JP2018022076A - 貫通電極基板及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】レンズと受光素子を備えた電子機器の厚みを低減することができる貫通電極基板を提供する。【解決手段】受光素子が搭載される貫通電極基板１０は、第１面から第１面の反対側に位置する第２面へ光を透過させる光透過領域１８を有し、光透過領域の外側に複数の貫通孔２０が設けられた基板１２と、基板の貫通孔に設けられた貫通電極２２と、基板の光透過領域に設けられ、基板の第１面及び第２面の少なくともいずれか一方における光の反射を抑制する反射抑制機構４２と、を備える。【選択図】図２

Description

本開示の実施形態は、貫通電極基板及に関する。また、本開示の実施形態は、レンズと、レンズに対向するよう配置された受光素子と、レンズと受光素子との間に配置された貫通電極基板と、を備える電子機器に関する。

第１面及び第２面を含む基板と、基板に設けられた複数の孔と、基板の第１面側から第２面側へ至るように孔の内部に設けられた電極部と、を備える部材、いわゆる貫通電極基板が、様々な用途で利用されている。例えば特許文献１は、貫通電極基板を、カメラ用のレンズを透過した光を受光する受光素子が搭載される基板として用いる例を開示している。

特開２０１２−２２２５４６号公報

レンズを透過した光を受光素子において結像させるためには、レンズと受光素子との間の距離を適切に確保する必要がある。このため、レンズ、受光素子及び貫通電極基板を備える電子機器の厚みが大きくなってしまう。

本開示の実施形態は、このような点を考慮してなされたものであり、電子機器の厚みを低減することができる貫通電極基板を提供することを目的とする。

本開示の一実施形態は、第１面から前記第１面の反対側に位置する第２面へ光を透過させる光透過領域を有し、前記光透過領域の外側に複数の貫通孔が設けられた基板と、前記基板の前記貫通孔に設けられた貫通電極と、前記基板の前記光透過領域に設けられ、前記基板の前記第１面及び前記第２面の少なくともいずれか一方における光の反射を抑制する反射抑制機構と、を備える、貫通電極基板である。

本発明の一実施形態による貫通電極基板において、前記反射抑制機構は、前記基板の前記第２面側に設けられた第２面反射抑制層を含んでいてもよい。

本発明の一実施形態による貫通電極基板において、前記第２面反射抑制層は、前記基板の屈折率よりも小さい屈折率を有する第１干渉層を少なくとも備え、前記第１干渉層の屈折率と、前記第１干渉層の厚みとの積が、下記の式（Ａ）を満たしていてもよい。
Ｎ×Ｄ＝（ｍ＋１／２）×２７５〔ｎｍ〕…（Ａ）
Ｎ：第１干渉層の屈折率
Ｄ：第１干渉層の厚み
ｍ：０以上の整数

本発明の一実施形態による貫通電極基板において、前記第２面反射抑制層は、樹脂及び前記樹脂内の複数の粒子を含む防眩層を備えていてもよい。

本発明の一実施形態による貫通電極基板において、前記第２面反射抑制層は、３８０ｎｍ以下の平均間隔で配列された複数の突起を含む凹凸面を有する凹凸構造層を備えていてもよい。

本発明の一実施形態による貫通電極基板において、前記基板の前記第２面には凹部が形成されており、前記第２面反射抑制層は、前記凹部に位置していてもよい。

本発明の一実施形態による貫通電極基板において、前記基板の前記第２面には凸部が形成されており、前記前記第２面反射抑制層は、前記凸部の間において前記基板の前記第２面に設けられていてもよい。

本発明の一実施形態による貫通電極基板において、前記貫通電極基板は、前記基板の前記第１面側に設けられ、赤外線を遮蔽する第１面赤外線フィルタ層を含む赤外線遮蔽機構を更に備えていてもよい。

本発明の一実施形態による貫通電極基板において、前記反射抑制機構は、前記基板の前記第１面側に設けられた第１面反射抑制層を含んでいてもよい。

本発明の一実施形態による貫通電極基板において、前記第１面反射抑制層は、前記基板の屈折率よりも小さい屈折率を有する第１干渉層を少なくとも備え、前記第１干渉層の屈折率と、前記第１干渉層の厚みとの積が、下記の式（Ａ）を満たしていてもよい。
Ｎ×Ｄ＝（ｍ＋１／２）×２７５〔ｎｍ〕…（Ａ）
Ｎ：第１干渉層の屈折率
Ｄ：第１干渉層の厚み
ｍ：０以上の整数

本発明の一実施形態による貫通電極基板において、前記第１面反射抑制層は、樹脂及び前記樹脂内の複数の粒子を含む防眩層を備えていてもよい。

本発明の一実施形態による貫通電極基板において、前記第１面反射抑制層は、３８０ｎｍ以下の平均間隔で配列された複数の突起を含む凹凸面を有する凹凸構造層を備えていてもよい。

本発明の一実施形態による貫通電極基板において、前記基板の前記第１面には凹部が形成されており、前記第１面反射抑制層は、前記凹部に位置していてもよい。

本発明の一実施形態による貫通電極基板において、前記基板の前記第１面には複数の凸部が形成されており、前記前記第１面反射抑制層は、前記凸部の間において前記基板の前記第１面に設けられていてもよい。

本発明の一実施形態による貫通電極基板において、前記貫通電極基板は、前記基板の前記第２面側に設けられ、赤外線を遮蔽する第２面赤外線フィルタ層を含む赤外線遮蔽機構を更に備えていてもよい。

本開示の一実施形態は、レンズと、レンズに対向するよう配置された受光素子と、前記レンズと前記受光素子との間に配置された貫通電極基板と、を備え、前記貫通電極基板は、前記レンズ側に位置する第１面から前記受光素子側に位置する第２面へ光を透過させる光透過領域を有し、前記光透過領域の外側に複数の貫通孔が設けられた基板と、前記基板の前記貫通孔に設けられた貫通電極と、前記基板の前記光透過領域に設けられ、前記基板の前記第１面及び前記第２面の少なくともいずれか一方における光の反射を抑制する反射抑制機構と、を備える、電子機器である。

本発明の一実施形態による電子機器は、前記レンズを支持するレンズ支持部を更に備え、前記レンズ支持部は、前記貫通電極基板の前記基板に固定された複数のピンを有し、前記貫通電極基板の前記基板には、前記レンズ支持部の前記ピンが挿入される複数の貫通孔が設けられていてもよい。

本発明の一実施形態による電子機器において、前記レンズ支持部は、前記レンズを移動させるレンズ駆動部を更に有し、前記レンズ支持部の複数の前記ピンのうち少なくとも２つの前記ピンは、導電性を有し、且つ前記レンズ駆動部に電気的に接続された導電性ピンであり、前記貫通電極基板の前記基板の、前記レンズ支持部の前記導電性ピンが挿入される貫通孔の内部には、貫通電極が設けられていてもよい。

