ＳＥＬＧ＿Ｌ（ｎ）およびＳＥＬＧ＿Ｒ（ｎ）は、ハイレベルとなり、第１単位選択信号ＳＥＬＨ＿Ｌ（ｎ）およびＳＥＬＨ＿Ｒ（ｎ）は、ロウレベルとなる。

その結果、駆動電極ＴＬ（ｎ）の第１端ｎ１は、単位駆動回路ＵＳＬ内のＰトランジスタＰ６Ｌを介して、第１配線ＴＰＨに接続され、第２端ｎ２は、単位駆動回路ＵＳＲ内のＰトランジスタＰ６Ｒを介して、第１配線ＴＰＨに接続されることになる。これにより、電界タッチ検出期間ＴＣ（ｎ）においては、第１配線ＴＰＨに供給されている周期的に変化する駆動信号が、駆動電極ＴＬ（ｎ）の第１端ｎ１および第２端ｎ２から供給され、電界を発生することになる。

電界タッチ検出期間ＴＣ（ｎ）を例にして説明したが、他の電界タッチ検出期間においても同様である。また、この実施の形態２においても、電界タッチ検出期間においては、制御信号ＣＯＭＦＬがロウレベルにされているため、非選択の駆動電極には、第２電圧Ｖｓが供給されるため、ノイズの低減を図ることができる。

磁界タッチ検出期間において、ペンＰｅｎからの磁界は、図２で説明したように、第２基板に形成された検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）によって検出され、電界タッチ検出期間において、電界の変化も、図３で説明したように、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）によって検出される。

＜電子装置＞
図２９は、実施の形態１および２において説明した表示装置１を備えた電子装置１００の構成を示す斜視図である。電子装置１００は、表示装置１を備えたタブレット型のコンピュータ１０１とペンＰｅｎとを備えている。ペンＰｅｎは、図２に示したように、コイルおよび容量素子を含む指示器である。図２９において、２は、上記した表示領域を示し、１０２は、表示領域２を囲むように配置された額縁領域を示している。また、１０３は、コンピュータ１０１のボタンを示している。

上記した表示期間ＤＰにおいて、表示領域２に画像の表示が行われ、磁界タッチ検出期間ＴＰ（ｎ）〜ＴＰ（ｎ＋５）等において、ペンＰｅｎが、表示領域２に近接しているか否か、および座標の検出が行われ、この検出の結果に応じて、コンピュータ１０１が処理を行う。

＜効果＞
実施の形態２に係わる表示装置１においても、実施の形態１と同様に、電磁誘導方式と静電容量方式の入力検出装置を内蔵した場合のノイズ低減が可能な表示装置１を提供することができる。特に、第１配線ＴＰＨの負荷に関係するノイズを低減することができる。また、負荷の充放電を低減し、駆動電極の電圧を変化させる速度を速くすることができる。この結果、電磁誘導方式と静電容量方式との両駆動を可能にしつつ、電磁誘導方式による駆動の高速化およびノイズ低減が可能となる。

本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変形例及び修正例に想到し得るものであり、それら変形例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。

例えば、前述の各実施の形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。

例えば、前述の実施の形態においては、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）は、行方向に延在し、列方向に平行に配置されている場合を説明したが、行方向および列方向は、見る視点により変化する。見る視点を変えて、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）が、列方向に延在し、行方向に平行に配置されている場合も本発明の範囲に含まれるものである。また、本明細書で用いている「平行」とは、互いに一端から他端に亘るまで交わることなく延在することを意味する。そのため、一方の線（あるいは電極）の一部又は全部が他方の線（あるいは電極）に対して傾いた状態で設けられていたとしても、これらの線が一端から他端まで交わるものでなければ、本明細書においては、この状態も「平行」であるとする。

１ 表示装置
３ 制御装置
５ タッチ制御装置
１００ 電子装置
ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ） 駆動電極
ＴＰＨ 第１配線
ＴＰＬ 第２配線
ＳＣＡＬ 第１スキャナ回路
ＳＣＢＬ 第２スキャナ回路
ＳＣＡＲ 第３スキャナ回路
ＳＣＢＲ 第４スキャナ回路
ＳＣＬ 第１スキャナ回路対
ＳＣＲ 第２スキャナ回路対
ＳＤＬ 第１選択駆動回路
ＳＤＲ 第２選択駆動回路
ＳＥＬ（ｎ）〜ＳＥＬ（ｎ＋５）、ＳＥＲ（ｎ）〜ＳＥＲ（ｎ＋５） 単位選択回路
ＳＥＬＬ、ＳＥＬＲ 選択回路
ＤＲＶＬ、ＤＲＶＲ 駆動回路
ＵＳＬ、ＵＳＲ 単位駆動回路