本発明の一実施形態による電子機器において、前記レンズ支持部の前記レンズ駆動部は、ボイスコイルモータを含んでいてもよい。

本発明の実施形態によれば、電子機器の厚みを低減することができる。

一実施の形態に係る電子機器を示す断面図である。 一実施の形態に係る貫通電極基板を示す断面図である。 一実施の形態に係る貫通電極基板を示す平面図である。 図２の貫通電極基板の貫通孔及び貫通電極を拡大して示す断面図である。 貫通電極基板の貫通孔及び貫通電極の一変形例を示す断面図である。 貫通電極基板の貫通孔及び貫通電極の一変形例を示す断面図である。 貫通電極基板の反射抑制機構の作用を説明する図である。 貫通電極基板の反射抑制機構の一変形例を示す断面図である。 貫通電極基板の一変形例を示す断面図である。 貫通電極基板の一変形例を示す断面図である。 貫通電極基板の一変形例を示す断面図である。 貫通電極基板の一変形例を示す断面図である。 貫通電極基板の一変形例を示す断面図である。 貫通電極基板の一変形例を示す断面図である。 貫通電極基板の一変形例を示す断面図である。 貫通電極基板の一変形例を示す断面図である。 貫通電極基板の一変形例を示す断面図である。 貫通電極基板の反射抑制機構の一変形例を示す断面図である。 貫通電極基板の反射抑制機構の一変形例を示す断面図である。 電子機器の一変形例を示す断面図である。 貫通電極基板が搭載される製品の例を示す図である。 電子機器の一比較例を示す断面図である。 電子機器の一比較例を示す断面図である。 第１干渉層の厚みの例を示す図。

以下、本開示の実施形態に係る貫通電極基板の構成及びその製造方法について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態は本開示の技術的思想の実施形態の一例であって、本開示の技術的思想はこれらの実施形態に限定して解釈されるものではない。また、本明細書において、「基板」、「基材」、「シート」や「フィルム」など用語は、呼称の違いのみに基づいて、互いから区別されるものではない。例えば、「基板」や「基材」は、シートやフィルムと呼ばれ得るような部材も含む概念である。更に、本明細書において用いる、形状や幾何学的条件並びにそれらの程度を特定する、例えば、「平行」や「直交」等の用語や長さや角度の値等については、厳密な意味に縛られることなく、同様の機能を期待し得る程度の範囲を含めて解釈することとする。また、本実施形態で参照する図面において、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号または類似の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する場合がある。また、図面の寸法比率は説明の都合上実際の比率とは異なる場合や、構成の一部が図面から省略される場合がある。

以下、図１乃至図８を参照して、一実施形態について説明する。

電子機器
まず、図１を参照して、本実施の形態に係る電子機器６０について説明する。図１は、電子機器６０を示す縦断面図である。電子機器６０は、例えば、撮影機能を有する。この場合、電子機器６０は、少なくとも１つのレンズ６１と、レンズ６１に対向するよう配置された受光素子６２と、レンズ６１を支持するレンズ支持部６３と、レンズ６１と受光素子６２との間に配置された貫通電極基板１０と、を備える。電子機器６０は、例えば２つのレンズ６１を備える。なお、レンズ６１の数は任意である。

受光素子６２は、複数の光電変換素子を含む。光電変換素子は、レンズ６１によって受光素子６２の受光面に結像された光Ｌを電気信号に変換する。受光素子６２は、貫通電極基板１０に搭載されている。

レンズ支持部６３は、レンズ６１の光軸方向と受光素子６２の受光面の法線方向とが一致するようにレンズ６１を支持する。レンズ支持部６３は、内側保持部６４、外側保持部６５、レンズ駆動部６７、ボイスコイルモータ６８、及び弾性体６９を有する。

内側保持部６４は、レンズ６１の端部を保持する。外側保持部６５は、内側保持部６４の外側に配置されている。なお、外側とは、貫通電極基板１０の面方向において貫通電極基板１０の後述する光透過領域１８の中心から遠ざかる側である。外側保持部６５は、貫通電極基板１０に対して固定されている。

レンズ駆動部６７は、レンズ６１を移動させてレンズ６１の位置を制御する。レンズ駆動部６７は、例えば、内側保持部６４と外側保持部６５との間に配置されたボイスコイルモータ６８と、ボイスコイルモータ６８の周囲に磁場を形成する図示しない磁石と、を含む。この場合、レンズ駆動部６７は、ボイスコイルモータ６８に供給する電流を制御することによって、レンズ６１の位置を制御することができる。レンズ駆動部６７は、一端が内側保持部６４に接続され、他端が外側保持部６５に接続されたバネなどの弾性体６９を更に含んでいてもよい。

貫通電極基板１０は、レンズ６１側の第１面１３及び第１面１３の反対側に位置する第２面１４を含む。上述の受光素子６２は、第２面１４側において貫通電極基板１０に搭載されている。このため、上述の特許文献１のように受光素子６２が基板１２の第１面１３側に搭載される場合に比べて、電子機器６０の厚みを少なくとも基板１２の厚みの分だけ小さくすることができる。

貫通電極基板
以下、図２乃至図４を参照して、貫通電極基板１０について詳細に説明する。図２は、貫通電極基板１０を示す縦断面図である。図３は、貫通電極基板１０を基板１２の第１面１３側から見た場合を示す平面図である。図４は、図２の貫通電極基板１０を拡大して示す縦断面図である。

貫通電極基板１０は、基板１２、基板１２に設けられた複数の貫通孔２０、貫通孔２０に設けられた貫通電極２２、及び、反射抑制機構４０を備える。また、貫通電極基板１０は、基板１２の第１面１３側に設けられた第１配線３２、第１絶縁層３３及び端子部３４、並びに、基板１２の第２面１４側に設けられた第２電極部３６、第２配線３７及び第２絶縁層３８を更に備えていてもよい。

（基板）
基板１２は、一定の絶縁性を有する材料から構成されている。貫通電極基板１０がインターポーザーとして利用される場合、基板１２は、例えば、ガラス基板、石英基板、サファイア基板、樹脂基板、シリコン基板、炭化シリコン基板、アルミナ(Al₂O₃)基板、窒化アルミ(AlN)基板、酸化ジリコニア(ZrO₂)基板など、又は、これらの基板が積層されたものである。基板１２は、アルミニウム基板、ステンレス基板など、導電性を有する材料から構成された基板を含んでいてもよい。なお、貫通電極基板１０に光を透過させる機能が求められる場合、基板１２の材料としては、透明性を有する材料を選択する。

基板１２の厚みＤ１は特に制限はないが、例えば、１００μｍ以上且つ８００μｍ以下の厚みＤ１の基板１２を使用することが好ましい。より好ましくは、基板１２は、２００μｍ以上且つ６００μｍ以下の厚みＤ１を有する。基板１２の厚みＤ１を１００μｍ以上とすることにより、基板１２のたわみが大きくなることを抑制できる。このため、製造工程における基板１２のハンドリングが困難になったり、基板１２上に形成する薄膜等の内部応力に起因して基板１２が反ってしまったりすることを抑制できる。また、基板１２の厚みＤ１を８００μｍ以下とすることにより、基板１２に貫通孔２０を形成する工程に要する時間が長くなり、貫通電極基板１０の製造コストが上昇してしまうことを抑制できる。

基板１２は、光を第１面１３から第２面１４へ透過させる光透過領域１８を有する。基板１２のうち光透過領域１８を構成する材料は、透明性を有する。なお「透明性」とは、基板１２の光透過領域１８の全光線透過率が７０％以上であることを意味している。全光線透過率は、ＪＩＳ Ｋ７３７５の全光線透過率測定法に準拠して求められ得る。

（貫通孔）
貫通孔２０は、基板１２のうち光透過領域１８の外側の領域に設けられている。貫通孔２０は、第１面１３から第２面１４に至る。貫通孔２０の断面形状が円形又は楕円形である場合、貫通孔２０の直径は、例えば１０μｍ以上且つ１５０μｍ以下の範囲内である。また、隣接する２つの貫通孔２０の間の間隔、すなわち貫通孔２０の配列ピッチは、例えば１０μｍ以上且つ５００μｍ以下の範囲内である。なお、貫通孔２０の断面形状が円形又は楕円形に限られることはない。

（貫通電極）
貫通電極２２は、貫通孔２０の内部に設けられた、導電性を有する部材である。例えば、貫通電極２２は、図４に示すように、第１面１３側から第２面１４側まで至るように貫通孔２０の側壁２１に沿って延びる導電層である。導電層が導電性を有する限りにおいて、導電層の形成方法は特には限定されない。例えば、導電層は、蒸着法やスパッタリング法などの物理成膜法で形成されていてもよく、化学成膜法やめっき法で形成されていてもよい。また、導電層は、１つの層から構成されていてもよく、若しくは、複数の層を含んでいてもよい。以下、貫通電極２２の導電層が、シード層と、シード層上に設けられためっき層と、を含む例について説明する。

シード層は、めっき層を形成するめっき工程の際に、めっき液中の金属イオンを析出させてめっき層を成長させるための土台となる、導電性を有する層である。シード層の材料としては、好ましくは、基板１２の材料に対する高い密着性を有する導電性材料が用いられる。例えば、シード層の材料として、チタン、モリブデン、タングステン、タンタル、ニッケル、クロム、アルミニウム、これらの化合物、これらの合金など、又はこれらを積層したものを使用することができる。また、シード層に堆積されるめっき層が銅を含む場合、上述の材料を含む層に銅の層を積層させたものをシード層として用いてもよい。

シード層に堆積されるめっき層が銅を含む場合、シード層の材料としては、好ましくは、銅が基板１２の内部に拡散することを抑制する材料を使用する。例えば、シード層は、窒化チタン、窒化モリブデン、窒化タンタル等、又はこれらを積層したバリア層を含むことができる。また、シード層は、上述のように、バリア層に積層された銅の層を更に含むことができる。シード層の厚さは、例えば、２０ｎｍ以上且つ５００ｎｍ以下の範囲内である。

めっき層は、貫通電極２２の導電性を高めるためにシード層上に設けられる、導電性を有する層である。めっき層の材料としては、好ましくは、シード層に対する高い密着性を有し、且つ高い導電性を有する導電性材料が用いられる。例えば、めっき層の材料として、銅、金、銀、白金、ロジウム、スズ、アルミニウム、ニッケル、クロムなどの金属又はこれらを用いた合金など、あるいはこれらを積層したものを使用することができる。めっき層の厚さは、例えば、１μｍ以上且つ１０μｍ以下の範囲内である。

めっき層の厚みは、貫通電極２２に対して求められる導電性に応じて定められる。例えば、貫通電極２２が電源ラインや接地ラインを導通させるための部材である場合、十分な厚さを有するめっき層が用いられる。また、貫通電極２２が微弱な電気信号を導通させるための部材である場合、小さな厚みを有するめっき層を用いてもよい。又は、図示はしないが、めっき層を設けることなくシード層のみを貫通孔２０に設けてもよい。

図４に示すように、貫通電極２２は、貫通孔２０の内部に中空部２３が形成されるように構成されていてもよい。中空部２３とは、貫通孔２０の内部の領域のうちシード層やめっき層などの固体が存在しない領域のことである。

若しくは、図５に示すように、貫通孔２０に充填部材２５が充填されていてもよい。貫通電極２２は、貫通電極２２よりも貫通孔２０の中心側に設けられている。充填部材２５は、例えば、ポリイミド、ベンゾシクロブテン等の絶縁性樹脂材料、酸化シリコンや窒化シリコンなどの無機材料、又は、導電性ペーストや半田などの導電性材料を含む。貫通孔２０に充填部材２５を充填することにより、貫通孔２０の内部に導電性材料の屑などが残渣として残ってしまうことを抑制することができる。また、充填部材２５によって、貫通電極２２のうち貫通孔２０の内部に位置する部分を保護することができる。

若しくは、図６に示すように、貫通電極２２が貫通孔２０の内部に充填されていてもよい。

（電極部）
第２電極部３６は、貫通電極基板１０のうち、貫通電極基板１０が取り付けられる素子や実装基板の端子に接続される部分であり、パッドやランドとも称される部分である。第２電極部３６は、基板１２の第２面１４側において貫通電極基板１０の表面に露出している。第２電極部３６は、図１、図２及び図４に示すように、例えば、第２電極部３６に設けられた接続部３９を介して受光素子６２の端子に電気的に接続されている。接続部３９は、例えば半球状のはんだであり、バンプとも称される。

第２電極部３６の材料としては、金属など、導電性を有する材料が用いられる。例えば、第２電極部３６は、金を含むめっき液を基板１２に供給することによって形成される金めっき層を含む。

なお、図示はしないが、貫通電極基板１０は、基板１２の第１面１３側において貫通電極基板１０の表面に露出する第１電極部を備えていてもよい。

（配線）
第１配線３２は、基板１２の第１面１３上に位置し、第１絶縁層３３によって覆われ、且つ導電性を有する部材である。また、第２配線３７は、基板１２の第２面１４上に位置し、第２絶縁層３８によって覆われ、且つ導電性を有する部材である。配線３２，３７の材料としては、金属など、導電性を有する材料が用いられる。

配線３２，３７は、貫通電極２２と同一の層構成を有していてもよい。例えば、貫通電極２２がシード層及びめっき層を含む場合、配線３２，３７も、シード層及びめっき層を含んでいてもよい。また、配線３２，３７は、貫通電極２２とは異なる構成の導電層を含んでいてもよい。

（絶縁層）
第１絶縁層３３は、基板１２の第１面１３の領域のうち外部からの電気的なアクセスが不要な領域を覆うよう第１面１３上に設けられた、絶縁性を有する層である。また、第２絶縁層３８は、基板１２の第２面１４の領域のうち外部からの電気的なアクセスが不要な領域を覆うよう第２面１４上に設けられた、絶縁性を有する層である。絶縁層３３，３８の材料としては、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂などの樹脂材料、酸化ケイ素などの無機材料、感光性ドライフィルムレジストなど、絶縁性を有する材料が用いられる。