Claims (13)

1. 複数の駆動電極と、
   前記複数の駆動電極に第１電圧を供給する第１配線と、
   前記複数の駆動電極に前記第１電圧と異なる第２電圧を供給する第２配線と、
   を備え、
   前記複数の駆動電極に前記第１電圧および前記第２電圧を供給することにより発生する磁界により電磁誘導方式の入力検出を行い、前記第１配線および前記第２配線を流れる前記第１電圧および前記第２電圧の両方が直流電圧である、入力検出装置。
2. 請求項１に記載の入力検出装置において、
   前記複数の駆動電極が配置された基板をさらに備え、
   前記第１配線と前記第２配線とが前記基板の額縁領域に配置される、入力検出装置。
3. 請求項１または２に記載の入力検出装置において、
   前記複数の駆動電極は、第１駆動電極と、第２駆動電極と、を含み、
   前記第１駆動電極と前記第２駆動電極とが同時に駆動して、前記第１電圧と前記第２電圧との電圧差によって流れる電流により磁界が発生する、入力検出装置。
4. 請求項３に記載の入力検出装置において、
   前記第１配線および前記第２配線と前記第１駆動電極の第１端との間を接続する第１選択回路をさらに備え、
   前記第１選択回路は、前記第１駆動電極の第１端に前記第１配線と前記第２配線とを交互に接続することにより前記第１電圧と前記第２電圧とを交互に供給する、入力検出装置。
5. 請求項４に記載の入力検出装置において、
   前記第１配線および前記第２配線と前記第１駆動電極の第２端との間を接続する第２選択回路をさらに備え、
   前記第２選択回路は、前記第１駆動電極の第１端に前記第１配線と前記第２配線とが交互に接続される間、前記第１駆動電極の第２端を継続的に前記第２配線に接続し、前記第２電圧を供給する、入力検出装置。
6. 請求項５に記載の入力検出装置において、
   前記第２電圧は、前記第１電圧よりも電圧値が低い電圧である、入力検出装置。
7. 請求項３に記載の入力検出装置において、
   前記第１配線および前記第２配線と前記第２駆動電極の第１端との間を接続する第１選択回路と、前記第１配線および前記第２配線と前記第２駆動電極の第２端との間を接続する第２選択回路と、をさらに備え、
   前記第１駆動電極の第１端に前記第１配線と前記第２配線とが交互に接続され、かつ第２端に前記第２配線が継続的に接続される間、前記第２選択回路は、前記第２駆動電極の第２端に、前記第１配線と前記第２配線とを交互に接続し、かつ前記第１選択回路は前記第２駆動電極の第１端に前記第２配線を継続的に接続する、入力検出装置。
8. 請求項７に記載の入力検出装置において、
   コイルおよび容量素子を含む指示器をさらに備える、入力検出装置。
9. 請求項４〜７のいずれか一項に記載の入力検出装置において、
   前記複数の駆動電極は所定方向に配列され、同時に選択される前記第１駆動電極と前記第２駆動電極との間に非選択の駆動電極が配置され、
   前記第１駆動電極と前記第２駆動電極とが同時に駆動されることにより、前記非選択の駆動電極が配置された領域において、前記第１駆動電極により発生した磁界と、前記第２駆動電極により発生した磁界とが重畳される、入力検出装置。
10. 請求項７に記載の入力検出装置において、
    前記第１選択回路に選択信号を供給する第１スキャナ回路および第２スキャナ回路と、前記第２選択回路に選択信号を供給する第３スキャナ回路および第４スキャナ回路と、をさらに備える、入力検出装置。
11. 請求項１０に記載の入力検出装置において、
    前記第１スキャナ回路と前記第２スキャナ回路とが前記複数の駆動電極が配置された基板の額縁領域の第１辺に沿って配置され、前記第３スキャナ回路と前記第４スキャナ回路とが前記額縁領域の第２辺に沿って配置される、入力検出装置。
12. 請求項１１に記載の入力検出装置において、
    第１ゲートドライバおよび第２ゲートドライバをさらに備え、
    前記第１スキャナ回路と前記第２スキャナ回路と前記第１ゲートドライバとが前記額縁領域の第１辺に沿って配置され、前記第３スキャナ回路と前記第４スキャナ回路と前記第２ゲートドライバとが前記額縁領域の第２辺に沿って配置される、入力検出装置。
13. 請求項１〜１２のいずれか一項に記載の入力検出装置を備える、電子装置。

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