図２及び図３に示すように、第１絶縁層３３のうち、基板１２の光透過領域１８と重なる部分、及び、端子部３４と重なる部分には、開口部が形成されている。このため、基板１２の光透過領域１８及び端子部３４は、第１絶縁層３３から露出している。また、図２に示すように、第２絶縁層３８のうち、基板１２の光透過領域１８と重なる部分、及び、第２電極部３６と重なる部分には、開口部が形成されている。このため、基板１２の光透過領域１８及び第２電極部３６は、第２絶縁層３８から露出している。図２に示すように、基板１２の第２面１４において、光透過領域１８に対応する部分に形成された第２絶縁層３８の開口部には、反射抑制機構４０が設けられている。

（端子部）
端子部３４は、外部の装置やデバイスを貫通電極基板１０の貫通電極２２や配線３２，３７に電気的に接続するための部材である。端子部３４は、例えば、図３に示すように、矩形状の基板１２の一辺に沿って並べられている。

本実施の形態の貫通電極基板１０によれば、第１面１３側に受光素子６２が搭載される場合に比べて、貫通電極基板１０の厚みの分だけ、レンズ６１と受光素子６２の受光面との間の距離を長くすることができる。このため、レンズ６１と受光素子６２の受光面との間の距離を適切に確保しながら、貫通電極基板１０を備えた電子機器６０全体の厚みを低減することができる。また、基板１２の第１面１３側に設けられた端子部３４や図示しない第１電極部と、受光素子６２の端子とを、貫通電極２２を介して電気的に接続することができる。このため、基板１２の第１面１３側から受光素子６２に対する様々な処理を実施することができる。

ところで、第２面１４側に受光素子６２を搭載する方法としては、上述のように透明性を有する光透過領域１８を基板１２に設ける方法の他にも、図２２に示すように、基板１２に開口部１７を設けるという方法も考えられる。この場合、レンズ６１を透過した光Ｌは、基板１２の開口部１７を通過して受光素子６２に入射する。

図２２に示す例においては、基板１２の中央部に開口部１７が形成されているため、基板１２の剛性が低下する。従って、基板１２全体の剛性を十分に確保するために、基板１２の厚みを大きくする必要がある。

これに対して、本実施の形態の貫通電極基板１０及び電子機器６０によれば、基板１２のうち光Ｌが通過する領域に開口部１７を形成しないので、開口部１７が形成される場合に比べて、基板１２の剛性が高くなる。このため、開口部１７が形成される場合に比べて、基板１２の厚みを小さくすることができる。

ところで、本実施の形態の電子機器６０においては、レンズ６１及び受光素子６２に対向する領域に基板１２が存在しているため、光Ｌの反射が、基板１２の表面や、基板１２に設けられた各層の表面又は界面で生じることが考えられる。例えば、受光素子６２に到達した後に受光素子６２の受光面で反射された光が、基板１２の第２面１４で反射されて再び受光素子６２に向かうことが考えられる。このような光Ｌの反射は、受光素子６２で得られる画像にフレアやゴーストなどの現象を生じさせる可能性がある。

このような課題を考慮し、本実施の形態においては、基板１２の第１面１３及び第２面１４の少なくともいずれか一方に、反射抑制機構４０を設けることを提案する。以下、図７を参照して、反射抑制機構４０について説明する。図７は、反射抑制機構４０の作用を説明する図である。

（反射抑制機構）
本実施の形態において、反射抑制機構４０は、基板１２の第２面１４側に設けられた第２面反射抑制層４２を含む。第２面反射抑制層４２は、図７に示すように、貫通電極基板１０の第２面１４側の表面を構成する第１干渉層４３ａを少なくとも含む。第１干渉層４３ａは、基板１２の屈折率Ｎ１よりも小さい屈折率Ｎ２を有する。例えば、基板１２が、１．５２の屈折率を有するガラスを含む場合、第１干渉層４３ａは、１．５２よりも小さい屈折率を有し、且つ透明性を有する材料を含む。例えば、第１干渉層４３ａは、１．３８の屈折率を有するフッ化マグネシウムを含む。また、第１干渉層４３ａの厚みＤ２は、第１干渉層４３ａの屈折率と、第１干渉層の厚みとの積が、下記の式（１）を満たすように定められる。
Ｎ×Ｄ＝（ｍ＋１／２）×λ／（２ｃｏｓθ）…（１）
式（１）において、Ｄは、対象とする干渉層の屈折率であり、Ｎは、対象とする干渉層の屈折率である。第１干渉層４３ａについて考える場合、式（１）及び後述する式（２）において、Ｄは、第１干渉層４３ａ厚みＤ２であり、Ｎは、第１干渉層４３ａの屈折率Ｎ２である。ｍは０以上の整数であり、λは光の波長であり、θは第１干渉層４３ａに到達する光の入射角である。λを、可視光域のほぼ中央の波長である５５０ｎｍとし、θを０とすると、式（１）は下記の式（２）のように表される。
Ｎ×Ｄ＝（ｍ＋１／２）×２７５〔ｎｍ〕…（２）
図２４に、ｍを０から１０まで変化させた場合の第１干渉層４３ａの厚みＤ２を算出した結果を示す。ここでは、第１干渉層４３ａを構成する材料として、１．３５の屈折率を有するフッ素樹脂、１．３８の屈折率を有するフッ化マグネシウム、１．３９の屈折率を有するフッ化リチウム、１．４６の屈折率を有する酸化珪素を用いた場合についてそれぞれ、第１干渉層４３ａの厚みＤ２を算出した。

なお、第１干渉層４３ａの厚みＤ２が一定のばらつきを有することや、第１干渉層４３ａに到達する光の入射角θが０からずれることなどを考慮すると、第１干渉層４３ａによる反射抑制効果は、第１干渉層４３ａの厚みＤ２が、上記の式（１）や式（２）によって算出される値から若干ずれていた場合であっても発現され得ると言える。この点を考慮し、本願において、「第１干渉層４３ａの屈折率Ｎ２と、第１干渉層の厚みＤ２との積が、式（１）又は式（２）を満たす」とは、第１干渉層４３ａの屈折率Ｎ２と、第１干渉層の厚みＤ２との積の値が、式（１）又は式（２）によって算出される値の±１０％の範囲内であることを意味する。

式（１）又は式（２）において、ｍの値は好ましくは５以下である。第１干渉層４３ａの屈折率Ｎ２と、第１干渉層４３ａの厚みＤ２との積の値の、好ましい範囲の代表例として、下記の範囲を挙げることができる。単位はいずれも〔ｎｍ〕である。
１３７．５±１０％、４１２．５±１０％、６８７．５±１０％、９６２．５±１０％、１２３７．５±１０％、１５１２．５±１０％
第１干渉層４３ａの材料として、１．３８の屈折率を有するフッ化マグネシウムを用い、且つ、ｍ＝０の場合の干渉による反射抑制効果を意図する場合、第１干渉層４３ａの厚みＤ２は、９０ｎｍ以上且つ１１０ｎｍ以下である。

第１干渉層４３ａなどの干渉層の屈折率及び厚みを測定する装置としては、エリプソメータ等を用いることができる。エリプソメータの例としては、ジェー・エー・ウーラム・ジャパン株式会社製、大塚電子株式会社製、株式会社東京インスツルメンツ製、又は株式会社堀場製作所製のエリプソメータを挙げることができる。

反射抑制機構４０が第２面１４側に位置する場合、反射抑制機構４０全体の厚みは、好ましくは、第２絶縁層３８の厚みよりも小さい。これによって、反射抑制機構４０が受光素子６２の受光面に接触してしまうことを抑制することができる。

第１干渉層４３ａを基板１２に設ける方法は任意である。例えば、スパッタリングや蒸着などの乾式の成膜方法により、第１干渉層４３ａを基板１２に設けることができる。また、ゾルゲル法などの湿式の成膜方法により、第１干渉層４３ａを基板１２に設けることもできる。

第１干渉層４３ａを基板１２の第２面１４に設ける場合の第１干渉層４３ａの作用について説明する。図７に示すように、受光素子６２に到達した後に受光素子６２の受光面で反射された光Ｌが貫通電極基板１０に再び到達すると、光Ｌは、第１干渉層４３ａの受光素子６２側の表面、及び、第１干渉層４３ａと基板１２の界面で反射される。その後、第１干渉層４３ａの受光素子６２側の表面で反射された光Ｌ１と、第１干渉層４３ａと基板１２の界面で反射された光Ｌ２とが、互いに弱めあうように干渉する。このため、貫通電極基板１０の第２面１４側の表面における光の反射率を低減することができる。このことにより、貫通電極基板１０の第２面１４側の表面における光の反射に起因して、受光素子６２で得られる画像にフレアやゴーストなどの現象が生じてしまうことを抑制することができる。

なお、第２面反射抑制層４２が光の反射を抑制することができる限りにおいて、第２面反射抑制層４２に含まれる干渉層の数が限られることはない。例えば、図８に示すように、第２面反射抑制層４２は、受光素子６２側から基板１２側へ順に積層された第１干渉層４３ａ、第２干渉層４３ｂ及び第３干渉層４３ｃを含んでいてもよい。この場合、第１干渉層４３ａ、第２干渉層４３ｂ及び第３干渉層４３ｃは、基板１２の屈折率よりも小さい屈折率を有する干渉層と、基板１２の屈折率よりも高い屈折率を有する干渉層とが交互に並ぶよう、配置される。例えば、第１干渉層４３ａ及び第３干渉層４３ｃは、基板１２の屈折率よりも小さい屈折率を有し、一方、第２干渉層４３ｂは、基板１２の屈折率よりも大きい屈折率を有する。一例を挙げると、第１干渉層４３ａは、１．３８の屈折率を有するフッ化マグネシウムを含み、第２干渉層４３ｂは、２．００の屈折率を有する酸化ジルコニウムを含み、第３干渉層４３ｃは、１．６０の屈折率を有する酸化アルミニウムを含む。また、第１干渉層４３ａの厚みＤ２、第２干渉層４３ｂの厚みＤ３、第３干渉層４３ｃの厚みＤ４は、上記式（１）又は式（２）を満たすように設定される。例えば、第１干渉層４３ａは、９０ｎｍ以上且つ１１０ｎｍ以下、例えば約１００ｎｍの厚みＤ２を有し、第２干渉層４３ｂは、１３０ｎｍ以上且つ１５０ｎｍ以下、例えば約１４０ｎｍの厚みＤ３を有し、第３干渉層４３ｃは、７５ｎｍ以上且つ９５ｎｍ以下、例えば約８５ｎｍの厚みＤ４を有する。

図８に示す例においても、第１干渉層４３ａの表面で反射された光Ｌ１、第１干渉層４３ａと第２干渉層４３ｂの界面で反射された光Ｌ２、第２干渉層４３ｂと第３干渉層４３ｃの界面で反射された光Ｌ３、及び、第３干渉層４３ｃと基板１２の界面で反射された光Ｌ４が、互いに弱めあうように干渉する。これによって、貫通電極基板１０の第２面１４側の表面における光の反射率を低減することができる。

なお、上述した実施の形態に対して様々な変更を加えることが可能である。以下、必要に応じて図面を参照しながら、変形例について説明する。以下の説明および以下の説明で用いる図面では、上述した実施の形態と同様に構成され得る部分について、上述の実施の形態における対応する部分に対して用いた符号と同一の符号を用いることとし、重複する説明を省略する。また、上述した実施の形態において得られる作用効果が変形例においても得られることが明らかである場合、その説明を省略することもある。

（貫通電極基板の第１の変形例）
図９に示すように、反射抑制機構４０は、基板１２の第１面１３側に設けられていてもよい。例えば、反射抑制機構４０は、基板１２の第１面１３側に設けられた第１面反射抑制層４１を含む。第１面反射抑制層４１は、図示はしないが、図７に示す第２面反射抑制層４２の場合と同様に、貫通電極基板１０の第１面１３側の表面を構成する第１干渉層を少なくとも含む。また、第１面反射抑制層４１は、図８に示す第２面反射抑制層４２の場合と同様に、複数の干渉層を含んでいてもよい。

基板１２の第１面１３側に反射抑制機構４０を設けることにより、貫通電極基板１０の第１面１３側の表面における光の反射率を低減することができる。これによって、光Ｌが、貫通電極基板１０の第１面１３側の表面で反射された後にレンズ６１によって反射され、その後、光透過領域１８を透過して再び受光素子６２に向かうことを抑制することができる。これによって、受光素子６２で得られる画像にフレアやゴーストなどの現象が生じてしまうことを抑制することができる。

（貫通電極基板の第２の変形例）
図１０に示すように、反射抑制機構４０は、基板１２の第１面１３側及び第２面１４側の両方に設けられていてもよい。例えば、反射抑制機構４０は、基板１２の第１面１３側に設けられた第１面反射抑制層４１と、基板１２の第２面１４側に設けられた第２面反射抑制層４２と、を含む。これによって、貫通電極基板１０の第１面１３側の表面及び第２面１４側の表面における光の反射率を低減することができる。

（貫通電極基板の第３の変形例）
撮影機能を有する電子機器６０は、一般に、赤外線を遮蔽する赤外線遮蔽機構を備える。例えば、図２３に示すように、赤外線遮蔽機構５０がレンズ支持部６３に組み込まれている。一方、図２３に示す例においては、レンズ６１に対して角度や位置を調整しながら赤外線遮蔽機構５０、レンズ６１、レンズ支持部６３などを組み立てる必要があり、電子機器６０の製造工程が煩雑になると考えられる。

このような課題を考慮し、貫通電極基板１０に、赤外線を遮蔽する赤外線遮蔽機構５０を設けることを提案する。例えば、図１１に示すように、貫通電極基板１０が第２面反射抑制層４２を備える場合、貫通電極基板１０は、基板１２の第１面１３側に設けられ、赤外線を遮蔽する第１面赤外線フィルタ層５１を含む赤外線遮蔽機構５０を更に備える。これによって、受光素子６２に入射する光に赤外線が含まれることを抑制することができ、このことにより、受光素子６２で得られる画像における色の再現性を高めることができる。

第１面赤外線フィルタ層５１は、例えば干渉型フィルタである。干渉型フィルタは、上述の図８に示す第２面反射抑制層４２の場合と同様にと同様に、複数の干渉層を含む。干渉型フィルタは、干渉型フィルタのレンズ６１側の表面で反射された光と、干渉型フィルタの各層の界面で反射された光とが、互いに弱めあうように干渉することを利用する。これによって、第１面赤外線フィルタ層５１によって反射される赤外線の強度を低減することができる。このことにより、第１面赤外線フィルタ層５１によって反射された後に再び第１面赤外線フィルタ層５１に戻り、基板１２の光透過領域１８を透過して受光素子６２に入射する赤外線の強度を低減することができる。

第１面赤外線フィルタ層５１の複数の干渉層は、基板１２の屈折率よりも小さい屈折率を有する干渉層と、基板１２の屈折率よりも高い屈折率を有する干渉層とが交互に並ぶよう、配置される。例えば、第１面赤外線フィルタ層５１においては、１．４６の屈折率を有する酸化珪素を含む干渉層と、２．４０の屈折率を有する酸化チタンを含む干渉層とが、交互に並んでいる。各干渉層の厚みは、上記の式（１）を満たすように設定される。なお、第１面赤外線フィルタ層５１は、赤外線の反射を抑制することを意図したものであるので、式（１）のλの値としては、赤外線の波長の値を用いる。例えば、λは７９０ｎｍである。θを０とすると、１．４６の屈折率の酸化珪素を含む干渉層の厚みは、例えば１２５ｎｍ以上且つ１４５ｎｍ以下であり、２．４０の屈折率の酸化チタンを含む干渉層の厚みは、例えば３０ｎｍ以上且つ５０ｎｍ以下である。

また、第１面赤外線フィルタ層５１は、赤外線を吸収する吸収型フィルタであってもよい。吸収型フィルタは、複合タングステン酸化物、インジウム−スズ酸化物、アンチモン−スズ酸化物又は燐酸系銅化合物などの、赤外線を選択的に吸収する材料を含む。また、吸収型フィルタは、ワニスなどの樹脂などを更に含んでいてもよい。吸収型フィルタは、例えば、スピンコート法などの湿式の成膜方法により形成され得る。吸収型フィルタは、基板１２の第１面１３又は第２面１４の光透過領域１８の全域にわたって設けられていてもよく、若しくは、第１面１３又は第２面１４の光透過領域１８に部分的に設けられていてもよい。

図１１に示すように、第２面１４側に反射抑制機構４０を設け、第１面１３側に赤外線遮蔽機構５０を設けることにより、貫通電極基板１０の第２面１４側の表面における光の反射率を低減し、且つ、赤外線が受光素子６２に入射することを抑制することができる。また、貫通電極基板１０に赤外線遮蔽機構５０を設けることにより、レンズ支持部６３に赤外線遮蔽機構５０を設ける場合に比べて、レンズ支持部６３の製造に要する工数や時間を削減することができる。また、レンズ６１に対する赤外線遮蔽機構５０の角度や位置が調整し易くなる。

（貫通電極基板の第４の変形例）
図１２に示すように、第１面１３側に反射抑制機構４０を設け、第２面１４側に赤外線遮蔽機構５０を設けてもよい。例えば、赤外線遮蔽機構５０は、基板１２の第２面１４側に設けられ、赤外線を遮蔽する第２面赤外線フィルタ層５２を含む。第１面１３側に反射抑制機構４０を設け、第２面１４側に赤外線遮蔽機構５０を設けることにより、貫通電極基板１０の第１面１３側の表面における光の反射率を低減し、且つ、赤外線が受光素子６２に入射することを抑制することができる。また、赤外線遮蔽機構５０が第２面１４側に位置するので、赤外線遮蔽機構５０は、光透過領域１８において基板１２の第１面１３に入射して赤外線遮蔽機構５０に到達した赤外線だけでなく、光透過領域１８よりも外側の領域において基板１２の第１面１３に入射して第２面１４側の赤外線遮蔽機構５０に到達した赤外線を遮蔽することができる。このため、赤外線が受光素子６２に入射することをより抑制することができる。

赤外線遮蔽機構５０が第２面１４側に位置する場合、赤外線遮蔽機構５０の厚み、例えば第２面赤外線フィルタ層５２の厚みは、好ましくは、第２絶縁層３８の厚みよりも小さい。これによって、赤外線遮蔽機構５０が受光素子６２の受光面に接触してしまうことを抑制することができる。

（貫通電極基板の第５の変形例）
反射抑制機構４０及び赤外線遮蔽機構５０の両方を、基板１２の第１面１３側又は第２面１４側のいずれか一方に設けてもよい。例えば、図１３に示すように、貫通電極基板１０は、基板１２の第２面１４側に設けられた反射抑制機構４０及び赤外線遮蔽機構５０を備えていてもよい。この場合、図１３に示すように、反射抑制機構４０が赤外線遮蔽機構５０よりも受光素子６２側に位置していてもよく、若しくは、図示はしないが、赤外線遮蔽機構５０が反射抑制機構４０よりも受光素子６２側に位置していてもよい。

（貫通電極基板の第６の変形例）
図１４に示すように、基板１２の第２面１４には凹部１５が形成されていてもよい。凹部１５は、例えば、第２面１４の光透過領域１８に形成される。凹部１５の深さは、例えば、基板１２の厚みＤ１の１／１０以上且つ３／４以下である。この場合、好ましくは、反射抑制機構４０は、凹部１５に位置する。これによって、反射抑制機構４０の厚みが大きい場合であっても、貫通電極基板１０全体の厚みが大きくなることを抑制することができる。

（貫通電極基板の第７の変形例）
図１５に示すように、基板１２の第２面１４には凸部１６が形成されていてもよい。凸部１６は、例えば、第２面１４の光透過領域１８よりも外側の領域に形成される。凸部１６の高さは、例えば、基板１２の厚みＤ１の１／１０以上且つ３／４以下である。この場合、好ましくは、反射抑制機構４０は、凸部１６の間において基板１２の第２面１４に設けられている。これによって、反射抑制機構４０の厚みが大きい場合であっても、貫通電極基板１０全体の厚みが大きくなることを抑制することができる。

（貫通電極基板の第８の変形例）
図１６に示すように、凹部１５は、基板１２の第１面１３に形成されていてもよい。凹部１５は、例えば、第１面１３の光透過領域１８に形成される。凹部１５の深さは、例えば、基板１２の厚みＤ１の１／１０以上且つ３／４以下である。この場合も、好ましくは、反射抑制機構４０は、凹部１５に位置する。これによって、反射抑制機構４０の厚みが大きい場合であっても、貫通電極基板１０全体の厚みが大きくなることを抑制することができる。

（貫通電極基板の第９の変形例）
図１７に示すように、凸部１６は、基板１２の第１面１３に形成されていてもよい。凸部１６は、例えば、第１面１３の光透過領域１８よりも外側の領域に形成される。凸部１６の高さは、例えば、基板１２の厚みＤ１の１／１０以上且つ３／４以下である。この場合、好ましくは、反射抑制機構４０は、凸部１６の間において基板１２の第１面１３に設けられている。これによって、反射抑制機構４０の厚みが大きい場合であっても、貫通電極基板１０全体の厚みが大きくなることを抑制することができる。

（反射抑制機構の第１の変形例）
上述の本実施の形態においては、反射抑制機構４０の第１面反射抑制層４１及び第２面反射抑制層４２が、干渉によって光の反射を抑制するタイプである例を示した。しかしながら、貫通電極基板１０の表面における反射を抑制することができる限りにおいて、反射抑制機構４０の具体的な構成が限られることはない。

例えば、図１８に示すように、反射抑制機構４０の第２面反射抑制層４２は、防眩層４５を備えていてもよい。防眩層４５は、樹脂４６及び樹脂４６内の複数の粒子４７を含む。この場合、図１８に示すように、受光素子６２の受光面で反射されて貫通電極基板１０の第２面１４側の第２面反射抑制層４２に戻ってきた光Ｌを、様々な方向へ散乱させることができる。これによって、第２面反射抑制層４２に戻ってきた光Ｌが再び受光素子６２に向かうことを抑制することができる。このことにより、受光素子６２で得られる画像にフレアやゴーストなどの現象が生じてしまうことを抑制することができる。

樹脂４６は、紫外線または電子線により硬化する電離放射線硬化型樹脂、熱硬化型樹脂などである。電離放射線硬化型樹脂は、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂などである。熱硬化型樹脂は、フェノール樹脂などである。

粒子４７は、例えば０．５μｍ以上且つ２．０μｍ以下の平均粒子径を有する。平均粒子径は、例えば、任意の領域で抽出された１００個の粒子４７の粒子径を測定し、測定結果を平均することによって算出される。粒子４７の形状は、例えば球状である。粒子４７の具体例としては、１．５９の屈折率を有するスチレンビーズ、１．５７の屈折率を有するメラミンビーズ、１．４９の屈折率を有するアクリルビーズ、１．５４の屈折率を有するアクリル−スチレンビーズ、ポリカーボネートビーズ、ポリエチレンビーズ等のプラスチックビーズを挙げることができる。粒子４７は、好ましくは、透明性を有する。

図示はしないが、基板１２の第１面１３側に設けられる第１面反射抑制層４１が、防眩層４５を備えていてもよい。

（反射抑制機構の第２の変形例）
図１９に示すように、第２面反射抑制層４２は、第２面１４の面方向に沿って配列された複数の突起４９を含む凹凸面を有する凹凸構造層４８を備えていてもよい。突起４９は、第２面１４側から受光素子６２側へ突出している。また、第２面１４の面方向における突起４９の平均間隔は、可視光の波長以下であり、例えば３８０ｎｍ以下である。この場合、凹凸構造層４８における有効屈折率が、基板１２の法線方向に沿って連続的に変化する。このため、受光素子６２の受光面で反射されて貫通電極基板１０の第２面１４側の凹凸構造層４８に戻ってきた光Ｌが、凹凸構造層４８の表面で反射されて再び受光素子６２に向かうことを抑制することができる。このことにより、受光素子６２で得られる画像にフレアやゴーストなどの現象が生じてしまうことを抑制することができる。平均間隔は、任意の領域で抽出された１００個の突起４９における間隔Ｐ１を測定し、測定結果を平均することによって算出される。

凹凸構造層４８は、例えば、ベースとなる平坦な層を加工して凹凸面を形成することによって、作製される。
例えば、まず、平坦な表面を有するガラス基板を準備し、次に、プラズマエッチングや電子ビームなどを用いてガラス基板の表面を加工して、ガラス基板の表面に、複数の突起４９を含む凹凸構造層４８を形成する。この場合、凹凸構造層４８のガラス基板は、基板１２と一体的なものであってもよく、基板１２とは別個の部材であってもよい。
また、ナノインプリントなどの方法で、複数の突起４９を含む凹凸構造層４８を形成してもよい。例えば、まず、基板１２上に電離放射線硬化型樹脂を設け、次に、凹凸構造を有する版を電離放射線硬化型樹脂に押し付け、その後、電離放射線硬化型樹脂を硬化させる。

また、表面に凹凸構造が形成されるような成膜方法を用いて、複数の突起４９を含む凹凸構造層４８を基板１２上に形成してもよい。
例えば、まず、酸化アルミニウムなどの突起４９の材料を含む溶液を作製し、溶液を基板１２上に塗布し、溶液を乾燥させて膜を形成する。次に、膜が形成された基板１２を温水に浸漬させて、基板１２の表面に板状の結晶を析出させる。これによって、基板１２上に、くさび状の形状を有する複数の突起４９を含む凹凸構造層４８を形成することができる。
また、蒸着法やスパッタリング法などの乾式の成膜法で、複数の突起４９を含む凹凸構造層４８を基板１２上に成膜してもよい。

図示はしないが、基板１２の第１面１３側に設けられる第１面反射抑制層４１が、凹凸構造層４８を備えていてもよい。

（電子機器の変形例）
図２０に示すように、電子機器６０のレンズ支持部６３は、貫通電極基板１０の基板１２に固定された複数のピン６６を有していてもよい。この場合、好ましくは、貫通電極基板１０の基板１２には、図２０に示すように、ピン６６が挿入される複数の貫通孔２０が設けられている。これによって、ピン６６を貫通電極基板１０に対してより強固に固定することができる。

レンズ支持部６３のピン６６は、レンズ駆動部６７のボイスコイルモータ６８などの構成要素を貫通電極基板１０に電気的に接続するという機能を担っていてもよい。この場合、複数のピン６６のうちの少なくとも２つのピン６６は、導電性を有し、且つレンズ駆動部６７のボイスコイルモータ６８などの構成要素に電気的に接続された導電性ピン６６である。導電性ピン６６は、例えばワイヤボンディングによってボイスコイルモータ６８に電気的に接続される。また、導電性ピン６６が挿入される貫通孔２０の内部には、図２０に示すように、貫通電極２２が設けられている。このような構成により、導電性ピン６６を介してレンズ駆動部６７の例えばボイスコイルモータ６８を貫通電極基板１０に電気的に接続することができる。なお、導電性ピン６６が挿入される貫通孔２０の貫通電極２２は、図４に示すように、中空部２３を画定するタイプの貫通電極であり、いわゆるコンフォーマルタイプの貫通電極である。

〔貫通電極基板が搭載される製品の例〕
図２１は、本発明の実施形態に係る貫通電極基板１０が搭載されることができる製品の例を示す図である。本発明の実施形態に係る貫通電極基板１０は、様々な製品において利用され得る。例えば、ノート型パーソナルコンピュータ１１０、タブレット端末１２０、携帯電話１３０、スマートフォン１４０、デジタルビデオカメラ１５０、デジタルカメラ１６０、デジタル時計１７０、サーバ１８０等に搭載される。

１０ 貫通電極基板
１２ 基板
１３ 第１面
１４ 第２面
１５ 凹部
１６ 凸部
１８ 光透過領域
２０ 貫通孔
２１ 側壁
２２ 貫通電極
２３ 中空部
２５ 充填部材
３２ 第１配線
３３ 第１絶縁層
３４ 端子部
３６ 第２電極部
３７ 第２配線
３８ 第２絶縁層
３９ 接続部
４０ 反射抑制機構
４１ 第１面反射抑制層
４２ 第２面反射抑制層
４３ａ 第１干渉層
４３ｂ 第２干渉層
４３ｃ 第３干渉層
４５ 防眩層
４６ 樹脂
４７ 粒子
４８ 凹凸構造層
４９ 突起
５０ 赤外線遮蔽機構
５１ 第１面赤外線フィルタ層
５２ 第２面赤外線フィルタ層
６０ 電子機器
６１ レンズ
６２ 受光素子
６３ レンズ支持部
６４ 内側保持部
６５ 外側保持部
６６ ピン
６７ レンズ駆動部
６８ ボイスコイルモータ
６９ 弾性体

Claims (19)

1. 第１面から前記第１面の反対側に位置する第２面へ光を透過させる光透過領域を有し、前記光透過領域の外側に複数の貫通孔が設けられた基板と、
   前記基板の前記貫通孔に設けられた貫通電極と、
   前記基板の前記光透過領域に設けられ、前記基板の前記第１面及び前記第２面の少なくともいずれか一方における光の反射を抑制する反射抑制機構と、を備える、貫通電極基板。
2. 前記反射抑制機構は、前記基板の前記第２面側に設けられた第２面反射抑制層を含む、請求項１に記載の貫通電極基板。
3. 前記第２面反射抑制層は、前記基板の屈折率よりも小さい屈折率を有する第１干渉層を少なくとも備え、
   前記第１干渉層の屈折率と、前記第１干渉層の厚みとの積が、下記の式（Ａ）を満たす、
   Ｎ×Ｄ＝（ｍ＋１／２）×２７５〔ｎｍ〕…（Ａ）
   Ｎ：第１干渉層の屈折率
   Ｄ：第１干渉層の厚み
   ｍ：０以上の整数
   請求項２に記載の貫通電極基板。
4. 前記第２面反射抑制層は、樹脂及び前記樹脂内の複数の粒子を含む防眩層を備える、請求項２に記載の貫通電極基板。
5. 前記第２面反射抑制層は、３８０ｎｍ以下の平均間隔で配列された複数の突起を含む凹凸面を有する凹凸構造層を備える、請求項２に記載の貫通電極基板。
6. 前記基板の前記第２面には凹部が形成されており、
   前記第２面反射抑制層は、前記凹部に位置する、請求項２乃至５のいずれか一項に記載の貫通電極基板。
7. 前記基板の前記第２面には凸部が形成されており、
   前記前記第２面反射抑制層は、前記凸部の間において前記基板の前記第２面に設けられている、請求項２乃至５のいずれか一項に記載の貫通電極基板。
8. 前記貫通電極基板は、前記基板の前記第１面側に設けられ、赤外線を遮蔽する第１面赤外線フィルタ層を含む赤外線遮蔽機構を更に備える、請求項２乃至７のいずれか一項に記載の貫通電極基板。
9. 前記反射抑制機構は、前記基板の前記第１面側に設けられた第１面反射抑制層を含む、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の貫通電極基板。
10. 前記第１面反射抑制層は、前記基板の屈折率よりも小さい屈折率を有する第１干渉層を少なくとも備え、
    前記第１干渉層の屈折率と、前記第１干渉層の厚みとの積が、下記の式（Ａ）を満たす、
    Ｎ×Ｄ＝（ｍ＋１／２）×２７５〔ｎｍ〕…（Ａ）
    Ｎ：第１干渉層の屈折率
    Ｄ：第１干渉層の厚み
    ｍ：０以上の整数
    請求項９に記載の貫通電極基板。
11. 前記第１面反射抑制層は、樹脂及び前記樹脂内の複数の粒子を含む防眩層を備える、請求項９に記載の貫通電極基板。
12. 前記第１面反射抑制層は、３８０ｎｍ以下の平均間隔で配列された複数の突起を含む凹凸面を有する凹凸構造層を備える、請求項９に記載の貫通電極基板。
13. 前記基板の前記第１面には凹部が形成されており、
    前記第１面反射抑制層は、前記凹部に位置する、請求項９乃至１２のいずれか一項に記載の貫通電極基板。
14. 前記基板の前記第１面には複数の凸部が形成されており、
    前記前記第１面反射抑制層は、前記凸部の間において前記基板の前記第１面に設けられている、請求項９乃至１２のいずれか一項に記載の貫通電極基板。
15. 前記貫通電極基板は、前記基板の前記第２面側に設けられ、赤外線を遮蔽する第２面赤外線フィルタ層を含む赤外線遮蔽機構を更に備える、請求項９乃至１４のいずれか一項に記載の貫通電極基板。
16. レンズと、
    レンズに対向するよう配置された受光素子と、
    前記レンズと前記受光素子との間に配置された貫通電極基板と、を備え、
    前記貫通電極基板は、
    前記レンズ側に位置する第１面から前記受光素子側に位置する第２面へ光を透過させる光透過領域を有し、前記光透過領域の外側に複数の貫通孔が設けられた基板と、
    前記基板の前記貫通孔に設けられた貫通電極と、
    前記基板の前記光透過領域に設けられ、前記基板の前記第１面及び前記第２面の少なくともいずれか一方における光の反射を抑制する反射抑制機構と、を備える、電子機器。
17. 前記電子機器は、前記レンズを支持するレンズ支持部を更に備え、
    前記レンズ支持部は、前記貫通電極基板の前記基板に固定された複数のピンを有し、
    前記貫通電極基板の前記基板には、前記レンズ支持部の前記ピンが挿入される複数の貫通孔が設けられている、請求項１６に記載の電子機器。
18. 前記レンズ支持部は、前記レンズを移動させるレンズ駆動部を更に有し、
    前記レンズ支持部の複数の前記ピンのうち少なくとも２つの前記ピンは、導電性を有し、且つ前記レンズ駆動部に電気的に接続された導電性ピンであり、
    前記貫通電極基板の前記基板の、前記レンズ支持部の前記導電性ピンが挿入される貫通孔の内部には、貫通電極が設けられている、請求項１７に記載の電子機器。
19. 前記レンズ支持部の前記レンズ駆動部は、ボイスコイルモータを含む、請求項１８に記載の電子機器。